JP6024599B2 - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
〔1〕(A)基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程、
(B)該樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程、
(C)該絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)該基材を剥離する工程、
(E)該絶縁層表面を粗化処理する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法において、
前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有し、
前記粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqが500nm以下であることを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
〔2〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、エポキシ樹脂が1〜40質量%であることを特徴とする、上記〔1〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔3〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が3〜40質量%であることを特徴とする、上記〔1〕又は〔2〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔4〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が30〜85質量%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔5〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が55〜85質量%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔6〕無機充填材の平均粒径が、0.01〜2μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔7〕無機充填材の単位重量あたりのカーボン量が、0.02〜3%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔8〕樹脂組成物層が、更にスミア抑制成分を含有することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔9〕基材がプラスチックフィルムであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔10〕基材の厚みが、10〜150μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔9〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔11〕絶縁層の誘電正接が0.05以下であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔10〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔12〕ビアホールのトップ径(直径)が、70μm以下であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔11〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔13〕ビアホールの開口率(ビアホール底部の直径/ビアホールのトップ径(直径))が、70〜100%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔12〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔14〕粗化処理する工程において、酸化剤による粗化処理が60〜80℃で10〜30分間であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔13〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔15〕更に(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程を含有することを特徴とする、上記〔1〕〜〔14〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔16〕該導体層と該絶縁層とのピール強度が0.35kgf/cm以上であることを特徴とする、上記〔15〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔17〕上記〔1〕〜〔16〕のいずれか記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。
(A)基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程、
(B)該樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程、
(C)該絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)該基材を剥離する工程、
(E)該絶縁層表面を粗化処理する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法において、
前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有し、
前記粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqが500nm以下であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法、
である。
(A)工程は、基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程である。本発明の基材付き樹脂組成物シートは、基材上に樹脂組成物層が形成されたものである。該樹脂組成物層は、(a)エポキシ樹脂、(b)活性エステル化合物及び(c)無機充填材を含有する樹脂組成物を用いて形成される。以下詳述する。
(a)エポキシ樹脂
本発明に使用する(a)エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有するのが好ましい。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
本発明における(b)活性エステル化合物は、1分子中に活性エステル基を1個以上有する化合物であり、樹脂組成物の誘電正接を低くし、二乗平均平方根粗さRqを小さくすることができる。(B)活性エステル化合物はエポキシ樹脂等と反応することができ、1分子中に活性エステル基を2個以上有する化合物が好ましい。一般的には、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。
本発明に使用する(c)無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。なかでも、シリカが好ましい。シリカとしては、無定形シリカ、粉砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。また、シリカとしては球状のシリカが好ましい。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、(株)アドマテックス製「SO−C2」、「SO−C1」が挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、硬化時間および硬化温度を調整する等の目的でさらに(d)硬化促進剤を含有することができる。(d)硬化促進剤としては、特に限定されないが、イミダゾール系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、有機ホスフィン化合物、有機ホスホニウム塩化合物等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
本発明の樹脂組成物には、更に(e)熱可塑性樹脂を含有させることにより、当該樹脂組成物から得られる樹脂ワニスの粘度を好適な範囲に調整することができ、また硬化物の可撓性を高めることができる。熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ABS樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の可撓性を高め、密着性に寄与するという観点からフェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましく、フェノキシ樹脂がより好ましい。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。熱可塑性樹脂はガラス転移温度が80℃以上のものが好ましい。
