JP6045110B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明の半導体装置は、板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドに電気的に接続された半導体素子と、該半導体素子を挟んで前記ダイパッドに対向して形成され、前記半導体素子の一面を覆うよう広がる接続板と、を備え、
前記接続板の一部には、前記半導体素子に電気的に接続される接続片が形成されており、
前記接続片は前記接続板に設定された第一領域内において、前記接続板の周縁に接しないように設定した四角形のうちの三辺を切り込み、残りの一辺を屈曲辺として、切り込まれた三辺で囲まれた部分を前記半導体素子の一面に形成された電極に向けて折り曲げた部分からなり、前記屈曲辺と前記接続板の一辺との成す角度が0°よりも大きく、90°よりも小さい角度範囲で傾斜していること、を特徴とする。
本発明の半導体装置の第一実施形態を図1に示す。図1(a)は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図、図1(b)は、図1(a)のA−A線に沿った断面図である。
本発明の半導体装置20は、板状に形成されたダイパッド21と、このダイパッド21の一面21aに配された半導体素子22と、この半導体素子22を挟んで、ダイパッド21に対向して形成された接続板23と、を備えている。また、これら半導体素子22、接続板23、およびダイパッド21の一面21aは、絶縁性の封止樹脂(モールド)27によって覆われている。
なお、半導体素子22は、ダイオード以外であってもよく、例えば、トランジスタ、コンデンサ、集積回路など、各種チップであればよく、限定されるものではない。
一例として、接続板23の第二領域23bから最も遠い辺の一端と封止樹脂27の外面との幅(封止樹脂27の形成幅)Δtは、0.1〜3mm程度であればよい。接続板23全体を封止樹脂27内に収めることで、接続板23の絶縁性が確保される。
図1に示す半導体装置20によれば、リード26a,26bと半導体素子22の電極29aとの接続に、板状の接続板23に形成した舌片状の接続片24を用いている。こうした接続板23と、舌片状の接続片24とは、リードと半導体素子の端子とを金属細線によって接続する場合と比較して、電子の流れる方向に対する断面積が大幅に大きい。従って、金属細線よりも大きい電流を流すことが可能である。よって、大電流化に対応した半導体装置20を実現することができる。
本発明の半導体装置の第二実施形態を図2に示す。上述した第一実施形態では、2つのリードが形成されているが、半導体装置が接続される電気回路の構成によっては、2つのうちの一方のリードのみ使用されることがある。この場合、一方のリードはダミーリードとされ、リードそのものは残されるものの、接続板に対して電気的に接続しない構成をとる。
本発明の半導体装置30は、板状に形成されたダイパッド21と、このダイパッド21の一面21aに配された半導体素子22と、この半導体素子22を挟んで、ダイパッド21に対向して形成された接続板33と、を備えている。また、これら半導体素子22と、接続板33と、およびダイパッド21の一面21aとは、絶縁性の封止樹脂27によって覆われている。この実施形態では、接続板33に接続されるリード(接続端子)36と、接続板33には接続しないダミーリード(ダミー端子)38とを有している。
本発明の半導体装置の第三実施形態を図3に示す。図3は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図である。なお、図1に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置40は、板状に形成されたダイパッド21と、このダイパッド21の一面21aに並べて配された2つの半導体素子42A,42Bと、この半導体素子42A,42Bをそれぞれ挟んで、ダイパッド21に対向して形成された接続板43A,43Bと、を備えている。また、これら半導体素子42A,42B、接続板43A,43B、およびダイパッド21の一面21aは、絶縁性の封止樹脂27によって覆われている。
本発明の半導体装置の第四実施形態を図4に示す。図4は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図である。なお、図1に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置50は、板状に形成されたダイパッド21と、このダイパッド21の一面21aに配された半導体素子22と、この半導体素子22を挟んで、ダイパッド21に対向して形成された接続板53と、を備えている。また、これら半導体素子22、接続板53、およびダイパッド21の一面21aは、絶縁性の封止樹脂27によって覆われている。
本発明の半導体装置の第五実施形態を図5に示す。図5は、半導体装置を側面から見た時の断面図である。なお、図1に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置60は、板状に形成されたダイパッド21と、このダイパッド21の一面21aに配された半導体素子22と、この半導体素子22を挟んで、ダイパッド21に対向して形成された接続板63と、を備えている。また、これら半導体素子22、接続板63、およびダイパッド21の一面21aは、絶縁性の封止樹脂27によって覆われている。
Claims (5)
- 板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドに電気的に接続された半導体素子と、該半導体素子を挟んで前記ダイパッドに対向して形成され、前記半導体素子の一面を覆うよう広がる接続板と、を備え、
前記接続板の一部には、前記半導体素子に電気的に接続された接続片が形成されており、
前記接続片は前記接続板に設定された第一領域内において、前記接続板の周縁に接しないように設定した四角形のうちの三辺を切り込み、残りの一辺を屈曲辺として、切り込まれた三辺で囲まれた部分を前記半導体素子の一面に形成された電極に向けて折り曲げた部分からなり、前記屈曲辺と前記接続板の一辺との成す角度が0°よりも大きく、90°よりも小さい角度範囲で傾斜していること、を特徴とする半導体装置。 - 前記接続板の周囲は、絶縁性の封止樹脂によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記接続片は、前記半導体素子の一面に形成された電極の中央部分に接するように形成したことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記接続片は、前記接続板に複数形成され、前記半導体素子の一面に形成された1つの電極に対して、前記複数の接続片を接続させてなることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の半導体装置。
- 前記接続板は、少なくとも前記半導体素子の一面を覆う部分において、蛇腹状に繰り返し屈折させた部分をもつことを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の半導体装置。
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