JP6079232B2 - Gravure offset printing method - Google Patents
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Description
本発明は、グラビアオフセット印刷方法に関する。 The present invention relates to a gravure offset printing method.
タッチパネル等の各種電子部品に用いられる導電回路や電極等の配線パターンの形成には、パターンの線幅・厚さ・生産速度等に応じて、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷といった各種の印刷法が用いられている。これらの各種の印刷法の中でも、例えば数十μｍ程度の微細配線パターンの形成にはグラビアオフセット印刷が着目されている。 For the formation of wiring patterns such as conductive circuits and electrodes used for various electronic parts such as touch panels, flexographic printing, screen printing, inkjet printing, gravure printing, gravure printing are performed according to the line width, thickness, production speed, etc. Various printing methods such as offset printing are used. Among these various printing methods, gravure offset printing has attracted attention for the formation of fine wiring patterns of, for example, several tens of μm.
グラビアオフセット印刷では、所望の印刷パターンに対応する凹部が形成されたグラビア版と、表面がシリコーンゴムからなるブランケットとが用いられる（例えば特許文献１参照）。グラビアオフセット印刷の工程は、大きく分けて、グラビア版の凹部に印刷ペーストを充填するドクタリング工程と、凹部に充填された印刷ペーストをブランケットの表面に転移するオフ工程と、ブランケットに移った印刷ペーストを基板等に転写するセット工程とを備える。この印刷法によれば、凹部の形状によって印刷パターンの形状を自在に設定でき、また、ブランケットから基板への印刷ペーストの転写率も高いため、微細配線パターンを精度良く形成することが可能となっている。 In the gravure offset printing, a gravure plate in which a concave portion corresponding to a desired printing pattern is formed and a blanket whose surface is made of silicone rubber are used (see, for example, Patent Document 1). The gravure offset printing process is broadly divided into a doctoring process for filling a gravure plate with a printing paste, an off process for transferring the printing paste filled in the depression to the surface of the blanket, and a printing paste transferred to the blanket. And a setting step for transferring the substrate to a substrate or the like. According to this printing method, the shape of the printed pattern can be freely set according to the shape of the recess, and the transfer rate of the printing paste from the blanket to the substrate is high, so that a fine wiring pattern can be accurately formed. ing.
上述したグラビアオフセット印刷は、他の印刷方法に比べて微細配線パターンの精度に優れる反面、ドクタリング工程、オフ工程、及びセット工程での工程管理が難しいという一面がある。例えばオフ工程では、印刷方向と直交する方向に延びる細線パターンをブランケットに転移する場合、グラビア版とブランケットとの間の圧力が分散し易く、ブランケットに印刷ペーストが転移しにくくなる現象が生じ得る。この現象は、細線パターンの線幅が狭くなるほど顕著になり、基板に印刷された微細配線パターンにおいて、直線性の低下や突起状のフィラメントの発生といった形状劣化が生じるおそれがある。従来、微細配線パターンの形状改善は、印刷ペーストの組成の調整によってなされていたが、印刷ペーストの組成を調整すると、要求される塗膜物性を満足することが困難になる場合があった。 The gravure offset printing described above is superior in accuracy of the fine wiring pattern as compared with other printing methods, but has one aspect that process management in the doctoring process, the off process, and the setting process is difficult. For example, in the off process, when a thin line pattern extending in a direction orthogonal to the printing direction is transferred to the blanket, the pressure between the gravure plate and the blanket is easily dispersed, and a phenomenon that the printing paste is difficult to transfer to the blanket may occur. This phenomenon becomes more prominent as the line width of the fine line pattern becomes narrower, and in the fine wiring pattern printed on the substrate, there is a possibility that shape degradation such as a decrease in linearity or generation of protruding filaments may occur. Conventionally, the shape of the fine wiring pattern has been improved by adjusting the composition of the printing paste. However, if the composition of the printing paste is adjusted, it may be difficult to satisfy the required coating film properties.
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、印刷ペーストの組成の調整を行うことなく、微細配線パターンを精度良く形成できるグラビアオフセット印刷方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a gravure offset printing method capable of forming a fine wiring pattern with high accuracy without adjusting the composition of the printing paste.
