JP6007572B2 - Wafer processing tape - Google Patents

Description

本発明は、ウェハ加工用テープに関する。   The present invention relates to a wafer processing tape.

半導体チップの製造工程として、半導体ウェハを個々のチップに分離するダイシング工程、及び分離したチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング工程がある。スタックドパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている。ウェハ加工用テープには、ウェハへの貼り付け時や、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け時の作業性を考慮し、プリカット加工が施されたものがある。   Semiconductor chip manufacturing processes include a dicing process for separating a semiconductor wafer into individual chips and a die bonding process for bonding the separated chips to a lead frame, a package substrate, and the like. In a stacked package, semiconductor chips may be stacked and bonded together in a die bonding process. In such a semiconductor chip manufacturing process, introduction of a wafer processing tape that can be used together for fixing a semiconductor wafer in a dicing process or bonding a semiconductor chip to a lead frame or the like in a die bonding process has been promoted. Some wafer processing tapes have been pre-cut in consideration of workability when attached to a wafer or when attached to a ring frame during dicing.

特開２００６−１５６７５３号公報JP 2006-156753 A 特開２００５−２９１３２２号公報JP 2005-291322 A

以上のような形態を有するウェハ加工用テープをウェハ及びウェハリングに貼り付けるにあたっては、例えばラミネータが用いられる。しかしながら、ウェハ加工用テープは、伸び易い特性を有しているため、ラミネータで貼り付けを行う際に張力が過剰に加わると、ラミネート後に皺が発生したり、ラベル部の剥がれが発生したりするおそれがある。このため、ダイシング工程におけるダイシフト（デバイス間の配列ずれ）の発生が問題となることがあった。   When the wafer processing tape having the above-described form is attached to the wafer and the wafer ring, for example, a laminator is used. However, since the tape for wafer processing has a characteristic that it is easy to stretch, if excessive tension is applied when applying with a laminator, wrinkles may occur after laminating or the label part may be peeled off. There is a fear. For this reason, the occurrence of die shift (arrangement between devices) in the dicing process sometimes becomes a problem.

また、ウェハ加工用テープをウェハ及びウェハリングに貼り付ける際、使用するウェハ加工用テープの特性に適した条件にてラミネートがなされているか否かを判定するため、ウェハ加工用テープにマーキングを施す場合がある。このようなテープとしては、例えば特許文献１，２に記載されたものがある。特許文献１では、ウェハ加工用テープのラベル部に製品識別用の印字が施されている。しかしながら、特許文献１，２のウェハ加工用テープのマーキングの印字位置では、ラミネート時の張力による変形具合が分かりにくく、ラミネートが最適な条件でなされているか否かの判定は困難と考えられる。   Also, when affixing wafer processing tape to a wafer and wafer ring, marking is performed on the wafer processing tape to determine whether or not the lamination is performed under conditions suitable for the characteristics of the wafer processing tape to be used. There is a case. Examples of such a tape include those described in Patent Documents 1 and 2. In Patent Literature 1, product identification printing is performed on a label portion of a wafer processing tape. However, at the printing position of the marking on the wafer processing tape of Patent Documents 1 and 2, it is difficult to determine the deformation due to the tension during lamination, and it is considered difficult to determine whether or not the lamination is performed under optimum conditions.

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別でき、ダイシフトの発生を抑制できるウェハ加工用テープを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides a wafer processing tape that can easily determine whether or not lamination is performed under conditions suitable for characteristics and can suppress the occurrence of die shift. With the goal.

上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす離型フィルムと、半導体ウェハの形状に対応して離型フィルムの一面側に所定の間隔で設けられた接着剤層と、接着剤層上に設けられた粘着剤層、及び粘着剤層上に設けられた基材フィルムとからなる粘着フィルムと、を備え、粘着フィルムは、接着剤層の縁部よりも外側に張り出して離型フィルムに接すると共に、ウェハリングに貼り付けられる貼付領域が設定された張出領域を有し、貼付領域において、基材フィルムの表面側には、テープの長手方向に対する最大長さをＡ、テープの幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域にマーキングが設けられていることを特徴としている。   In order to solve the above-mentioned problems, a wafer processing tape according to the present invention is a long wafer processing tape used for die bonding of a semiconductor chip obtained by dicing a semiconductor wafer and dicing the semiconductor wafer. A release film to be formed, an adhesive layer provided at a predetermined interval on one surface side of the release film corresponding to the shape of the semiconductor wafer, an adhesive layer provided on the adhesive layer, and an adhesive layer An adhesive film comprising a base film provided on the adhesive film, and the adhesive film projects outward from the edge of the adhesive layer to come into contact with the release film, and a sticking area to be attached to the wafer ring is set. In the pasting area, the surface side of the base film has a maximum length A in the tape longitudinal direction and a maximum length in the tape width direction. When a, A is 2mm or more 10mm or less, and B is characterized in that the marking area to be 2mm or more 20mm or less is provided.

