JP6044695B2

JP6044695B2 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE PROVIDED WITH SAME

Info

Publication number: JP6044695B2
Application number: JP2015223618A
Authority: JP
Inventors: 大野　香織; 香織大野; 加藤　栄作; 栄作加藤; 西関　雅人; 雅人西関
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2015-11-16
Filing date: 2015-11-16
Publication date: 2016-12-14
Anticipated expiration: 2032-02-16
Also published as: JP2016048796A

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された表示装置及び照明装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, a display device including the same, and a lighting device.

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であることから、次世代の平面ディスプレイや照明として注目されている。
内部量子効率の上限が１００％となる励起三重項からのリン光発光を用いた有機ＥＬ素子がプリンストン大より報告されて以来（例えば、非特許文献１参照）、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献２、特許文献１参照）。
また、室温でリン光を示す材料として、イリジウム錯体系等重金属錯体が検討されている（例えば、非特許文献３参照）。例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体が広く知られており（非特許文献２）、また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体以外として、フェニルイミダゾール配位子やカルベン配位子を有するイリジウム錯体が開示されているが（例えば、特許文献２及び３参照）、これらのドーパントを用いた有機ＥＬ素子においても、発光寿命をはじめとして十分な素子性能が得られていないのが現状である。
これらの欠点を補う技術として、イリジウム錯体の配位子を結合させた錯体が開示されている（特許文献４、５参照）。これらの錯体では材料自体の熱安定性が改良され、素子の寿命も改善されているが、実用化にあたっては未だ十分な素子性能とは言い難く更なる性能の向上が求められていた。 An organic electroluminescence element (hereinafter also referred to as an organic EL element) has a structure in which a light emitting layer containing a light emitting compound is sandwiched between a cathode and an anode, and recombines by injecting electrons and holes into the light emitting layer. Is an element that emits light by using the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when excitons are generated by excitons, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it is attracting attention as a next-generation flat display and illumination.
Since an organic EL device using phosphorescence emission from an excited triplet with an upper limit of internal quantum efficiency of 100% has been reported by Princeton University (for example, see Non-Patent Document 1), Research has become active (see, for example, Non-Patent Document 2 and Patent Document 1).
Further, iridium complex-based heavy metal complexes have been studied as materials exhibiting phosphorescence at room temperature (see, for example, Non-Patent Document 3). For example, a tris (2-phenylpyridine) iridium complex is widely known (Non-Patent Document 2), and has a phenylimidazole ligand or a carbene ligand other than the tris (2-phenylpyridine) iridium complex. Although iridium complexes have been disclosed (see, for example, Patent Documents 2 and 3), even in organic EL devices using these dopants, sufficient device performance such as emission lifetime has not been obtained. .
As a technique for compensating for these drawbacks, a complex in which a ligand of an iridium complex is bound is disclosed (see Patent Documents 4 and 5). In these complexes, the thermal stability of the material itself has been improved and the lifetime of the element has been improved, but it has not been sufficient for practical use yet and further improvement in performance has been demanded.

米国特許第６０９７１４７号明細書US Pat. No. 6,097,147 国際公開第２００６／０４６９８０号International Publication No. 2006/046980 国際公開第２００５／０１９３７３号International Publication No. 2005/019373 国際公開第２００５／７６３８０号International Publication No. 2005/76380 国際公開第２００４／８１０１７号International Publication No. 2004/81017

Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４頁（１９９８年）M.M. A. Baldo et al. , Nature, 395, 151-154 (1998) Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）M.M. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000) Ｃ．Ａｄａｃｈｉｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９号、２０８２−２０８４頁（２００１年）C. Adachi et al. , Appl. Phys. Lett. 79, 2082-2084 (2001)

本発明の目的は、上記事情に鑑みてなされたもので、高い発光効率を示し、発光寿命が長く、低駆動電圧である有機エレクトロルミネッセンス素子、該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた表示装置及び照明装置を提供することである。 An object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and shows an organic electroluminescence element having a high light emission efficiency, a long light emission lifetime, and a low driving voltage, and a display device and an illumination device provided with the organic electroluminescence element Is to provide.

本発明に係る上記目的は、以下の手段により解決される。
１．陽極と陰極との間に、少なくとも１つの発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
下記一般式（１）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｖは三価の連結基を表し、Ｌ_１〜Ｌ_３と共有結合で連結している。Ｖは、下記一般式（３）で表される３価の連結基であり、Ｌ_１〜Ｌ_３はそれぞれ下記一般式（５）で表される配位子部位を表す。〕

〔式中、Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ、水素原子または置換基Ｒを表す。Ｙは炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｒ_３〜Ｒ_４は置換基Ｒを表す。置換基Ｒは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アミノ基、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、及びホスホノ基の中から選択される置換基を表す。〕

〔式中、Ｘ_６〜Ｘ_１１は、芳香族６員環を形成する元素群であり、炭素原子を表す。当該芳香族６員環は更に置換基を有してもよい。Ｒ_７は、炭素数７以上の置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_８及びＲ_９は，各々水素原子を表し、一般式（３）で表されるＶとの結合部位はＸ_９であり、一般式（１）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体におけるＩｒとの結合部位は、Ｘ_７である。〕
２．前記一般式（５）で表される配位子部位が、下記一般式（６）で表される配位子部位であることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒｅは、各々置換基を表す。Ｒｂ及びＲｃは、各々アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。ｎｅは、０〜２の整数を表す。Ｒ_２及びＲ_３は、各々水素原子を表す。Ａｒは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。Ｒｆは、置換基を表す。ｎｆは、０〜３の整数を表す。〔式中、Ｒｅは、各々置換基を表す。Ｒｂ及びＲｃは、各々アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。ｎｅは、０〜２の整数を表す。Ｒ_２及びＲ_３は、各々水素原子を表す。Ａｒは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。Ｒｆは、置換基を表す。ｎｆは、０〜３の整数を表す。一般式（３）で表される３価の連結基であるＶとの結合部位は、前記一般式（５）におけるＸ_９に対応する位置であり、一般式（１）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体におけるＩｒとの結合部位は、イミダゾール環の窒素原子または前記一般式（５）におけるＸ_７に対応する位置である。〕〕
３．前記一般式（６）において、Ｒｂ及びＲｃがイソプロ基を表すことを特徴とする第１項または第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．前記一般式（６）において、Ａｒがフェニル基を表すことを特徴とする第２項または第３項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
５．前記一般式（３）において、Ｒ_１及びＲ_２は、各々水素原子、アリール基、アルキル基又はアルコキシ基を表すことを特徴とする第１項〜第４項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．前記一般式（３）において、Ｒ_１及びＲ_２は、各々水素原子、フェニル基、アルキル基又はアルコキシ基を表すことを特徴とする第１項〜第５項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．前記一般式（３）において、Ｒ_３及びＲ_４は、各々水素原子またはアリール基を表すことを特徴とする第１項〜第６項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．前記一般式（３）において、Ｒ_３及びＲ_４は、各々水素原子またはフェニル基を表すことを特徴とする第１項〜第７項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．前記発光層の少なくとも１層に、前記６座配位型オルトメタルイリジウム錯体を含有することを特徴とする第１項〜第８項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．白色発光することを特徴とする第１〜第９項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．第１項〜第１０項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
１２．第１項〜第９項のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 The above object of the present invention is solved by the following means.
1. In an organic electroluminescence device having at least one light emitting layer between an anode and a cathode,
An organic electroluminescence device comprising a hexadentate ortho metal iridium complex represented by the following general formula (1):

[Wherein, V represents a trivalent linking group, and is linked to L _{1 to} L _{3 through a} covalent bond. V is a trivalent linking group represented by the following general formula (3), and L _{1 to} L ₃ each represent a ligand moiety represented by the following general formula (5). ]

[Wherein, R ₁ and R ₂ each represent a hydrogen atom or a substituent R. Y represents a carbon atom or a silicon atom. R _{3 to} R ₄ represent a substituent R. The substituent R is a halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, aromatic hydrocarbon group, aromatic heterocyclic group, heterocyclic group, cycloalkoxy group, aryloxy group, alkylthio group, cycloalkylthio group, arylthio group. Group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, sulfamoyl group, acyl group, acyloxy group, amide group, carbamoyl group, ureido group, sulfinyl group, alkylsulfonyl group, amino group, fluorohydrocarbon group, cyano group, nitro group , A substituent selected from a hydroxy group, a mercapto group, a silyl group, and a phosphono group. ]

Wherein, X ₆ to X ₁₁ is an element group that forms an aromatic 6-membered ring represents a carbon atom. The aromatic 6-membered ring may further have a substituent. R ₇ represents a substituted or unsubstituted aryl group having 7 or more carbon atoms. R ₈ and R ₉ each represent a hydrogen atom, the binding site to V represented by the general formula (3) is X ₉ and the hexadentate ortho metal iridium represented by the general formula (1) binding site of Ir in the complex is _{X 7.} ]
2. 2. The organic electroluminescence device according to item 1, wherein the ligand moiety represented by the general formula (5) is a ligand moiety represented by the following general formula (6).

[Wherein, Re represents a substituent. Rb and Rc each represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. ne represents an integer of 0 to 2. R ₂ and R ₃ each represent a hydrogen atom. Ar represents an aryl group or a heteroaryl group. Rf represents a substituent. nf represents an integer of 0 to 3. [Wherein, Re represents a substituent. Rb and Rc each represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. ne represents an integer of 0 to 2. R ₂ and R ₃ each represent a hydrogen atom. Ar represents an aryl group or a heteroaryl group. Rf represents a substituent. nf represents an integer of 0 to 3. The binding site with V which is a trivalent linking group represented by the general formula (3) is a position corresponding to X ₉ in the general formula (5), and is a 6-seat represented by the general formula (1). The binding site with Ir in the coordination type ortho metal iridium complex is a nitrogen atom of the imidazole ring or a position corresponding to X ₇ in the general formula (5). ]]
3. In the general formula (6), Rb and Rc each represent an isopropyl group, The organic electroluminescent device according to the first or second item, wherein
4). In the general formula (6), Ar represents a phenyl group, The organic electroluminescence device according to any one of the second and third items.
5. In the general formula (3), R ₁ and R ₂ each represent a hydrogen atom, an aryl group, an alkyl group, or an alkoxy group, The organic according to any one of Items 1 to 4, Electroluminescence element.
6). In the said General formula (3), R < ₁ > and R < ₂ > respectively represents a hydrogen atom, a phenyl group, an alkyl group, or an alkoxy group, The organic as described in any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. Electroluminescence element.
7). In the general formula (3), R ₃ and R ₄ are organic electroluminescent device according to any one of the items 1 to 6, wherein, characterized in that each represents a hydrogen atom or an aryl group.
8). In the said General formula (3), R < ₃ > and R < ₄ > represents a hydrogen atom or a phenyl group, respectively, The organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned.
9. The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 8, wherein the hexadentate orthometal iridium complex is contained in at least one layer of the light emitting layer.
10. 10. The organic electroluminescence device according to any one of items 1 to 9, wherein the organic electroluminescence device emits white light.
11. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of Items 1 to 10.
12 An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of Items 1 to 9.

本発明の上記手段により、高い発光効率を示し、発光寿命が長く、低駆動電圧である有機エレクトロルミネッセンス素子、該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた表示装置及び照明装置を提供することができる。 By the above means of the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescent element that exhibits high light emission efficiency, has a long light emission lifetime, and has a low driving voltage, and a display device and an illumination device including the organic electroluminescent element.

