JP6015517B2 - Temperature sensor - Google Patents
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Description
本発明は、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度を測定することに好適な温度センサに関する。 The present invention relates to a temperature sensor suitable for measuring the temperature of a heating roller such as a copying machine or a printer.
一般に、複写機やプリンタに使用されている加熱ローラには、その温度を測定するために温度センサが接触状態に設置されている。このような温度センサとしては、例えば特許文献１及び２に、一対のリードフレームと、これらのリードフレームの間に配設され接続された感熱素子と、一対のリードフレームの端部に形成された保持部と、リードフレーム及び感熱素子の片面に設けられ加熱ローラに接触させる薄膜シートとを有する温度センサが提案されている。 Generally, a heating sensor used in a copying machine or a printer is provided with a temperature sensor in contact with the heating roller in order to measure its temperature. As such a temperature sensor, for example, in Patent Documents 1 and 2, a pair of lead frames, a thermal element disposed and connected between the lead frames, and an end portion of the pair of lead frames are formed. There has been proposed a temperature sensor having a holding portion and a thin film sheet that is provided on one surface of a lead frame and a thermal element and is brought into contact with a heating roller.
このような温度センサは、加熱ローラの表面にリードフレームの弾性力を利用して接触され、温度検知するものである。
なお、上記特許文献１には、感熱素子として ビードサーミスタやチップサーミスタが採用されていると共に、特許文献２には、感熱素子として、アルミナ等の絶縁基板の一面に感熱膜が形成された薄膜サーミスタが採用されている。この薄膜サーミスタは、絶縁基板の一面に形成された感熱膜と、該感熱膜と一対のリードフレームとを接続する一対のリード部と、感熱膜を覆う保護膜とで構成されている。
Such a temperature sensor is brought into contact with the surface of the heating roller using the elastic force of the lead frame to detect the temperature.
In Patent Document 1, a bead thermistor or a chip thermistor is employed as the thermal element, and in Patent Document 2, a thin film thermistor in which a thermal film is formed on one surface of an insulating substrate such as alumina as the thermal element. Is adopted. This thin film thermistor includes a heat sensitive film formed on one surface of an insulating substrate, a pair of lead portions connecting the heat sensitive film and a pair of lead frames, and a protective film covering the heat sensitive film.
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献１に記載の技術では、感熱素子としてビードサーミスタ等を使用しているが、この場合、約１ｍｍ程度の球状或いは楕円状であるために、加熱ローラに点接触するために、正確な温度検知が難しい。また、感熱素子に比較的大きな体積があるため、応答性が悪いという不都合があった。さらに、点接触であるために、回転するローラ表面に傷を付けてしまうおそれもあった。
また、特許文献２に記載の技術では、感熱素子として薄膜サーミスタを使用しているので、加熱ローラには面接触することができるが、薄膜サーミスタを構成する絶縁基板やリード部を含めると、やはり体積があるために、応答性が悪いという問題があった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, in the technique described in Patent Document 1, a bead thermistor or the like is used as a thermal element. In this case, since it is a spherical or elliptical shape of about 1 mm, it is accurate to make point contact with the heating roller. Temperature detection is difficult. Further, since the heat sensitive element has a relatively large volume, there is a disadvantage that the responsiveness is poor. Furthermore, because of the point contact, the rotating roller surface may be damaged.
Further, in the technique described in Patent Document 2, since a thin film thermistor is used as a thermal element, the heating roller can be brought into surface contact, but if an insulating substrate and a lead portion constituting the thin film thermistor are included, it is still Due to the volume, there was a problem of poor responsiveness.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、加熱ローラ等に接触させて温度を検出する際に、高精度で応答性に優れた温度検出が可能な温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a temperature sensor capable of detecting temperature with high accuracy and excellent responsiveness when detecting temperature by contacting a heating roller or the like. And
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、一対のリードフレームと、前記一対のリードフレームに接続されたセンサ部と、前記一対のリードフレームに固定されて前記リードフレームを保持する絶縁性の保持部と、前記保持部に基端側が固定され前記一対のリードフレームの内側で前記リードフレームに平行に延在した一対の支持用フレームとを備え、前記センサ部が、帯状の絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの表面の中央部にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一端が前記一対の櫛型電極に接続されていると共に他端が前記絶縁性フィルムの両端部で前記一対のリードフレームに接触して接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、前記絶縁性フィルムが、前記一対の支持用フレームの下面間を介して前記一対のリードフレームの上面間に架け渡され、前記一対のリードフレームの先端部が、基端側に折り返されて前記絶縁性フィルムの両端部上に重ねられ、前記一対のリードフレームの先端部と基端側とが前記絶縁性フィルムの両端部を挟んでかしめられ、前記一対の支持用フレームの先端側が、前記薄膜サーミスタ部を間に配して延在していることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the temperature sensor according to the first aspect of the present invention includes a pair of lead frames, a sensor unit connected to the pair of lead frames, and an insulating retainer that is fixed to the pair of lead frames and retains the lead frame. And a pair of support frames that are fixed to the holding portion on the base end side and extend in parallel to the lead frame inside the pair of lead frames, and the sensor unit is a strip-shaped insulating film; A pair of thin film thermistors patterned with a thermistor material at the center of the surface of the insulating film, and a plurality of combs on at least one of the upper and lower sides of the thin film thermistor, and facing each other. A pair of lead frames, one end of which is connected to the pair of comb electrodes and the other end at both ends of the insulating film. A pair of pattern electrodes that are connected in contact and patterned on the surface of the insulating film, and the insulating film is disposed between the upper surfaces of the pair of lead frames via the lower surfaces of the pair of supporting frames. The distal ends of the pair of lead frames are folded back to the proximal end side and overlapped on both ends of the insulating film, and the distal ends and the proximal end sides of the pair of lead frames are insulated from each other. The film is caulked with both ends thereof sandwiched, and the distal ends of the pair of supporting frames extend with the thin film thermistor portion interposed therebetween.
この温度センサでは、絶縁性フィルムが、一対のリードフレームの先端部が、基端側に折り返されて絶縁性フィルムの両端部上に重ねられ、一対のリードフレームの先端部と基端側とが絶縁性フィルムの両端部を挟んでかしめられているので、絶縁性フィルムの両端部に配されたパターン電極の他端がリードフレームに接触した状態で固定される。これによって、導電性接着剤やはんだを用いることなく、センサ部を一対のリードフレーム間及び一対の支持用フレーム間に架け渡して固定すると共にパターン電極とリードフレームとの電気的接続を行うことができる。したがって、導電性接着剤やはんだの使用温度よりも高温で使用することが可能になる。
また、一対の支持用フレームの下面間を介して一対のリードフレームの上面間に架け渡され、一対の支持用フレームの先端側が、薄膜サーミスタ部を間に配して延在しているので、薄膜サーミスタ部が一対の支持用フレームの下面側に高い平坦性を有して配される。これにより、センサ部の平坦な中央部が測定対象物に面接触するため、正確な温度検知が可能であると共に回転する加熱ローラ等の測定対象物の表面を傷付け難い。
また、薄い絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムに直接形成された薄膜サーミスタ部とにより、全体の厚みが薄くなり、小さい体積によって優れた応答性を得ることができる。
また、一対のリードフレームが、一対のパターン電極に接続されているので、薄膜サーミスタ部とリードフレームとが絶縁性フィルムに直接形成されたパターン電極で接続されることで、パターン形成された薄い配線により、リード線等で接続された場合に比べてリードフレーム側との熱伝導性の影響が抑制される。
In this temperature sensor, the leading end of the pair of lead frames is folded back to the base end side and overlapped on both ends of the insulating film. Since the both ends of the insulating film are clamped, the other end of the pattern electrode disposed on both ends of the insulating film is fixed in a state of being in contact with the lead frame. As a result, the sensor unit can be bridged and fixed between the pair of lead frames and the pair of supporting frames without using conductive adhesive or solder, and the pattern electrode and the lead frame can be electrically connected. it can. Therefore, it can be used at a temperature higher than the use temperature of the conductive adhesive or solder.
In addition, since it is bridged between the upper surfaces of the pair of lead frames through the lower surfaces of the pair of support frames, and the distal end sides of the pair of support frames extend with the thin film thermistor portion therebetween, The thin film thermistor portion is arranged with high flatness on the lower surface side of the pair of support frames. Thereby, since the flat center part of the sensor unit comes into surface contact with the measurement object, accurate temperature detection is possible and the surface of the measurement object such as a rotating heating roller is hardly damaged.
Moreover, the thin insulating film and the thin film thermistor portion directly formed on the insulating film reduce the overall thickness, and excellent response can be obtained with a small volume.
In addition, since the pair of lead frames are connected to the pair of pattern electrodes, the thin film thermistor portion and the lead frame are connected by the pattern electrodes directly formed on the insulating film, so that the patterned thin wiring is formed. As a result, the influence of the thermal conductivity with the lead frame side is suppressed as compared with the case where the lead wires are connected.
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記一対のリードフレームの先端部が、前記絶縁性フィルムを越えて折り返され、前記先端部のうち前記絶縁性フィルムを越えた部分とこの部分が重なった前記リードフレームの基端側の部分とが溶接されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、一対のリードフレームの先端部のうち絶縁性フィルムを越えた部分とこの部分が重なったリードフレームの基端側の部分とが溶接されているので、リードフレームの折り返された先端部が溶接で強固に基端側と固定されて、センサ部をさらに強固に挟持することができる。
A temperature sensor according to a second invention is the temperature sensor according to the first invention, wherein the tip portions of the pair of lead frames are folded back beyond the insulating film, and the portion of the tip portions beyond the insulating film A portion of the lead frame on which the portion overlaps is welded to a portion on the proximal end side of the lead frame.