上記課題の解決のため、本発明に係るグラビアオフセット印刷方法は、微細配線パターンを基板に印刷するグラビアオフセット印刷方法であって、印刷方向に延びる第１の細線部と印刷方向に直交する方向に延びる第２の細線部とを含むグラビア版上の凹部を、前記印刷方向に対して鋭角の傾斜角をもって配置し、凹部における第２の細線部の線幅を第１の細線部の線幅よりも１０μｍ以上大きくすることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a gravure offset printing method according to the present invention is a gravure offset printing method for printing a fine wiring pattern on a substrate, in a direction orthogonal to the first thin line portion extending in the printing direction and the printing direction. A concave portion on the gravure plate including the extending second thin line portion is arranged with an acute inclination angle with respect to the printing direction, and the line width of the second thin line portion in the concave portion is greater than the line width of the first thin line portion. Is characterized by being made larger by 10 μm or more.
このグラビアオフセット印刷方法では、凹部における第２の細線部の線幅を第１の細線部の線幅よりも１０μｍ以上大きくしている。印刷方向に直交する方向に延びる第２の細線部では、充填された印刷ペーストをブランケットの表面に転移させる際、グラビア版とブランケットとの間の圧力が分散し易く、ブランケットが十分に変形できなくなってグラビア版の凹部に入り込み難くなる場合がある。このため、線幅を小さくしていくと、第１の細線部による細線パターンに比べて、第２の細線部による細線パターンの形状劣化が顕著に生じる傾向がある。したがって、第２の細線部の線幅を第１の細線部の線幅よりも１０μｍ以上確保しておくことで、印刷ペーストの組成の調整を行うことなく微細配線パターンの全体を精度良く形成できる。 In this gravure offset printing method, the line width of the second thin line portion in the concave portion is made 10 μm or more larger than the line width of the first thin line portion. In the second thin line portion extending in the direction orthogonal to the printing direction, when the filled printing paste is transferred to the surface of the blanket, the pressure between the gravure plate and the blanket is easily dispersed, and the blanket cannot be sufficiently deformed. In some cases, it may be difficult to enter the concave portion of the gravure plate. For this reason, when the line width is reduced, the shape of the fine line pattern due to the second fine line portion tends to deteriorate significantly as compared with the fine line pattern due to the first fine line portion. Therefore, the entire fine wiring pattern can be formed with high accuracy without adjusting the composition of the printing paste by securing the line width of the second fine line portion to 10 μm or more than the line width of the first fine line portion. .
また、第１の細線部の線幅を２０μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。細線パターンの形状劣化は、線幅が小さくなるほど顕著になる。したがって、第１の細線部の線幅が上記範囲にある場合に、第２の細線部の線幅をより確保しておくことで、微細配線パターンの全体を精度良く形成できる。 Moreover, it is preferable that the line | wire width of a 1st thin wire | line part shall be 20 micrometers-50 micrometers. The shape deterioration of the fine line pattern becomes more prominent as the line width becomes smaller. Therefore, when the line width of the first thin line portion is in the above range, the entire fine wiring pattern can be formed with high accuracy by ensuring the line width of the second thin line portion.
本発明に係るグラビアオフセット印刷方法によれば、印刷ペーストの組成の調整を行うことなく、微細配線パターンを精度良く形成できるグラビアオフセット印刷方法を提供する。 The gravure offset printing method according to the present invention provides a gravure offset printing method capable of forming a fine wiring pattern with high accuracy without adjusting the composition of the printing paste.
以下、図面を参照しながら、本発明に係るグラビアオフセット印刷方法の好適な実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of a gravure offset printing method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１は、本発明に係るグラビアオフセット印刷方法の一実施形態を適用してなる印刷装置の主要な構成を示す斜視図である。図１に示すように、印刷装置１は、グラビア版１１が載置される第１のステージ２と、被印刷物である基板１２が載置される第２のステージ３と、第１のステージ２及び第２のステージ３を所定の方向に直線状に往復動させる搬送部４と、グラビア版１１に圧接可能に設けられたドクターブレード５と、グラビア版１１及び基板１２に圧接可能に設けられたブランケット６と、を含んで構成されている。 FIG. 1 is a perspective view showing a main configuration of a printing apparatus to which an embodiment of a gravure offset printing method according to the present invention is applied. As shown in FIG. 1, a printing apparatus 1 includes a first stage 2 on which a gravure plate 11 is placed, a second stage 3 on which a substrate 12 that is a printing object is placed, and a first stage 2. The second stage 3 is linearly reciprocated in a predetermined direction, the doctor blade 5 is provided so as to be press-contacted to the gravure plate 11, and is provided so as to be press-contactable to the gravure plate 11 and the substrate 12. And blanket 6.