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部の模式図である。It is a schematic diagram of a display part. 画素の模式図である。It is a schematic diagram of a pixel. パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device. 照明装置の概略図である。It is the schematic of an illuminating device. 照明装置の断面図である。It is sectional drawing of an illuminating device.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記１〜８のいずれか１項に記載の構成を有することにより、効率が高く、半減寿命が長く、低駆動電圧である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。併せて、該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた表示装置及び照明装置を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
配位子の構成要素として５員環を有するオルトメタルイリジウム錯体は、６員環のみで構成されるフェニルピリジン系のオルトメタルイリジウム錯体よりも短波長の発光が得られるので興味深い。しかし、未だ実用にたえるような、素子寿命や高発光効率が得られていない。本発明者らは、従来公知のオルトメタルイリジウム錯体は、有機ＥＬ素子の構成層中で金属錯体同士の凝集が起こりやすく、実用にたえるような素子寿命や高発光効率が得られていないのではと推定し、問題点について鋭意検討した。
その結果、配位子の構成要素として５員環を有するオルトメタルイリジウム錯体において、前記一般式（１）で表される様に、三つの配位子Ｌ_１〜Ｌ_３を特定の連結基Ｖで結合させることにより、素子寿命が改善され、且つ、駆動電圧の低下がはかれることを見出した。 In the organic electroluminescent element of this invention, providing the organic electroluminescent element which has high efficiency, a long half life, and a low drive voltage by having the structure of any one of said 1-8. Can do. In addition, a display device and a lighting device including the organic electroluminescence element can be provided.
The expression mechanism or action mechanism of the effect of the present invention is not clear, but is presumed as follows.
An ortho metal iridium complex having a 5-membered ring as a component of the ligand is interesting because it can emit light at a shorter wavelength than a phenylpyridine-based ortho metal iridium complex composed of only a 6-membered ring. However, the device life and high light emission efficiency that can still be put into practical use have not been obtained. In the conventional ortho metal iridium complex, the inventors of the present invention are prone to agglomeration of metal complexes in the constituent layers of the organic EL device, and the device life and high luminous efficiency that can be practically used have not been obtained. So, we intensively examined the problems.
As a result, in the ortho metal iridium complex having a 5-membered ring as a component of the ligand, as represented by the general formula (1), the three ligands L _{1 to} L ₃ are each represented by a specific linking group V. It has been found that the lifetime of the device is improved and the driving voltage is reduced by the coupling.

以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に有機ＥＬ素子とも言う）の各構成要素の詳細について、順次説明する。
［有機ＥＬ素子］
＜オルトメタルイリジウム錯体＞
本発明のオルトメタルイリジウム錯体について説明する。
本発明のオルトメタルイリジウム錯体は、本発明の有機ＥＬ素子の構成層のいずれかの層に用いることができるが、本発明の効果（素子の発光効率（詳しくは、外部取り出し量子効率、単に効率ともいう）の向上、半減寿命の増大、駆動電圧の低下）を十分に得る観点からは、素子の発光層、更に、該発光層中において発光ドーパント（単にドーパントともいう）として用いることが好ましい。
尚、本発明の有機ＥＬ素子の構成層については、後に詳細に説明する。
本発明のオルトメタルイリジウム錯体は、具体的には、下記一般式（１）で表される。

前記一般式（１）において、Ｖは三価の連結基を表し、Ｌ_１〜Ｌ_３と共有結合で連結しており、またＶは下記一般式（２）または（３）で表される３価の連結基をその部分構造に含有する。 Hereinafter, details of each component of the organic electroluminescence element of the present invention (hereinafter also simply referred to as an organic EL element) will be sequentially described.
[Organic EL device]
<Orthometal Iridium Complex>
The ortho metal iridium complex of the present invention will be described.
The ortho metal iridium complex of the present invention can be used in any one of the constituent layers of the organic EL device of the present invention. However, the effect of the present invention (light emission efficiency of the device (specifically, external extraction quantum efficiency, simply efficiency) From the standpoint of sufficiently obtaining (improvement), increase in half-life, and decrease in drive voltage), it is preferably used as a light-emitting dopant (also simply referred to as a dopant) in the light-emitting layer of the device and further in the light-emitting layer.
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described in detail later.
The ortho metal iridium complex of the present invention is specifically represented by the following general formula (1).

In the general formula (1), V represents a trivalent linking group and is linked to L _{1 to} L ₃ by a covalent bond, and V is represented by the following general formula (2) or (3). A valent linking group is contained in the partial structure.

上記一般式（２）において、Ａは芳香族炭化水素環、または、芳香族複素環を表し、Ａで表される芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などが挙げられる。Ａで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、等が挙げられるが、Ａとして好ましくはベンゼン環である。
上記一般式（２）において、Ｒはハロゲン原子、置換基を表すが、Ｒで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。Ｒで表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリール基、１−プロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基、イソプロペニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アミノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ジフェニルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられるが、Ｒとして好ましくは、フッ素原子、アルキル基、アリール基である。Ｒは複数個有していても良く、Ｒを複数個有している場合、Ｒどうしは同じであっても異なっていても良い。好ましくは、Ｒどうしが同じ場合である。 In the general formula (2), A represents an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle, and examples of the aromatic hydrocarbon ring represented by A include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. Can be mentioned. Examples of the aromatic heterocycle represented by A include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, an oxadiazole ring, a triazole ring, an imidazole ring, and a pyrazole. Examples thereof include a ring and a thiazole ring, and A is preferably a benzene ring.
In the general formula (2), R represents a halogen atom or a substituent. Examples of the halogen atom represented by R include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of the substituent represented by R include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, Pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, aryl group, 1-propenyl group, 2-butenyl group, 1,3-butadienyl group, 2-pentenyl) Group, isopropenyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon ring group, aromatic carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group P-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group Acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl) Group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), Phthalazinyl group etc.), heterocyclic group (eg pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group etc.), alkoxy group (eg methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group) Group, dodecyl Xy group etc.), cycloalkoxy group (eg cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group etc.), aryloxy group (eg phenoxy group, naphthyloxy group etc.), alkylthio group (eg methylthio group, ethylthio group, propylthio group, Pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyl Oxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (for example, phenyloxycarbonyl group, naphthyl group) Tiloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group) Phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexyl) A carbonyl group, a dodecylcarbonyl group, a phenylcarbonyl group, a naphthylcarbonyl group, a pyridylcarbonyl group, etc.), an acyloxy group (for example, an acetylo group) Si group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, Propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, amino Carbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl Bonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group) Pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexyl) Sulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.) , Alkylsulfonyl groups (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl groups or heteroarylsulfonyl groups (for example, phenylsulfonyl group, Naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, amino group, naphthyl) Amino group, 2-pyridylamino group, diphenylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, penta) Fluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (eg, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphono group, etc. R is preferably a fluorine atom, an alkyl group, or an aryl group. A plurality of Rs may be provided, and when a plurality of Rs are provided, Rs may be the same or different. Preferably, R is the same.

上記一般式（３）において、Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子、ハロゲン原子、置換基を表すが、Ｒ_１、Ｒ_２で表されるハロゲン原子、置換基としては、例えば、上記一般式（２）のＲで表されるハロゲン原子、置換基として挙げたものが挙げられる。好ましくは、フッ素原子、アルキル基、アリール基である。
上記一般式（３）において、Ｙは炭素原子、ケイ素原子を表し、Ｒ_３〜Ｒ_４は置換基を表すが、Ｒ_３〜Ｒ_４で表される置換基としては、例えば、上記一般式（２）のＲで表される置換基として挙げたものが挙げられる。好ましくは、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは、アリール基である。またＲ_３とＲ_４どうしが連結しさらに環を形成していても良い。 In the general formula (3), R ₁ and R ₂ represent a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituent. Examples of the halogen atom and substituent represented by R ₁ and R ₂ include the general formula (2). ) Of the halogen atom represented by R, and those exemplified as the substituent. Preferably, they are a fluorine atom, an alkyl group, and an aryl group.
In the above formula (3), Y represents a carbon atom, a silicon _atom, but R 3 to R ₄ represents a _substituent, as the substituent represented by R 3 to R _4, for example, the general formula ( What was mentioned as a substituent represented by R of 2) is mentioned. An alkyl group and an aryl group are preferable, and an aryl group is more preferable. R ₃ and R ₄ may be connected to form a ring.

本発明において、上記一般式（２）のＡで表される芳香族炭化水素環、または芳香族複素環上にＲで表されるハロゲン原子、もしくは、置換基を少なくとも１つ有することで、Ａで表される芳香族炭化水素環、または芳香族複素環どうしのπ-πスタッキングが低減
される為、金属錯体どうしの凝集が解消され、素子寿命が延び、発光効率が改善できたと推察される。また同様に、上記一般式（３）においても、平面性の高いフルオレン環、または、ジベンゾシラン環をＶの部分構造として有してはいるものの、フルオレン環、または、ジベンゾシラン環の中心部にＲ_３〜Ｒ_４で表される置換基が必ず２個存在することで、金属錯体どうしの凝集が解消され、素子寿命が延び、発光効率が改善できたと推察される。 In the present invention, by having at least one halogen atom represented by R or a substituent on the aromatic hydrocarbon ring represented by A in the general formula (2) or the aromatic heterocyclic ring, A The π-π stacking between aromatic hydrocarbon rings or aromatic heterocycles represented by the formula (2) is reduced, so aggregation of metal complexes is eliminated, device lifetime is extended, and light emission efficiency is estimated to be improved. . Similarly, in the general formula (3), the fluorene ring or dibenzosilane ring having high planarity is included as the V partial structure, but at the center of the fluorene ring or dibenzosilane ring. Presumably, the presence of two substituents represented by R _{3 to} R ₄ eliminates aggregation of metal complexes, extends the device lifetime, and improves the light emission efficiency.

前記一般式（１）において、Ｖは三価の連結基を表し、上記一般式（２）または（３）で表される３価の連結基をその部分構造に含有するが、好ましくは、以下の構造のものを表す。
なお、下記式中、＊はＬ_１〜Ｌ_３との結合部位を表す。

In the general formula (1), V represents a trivalent linking group, and the trivalent linking group represented by the above general formula (2) or (3) is contained in the partial structure. Represents the structure of
In addition, in the following formula, * represents a binding site with L _{1 to} L ₃ .

一般式（１）において、Ｌ_１〜Ｌ_３は、各々下記一般式（４）で表される。

In the general formula (1), L _{1 to} L ₃ are each represented by the following general formula (4).

