JP6023627B2 - 無機薄膜付きフィルムの製造方法及び製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、透明フィルム上にＳｉＯｘ層が製膜された無機薄膜フィルムおよびその製造方法並びにその製造装置に関する。

透明基板上にＳｉＯｘ層や透明導電層等の無機薄膜が形成された無機薄膜付き基板は、ディスプレイや発光素子、光電変換素子、タッチパネル等の透明電極として広く用いられている。このような無機薄膜付き基板の製造方法としては、ガラスやフィルムに金属酸化物薄膜を製膜する方法が一般的であるが、特にタッチパネル用途に用いる場合には、基板にＳｉＯｘ層などの光学調整層を製膜し、その上に透明電極層を製膜することが行なわれている。

タッチパネル等の電子デバイスは、近年、薄型化及び大面積化が急速に進んでおり、薄型化達成のためにベース基板として透明フィルムが採用され始めている。透明フィルム上に無機薄膜を製膜するにはロール・トゥ・ロール法が採用されるが、その際、透明フィルムの搬送方向及びフィルムの幅方向において膜質を均一化することが必要であり、ＳｉＯｘ層を製膜する際にも、幅方向における膜質の均一性が求められる。

透明フィルム上にＳｉＯｘ層を製膜するには、一般に、ウエットコーティング法やドライコーティング法が採用され、ドライコーティング法（反応性スパッタリング法）の場合は、ターゲットとして、金属や金属酸化物等が用いられる。また、電源としてはＤＣ（直流）電源やＲＦ（高周波）電源、ＭＦ（１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度の中波）電源などが使用される。

上記反応性スパッタリング法で製膜する場合、キャリアガスとしてのアルゴンガスの他、反応性ガスとしての酸素ガスを導入することになり、それらガスの流量を調整することは製造現場でよく行なわれている。しかし、それらガスの導入方法と、スパッタ時に用いる電源の組み合わせまでについては、検討されていない。

ここで、特許文献１には、ＳｉＯ_２等の化合物薄膜を形成する反応性スパッタリング装置において、ＤＣ電源を用い、２つのターゲットをフィルムの搬送方向を横断するように備え、両ターゲットの間にスパッタリングガス吹き出しノズルと活性ガス噴出しノズルを設け、両ガスを共にフィルムに向けて吹き付けることにより、均質な薄膜を作製する技術が記載されている。

また、特許文献２には、ＳｉＣ系薄膜を製膜するスパッタリング方法において、デュアルカソードマグネトロンターゲットを用い、２つのターゲットをＭＦ電源に接続し、酸素ガス流量をＰＩＤ制御してＳｉＣ系薄膜の透過率が目標透過率になるようにした発明が記載されている。

特開２００１−７３１３０号公報 特開２０１０−１８０４３２号公報

しかし、上述の特許文献に記載されているような方法では、スパッタリング用チャンバからの排気状態や、ターゲットの表面状態によって、フィルムの幅方向において均一な膜質を得ることができないことがあり、特許文献１のように反応性スパッタリングによるＳｉＯｘの製膜にＤＣ電源を使用した場合、製膜時間が長くなることでアノード消失が起き異常放電が発生するため、特に、反応性スパッタリングを連続的に行う場合や、広幅なフィルム基材を用いる場合には、フィルムの幅方向において膜の均一性を維持し続けることが困難であった。

本発明の目的は、フィルムの幅方向において膜質が均一化された無機薄膜付フィルムを提供すること、及び反応性スパッタリングにより無機薄膜付きフィルムを製造する際に、反応性ガスとターゲットの反応の均一化を高め、フィルムの幅方向において膜質を均一化できる製造方法及び製造装置を提供することである。

本発明は、透明フィルム上にスパッタリングによってＳｉＯｘ層（１．５≦ｘ≦２．０）が積層された無機薄膜付フィルムの製造方法において、上記透明フィルムの搬送方向に上流側Ｓｉターゲット及び下流側Ｓｉターゲットを離間して設け、上記上流側Ｓｉターゲット及び下流側ＳｉターゲットをＭＦ電源に接続し、上記スパッタリング時のキャリアガスとしてのアルゴンガスは、上記上流側Ｓｉターゲットの上流端側から上記下流側Ｓｉターゲット側に向かって流すと共に、上記下流側Ｓｉターゲットの下流端側から上記上流側Ｓｉターゲット側に向かって供給し、上記スパッタリング時の反応性ガスとしての酸素ガスは、上記下流側Ｓｉターゲットの下流端側から上記上流側Ｓｉターゲット側に向かってのみ供給して行う製造方法である。