このウェハ加工用テープでは、ラミネート時に最も張力がかかる貼付領域において、テープの長手方向に対する最大長さをＡ、テープの幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域にマーキングが設けられている。これにより、マーキングの形状の変化を目視によって容易に判別することが可能となる。したがって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別でき、後続のダイシング工程におけるダイシフトの発生を抑制できる。   In this tape for wafer processing, in the affixing region where the tension is most applied during lamination, when A is the maximum length in the longitudinal direction of the tape and B is the maximum length in the width direction of the tape, A is 2 mm or more and 10 mm or less, And the marking is provided in the area | region where B becomes 2 mm or more and 20 mm or less. As a result, it is possible to easily determine the change in the shape of the marking visually. Therefore, it can be easily determined whether or not the lamination is performed under conditions suitable for the characteristics, and the occurrence of die shift in the subsequent dicing process can be suppressed.

また、マーキングは、テープの長手方向に沿って複数設けられていることが好ましい。これにより、マーキングの形状の変化を目視で一層容易に判別できる。   Moreover, it is preferable that multiple markings are provided along the longitudinal direction of the tape. Thereby, the change of the shape of marking can be discriminated more easily visually.

また、マーキングは、貼付領域におけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応して設けられていることが好ましい。これにより、ウェハ加工用テープのラミネートが均一になされたか否かを容易に判別できる。   Moreover, it is preferable that marking is provided corresponding to the start point part and end point part of the laminate in a sticking area | region. Thereby, it is possible to easily determine whether or not the wafer processing tape is uniformly laminated.

また、マーキングは、０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下の太さの線の組み合わせからなることが好ましい。このような線状のマーキングを用いることにより、マーキングの形状の変化を目視で一層容易に判別できる。また、ラミネータ装置への影響も抑えられる。   The marking is preferably composed of a combination of lines having a thickness of 0.2 mm or more and 2 mm or less. By using such a linear marking, a change in the shape of the marking can be more easily discriminated visually. Further, the influence on the laminator device can be suppressed.

また、マーキングは、スクリーン印刷法、スタンプ法、及びインクジェット法のいずれかの方法によって設けられていることが好ましい。これにより、長尺のウェハ加工用テープに対して連続的にマーキングを形成できる。特に、インクジェット法では、所望の形状のマーキングを簡単に形成できる。   The marking is preferably provided by any one of a screen printing method, a stamp method, and an ink jet method. Thereby, marking can be continuously formed on a long wafer processing tape. In particular, in the ink jet method, a marking having a desired shape can be easily formed.

本発明によれば、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別でき、ダイシフトの発生を抑制できる。   According to the present invention, it is possible to easily determine whether or not lamination is performed under conditions suitable for characteristics, and it is possible to suppress the occurrence of die shift.

本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view showing one embodiment of a tape for wafer processing concerning the present invention. 図１に示したウェハ加工用テープの要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of the tape for wafer processing shown in FIG. 図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。It is the III-III sectional view taken on the line in FIG. ウェハ加工用テープを使用した半導体チップの製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the semiconductor chip which uses the tape for wafer processing. 図４の後続の工程を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 4. 図５の後続の工程を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 5. マーキング配置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of marking arrangement | positioning. マーキング配置の別の変形例を示す図である。It is a figure which shows another modification of marking arrangement | positioning. マーキング形状の例を示す図である。It is a figure which shows the example of a marking shape.