That is, in this temperature sensor, the portion of the leading end of the pair of lead frames that exceeds the insulating film is welded to the portion of the lead frame on which the lead frame overlaps, so that the lead frame is folded back. The distal end portion is firmly fixed to the proximal end side by welding, so that the sensor portion can be clamped more firmly.
第３の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明において、前記センサ部の表面が、折り返された前記一対のリードフレームの先端部と前記一対の支持用フレームの先端部と共に絶縁性保護シートで覆われていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、センサ部の表面が、折り返された一対のリードフレームの先端部と一対の支持用フレームの先端部と共に絶縁性保護シートで覆われているので、絶縁性保護シートによってセンサ部の表面が保護されると共にセンサ部とリードフレームとの固定及び支持用フレームの支持が補強され、全体の剛性を向上させることもできる。
The temperature sensor according to a third aspect of the present invention is the temperature sensor according to the first or second aspect, wherein the surface of the sensor portion is insulative together with the front end portions of the pair of lead frames folded and the front end portions of the pair of support frames. It is characterized by being covered with a protective sheet.
That is, in this temperature sensor, the surface of the sensor part is covered with the insulating protective sheet together with the front ends of the pair of folded lead frames and the front ends of the pair of supporting frames. The surface of the part is protected and the sensor part and the lead frame are fixed and the support of the support frame is reinforced, so that the overall rigidity can be improved.
第４の発明に係る温度センサは、第１から第３の発明のいずれかにおいて、前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする。 In the temperature sensor according to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the thin film thermistor portion has a general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0. 95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), and the crystal structure thereof is a hexagonal wurtzite single phase.
一般に、温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いＢ定数が求められている。従来、このようなサーミスタ材料には、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ等の遷移金属酸化物が一般的である。また、これらのサーミスタ材料では、安定なサーミスタ特性を得るために、６００℃以上の焼成が必要である。 In general, a thermistor material used for a temperature sensor or the like is required to have a high B constant for high accuracy and high sensitivity. Conventionally, transition metal oxides such as Mn, Co, and Fe are generally used for such thermistor materials. In addition, these thermistor materials require firing at 600 ° C. or higher in order to obtain stable thermistor characteristics.
また、上記のような金属酸化物からなるサーミスタ材料の他に、例えば特許文献３では、一般式：ＭｘＡｙＮｚ（但し、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｔｉ及びＺｒの少なくとも１種、ＡはＡｌ，Ｓｉ及びＢの少なくとも１種を示す。０．１≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．６、０．１≦ｚ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される窒化物からなるサーミスタ用材料が提案されている。また、この特許文献３では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料で、０．５≦ｘ≦０．８、０．１≦ｙ≦０．５、０．２≦ｚ≦０．７、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１としたものだけが実施例として記載されている。このＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、上記元素を含む材料をターゲットとして用い、窒素ガス含有雰囲気中でスパッタリングを行って作製されている。また、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理を行っている。 In addition to the thermistor material composed of the metal oxide as described above, for example, in Patent Document 3, the general formula: M x A y N z (where M is at least one of Ta, Nb, Cr, Ti, and Zr) , A represents at least one of Al, Si, and B. 0.1 ≦ x ≦ 0.8, 0 <y ≦ 0.6, 0.1 ≦ z ≦ 0.8, x + y + z = 1) A thermistor material made of nitride has been proposed. Moreover, in this patent document 3, it is Ta-Al-N type material, 0.5 <= x <= 0.8, 0.1 <= y <= 0.5, 0.2 <= z <= 0.7, x + y + z = 1. Only those described above are described as examples. This Ta—Al—N-based material is produced by performing sputtering in a nitrogen gas-containing atmosphere using a material containing the above elements as a target. Moreover, the obtained thin film is heat-processed at 350-600 degreeC as needed.
近年、樹脂フィルム上にサーミスタ材料を形成したフィルム型サーミスタセンサの開発が検討されており、フィルムに直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれている。すなわち、フィルムを用いることで、フレキシブルなサーミスタセンサが得られることが期待される。さらに、０．１ｍｍ程度の厚さを持つ非常に薄いサーミスタセンサの開発が望まれているが、従来はアルミナ等のセラミックス材料を用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、フィルムを用いることで非常に薄いサーミスタセンサが得られることが期待される。
従来、ＴｉＡｌＮからなる窒化物系サーミスタを形成した温度センサでは、フィルム上にＴｉＡｌＮからなるサーミスタ材料層と電極とを積層して形成する場合、サーミスタ材料層上にＡｕ等の電極層を成膜し、複数の櫛部を有した櫛型にパターニングしている。しかし、このサーミスタ材料層は、曲率半径が大きく緩やかに曲げられた場合には、クラックが生じ難く抵抗値等の電気特性に変化がないが、曲率半径が小さくきつく曲げた場合に、クラックが発生し易くなり、抵抗値等が大きく変化して電気特性の信頼性が低くなってしまう。特に、フィルムを櫛部の延在方向に直交する方向に小さい曲率半径できつく曲げた場合、櫛部の延在方向に曲げた場合に比べて櫛型電極とサーミスタ材料層との応力差により、電極エッジ付近にクラックが発生し易くなり、電気特性の信頼性が低下してしまう不都合があった。
In recent years, development of a film type thermistor sensor in which a thermistor material is formed on a resin film has been studied, and development of a thermistor material that can be directly formed on a film is desired. That is, it is expected that a flexible thermistor sensor can be obtained by using a film. Furthermore, although development of a very thin thermistor sensor having a thickness of about 0.1 mm is desired, conventionally, a substrate material using a ceramic material such as alumina is often used. For example, to a thickness of 0.1 mm However, if the film is made thin, there is a problem that it is very brittle and easily broken. However, it is expected that a very thin thermistor sensor can be obtained by using a film.
Conventionally, in a temperature sensor in which a nitride thermistor made of TiAlN is formed, when a thermistor material layer made of TiAlN and an electrode are laminated on a film, an electrode layer such as Au is formed on the thermistor material layer. And patterning into a comb shape having a plurality of comb portions. However, this thermistor material layer has a large radius of curvature and is not easily cracked and there is no change in electrical properties such as resistance, but cracks are generated when the radius of curvature is small and tight. The resistance value and the like are greatly changed, and the reliability of the electrical characteristics is lowered. In particular, when the film is bent with a small radius of curvature in a direction perpendicular to the extending direction of the comb portion, the electrode edge is caused by the difference in stress between the comb-shaped electrode and the thermistor material layer as compared with the case of bending in the extending direction of the comb portion. There is a disadvantage that cracks are likely to occur in the vicinity and the reliability of the electrical characteristics is lowered.
また、樹脂材料で構成されるフィルムは、一般的に耐熱温度が１５０℃以下と低く、比較的耐熱温度の高い材料として知られるポリイミドでも３００℃程度の耐熱性しかないため、サーミスタ材料の形成工程において熱処理が加わる場合は、適用が困難であった。上記従来の酸化物サーミスタ材料では、所望のサーミスタ特性を実現するために６００℃以上の焼成が必要であり、フィルムに直接成膜したフィルム型サーミスタセンサを実現できないという問題点があった。そのため、非焼成で直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれているが、上記特許文献３に記載のサーミスタ材料でも、所望のサーミスタ特性を得るために、必要に応じて、得られた薄膜を３５０〜６００℃で熱処理する必要があった。また、このサーミスタ材料では、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料の実施例において、Ｂ定数：５００〜３０００Ｋ程度の材料が得られているが、耐熱性に関する記述がなく、窒化物系材料の熱的信頼性が不明であった。 In addition, a film made of a resin material generally has a heat resistant temperature as low as 150 ° C. or lower, and even a polyimide known as a material having a relatively high heat resistant temperature has only a heat resistance of about 300 ° C. In the case where heat treatment is applied, application is difficult. The conventional oxide thermistor material requires firing at 600 ° C. or higher in order to realize desired thermistor characteristics, and there is a problem that a film type thermistor sensor directly formed on a film cannot be realized. Therefore, it is desired to develop a thermistor material that can be directly film-formed without firing, but even with the thermistor material described in Patent Document 3, the obtained thin film can be obtained as necessary in order to obtain desired thermistor characteristics. It was necessary to perform heat treatment at 350 to 600 ° C. Further, in this example of the thermistor material, a material having a B constant of about 500 to 3000 K is obtained in the example of the Ta-Al-N material, but there is no description regarding heat resistance, and the thermal reliability of the nitride material. Sex was unknown.
本発明者らは、窒化物材料の中でもＡｌＮ系に着目し、鋭意、研究を進めたところ、絶縁体であるＡｌＮは、最適なサーミスタ特性（Ｂ定数：１０００〜６０００Ｋ程度）を得ることが難しいため、Ａｌサイトを電気伝導を向上させる特定の金属元素で置換すると共に、特定の結晶構造とすることで、非焼成で良好なＢ定数と耐熱性とが得られることを見出した。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
The inventors of the present invention focused on the AlN system among the nitride materials and made extensive research. As a result, it is difficult for AlN as an insulator to obtain optimum thermistor characteristics (B constant: about 1000 to 6000 K). For this reason, it was found that by replacing the Al site with a specific metal element that improves electrical conduction and having a specific crystal structure, a good B constant and heat resistance can be obtained without firing.
Therefore, the present invention has been obtained from the above findings, and the thin film thermistor portion has a general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), and its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase, so that a good B constant can be obtained without firing and a high heat resistance. It has sex.
なお、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．７０未満であると、ウルツ鉱型の単相が得られず、ＮａＣｌ型相との共存相又はＮａＣｌ型相のみの相となってしまい、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
また、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ））が０．９５をこえると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．４未満であると、金属の窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高Ｂ定数とが得られない。
さらに、上記「ｚ」（すなわち、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において、窒素サイトにおける欠陥がない場合の正しい化学量論比は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることに起因する。
When the above “y / (x + y)” (ie, Al / (Ti + Al)) is less than 0.70, a wurtzite type single phase cannot be obtained, and a coexisting phase with an NaCl type phase or an NaCl type phase Therefore, a sufficiently high resistance and a high B constant cannot be obtained.