上記酸素ガスの供給量は、上記透明フィルムの幅方向における中央部分が上記透明フィルムの幅方向における両端部分より５０〜９０％多いことが好ましい。
また、本発明の別の態様は、透明フィルム上にスパッタリングによってＳｉＯｘ層（１．５≦ｘ≦２．０）が積層された無機薄膜付フィルムの製造装置において、上記透明フィルムの搬送方向に直交するように上流側Ｓｉターゲット及び下流側Ｓｉターゲットを離間して備え、上記上流側Ｓｉターゲット及び下流側Ｓｉターゲットに接続されたＭＦ電源を備え、上記上流側Ｓｉターゲットの上流端側に、複数のガス噴出口を有し該ガス噴出口が上記下流側Ｓｉターゲット側に向けられている上流側アルゴンガス供給管を備えると共に、上記下流側Ｓｉターゲットの下流端側に、複数のガス噴出口を有し該ガス噴出口が上記上流側Ｓｉターゲット側に向けられている下流側アルゴンガス供給管を備え、上記下流側Ｓｉターゲットの下流端側に、複数のガス噴出口を有し該ガス噴出口が上記上流側Ｓｉターゲット側に向けられている酸素ガス供給管を備えたことを特徴とする無機薄膜付フィルムの製造装置である。

その際、上記酸素ガス供給管に設けられたガス噴出口は直径０．３〜５．０ｍｍで１〜３０ｃｍの間隔で複数設けられていることが好ましい。

本発明のさらに別の態様は、透明フィルム上にＳｉＯｘ層（１．５≦ｘ≦２．０）が積層された無機薄膜付フィルムにおいて、上記透明フィルムの幅が１．０〜１．７ｍｍであり、上記無機薄膜付きフィルムの幅方向における屈折率が１．４４〜１．５０に収まっており、且つ、最大屈折率と最小屈折率の和に対する最大屈折率と最小屈折率の差が３％以内である無機薄膜付きフィルムである。

本発明によれば、広幅基材に対して膜質の均一なスパッタ膜を得ることができ、例えば、フィルムの大面積化や、製造工程における歩留まり向上に寄与することが可能となる。また、本発明において、透明フィルム上にＳｉＯｘ層と透明電極層を積層してタッチパネル用フィルムとして用いた場合、膜質が均一化された透明電極付きフィルムとすることができる。

本発明の無機薄膜付きフィルム製造に用いる装置の概念図である。 該フィルム製造装置のスパッタリング部分を示す図である。 透明フィルム基材とターゲットの位置を被製膜面側から示した図である。 透明フィルム基材上に、透明誘電体層および透明電極層を有する透明導電性フィルムの断面模式図である。 ＳｉＯｘ層の幅方向の屈折率を示す図である。

以下に本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の無機薄膜付きフィルム製造に用いる装置の概念図であり、図２は該フィルム製造装置のスパッタリング部分を示しており、図３は透明フィルム基材とターゲットの位置を示す図である。図１に示すように、連続スパッタリング装置は、隔壁１によって透明フィルム基材３の巻き出しを行うアンワインダー室５と巻き取りを行うリワインダー室７及びスパッタリング室９とに分割されており、中央には冷却ローラ１１が設置されている。冷却ローラ１１の内部には冷媒が通され、スパッタリング時に外表面の基材３が過度に加熱されないようになっている。また、スパッタリング室９には、透明フィルム基材３に対向して且つ基材３の移送方向に沿ってデュアルマグネトロンカソード１９が設置されている。

透明フィルム基材３は巻き出しローラ１３により巻き出され、送りローラ１５を経て冷却ローラ１１の外周面に密着し、この状態で冷却ローラの回転に伴ってスパッタリング室９を通過して、巻き取りローラ１７に巻き取られる。透明フィルム基材３としては、後述するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフテレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂の他、シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等を用いることができる。