この印刷装置１は、例えばタッチパネルに用いられる透明導電フィルム等の基板１２に、グラビアオフセット印刷によって微細配線パターンを形成する装置として構成されている。基板１２に形成する微細配線パターンとしては、例えば電極部と配線部とを有し、タッチパネルの表示領域の縁部に沿って形成される、いわゆるベゼルパターン１３が挙げられる。 The printing apparatus 1 is configured as an apparatus that forms a fine wiring pattern by gravure offset printing on a substrate 12 such as a transparent conductive film used for a touch panel. As the fine wiring pattern formed on the substrate 12, for example, a so-called bezel pattern 13 having an electrode part and a wiring part and formed along the edge of the display area of the touch panel can be cited.
ベゼルパターン１３は、透明電極と接続される細線の集合体であり、例えば図２に示すように、所定の方向に延びる第１の細線パターン１４と、第１の細線パターン１４と略直交する方向に第１の細線パターン１４の一端部から延びる第２の細線パターン１５とからなる一対の略Ｌ字状の配線パターン１６，１６を有している。第２の細線パターン１５の先端部には、第１の細線パターン１４と反対側に延びる複数の細線によって電極パターン１７が形成されており、一対の略Ｌ字状の配線パターン１６，１６は、電極パターン１７，１７同士が所定の間隔をもって対向し、かつ第１の細線パターン１４，１４同士が略平行となるように配置されている。 The bezel pattern 13 is an aggregate of thin lines connected to the transparent electrode. For example, as shown in FIG. 2, a first thin line pattern 14 extending in a predetermined direction and a direction substantially orthogonal to the first thin line pattern 14. A pair of substantially L-shaped wiring patterns 16, 16 including a second fine line pattern 15 extending from one end of the first fine line pattern 14. An electrode pattern 17 is formed by a plurality of fine lines extending on the opposite side of the first fine line pattern 14 at the tip of the second fine line pattern 15, and a pair of substantially L-shaped wiring patterns 16, 16 The electrode patterns 17 and 17 are arranged so as to oppose each other at a predetermined interval, and the first thin line patterns 14 and 14 are arranged substantially parallel to each other.
第１の細線パターン１４の線幅は、例えば２０μｍ〜５０μｍとなっている。これに対し、第２の細線パターン１５の線幅は、第１の細線パターン１４の線幅よりも１０μｍ以上大きくなっている。すなわち、第２の細線パターン１５の線幅は、第１の細線パターン１４の線幅が２０μｍであるときには３０μｍ以上、第１の細線パターン１４の線幅が５０μｍであるときには６０μｍ以上となっている。また、電極パターン１７は、例えば幅２００μｍ×長さ２０００μｍ程度の略長方形状の領域に形成されている。 The line width of the first fine line pattern 14 is, for example, 20 μm to 50 μm. On the other hand, the line width of the second fine line pattern 15 is larger than the line width of the first fine line pattern 14 by 10 μm or more. That is, the line width of the second fine line pattern 15 is 30 μm or more when the line width of the first fine line pattern 14 is 20 μm, and 60 μm or more when the line width of the first fine line pattern 14 is 50 μm. . The electrode pattern 17 is formed in a substantially rectangular region having a width of about 200 μm and a length of about 2000 μm, for example.
微細配線パターンの形成に用いる印刷ペーストＰ（図４参照）は、例えば導電性粉末、樹脂、溶剤等の混合物を３本ロール等で撹拌することによって得られる。導電性粉末には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌといった各種の金属が用いられる。金属は、単体であっても合金であってもよい。また、導電性粉末の粒子に異なる金属を被覆したものを用いてもよい。粒子の形状は、球状、デンドライト状、フレーク状といった各種の形状であってよい。 The printing paste P (see FIG. 4) used for forming the fine wiring pattern can be obtained, for example, by stirring a mixture of conductive powder, resin, solvent, etc. with a three roll or the like. For the conductive powder, for example, various metals such as Ag, Au, Pt, Cu, and Al are used. The metal may be a simple substance or an alloy. Moreover, you may use what coat | covered the different metal to the particle | grains of electroconductive powder. The shape of the particles may be various shapes such as a spherical shape, a dendrite shape, and a flake shape.