Ｌ_１〜Ｌ_３の全てが同じ構造であっても良いし、Ｌ_１〜Ｌ_３の全てが互いに異なる構造であっても良いし、Ｌ_１〜Ｌ_３のうち何れか一つが異なる構造であっても良い。
一般式（４）において、Ｘ_１〜Ｘ_５は、含窒素複素環を形成する原子群であり、炭素原子または窒素原子から選ばれ、Ｘ_４とＸ_５のうち少なくとも一つは窒素原子を表し、該窒素原子のうち何れか一つは一般式（１）におけるＩｒと配位結合を形成する。
一般式（４）において、Ｘ_１〜Ｘ_５で表される含窒素複素環としては、好ましくはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられ、より好ましくは、イミダゾール環である。
一般式（４）において、Ｘ_６〜Ｘ_１１は、芳香族５員環または芳香族６員環を形成する原子群であり、炭素原子または窒素原子から選ばれ、Ｘ_７は、一般式（１）におけるＩｒと共有結合を形成する。
一般式（４）において、Ｘ_６〜Ｘ_１１で表される芳香族５員環としては、好ましくはチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
一般式（４）において、Ｘ_６〜Ｘ_１１で表される芳香族６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環である。
これらＸ_６〜Ｘ_１１で表される芳香族５員環または芳香族６員環は更に置換基を有していてもよく、それらの置換基が結合して縮合環を形成しても良い。置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、イソプロピル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子等）、シアノ基、ニトロ基、ジアルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基等）、トリアルキルシリル基（例えば、トリメチルシリル等）、トリアリールシリル基（例えば、トリフェニルシリル基等）、トリヘテロアリールシリル基（例えば、トリピリジルシリル基等）、ベンジル基、アリール基（例えば、フェニル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、カルバゾリル基等）が挙げられ、縮合環としては、９，９′−ジメチルフルオレン、カルバゾール、ジベンゾフラン等が挙げられる。
一般式（４）において、Ｒ_７は、炭素数７以上の置換または無置換のアリール基を表す。
一般式（４）において、Ｒ_７で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基が挙げられ、好ましくはフェニル基である。フェニル基に置換する置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、イソプロピル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子等）、シアノ基、ニトロ基、ジアルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基等）、トリアルキルシリル基（例えば、トリメチルシリル等）、トリアリールシリル基（例えば、トリフェニルシリル基等）、トリヘテロアリールシリル基（例えば、トリピリジルシリル基等）、ベンジル基、アリール基（例えば、フェニル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、カルバゾリル基等）が挙げられ、アルキル基、アリール基が好ましい。 All of L _{1 to} L ₃ may have the same structure, all of L _{1 to} L ₃ may have different structures, or any one of L _{1 to} L ₃ has a different structure. May be.
In the general formula (4), X _{1 to} X ₅ are an atomic group forming a nitrogen-containing heterocyclic ring, selected from a carbon atom or a nitrogen atom, and at least one of X ₄ and X ₅ represents a nitrogen atom. Any one of the nitrogen atoms forms a coordinate bond with Ir in the general formula (1).
In the general formula (4), the nitrogen-containing heterocycle represented by X _{1 to} X ₅ is preferably an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring or the like, and more preferably an imidazole ring.
In the general formula (4), X _{6 to} X ₁₁ are an atomic group forming an aromatic 5-membered ring or an aromatic 6-membered ring, selected from a carbon atom or a nitrogen atom, and X ₇ is represented by the general formula (1) To form a covalent bond with Ir.
In the general formula (4), the aromatic 5-membered ring represented by X _{6 to} X ₁₁ preferably includes a thiophene ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, and the like.
In the general formula (4), examples of the aromatic 6-membered ring represented by X _{6 to} X ₁₁ include a benzene ring and a pyridine ring, and a benzene ring is preferable.
The aromatic 5-membered ring or aromatic 6-membered ring represented by X _{6 to} X ₁₁ may further have a substituent, and these substituents may be bonded to form a condensed ring. Examples of the substituent include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, and an isopropyl group), an alkoxy group (for example, a methoxy group and an ethoxy group), and a halogen atom (for example, a fluorine atom). , Cyano group, nitro group, dialkylamino group (for example, dimethylamino group, etc.), trialkylsilyl group (for example, trimethylsilyl group, etc.), triarylsilyl group (for example, triphenylsilyl group, etc.), triheteroarylsilyl group ( For example, a tripyridylsilyl group, etc.), a benzyl group, an aryl group (for example, a phenyl group), a heteroaryl group (for example, a pyridyl group, a carbazolyl group, etc.) can be mentioned, and the condensed ring includes 9,9′-dimethyl. Fluorene, carbazole, dibenzofuran and the like can be mentioned.
In the general formula (4), R ₇ represents a substituted or unsubstituted aryl group having 7 or more carbon atoms.
In the general formula (4), examples of the aryl group represented by R ₇ include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group, and a phenyl group is preferable. Examples of the substituent substituted on the phenyl group include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, and an isopropyl group), an alkoxy group (for example, a methoxy group and an ethoxy group), and a halogen atom (for example, Fluorine atom etc.), cyano group, nitro group, dialkylamino group (eg dimethylamino group etc.), trialkylsilyl group (eg trimethylsilyl etc.), triarylsilyl group (eg triphenylsilyl group etc.), tri Examples include heteroarylsilyl groups (for example, tripyridylsilyl group), benzyl groups, aryl groups (for example, phenyl group), heteroaryl groups (for example, pyridyl group, carbazolyl group, etc.), alkyl groups and aryl groups. preferable.

一般式（４）は、下記一般式（５）で表されることが好ましい。

The general formula (4) is preferably represented by the following general formula (5).

一般式（５）において、Ｒ_７及びＸ_６〜Ｘ_１１で表される元素群は、前記一般式（４）におけるＲ_７及びＸ_６〜Ｘ_１１で表される元素群と同義である。一般式（５）において、Ｒ_８及びＲ_９は、各々水素原子または置換基を表す。 In the general formula (5), the element group represented by _{R 7} and _X 6 _{to X 11} are as defined element group represented by _{R 7} and _X 6 _{to X 11} in the general formula (4). In the general formula (5), R ₈ and R ₉ each represent a hydrogen atom or a substituent.

一般式（１）におけるＬ_１〜Ｌ_３のうち少なくとも１つは、好ましくは一般式（６）で表される。

At least one of L _{1 to} L ₃ in the general formula (1) is preferably represented by the general formula (6).

一般式（６）において、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｅは、各々置換基を表す。
一般式（６）において、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｅで表される置換基としては、例えば、一般式（４）のＸ_６〜Ｘ_１１で表される原子群が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。好ましくは、Ｒｂ及びＲｃは、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基等）、アリール基（例えば、フェニル基等）である。
一般式（６）において、ｎｅは、０〜２の整数を表す。
一般式（６）において、Ｒ_２及びＲ_３は、各々水素原子または置換基を表す。
一般式（６）において、Ｒ_２及びＲ_３で表される置換基としては、例えば、一般式（４）のＸ_６〜Ｘ_１１で表される原子群が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
一般式（６）において、Ａｒは、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基等）またはヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、カルバゾリル基等）を表す。好ましくは、Ａｒは、フェニル基を表す。
一般式（６）において、Ｒｆは置換基を表す。
一般式（６）において、Ｒｆで表される置換基としては、一般式（４）のＸ_６〜Ｘ_１１で表される原子群が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
一般式（６）において、ｎｆは、０〜３の整数を表す。 In General formula (6), Rb, Rc, and Re represent a substituent, respectively.
In the general formula (6), examples of the substituent represented by Rb, Rc, and Re include the substituent that the atomic group represented by X _{6 to} X ₁₁ in the general formula (4) may have: The same thing is mentioned. Preferably, Rb and Rc are an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, isopropyl group and the like), a cycloalkyl group (for example, cyclohexyl group and the like), and an aryl group (for example, phenyl group and the like).
In General formula (6), ne represents the integer of 0-2.
In the general formula (6), R ₂ and R ₃ each represent a hydrogen atom or a substituent.
In the general formula (6), examples of the substituent represented by R ₂ and R ₃ include a substituent that the atomic group represented by X _{6 to} X ₁₁ in the general formula (4) may have: The same thing is mentioned.
In the general formula (6), Ar represents an aryl group (for example, phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, terphenyl group, etc.) or a heteroaryl group (for example, pyridyl group, carbazolyl group, etc.). Preferably Ar represents a phenyl group.
In General formula (6), Rf represents a substituent.
In the general formula (6), examples of the substituent represented by Rf include the same substituents that the atomic group represented by X _{6 to} X ₁₁ in the general formula (4) may have. .
In General formula (6), nf represents the integer of 0-3.

以下、本発明のオルトメタルイリジウム錯体の具体例を以下に示すが本発明はこれらに限定されない。
本発明に係るオルトメタルイリジウム錯体は、一例として下記に示す各配位子のうち何れか３つが、上記したＶで表される３価の連結基によって連結されて構成されている。各配位子及び連結基の組み合わせは下記表１に示す通りである。なお、下記に示す各配位子において、＊は上記した連結基との結合部位を示し、＊＊は一般式（１）におけるＩｒとの結合部位を示す。

Specific examples of the ortho metal iridium complex of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.
As an example, the ortho metal iridium complex according to the present invention is configured such that any three of the following ligands are connected by a trivalent linking group represented by V described above. The combinations of each ligand and linking group are as shown in Table 1 below. In addition, in each ligand shown below, * shows the coupling | bonding site | part with the above-mentioned coupling group, and ** shows the coupling | bonding site | part with Ir in General formula (1).

これらの金属錯体は、例えば、米国特許出願公開第２０１０／１７６３９０号明細書、国際公開第２００７／９７１４９号などを参考に合成できる。また更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。 These metal complexes can be synthesized with reference to, for example, US Patent Application Publication No. 2010/176390, International Publication No. 2007/97149, and the like. Furthermore, it can synthesize | combine by applying methods, such as a reference document described in these literature.

本発明の前記一般式（１）で表されるオルトメタルイリジウム錯体の合成例について説明する。以下に代表的な化合物の合成例を示す。
＜化合物２の合成例＞
以下に示すようにして、配位子２を合成し、次いで化合物２を合成した。
≪配位子２の合成≫

（工程１）
２，６−ジイソプロピル-４-フェニルアニリン２０ｇをトルエン３２０ｍｌに溶解し、トリエチルアミン４１ｍｌを加えて水冷下ｏ−ブロモ安息香酸クロライド３４ｇをトルエン２０ｍｌに溶かした溶液を滴下した。滴下終了後室温で１．５時間撹拌し、不溶物をろ取した。その後、ろ取した白色結晶を水１Ｌに入れて１時間懸濁し、水をろ別し、白色結晶として４−ブロモ−Ｎ−３，５−ジイソプロピル−１、１’ −ビフェニル−４−イル
−ベンズアミドを４５ｇ（ほぼ理論量）得た。 A synthesis example of the ortho metal iridium complex represented by the general formula (1) of the present invention will be described. The synthesis example of a typical compound is shown below.
<Synthesis Example of Compound 2>
As shown below, ligand 2 was synthesized, and then compound 2 was synthesized.
<< Synthesis of Ligand 2 >>

(Process 1)
20 g of 2,6-diisopropyl-4-phenylaniline was dissolved in 320 ml of toluene, 41 ml of triethylamine was added, and a solution of 34 g of o-bromobenzoic acid chloride in 20 ml of toluene was added dropwise under water cooling. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours, and insoluble matters were collected by filtration. Thereafter, the white crystals collected by filtration were placed in 1 L of water and suspended for 1 hour, and the water was filtered off to give 4-bromo-N-3,5-diisopropyl-1, 1′-biphenyl-4-yl- as white crystals. 45 g (almost theoretical amount) of benzamide was obtained.

（工程２）
工程１で得られた４−ブロモ−Ｎ−３，５−ジイソプロピル-１、１’−ビフェニル-４−イル−ベンズアミド３５ｇをトルエン２００ｍｌに溶解し塩化ホスホリル１２．５ｍｌを加えた後、内温９０℃で２時間撹拌した後、放冷した。次に、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール５０．２ｇを２００ｍｌのアセトニトリルに溶解し、トリエチルアミン６７ｍｌを加えた溶液を調製し、先程放冷した溶液を内温５０℃以下で滴下した。その後酢酸エチル２００ｍｌと飽和食塩水５０ｍｌを加え、分液後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、除去後、溶媒を濃縮することで中間体のアミジンを粗結晶で得た。 (Process 2)
35 g of 4-bromo-N-3,5-diisopropyl-1, 1′-biphenyl-4-yl-benzamide obtained in step 1 was dissolved in 200 ml of toluene, 12.5 ml of phosphoryl chloride was added, and the internal temperature was 90. The mixture was stirred at 0 ° C. for 2 hours and then allowed to cool. Next, 50.2 g of aminoacetaldehyde diethyl acetal was dissolved in 200 ml of acetonitrile, and a solution to which 67 ml of triethylamine was added was prepared. Thereafter, 200 ml of ethyl acetate and 50 ml of saturated brine were added, and after separation, the organic layer was dried over magnesium sulfate. After removal, the solvent was concentrated to obtain an intermediate amidine as crude crystals.

（工程３）
工程２で得られたアミジンの粗結晶全量をトルエン１５０ｍｌに溶解し、リン酸３３ｇと水６０ｍｌを加え、エステル管をつけて２時間還流した。次に氷冷下水酸化カリウム３６ｇを水５７ｍｌに溶解した溶液を３０分かけて滴下した後、酢酸エチル２００ｍｌと飽和食塩水５０ｍｌを加え、珪藻土濾過を行った後、分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、除去後溶媒を濃縮したものをヘプタン−酢酸エチルで再結晶することで、白色固体として２−（４−ブロモフェニル）−１−（３，５-ジイソプロピル−（１、１’−ビフェニル）−４−イル）−１Ｈ−イミダゾールを２６ｇ得た。 (Process 3)
The total amount of the amidine crude crystals obtained in step 2 was dissolved in 150 ml of toluene, 33 g of phosphoric acid and 60 ml of water were added, and the mixture was refluxed for 2 hours with an ester tube attached. Next, a solution prepared by dissolving 36 g of potassium hydroxide in 57 ml of water was added dropwise over 30 minutes under ice-cooling, 200 ml of ethyl acetate and 50 ml of saturated brine were added, and the mixture was separated through diatomaceous earth, and the organic layer was separated into sulfuric acid. After drying and removing with magnesium, the solvent was concentrated and recrystallized with heptane-ethyl acetate to give 2- (4-bromophenyl) -1- (3,5-diisopropyl- (1,1 ′) as a white solid. 26 g of -biphenyl) -4-yl) -1H-imidazole were obtained.

（工程４）
窒素雰囲気下で、工程３で得られたブロモ体６．８ｇを脱水トルエン３５ｍｌに溶解し、脱水ジイソプロピルアミン３５ｍｌと１，３，５−トリエチニル-２-メチルベンゼン（１．０ｇ）を加え、撹拌下、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．７ｇとヨウ化銅（Ｉ）０．０８ｇを加え内温６０度で２日間撹拌した。その後酢酸エチル５０ｍｌと飽和食塩水５０ｍｌを加え、分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、除去後溶媒を濃縮したものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．０ｇの配位子２の前駆体を得た。 (Process 4)
Under a nitrogen atmosphere, 6.8 g of the bromo compound obtained in step 3 was dissolved in 35 ml of dehydrated toluene, 35 ml of dehydrated diisopropylamine and 1,3,5-triethynyl-2-methylbenzene (1.0 g) were added, and the mixture was stirred. Then, 0.7 g of tetrakistriphenylphosphine palladium (0) and 0.08 g of copper (I) iodide were added, and the mixture was stirred at an internal temperature of 60 degrees for 2 days. Thereafter, 50 ml of ethyl acetate and 50 ml of saturated brine were added, and the mixture was separated. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and after removal, the solvent was concentrated and purified by silica gel column chromatography. A precursor was obtained.

（工程５）
工程４で得た前駆体５００ｍｇをテトラヒドロフラン５０ｍｌとエタノール２０ｍｌに溶解し、パラジウムー炭素（５％）０．２５ｇを加え、水素添加を行い、配位子２を５００ｍｇ（ほぼ量論的）得た。 (Process 5)
500 mg of the precursor obtained in Step 4 was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran and 20 ml of ethanol, 0.25 g of palladium-carbon (5%) was added, and hydrogenation was performed to obtain 500 mg of ligand 2 (almost quantitative).

≪化合物２の合成≫

（工程６）
窒素雰囲気下、工程５で得た配位子２を５００ｍｇに、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（III）２６３ｍｇ、エチレングリコール３５ｍｌ及びグリセリン１０ｍｌを
加え内温１６０℃で１５時間加熱し、この反応液を室温に戻した後メタノール５０ｍｌで薄めて沈殿物をろ取した。更に得られた沈殿をメタノールで洗浄し、乾燥後、化合物２を１１０ｍｇ得た。
化合物２の構造はマススペクトル及び^１Ｈ−ＮＭＲで確認した。 << Synthesis of Compound 2 >>

(Step 6)
Under a nitrogen atmosphere, 500 mg of the ligand 2 obtained in Step 5 was added to 263 mg of tris (acetylacetonato) iridium (III), 35 ml of ethylene glycol and 10 ml of glycerin, and the mixture was heated at an internal temperature of 160 ° C. for 15 hours. Was returned to room temperature, diluted with 50 ml of methanol, and the precipitate was collected by filtration. Further, the obtained precipitate was washed with methanol and dried to obtain 110 mg of Compound 2.
The structure of Compound 2 was confirmed by mass spectrum and ¹ H-NMR.

＜化合物１０１の合成例＞
以下に示すようにして、配位子１０１を合成し、次いで化合物１０１を合成した。
≪配位子１０１の合成≫

（工程１）〜（工程３）
工程１〜工程３までは、前記化合物２の合成例の中の、配位子２の合成の工程１〜工程３までと同様にして、２−（４−ブロモフェニル）−１−（３，５-ジイソプロピル−（
１、１’−ビフェニル）−４−イル）−１Ｈ−イミダゾールを得た。 <Synthesis Example of Compound 101>
As shown below, ligand 101 was synthesized, and then compound 101 was synthesized.
<< Synthesis of Ligand 101 >>

(Step 1) to (Step 3)
From step 1 to step 3, 2- (4-bromophenyl) -1- (3, in the same manner as in step 1 to step 3 of the synthesis of ligand 2 in the synthesis example of compound 2 above. 5-diisopropyl- (
1,1′-biphenyl) -4-yl) -1H-imidazole was obtained.

（工程４）
窒素雰囲気下で、工程３で得られたブロモ体６．８ｇを脱水トルエン３５ｍｌに溶解し、脱水ジイソプロピルアミン３５ｍｌと２，８−ジエチニル-５-（３-エチニルフェニル）-５-フェニルジベンゾシロール（２．５ｇ）を加え、撹拌下、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．７ｇとヨウ化銅（Ｉ）０．０８ｇを加え内温６０度で２日間撹拌した。その後酢酸エチル５０ｍｌと飽和食塩水５０ｍｌを加え、分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、除去後溶媒を濃縮したものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．９ｇの配位子１０１の前駆体を得た。 (Process 4)
Under a nitrogen atmosphere, 6.8 g of the bromo compound obtained in Step 3 was dissolved in 35 ml of dehydrated toluene, and 35 ml of dehydrated diisopropylamine and 2,8-diethynyl-5- (3-ethynylphenyl) -5-phenyldibenzosilol ( 2.5 g) was added, 0.7 g of tetrakistriphenylphosphine palladium (0) and 0.08 g of copper (I) iodide were added with stirring, and the mixture was stirred at an internal temperature of 60 ° C. for 2 days. Thereafter, 50 ml of ethyl acetate and 50 ml of saturated brine were added, and the mixture was separated. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and after removal, the solvent was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain 3.9 g of ligand 101. A precursor was obtained.

（工程５）
工程４で得た前駆体５００ｍｇをテトラヒドロフラン５０ｍｌとエタノール２０ｍｌに溶解し、パラジウムー炭素（５％）０．２５ｇを加え、水素添加を行い、配位子１０１を５００ｍｇ（ほぼ量論的）得た。 (Process 5)
500 mg of the precursor obtained in Step 4 was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran and 20 ml of ethanol, 0.25 g of palladium-carbon (5%) was added, and hydrogenation was performed to obtain 500 mg of ligand 101 (almost quantitative).

≪化合物１０１の合成≫

<< Synthesis of Compound 101 >>

（工程６）
窒素雰囲気下、工程５で得た配位子１０１５００ｍｇに、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（III）３１２ｍｇ、エチレングリコール３５ｍｌ及びグリセリン１０ｍ
ｌを加え内温１６０℃で１５時間加熱し、この反応液を室温に戻した後メタノール５０ｍｌで薄めて沈殿物をろ取した。更に得られた沈殿をメタノールで洗浄し、乾燥後、化合物１０１を１２８ｍｇ得た。
化合物１０１の構造はマススペクトル及び^１Ｈ−ＮＭＲで確認した。 (Step 6)
Under a nitrogen atmosphere, 500 mg of the ligand 101 obtained in Step 5, 312 mg of tris (acetylacetonato) iridium (III), 35 ml of ethylene glycol and 10 m of glycerin
1 was added, and the mixture was heated at an internal temperature of 160 ° C. for 15 hours. The reaction solution was returned to room temperature, diluted with 50 ml of methanol, and the precipitate was collected by filtration. Further, the obtained precipitate was washed with methanol and dried to obtain 128 mg of Compound 101.
The structure of Compound 101 was confirmed by mass spectrum and ¹ H-NMR.

＜有機ＥＬ素子の構成層＞
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（ｉ）陽極／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
更に、発光層ユニットは複数の発光層の間に非発光性の中間層を有していてもよく、該中間層が電荷発生層であるようなマルチフォトンユニット構成であってもよい。この場合、電荷発生層としては、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯ_ｘ、ＶＯ_ｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２などの導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層などが挙げられる。本発明の有機ＥＬ素子における発光層としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。 <Constitutional layer of organic EL element>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described. In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer unit / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer unit / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer unit / hole blocking Layer / electron transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer unit / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emission Layer unit / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode Further, the light emitting layer unit may have a non-light emitting intermediate layer between a plurality of light emitting layers, and the intermediate layer generates a charge. A multi-photon unit configuration such as a layer may be used. In this case, the charge generation layer includes ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO ₂ , TiN, ZrN, HfN, TiO _x , VO _x , CuI, InN, GaN, CuAlO _2. , CuGaO ₂ , SrCu ₂ O ₂ , LaB ₆ , RuO ₂ and other conductive inorganic compound layers, Au / Bi ₂ O _{3 and} other two-layer films, SnO ₂ / Ag / SnO ₂ , ZnO / Ag / ZnO, Bi ₂ O ₃ / Au / Bi ₂ O ₃ , TiO ₂ / TiN / TiO ₂ , TiO ₂ / ZrN / TiO _{2 and} other multilayer films, C60 and other fullerenes, conductive organic layers such as oligothiophene, metal phthalocyanine , Conductive organic compound layers such as metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, metal-free porphyrins, and the like. The light emitting layer in the organic EL device of the present invention is preferably a white light emitting layer, and an illumination device using these is preferable.

本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
≪発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（ＬａｎｇｍｕｉｒＢｌｏｄｇｅｔｔ法））等を挙げることができる。）等により成膜して形成することができる。（本発明の化合物を発光層に用いる場合、ウェットプロセスで作製することが好ましい。）。
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ドーパント（リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいう）や蛍光ドーパント等）化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。 Each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.
≪Luminescent layer≫
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
The total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the uniformity of the film, preventing unnecessary application of high voltage during light emission, and improving the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 nm to 200 nm, and particularly preferably in the range of 5 nm to 100 nm.
For the production of the light emitting layer, a light emitting dopant or host compound described later is used, for example, a vacuum deposition method, a wet method (also referred to as a wet process, for example, a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, Examples thereof include an inkjet method, a printing method, a spray coating method, a curtain coating method, and an LB method (Langmuir Brodgett method). (When the compound of the present invention is used for a light emitting layer, it is preferably produced by a wet process).
The light emitting layer of the organic EL device of the present invention contains a light emitting dopant (phosphorescent dopant (also referred to as phosphorescent dopant, phosphorescent dopant group) or fluorescent dopant) compound and a light emitting host compound. Is preferred.

（発光性ドーパント化合物）
発光性ドーパント化合物（発光ドーパント、単にドーパントともいう）について説明する。
発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができる。 (Luminescent dopant compound)
A light-emitting dopant compound (a light-emitting dopant, also simply referred to as a dopant) will be described.
As the light-emitting dopant, a fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound) or a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent emitter, a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, or the like) can be used.

（リン光ドーパント（リン光発光ドーパントともいう））
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう１つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層の少なくとも１つがリン光発光性の有機金属錯体（リン光発光ドーパント、リン光ドーパント等ともいう）を含有するが、該リン光発光性の有機金属錯体としては、本発明の有機ＥＬ素子材料である、一般式（Ｉ）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体を含有することが好ましい。
また、本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている従来公知の化合物等を併用してもよい。
例えば、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等である。 (Phosphorescent dopant (also called phosphorescent dopant))
The phosphorescent dopant according to the present invention will be described.
The phosphorescent dopant compound according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, specifically, a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and has a phosphorescence quantum yield of 25. Although it is defined as a compound of 0.01 or more at ° C., a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant according to the present invention achieves the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. That's fine.
There are two types of light emission of the phosphorescent dopant in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the luminescent host compound, and this energy is used as the phosphorescent dopant. The energy transfer type is to obtain light emission from the phosphorescent dopant, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and light emission from the phosphorescent dopant compound occurs. In any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is required to be lower than the excited state energy of the host compound.
In the organic EL device of the present invention, at least one of the light-emitting layers contains a phosphorescent organometallic complex (also referred to as a phosphorescent dopant or a phosphorescent dopant). Preferably contains a hexadentate ortho metal iridium complex represented by the general formula (I), which is an organic EL device material of the present invention.
Moreover, you may use together the conventionally well-known compound etc. which are described in the following patent gazettes in the light emitting layer which concerns on this invention.
For example, International Publication No. 00/70655 pamphlet, JP 2002-280178 A, JP 2001-181616 A, JP 2002-280179 A, JP 2001-181617 A, JP 2002-280180 A. JP, 2001-247859, JP, 2002-299060, JP, 2001-313178, JP, 2002-302671, JP, 2001-345183, JP, 2002-324679, International, Publication No. 02/15645, JP 2002-332291 A, JP 2002-50484 A, JP 2002-332292 A, JP 2002-83684 A, JP 2002-540572 A, JP 2002-117978, JP 2002-338588, JP 2002-170684, JP 2002-352960, WO 01/93642, JP 2002-50483, JP 2002-1000047, JP JP 2002-173684 A, JP 2002-359082 A, JP 2002-17584 A, JP 2002-363552 A, JP 2002-184582 A, JP 2003-7469 A, Special Table 2002. No. 525808, JP 2003-7471, JP 2002-525833, JP 2003-31366, JP 2002-226495, JP 2002-234894, JP 2002-233506 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-24175 JP, JP 2001-319779, JP 2001-319780, JP 2002-62824, JP 2002-1000047, JP 2002-203679, 2002-343572. JP-A-2002-203678.

（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子
収率が高い化合物が挙げられる。
また本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。
ここで、発光ドーパントとして、本発明に係る一般式（１）で表される金属錯体と併用して用いてもよい従来公知の発光ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

(Fluorescent dopant (also called fluorescent compound))
As fluorescent dopants, coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes , Polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like, and compounds having a high fluorescence quantum yield such as laser dyes.
In addition, the light-emitting dopant according to the present invention may be used in combination of a plurality of types of compounds, or may be a combination of phosphorescent dopants having different structures, or a combination of a phosphorescent dopant and a fluorescent dopant.
Here, although the specific example of the conventionally well-known light emission dopant which may be used in combination with the metal complex represented by General formula (1) based on this invention as a light emission dopant is given, this invention is not limited to these.

（発光ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））
本発明においてホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも１つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。
本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
また、本発明においては、従来公知の発光ホストを単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。
発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。
また、前記リン光ドーパントとして用いられる本発明の金属錯体及び／または従来公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でもよく、このような化合物を一種または複数種用いても良い。
公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。 (Luminescent host compound (also referred to as luminescent host))
In the present invention, the host compound has a mass ratio of 20% or more among the compounds contained in the light emitting layer, and a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission is 0 at room temperature (25 ° C.). Defined as less than 1 compound. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
There is no restriction | limiting in particular as a light emission host which can be used for this invention, The compound conventionally used with an organic EL element can be used. Typically, a carbazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, a thiophene derivative, a furan derivative, an oligoarylene compound or the like having a basic skeleton, or a carboline derivative or a diazacarbazole derivative (here And the diazacarbazole derivative represents one in which at least one carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative is substituted with a nitrogen atom.
As the known light-emitting host that can be used in the present invention, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from becoming longer, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
In the present invention, conventionally known light-emitting hosts may be used alone or in combination of two or more.
By using a plurality of types of light-emitting hosts, the movement of charges can be adjusted, and the organic EL element can be made highly efficient.
Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of the metal complex of this invention used as said phosphorescence dopant, and / or a conventionally well-known compound, and, thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.
In addition, the light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (polymerizable light emitting host). Of course, one or more of such compounds may be used.
Specific examples of the known light-emitting host include compounds described in the following documents.
JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

以下、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の発光ホストとして用いられる具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Hereinafter, although the specific example used as a light emission host of the light emitting layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

更に、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の発光ホストとして特に好ましいものは、下記一般式（Ｂ）で表される化合物である。

〔式中、ＸａはＯまたはＳを表し、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは、各々水素原子、置換基または下記一般式（Ｃ）で表される基を表し、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄのうち少なくとも１つは下記一般式（Ｃ）を表し、該一般式（Ｃ）で表される基のうち少なくとも１つはＡｒがカルバゾリル基を表す。〕 Furthermore, a compound represented by the following general formula (B) is particularly preferable as a light emitting host of the light emitting layer of the organic EL device of the present invention.

[Wherein, Xa represents O or S, and Xb, Xc, and Xd each represents a hydrogen atom, a substituent, or a group represented by the following general formula (C), and at least one of Xb, Xc, and Xd Represents the following general formula (C), and in at least one of the groups represented by the general formula (C), Ar represents a carbazolyl group. ]

一般式（Ｃ）Ａｒ−（Ｌ_４）_ｎ−＊
〔式中、Ｌ_４は芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される２価の連結基を表す。ｎは０または１〜３の整数を表し、ｎが２以上の場合複数のＬ_４は同じでも異なっていてもよい。＊は一般式（Ｂ）との連結部位を表す。Ａｒは下記一般式（Ｄ）で表される基を表す。〕

〔式中、ＸｅはＮ（Ｒ″）、ＯまたはＳを表し、Ｅ_１〜Ｅ_８はＣ（Ｒ″_１）またはＮを表し、Ｒ″及びＲ″_１は水素原子、置換基またはＬ_４との連結部位を表す。＊はＬ_４との連結部位を表す。〕 Formula _{_{(C) Ar- (L 4)}} n - *
[Wherein L ₄ represents a divalent linking group derived from an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring. n represents 0 or an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, the plurality of L ₄ may be the same or different. * Represents a linking site with the general formula (B). Ar represents a group represented by the following general formula (D). ]

[Wherein, Xe represents N (R ″), O or S, E _{1 to} E ₈ represent C (R ″ ₁ ) or N, and R ″ and R ″ ₁ represent a hydrogen atom, a substituent or L _4. Represents the linking site. * Represents a linking site of the _{L 4.} ]

上記一般式（Ｂ）で表される化合物においては、好ましくは、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄのうち少なくとも２つは前記一般式（Ｃ）で表され、より好ましくはＸｂが前記一般式（Ｃ）で表されかつ前記一般式（Ｃ）のＡｒが置換基を有していてもよいカルバゾリル基を表し、更に好ましくはＸｂが前記一般式（Ｃ）で表されかつ前記一般式（Ｃ）のＡｒが置換基を有していてもよいＮ位でＬ_４と連結したカルバゾリル基を表す。
また、Ｘｃが一般式（Ｃ）で表されることが好ましく、更にＸｄが水素原子であることが好ましい。 In the compound represented by the general formula (B), preferably at least two of Xb, Xc and Xd are represented by the general formula (C), and more preferably Xb is represented by the general formula (C). And Ar in the general formula (C) represents a carbazolyl group which may have a substituent, more preferably Xb is represented in the general formula (C) and Ar in the general formula (C) is It represents a carbazolyl group linked to L ₄ at the N-position which may have a substituent.
Xc is preferably represented by the general formula (C), and Xd is preferably a hydrogen atom.

以下に、本発明の有機ＥＬ素子の発光層のホスト化合物（発光ホストともいう）として好ましく用いられる一般式（Ｂ）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Specific examples of the compound represented by the general formula (B) preferably used as a host compound (also referred to as a light emitting host) of the light emitting layer of the organic EL device of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

また、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の発光ホストとして、下記一般式（Ｂ′）で表される化合物も、特に好ましく用いられる。

〔式中、ＸａはＯまたはＳを表し、Ｘｂ及びＸｃは、各々置換基または下記一般式（Ｃ′）で表される基を表し、ＸｂまたはＸｃのうち少なくとも１つは下記一般式（Ｃ′）を表し、該一般式（Ｃ′）で表される基のうち少なくとも１つはＡｒがカルバゾリル基を表す。〕 In addition, a compound represented by the following general formula (B ′) is also particularly preferably used as a light-emitting host of the light-emitting layer of the organic EL device of the present invention.

[Wherein, Xa represents O or S, Xb and Xc each represent a substituent or a group represented by the following general formula (C ′), and at least one of Xb or Xc represents the following general formula (C And at least one of the groups represented by the general formula (C ′) represents Ar as a carbazolyl group. ]

一般式（Ｃ′）Ａｒ−（Ｌ_５）_ｎ−＊
〔式中、Ｌ_２は芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される２価の連結基を表す。ｎは０または１〜３の整数を表し、ｎが２以上の場合複数のＬ_５は同じでも異なっていてもよい。＊は一般式（Ｂ′）との連結部位を表す。Ａｒは下記一般式（Ｄ′）で表される基を表す。〕

〔式中、ＸｅはＮ（Ｒ″）、ＯまたはＳを表し、Ｅ１〜Ｅ８はＣ（Ｒ″１）またはＮを表し、Ｒ″及びＲ″１は水素原子、置換基またはＬ_２との連結部位を表す。＊はＬ_２との連結部位を表す。〕
上記一般式（Ｂ′）で表される化合物においては、好ましくは、Ｘｂ及びＸｃのうち少なくとも一方が前記一般式（Ｃ′）で表され、より好ましくは前記一般式（Ｃ′）のＡｒが置換基を有していてもよいカルバゾリル基を表し、更に好ましくは前記一般式（Ｃ′）のＡｒが置換基を有していてもよいＮ位でＬ_２と連結したカルバゾリル基を表す。
以下に、本発明の有機ＥＬ素子の発光層のホスト化合物（発光ホストともいう）として好ましく用いられる一般式（Ｂ′）で表される化合物は、具体的には、先に発光ホストとして用いられる具体例として挙げた、ＯＣ−９、ＯＣ−１１、ＯＣ−１２、ＯＣ−１４、ＯＣ−１８、ＯＣ−２９、ＯＣ−３０、ＯＣ−３１、ＯＣ−３２が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Formula (C ′) Ar— (L ₅ ) _n — *
[Wherein L ₂ represents a divalent linking group derived from an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring. n represents 0 or an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, the plurality of L ₅ may be the same or different. * Represents a linking site with the general formula (B ′). Ar represents a group represented by the following general formula (D ′). ]

[Wherein Xe represents N (R ″), O or S, E1 to E8 represent C (R ″ 1) or N, and R ″ and R ″ 1 represent a hydrogen atom, a substituent or L ₂ . Represents a linking site. * Represents a linking site of the _{L 2.} ]
In the compound represented by the general formula (B ′), preferably, at least one of Xb and Xc is represented by the general formula (C ′), and more preferably Ar of the general formula (C ′) is substituted represents also good carbazolyl group, more preferably a carbazolyl group Ar is linked to L ₂ a good N-position may have a substituent in the general formula (C ').
Hereinafter, the compound represented by the general formula (B ′) preferably used as a host compound (also referred to as a light-emitting host) of the light-emitting layer of the organic EL device of the present invention is specifically used as a light-emitting host first. Specific examples include OC-9, OC-11, OC-12, OC-14, OC-18, OC-29, OC-30, OC-31, and OC-32. It is not limited to.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層を設けることができる。
電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択し併用することも可能である。
電子輸送層に用いられる従来公知の材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の多環芳香族炭化水素、複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、または、該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等が挙げられる。
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。
また、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（ＬａｎｇｍｕｉｒＢｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。））等により、薄膜化することにより形成することが好ましい。
有機ＥＬ素子の構成層の形成法については、有機ＥＬ素子の作製方法のところで詳細に説明する。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度の範囲、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内である。この電子輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
また、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントをドープして用いてもよい。《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided with a single layer or a plurality of layers.
The electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. As a constituent material of the electron transport layer, any conventionally known compound may be selected and used in combination. Is possible.
Examples of conventionally known materials used for the electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include polycyclic aromatic hydrocarbons such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, Ring tetracarboxylic anhydride, carbodiimide, fluorenylidenemethane derivative, anthraquinodimethane and anthrone derivative, oxadiazole derivative, carboline derivative, or at least carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative Derivatives having a ring structure, one of which is substituted with a nitrogen atom, hexaazatriphenylene derivatives and the like.
Furthermore, in the oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material.
It is also possible to use a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain.
In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.
In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having the terminal substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can also be used as the electron transport material.
In addition, inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can also be used as the electron transport material.
The electron transport layer is made of an electron transport material such as a vacuum deposition method, a wet method (also referred to as a wet process, such as a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an ink jet method, a printing method, or a spraying method. The film is preferably formed by thinning by a coating method, a curtain coating method, an LB method (such as Langmuir Brodgett method)).
The method for forming the constituent layers of the organic EL element will be described in detail in the section of the method for manufacturing the organic EL element.
Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, it is the range of about 5 nm-5000 nm, Preferably it exists in the range of 5 nm-200 nm. This electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
Further, an n-type dopant such as a metal compound such as a metal complex or a metal halide may be doped.

以下、本発明の白色有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物（電子輸送材料）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Hereinafter, although the specific example of the conventionally well-known compound (electron transport material) preferably used for formation of the electron carrying layer of the white organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内の膜厚で作製した後に、後述する陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 "cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably in the range of 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.
Moreover, after producing the metal with a film thickness in the range of 1 nm to 20 nm on the cathode, a transparent or semitransparent cathode is produced by producing a conductive transparent material mentioned in the description of the anode described later on the cathode. By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

《注入層：電子注入層（陰極バッファー層）、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３頁〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、特表２００３−５１９４３２や特開２００６−１３５１４５等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウム、フッ化セシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。 << Injection layer: electron injection layer (cathode buffer layer), hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.
An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166), and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Representative phthalocyanine buffer layer, hexaazatriphenylene derivative buffer layer, oxide buffer layer typified by vanadium oxide, amorphous carbon buffer layer, polyaniline Examples thereof include a polymer buffer layer using a conductive polymer such as (emeraldine) or polythiophene, an ortho-metalated complex layer represented by tris (2-phenylpyridine) iridium complex, and the like.
The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride and potassium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride and cesium fluoride, typified by aluminum oxide Examples thereof include an oxide buffer layer. The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示す）を含有することが好ましい。
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高占有軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、ＲｅｖｉｓｉｏｎＡ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，ＰｉｔｔｓｂｕｒｇｈＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「ＭｏｄｅｌＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である。 <Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.
The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking.
Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned above can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
The hole blocking layer includes a carbazole derivative, a carboline derivative, a diazacarbazole derivative (the diazacarbazole derivative is a nitrogen atom in which any one of carbon atoms constituting the carboline ring is cited as the host compound described above. It is preferable to contain (represented by).
In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode. Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.
The ionization potential is defined by the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be determined by, for example, the following method.
(1) Using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA As a value (eV unit converted value) calculated by performing structure optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
(2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.
On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably in the range of 3 nm to 100 nm, more preferably in the range of 5 nm to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇｅｔ．ａｌ．著文献（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度の範囲、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲である。この正孔輸送層は上記材料の一種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
Further, azatriphenylene derivatives such as those described in JP-T-2003-519432 and JP-A-2006-135145 can also be used as a hole transport material.
The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbene; N-phenylcarbazole and also two condensations described in US Pat. No. 5,061,569 Having an aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308688 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) in which three triphenylamine units described in the publication are linked in a starburst type Etc.
Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.
The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can.
Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, it is the range of about 5 nm-5 micrometers, Preferably it is the range of 5 nm-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。 "anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO ₂ , and ZnO.
Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In ₂ O ₃ —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably in the range of 10 nm to 200 nm.

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳＫ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳＫ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。
ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。《Support substrate》
As a support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. May be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.
On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably 0.01 g / (m ² · 24 h) or less, and further, oxygen measured by a method according to JIS K 7126-1987. A high barrier film having a permeability of 10 ⁻³ ml / (m ² · 24 h · atm) or less and a water vapor permeability of 10 ⁻⁵ g / (m ² · 24 h) or less is preferable.
As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.
The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.
In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《有機ＥＬ素子の作製方法》
有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極からなる素子の作製方法について説明する。
まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内の膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。
次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
薄膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等により成膜して形成することができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。
本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 << Method for producing organic EL element >>
As an example of a method for producing an organic EL device, a device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode Will be described.
First, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on a suitable substrate so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode.
Next, a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, or a cathode buffer layer, which is an element material, is formed thereon.
As a method for forming the thin film, for example, the thin film can be formed by a vacuum deposition method, a wet method (also referred to as a wet process), or the like.
Wet methods include spin coating, casting, die coating, blade coating, roll coating, ink jet, printing, spray coating, curtain coating, and LB, but precise thin films can be formed. In view of high productivity, a method having high suitability for a roll-to-roll method such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, or a spray coating method is preferable. Different film formation methods may be applied for each layer.
Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material according to the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, and mesitylene. Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.
After the formation of these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a desired organic EL device can be obtained by providing a cathode. .
Further, the order can be reversed, and the cathode, cathode buffer layer, electron transport layer, hole blocking layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode can be formed in this order.
When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 V to 40 V with the anode as + and the cathode as-. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
The organic EL device of the present invention is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is preferable to perform the work in a dry inert gas atmosphere.

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等から形成されたものを挙げることができる。
金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳＫ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳＫ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 <Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.
As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.
Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
Examples of the polymer plate include those formed from polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like.
Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned.
Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 ⁻³ ml / (m ² · 24 h · atm) or less, and a method according to JIS K 7129-1992. It is preferable that the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is 1 × 10 ⁻³ g / (m ² · 24 h) or less.
For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.
Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止
が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基
板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.
As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).
In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.
When a medium with a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. .
Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
Further, the thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.
The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍの範囲が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。
プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。 <Condenser sheet>
The organic EL device of the present invention is processed on the light extraction side of the substrate so as to provide, for example, a microlens array structure, or combined with a so-called condensing sheet, for example, with respect to a specific direction, for example, the device light emitting surface By condensing in the front direction, the luminance in a specific direction can be increased.
As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably in the range of 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.
As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.
As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。 <Application>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.
In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the device may be patterned. Can do.
The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with a total CS-1000 (Konica Minolta Sensing Co., Ltd.) is applied to the CIE chromaticity coordinates.
When the organic EL element of the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd / m ² is X when the 2 ° viewing angle front luminance is measured by the above method. = 0.33 ± 0.07 and Y = 0.33 ± 0.1.

［表示装置］
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備したものである。
本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。
得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 [Display device]
The display device of the present invention will be described. The display device of the present invention comprises the organic EL element of the present invention.
Although the display device of the present invention may be single color or multicolor, the multicolor display device will be described here. In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only at the time of forming a light emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.
In the case of patterning only the light emitting layer, the method is not limited. However, the vapor deposition method, the ink jet method, the spin coating method, and the printing method are preferable.
The configuration of the organic EL element provided in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as necessary.
Moreover, the manufacturing method of an organic EL element is as having shown to the one aspect | mode of manufacture of the organic EL element of said invention.
In the case of applying a DC voltage to the obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2V to 40V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
The multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light emission sources. In a display device or display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.
Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
Light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. The present invention is not limited to these examples.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図１は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
図２は表示部Ａの模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。 Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.
The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line respond to the image data signal by the scanning signal. The image information is sequentially emitted to scan the image and display the image information on the display unit A.
FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.
The display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.
In the figure, the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).
The scanning line 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are illustrated). Not)
When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
Full-color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。図３は画素の模式図である。
画素は有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１
の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
即ち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。 Next, the light emission process of the pixel will be described. FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.
The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. A full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.
In FIG. 3, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 through the data line 6. When a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5, the switching transistor 11.
And the image data signal applied to the drain is transmitted to the capacitor 13 and the gate of the drive transistor 12.
By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.
When the scanning signal is moved to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 maintains the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues. When the scanning signal is next applied by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
That is, the light emission of the organic EL element 10 is performed by providing the switching transistor 11 and the drive transistor 12 which are active elements with respect to the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the light emission of the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.
Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or by turning on / off a predetermined light emission amount by a binary image data signal. Good. The potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図４はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。 FIG. 4 is a schematic diagram of a passive matrix display device. In FIG. 4, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
In the passive matrix system, the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.

［照明装置］
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機ＥＬ素子を有する。
本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
また、本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用し
た２つの発光極大波長を含有したものでもよい。
また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。
発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。 [Lighting device]
The lighting device of the present invention will be described. The illuminating device of this invention has the said organic EL element.
The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. The purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure is as follows. The light source of a machine, the light source of an optical communication processing machine, the light source of a photosensor, etc. are mentioned, However It is not limited to these. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a display for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a device (display).
The driving method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
The organic EL material of the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. A plurality of light emitting colors are simultaneously emitted by a plurality of light emitting materials to obtain white light emission by color mixing. A combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of three primary colors of red, green, and blue, or two using a complementary color relationship such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
In addition, a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and light from the light emitting material as excitation light. Any of those combined with a dye material that emits light may be used, but in the white organic EL device according to the present invention, only a combination of a plurality of light-emitting dopants may be mixed.
It is only necessary to provide a mask only when forming a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc., and simply arrange them separately by coating with the mask. Since other layers are common, patterning of the mask or the like is not necessary. In addition, for example, an electrode film can be formed by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is also improved.
According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves are luminescent white.
There is no restriction | limiting in particular as a luminescent material used for a light emitting layer, For example, if it is a backlight in a liquid crystal display element, the metal complex which concerns on this invention so that it may suit the wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristic, Any one of known luminescent materials may be selected and combined to whiten.