図２は、スパッタリング室９内のスパッタリング部分の詳細を示している。デュアルマグネトロンカソード１９はカソード構造体２１の上部にバッキングプレート２３を介してターゲット２５が取り付けられたものであり、カソード構造体２１の内部にはマグネット２７が内蔵されている。ターゲット２５は基材３の幅に対応した長さを有し、基材３の幅方向と平行になるように配置され、バッキングプレート２３はＭＦ電源に接続されている。

デュアルマグネトロンカソード１９は、これを覆うシールド２９によってターゲット２５の表面以外の場所での放電発生が抑制される。シールド２９の両側部には、アルゴンガス等のキャリアガス供給用のガス供給管３１が設けられており、下流側にはキャリアガス供給管３１と基材３の間に酸素ガス等の反応性ガス供給用の供給管３３が設けられている。キャリアガス供給管３１と反応性ガス供給管３３はターゲット２５の長さ全体にわたって配設され、基材３とターゲット２５の間に向かってガスを噴出する小孔が一定間隔で複数設けられている。また、反応性ガス供給管３３は中央部分と両端部分に分割されており、基材３の幅方向でガス導入量を調整可能となっている。

図３は基材３とターゲットの位置を示している。冷却ローラ１１の外周面に密着した基材３は、ターゲット２５の表面側を通過し、搬送される。
基材３とターゲット２５との距離は７０〜１２０ｍｍ、好ましくは８０〜１１０ｍｍである。距離がこの範囲より大きいと製膜速度の均一性が維持できなくなり、小さいと異常放電や膜質の悪化等が生じるおそれがある。次にこのスパッタリング装置を用いて、基材３の表面にＳｉＯｘ層を反応性スパッタリングの遷移モードで作製する方法について説明する。

［ＳｉＯｘ層の製膜］
基材３は冷却ローラ１１に密着して矢印Ａ方向に連続的に移送される。スパッタ製膜は、製膜室内に、アルゴン等のキャリアガスおよび酸素ガスを含む反応性ガスを導入しながら行う。

スパッタリング室の真空度は０．１〜１．０Ｐａ程度に調整される。キャリアガス及び反応性ガスの分圧は使用するガスの種類や目的とする無機薄膜の種類等によって適宜決定される。この状態で、所定の電圧を印加して基材３上に無機薄膜を形成する。製膜時のパワー密度は、透明フィルムに過剰な熱を与えず、かつ生産性を損なわない範囲で調整され得る。パワー密度の適正値は、平板型や円筒型などのカソードの形状や大きさに依存するが、平板型カソードの場合には、２Ｗ／ｃｍ^２〜１０Ｗ／ｃｍ^２程度が好ましい。
この方法で製膜されたＳｉＯｘ層は後述する透明積層体を構成する誘電体層（第一透明薄膜）として用いられる。

［スパッタリング］
スパッタリングは、反応性ガス導入下で金属ターゲットなどを用いて、所要の化合物薄膜を得るために用いられる手法である。反応性スパッタリングには、製膜速度や膜質の異なるいくつかの状態が存在するが、一般的には金属状態、化合物状態、遷移状態と呼ばれる三態がある。

「金属状態」は、使用するターゲット表面を化合物化するには不十分な量の反応性ガスしかチャンバ内に存在しない状態である。そのため、製膜速度は非常に速く、状態としても非常に安定であるが、製膜物はほとんど未化合状態で、金属的な膜が得られる。「化合物状態」は、使用するターゲット表面全体を化合物化させるのに十分な量の反応性ガスがチャンバ内に存在し、ターゲット表面が化合物化されている状態である。そのため、製膜速度は非常に遅いが、非常に安定した製膜の可能な状態であり、製膜物は十分に化合物化されている。「遷移状態」は、使用するターゲット表面が部分的に化合物化される程度の量の反応性ガスがチャンバ内に存在している状態であり、ターゲット表面が部分的に化合物化されているため、化合物状態と金属状態との中間的な、非常に不安定な状態である。そのため、製膜速度は比較的高く、十分に化合物化された膜質から不十分に化合物化された膜質まで、条件によって得ることが出来るが、状態としては非常に不安定といえる。

