JP6021276B2 - クライオ吸着パネル及びその製造方法、並びにそれを用いた真空装置 - Google Patents

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Description

本発明は、極低温の固体表面に気体分子が凝縮または吸着する性質を利用して真空容器内の気体を排気する吸着型のクライオ排気ポンプに使用されるクライオ吸着パネル及びその製造方法、並びにそれを用いた真空装置に関する。
従来、LSIや超LSIを製造する半導体製造装置や加速器及び核融合装置等の高真空を必要とする装置においては、オイルレスの清浄な真空を形成するために真空ポンプとしてクライオ排気ポンプが用いられている。クライオ排気ポンプは、真空容器にゲートバルブを介して連結され、真空容器内のガスを極低温面に吸着凝縮させて真空を作る。
図1には従来の冷凍機ユニット130を用いたクライオ排気ポンプ100を記載する。クライオ排気ポンプ100は、冷凍機ユニット130と、この冷凍機ユニット130にHeガス管入口(IN)及び出口(OUT)を介して接続されたヘリウム圧縮機(図示せず)とを具備している。冷凍機ユニットの低温部分は、ポンプケース101に挿入されている。さらに、ポンプケース101は、図示しない真空装置に接続されて使用される。
冷凍機ユニット130は、第1段冷却ステージ110と第2段冷却ステージ120とを有している。第1段冷却ステージ110は冷凍能力が大きく80K以下に冷却することができ、第2段冷却ステージ120は冷凍能力が小さいが10〜12Kに冷却することができる。
クライオ排気パネルとしては、第1の15Kクライオパネル(クライオ凝縮パネル122)と第2の15Kクライオパネル(クライオ吸着パネル124)があり、クライオ凝縮パネル122とクライオ吸着パネル124は冷凍機の2段ステージに取り付けられており、冷凍能力の大きい1段ステージに取り付けられた80Kシールド103と80Kバッフル板112により、室温の放射(輻射)熱から保護されている。
水蒸気(HO)は、クライオ面の温度が130K以下であれば蒸気圧は10−8Pa以下になるため、80K以下に冷却された80Kシールド103と80Kバッフル板112に凝縮し排気されることになる。窒素(N)、酸素(O)、アルゴン(Ar)等の気体は、80Kでは蒸気圧が高いためここには凝縮せず、20K以下の第1のクライオ凝縮パネル122の外表面に凝縮し排気される。
ヘリウム(He)、水素(H)、ネオン(Ne)等のさらに蒸気圧の高い気体は、10〜20Kレベルの温度では凝縮しないため、クライオ吸着パネル124に取り付けられた吸着材によって吸着され排気される。吸着材が取り付けられているクライオ吸着パネル124は、凝縮性の気体により吸着材の表面が覆われるのを防止するため、凝縮性の気体の入りにくいクライオ凝縮パネル122の内側に取り付けられている。吸着材としては通常、活性炭が貼付されている。
80Kシールド103、80Kバッフル板112、クライオ凝縮パネル122の外表面は鏡面仕上げとなっており、室温からの輻射熱を反射するようになっている。80Kシールド103は通常、内面黒化処理されており、室温の輻射が80Kシールド103の内面で反射してクライオ凝縮パネル122に入射するのを防ぐ。クライオ排気ポンプが正常に作動するためには、80Kシールド103、80Kバッフル板112の温度が130K以下、クライオ凝縮パネル122,クライオ吸着パネル124の温度が20K以下であることが必要である。
これらの温度が確認できるように80KシールドにはCA熱電対105が、クライオ吸着パネルには水素蒸気圧温度計やクライオ熱電対温度計(MB型)106が取り付けられており、温度が確認できるようになっている。
油拡散ポンプやターボ分子ポンプは排気した気体を圧縮してポンプの外に放出するが、クライオ排気ポンプはクライオパネルに凝縮と吸着により貯め込んでいるため、定期的に気体を放出し、再生しなければならない。
再生はクライオ排気ポンプを室温まで昇温させることにより、凝縮または吸着しているガスを気体に戻すことにより行われる。貯め込まれた気体の量が多くクライオ排気ポンプが密閉状態の場合には、再生の際にクライオ排気ポンプ内部が高圧ガスとなる恐れがあるため、クライオ排気ポンプには安全弁107が取り付けられている。
以上で説明した吸着型のクライオ排気ポンプは、極低温の固体表面に気体分子が凝縮及び吸着する性質を利用して真空容器内の気体を排気する装置である。従来の方式では、活性炭を代表とする吸着材を主に銅製の冷却基板であるクライオ吸着パネル124上に貼り付け、その貼り付ける方法は、エポキシ系の有機接着材を用いて貼り付ける「有機接着方式」と、活性ろう材による「ろう付け」を用いてクライオ吸着パネル上に貼り付ける「無機接着方式」(たとえば特許文献1を参照)とがある。
特開平07−189906号公報
有機接着方式で製作されたクライオ吸着パネルは、運転停止中(非冷却中)に、有機接着剤から有機ガスが放出され、真空容器を汚損するため、特に半導体製造装置、核融合装置などの超高真空を必要とする装置には使用することができない。また長期間真空排気を維持・継続する装置に対して従来型のクライオポンプを、ゲートバルブを介さず、直接容器内に内蔵しようとしても、定期的に有機接着剤からの汚損物を除去する必要が生じるため、結局真空容器ごと大気開放せざるを得なくなり、成立しない。また、極低温と常温のヒートサイクルにより、有機接着材が劣化し、吸着材が脱落するという問題もあった。さらに有機接着剤は、放射線による著しい劣化が問題となるため中性子線をはじめとする放射線環境下で稼動する装置では使用することができない。
また図2には有機接着方式の場合のクライオ吸着パネル200を示す。冷却基板205に塗布された有機接着材203上に吸着材201を押さえつけて貼り付けるのであるが、吸着材201と有機接着材203との濡れ性が悪かったり、吸着材201が浮いてきてしまったり、もしくは沈んでしまって吸着材表面の露出部分が減少してしまったりして貼付状態が不均一になってしまう。その結果、吸着材201が脱落しやすくなったり、吸着材表面の露出部分の低下による有効吸着面積の減少、または不均一な貼付状態によって単位面積当たりの吸着材201の貼付量が少なくなってしまい吸着性能が落ちてしまう問題があった。
一方,無機接着方式で製作されたクライオ吸着パネルは、吸着材と純銅製の冷却基板であるクライオ吸着パネル200を接着させるために真空熱雰囲気で700〜800℃まで加熱する必要がある。この際、熱伝導度の高い純銅製冷却基板は、およそ600℃で再結晶組織に変化するため、冷間圧延によって導入された加工歪が完全に消滅してしまい、著しい降伏強度の低下を引き起こすことが知られている。この降伏強度の低下は、場合によっては50MPa以下にまで達する恐れが十分に考えられる。このような場合、自重による変形が生じ、クライオ吸着パネルの構造自体を維持できなくなる。
さらに、十分な接着強度を得るには、吸着材の多孔質構造にろう材が良く馴染み,侵入する必要があるが,吸着材とろう材の接触だけではろう材の十分な侵入を得ることは困難であり,結果として濡れ性の低下を招き、吸着材の剥離が発生する。この打開策としては,吸着材をろう材に深く埋め込み,接着強度を確保するか、あるいは,吸着材にフラックスを塗布することで濡れ性を改善させる等の方法が挙げられる。しかしながら,前者の場合には吸着材の有効吸着面積の減少が生じ,後者の場合にはフラックスからの望まれないガス放出を招くなど,種々の問題が明らかになっている。
かくして、本発明の一態様に係わるクライオ吸着パネルは、冷却基板と、前記冷却基板に接着される吸着材とを具備し、前記吸着材は、前記冷却基板との接着部分に予め金属膜層を堆積させ、低融点金属を介して前記冷却基板に接着されることを特徴とする。
前記金属膜層は、好ましくは、Ti、Cr又はTiCからなる密着層、Ni、Ni−Cr、TiW、Ta、TaN、TiN又はMoWからなるバリア層、及び、Cu、Ag又はAuからなる濡れ層の積層膜である。
前記低融点金属は、好ましくは、インジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、ビスマス、鉛、インジウム合金、スズ合金、ウッドメタル、ガリンスタン、ローズ合金のいずれかから選択される。
本発明の一態様に係わる冷却された状態でガスを吸着するクライオ吸着パネルの製造方法は、ガスを吸着する吸着材の少なくとも一部に金属膜層を形成する工程と、前記クライオ吸着パネルの冷却基板上で低融点金属を加熱して溶融させる工程と、前記溶融された低融点金属上に前記吸着材の前記金属膜層が形成された部分を接合させる工程と、前記低融点金属から除熱して前記吸着材と前記冷却基板とを接着させる工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の他の態様に係わる冷却された状態でガスを吸着するクライオ吸着パネルの製造方法は、ガスを吸着する吸着材を配列させるように構成された配列治具と、前記配列治具に組み合わせられ前記吸着材を支持できるように構成されたサポートフレームとを組み合わせる工程と、前記配列治具に前記吸着材を配列する工程と、前記吸着材を前記サポートフレームで支持した状態で前記配列治具を取り外す工程と、前記サポートフレームと、前記サポートフレームに支持された前記吸着材とを上下から固定治具で挟むことによって固定する工程と、前記サポートフレーム及び前記吸着材を固定した前記固定治具を前記吸着材の露出された部分をスパッタリングのターゲットに対向する位置になるようにスパッタリング装置内に取り付ける工程と、前記固定された吸着材の露出した部分に前記スパッタリング装置によって金属膜層を形成する工程と、前記スパッタリング装置から前記固定治具を取り外す工程と、ヒーター上に低融点金属を配して前記ヒーターを加熱することによって低融点金属を溶融する工程と、前記固定治具の前記吸着材の金属膜層を形成された部分と前記サポートフレームとを前記ヒーターよって溶融された低融点金属に浸し、その後、除熱することによって前記サポートフレームと前記吸着材とを接着させる工程と、前記固定治具を取り外す工程と、前記サポートフレームに前記配列治具を再度組み合わせる工程と、クライオ吸着パネルの冷却基板上で低融点金属を加熱して溶融させる工程と、前記冷却基板の前記溶融された低融点金属上に前記サポートフレームと前記配列治具とを接合させる工程と、前記低融点金属から除熱して前記サポートフレームと前記配列治具とを前記冷却基板に接着させる工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の一態様に係わる真空装置は、上記されたクライオ吸着パネルを具備するクライオ排気ポンプを、ゲートバルブを介さずに直接接続されることを特徴とする。
本発明によれば、冷却基板に対して強固な接着性をもって吸着材が貼付されたクライオ吸着パネルを提供することができ、それにより良好な排気速度を維持したまま吸着材の脱落もなく長期にわたってメンテナンスフリーを実現するクライオ排気ポンプを実現することができる。また、そのようなクライオ排気ポンプをゲートバルブを介さずに直接真空容器に内蔵することにより、大排気速度を有しかつ、コンパクトな真空装置を実現することもできる。
一般的なクライオ排気ポンプを示す図である。 従来の有機接着方式の場合のクライオ吸着パネルを示す図である。 本発明のクライオ吸着パネルの吸着材の概略図である。 本発明のクライオ吸着パネルの吸着材及び冷却基板の概略図である。 本発明のクライオ吸着パネルの吸着材及び冷却基板の概略図である。 本発明のクライオ吸着パネルの概略図である。 本発明のクライオ吸着パネルの概略図である。 本発明のクライオ吸着パネルを製造する際に使用される配列冶具及びサポートフレームを示す図である。 配列冶具に載置された吸着材をサポートフレームに配列した図である。 サポートフレームに配列された吸着材を固定治具によって固定される状態を示す図である。 サポートフレームに配列された吸着材の下部からスパッタリングにより金属膜層を形成する図である。 サポートフレーム及びサポートフレームに配列された吸着材にインジウムを付着させる図である。 インジウムを介して吸着材とサポートフレームが接着される図である。 本発明のクライオ吸着パネルの概略図である。 本発明と従来の有機接着方式との排気速度の性能比較を示す図である。
第1の実施形態
図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図3は、本発明のクライオ吸着パネルに使用される吸着剤の実施の形態の概略図である。吸着材301は所定の形状に成形されたものであり、ここではペレット状であって、特に円柱状に成形された活性炭、若しくはモレキュラーシーブが該当する。吸着材301は、冷却基板との接着部分(図面では吸着材301の下方の一部)となる部位に予め金属膜層305を形成される。
前記金属膜層305の膜厚は、0.01〜5μmとすることが好ましい。膜厚は薄すぎると吸着材301の多孔質組織により金属成膜の効果が低減する。膜厚の上限は特に設けないが、一般に成膜処理における膜厚は時間に比例し、生産コストに影響するため好ましくない。なお膜厚を5μm以上に成膜しても密着性は大きく向上しない。
ここで本発明者らは、吸着材301に金属膜層305を成膜する方法として、真空蒸着、イオンプレーティング、プラズマ溶射、およびスパッタリングといった、所謂物理蒸着(PVD)法のなかでも、スパッタリングが多孔質構造への成膜に最適であることを見出した。すなわち、スパッタリングで堆積される原子レベルの膜粒子と、吸着材の多孔質ナノ構造とが強固にかみ合い、強力なアンカー効果を生み出すため、より密着度の高い成膜が可能となる。また前記金属膜層305は、吸着材301と密着性の良いTi、Cr、TiCなどの金属で形成される密着層307、およびインジウムまたはインジウム合金層401との濡れ性が良いCu、Ag、Auなどの金属で形成される濡れ層309とで構成されるのが好ましい。
密着層307をTi系の膜、特にTi膜とすることによって吸着材301と非常に高い密着性を得ることができる。Ti膜はそれ自体の反応性が強く、他の元素と非常に強く結びつき安定化する。例えば吸着材301が活性炭であった場合には、活性炭のカーボンと、スパッタされたTiとが反応し界面ではTiC層が形成され、それによって非常に強固な密着層を形成することができる。また吸着材301がモレキュラーシーブの場合、モレキュラーシーブ自体は合成ゼオライトから形成されており、合成ゼオライトに含まれるAl、Si、酸素とスパッタされたTiとが界面で反応し、アルミチタン合金、チタンシリサイド(TiSi)、酸化チタン(TiO)等となって強固な密着層を形成すると考えられる。
また、特にインジウムまたはインジウム合金層401が、吸着材301の表面、つまり密着層307にまで拡散・浸透すると、固着性能が著しく低下するため、密着層307と濡れ層309との間にNi、Ni−Cr、TiW、Ta、TaN、TiN又はMoWなどの金属で形成されるバリア層308を設けることがさらに好ましい(図3)。上記のようにして形成された金属膜層305は、吸着材の多孔質組織に対して微細で付着力の強い緻密な膜となる。
また、本発明における前記吸着材301の貼り付け方法は、ヒーター等の加温器上に前記冷却基板403を乗せて、130〜250℃に加温し、インジウムを主体とした低融点金属を冷却基板403上に薄く塗り拡げる。低融点金属には、低融点金属合金を含み、例えばインジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、ビスマス、鉛、スズ合金のハンダ、ウッドメタル、ガリンスタン、ローズ合金等が該当し、これらの中から選択することができる。