＜本発明の照明装置の一態様＞
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成することができる。
図５は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。
図６は、照明装置の断面図を示し、図６において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。 <One aspect of lighting device of the present invention>
One aspect of the lighting device of the present invention that includes the organic EL element of the present invention will be described.
The non-light emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a 300 μm thick glass substrate is used as a sealing substrate, and an epoxy photocurable adhesive (LUX The track LC0629B) is applied, and this is overlaid on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured, sealed, and illuminated as shown in FIGS. A device can be formed.
FIG. 5 shows a schematic diagram of a lighting device, and the organic EL element 101 of the present invention is covered with a glass cover 102 (in the sealing operation with the glass cover, the organic EL element 101 is brought into contact with the atmosphere. And a glove box under a nitrogen atmosphere (in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more).
FIG. 6 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 6, 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

［実施例１］
＜有機ＥＬ素子１−１の作製＞
以下に有機ＥＬ素子の作製に用いられる化合物の構造を示す。

[Example 1]
<Preparation of Organic EL Element 1-1>
The structure of the compound used for preparation of an organic EL element is shown below.

１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、ＢａｙｔｒｏｎＰＡｌ
４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（ＡｍｅｒｉｃａｎＤｙｅＳｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。
この第２正孔輸送層上に、ホスト化合物ＯＣ−１１及びドーパント化合物である比較化合物１の酢酸ブチル溶液をスピンコート法により成膜し、１２０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。
この発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−１１の１−ブタノールの溶液をスピンコート法により成膜し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。
これを、真空蒸着装置に取付け、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した。次いで、電子注入層としてフッ化リチウム１．０ｎｍ、陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。 Patterning was performed on a substrate (NAV-45, manufactured by AvanStrate Co., Ltd.) on which a 100 nm ITO (indium tin oxide) film was formed as an anode on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate. Thereafter, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
On this transparent support substrate, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al
A solution obtained by diluting 4083) with pure water to 70% was formed into a film by a spin coating method, and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.
On the first hole transport layer, a hole transport material Poly (N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl)) benzidine (manufactured by American Dye Source, ADS- 254) was formed into a film by spin coating. It heat-dried at 150 degreeC for 1 hour, and provided the 2nd hole transport layer with a film thickness of 40 nm.
On this second hole transport layer, a butyl acetate solution of the host compound OC-11 and the comparative compound 1 as a dopant compound is formed by spin coating, and is heated and dried at 120 ° C. for 1 hour to emit light having a thickness of 30 nm. A layer was provided.
On this light emitting layer, the 1-butanol solution of electron transport material ET-11 was formed into a film by the spin coat method, and the 20-nm-thick electron transport layer was provided.
This was attached to a vacuum deposition apparatus, and the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 ⁻⁴ Pa. Subsequently, lithium fluoride 1.0nm was vapor-deposited as an electron injection layer, and aluminum 110nm was vapor-deposited as a cathode, and the organic EL element 1-1 was produced.

＜有機ＥＬ素子１−２〜１−１８の作製＞
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のドーパント化合物：比較化合物１を表１に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−１８を各々作製した。 <Preparation of organic EL elements 1-2 to 1-18>
In the production of the organic EL element 1-1, organic EL elements 1-2 to 1-18 were respectively produced in the same manner except that the dopant compound of the light emitting layer: Comparative compound 1 was replaced with the compound shown in Table 1.

＜有機ＥＬ素子の評価＞
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−１８を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。
次いで下記評価を行った。
≪外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう）≫
有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ^２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。
ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いて行い、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１−３（比較例）を１００とする相対値で表した。 <Evaluation of organic EL element>
When evaluating the obtained organic EL elements 1-1 to 1-18, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. In addition, an epoxy-based photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealing material around the periphery, and this is placed on the cathode so as to adhere to the transparent support substrate, and UV light is irradiated from the glass substrate side. Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 5 and 6 was formed and evaluated.
Then, the following evaluation was performed.
≪External extraction quantum efficiency (also simply called efficiency) ≫
By lighting the organic EL element under a constant current condition of room temperature (about 23 to 25 ° C.) and ^2.5 mA / cm ² , and measuring the light emission luminance (L) [cd / m ² ] immediately after the start of lighting, The external extraction quantum efficiency (η) was calculated.
Here, the measurement of emission luminance was performed using CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing), and the external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 1-3 (comparative example) as 100.

≪駆動電圧≫
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し、測定結果を下記に示した計算式により計算し、得られた結果を表４に示した。
有機ＥＬ素子１−３（比較例）を１００として各々相対値で示した。
駆動電圧（相対値）＝（各素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子１−２（比較例）の駆動電圧）×１００
尚、値が小さいほうが比較に対して駆動電圧が低いことを示す。 ≪Drive voltage≫
Each voltage was measured when the organic EL device was driven at room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) under a constant current condition of ^2.5 mA / cm ² , and the measurement result was calculated by the following formula. The results obtained are shown in Table 4.
The organic EL element 1-3 (comparative example) was set to 100, and each was shown as a relative value.
Drive voltage (relative value) = (drive voltage of each element / drive voltage of organic EL element 1-2 (comparative example)) × 100
A smaller value indicates a lower drive voltage for comparison.

≪半減寿命≫
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
各有機ＥＬ素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ^２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２（５００ｃｄ／ｍ^２）になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。
尚、半減寿命は比較の有機ＥＬ素子１−３（比較例）を１００とした時の相対値で表示した。
得られた結果を表４に示す。 ≪Half life≫
The half-life was evaluated according to the measurement method shown below.
Each organic EL device driven with a constant current at a current giving an initial luminance 1000 cd / ^{m 2,} obtains the time to be 1/2 (500cd / ^{m 2)} of the initial luminance, which was used as a measure of the half-life.
The half life was expressed as a relative value when the comparative organic EL element 1-3 (comparative example) was set to 100.
Table 4 shows the obtained results.

表４の結果に示されるように、本発明の有機ＥＬ素子は比較例の有機ＥＬ素子に対して、高い効率を示し、半減寿命が向上し、駆動電圧も低下する等、素子としての特性が向上している。 As shown in the results of Table 4, the organic EL device of the present invention exhibits higher efficiency than the organic EL device of the comparative example, has improved device characteristics, such as improved half-life and reduced drive voltage. It has improved.

［実施例２］
＜有機ＥＬ素子２−１の作製＞
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．スタルク社製、ＣＬＥＶＩＯＰＶＰ
ＡＩ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚２０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＯＣ−３０を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−８を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物である比較化合物１を１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
次いで真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し２０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。
更に、ホスト化合物ＯＣ−３０とドーパント化合物である比較化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．００６ｎｍ／秒で前記第２正孔輸送層上に共蒸着して４０ｎｍの発光層を設けた。
更にＥＴ−８入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍを蒸着し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。 [Example 2]
<Preparation of organic EL element 2-1>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
On this transparent support substrate, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, manufactured by HC Starck Co., Ltd., CLVIO P VP).
AI 4083) is diluted to 70% with pure water, a thin film is formed by spin coating under conditions of 3000 rpm and 30 seconds, and then dried at 200 ° C. for 1 hour to form a first hole with a thickness of 20 nm. A transport layer was provided.
This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while 200 mg of α-NPD was put in a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of OC-30 as a host compound was put in another molybdenum resistance heating boat, 200 mg of ET-8 was put into another resistance heating boat made of molybdenum, and 100 mg of Comparative Compound 1 as a dopant compound was put into another resistance heating boat made of molybdenum, and attached to a vacuum deposition apparatus.
Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 ⁻⁴ Pa, the heating boat containing α-NPD was energized and heated, evaporated onto the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / second, and the second positive electrode of 20 nm. A hole transport layer was provided.
Furthermore, the second hole transport layer was heated at a deposition rate of 0.1 nm / second and 0.006 nm / second, respectively, by heating the heating boat containing the host compound OC-30 and the comparative compound 1 as the dopant compound. A 40 nm light emitting layer was provided by co-evaporation.
Further, the heating boat containing ET-8 was energized and heated, and deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to provide an electron transport layer having a thickness of 30 nm.
In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 2-1 was produced.

＜有機ＥＬ素子２−２〜２−１８の作製＞
有機ＥＬ素子２−１の作製において、発光層のドーパント化合物である比較化合物１を表５に記載の化合物に置き換えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−２〜２−１８を各々作製した。 <Preparation of organic EL elements 2-2 to 2-18>
In the production of the organic EL element 2-1, each of the organic EL elements 2-2 to 2-18 was produced in the same manner except that the comparative compound 1 as the dopant compound of the light emitting layer was replaced with the compounds described in Table 5. .

＜有機ＥＬ素子２−１〜２−１８の評価＞
得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−１８を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１と同様に封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。
次いで、下記評価を行った。
≪発光輝度≫
有機ＥＬ素子の温度２３℃、１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ^２］を測定した。発光輝度は有機ＥＬ素子３−３（比較例）を１００とする相対値で表した。発光輝度については、ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定した。 <Evaluation of organic EL elements 2-1 to 2-18>
When evaluating the obtained organic EL elements 2-1 to 2-18, sealing was performed in the same manner as the organic EL element 1-1 of Example 1, and an illumination device as shown in FIGS. 5 and 6 was formed. And evaluated.
Subsequently, the following evaluation was performed.
≪Light emission brightness≫
The light emission luminance (L) [cd / m ² ] when a temperature of 23 ° C. and a DC voltage of 10 V were applied to the organic EL element was measured. The light emission luminance was expressed as a relative value with the organic EL element 3-3 (comparative example) as 100. The light emission luminance was measured using CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing).

≪外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう）≫
実施例１に記載の方法と同様にして行った。尚、外部取り出し量子効率は、有機ＥＬ素子２−３（比較例）を１００として各々相対値で示した。 ≪External extraction quantum efficiency (also simply called efficiency) ≫
The same procedure as described in Example 1 was performed. The external extraction quantum efficiencies are shown as relative values with the organic EL element 2-3 (comparative example) being 100.

≪半減寿命≫
実施例１に記載の方法と同様にして行った。尚、半減寿命は、有機ＥＬ素子２−３（比較例）を１００として各々相対値で示した。 ≪Half life≫
The same procedure as described in Example 1 was performed. The half-life was shown as a relative value with the organic EL element 2-3 (comparative example) as 100.

≪駆動電圧≫
実施例１に記載の方法と同様にして行った。尚、駆動電圧は、有機ＥＬ素子２−３（比較例）を１００として各々相対値で示した。 ≪Drive voltage≫
The same procedure as described in Example 1 was performed. In addition, the drive voltage was shown by the relative value by setting the organic EL element 2-3 (comparative example) to 100.

表５の結果に示されるように、蒸着法で素子を製造した場合も、本発明の有機ＥＬ素子は比較例の有機ＥＬ阻止に対して、各々高い発光輝度を示し、発光ムラや保存素子の電圧上昇も抑えられる等、素子としての諸特性が向上している As shown in the results of Table 5, even when the device was manufactured by the vapor deposition method, the organic EL device of the present invention showed high emission luminance with respect to the organic EL blocking of the comparative example, Various characteristics as an element have been improved, such as suppression of voltage rise.