反応性スパッタリングは、例えば光学薄膜を得るために用いられ、酸化物薄膜を製膜する光学薄膜として機能する際には、膜厚や膜質の均一性が求められ、特に屈折率は無機薄膜付きフィルムの透過率やパターンの非視認性への影響が大きいため、基材の幅方向の均一性が強く求められる。

［透明積層体の構成］
本発明の無機薄膜付フィルムは、透明フィルム基材３上に、第一透明薄膜４１および第二透明薄膜４２を有する。第二透明薄膜４２はパターニングされていてもよい。第二薄膜４２がパターニングされている場合、透明積層体は、第一透明薄膜４１上に第二透明薄膜４２が形成されている第二透明薄膜形成領域５１と、第一透明薄膜４１上に第二透明薄膜が形成されていない第二透明薄膜非形成領域５２とを有する。

以下、透明導電性フィルム実施形態について、図面を参照しながら、説明する。
図４は、透明フィルム基材３上に、透明誘電体層４１、および透明電極層４２を有する透明導電性フィルム１００の模式断面図である。
＜透明フィルム基材＞
透明フィルム基材３は、少なくとも可視光領域で無色透明であるものが好ましい。透明フィルム基材の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリブチレンテレフテレート（ＰＢＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂やシクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等が挙げられる。透明フィルム基材３の厚みは特に限定されないが、１０μｍ〜４００μｍが好ましく、２５μｍ〜２００μｍがより好ましい。透明フィルム基材３の厚みが上記範囲であれば、耐久性と適度な柔軟性とを有し得る。そのため、透明フィルム基材上に、透明誘電体層４１および透明電極層４２を、巻取式スパッタリング製膜装置を用いたロール・トゥ・ロール方式により、生産性高く製膜することが可能である。透明フィルム基材３は、片面または両面にハードコート層等の機能性層（不図示）が形成されたものでもよい。

＜誘電体層（第一透明薄膜）＞
透明フィルム基材３上には、第一透明薄膜として、透明誘電体層４１が形成されている。透明誘電体層４１の材料としては、透明性、電気特性、生産性等の観点から、無機酸化物が好適に用いられる。酸化物としては、可視光領域で無色透明であり、抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるものが好ましい。例えば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｈｆ等の金属または半金属の酸化物が好ましく用いられる。透明誘電体層４１は１層からなるものでもよく、図４に示されるように２層以上からなるものでもよい。

例えば、透明誘電体層４１として、屈折率の異なる層を複数積層することによって、エッチングによって見えてしまうパターンの視認を抑制することができる。この場合、透明フィルム基材３の屈折率（一般に、１．４〜１．７程度）、および透明電極層４２の屈折率（一般に、１．８〜２．２程度）を考慮して、透明誘電体層４１の構成が決定されることが好ましい。例えば、図４に示すように、透明誘電体層４１が、透明フィルム基材３側から、中屈折率の第一誘電体層４１１（屈折率：ｎ_１）、高屈折率の第二誘電体層４１２（屈折率：ｎ_２）、低屈折率の第三誘電体層４１３（屈折率：ｎ_３）の３層の積層構成である場合、これら３層の屈折率は、ｎ_３＜ｎ_１＜ｎ_２の関係を満たすことが好ましい。透明電極層４２の屈折率ｎ_４は、第二誘電体層４１２の屈折率ｎ_２よりも小さく、第一誘電体層４１１の屈折率ｎ_１よりも大きいことが好ましい。すなわち、透明誘電体層４１が３層からなる場合、透明導電性フィルムを構成する薄膜の屈折率は、ｎ_３＜ｎ_１＜ｎ_４＜ｎ_２の関係を満たすことが好ましい。

＜透明電極層（第二透明薄膜）＞
透明誘電体層４１上には、第二透明薄膜として透明電極層４２が形成されている。透明電極層４２は導電体層であり、例えば導電性酸化物薄膜からなる。導電性酸化物としては、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化チタン等の金属酸化物、あるいはこれらの複合金属酸化物が好ましく用いられる。導電性を高める観点から、導電性酸化物としては、複合金属酸化物が好ましく、中でも酸化インジウムを主成分とするものが好適に用いられる。