以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープの好適な実施形態について詳細に説明する。
［ウェハ加工用テープの構成］ Hereinafter, a preferred embodiment of a wafer processing tape according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[Configuration of wafer processing tape]

図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す斜視図である。また、図２は、その要部拡大図であり、図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。ウェハ加工用テープ１は、例えば半導体チップの製造工程において、ダイシング工程での半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程での半導体チップとリードフレーム等との接着に用いられる長尺のテープである。ウェハ加工用テープ１は、図１に示すように、離型フィルム２の一面側に、プリカット加工された接着剤層３及び粘着フィルム４を備え、通常はロール状に巻かれた状態となっている。   FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a wafer processing tape according to the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of a main part thereof, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. The wafer processing tape 1 is, for example, a long tape used for fixing a semiconductor wafer in a dicing process or bonding a semiconductor chip to a lead frame or the like in a die bonding process in a semiconductor chip manufacturing process. As shown in FIG. 1, the wafer processing tape 1 includes a pre-cut adhesive layer 3 and an adhesive film 4 on one side of the release film 2, and is usually in a state of being wound in a roll shape. Yes.

接着剤層３は、半導体ウェハ１１（図４参照）の形状に対して円形に形成され、ウェハ加工用テープ１の長手方向の中心線に沿って所定の間隔で配列されている。接着剤層３の厚さは適宜設定されるが、例えば５μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。一方、粘着フィルム４は、図３に示すように、粘着剤層５と、基材フィルム６とによって２層構造となっており、粘着剤層５側が離型フィルム２側を向くように配置されている。粘着剤層５の厚さは、例えば５μｍ〜４００μｍ程度であることが好ましく、基材フィルム６の厚さは、例えば５０μｍ〜１５０μｍ程度であることが好ましい。   The adhesive layer 3 is formed in a circular shape with respect to the shape of the semiconductor wafer 11 (see FIG. 4), and is arranged at a predetermined interval along the longitudinal center line of the wafer processing tape 1. Although the thickness of the adhesive bond layer 3 is set suitably, it is preferable that it is about 5 micrometers-100 micrometers, for example. On the other hand, as shown in FIG. 3, the pressure-sensitive adhesive film 4 has a two-layer structure including a pressure-sensitive adhesive layer 5 and a base film 6, and is arranged so that the pressure-sensitive adhesive layer 5 side faces the release film 2 side. ing. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is preferably about 5 μm to 400 μm, for example, and the thickness of the base film 6 is preferably about 50 μm to 150 μm, for example.

粘着フィルム４は、接着剤層３を覆う円形のラベル部７と、ラベル部７から離間して離型フィルム２の幅方向の両端部にそれぞれ配置された縁部８，８とを有している。ラベル部７は、図２に示すように、接着剤層３よりも一回り大径の円形をなし、接着剤層３と同心になるように接着剤層３上に積層されている。ラベル部７の縁部は、接着剤層３よりも外側に張り出す張出領域となっており、接着剤層３を介さずに離型フィルム２の表面に付着した状態となっている。   The pressure-sensitive adhesive film 4 includes a circular label portion 7 that covers the adhesive layer 3, and edges 8 and 8 that are spaced from the label portion 7 and disposed at both ends in the width direction of the release film 2. Yes. As shown in FIG. 2, the label portion 7 has a circular shape that is slightly larger in diameter than the adhesive layer 3 and is laminated on the adhesive layer 3 so as to be concentric with the adhesive layer 3. The edge portion of the label portion 7 is an overhanging region that projects outward from the adhesive layer 3 and is attached to the surface of the release film 2 without the adhesive layer 3 interposed therebetween.

この張出領域の外縁部分には、図２に示すように、後述のウェハリング１２に貼り付けられる貼付領域Ｐが設定されている。また、貼付領域Ｐにおいて、基材フィルム６側には、マーキング９が印字されている。マーキング９は、接着剤層３の両側において、貼付領域Ｐにおけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応するように、ウェハ加工用テープ１の長手方向の中心線に一致して設けられている。   As shown in FIG. 2, a sticking area P to be attached to a wafer ring 12 to be described later is set in the outer edge portion of the overhang area. In the pasting region P, a marking 9 is printed on the base film 6 side. The marking 9 is provided on both sides of the adhesive layer 3 so as to correspond to the center line in the longitudinal direction of the wafer processing tape 1 so as to correspond to the start point portion and end point portion of the laminate in the pasting region P.

