JP6071285B2 - 静電容量型トランスデューサ - Google Patents
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 57
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 36
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010895 photoacoustic effect Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
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- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
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Description
(実施例1)
以下に、本発明の実施の形態について図1を用いて説明する。図1(a)は、本発明の静電容量型トランスデューサの上面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−B断面図である。
実施例2の静電容量型トランスデューサの構成を図2を用いて説明する。図2(a)は、本発明の静電容量型トランスデューサの上面図であり、図2(b)は、図2(a)のA−B断面図である。実施例2の静電容量型トランスデューサの構成は、実施例1とほぼ同様である。
実施例3の静電容量型トランスデューサの構成を図3を用いて説明する。実施例3の静電容量型トランスデューサの構成は、実施例1とほぼ同様であり、図3は、図1(a)のA−B断面図の相当図である。図3では、図1の各部と対応する各部を、図1の数字に40を加えた数字で示している。
上記実施形態や実施例で説明した静電容量型トランスデューサを備える探触子は、音響波を用いた被検体情報取得装置に適用することができる。被検体からの音響波を静電容量型トランスデューサで受信し、出力される電気信号を用い、光吸収係数などの被検体の光学特性値を反映した被検体情報を取得することができる。
Claims (9)
- 第1の電極と、間隙を挟んで前記第1の電極と対向する第2の電極を含む振動膜と、前記間隙が形成されるように前記振動膜を支持する支持部と、で構成されるセルと、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、
を有する静電容量型トランスデューサであって、
前記セルとして、第1のばね定数を有する前記振動膜を含む第1のセルと、前記第1のばね定数より小さい第2のばね定数を有する前記振動膜を含む第2のセルと、を有し、
前記第1のセルの第1の電極と第2の電極との間の距離が、前記第2のセルの第1の電極と第2の電極との間の距離より短く、且つ、前記電圧印加手段は前記第1のセルと、前記第2のセルと、に共通の電圧を印加するものであることを特徴とする静電容量型トランスデューサ。 - 前記第1のセルの振動膜の厚さは、前記第2のセルの振動膜の厚さより厚く、かつ、前記第1のセルの振動膜の面積は、前記第2のセルの振動膜の面積と同じであることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記第1のセルの振動膜の面積は、前記第2のセルの振動膜の面積より小さく、かつ、前記第1のセルの振動膜の厚さは、前記第2のセルの振動膜の厚さと同じであることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記第1のセルの第1の電極と第2の電極との間に電圧を印加するための第1の電圧印加手段と、前記第2のセルの第1の電極と第2の電極との間に電圧を印加するための第2の電圧印加手段とを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記第1のセルと、前記第2のセルとは、プルイン電圧が略同じになるように構成されていることとを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記共通の電圧は、プルイン電圧未満の電圧であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記共通の電圧は、前記プルイン電圧の90パーセントの電圧を含むことを特徴とする請求項6に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 第1の電極と、間隙を挟んで前記第1の電極と対向する第2の電極を含む振動膜と、前記間隙が形成されるように前記振動膜を支持する支持部と、で構成されるセルと、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、
を有する静電容量型トランスデューサであって、
前記セルとして、第1のばね定数を有する前記振動膜を含む第1のセルと、前記第1のばね定数より小さい第2のばね定数を有する前記振動膜を含む第2のセルと、を有し、
前記第1のセルの第1の電極と第2の電極との間の距離が、前記第2のセルの第1の電極と第2の電極との間の距離より短く、且つ、前記電圧印加手段は前記第1のセルと、前記第2のセルと、に共通の電圧を印加するものであり、
前記第1のセルのプルイン電圧と前記第2のセルのプルイン電圧とが略同じになる様に前記第1のセルと前記第2のセルとが構成されていることを特徴とする静電容量型トランス。 - 請求項1から8の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサと、
光を発生する光源と、
前記静電容量型トランスデューサから出力される信号を処理する信号処理部と、
を有し、
該光源から発せられて被検体にあてられた前記光によって生じる光音響波を前記静電容量型トランスデューサで受信し、電気信号に変換された信号を前記信号処理部で処理することで被検体の情報を取得することを特徴とする被検体情報取得装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012151940A JP6071285B2 (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 静電容量型トランスデューサ |
US13/926,532 US20140010052A1 (en) | 2012-07-06 | 2013-06-25 | Capacitive transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012151940A JP6071285B2 (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 静電容量型トランスデューサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014017566A JP2014017566A (ja) | 2014-01-30 |
JP6071285B2 true JP6071285B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=49878435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012151940A Active JP6071285B2 (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 静電容量型トランスデューサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140010052A1 (ja) |
JP (1) | JP6071285B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5511260B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 容量型電気機械変換装置、及びその感度調整方法 |
JP5812660B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその製造方法 |