Further, if the above-mentioned “y / (x + y)” (that is, Al / (Ti + Al)) exceeds 0.95, the resistivity is very high and the insulating property is extremely high, so that it cannot be applied as a thermistor material.
Further, when the “z” (that is, N / (Ti + Al + N)) is less than 0.4, since the amount of metal nitriding is small, a wurtzite type single phase cannot be obtained, and a sufficiently high resistance and high B A constant cannot be obtained.
Furthermore, when the “z” (that is, N / (Ti + Al + N)) exceeds 0.5, a wurtzite single phase cannot be obtained. This is because in the wurtzite type single phase, the correct stoichiometric ratio when there is no defect at the nitrogen site is N / (Ti + Al + N) = 0.5.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、絶縁性フィルムの両端部が一対のリードフレームの下面側から折り返されて一対のリードフレームの上面に重ねられ、さらに、一対のリードフレームの先端部が、基端側に折り返され上面に重なっている絶縁性フィルムの両端部を挟んでかしめられているので、絶縁性フィルムの両端部に配されたパターン電極の他端がリードフレームに接触した状態で固定される。これにより、柔軟な絶縁性フィルムの平坦面によって測定対象物を傷付けずに面接触して正確な温度検知が可能になる。
また、薄膜サーミスタ部を、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である材料とすることで、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性が得られる。
したがって、本発明の温度センサによれば、リードフレームに固定され支持用フレームで支持されることで平坦面を有したセンサ部によって、安定した面接触が可能であると共に、高い応答性で正確に温度を測定することができ、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度用として好適である。
The present invention has the following effects.
That is, according to the temperature sensor of the present invention, both end portions of the insulating film are folded back from the lower surface side of the pair of lead frames and overlapped on the upper surfaces of the pair of lead frames, and the tip portions of the pair of lead frames are Since both ends of the insulating film folded back to the base end and overlapped with the upper surface are clamped, the other end of the pattern electrode disposed on both ends of the insulating film is in contact with the lead frame. Fixed. Accordingly, the flat surface of the flexible insulating film makes it possible to accurately detect the temperature by making surface contact without damaging the measurement object.
Further, the thin film thermistor portion is formed by metal nitriding represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). By using a material that has a hexagonal wurtzite type single phase and has a crystal structure, a good B constant can be obtained without firing, and high heat resistance can be obtained.
Therefore, according to the temperature sensor of the present invention, stable surface contact is possible by the sensor unit having a flat surface by being fixed to the lead frame and supported by the support frame, and accurately with high responsiveness. The temperature can be measured, and it is suitable for the temperature of a heating roller such as a copying machine or a printer.
以下、本発明に係る温度センサにおける第１実施形態を、図１から図９を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, a first embodiment of a temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.
本実施形態の温度センサ１は、図１及び図２に示すように、一対のリードフレーム２と、一対のリードフレーム２に接続されたセンサ部３と、一対のリードフレーム２に固定されてリードフレーム２を保持する絶縁性の保持部４と、保持部４に基端側が固定され一対のリードフレーム２の内側でリードフレーム２に平行に延在した一対の支持用フレーム１２とを備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the temperature sensor 1 according to this embodiment includes a pair of lead frames 2, a sensor unit 3 connected to the pair of lead frames 2, and a lead fixed to the pair of lead frames 2. An insulating holding portion 4 that holds the frame 2 and a pair of support frames 12 that are fixed to the holding portion 4 at the base end side and extend in parallel to the lead frame 2 inside the pair of lead frames 2. .
上記センサ部３は、帯状の絶縁性フィルム６と、絶縁性フィルム６の表面の中央部にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部７と、薄膜サーミスタ部７の上に複数の櫛部８ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極８と、一端が一対の櫛型電極８に接続されていると共に他端が絶縁性フィルム６の両端部６ａで一対のリードフレーム２に接触して接続され絶縁性フィルム６の表面にパターン形成された一対のパターン電極９とを備えている。 The sensor unit 3 has a strip-shaped insulating film 6, a thin film thermistor portion 7 patterned with a thermistor material at the center of the surface of the insulating film 6, and a plurality of comb portions 8 a on the thin film thermistor portion 7. Then, a pair of comb-shaped electrodes 8 that are patterned to face each other, one end of which is connected to the pair of comb-shaped electrodes 8 and the other end is connected to the pair of lead frames 2 at both ends 6a of the insulating film 6. A pair of pattern electrodes 9 that are connected in contact and patterned on the surface of the insulating film 6 are provided.
上記絶縁性フィルム６は、一対の支持用フレーム１２の下面間を介して一対のリードフレーム２の上面間に架け渡されている。
また、一対のリードフレーム２の先端部２ａは、基端側に折り返されて絶縁性フィルム６の両端部６ａ上に重ねられ、一対のリードフレーム２の先端部２ａと基端側とが絶縁性フィルム６の両端部を挟んでかしめられている。
また、一対の支持用フレーム１２の先端側は、薄膜サーミスタ部７を間に配して延在している。
The insulating film 6 is bridged between the upper surfaces of the pair of lead frames 2 via the lower surfaces of the pair of support frames 12.
Further, the distal end portions 2a of the pair of lead frames 2 are folded back to the proximal end side and overlapped on both end portions 6a of the insulating film 6, and the distal end portions 2a and the proximal end sides of the pair of lead frames 2 are insulative. The film 6 is crimped by sandwiching both end portions thereof.
The distal ends of the pair of support frames 12 extend with the thin film thermistor portion 7 interposed therebetween.
また、一対のリードフレーム２の先端部２ａは、絶縁性フィルム６を越えて折り返され、先端部２ａのうち絶縁性フィルム６を越えた部分２ｂとこの部分２ｂが重なったリードフレーム２の基端側の部分とが抵抗溶接によって溶接されている。さらに、リードフレーム２の折り曲げ部２ｃ近傍にも抵抗溶接を行って前後２箇所でリードフレーム２の先端部２ａを溶接し、強固にセンサ部３を挟んで支持している。なお、上記かしめによって十分にセンサ部３が固定され、電気的接続を安定して確保できる場合は、上記溶接を行わなくても構わない。 Further, the distal end portions 2a of the pair of lead frames 2 are folded back beyond the insulating film 6, and the proximal end of the lead frame 2 in which the portion 2b of the distal end portion 2a exceeds the insulating film 6 and this portion 2b overlap each other. The side part is welded by resistance welding. Further, resistance welding is also performed in the vicinity of the bent portion 2c of the lead frame 2 to weld the front end portion 2a of the lead frame 2 at two positions in the front and rear, and the sensor portion 3 is firmly supported. In addition, when the sensor part 3 is fully fixed by the said crimping and electrical connection can be ensured stably, it is not necessary to perform the said welding.
上記センサ部３の表面は、折り返された一対のリードフレーム２の先端部２ａと一対の支持用フレーム１２の先端部と共に絶縁性保護シート１１で覆われている。この絶縁性保護シート１１は、リードフレーム２及び支持用フレーム１２の基端部近傍まで延在してこれらリードフレーム２及び支持用フレーム１２の上面にも貼り付けられて、これらリードフレーム２及び支持用フレーム１２を支持している。 The surface of the sensor section 3 is covered with an insulating protective sheet 11 together with the front end portions 2a of the pair of lead frames 2 folded back and the front end portions of the pair of support frames 12. The insulating protective sheet 11 extends to the vicinity of the base end portions of the lead frame 2 and the support frame 12 and is also attached to the top surfaces of the lead frame 2 and the support frame 12. The frame 12 is supported.
本実施形態の温度センサ１は、図４に示すように、支持用フレーム１２の下面側に配されたセンサ部３の中央部を測定対象物Ｒに接触させて温度を測定することができる。なお、上記測定対象物Ｒは、例えば複写機やプリンタ等の加熱ローラである。 As shown in FIG. 4, the temperature sensor 1 of the present embodiment can measure the temperature by bringing the center portion of the sensor unit 3 disposed on the lower surface side of the support frame 12 into contact with the measurement object R. The measurement object R is a heating roller such as a copying machine or a printer.
上記一対のリードフレーム２及び一対の支持用フレーム１２は、銅系合金、鉄系合金又はステンレス等の合金で形成されており、樹脂製の保持部４によって互いに一定間隔を保持した状態で支持されている。なお、一対のリードフレーム２は、保持部４内で一対のリード線５に接続されている。また、保持部４には、取付孔４ａが形成されている。 The pair of lead frames 2 and the pair of support frames 12 are made of an alloy such as a copper-based alloy, an iron-based alloy, or stainless steel, and are supported in a state where they are held at a constant interval by a resin-made holding portion 4. ing. The pair of lead frames 2 are connected to the pair of lead wires 5 in the holding portion 4. The holding portion 4 is formed with an attachment hole 4a.
また、本実施形態の温度センサ１は、パターン電極９の基端部（接続用パッド部９ａ）が配されている絶縁性フィルム６の両端部を除いて、絶縁性フィルム６上に形成され薄膜サーミスタ部７、櫛型電極８及びパターン電極９を覆う保護膜１０を備えている。
なお、本実施形態では、薄膜サーミスタ部７の上に櫛型電極８を形成しているが、薄膜サーミスタ部７の下に櫛型電極を形成しても構わない。
Further, the temperature sensor 1 of the present embodiment is a thin film formed on the insulating film 6 except for both end portions of the insulating film 6 on which the base end portion (connecting pad portion 9a) of the pattern electrode 9 is arranged. A protective film 10 is provided to cover the thermistor section 7, the comb-shaped electrode 8, and the pattern electrode 9.
In this embodiment, the comb-shaped electrode 8 is formed on the thin film thermistor portion 7. However, the comb-shaped electrode may be formed under the thin film thermistor portion 7.