マーキング９は、ウェハ加工用テープ１の長手方向に対する最大長さをＡ、幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域内で、例えばウェハ加工用テープ１の幅方向に延在している。このようなマーキング９は、例えばスクリーン印刷法、スタンプ法、及びインクジェット法などにより形成される。これにより、長尺のウェハ加工用テープ１に対し、ロールｔｏロールにて連続的にマーキングを形成できる。特に、インクジェット法では、所望の形状のマーキングを簡単に形成できる。
［ウェハ加工用テープの構成素材］ The marking 9 is in an area where A is 2 mm or more and 10 mm or less and B is 2 mm or more and 20 mm or less, where A is the maximum length in the longitudinal direction of the wafer processing tape 1 and B is the maximum length in the width direction. For example, it extends in the width direction of the wafer processing tape 1. Such a marking 9 is formed by, for example, a screen printing method, a stamp method, an ink jet method, or the like. Thereby, marking can be continuously formed on the long wafer processing tape 1 by roll-to-roll. In particular, in the ink jet method, a marking having a desired shape can be easily formed.
[Constituent material of wafer processing tape]

離型フィルム２は、例えばヤング率が２Ｇｐａ以上となるように素材及び厚さが調整されている。こうすることで、ウェハ加工用テープ１を巻く際の離型フィルム２の伸びを防ぐことができる。離型フィルム２の素材には、公知の材料を用いることができるが、例示するのであれば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリ半芳香族エステルフィルム、全芳香族ポリエステルフィルム、液晶性芳香族ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムなどが挙げられる。   The material and thickness of the release film 2 are adjusted so that the Young's modulus is 2 Gpa or more, for example. By doing so, it is possible to prevent elongation of the release film 2 when the wafer processing tape 1 is wound. A known material can be used as the material of the release film 2. For example, poly semi-aromatic ester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, wholly aromatic polyester films, Examples thereof include a liquid crystalline aromatic polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a polyamideimide film.

接着剤層３は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びエポキシ基含有アクリル共重合体を必須成分として構成されている。このような組成を用いると、接着性、電極の埋め込み性、ワイヤ埋め込み性などを好適に確保できる。また、ダイボンディングの際、低温での接着や短時間での硬化が可能となる。さらに、封止剤でモールドした後の信頼性にも優れたものとなる。   The adhesive layer 3 is composed of an epoxy resin, a phenol resin, and an epoxy group-containing acrylic copolymer as essential components. When such a composition is used, adhesiveness, electrode embedding property, wire embedding property, etc. can be suitably secured. Further, during die bonding, bonding at a low temperature and curing in a short time are possible. Furthermore, the reliability after molding with a sealant is also excellent.

エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol. A novolak type epoxy resin, diglycidyl etherified product of biphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, diglycidyl etherified product of phenol, diglycidyl etherified product of alcohol, and alkyl-substituted products, halides thereof, Examples thereof include bifunctional epoxy resins such as hydrogenated products and novolak type epoxy resins. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin and a heterocyclic ring-containing epoxy resin, can also be applied. These can be used alone or in combination of two or more. Furthermore, components other than the epoxy resin may be included as impurities within a range that does not impair the characteristics.

また、フェノール樹脂としては、例えばフェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるものであれば、特に制限はない。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。   The phenol resin is not particularly limited as long as it can be obtained by reacting, for example, a phenol compound and a xylylene compound which is a divalent linking group in the presence of a non-catalyst or an acid catalyst. Examples of the phenol compound used for the production of the phenol resin include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, p-ethylphenol, on-propylphenol, mn-propylphenol, p-n-propylphenol, o-isopropylphenol, m-isopropylphenol, p-isopropylphenol, on-butylphenol, mn-butylphenol, pn-butylphenol, o-isobutylphenol, m-isobutylphenol, p-isobutylphenol, octylphenol, nonylphenol, 2,4-xylenol, 2,6-xylenol, 3,5-xylenol, 2,4,6-trimethylphenol, resorcin, catechol, hydroquinone, 4 Methoxyphenol, o-phenylphenol, m-phenylphenol, p-phenylphenol, p-cyclohexylphenol, o-allylphenol, p-allylphenol, o-benzylphenol, p-benzylphenol, o-chlorophenol, p- Examples include chlorophenol, o-bromophenol, p-bromophenol, o-iodophenol, p-iodophenol, o-fluorophenol, m-fluorophenol, p-fluorophenol and the like. These phenol compounds may be used alone or in combination of two or more.

フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。   The following xylylene dihalide, xylylene diglycol and derivatives thereof can be used as the xylylene compound which is a divalent linking group used in the production of the phenol resin. Α, α′-dichloro-p-xylene, α, α′-dichloro-m-xylene, α, α′-dichloro-o-xylene, α, α′-dibromo-p-xylene, α, α ′ -Dibromo-m-xylene, α, α'-dibromo-o-xylene, α, α'-diiodo-p-xylene, α, α'-diiodo-m-xylene, α, α'-diiodo-o-xylene Α, α′-dihydroxy-p-xylene, α, α′-dihydroxy-m-xylene, α, α′-dihydroxy-o-xylene, α, α′-dimethoxy-p-xylene, α, α′- Dimethoxy-m-xylene, α, α'-dimethoxy-o-xylene, α, α'-diethoxy-p-xylene, α, α'-diethoxy-m-xylene, α, α'-diethoxy-o-xylene, α, α′-di-n-propoxy-p-xylene, α α'-di-n-propoxy-m-xylene, α, α'-di-n-propoxy-o-xylene, α, α'-di-isopropoxy-p-xylene, α, α'-diisopropoxy -M-xylene, α, α'-diisopropoxy-o-xylene, α, α'-di-n-butoxy-p-xylene, α, α'-di-n-butoxy-m-xylene, α, α'-di-n-butoxy-o-xylene, α, α'-diisobutoxy-p-xylene, α, α'-diisobutoxy-m-xylene, α, α'-diisobutoxy-o-xylene, α, α ' -Di-tert-butoxy-p-xylene, α, α'-di-tert-butoxy-m-xylene, α, α'-di-tert-butoxy-o-xylene. These can be used alone or in combination of two or more.

上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。   When the above phenol compound and xylylene compound are reacted, mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and polyphosphoric acid; organic compounds such as dimethyl sulfuric acid, diethyl sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and ethanesulfonic acid Carboxylic acids; Super strong acids such as trifluoromethane sulfonic acid; Strong acidic ion exchange resins such as alkane sulfonic acid type ion exchange resin; Super strong acidic ion exchange such as perfluoroalkane sulfonic acid type ion exchange resin Resins (trade name: Nafion, Nafion, manufactured by Du Pont); natural and synthetic zeolites; activated clay (acid clay), etc., and an xylylene compound that is substantially a raw material at 50 to 250 ° C. It is obtained by reacting until it disappears and the reaction composition becomes constant. Although the reaction time depends on the raw materials and the reaction temperature, it is generally about 1 to 15 hours. In practice, it may be determined while tracking the reaction composition by GPC (gel permeation chromatography) or the like.

エポキシ基含有アクリル共重合体とは、エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％含む。高い接着力を得るためには、０．５質量％以上が好ましく、６質量％以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）としては、−５０℃以上６０℃以下、更には−１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。   The epoxy group-containing acrylic copolymer is an epoxy group-containing acrylic copolymer containing 0.5 to 6% by mass of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate having an epoxy group. In order to obtain a high adhesive force, 0.5% by mass or more is preferable, and gelation can be suppressed if it is 6% by mass or less. The glass transition point (Tg) of the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably −50 ° C. or higher and 60 ° C. or lower, more preferably −10 ° C. or higher and 30 ° C. or lower.

官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５〜６質量％の共重合体比である。つまり、本実施形態において、エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５〜６質量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。   The amount of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as the functional group monomer is a copolymer ratio of 0.5 to 6% by mass. That is, in this embodiment, the epoxy group-containing acrylic copolymer is a copolymer obtained by using glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a raw material in an amount of 0.5 to 6% by mass with respect to the obtained copolymer. Say. The remainder can be a mixture of alkyl acrylate having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate or methyl methacrylate, alkyl methacrylate, and styrene or acrylonitrile. Among these, ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferable. The mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the Tg of the copolymer.

Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又はダイシングダイボンドシートのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）が挙げられる。   When Tg is less than −10 ° C., the tackiness of the adhesive layer or the dicing die bond sheet in the B-stage state tends to increase, and the handleability may deteriorate. There is no restriction | limiting in particular in a polymerization method, For example, pearl polymerization, solution polymerization, etc. are mentioned, A copolymer is obtained by these methods. Examples of such an epoxy group-containing acrylic copolymer include HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).

エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。   The weight average molecular weight of the epoxy group-containing acrylic copolymer is 100,000 or more, and adhesiveness and heat resistance are high in this range, preferably 300,000 to 3,000,000, and 500,000 to 2,000,000. Is more preferable. If it is 3 million or less, the flowability is lowered, and thus the possibility that the filling property to the wiring circuit formed on the support member to which the semiconductor element is attached is lowered as required can be reduced. In addition, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using the calibration curve by a standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC).

また接着剤層３の成分には、更に必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類などの硬化促進剤を添加してもよい。このような硬化促進剤としては、具体的には、例えば２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。   Moreover, you may add hardening accelerators, such as tertiary amine, imidazoles, and a quaternary ammonium salt, to the component of the adhesive bond layer 3 as needed. Specific examples of such a curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate. Etc., and these may be used alone or in combination of two or more.

さらに、接着剤層３の成分には、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。具体的には水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。   Furthermore, an inorganic filler can be added to the components of the adhesive layer 3 as necessary. Specifically, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, Amorphous silica etc. are mentioned, These can also use 1 type (s) or 2 or more types together.

粘着フィルム４のラベル部７及び縁部８は、例えば同一材料によって形成されている。こうすることで、プリカット加工において、粘接着フィルムを張り合わせる工程を簡略化できる。基材フィルム６には、ダイボンディング工程におけるエキスパンド時にフィルムの破断などが生じず、かつ均等に伸長する素材であり、ラミネート時の熱によって、収縮しない素材であれば特に制限なく用いることができる。   The label part 7 and the edge part 8 of the adhesive film 4 are made of the same material, for example. By carrying out like this, the process of sticking an adhesive film in a precut process can be simplified. The base film 6 can be used without particular limitation as long as the base film 6 is a material that does not rupture during expansion in the die bonding step and that extends evenly and does not shrink due to heat during lamination.

このような素材としては、例えば結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂や、これらに可塑剤を混合した混合物、また、電子線照射により架橋を施した硬化物などが挙げられる。   Examples of such materials include crystalline polypropylene, amorphous polypropylene, high-density polyethylene, medium-density polyethylene, low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, low-density linear polyethylene, polybutene, polymethyl pentene, and other polyolefins, ethylene -Vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer Polyester, Polycarbonate, Polyimide, Polyetheretherketone, Polyimide, Polyetherimide, Polyamide, Polyaromatic polyamide, Polyphenylsulfide, Polyester, Polyurethane, Polyethylene terephthalate, Polyethylene naphthalate, etc. Mido (paper), glass, glass cloth, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulosic resin, silicone resin, a mixture of these with a plasticizer, and a cured product that has been crosslinked by electron beam irradiation Etc.

また、粘着剤層５としては、公知の材料が用いられ、感光性材料及び非感光性材料の両方とも使用可能である。また用途に応じて、感光性粘着剤層に予め紫外線を照射することで、粘着剤層の一部又は全部を硬化したものも使用することができる。このような粘着剤としては、例えばアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、天然ゴム系粘着剤、ブタジエン系粘着剤、ブタジエン共重合体系粘着剤、シリコーン系粘着剤、オレフィン系粘着剤などが挙げられる。   Moreover, a well-known material is used as the adhesive layer 5, and both a photosensitive material and a non-photosensitive material can be used. Moreover, what hardened | cured one part or all part of the adhesive layer by irradiating a photosensitive adhesive layer previously with an ultraviolet-ray according to a use can also be used. Examples of such adhesives include acrylic adhesives, urethane adhesives, natural rubber adhesives, butadiene adhesives, butadiene copolymer adhesives, silicone adhesives, and olefin adhesives. .

以上の構成を有するウェハ加工用テープ１を用いて半導体ウェハをダイシングする場合、ロール状のウェハ加工用テープ１を順次引き出しながら、離型フィルム２から接着剤層３及び粘着フィルム４のラベル部７のみを積層状態のまま剥がし、接着剤層３上に半導体ウェハ１１の裏面側を貼り付ける。   When a semiconductor wafer is diced using the wafer processing tape 1 having the above-described configuration, the label portion 7 of the adhesive layer 3 and the adhesive film 4 from the release film 2 while sequentially pulling out the roll-shaped wafer processing tape 1. Only the laminated state is peeled off, and the back side of the semiconductor wafer 11 is pasted on the adhesive layer 3.