樹脂には、例えば熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の各種の樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂としては、例えばメラミン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。紫外線硬化型樹脂としては、例えば（メタ）アクリロイル基を有するアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、及びこれらとモノマーとの混合物が挙げられる。また、熱可塑性樹脂としては、例えばポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 As the resin, various resins such as a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, and a thermoplastic resin are used. Examples of the thermosetting resin include melamine resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, and acrylic resin. Examples of the ultraviolet curable resin include acrylic resins having a (meth) acryloyl group, epoxy resins, polyester resins, and mixtures of these with monomers. Examples of the thermoplastic resin include polyester resin, polyvinyl butyral resin, cellulose resin, and acrylic resin. These resins may be used alone or in combination of two or more.
溶剤には、印刷工程における印刷ペーストＰの乾燥を防止するため、例えば沸点が２４０℃以上の高沸点溶剤を含有させることが好ましい。かかる高沸点溶剤としては、例えばジアミルベンゼン、トリアミルベンゼン、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノアセテート、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコール、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。 In order to prevent the printing paste P from being dried in the printing process, the solvent preferably contains, for example, a high boiling point solvent having a boiling point of 240 ° C. or higher. Examples of such high-boiling solvents include diamylbenzene, triamylbenzene, diethylene glycol, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monoacetate, triethylene glycol, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene. Examples include glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol, and tetraethylene glycol monobutyl ether.
グラビア版１１は、例えばソーダライムガラスやノンアルカリガラス等によって板状に形成されている。このグラビア版１１には、図３に示すように、ベゼルパターン１３に対応する描画用の凹部２１が形成されている。凹部２１は、エッチング等を用いて形成され、グラビア版１１上に例えばマトリクス状に配列されている。各凹部２１は、第１の細線パターン１４に対応する第１の細線部２２と、第２の細線パターン１５に対応する第２の細線部２３とからなる一対の略Ｌ字状の細線部２４，２４を有している。第２の細線部２３の先端部には、電極パターン１７に対応する電極領域部２５が形成されており、一対の略Ｌ字状の細線部２４，２４は、電極領域部２５，２５同士が所定の間隔をもって対向し、かつ第１の細線部２２，２２同士が略平行となるように配置されている。 The gravure plate 11 is formed into a plate shape by using, for example, soda lime glass or non-alkali glass. In the gravure plate 11, a drawing recess 21 corresponding to the bezel pattern 13 is formed as shown in FIG. 3. The recesses 21 are formed by etching or the like, and are arranged on the gravure plate 11 in a matrix, for example. Each recess 21 includes a pair of substantially L-shaped thin wire portions 24 each including a first thin wire portion 22 corresponding to the first thin wire pattern 14 and a second thin wire portion 23 corresponding to the second thin wire pattern 15. , 24. An electrode region portion 25 corresponding to the electrode pattern 17 is formed at the tip of the second thin wire portion 23, and the pair of substantially L-shaped thin wire portions 24, 24 are connected to each other by the electrode region portions 25, 25. The first thin line portions 22 and 22 are arranged so as to face each other at a predetermined interval and to be substantially parallel to each other.
第１の細線部２２及び第２の細線部２３の線幅は、第１の細線パターン１４及び第２の細線パターン１５の線幅に略一致している。すなわち、第１の細線部２２の線幅は、例えば２０〜５０μｍとなっている。また、第２の細線部２３の線幅は、第１の細線部２２の線幅よりも１０μｍ以上大きくなっており、第１の細線部２２の線幅が２０μｍであるときには３０μｍ以上、第１の細線部２２の線幅が５０μｍであるときには６０μｍ以上となっている。 The line widths of the first thin line portion 22 and the second thin line portion 23 substantially match the line widths of the first thin line pattern 14 and the second thin line pattern 15. That is, the line width of the first thin line portion 22 is, for example, 20 to 50 μm. In addition, the line width of the second thin line portion 23 is 10 μm or more larger than the line width of the first thin line portion 22, and when the line width of the first thin line portion 22 is 20 μm, the line width is 30 μm or more. When the line width of the thin line portion 22 is 50 μm, it is 60 μm or more.