また、一対のパターン電極９は、絶縁性フィルム６の中央部に配された薄膜サーミスタ部７上の櫛部８ａから絶縁性フィルム６の両端部６ａまで延在している。なお、パターン電極９の他端には、接続用パッド部９ａが形成されている。
さらに、一対のリードフレーム２の先端部２ａが、絶縁性フィルム６の両端部６ａでパターン電極９に接続されている。すなわち、上述したように、リードフレーム２の先端部２ａが折り曲げられ、絶縁性フィルム６の両端部６ａに配された接続用パッド部９ａ上に重なって接触している。
In addition, the pair of pattern electrodes 9 extends from the comb portion 8 a on the thin film thermistor portion 7 disposed in the central portion of the insulating film 6 to both end portions 6 a of the insulating film 6. A connection pad portion 9 a is formed at the other end of the pattern electrode 9.
Furthermore, the tip portions 2 a of the pair of lead frames 2 are connected to the pattern electrode 9 at both end portions 6 a of the insulating film 6. That is, as described above, the leading end portion 2 a of the lead frame 2 is bent and is in contact with the connection pad portions 9 a disposed on both end portions 6 a of the insulating film 6.
上記絶縁性フィルム６は、例えば厚さ５０〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム６の厚さは、上記範囲よりも厚いと応答性が低くなるおそれがある。また、絶縁性フィルム６としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、加熱ローラの温度測定用としては、最高使用温度が１８０℃と高いためポリイミドフィルムが望ましい。 The insulating film 6 is formed in a band shape with a polyimide resin sheet having a thickness of 50 to 125 μm, for example. In addition, when the thickness of the insulating film 6 is thicker than the said range, there exists a possibility that responsiveness may become low. The insulating film 6 can also be made of PET: polyethylene terephthalate, PEN: polyethylene naphthalate, or the like, but a polyimide film is desirable for measuring the temperature of the heating roller because the maximum use temperature is as high as 180 ° C.
上記薄膜サーミスタ部７は、絶縁性フィルム６の中央部に配され、ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されている。特に、薄膜サーミスタ部７は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。 The thin film thermistor portion 7 is disposed in the central portion of the insulating film 6 and is formed of a TiAlN thermistor material. In particular, the thin film thermistor portion 7 is a metal represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). It consists of nitride and its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase.
上記パターン電極９及び櫛型電極８は、薄膜サーミスタ部７上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極８は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部８ａが並んだ櫛型パターンとされている。
The pattern electrode 9 and the comb-shaped electrode 8 are formed on the thin film thermistor portion 7 with a thickness of 5 to 100 nm of a Cr or NiCr bonding layer and a noble metal such as Au on the bonding layer with a thickness of 50 to 1000 nm. And an electrode layer formed.
The pair of comb-shaped electrodes 8 has a comb-shaped pattern in which the comb portions 8a are alternately arranged so as to face each other.
なお、櫛部８ａは、絶縁性フィルム６の延在方向に沿って延在している。すなわち、センサ部３を、回転する加熱ローラに押し当てされて温度測定を行うが、絶縁性フィルム６の延在方向に曲率を有して円弧状に曲げられているため、薄膜サーミスタ部７にも同方向に曲げ応力が加わる。このとき、櫛部８ａが同方向に延在しているため、薄膜サーミスタ部７を補強することになり、クラックの発生を抑制することができる。 Note that the comb portion 8 a extends along the extending direction of the insulating film 6. That is, the sensor unit 3 is pressed against a rotating heating roller to measure the temperature, but has a curvature in the extending direction of the insulating film 6 and is bent in an arc shape, so that the thin film thermistor unit 7 Also, bending stress is applied in the same direction. At this time, since the comb portion 8a extends in the same direction, the thin film thermistor portion 7 is reinforced, and generation of cracks can be suppressed.
上記保護膜１０は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ２０μｍのポリイミド膜が採用される。この保護膜１０は、接続用パッド部９ａを除いて絶縁性フィルム６に印刷される。なお、ポリイミドカバーレイフィルムを絶縁性フィルム６に接着剤で接着して保護膜１０としても構わない。 The protective film 10 is an insulating resin film or the like, for example, a polyimide film having a thickness of 20 μm is employed. The protective film 10 is printed on the insulating film 6 except for the connection pad portion 9a. The protective cover 10 may be formed by bonding a polyimide coverlay film to the insulating film 6 with an adhesive.
上記薄膜サーミスタ部７は、上述したように、金属窒化物材料であって、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））の単相である。すなわち、この金属窒化物材料は、図３に示すように、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系３元系相図における点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内の組成を有し、結晶相がウルツ鉱型である金属窒化物である。
なお、上記点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各組成比（ｘ、ｙ、ｚ）（原子％）は、Ａ（１５、３５、５０），Ｂ（２．５、４７．５、５０），Ｃ（３、５７、４０），Ｄ（１８、４２、４０）である。
As described above, the thin film thermistor portion 7 is a metal nitride material, and has a general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1), the crystal structure of which is a hexagonal crystal system with a single phase of wurtzite type (space group P6 3 mc (No. 186)) is there. That is, this metal nitride material has a composition in a region surrounded by points A, B, C, and D in the Ti—Al—N ternary phase diagram as shown in FIG. It is a metal nitride that is a wurtzite type.
In addition, each composition ratio (x, y, z) (atomic%) of the points A, B, C, and D is A (15, 35, 50), B (2.5, 47.5, 50), C (3, 57, 40), D (18, 42, 40).
また、この薄膜サーミスタ部７は、例えば膜厚１００〜１０００ｎｍの膜状に形成され、前記膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶である。さらに、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向していることが好ましい。
なお、膜の表面に対して垂直方向（膜厚方向）にａ軸配向（１００）が強いかｃ軸配向（００２）が強いかの判断は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）を用いて結晶軸の配向性を調べることで、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比から、「（１００）のピーク強度」／「（００２）のピーク強度」が１未満であることで決定する。
The thin film thermistor portion 7 is a columnar crystal that is formed in a film shape of, for example, a thickness of 100 to 1000 nm and extends in a direction perpendicular to the surface of the film. Further, it is preferable that the c-axis is oriented more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface.
Whether the a-axis orientation (100) is strong or the c-axis orientation (002) is strong in the direction perpendicular to the film surface (film thickness direction) is determined using X-ray diffraction (XRD). By examining the orientation, from the peak intensity ratio of (100) (Miller index indicating a-axis orientation) and (002) (Miller index indicating c-axis alignment), “(100) peak intensity” / “(( 002) peak intensity ”is less than 1.
この温度センサ１の製造方法について、図面を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ１の製造方法は、絶縁性フィルム６上に薄膜サーミスタ部７をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極８を薄膜サーミスタ部７上に配して絶縁性フィルム６上に一対のパターン電極９をパターン形成する電極形成工程と、絶縁性フィルム６の表面に保護膜１０を形成する保護膜形成工程と、センサ部３にリードフレーム２を取り付けるリードフレーム取り付け工程とを有している。
The manufacturing method of this temperature sensor 1 is demonstrated below with reference to drawings.
The manufacturing method of the temperature sensor 1 of the present embodiment includes a thin film thermistor section forming step of patterning the thin film thermistor section 7 on the insulating film 6 and a pair of comb-shaped electrodes 8 facing each other disposed on the thin film thermistor section 7. Then, an electrode forming step of patterning a pair of pattern electrodes 9 on the insulating film 6, a protective film forming step of forming a protective film 10 on the surface of the insulating film 6, and attaching the lead frame 2 to the sensor unit 3 A lead frame attaching step.
より具体的な製造方法の例としては、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム６上に、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、ＴｉｘＡｌｙＮｚ（ｘ＝９、ｙ＝４３、ｚ＝４８）のサーミスタ膜を膜厚２００ｎｍで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧０．４Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を２０％で作製する。 As a more specific example of the manufacturing method, Ti x Al y is used by reactive sputtering in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target on an insulating film 6 of polyimide film having a thickness of 50 μm. A thermistor film of N z (x = 9, y = 43, z = 48) is formed with a film thickness of 200 nm. The sputtering conditions at that time were an ultimate vacuum of 5 × 10 −6 Pa, a sputtering gas pressure of 0.4 Pa, a target input power (output) of 200 W, and a nitrogen gas fraction of 20 in a mixed gas atmosphere of Ar gas + nitrogen gas. %.
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なＴｉｘＡｌｙＮｚのサーミスタ膜を市販のＴｉエッチャントでウェットエッチングを行い、図５に示すように、レジスト剥離にて所望の形状の薄膜サーミスタ部７にする。 A resist solution is applied onto the deposited thermistor film with a bar coater, pre-baked at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, exposed to light with an exposure apparatus, and unnecessary portions are removed with a developer, and further at 150 ° C. Patterning is performed by post-baking for minutes. Thereafter, the thermistor film unnecessary Ti x Al y N z by wet etching in a commercial Ti etchant, as shown in FIG. 5, to a thin film thermistor portion 7 of a desired shape on the resist stripping.
次に、薄膜サーミスタ部７及び絶縁性フィルム６上に、スパッタ法にて、Ｃｒ膜の接合層を膜厚２０ｎｍ形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてＡｕ膜の電極層を膜厚１００ｎｍ形成する。
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図６に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極８及びパターン電極９を形成する。
Next, a 20-nm thick Cr film bonding layer is formed on the thin film thermistor portion 7 and the insulating film 6 by sputtering. Further, an Au film electrode layer is formed to a thickness of 100 nm on the bonding layer by sputtering.
Next, after applying a resist solution on the electrode layer formed by a bar coater, pre-baking was performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds, and after exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions were removed with a developer, and 150 ° C. Then, patterning is performed by post-baking for 5 minutes. Thereafter, unnecessary electrode portions are wet-etched in the order of commercially available Au etchant and Cr etchant, and as shown in FIG. 6, desired comb electrodes 8 and pattern electrodes 9 are formed by resist stripping.
さらに、その上にポリイミドワニスを印刷法により塗布して、２５０℃、３０分でキュアを行い、図７に示すように、２０μｍ厚のポリイミド保護膜１０を形成する。このようにしてフィルム型サーミスタであるセンサ部３が作製される。 Further, a polyimide varnish is applied thereon by a printing method and cured at 250 ° C. for 30 minutes to form a polyimide protective film 10 having a thickness of 20 μm as shown in FIG. In this way, the sensor unit 3 which is a film type thermistor is manufactured.
次に、図８に示すように、センサ部３を一対の支持用フレーム１２の下面側に配すると共に、センサ部３の両端部をリードフレーム２の上面側に配して、絶縁性フィルム６を一対の支持用フレーム１２の下面間を介して一対のリードフレームの上面間に架け渡す。このとき、センサ部３は、直線状に延在するリードフレーム２の途中に配置し、センサ部３からリードフレーム２の先端部２ａが長く突出した状態とする。また、一対の支持用フレーム１２は、先端部がセンサ部３から僅かに突出した状態とする。すなわち、一対のリードフレーム２は、一対の支持用フレーム１２よりも長く延在している。 Next, as shown in FIG. 8, the sensor unit 3 is disposed on the lower surface side of the pair of supporting frames 12, and both end portions of the sensor unit 3 are disposed on the upper surface side of the lead frame 2, so that the insulating film 6 is disposed. Is bridged between the upper surfaces of the pair of lead frames via the lower surfaces of the pair of support frames 12. At this time, the sensor unit 3 is arranged in the middle of the lead frame 2 extending linearly, and the tip 2a of the lead frame 2 protrudes from the sensor unit 3 long. In addition, the pair of support frames 12 are in a state where the tip ends slightly protrude from the sensor unit 3. That is, the pair of lead frames 2 extends longer than the pair of support frames 12.
さらに、一対のリードフレーム２の先端部２ａを、図９に示すように、基端側に折り返して絶縁性フィルム６の両端部６ａ上に重ね、上下でかしめる。このとき、一対のリードフレーム２の先端部２ａを、絶縁性フィルム６を越えるように折り返し、先端部２ａの先端側をセンサ部３よりも基端側のリードフレーム２上に重ねる。 Further, as shown in FIG. 9, the distal end portions 2 a of the pair of lead frames 2 are folded back to the proximal end side, overlapped on both end portions 6 a of the insulating film 6, and caulked up and down. At this time, the distal end portions 2 a of the pair of lead frames 2 are folded back so as to exceed the insulating film 6, and the distal end side of the distal end portion 2 a is overlaid on the lead frame 2 on the proximal end side with respect to the sensor portion 3.
次に、先端部２ａのうち絶縁性フィルム６を越えた部分２ｂとこの部分２ｂが重なったリードフレーム２の基端側の部分とを抵抗溶接する。また、センサ部３より先端側にあるリードフレーム２の折り曲げ部２ｃの近傍も抵抗溶接する。このように固定したセンサ部３は、図４に示すように、薄膜サーミスタ部７を有する中央部が一対の支持用フレーム１２の下面側に平坦に配されていると共に、絶縁性フィルム６の両端部６ａが中央部に対して折り曲げられて一対のリードフレーム２の上面側に先端部２ａで押さえ込まれて固定されている。 Next, resistance welding is performed on the portion 2b of the distal end portion 2a beyond the insulating film 6 and the proximal end portion of the lead frame 2 where the portion 2b overlaps. Further, resistance welding is also performed in the vicinity of the bent portion 2 c of the lead frame 2 on the tip side from the sensor portion 3. As shown in FIG. 4, the sensor part 3 fixed in this way has a central part having the thin film thermistor part 7 disposed flat on the lower surface side of the pair of supporting frames 12 and both ends of the insulating film 6. The portion 6a is bent with respect to the center portion, and is pressed and fixed to the upper surface side of the pair of lead frames 2 by the tip portion 2a.
最後に、接着材付きポリイミドフィルムである絶縁性保護シート１１を、センサ部３の表面に貼り付ける。このとき、折り返された一対のリードフレーム２の先端部２ａも絶縁性保護シート１１で覆う。また、絶縁性保護シート１１を、リードフレーム２及び支持用フレーム１２の基端近傍まで貼り付けることで、本実施形態の温度センサ１が作製される。 Finally, an insulating protective sheet 11 that is a polyimide film with an adhesive is attached to the surface of the sensor unit 3. At this time, the tip portions 2 a of the pair of lead frames 2 that are folded back are also covered with the insulating protective sheet 11. Further, the temperature sensor 1 of the present embodiment is manufactured by attaching the insulating protective sheet 11 to the vicinity of the proximal ends of the lead frame 2 and the support frame 12.
なお、複数のセンサ部３を同時に作製する場合、絶縁性フィルム６の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部７、櫛型電極８、パターン電極９及び保護膜１０を上述のように形成した後に、大判シートから各センサ部３に切断する。 In the case where a plurality of sensor portions 3 are manufactured at the same time, after forming a plurality of thin film thermistor portions 7, comb electrodes 8, pattern electrodes 9, and protective film 10 on a large sheet of insulating film 6, as described above, The sensor unit 3 is cut from the sheet.
このように本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム６が、一対のリードフレーム２の先端部２ａが、基端側に折り返されて絶縁性フィルム６の両端部６ａ上に重ねられ、一対のリードフレーム２の先端部２ａと基端側とが絶縁性フィルム６の両端部６ａを挟んでかしめられているので、絶縁性フィルム６の両端部６ａに配されたパターン電極９の他端がリードフレーム２に接触した状態で固定される。これによって、導電性接着剤やはんだを用いることなく、センサ部３を一対のリードフレーム２間及び一対の支持用フレーム１２間に架け渡して固定すると共にパターン電極９とリードフレーム２との電気的接続を行うことができる。したがって、導電性接着剤やはんだの使用温度よりも高温で使用することが可能になる。 As described above, in the temperature sensor 1 of the present embodiment, the insulating film 6 has the distal end portions 2a of the pair of lead frames 2 folded back to the proximal end side and overlaid on the both end portions 6a of the insulating film 6, Since the leading end 2a and the base end side of the lead frame 2 are caulked with both end portions 6a of the insulating film 6 sandwiched therebetween, the other end of the pattern electrode 9 disposed on the both end portions 6a of the insulating film 6 is It is fixed in contact with the lead frame 2. Accordingly, the sensor unit 3 is bridged and fixed between the pair of lead frames 2 and the pair of support frames 12 without using a conductive adhesive or solder, and the electrical connection between the pattern electrode 9 and the lead frame 2 is achieved. Connection can be made. Therefore, it can be used at a temperature higher than the use temperature of the conductive adhesive or solder.
また、一対の支持用フレーム１２の下面間を介して一対のリードフレーム２の上面間に架け渡され、一対の支持用フレームの先端側が、薄膜サーミスタ部を間に配して延在しているので、薄膜サーミスタ部７が一対の支持用フレーム１２の下面側に高い平坦性を有して配される。これにより、センサ部３の平坦な中央部が測定対象物Ｒに面接触するため、正確な温度検知が可能であると共に回転する加熱ローラ等の測定対象物Ｒの表面を傷付け難い。 Moreover, it spans between the upper surfaces of a pair of lead frames 2 via between the lower surfaces of a pair of support frames 12, and the front end side of a pair of support frames extends with a thin film thermistor portion therebetween. Therefore, the thin film thermistor portion 7 is arranged with high flatness on the lower surface side of the pair of supporting frames 12. Thereby, since the flat center part of the sensor part 3 is in surface contact with the measuring object R, accurate temperature detection is possible and the surface of the measuring object R such as a rotating heating roller is hardly damaged.
また、薄い絶縁性フィルム６と、絶縁性フィルム６に直接形成された薄膜サーミスタ部７とにより、全体の厚みが薄くなり、小さい体積によって優れた応答性を得ることができる。
また、一対のリードフレーム２が、一対のパターン電極９に接続されているので、薄膜サーミスタ部７とリードフレーム２とが絶縁性フィルム６に直接形成されたパターン電極９で接続されることで、パターン形成された薄い配線により、リード線等で接続された場合に比べてリードフレーム２側との熱伝導性の影響が抑制される。
Further, the thin insulating film 6 and the thin film thermistor portion 7 directly formed on the insulating film 6 reduce the overall thickness, and an excellent responsiveness can be obtained with a small volume.
Further, since the pair of lead frames 2 are connected to the pair of pattern electrodes 9, the thin film thermistor portion 7 and the lead frame 2 are connected by the pattern electrodes 9 directly formed on the insulating film 6, The effect of thermal conductivity with the lead frame 2 side is suppressed by the thin wiring with the pattern formed as compared with the case where the lead wires are connected.
また、一対のリードフレーム２の先端部２ａのうち絶縁性フィルム６を越えた部分２ｂとこの部分２ｂが重なったリードフレーム２の基端側の部分とが溶接されているので、リードフレーム２の折り返された先端部２ａが溶接で強固に基端側と固定されて、センサ部３をさらに強固に挟持することができる。
また、センサ部３の表面が、折り返された一対のリードフレーム２の先端部２ａと一対の支持用フレーム１２の先端部と共に絶縁性保護シート１１で覆われているので、絶縁性保護シート１１によってセンサ部３の表面が保護されると共にセンサ部３とリードフレーム２との固定及び支持用フレーム１２の支持が補強され、全体の剛性を向上させることもできる。
Moreover, since the part 2b beyond the insulating film 6 and the part on the base end side of the lead frame 2 where the part 2b overlaps are welded among the distal end parts 2a of the pair of lead frames 2, the lead frame 2 The folded back distal end portion 2a is firmly fixed to the proximal end side by welding, and the sensor portion 3 can be clamped more firmly.
Further, since the surface of the sensor unit 3 is covered with the insulating protective sheet 11 together with the front end portions 2a of the pair of lead frames 2 and the front end portions of the pair of supporting frames 12, the insulating protective sheet 11 The surface of the sensor unit 3 is protected, and the fixing of the sensor unit 3 and the lead frame 2 and the support of the support frame 12 are reinforced, and the overall rigidity can be improved.
また、薄膜サーミスタ部７が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系の結晶系であってウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なＢ定数が得られると共に高い耐熱性を有している。
また、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
さらに、この金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸を強く配向させることで、ａ軸配向が強い場合に比べて高いＢ定数が得られる。
Further, the thin film thermistor portion 7 is a metal represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). Since it is made of nitride and its crystal structure is a hexagonal crystal system and is a wurtzite single phase, it has a good B constant without firing and has high heat resistance.
In addition, since this metal nitride material is a columnar crystal extending in a direction perpendicular to the surface of the film, the film has high crystallinity and high heat resistance can be obtained.
Further, in this metal nitride material, by aligning the c-axis more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface, a higher B constant can be obtained than when the a-axis alignment is strong.
なお、本実施形態のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部７）の製造方法では、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、上記ＴｉＡｌＮからなる上記金属窒化物材料を非焼成で成膜することができる。
また、反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、０．６７Ｐａ未満に設定することで、膜の表面に対して垂直方向にａ軸よりｃ軸が強く配向している金属窒化物材料の膜を形成することができる。
In the method of manufacturing the thermistor material layer (thin film thermistor portion 7) of the present embodiment, since the film is formed by reactive sputtering in a nitrogen-containing atmosphere using a Ti—Al alloy sputtering target, the above-mentioned TiAlN is used. The metal nitride material can be formed without firing.
Further, by setting the sputtering gas pressure in reactive sputtering to less than 0.67 Pa, a metal nitride material film in which the c-axis is oriented more strongly than the a-axis in the direction perpendicular to the film surface is formed. be able to.
したがって、本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム６上に上記サーミスタ材料層で薄膜サーミスタ部７が形成されているので、非焼成で形成され高Ｂ定数で耐熱性の高い薄膜サーミスタ部７により、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルム６を用いることができると共に、良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。
また、従来アルミナ等のセラミックスを用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ０．１ｍｍへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、本発明においてはフィルムを用いることができるので、上記のように、例えば厚さ０．１ｍｍの非常に薄いフィルム型サーミスタセンサ（センサ部３）を得ることができる。
Therefore, in the temperature sensor 1 of the present embodiment, since the thin film thermistor portion 7 is formed of the thermistor material layer on the insulating film 6, the thin film thermistor portion 7 is formed by non-firing and has a high B constant and high heat resistance. Thus, an insulating film 6 having low heat resistance such as a resin film can be used, and a thin and flexible thermistor sensor having good thermistor characteristics can be obtained.
In addition, substrate materials using ceramics such as alumina are often used in the past. For example, when the thickness is reduced to 0.1 mm, the substrate material is very brittle and easily broken. Therefore, as described above, for example, a very thin film type thermistor sensor (sensor unit 3) having a thickness of 0.1 mm can be obtained.
次に、本発明に係る温度センサについて、上記実施形態に基づいて作製した実施例により評価した結果を、図１０から図１８を参照して具体的に説明する。 Next, the result of evaluating the temperature sensor according to the present invention by the example produced based on the above embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
＜膜評価用素子の作製＞
本発明のサーミスタ材料層（薄膜サーミスタ部７）の評価を行う実施例及び比較例として、図１０に示す膜評価用素子１２１を次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、様々な組成比のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットを用いて、Ｓｉ基板Ｓとなる熱酸化膜付きＳｉウエハ上に、厚さ５００ｎｍの表１に示す様々な組成比で形成された金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部７を形成した。その時のスパッタ条件は、到達真空度：５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧：０．１〜１Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）：１００〜５００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を１０〜１００％と変えて作製した。
<Production of film evaluation element>
As examples and comparative examples for evaluating the thermistor material layer (thin film thermistor portion 7) of the present invention, a film evaluation element 121 shown in FIG. 10 was produced as follows.
First, by reactive sputtering, Ti—Al alloy targets having various composition ratios are used to form Si substrates S on a Si wafer with a thermal oxide film at various composition ratios shown in Table 1 having a thickness of 500 nm. A thin film thermistor portion 7 of the formed metal nitride material was formed. The sputtering conditions at that time were: ultimate vacuum: 5 × 10 −6 Pa, sputtering gas pressure: 0.1 to 1 Pa, target input power (output): 100 to 500 W, in a mixed gas atmosphere of Ar gas + nitrogen gas The nitrogen gas fraction was changed to 10 to 100%.
次に、上記薄膜サーミスタ部７の上に、スパッタ法でＣｒ膜を２０ｎｍ形成し、さらにＡｕ膜を１００ｎｍ形成した。さらに、その上にレジスト液をスピンコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行った。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントによりウェットエッチングを行い、レジスト剥離にて所望の櫛形電極部１２４ａを有するパターン電極１２４を形成した。そして、これをチップ状にダイシングして、Ｂ定数評価及び耐熱性試験用の膜評価用素子１２１とした。
なお、比較としてＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が本発明の範囲外であって結晶系が異なる比較例についても同様に作製して評価を行った。
Next, a 20 nm Cr film was formed on the thin film thermistor portion 7 by sputtering, and a 100 nm Au film was further formed. Further, after applying a resist solution thereon with a spin coater, pre-baking is performed at 110 ° C. for 1 minute 30 seconds. After exposure with an exposure apparatus, unnecessary portions are removed with a developing solution, and post-baking is performed at 150 ° C. for 5 minutes. Then, patterning was performed. Thereafter, unnecessary electrode portions were wet-etched with a commercially available Au etchant and Cr etchant, and a patterned electrode 124 having a desired comb-shaped electrode portion 124a was formed by resist stripping. Then, this was diced into chips to obtain a film evaluation element 121 for B constant evaluation and heat resistance test.
For comparison, comparative examples in which the composition ratio of Ti x Al y N z is out of the scope of the present invention and the crystal system is different were similarly prepared and evaluated.
＜膜の評価＞
（１）組成分析
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部７について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて元素分析を行った。このＸＰＳでは、Ａｒスパッタにより、最表面から深さ２０ｎｍのスパッタ面において、定量分析を実施した。その結果を表１に示す。なお、以下の表中の組成比は「原子％」で示している。
<Evaluation of membrane>
(1) Composition analysis About the thin film thermistor part 7 obtained by the reactive sputtering method, the elemental analysis was conducted by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In this XPS, quantitative analysis was performed on the sputtered surface having a depth of 20 nm from the outermost surface by Ar sputtering. The results are shown in Table 1. In addition, the composition ratio in the following table | surface is shown by "atomic%".
なお、上記Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、Ｘ線源をＭｇＫα（３５０Ｗ）とし、パスエネルギー：５８．５ｅＶ、測定間隔：０．１２５ｅＶ、試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ、分析エリアを約８００μｍφの条件下で定量分析を実施した。なお、定量精度について、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）の定量精度は±２％、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）の定量精度は±１％ある。 In the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the X-ray source is MgKα (350 W), the path energy is 58.5 eV, the measurement interval is 0.125 eV, the photoelectron extraction angle with respect to the sample surface is 45 deg, and the analysis area is about Quantitative analysis was performed under the condition of 800 μmφ. As for the quantitative accuracy, the quantitative accuracy of N / (Ti + Al + N) is ± 2%, and the quantitative accuracy of Al / (Ti + Al) is ± 1%.
（２）比抵抗測定
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部７について、４端子法にて２５℃での比抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
（３）Ｂ定数測定
膜評価用素子１２１の２５℃及び５０℃の抵抗値を恒温槽内で測定し、２５℃と５０℃との抵抗値よりＢ定数を算出した。その結果を表１に示す。
(2) Specific resistance measurement About the thin film thermistor part 7 obtained by the reactive sputtering method, the specific resistance in 25 degreeC was measured by the 4 terminal method. The results are shown in Table 1.
(3) B constant measurement The resistance value of 25 degreeC and 50 degreeC of the element 121 for film | membrane evaluation was measured within the thermostat, and B constant was computed from the resistance value of 25 degreeC and 50 degreeC. The results are shown in Table 1.
なお、本発明におけるＢ定数算出方法は、上述したように２５℃と５０℃とのそれぞれの抵抗値から以下の式によって求めている。
Ｂ定数（Ｋ）＝ｌｎ（Ｒ２５／Ｒ５０）／（１／Ｔ２５−１／Ｔ５０）
Ｒ２５（Ω）：２５℃における抵抗値
Ｒ５０（Ω）：５０℃における抵抗値
Ｔ２５（Ｋ）：２９８．１５Ｋ ２５℃を絶対温度表示
Ｔ５０（Ｋ）：３２３．１５Ｋ ５０℃を絶対温度表示
In addition, the B constant calculation method in this invention is calculated | required by the following formula | equation from each resistance value of 25 degreeC and 50 degreeC as mentioned above.
B constant (K) = ln (R25 / R50) / (1 / T25-1 / T50)
R25 (Ω): resistance value at 25 ° C. R50 (Ω): resistance value at 50 ° C. T25 (K): 298.15K 25 ° C. is displayed as an absolute temperature T50 (K): 323.15K 50 ° C. is displayed as an absolute temperature
これらの結果からわかるように、ＴｉｘＡｌｙＮｚの組成比が図３に示す３元系の三角図において、点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる領域内、すなわち、「０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１」となる領域内の実施例全てで、抵抗率：１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数：１５００Ｋ以上のサーミスタ特性が達成されている。 As can be seen from these results, the composition ratio of Ti x Al y N z is within the region surrounded by the points A, B, C, and D in the ternary triangular diagram shown in FIG. ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1 ”, thermistor characteristics of resistivity: 100 Ωcm or more, B constant: 1500 K or more Has been achieved.