JP5893352B2 (ja) | 2011-11-14 | 2016-03-23 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置 |
WO2013125626A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 日立アロカメディカル株式会社 | 超音波診断装置及び超音波探触子 |
JP6395391B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2018-09-26 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサおよびその製造方法 |
EP2796210B1 (en) | 2013-04-25 | 2016-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Capacitive transducer and method of manufacturing the same |
JP6238556B2 (ja) | 2013-04-25 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置およびその制御方法、ならびに探触子 |
JP6395390B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2018-09-26 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサおよびその製造方法 |
EP2796209B1 (en) | 2013-04-25 | 2020-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Capacitive transducer and method of manufacturing the same |
US20150109889A1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. | Acoustic transducer with membrane supporting structure |
JP6381195B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサ及びその作製方法 |
KR102077741B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2020-02-14 | 삼성전자주식회사 | 초음파 변환기 및 이를 채용한 초음파 진단장치 |
JP2015100472A (ja) | 2013-11-22 | 2015-06-04 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサの駆動方法および駆動装置 |
KR102250185B1 (ko) | 2014-01-29 | 2021-05-10 | 삼성전자주식회사 | 전기 음향 변환기 |
JP6320189B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2018-05-09 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサ、及びその製造方法 |
JP6555869B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサ |
CN104622512B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-06-13 | 天津大学 | 椭圆膜单元结构电容式微超声传感器环形阵列及电路*** |
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JP6632431B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2020-01-22 | キヤノン株式会社 | 超音波トランスデューサユニット及びそれを備える情報取得装置 |
KR102614668B1 (ko) * | 2018-03-29 | 2023-12-19 | 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 | 흡착 패드 |
EP3793640A1 (en) | 2018-05-15 | 2021-03-24 | Baxter International Inc. | Infusion pump with tube loading guidance and confirmation |
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JP7010386B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-01-26 | 株式会社村田製作所 | 振動装置及び光学検出装置 |
WO2021033031A1 (en) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | Vermon Sa | Ultrasound transducer manufacturing method |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5619476A (en) * | 1994-10-21 | 1997-04-08 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Jr. Univ. | Electrostatic ultrasonic transducer |
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JP4746291B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2011-08-10 | オリンパス株式会社 | 静電容量型超音波振動子、及びその製造方法 |
TWI260940B (en) * | 2005-06-17 | 2006-08-21 | Ind Tech Res Inst | Method for producing polymeric capacitive ultrasonic transducer |
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EP2362421A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-08-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Tailorable flexible sheet of monolithically fabricated array of separable cells each comprising a wholly organic, integrated circuit adapted to perform a specific function |
US8698377B2 (en) * | 2010-05-21 | 2014-04-15 | Misonix, Incorporated | Dual-mode piezocomposite ultrasonic transducer |
JP5645637B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置および被検体情報取得方法 |
-
2012
- 2012-07-06 JP JP2012151940A patent/JP6071285B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-25 US US13/926,532 patent/US20140010052A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140010052A1 (en) | 2014-01-09 |
JP2014017566A (ja) | 2014-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |