JP6032381B1 - 昇降圧変換装置、コンピュータプログラム及び昇降圧変換装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施の形態に係る昇降圧変換装置は、第1インダクタを介して直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスと、前記第1インダクタ及び前記第1低圧側スイッチングデバイスの接続点に一端を接続した第2インダクタと、前記第1低圧側スイッチングデバイスに並列に接続したキャパシタと、前記高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスをオン/オフして所定の動作モードで動作させる制御部とを備える昇降圧変換装置であって、前記制御部は、昇圧変換時に、前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンにして前記第2インダクタに電流を流す第1モードで動作させ、該第1モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオフにして前記第1インダクタ、前記第2インダクタ及び前記キャパシタによる共振電流を流す第2モードで動作させ、前記第2モードで前記第1低圧側スイッチングデバイスの電圧が所定の電圧閾値以下になった場合、該第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させる。
以下、本発明を実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図1は本実施の形態の昇降圧変換装置の回路構成の一例を示す説明図である。本実施の形態の昇降圧変換装置は、高圧側の端子H及びG、低圧側の端子L及びGを備える。端子H及びGには、例えば、リチウムイオン電池などの比較的高い電圧(例えば、12V系のバッテリに比べて高い電圧)のバッテリを接続し、端子L及びGには、例えば、鉛蓄電池などの比較的低い電圧(例えば、12Vなど)のバッテリを接続することができる。なお、以下では、スイッチングデバイスをMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)として説明するが、スイッチングデバイスはMOSFETに限定されるものではなく、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのデバイスであってもよい。
2 第2インダクタ
3 キャパシタ
10 高圧側スイッチングデバイス
20 第1低圧側スイッチングデバイス
30 第2低圧側スイッチングデバイス
50 制御部
Claims (3)
- 第1インダクタを介して直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスと、前記第1インダクタ及び前記第1低圧側スイッチングデバイスの接続点に一端を接続した第2インダクタと、前記第1低圧側スイッチングデバイスに並列に接続したキャパシタと、前記高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスをオン/オフして所定の動作モードで動作させる制御部とを備える昇降圧変換装置であって、
前記高圧側スイッチングデバイスと前記第1インダクタとの接続点に接続され、前記高圧側スイッチングデバイスと直列をなす第2低圧側スイッチングデバイスを備え、
前記制御部は、昇圧変換時に、
前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンにして前記第2インダクタに電流を流す第1モードで動作させ、
該第1モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオフにして前記第1インダクタ、前記第2インダクタ及び前記キャパシタによる共振電流を流す第2モードで動作させ、
前記第2モードで前記第1低圧側スイッチングデバイスの電圧が所定の電圧閾値以下になった場合、該第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させ、
前記制御部は、
前記第2モードで前記第2低圧側スイッチングデバイスをオンにする第3モードで動作させ、
該第3モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させる昇降圧変換装置。 - コンピュータに、第1インダクタを介して直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスと、前記第1インダクタ及び前記第1低圧側スイッチングデバイスの接続点に一端を接続した第2インダクタと、前記第1低圧側スイッチングデバイスに並列に接続したキャパシタとを備える昇降圧変換装置を制御させるためのコンピュータプログラムであって、
前記高圧側スイッチングデバイスと前記第1インダクタとの接続点に接続され、前記高圧側スイッチングデバイスと直列をなす第2低圧側スイッチングデバイスを備え、
コンピュータを、
前記高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスをオン/オフして所定の動作モードで動作させる制御部として機能させ、
該制御部は、昇圧変換時に、
前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンにして前記第2インダクタに電流を流す第1モードで動作させ、
該第1モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオフにして前記第1インダクタ、前記第2インダクタ及び前記キャパシタによる共振電流を流す第2モードで動作させ、
前記第2モードで前記第1低圧側スイッチングデバイスの電圧が0になった場合、該第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させる処理を実行し、
前記制御部は、
前記第2モードで前記第2低圧側スイッチングデバイスをオンにする第3モードで動作させ、
該第3モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させる処理を実行するコンピュータプログラム。 - 第1インダクタを介して直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスと、前記第1インダクタ及び前記第1低圧側スイッチングデバイスの接続点に一端を接続した第2インダクタと、前記第1低圧側スイッチングデバイスに並列に接続したキャパシタとを備える昇降圧変換装置の制御方法であって、
前記高圧側スイッチングデバイスと前記第1インダクタとの接続点に接続され、前記高圧側スイッチングデバイスと直列をなす第2低圧側スイッチングデバイスを備え、
前記高圧側スイッチングデバイス及び第1低圧側スイッチングデバイスをオン/オフして所定の動作モードで制御部が動作させ、
該制御部は、昇圧変換時に、
前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンにして前記第2インダクタに電流を流す第1モードで動作させ、
該第1モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオフにして前記第1インダクタ、前記第2インダクタ及び前記キャパシタによる共振電流を流す第2モードで動作させ、
前記第2モードで前記第1低圧側スイッチングデバイスの電圧が0になった場合、該第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させ、
前記制御部は、
前記第2モードで前記第2低圧側スイッチングデバイスをオンにする第3モードで動作させ、
該第3モードでの動作後に前記第1低圧側スイッチングデバイスをオンして前記第1モードへ移行させる昇降圧変換装置の制御方法。
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JP2000156971A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体電力変換器 |
JP2007151324A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Mitsumi Electric Co Ltd | 共振形コンバータ |
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