透明電極層４２は、面内の一部がエッチング等により除去され、パターニングされている。そのため、透明導電性フィルム１００は、透明電極層４２が除去されずに残存している導電性部（第二透明薄膜形成領域）５１と、透明電極層が除去され、その下地層である透明誘電体層４１が露出している非導電性部（第二透明薄膜非形成領域）５２を有する。パターンは、用途等に応じて任意の形状に形成され得る。分離しているパターン５１ａ，５１ｂ，５１ｃのそれぞれは、分離され、互いに絶縁されていることが好ましい。

エッチングによりパターニングが行われる場合、透明電極層４２のみがエッチングされてもよく、透明電極層４２と共に透明誘電体層４１もエッチングされてもよい。透明誘電体層４１がエッチングされる場合は、透明フィルム基材３が露出しないように、透明誘電体層４１の厚み方向の一部のみがエッチングされることが好ましい。透明導電性フィルムの微小硬度と塑性変形率を所定範囲に調整する観点からは、透明電極層４２のみがパターニングされていることが好ましい。

導電性部５１における透明誘電体層４１と透明電極層４２の膜厚の合計は、６０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、７０ｎｍ〜９０ｎｍがより好ましい。透明誘電体層４１の膜厚は、２８ｎｍ〜８０ｎｍが好ましく、３５ｎｍ〜７０ｎｍがより好ましい。透明電極層４２の膜厚は、１０ｎｍ〜３２ｎｍが好ましく、１５ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましい。

各層の厚みが上述の範囲より小さいと、薄膜の硬度が小さくなり、強度が不足する場合がある。また、各層の厚みが上述の範囲より大きいと、薄膜の硬度が大きくなるためにパターン化の際に変形を生じたり、透明性が低下する傾向がある。透明誘電体層４１の厚みが上記範囲であれば、物理的強度を確保しつつ、歪に対する追従性を付与することができる。透明電極層４２の厚みが上記範囲であれば、低抵抗と高透明性とを両立することができる。透明電極層の厚みが過度に大きいと、導電性部５１の硬度が大きくなる傾向があり、これに伴って導電性部５１と非導電性部５２との硬度の差や塑性変形率の差が大きくなり、界面での残留応力によるシワ等の変形を生じる場合がある。

［無機薄膜付フィルム］
本発明の製造方法、製造装置で作製した無機薄膜付フィルムは、透明フィルム上にＳｉＯｘ層（１．５≦ｘ≦２．０）が積層されているが、この際の透明フィルムの幅は１．０〜１．７ｍであることが好ましい。また、無機薄膜付きフィルムの幅方向における屈折率は１．４４〜１．５０が好ましい。さらに、最大屈折率と最小屈折率の和に対する最大屈折率と最小屈折率の差として３％以内が好ましく、２％以内がより好ましく、１．５％以内が最も好ましい。

［他の透明積層体への適用］
以上、第一透明薄膜として誘電体層、第二透明薄膜として導電体層（透明電極層）を備える透明導電性フィルムの実施形態を中心に、本発明を説明した。なお、本発明は、薄膜の硬度および塑性変形率を所定範囲とすることによって、第二透明薄膜形成部５１と第二透明薄膜非形成部５２とのパターン視認を抑制することができる。そのため、第一透明薄膜および第二透明薄膜の導電性の有無に関わらず、第二透明薄膜の面内の一部がエッチング等により除去し、パターニング実施する場合、各種の透明積層体に適用可能である。

以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
デュアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により、製膜材料としてＳｉターゲットを用い、反応性ガスとして酸素ガスを用い、透明フィルム基材としてＰＥＴを用いた。反応性スパッタリングによって、幅１３３０ｍｍ幅のフィルム基材に対して幅１０００ｍｍでＳｉＯｘ層（ｘ≧１．５）を製膜した。

反応性スパッタリングの条件として、アルゴンをターゲット上流側から７５０ｓｃｃｍ、下流側から７５０ｓｃｃｍ導入し、ＭＦ電源の出力を１５ｋＷで放電を立て、カソード電圧が酸素未導入時の６３％になるように、酸素をターゲット下流側から導入した。フィルム幅方向の酸素導入比率は中央部分：両端部分が１００：５９となるようにした。また、この時の真空度は０．３４Ｐａであった。