本発明の樹脂組成物には、更に(f)スミア抑制成分を含有させることができる。これにより、ビアホールのスミア抑制をより高めることができる。ここで、スミア抑制とは、穴あけ加工時に発生するスミア量を減らすことと、粗化処理時にスミアをより除去し易くすること、のどちらの意味も包含する。スミア抑制成分は、樹脂組成物の硬化物を穴あけ加工し、粗化処理した後のスミアを抑制させることが出来るものである。スミア抑制成分としては、有機系スミア抑制成分、無機系スミア抑制成分が挙げられ、絶縁信頼性向上の点で有機系スミア抑制成分が好ましい。具体的には、有機系スミア抑制成分としては、顔料、染料、ゴム粒子、酸化防止剤、赤外線吸収剤等が挙げられ、無機系スミア抑制成分としては、金属化合物粉、金属粉等が挙げられる。スミア抑制成分としては、顔料、染料、ゴム粒子、酸化防止剤及び赤外線吸収剤からなる群より選択される1種以上を用いることが好ましい。これらのうち、スミア抑制能が優れ、ピール強度も優れるという点から、顔料及び/又はゴム粒子がより好ましく、顔料が更に好ましい。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
本発明の樹脂組成物は、さらに、必要に応じて本発明の効果を損なわない範囲でフェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、マレイミド化合物、ビスアリルナジイミド化合物、ビニルベンジル樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂等の熱硬化成分、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、チアゾール系、トリアゾール系等の密着性付与剤、水酸化アルミニウム等の難燃剤、有機溶剤、等を挙げることができる。
本発明の基材付き樹脂組成物シートは、基材上に樹脂組成物層が形成されたものである。該基材付き樹脂組成物シートは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて、基材上に塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
以下、基材付き樹脂組成物シートを回路基板に積層する方法の一例を説明する。
(B)工程は、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程である。以下詳述する。
(C)工程は、絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程である。以下詳述する。
(D)工程は、基材を剥離する工程である。以下詳述する。
(E)工程は、該絶縁層表面を粗化処理する工程である。以下詳述する。
なお、粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqは、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「WYKO NT3300」が挙げられる。
本発明では、更に粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程((F)工程)を行うことにより、回路(配線)を形成することができる。以下詳述する。
本発明の方法により製造された多層プリント配線板を用いることで半導体装置を製造することができる。本発明の多層プリント配線板の導通箇所に、半導体チップを実装することにより半導体装置を製造することができる。「導通箇所」とは、「多層プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。
まずは各種測定方法・評価方法について説明する。
各実施例および各比較例で得られた基材付き樹脂組成物シートについて、以下に従ってスミア(樹脂残渣)の評価を行った。
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.8mm、松下電工(株)製R5715ES)の両面にエッチングにより回路パターンを形成し、さらにマイクロエッチング剤(メック(株)製CZ8100)で粗化処理を行い、回路基板を作製した。
各実施例および各比較例で作製した基材付き樹脂組成物シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP−500(商品名、名機(株)製)を用いて、上記(1)で作製した回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、30秒間、圧力0.74MPaで圧着させることにより行った。
実施例1−8及び比較例1においては、積層された基材付き樹脂組成物シートをそのまま170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。比較例2においては、積層された基材付き樹脂組成物シートからPETフィルムを剥離した後、170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。硬化後の比較例2の絶縁層表面を目視で観察したところ、異物(埃)付着が見られた。
松下溶接システム(株)製CO2レーザー加工機(YB−HCS03T04)を使用し、周波数1000Hzでパルス幅13μ秒、ショット数3のサイクルモード条件で絶縁層を加工して、絶縁層表面におけるビアホールのトップ径(直径)が60μm、絶縁層底面におけるビアホール底部の直径が50μmのビアホールを形成した(テーパ角度は約83度)。なお、比較例2はビアホール底部の直径は40μmであった。実施例1−8及び比較例1においては、ビアホールを形成した後にPETフィルムを剥離した。
回路基板を、膨潤液であるアトテックジャパン(株)のスエリングディップ・セキュリガントPに60℃で10分間浸漬した。次に、粗化液(酸化剤)であるアトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬した。最後に、中和液であるアトテックジャパン(株)のリダクションソリューション・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。
ビアホール底部の周囲を走査電子顕微鏡(SEM)にて観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。◎○は最大スミア長が2μm未満、◎は最大スミア長が2μm以上3.5μm未満、○は最大スミア長が3.5μm以上5μm未満、×は最大スミア長が5μm以上を表す。
内層回路の形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.3mm、松下電工(株)製R5715ES)の両面をメック(株)製CZ8100に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
各実施例および各比較例で作成した基材付き樹脂組成物シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP-500((株)名機製作所製、商品名)を用いて、積層板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、30秒間、100℃、圧力0.74MPaで圧着させることにより行った。
実施例1−8及び比較例1においては、積層された基材付き樹脂組成物シートをそのまま170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成し、PETフィルムを剥離した。比較例2においては、積層された基材付き樹脂組成物シートからPETフィルムを剥離した後、170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。
積層板を、膨潤液である、アトテックジャパン(株)のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドPに60℃で10分間浸漬し、次に粗化液(酸化剤)として、アトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬、最後に中和液として、アトテックジャパン(株)のリダクションショリューシン・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。この粗化処理後の積層板をサンプルAとした。
絶縁層表面に回路を形成するために、積層板を、PdCl2を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、30μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を180℃にて60分間行った。この積層板をサンプルBとした。
サンプルAについて、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製WYKO NT3300)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして得られる数値によりRq値を求めた。そして、それぞれ10点の平均値を求めることにより測定値とした。