また、電極領域部２５の形成領域は、電極パターン１７の形成領域に略一致し、例えば幅２００μｍ×長さ２０００μｍ程度の略長方形状の領域に形成されている。以上のような凹部２１は、第１の細線部２２が搬送部４の搬送方向（以下「ＭＤ（Machine Direction）方向」と記す）に延び、かつ第２の細線部２３が搬送部４の搬送方向に直交する方向（以下「ＴＤ（Transverse Direction）方向」と記す）に延びるように形成され、さらに、ＭＤ方向に対して鋭角の傾斜角θをもって傾斜した状態となっている。 Further, the formation region of the electrode region portion 25 substantially coincides with the formation region of the electrode pattern 17, and is formed in a substantially rectangular region having a width of about 200 μm and a length of about 2000 μm, for example. In the recess 21 as described above, the first thin wire portion 22 extends in the transport direction of the transport portion 4 (hereinafter referred to as “MD (Machine Direction) direction”), and the second thin wire portion 23 transports the transport portion 4. It is formed so as to extend in a direction orthogonal to the direction (hereinafter referred to as “TD (Transverse Direction) direction”), and is further inclined with an acute inclination angle θ with respect to the MD direction.
ドクターブレード５は、図１に示すように、第１のステージ２がドクターブレード５の配置位置を通過する際に、先端のブレード部分がグラビア版１１の表面に圧接するように第１のステージ２の搬送路の上方に配置されている。これにより、グラビア版１１の表面全体に塗布された印刷ペーストＰが掻き取られ、グラビア版１１の凹部２１内に印刷ペーストＰが充填される。 As shown in FIG. 1, the doctor blade 5 has the first stage 2 so that the blade portion at the tip is pressed against the surface of the gravure plate 11 when the first stage 2 passes the arrangement position of the doctor blade 5. It is arrange | positioned above the conveyance path. Thereby, the printing paste P applied to the entire surface of the gravure plate 11 is scraped off, and the printing paste P is filled into the concave portion 21 of the gravure plate 11.
ブランケット６は、例えば円筒状のシリンダの表面にゴム等を巻いて構成され、軸周りに回転可能となっている。このブランケット６は、搬送部４の上方に配置され、リニアサーボモータ等の駆動手段によって、第１のステージ２上のグラビア版１１或いは第２のステージ３上の基板１２に対して圧接可能な進出位置と、これらのグラビア版１１及び基板１２から離間する退避位置との間で駆動するようになっている。 The blanket 6 is configured by, for example, winding rubber or the like around the surface of a cylindrical cylinder, and is rotatable around an axis. The blanket 6 is arranged above the transport unit 4 and can be brought into pressure contact with the gravure plate 11 on the first stage 2 or the substrate 12 on the second stage 3 by driving means such as a linear servo motor. It is driven between the position and a retracted position separated from the gravure plate 11 and the substrate 12.
ブランケット６の表面６ａのゴムは、印刷ペーストＰの離型性や転移性を考慮して選択することが好ましく、例えばシリコーンゴムが用いられる。これにより、ブランケット６の表面６ａの硬度が好適となり、印刷ペーストＰをグラビア版１１からブランケット６に転移する際、及び印刷ペーストＰをブランケット６から基板１２に転写する際のブランケット６の表面６ａの変形を最適化できる。 The rubber on the surface 6a of the blanket 6 is preferably selected in consideration of the releasability and transferability of the printing paste P. For example, silicone rubber is used. Thereby, the hardness of the surface 6a of the blanket 6 becomes suitable, and the surface 6a of the blanket 6 when the printing paste P is transferred from the gravure plate 11 to the blanket 6 and when the printing paste P is transferred from the blanket 6 to the substrate 12 is obtained. Deformation can be optimized.
続いて、上述した印刷装置１を用いたグラビアオフセット印刷の印刷工程について説明する。 Then, the printing process of the gravure offset printing using the printing apparatus 1 mentioned above is demonstrated.