［比較例１]
反応性スパッタの条件として、アルゴンをターゲット上流側から７５０ｓｃｃｍ、下流側から７５０ｓｃｃｍ導入し、ＭＦ電源の出力を１５ｋＷで放電を立て、ＭＦ電源の出力が酸素未導入時の８２％になるように、酸素をターゲット上流側、下流側から導入した。フィルム幅方向の酸素導入比率は、上流側おいて、中央部分：両端部分＝１００：５９になるようにし、下流側において、中央部分：両端部分＝９６：５８になるようにした。また、この時の真空度は０．３４Ｐａであった。

実施例、比較例で得られたＳｉＯｘ層の屈折率をエリプソメーターにて測定した。測定結果を表１および図５に示す。表１は透明フィルム基材の各幅方向位置の屈折率とその平均値、幅方向の屈折率の分布を示したものである。

表１および図５より基材幅方向における屈折率のバラツキが低減されていることがわかる。具体的には、屈折率が１０００ｍｍ幅の範囲において７．０％から１．１％に低減しており、より幅広範囲で膜質が均一化していることがわかる。

各種ガス導入方法を鋭意検討したが、比較例に対し、実施例に挙げた方法でのみ膜質の均一化を確認した。

本発明の無機薄膜付フィルムは種々の電子材料に用いることができるが、例えば、無機薄膜が電極である場合の透明電極付きフィルムは、ディスプレイや発光素子、光電変換素子等の透明電極として用いることができる。また、無機薄膜を透明電極とした場合は、パターンの非視認性が向上されていることから、静電容量方式タッチパネルの位置検出用の電極として、好ましく用いられる。

１ 隔壁
３ 透明フィルム基材
５ アンワインダー室
７ リワインダー室
９スパッタリング室
１１冷却ローラ
１３巻き出しローラ
１５送りローラ
１７巻き取りローラ
１９デュアルマグネトロンカソード
２１カソード構造体
２３バッキングプレート
２５ターゲット
２７マグネット
２９シールド
３１キャリアガス供給管
３３反応性ガス供給管

Claims (3)

1. 透明フィルム上にスパッタリングによってＳｉＯｘ層（１．５≦ｘ≦２．０）が積層された無機薄膜付フィルムの製造方法において、
   前記透明フィルムの搬送方向に上流側Ｓｉターゲット及び下流側Ｓｉターゲットを離間して設け、
   前記上流側Ｓｉターゲット及び下流側ＳｉターゲットをＭＦ電源に接続し、
   前記スパッタリング時のキャリアガスとしてのアルゴンガスは、前記上流側Ｓｉターゲットの上流端側から前記下流側Ｓｉターゲット側に向かって流すと共に、前記下流側Ｓｉターゲットの下流端側から前記上流側Ｓｉターゲット側に向かって供給し、
   前記スパッタリング時の反応性ガスとしての酸素ガスは、前記下流側Ｓｉターゲットの下流端側から前記上流側Ｓｉターゲット側に向かってのみ供給して行うことを特徴とする無機薄膜付フィルムの製造方法。
2. 前記酸素ガスの供給量は、前記透明フィルムの幅方向における中央部分が前記透明フィルムの幅方向における両端部分より５０〜９０％多い請求項１に記載の無機薄膜付フィルムの製造方法。
3. 透明フィルム上にスパッタリングによってＳｉＯｘ層（１．５≦ｘ≦２．０）が積層された無機薄膜付フィルムの製造装置において、
   前記透明フィルムの搬送方向に直交するように上流側Ｓｉターゲット及び下流側Ｓｉターゲットを離間して備え、
   前記上流側Ｓｉターゲット及び下流側Ｓｉターゲットに接続されたＭＦ電源を備え、
   前記上流側Ｓｉターゲットの上流端側に、複数のガス噴出口を有し該ガス噴出口が前記下流側Ｓｉターゲット側に向けられている上流側アルゴンガス供給管を備えると共に、前記下流側Ｓｉターゲットの下流端側に、複数のガス噴出口を有し該ガス噴出口が前記上流側Ｓｉターゲット側に向けられている下流側アルゴンガス供給管を備え、
   前記下流側Ｓｉターゲットの下流端側に、複数のガス噴出口を有し該ガス噴出口が前記上流側Ｓｉターゲット側に向けられている酸素ガス供給管を備えたことを特徴とする無機薄膜付フィルムの製造装置。
   

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