上記結果から２５℃での抵抗率とＢ定数との関係を示したグラフを、図１１に示す。また、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比とＢ定数との関係を示したグラフを、図１２に示す。これらのグラフから、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．７〜０．９５、かつ、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．４〜０．５の領域で、結晶系が六方晶のウルツ鉱型の単一相であるものは、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ以上、Ｂ定数が１５００Ｋ以上の高抵抗かつ高Ｂ定数の領域が実現できている。なお、図１２のデータにおいて、同じＡｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比に対して、Ｂ定数がばらついているのは、結晶中の窒素量が異なるためである。 FIG. 11 shows a graph showing the relationship between the resistivity at 25 ° C. and the B constant based on the above results. A graph showing the relationship between the Al / (Ti + Al) ratio and the B constant is shown in FIG. From these graphs, in the region of Al / (Ti + Al) = 0.7 to 0.95 and N / (Ti + Al + N) = 0.4 to 0.5, the wurtzite single crystal system is hexagonal. As a phase, a high resistance and high B constant region having a specific resistance value at 25 ° C. of 100 Ωcm or more and a B constant of 1500 K or more can be realized. In the data of FIG. 12, the B constant varies for the same Al / (Ti + Al) ratio because the amount of nitrogen in the crystal is different.
表１に示す比較例３〜１２は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域であり、結晶系は立方晶のＮａＣｌ型となっている。また、比較例１２（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６７）では、ＮａＣｌ型とウルツ鉱型とが共存している。このように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７の領域では、２５℃における比抵抗値が１００Ωｃｍ未満、Ｂ定数が１５００Ｋ未満であり、低抵抗かつ低Ｂ定数の領域であった。 Comparative Examples 3 to 12 shown in Table 1 are regions of Al / (Ti + Al) <0.7, and the crystal system is a cubic NaCl type. In Comparative Example 12 (Al / (Ti + Al) = 0.67), the NaCl type and the wurtzite type coexist. Thus, in the region of Al / (Ti + Al) <0.7, the specific resistance value at 25 ° C. was less than 100 Ωcm, the B constant was less than 1500 K, and the region was low resistance and low B constant.
表１に示す比較例１，２は、Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）が４０％に満たない領域であり、金属が窒化不足の結晶状態になっている。この比較例１，２は、ＮａＣｌ型でも、ウルツ鉱型でもない、非常に結晶性の劣る状態であった。また、これら比較例では、Ｂ定数及び抵抗値が共に非常に小さく、金属的振舞いに近いことがわかった。 Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 1 are regions where N / (Ti + Al + N) is less than 40%, and the metal is in a crystalline state with insufficient nitriding. In Comparative Examples 1 and 2, neither the NaCl type nor the wurtzite type was in a state of very poor crystallinity. Further, in these comparative examples, it was found that both the B constant and the resistance value were very small and close to the metallic behavior.
（４）薄膜Ｘ線回折（結晶相の同定）
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部７を、視斜角入射Ｘ線回折（Grazing Incidence X-ray Diffraction）により、結晶相を同定した。この薄膜Ｘ線回折は、微小角Ｘ線回折実験であり、管球をＣｕとし、入射角を１度とすると共に２θ＝２０〜１３０度の範囲で測定した。
(4) Thin film X-ray diffraction (identification of crystal phase)
The crystal phase of the thin film thermistor portion 7 obtained by the reactive sputtering method was identified by grazing incidence X-ray diffraction (Grazing Incidence X-ray Diffraction). This thin film X-ray diffraction was a small angle X-ray diffraction experiment, and the measurement was performed in the range of 2θ = 20 to 130 degrees with Cu as the tube, the incident angle of 1 degree.
その結果、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７の領域においては、ウルツ鉱型相（六方晶、ＡｌＮと同じ相）であり、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．６５の領域においては、ＮａＣｌ型相（立方晶、ＴｉＮと同じ相）であった。また、０．６５＜ Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＜０．７においては、ウルツ鉱型相とＮａＣｌ型相との共存する結晶相であった。 As a result, in the region of Al / (Ti + Al) ≧ 0.7, it is a wurtzite type phase (hexagonal crystal, the same phase as AlN), and in the region of Al / (Ti + Al) <0.65, the NaCl type phase. (Cubic, same phase as TiN). Further, in the case of 0.65 <Al / (Ti + Al) <0.7, it was a crystal phase in which the wurtzite type phase and the NaCl type phase coexist.
このようにＴｉＡｌＮ系においては、高抵抗かつ高Ｂ定数の領域は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）≧０．７のウルツ鉱型相に存在している。なお、本発明の実施例では、不純物相は確認されておらず、ウルツ鉱型の単一相である。
なお、表１に示す比較例１，２は、上述したように結晶相がウルツ鉱型相でもＮａＣｌ型相でもなく、本試験においては同定できなかった。また、これらの比較例は、ＸＲＤのピーク幅が非常に広いことから、非常に結晶性の劣る材料であった。これは、電気特性により金属的振舞いに近いことから、窒化不足の金属相になっていると考えられる。
Thus, in the TiAlN system, a region having a high resistance and a high B constant exists in the wurtzite phase of Al / (Ti + Al) ≧ 0.7. In the examples of the present invention, the impurity phase is not confirmed, and is a wurtzite type single phase.
In Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 1, the crystal phase was neither the wurtzite type phase nor the NaCl type phase as described above, and could not be identified in this test. Further, these comparative examples were materials with very poor crystallinity because the peak width of XRD was very wide. This is considered to be a metal phase with insufficient nitriding because it is close to a metallic behavior due to electrical characteristics.
次に、本発明の実施例は全てウルツ鉱型相の膜であり、配向性が強いことから、Ｓｉ基板Ｓ上に垂直な方向（膜厚方向）の結晶軸においてａ軸配向性が強いか、ｃ軸配向性が強いかであるかについて、ＸＲＤを用いて調査した。この際、結晶軸の配向性を調べるために、（１００）（ａ軸配向を示すミラー指数）と（００２）（ｃ軸配向を示すミラー指数）とのピーク強度比を測定した。 Next, all the examples of the present invention are films of wurtzite type phase, and since the orientation is strong, is the a-axis orientation strong in the crystal axis in the direction perpendicular to the Si substrate S (film thickness direction)? Whether the c-axis orientation is strong was investigated using XRD. At this time, in order to investigate the orientation of the crystal axis, the peak intensity ratio between (100) (Miller index indicating a-axis orientation) and (002) (Miller index indicating c-axis orientation) was measured.
その結果、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ未満で成膜された実施例は、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強く、ａ軸配向性よりｃ軸配向性が強い膜であった。一方、スパッタガス圧が０．６７Ｐａ以上で成膜された実施例は、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強く、ｃ軸配向よりａ軸配向が強い材料であった。
なお、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、同様にウルツ鉱型相の単一相が形成されていることを確認している。また、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、配向性は変わらないことを確認している。
As a result, the example in which the film was formed at a sputtering gas pressure of less than 0.67 Pa was a film having a (002) strength much stronger than (100) and a stronger c-axis orientation than a-axis orientation. . On the other hand, the example in which the film was formed at a sputtering gas pressure of 0.67 Pa or higher was a material having a (100) strength much stronger than (002) and a a-axis orientation stronger than the c-axis orientation.
In addition, even if it formed into a film on the polyimide film on the same film-forming conditions, it confirmed that the single phase of the wurtzite type phase was formed similarly. Moreover, even if it forms into a film on a polyimide film on the same film-forming conditions, it has confirmed that orientation does not change.
ｃ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１３に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（１００）よりも（００２）の強度が非常に強くなっている。
また、ａ軸配向が強い実施例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１４に示す。この実施例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３（ウルツ鉱型、六方晶）であり、入射角を１度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、（００２）よりも（１００）の強度が非常に強くなっている。
An example of an XRD profile of an example with strong c-axis orientation is shown in FIG. In this example, Al / (Ti + Al) = 0.84 (wurtzite type, hexagonal crystal), and the incident angle was 1 degree. As can be seen from this result, in this example, the intensity of (002) is much stronger than (100).
Moreover, an example of the XRD profile of an Example with a strong a-axis orientation is shown in FIG. In this example, Al / (Ti + Al) = 0.83 (wurtzite type, hexagonal crystal), and the incident angle was measured as 1 degree. As can be seen from this result, in this example, the intensity of (100) is much stronger than (002).
さらに、この実施例について、入射角を０度として、対称反射測定を実施した。なお、グラフ中（＊）は装置由来のピークであり、サンプル本体のピーク、もしくは、不純物相のピークではないことを確認している（なお、対称反射測定において、そのピークが消失していることからも装置由来のピークであることがわかる。）。 Further, for this example, the symmetric reflection measurement was performed with the incident angle set to 0 degree. In the graph, (*) is a peak derived from the device, and it is confirmed that it is not the peak of the sample body or the peak of the impurity phase (in addition, the peak disappears in the symmetric reflection measurement). It can be seen that the peak is derived from the apparatus.)
なお、比較例のＸＲＤプロファイルの一例を、図１５に示す。この比較例は、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．６（ＮａＣｌ型、立方晶）であり、入射角を１度として測定した。ウルツ鉱型（空間群Ｐ６３ｍｃ（Ｎｏ．１８６））として指数付けできるピークは検出されておらず、ＮａＣｌ型単独相であることを確認した。 An example of the XRD profile of the comparative example is shown in FIG. In this comparative example, Al / (Ti + Al) = 0.6 (NaCl type, cubic crystal), and the incident angle was 1 degree. A peak that could be indexed as a wurtzite type (space group P6 3 mc (No. 186)) was not detected, and it was confirmed to be a NaCl type single phase.