サンプルBの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具(株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機 AC−50C−SL)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。
各実施例および各比較例で得られた基材付き樹脂組成物シートを190℃で90分間熱硬化させて、PETフィルムを剥離してシート状の硬化物を得た。その硬化物を、幅2mm、長さ80mmの試験片に切断し、関東電子応用開発(株)製空洞共振器摂動法誘電率測定装置CP521およびアジレントテクノロジー(株)製ネットワークアナライザーE8362Bを使用して、空洞共振器摂動法で測定周波数5.8GHzにて誘電正接(tanδ)の測定を行った。2本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)18部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
次に、かかる樹脂ワニスを厚み38μmのPETフィルム(リンテック(株)製AL5)の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層厚みが40μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて、基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)13部(固形分換算)、フェノール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN485」、固形分50%のMEK溶液)5部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)9部(固形分換算)、フェノール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN485」、固形分50%のMEK溶液)9部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)1部と、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)14部、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)13部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)45部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)25部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)29部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)10部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)45部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)100部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)25部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)60部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL6954」)10部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)18部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部、青色顔料(大日精化(株)製、シアニンブルー4920)0.03部、黄色顔料(BASF(株)製、パリオトロールイエローK1841)0.03部、赤色顔料(クラリアントジャパン(株)製、PV Fast Pink E01)0.06部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、フェノール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN485」、固形分50%のMEK溶液)18部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)0.1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
実施例1と同様の基材付き樹脂組成物シートを用いた。評価結果を表1に示す。
Claims (16)
- (A)基材上に直接、熱硬化性の樹脂組成物層が形成された基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程、
(B)該樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程、
(C)該絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)該基材を剥離する工程、
(E)該絶縁層表面を粗化処理する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法において、
基材が離型処理を施してあってもよいプラスチックフィルムであり、
前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有し、
前記粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqが500nm以下であり、
樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が30質量%以下であることを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。 - 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、エポキシ樹脂が1〜40質量%であることを特徴とする、請求項1記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が3〜30質量%であることを特徴とする、請求項1又は2記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が30〜85質量%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が55〜85質量%であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 無機充填材の平均粒径が、0.01〜2μmであることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 無機充填材の単位重量あたりのカーボン量が、0.02〜3%であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 樹脂組成物層が、更にスミア抑制成分を含有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 基材の厚みが、10〜150μmであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 絶縁層の誘電正接が0.05以下であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- ビアホールのトップ径(直径)が、70μm以下であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- ビアホールの開口率(ビアホール底部の直径/ビアホールのトップ径(直径))が、70〜100%であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 粗化処理する工程において、酸化剤による粗化処理が60〜80℃で10〜30分間であることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 更に(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程を含有することを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 該導体層と該絶縁層とのピール強度が0.35kgf/cm以上であることを特徴とする、請求項14記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 請求項1〜15のいずれか1項記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。
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