図4には、例えば円柱状もしくは球状に成型された吸着材301と吸着材301の形状を受けるように溝加工を施した冷却基板403を用いて、この冷却基板403をヒーター等の加温器上に乗せて130〜250℃に加温し、溝加工部分にインジウム合金層401を塗布する。塗布されたインジウム合金層上に、金属膜層305がインジウム合金層401と接合するように吸着材301を乗せ、その後、ヒーター等の加温器の温度を下げ、すなわちインジウム合金層401から熱を取り除き(除熱し)固化させて、本発明による貼り付けを行うものである。こうすることで吸着材301と冷却基板403のインジウム合金層401の厚さが均一かつ薄くなるため、より強固な固着力が生じる。また、吸着材301と冷却基板403との間の接触熱抵抗が小さくなり吸着材301の冷却性が上がるため、吸着排気性能が向上する。
第2の実施の形態
図5では、溝加工部分だけではなく冷却基板403の全面にインジウム合金層401を塗布して接着する場合であるが、この際、例えば超音波ウェルダーを用いてインジウム合金層401を塗り込むと万遍なく容易に塗り拡げられる。次いで加熱温度を維持しつつ、吸着材301の金属膜層305を冷却基板403のインジウム合金層401に接合するように乗せ、その後、温度を下げることによってインジウム合金層401が固化し、吸着材301と冷却基板403を無機的に接着することができる。
なお、上記加温中はインジウム合金層401が溶融しているため、吸着材301をそのまま冷却基板403上に乗せるとインジウム合金層401から浮いてしまう可能性があるのでそれを防ぐために、吸着材301の上におもり等を載せるのが好ましい。
このようにして製作した試験パネルに対して、液体窒素(約−190℃)に10分間浸漬した後、取り出し、ヒートガンで強制加熱乾燥(約80℃)する操作を10回繰り返したが、活性炭は脱落等することは無かった。また触診しても活性炭が脱落することは無かった。また無理に剥がそうとすると、接着面ではなく活性炭自体が砕けてしまい、強固な接着面が実現できていることが分かった。
第3の実施の形態
図6は、クライオ吸着パネル400の両面に吸着材301を貼付した実施の形態を示す。中心にはクライオ冷媒配管502が通っており、このクライオ冷媒配管502内には冷媒504が通されて冷却される。クライオ冷媒配管502に接続された冷却基板403は、その両面に吸着材301を載置するための溝加工が予め施されている。まず一方の片面については、上記の方法にて吸着材301をインジウムを使用して貼付させる。他方の片面については、インジウムが溶ける温度まで温度を上昇させてしまうと先に貼付した吸着材301が剥がれ落ちてしまうため、他方の片面に対してはより融点が低いインジウム合金、例えばインジウムとAgとの合金を使用してより低温の方法にて吸着材301を貼付させる。このようにクライオ吸着パネル400の両面に吸着材301を貼付することにより、より高い吸着排気性能を得ることができる。
以上のようにインジウムまたはインジウム合金層等の低融点金属を用いることで、純銅製冷却基板の降伏強度の著しい低下を引き起こすことはなく機械的強度を保つことができる。またフラックス等を使用しない為、真空容器を汚損する恐れも無い。
以上で説明した吸着材の貼付方法によるクライオ吸着パネルは十分な固着力を有し、かつ熱応力等で吸着材が剥がれ落ちるリスクが少ないというメリットがあるものの、大きな面積にスパッタ成膜処理を施した吸着材を一粒ずつ貼り付けるのは非常に手間がかかり、製作コストが増大する。この問題に対し、以下で示すように、予め溝加工を施した銅製の配列冶具に吸着材を配列させておき、スパッタ成膜処理と基板への貼付を一体で行うことを可能とした。
第4の実施の形態
図7には配列冶具406およびサポートフレーム404を用いて製造したクライオ吸着パネル400を示す。銅製の冷却基板403には上記で説明したような吸着材301に合わせた溝加工等を施す必要はない。配列冶具406、サポートフレーム404および吸着材301はインジウム合金層401を介して接続されており、吸着材301とインジウム合金層401との間は上記で説明した金属膜層305によって強固に接続されている。