この印刷装置１では、基板１２に微細配線パターンを印刷する１回の印刷工程の中で、大きく分けて、グラビア版１１の凹部２１に印刷ペーストＰを充填するドクタリング工程と、凹部２１に充填された印刷ペーストＰをブランケット６の表面６ａに転移するオフ工程と、ブランケット６に移った印刷ペーストＰを基板１２に転写するセット工程とを実行する。印刷工程の開始の際、第１のステージ２上にグラビア版１１を載置すると共に、カメラ等を用いて位置合わせを行いながら第２のステージ３上に基板１２を載置する。また、グラビア版１１の表面の全体に予め印刷ペーストＰを塗布する。 In this printing apparatus 1, a printing process for printing a fine wiring pattern on the substrate 12 is roughly divided into a doctoring process for filling the concave portion 21 of the gravure plate 11 with the printing paste P, and a filling for the concave portion 21. An off process of transferring the printed paste P to the surface 6 a of the blanket 6 and a setting process of transferring the print paste P transferred to the blanket 6 to the substrate 12 are executed. At the start of the printing process, the gravure plate 11 is placed on the first stage 2 and the substrate 12 is placed on the second stage 3 while performing alignment using a camera or the like. Further, the printing paste P is applied in advance to the entire surface of the gravure plate 11.
ドクタリング工程では、図４に示すように、グラビア版１１が載置された第１のステージ２がブランケット６側に所定の速度で搬送され、ドクターブレード５の下を通過する。これにより、ドクターブレード５がグラビア版１１の表面に圧接され、グラビア版１１の表面の印刷ペーストＰがブレード部分で掻き取られる。第１のステージ２がドクターブレード５を通過し終えると、グラビア版１１の凹部２１内に印刷ペーストＰが充填された状態となる。 In the doctoring process, as shown in FIG. 4, the first stage 2 on which the gravure plate 11 is placed is transported to the blanket 6 side at a predetermined speed and passes under the doctor blade 5. As a result, the doctor blade 5 is pressed against the surface of the gravure plate 11 and the printing paste P on the surface of the gravure plate 11 is scraped off by the blade portion. When the first stage 2 finishes passing the doctor blade 5, the printing paste P is filled in the concave portion 21 of the gravure plate 11.
オフ工程では、ブランケット６が圧接位置に進出し、図５に示すように、第１のステージ２がブランケット６の下方を通過する。これにより、グラビア版１１における凹部２１内の印刷ペーストＰがブランケット６の表面６ａに転移し、ブランケット６の表面６ａには、凹部２１から離型した印刷ペーストＰによってベゼルパターン１３が描画される。このオフ工程では、印刷ペーストＰがブランケット６の表面６ａに転移する際、印刷ペーストＰ中の溶剤がブランケット６の表面６ａに十分吸収されることが好ましい。これにより、続くセット工程において、ブランケット６から基板１２への印刷ペーストＰの転写精度を担保できる。 In the off process, the blanket 6 advances to the pressure contact position, and the first stage 2 passes below the blanket 6 as shown in FIG. Thereby, the printing paste P in the recess 21 in the gravure plate 11 is transferred to the surface 6 a of the blanket 6, and the bezel pattern 13 is drawn on the surface 6 a of the blanket 6 by the printing paste P released from the recess 21. In this off process, it is preferable that the solvent in the printing paste P is sufficiently absorbed by the surface 6 a of the blanket 6 when the printing paste P is transferred to the surface 6 a of the blanket 6. Thereby, in the subsequent setting process, the transfer accuracy of the printing paste P from the blanket 6 to the substrate 12 can be ensured.
セット工程では、ブランケット６が退避位置に移動し、第１のステージ２が初期位置に戻ると共に、第２のステージ３がブランケット６よりもドクターブレード５側に搬送される。次に、ブランケット６が再び圧接位置に進出し、図６に示すように、第２のステージ３がブランケット６の下方を通過する。これにより、ブランケット６の表面６ａのベゼルパターン１３が基板１２に転写され、印刷工程が完了する。 In the setting process, the blanket 6 moves to the retracted position, the first stage 2 returns to the initial position, and the second stage 3 is conveyed to the doctor blade 5 side than the blanket 6. Next, the blanket 6 again advances to the pressure contact position, and the second stage 3 passes below the blanket 6 as shown in FIG. Thereby, the bezel pattern 13 on the surface 6a of the blanket 6 is transferred to the substrate 12, and the printing process is completed.