［実施例３］
＜白色発光有機ＥＬ素子３−１の作製＞
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、ＢａｙｔｒｏｎＰＡｌ
４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（ＡｍｅｒｉｃａｎＤｙｅＳｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。
次に、ホスト化合物２４（１００ｍｇ）とドーパント材料Ｄ−１（３ｍｇ）とＤ−１０（３ｍｇ）をトルエン１０ｍｌに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。６０℃で１時間真空乾燥し第１発光層を形成した。
更にこの第一発光層上に、ホスト化合物ＯＣ−１１（１００ｍｇ）とドーパント化合物−２０（１６ｍｇ）を６ｍｌのヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）に溶解した
溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により成膜し、６０℃で１時間真空乾燥し、第２発光層を形成した。
この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、第二発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−９を３０ｎｍ、続いて陰極バッファー層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、更に陰極としてアルミニウムを１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。
この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。尚、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが判った。 [Example 3]
<Preparation of White Light-Emitting Organic EL Element 3-1>
Patterning was performed on a substrate (NAV-45, manufactured by AvanStrate Co., Ltd.) in which an ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 100 nm was formed on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode. Thereafter, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
On this transparent support substrate, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al
A solution obtained by diluting 4083) with pure water to 70% was formed into a film by a spin coating method, and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.
On the first hole transport layer, a hole transport material Poly (N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl)) benzidine (manufactured by American Dye Source, ADS- 254) was formed into a film by spin coating. It heat-dried at 150 degreeC for 1 hour, and provided the 2nd hole transport layer with a film thickness of 40 nm.
Next, using a solution obtained by dissolving host compound 24 (100 mg), dopant materials D-1 (3 mg) and D-10 (3 mg) in 10 ml of toluene, a film was formed by a spin coating method at 2000 rpm for 30 seconds. . The first light emitting layer was formed by vacuum drying at 60 ° C. for 1 hour.
Further, on this first light-emitting layer, a solution obtained by dissolving host compound OC-11 (100 mg) and dopant compound-20 (16 mg) in 6 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP) was spin-coated under the conditions of 2000 rpm and 30 seconds. A film was formed by the method, and vacuum dried at 60 ° C. for 1 hour to form a second light emitting layer.
This substrate is fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and the vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 ⁻⁴ Pa, and then the electron transport material ET-9 is formed on the second light emitting layer as a cathode buffer layer by 30 nm. Lithium fluoride was deposited at 0.5 nm and aluminum was deposited at 110 nm as a cathode to form a cathode, thereby producing an organic EL device 3-1.
When this element was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device. In addition, it turned out that white light emission is obtained similarly even if it replaces with the other compound of illustration.

［実施例４］
＜白色発光有機ＥＬ素子４−１の作製＞
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、ＢａｙｔｒｏｎＰＡｌ
４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（ＡｍｅｒｉｃａｎＤｙｅＳｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。
次に、ホストとして７（１００ｍｇ）とドーパント材料Ｄ−１（３ｍｇ）とＤ−６（３ｍｇ）、ドーパント化合物である化合物２０（１６ｍｇ）をトルエン１０ｍｌに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。６０℃で１時間真空乾燥し発光層を形成した。
この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−１５を３０ｎｍ、続いて陰極バッファー層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、更に陰極としてアルミニウムを１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子４−１を作製した。
この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。尚、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが判った。 [Example 4]
<Preparation of white light-emitting organic EL element 4-1>
Patterning was performed on a substrate (NAV-45, manufactured by AvanStrate Co., Ltd.) in which an ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 100 nm was formed on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode. Thereafter, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
On this transparent support substrate, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al
A solution obtained by diluting 4083) with pure water to 70% was formed into a film by a spin coating method, and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.
On the first hole transport layer, a hole transport material Poly (N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl)) benzidine (manufactured by American Dye Source, ADS- 254) was formed into a film by spin coating. It heat-dried at 150 degreeC for 1 hour, and provided the 2nd hole transport layer with a film thickness of 40 nm.
Next, 7 (100 mg), dopant materials D-1 (3 mg) and D-6 (3 mg) as a host, and a solution obtained by dissolving compound 20 (16 mg) as a dopant compound in 10 ml of toluene were used at 2000 rpm for 30 seconds. The film was formed by spin coating under the conditions. A light emitting layer was formed by vacuum drying at 60 ° C. for 1 hour.
This substrate is fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and the vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 ⁻⁴ Pa, and then the electron transport material ET-15 is 30 nm on the light emitting layer, followed by lithium fluoride as a cathode buffer layer. The organic EL element 4-1 was produced by depositing aluminum with a thickness of 0.5 nm and further depositing aluminum with a thickness of 110 nm as a cathode.
When this element was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device. In addition, it turned out that white light emission is obtained similarly even if it replaces with the other compound of illustration.

［実施例５］
＜白色発光有機ＥＬ素子５−１の作製＞
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として９を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−１１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物であるＣ３５を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物であるＤ−１０を１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
次いで真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートをそれぞれ別々に通電して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し２０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。
更に、ホスト化合物９とドーパント化合物である化合物１６、ドーパント化合物であるＤ−１０の入った前記加熱ボートに通電して、ホスト化合物である９とドーパント化合物である化合物１６及びＤ−１０の蒸着速度が１００：５：０．６になるように調節し、膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
更にＥＴ−１１入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍを蒸着し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子７−１を作製した。
この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。尚、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが判った。 [Example 5]
<Preparation of White Light-Emitting Organic EL Element 5-1>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while 200 mg of α-NPD is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of 9 as a host compound is put into another resistance heating boat made of molybdenum. Put 200 mg of ET-11 in a resistance heating boat made of molybdenum, put 100 mg of C35 as a dopant compound in another resistance heating boat made of molybdenum, put 100 mg of D-10 as a dopant compound in another resistance heating boat made of molybdenum, and vacuum Attached to the vapor deposition apparatus.
Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 ⁻⁴ Pa, each of the heating boats containing α-NPD was separately energized, and deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / second. A hole transport layer was provided.
Further, the host boat 9 and the compound 16 as the dopant compound, and the heating boat containing the dopant compound D-10 are energized, and the deposition rate of the host compound 9 and the dopant compound 16 and D-10. Was adjusted to be 100: 5: 0.6, vapor deposition was performed so as to have a thickness of 30 nm, and a light emitting layer was provided.
Furthermore, it supplied with electricity to the said heating boat containing ET-11, it heated, and it vapor-deposited on the said light emitting layer with the vapor deposition rate of 0.1 nm / second, and provided the electron carrying layer with a film thickness of 30 nm.
In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 7-1 was produced.
When this element was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device. In addition, it turned out that white light emission is obtained similarly even if it replaces with the other compound of illustration.

１ディスプレイ
３画素
５走査線
６データ線
７電源ライン
１０有機ＥＬ素子
１１スイッチングトランジスタ
１２駆動トランジスタ
１３コンデンサ
Ａ表示部
Ｂ制御部
１０７透明電極付きガラス基板
１０６有機ＥＬ層
１０５陰極
１０２ガラスカバー
１０８窒素ガス
１０９捕水剤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line 7 Power supply line 10 Organic EL element 11 Switching transistor 12 Drive transistor 13 Capacitor A Display part B Control part 107 Glass substrate with a transparent electrode 106 Organic EL layer 105 Cathode 102 Glass cover 108 Nitrogen gas 109 Water catcher

Claims

陽極と陰極との間に、少なくとも１つの発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
下記一般式（１）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｘ_６〜Ｘ_１１は、芳香族６員環を形成する元素群であり、炭素原子を表す。当該芳香族６員環は更に置換基を有してもよい。Ｒ_７は、炭素数７以上の置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_８及びＲ_９は，各々水素原子を表し、一般式（３）で表されるＶとの結合部位はＸ_９であり、一般式（１）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体におけるＩｒとの結合部位は、Ｘ_７である。〕 In an organic electroluminescence device having at least one light emitting layer between an anode and a cathode,
An organic electroluminescence device comprising a hexadentate ortho metal iridium complex represented by the following general formula (1):

Wherein, X ₆ to X ₁₁ is an element group that forms an aromatic 6-membered ring represents a carbon atom. The aromatic 6-membered ring may further have a substituent. R ₇ represents a substituted or unsubstituted aryl group having 7 or more carbon atoms. R ₈ and R ₉ each represent a hydrogen atom, the binding site to V represented by the general formula (3) is X ₉ and the hexadentate ortho metal iridium represented by the general formula (1) binding site of Ir in the complex is _{X 7.} ]

前記一般式（５）で表される配位子部位が、下記一般式（６）で表される配位子部位であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒｅは、各々置換基を表す。Ｒｂ及びＲｃは、各々アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。ｎｅは、０〜２の整数を表す。Ｒ_２及びＲ_３は、各々水素原子を表す。Ａｒは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。Ｒｆは、置換基を表す。ｎｆは、０〜３の整数を表す。一般式（３）で表される３価の連結基であるＶとの結合部位は、前記一般式（５）におけるＸ_９に対応する位置であり、一般式（１）で表される６座配位型オルトメタルイリジウム錯体におけるＩｒとの結合部位は、イミダゾール環の窒素原子または前記一般式（５）におけるＸ_７に対応する位置である。〕 The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the ligand moiety represented by the general formula (5) is a ligand moiety represented by the following general formula (6).

[Wherein, Re represents a substituent. Rb and Rc each represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. ne represents an integer of 0 to 2. R ₂ and R ₃ each represent a hydrogen atom. Ar represents an aryl group or a heteroaryl group. Rf represents a substituent. nf represents an integer of 0 to 3. The binding site with V which is a trivalent linking group represented by the general formula (3) is a position corresponding to X ₉ in the general formula (5), and is a 6-seat represented by the general formula (1). The binding site with Ir in the coordination type ortho metal iridium complex is a nitrogen atom of the imidazole ring or a position corresponding to X ₇ in the general formula (5). ]

前記一般式（６）において、Ｒｂ及びＲｃがイソプロ基を表すことを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the said General formula (6), Rb and Rc represent an isopropyl group, The organic electroluminescent element of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.

前記一般式（６）において、Ａｒがフェニル基を表すことを特徴とする請求項２または３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the said General formula (6), Ar represents a phenyl group, The organic electroluminescent element as described in any one of Claim 2 or 3 characterized by the above-mentioned.

前記一般式（３）において、Ｒ_１及びＲ_２は、各々水素原子、アリール基、アルキル基又はアルコキシ基を表すことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 In Formula (3), R ₁ and R ₂ are each a hydrogen atom, an aryl group, an organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 4, characterized in that an alkyl group or an alkoxy group element.

前記一般式（３）において、Ｒ_１及びＲ_２は、各々水素原子、フェニル基、アルキル基又はアルコキシ基を表すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 In Formula (3), R ₁ and R ₂ are each a hydrogen atom, a phenyl group, an organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 5, characterized in that an alkyl group or an alkoxy group element.

前記一般式（３）において、Ｒ_３及びＲ_４は、各々水素原子またはアリール基を表すことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the general formula (3), R ₃ and R ₄ are organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that each represents a hydrogen atom or an aryl group.

前記一般式（３）において、Ｒ_３及びＲ_４は、各々水素原子またはフェニル基を表すことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the general formula (3), R ₃ and R ₄ are organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that each represents a hydrogen atom or a phenyl group.

前記発光層の少なくとも１層に、前記６座配位型オルトメタルイリジウム錯体を含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the hexadentate orthometal iridium complex is contained in at least one layer of the light emitting layer.

白色発光することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence element according to claim 1, which emits white light.

請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1.

請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 The illuminating device provided with the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-10.