配列冶具406およびサポートフレーム404を吸着材301の載置治具として使用し、配列冶具406およびサポートフレーム404を冷却基板403と接着させることによってクライオ吸着パネル400を製造するものである。このクライオ吸着パネル400の製造方法について図8A〜図12を用いて説明する。
まず図8Aには、配列冶具406およびサポートフレーム404を示す。配列冶具406は、例えば吸着材301が直径(φ)のペレット状であった場合には、その吸着材301を受けて載置するために直径に合うように溝(φ)加工を施した銅板を櫛型にカットしたものである。吸着材301の大きさは様々なものが使用でき、例えば直径2〜7mmの大きさの吸着材301が使用される。配列冶具406がはめ込めるように同様に櫛形に加工されたサポートフレーム404を作成する。図8Aは、サポートフレーム404に配列冶具406がはめ込まれていく状態を示したものである。
図8Bは、サポートフレーム404に配列冶具406がはめ込まれ、その配列冶具406の上部に吸着材301を載置した状態を横から見た図である。サポートフレーム404の上部角部分も配列冶具406の溝(φ4)加工に合わせて吸着材301を支持できるように削られていることが分かる。このようにサポートフレーム404及び配列冶具406を用いることによって吸着材301が連続して配列されることができる。
図9は、次工程のスパッタリングのために、サポートフレーム404に吸着材301を残したままで配列冶具406を取り除き、吸着材301がずれないようにサポートフレーム404と共に挟み込むように上下から固定治具505によって吸着材301を押さえつける。ここで吸着材301が対角線を境に半分しか載置されていないように見えるが、これはサポートフレーム404との位置関係を明確にするために吸着材301を記載していないだけであり、実際には全面にわたって吸着材301が載置されている。
固定治具505は例えばステンレス等の材料で作成され、上下の固定治具505は互いにねじ留めされる。このねじ留めされた固定治具505をスパッタリング装置内に取り付ける。図10には、固定治具505によって挟み込まれ固定されたサポートフレーム404及び吸着材301の状態を示す。図10から分かるように、先に配列冶具406が取り除かれているため吸着材301の図面から見た下部部分が露出されており、この下部部分をスパッタターゲットと対向する位置に配置するように固定治具505を調整して取り付けてスパッタ成膜処理を施す。例えば、Ti膜、Ni膜及びAg膜を真空中で連続して、若しくは大気開放してターゲットを交換して一連のスパッタ成膜処理することによって3層が積層された金属膜層305が形成される。
図11に示すように、固定治具505を取り付けた状態でサポートフレーム404及び吸着材301を、下面をヒーター509で加温しながら溶かしたインジウム401に浸す。インジウムの厚さtは、例えば1〜3mm程度とする。これにより吸着材301の下面およびサポートフレーム404にインジウムを付着させることができる。インジウムを付着させた状態を図12に示す。インジウムを介して吸着材301とサポートフレーム404が接着されており、固定冶具505を解体して取り外しても吸着材301が外れることなくサポートフレーム404に接着される。
サポートフレーム404及び接着された吸着材301に配列冶具406を再度組み合わせものを冷却基板403上にインジウム若しくはインジウム合金等を介して載置して加熱接着させる。接着された吸着材301,サポートフレーム404、配列冶具406及び冷却基板403が組み合わされて接続された状態を図13に示す。ここで吸着材301が対角線を境に半分しか載置されていないように見えるが、これはサポートフレーム404、配列冶具406との位置関係を明確にするために吸着材301を記載していないだけであり、実際には全面にわたって吸着材301が載置され接着されている。
吸着材301、サポートフレーム404及び配列冶具406を相互に接続させているインジウム401についても吸着材301、サポートフレーム404及び配列冶具406の位置関係を明確にするために記載していない。このような方法で製造されたクライオ吸着パネル400を横から見た図が図7である。