このグラビアオフセット印刷方法では、凹部２１における第１の細線部２２の線幅を２０μｍ〜５０μｍとし、第２の細線部２３の線幅を第１の細線部２２の線幅よりも１０μｍ以上大きくしている。印刷方向に直交する方向（ＴＤ方向）に延びる第２の細線部２３では、オフ工程で充填された印刷ペーストＰをブランケット６の表面に転移させる際、印刷方向（ＭＤ方向）に延びる第１の細線部２２に比べてグラビア版１１とブランケット６との間の圧力が分散し易く、ブランケット６が十分に変形できなくなってグラビア版１１の凹部２１に入り込み難くなる場合がある。このため、線幅を小さくしていくと、第１の細線部２２による細線パターンに比べて、第２の細線部２３による細線パターンの形状劣化が顕著に生じる傾向がある。 In this gravure offset printing method, the line width of the first thin line portion 22 in the recess 21 is set to 20 μm to 50 μm, and the line width of the second thin line portion 23 is set to be 10 μm or more larger than the line width of the first thin line portion 22. ing. In the second thin line portion 23 extending in the direction orthogonal to the printing direction (TD direction), the first paste extending in the printing direction (MD direction) when the printing paste P filled in the off process is transferred to the surface of the blanket 6. The pressure between the gravure plate 11 and the blanket 6 is easier to disperse than the thin wire portion 22, and the blanket 6 cannot be sufficiently deformed and may not easily enter the concave portion 21 of the gravure plate 11. For this reason, when the line width is reduced, the shape of the fine line pattern due to the second fine line portion 23 tends to be significantly deteriorated as compared with the fine line pattern due to the first fine line portion 22.
図７は、細線パターンの形状劣化の一例を示す図である。細線パターンに形状劣化が生じると、図７（ａ）に示す部位Ａのように、輪郭に凹凸が生じて直線性が低下したり、同図の部位Ｂのように、輪郭に突起状のフィラメントが生じたりする場合がある。このほか、図７（ｂ）に示す部位Ｃのように、細線パターンが断線してしまう場合もある。 FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the shape deterioration of the fine line pattern. When the shape of the thin line pattern is deteriorated, as shown in part A of FIG. 7A, the contour becomes uneven and the linearity is lowered, or as shown in part B of FIG. May occur. In addition, the thin line pattern may be disconnected as shown in a part C shown in FIG.
また、図８は、細線パターンの線幅を変えたときの形状劣化の評価実験結果を示す図である。この評価実験では、ＭＤ方向に延びる第１の細線パターンと、ＴＤ方向に延びる第２の細線パターンとにおいて、線幅を５０μｍから１０μｍ刻みで徐々に小さくしていったときの形状を評価した。また、細線パターンとＭＤ方向との間の傾斜角を１０°とした。各細線パターンの観察には顕微鏡を行い、細線パターンの限度見本との比較によってＡ〜Ｄの４段階で評価を行った。 Moreover, FIG. 8 is a figure which shows the evaluation experiment result of shape degradation when changing the line | wire width of a thin line pattern. In this evaluation experiment, the shape of the first fine line pattern extending in the MD direction and the second fine line pattern extending in the TD direction were evaluated when the line width was gradually reduced from 50 μm to 10 μm. The inclination angle between the fine line pattern and the MD direction was 10 °. Each fine line pattern was observed with a microscope, and evaluated in four stages A to D by comparison with a limit sample of the fine line pattern.
同図に示すように、線幅が５０μｍの場合では、第１の細線パターン及び第２の細線パターンのいずれにも形状劣化は見られない。線幅が４０μｍの場合では、第１の細線パターンには形状劣化が見られないが、第２の細線パターンには輪郭の凹凸が生じ始める。線幅が３０μｍの場合では、依然として第１の細線パターンには形状劣化が見られないが、第２の細線パターンには輪郭の凹凸及び突起状のフィラメントが確認できる。線幅が２０μｍの場合では、第１の細線パターンに突起状のフィラメントが僅かに見られる一方、第２の細線パターンには断線が生じている。 As shown in the figure, when the line width is 50 μm, no shape deterioration is observed in either the first fine line pattern or the second fine line pattern. In the case where the line width is 40 μm, no shape deterioration is observed in the first fine line pattern, but contour irregularities start to appear in the second fine line pattern. When the line width is 30 μm, the first thin line pattern still has no shape deterioration, but the second thin line pattern can be confirmed to have contour irregularities and protruding filaments. In the case where the line width is 20 μm, slightly protruding filaments are seen in the first fine line pattern, while disconnection occurs in the second fine line pattern.