次に、ウルツ鉱型材料である本発明の実施例に関して、さらに結晶構造と電気特性との相関を詳細に比較した。
表２及び図１６に示すように、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比がほぼ同じ比率のものに対し、基板面に垂直方向の配向度の強い結晶軸がｃ軸である材料（実施例５，７，８，９）とａ軸である材料（実施例１９，２０，２１）とがある。
Next, the correlation between the crystal structure and the electrical characteristics was further compared in detail for the example of the present invention which is a wurtzite type material.
As shown in Table 2 and FIG. 16, a material in which the crystal axis having a strong degree of orientation in the direction perpendicular to the substrate surface is the c-axis for the Al / (Ti + Al) ratio is substantially the same (Examples 5, 7, 8, 9) and a material which is a-axis (Examples 19, 20, 21).
これら両者を比較すると、Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）比が同じであると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、Ｂ定数が１００Ｋ程度大きいことがわかる。また、Ｎ量（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））に着目すると、ａ軸配向が強い材料よりもｃ軸配向が強い材料の方が、窒素量がわずかに大きいことがわかる。理想的な化学量論比：Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ）＝０．５であることから、ｃ軸配向が強い材料のほうが、窒素欠陥量が少なく理想的な材料であることがわかる。 Comparing the two, it can be seen that when the Al / (Ti + Al) ratio is the same, the material having a strong c-axis orientation has a larger B constant by about 100K than the material having a strong a-axis orientation. Further, when focusing attention on the N amount (N / (Ti + Al + N)), it can be seen that the material having a strong c-axis orientation has a slightly larger amount of nitrogen than the material having a strong a-axis orientation. Since the ideal stoichiometric ratio: N / (Ti + Al + N) = 0.5, it can be seen that a material with a strong c-axis orientation is an ideal material with a small amount of nitrogen defects.
＜結晶形態の評価＞
次に、薄膜サーミスタ部７の断面における結晶形態を示す一例として、熱酸化膜付きＳｉ基板Ｓ上に成膜された実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８４，ウルツ鉱型、六方晶、ｃ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部７における断面ＳＥＭ写真を、図１７に示す。また、別の実施例（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）＝０．８３，ウルツ鉱型六方晶、ａ軸配向性が強い）の薄膜サーミスタ部７における断面ＳＥＭ写真を、図１８に示す。
これら実施例のサンプルは、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断したものを用いている。また、４５°の角度で傾斜観察した写真である。
<Evaluation of crystal form>
Next, as an example showing the crystal form in the cross section of the thin film thermistor portion 7, an example (Al / (Ti + Al) = 0.84 wurtzite type, hexagonal crystal, formed on the Si substrate S with a thermal oxide film, FIG. 17 shows a cross-sectional SEM photograph of the thin film thermistor portion 7 having a strong c-axis orientation. Moreover, the cross-sectional SEM photograph in the thin film thermistor part 7 of another Example (Al / (Ti + Al) = 0.83, a wurtzite type hexagonal crystal and strong a-axis orientation) is shown in FIG.
The samples of these examples are those obtained by cleaving the Si substrate S. Moreover, it is the photograph which observed the inclination at an angle of 45 degrees.
これらの写真からわかるように、いずれの実施例も高密度な柱状結晶で形成されている。すなわち、ｃ軸配向が強い実施例及びａ軸配向が強い実施例の共に基板面に垂直な方向に柱状の結晶が成長している様子が観測されている。なお、柱状結晶の破断は、Ｓｉ基板Ｓをへき開破断した際に生じたものである。 As can be seen from these photographs, all the examples are formed of high-density columnar crystals. That is, it has been observed that columnar crystals grow in a direction perpendicular to the substrate surface in both the embodiment with strong c-axis orientation and the embodiment with strong a-axis orientation. Note that the breakage of the columnar crystal occurred when the Si substrate S was cleaved.
＜膜の耐熱試験評価＞
表１に示す実施例及び比較例において、大気中，１２５℃,１０００ｈの耐熱試験前後における抵抗値及びＢ定数を評価した。その結果を表３に示す。なお、比較として従来のＴａ−Ａｌ−Ｎ系材料による比較例も同様に評価した。
これらの結果からわかるように、Ａｌ濃度及び窒素濃度は異なるものの、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系である比較例と同じＢ定数で比較したとき、耐熱試験前後における電気特性変化でみたときの耐熱性は、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系のほうが優れている。なお、実施例５，８はｃ軸配向が強い材料であり、実施例２１，２４はａ軸配向が強い材料である。両者を比較すると、ｃ軸配向が強い実施例の方がａ軸配向が強い実施例に比べて僅かに耐熱性が向上している。
<Evaluation of heat resistance test of membrane>
In Examples and Comparative Examples shown in Table 1, resistance values and B constants before and after a heat resistance test at 125 ° C. and 1000 h in the atmosphere were evaluated. The results are shown in Table 3. For comparison, comparative examples using conventional Ta—Al—N materials were also evaluated in the same manner.
As can be seen from these results, although the Al concentration and the nitrogen concentration are different, when compared with the same B constant as that of the comparative example which is a Ta-Al-N system, the heat resistance when viewed in terms of changes in electrical characteristics before and after the heat resistance test is The Ti-Al-N system is superior. Examples 5 and 8 are materials with strong c-axis orientation, and Examples 21 and 24 are materials with strong a-axis orientation. When both are compared, the heat resistance of the example with a strong c-axis orientation is slightly improved as compared with the example with a strong a-axis orientation.
なお、Ｔａ−Ａｌ−Ｎ系材料では、Ｔａのイオン半径がＴｉやＡｌに比べて非常に大きいため、高濃度Ａｌ領域でウルツ鉱型相を作製することができない。ＴａＡｌＮ系がウルツ鉱型相でないがゆえ、ウルツ鉱型相のＴｉ−Ａｌ−Ｎ系の方が、耐熱性が良好であると考えられる。 Note that, in the Ta—Al—N-based material, the ionic radius of Ta is much larger than that of Ti or Al, and thus a wurtzite type phase cannot be produced in a high concentration Al region. Since the TaAlN system is not a wurtzite type phase, the Ti-Al-N system of the wurtzite type phase is considered to have better heat resistance.
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
１…温度センサ、２…リードフレーム、２ａ…リードフレームの先端部、２ｂ…先端部のうち絶縁性フィルムを越えた部分、３…センサ部、４…保持部、６…絶縁性フィルム、６ａ…絶縁性フィルムの両端部、７…薄膜サーミスタ部、８…櫛型電極、８ａ…櫛部、９…パターン電極、１０…保護膜、１１…絶縁性保護シート、１２…支持用フレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Temperature sensor, 2 ... Lead frame, 2a ... Lead part of lead frame, 2b ... Part beyond insulating film in tip part, 3 ... Sensor part, 4 ... Holding part, 6 ... Insulating film, 6a ... Both ends of the insulating film, 7 ... Thin film thermistor, 8 ... Comb-shaped electrode, 8a ... Comb, 9 ... Pattern electrode, 10 ... Protective film, 11 ... Insulating protective sheet, 12 ... Support frame
Claims (4)
前記センサ部が、帯状の絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの表面の中央部にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一端が前記一対の櫛型電極に接続されていると共に他端が前記絶縁性フィルムの両端部で前記一対のリードフレームに接触して接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、
前記絶縁性フィルムが、前記一対の支持用フレームの下面間を介して前記一対のリードフレームの上面間に架け渡され、
前記一対のリードフレームの先端部が、基端側に折り返されて前記絶縁性フィルムの両端部上に重ねられ、前記一対のリードフレームの先端部と基端側とが前記絶縁性フィルムの両端部を挟んでかしめられ、
前記一対の支持用フレームの先端側が、前記薄膜サーミスタ部を間に配して延在していることを特徴とする温度センサ。 A pair of lead frames, a sensor part connected to the pair of lead frames, an insulating holding part fixed to the pair of lead frames to hold the lead frame, and a base end side fixed to the holding part A pair of support frames extending in parallel to the lead frame inside the pair of lead frames,
The sensor section includes a strip-shaped insulating film, a thin film thermistor section patterned with a thermistor material at the center of the surface of the insulating film, and a plurality of comb sections above and below the thin film thermistor section. A pair of comb-shaped electrodes that are formed to face each other, one end of which is connected to the pair of comb-shaped electrodes, and the other end contacts the pair of lead frames at both ends of the insulating film. And a pair of pattern electrodes that are connected and patterned on the surface of the insulating film,
The insulating film is bridged between the upper surfaces of the pair of lead frames via the lower surfaces of the pair of supporting frames;
The distal end portions of the pair of lead frames are folded back to the proximal end side and overlapped on both end portions of the insulating film, and the distal end portion and the proximal end side of the pair of lead frames are both end portions of the insulating film. Squeezed across,
A temperature sensor, wherein the distal ends of the pair of support frames extend with the thin film thermistor portion interposed therebetween.
前記一対のリードフレームの先端部が、前記絶縁性フィルムを越えて折り返され、
前記先端部のうち前記絶縁性フィルムを越えた部分とこの部分が重なった前記リードフレームの基端側の部分とが溶接されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1,
The tip portions of the pair of lead frames are folded over the insulating film,
A temperature sensor characterized in that a portion of the distal end portion beyond the insulating film and a portion on the proximal end side of the lead frame where the portion overlaps are welded.
前記センサ部の表面が、折り返された前記一対のリードフレームの先端部と前記一対の支持用フレームの先端部と共に絶縁性保護シートで覆われていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
The temperature sensor, wherein the surface of the sensor part is covered with an insulating protective sheet together with the front ends of the pair of lead frames folded back and the front ends of the pair of support frames.
前記薄膜サーミスタ部が、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to any one of claims 1 to 3,
The thin film thermistor portion is a metal nitride represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1) A temperature sensor characterized in that its crystal structure is a hexagonal wurtzite single phase.
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