第5の実施の形態
本発明に係るインジウム接着方式と従来方式である有機接着方式の排気性能を比較した。比較の為、両者とも同じ面積を有する冷却基板に同じ活性炭(クラレケミカル株式会社製 クラレコール(登録商標)4GS)を貼り付けた。上で記載しているように有機接着方式の場合にインジウム接着方式と同数の活性炭を均一に貼付することは非常に困難であったが、同等に並べることができたので比較実験を行うことができた。試験方法は試験用真空容器に冷凍機(RDK−408D)を設置し、排気パネルを第2段冷却ステージに取り付けて冷却する。その後、マスフローコントローラで一定流量(SCCM=Pa・m/s)のHガスを真空容器内に導入し、真空計にて容器内の真空度(Pa)を測定することにより、排気速度S(m/s)を求めた。図14にインジウム接着と有機接着とにより製作したクライオパネルの排気速度を示す。両者とも圧力依存性がなく、ほぼ同等の排気性能を有している。
この結果より、従来と同等の排気性能を維持したまま吸着材の脱落もなく長期にわたってメンテナンスフリーを実現するクライオ排気ポンプを実現することができる。従って、度々メンテナンスするためにゲートバルブを介して接続せざるを得なかった従来のクライオ排気ポンプに比べ、本願のクライオ排気ポンプを使用した場合には、長期にわたってメンテナンスフリーを実現するものであって、ゲートバルブを介さずに直接接続される真空装置を実現することができる。
本発明は上記のようにして構成されるため、吸着材のスパッタ成膜面と冷却基板を強力な固着力を有する無機接着を提供することを可能とし、吸着材は多少の熱衝撃に対しても剥離する恐れがなく、かつ、有機接着剤やフラックスからの望まれないガス放出により、真空容器を汚損する恐れもない。
本発明にしたがって、金属膜層を形成させた吸着材を、インジウム等の低融点金属を接着材として無機的に接着することで、吸着材をろう材に深く埋め込むまでもなく、十分な接着強度が発生する。そのため、吸着材の露出面積を大きく確保することができ、その結果、吸着排気能力の高いクライオ吸着パネルとなる。また本発明では、濡れ性を改善するためのフラックスが必要ないため、真空容器内を汚損するガス放出の恐れがなく、真空容器内を清浄に保つことが可能となる。
さらに、インジウム等の低融点金属を用いることで、吸着材と冷却基板とを130〜250℃の温度域で接着可能となるため、純銅製の冷却基板は、冷間圧延によって導入された加工歪が消滅することがなく、著しい降伏強度の低下を引き起こすことはない。そのため、クライオ吸着パネルの自重による変形を防ぐのはもちろんのこと、高圧のガスヘリウム等の冷媒を冷却基板内に直接導通して冷却する、直接冷却方式も採用することが可能となる。よって、本発明にしたがって製作されたクライオ吸着パネルは、高い冷却能力を得て、吸着排気性能が向上する。
また、以上で説明したように本発明によって、冷却基板に対して強固な接着性をもって吸着材が貼付されたクライオ吸着パネルを提供することができ、それにより良好な排気速度を維持したまま吸着材の脱落もなく長期にわたってメンテナンスフリーを実現するクライオ排気ポンプを実現することができる。また、そのようなクライオ排気ポンプをゲートバルブを介さずに直接真空容器に内蔵することにより、大排気速度を有しかつ、コンパクトな真空装置を実現することもできる。
100…クライオ排気ポンプ、101…ポンプケース、103…80Kシールド、105…CA熱電対、106…水素蒸気圧温度計、107…安全弁、110…第1段冷却ステージ、112…80Kバッフル板、120…第2段冷却ステージ、122…クライオ凝縮パネル、124…クライオ吸着パネル、130…冷凍機ユニット、200…クライオ吸着パネル、吸着材…201、有機接着材…203、冷却基板…205、301…吸着材、305…金属膜層、307…密着層、308…バリア層、309…濡れ層、400…クライオ吸着パネル、401…インジウム、インジウム合金層、403…冷却基板、404…サポートフレーム、406…配列冶具、502…クライオ冷媒配管、504…冷媒、505…固定治具、509…ヒーター