このように、線幅を小さくした場合、第１の細線部２２による細線パターンに比べて、第２の細線部２３による細線パターンの形状劣化が顕著に生じる。したがって、第２の細線部２３の線幅を第１の細線部２２の線幅よりも１０μｍ以上大きく確保しておくことで、第２の細線部２３の形状劣化を抑えることが可能となり、印刷ペーストの組成の調整を行うことなく微細配線パターンの全体を精度良く形成できる。 As described above, when the line width is reduced, the shape of the fine line pattern due to the second fine line portion 23 is significantly deteriorated as compared with the fine line pattern due to the first fine line portion 22. Therefore, by ensuring the line width of the second thin line portion 23 to be 10 μm or more larger than the line width of the first thin line portion 22, it is possible to suppress the shape deterioration of the second thin line portion 23, and printing. The entire fine wiring pattern can be accurately formed without adjusting the paste composition.
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上記実施形態では、微細配線パターンとしてベゼルパターン６を例示しているが、グラビア版の凹部の形状は、印刷方向に延びる第１の細線部と前記印刷方向に直交する方向に延びる第２の細線部とを含むものであれば他の形状にも適用できる。微細配線パターンは、タッチパネル用のものに限られず、電子ペーパー、太陽電池といった電子部品の導電回路、電極、絶縁層の形成にも適用できる。その他、上記実施形態では、平版のグラビア版と平板状の基板を用いた枚葉方式を例示したが、本発明では、平版のグラビア版に代えてロール版のグラビア版を用いてもよいし、或いは平板状の基板に代えて長尺シート状の基板を用いてもよい。生産性の観点からは、ロール版のグラビア版と平板状の基板又は長尺シート状の基板とを用いた連続方式を用いることが好適である。 The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the bezel pattern 6 is exemplified as the fine wiring pattern, but the shape of the concave portion of the gravure plate is the second thin line portion extending in the printing direction and the second thin line portion extending in the direction perpendicular to the printing direction. As long as it includes a thin line portion, it can be applied to other shapes. The fine wiring pattern is not limited to that for a touch panel, and can be applied to the formation of conductive circuits, electrodes, and insulating layers of electronic components such as electronic paper and solar cells. In addition, in the above embodiment, a single-wafer method using a lithographic gravure plate and a flat substrate is illustrated, but in the present invention, a roll gravure plate may be used instead of the lithographic gravure plate, Alternatively, a long sheet substrate may be used instead of the flat substrate. From the viewpoint of productivity, it is preferable to use a continuous method using a gravure plate of a roll plate and a flat substrate or a long sheet substrate.
１１…グラビア版、１２…基板、１３…ベゼルパターン（微細配線パターン）、２１…凹部、２２…第１の細線部、２３…第２の細線部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Gravure plate, 12 ... Board | substrate, 13 ... Bezel pattern (fine wiring pattern), 21 ... Recessed part, 22 ... 1st fine wire part, 23 ... 2nd fine wire part.
Claims (1)
印刷方向に延びる第１の細線部と前記印刷方向に直交する方向に延びる第２の細線部とを含むグラビア版上の凹部を、前記印刷方向に対して鋭角の傾斜角をもって配置し、
前記凹部における前記第２の細線部の線幅を前記第１の細線部の線幅よりも１０μｍ以上大きくすると共に、前記第１の細線部の線幅を２０μｍ以上４０μｍ以下、かつ前記第２の細線部の線幅を３０μｍ以上５０μｍ以下とすることを特徴とするグラビアオフセット印刷方法。 A gravure offset printing method for printing a fine wiring pattern on a substrate,
A concave portion on the gravure plate including a first thin line portion extending in the printing direction and a second thin line portion extending in a direction orthogonal to the printing direction is disposed with an acute inclination angle with respect to the printing direction;
The line width of the second thin line portion in the recess is made 10 μm or more larger than the line width of the first thin line portion, the line width of the first thin line portion is 20 μm or more and 40 μm or less, and the second A gravure offset printing method, wherein the line width of the fine line portion is 30 μm or more and 50 μm or less .
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