Claims (6)

  1. 冷却された状態でガスを吸着するクライオ吸着パネルであって、
    前記クライオ吸着パネルは、冷却基板と、前記冷却基板に接着される吸着材とを具備し、
    前記吸着材は、前記冷却基板との接着部分に金属膜層を備えており前記金属膜層を備えた前記吸着材は、低融点金属を介して前記冷却基板に接着されていることを特徴とするクライオ吸着パネル。
  2. 前記金属膜層は、Ti、Cr又はTiCからなる密着層、Ni、Ni−Cr、TiW、Ta、TaN、TiN又はMoWからなるバリア層、及び、Cu、Ag又はAuからなる濡れ層の積層膜であることを特徴とする請求項1に記載のクライオ吸着パネル。
  3. 前記低融点金属は、インジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、ビスマス、鉛、インジウム合金、スズ合金、ウッドメタル、ガリンスタン、ローズ合金のいずれかから選択されることを特徴とする請求項1又は2に記載のクライオ吸着パネル。
  4. 冷却された状態でガスを吸着するクライオ吸着パネルの製造方法であって、
    ガスを吸着する吸着材の少なくとも一部に金属膜層を形成する工程と、
    前記クライオ吸着パネルの冷却基板上で低融点金属を加熱して溶融させる工程と、
    前記溶融された低融点金属上に前記吸着材の前記金属膜層が形成された部分を接合させる工程と、
    前記低融点金属から除熱して前記吸着材と前記冷却基板とを接着させる工程と、を具備することを特徴とするクライオ吸着パネルの製造方法。
  5. 冷却された状態でガスを吸着するクライオ吸着パネルの製造方法であって、
    ガスを吸着する吸着材を配列させるように構成された配列治具と、前記配列治具に組み合わせられ前記吸着材を支持できるように構成されたサポートフレームとを組み合わせる工程と、
    前記配列治具に前記吸着材を配列する工程と、
    前記吸着材を前記サポートフレームで支持した状態で前記配列治具を取り外す工程と、
    前記サポートフレームと、前記サポートフレームに支持された前記吸着材とを上下から固定治具で挟むことによって固定する工程と、
    前記サポートフレーム及び前記吸着材を固定した前記固定治具を前記吸着材の露出された部分をスパッタリングのターゲットに対向する位置になるようにスパッタリング装置内に取り付ける工程と、
    前記固定された吸着材の露出した部分に前記スパッタリング装置によって金属膜層を形成する工程と、
    前記スパッタリング装置から前記固定治具を取り外す工程と、
    ヒーター上に低融点金属を配して前記ヒーターを加熱することによって前記低融点金属を溶融する工程と、
    前記固定治具の前記吸着材の金属膜層を形成された部分と前記サポートフレームとを前記ヒーターよって前記溶融された低融点金属に浸し、その後除熱することによって前記サポートフレームと前記吸着材とを接着させる工程と、
    前記固定治具を取り外す工程と、
    前記サポートフレームに前記配列治具を再度組み合わせる工程と、
    前記クライオ吸着パネルの冷却基板上で低融点金属を加熱して溶融させる工程と、
    前記冷却基板の前記溶融された低融点金属上に前記サポートフレームと前記配列治具とを接合させる工程と、
    前記低融点金属から除熱して前記サポートフレームと前記配列治具とを前記冷却基板に接着させる工程と、を具備することを特徴とするクライオ吸着パネルの製造方法。
  6. 請求項1〜3のいずれか1項に記載されたクライオ吸着パネルを具備するクライオ排気ポンプをゲートバルブを介さずに直接接続されることを特徴とする真空装置。
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