次に、所定のラミネート装置を用いることにより、図４に示すように、ラベル部７の貼付領域Ｐにウェハリング１２を粘着固定する。このとき、ラミネート時にラベル部７にかかる張力によってマーキング９が湾曲形状に変形する。したがって、マーキング９の湾曲状態を確認することで、ラベル部７にかかる張力を目視で判別することが可能となる。   Next, by using a predetermined laminating apparatus, as shown in FIG. 4, the wafer ring 12 is adhesively fixed to the pasting area P of the label portion 7. At this time, the marking 9 is deformed into a curved shape by the tension applied to the label portion 7 during lamination. Therefore, it is possible to visually determine the tension applied to the label portion 7 by confirming the curved state of the marking 9.

本実施形態では、ウェハ加工用テープ１の長手方向に対する最大長さをＡ、幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域で、マーキング９がウェハ加工用テープ１の幅方向に延在している。Ａ及びＢが上記範囲よりも小さい場合、マーキング９の変形量が十分得られず、目視による判別が難しくなる。また、Ａ及びＢが上記範囲を超えると、マーキング９が貼付領域Ｐからはみ出し易くなり、やはり目視による判別が難しくなる。したがって、上記範囲にマーキング９を配置することで、マーキング９の湾曲状態の変化を目視によって容易に判別できる。   In the present embodiment, when A is the maximum length in the longitudinal direction of the wafer processing tape 1 and B is the maximum length in the width direction, the region where A is 2 mm or more and 10 mm or less and B is 2 mm or more and 20 mm or less. Thus, the marking 9 extends in the width direction of the wafer processing tape 1. When A and B are smaller than the above range, the deformation amount of the marking 9 is not sufficiently obtained, and the visual discrimination becomes difficult. Further, if A and B exceed the above range, the marking 9 tends to protrude from the pasting area P, and it is difficult to discriminate visually. Therefore, by arranging the marking 9 in the above range, a change in the curved state of the marking 9 can be easily determined visually.

また、マーキング９は、貼付領域Ｐにおけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応するように、ウェハ加工用テープ１の長手方向に沿って接着剤層３を挟んで２箇所に設けられている。これにより、ウェハリング１２に対するラミネートが均一になされたか否かを容易に判別できる。   In addition, the markings 9 are provided at two locations across the adhesive layer 3 along the longitudinal direction of the wafer processing tape 1 so as to correspond to the start point portion and the end point portion of the laminate in the pasting region P. Thereby, it can be easily determined whether or not the wafer ring 12 is uniformly laminated.

半導体ウェハ１１及びウェハリング１２の固定を行った後、図５に示すように、ブレード１３によって半導体ウェハ１１を所定の形状にダイシングし、半導体チップ１４を得る。そして、図６に示すように、ラベル部７の裏面を突上ピン１５で押圧しながら、コレット１６によって半導体チップ１４をピックアップする。このとき、接着剤層３が粘着剤層５から剥離し、ピックアップされた半導体チップ１４に付着した状態となる。この接着剤層３は、半導体チップ１４をリードフレーム等に接着する際のダイボンディングフィルムとして機能する。   After the semiconductor wafer 11 and the wafer ring 12 are fixed, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 11 is diced into a predetermined shape by a blade 13 to obtain a semiconductor chip 14. Then, as shown in FIG. 6, the semiconductor chip 14 is picked up by the collet 16 while pressing the back surface of the label portion 7 with the protruding pin 15. At this time, the adhesive layer 3 is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 5 and is attached to the picked-up semiconductor chip 14. The adhesive layer 3 functions as a die bonding film when the semiconductor chip 14 is bonded to a lead frame or the like.

本実施形態では、上記工程中でウェハリング１２へのラミネート時の張力をマーキング９によって目視で容易に判別することができる結果、ラミネート後にラベル部７に皺が発生することやラベル部７の剥がれが発生することを防止できる。これにより、後続のダイシング工程におけるダイシフト（デバイス間の配列ずれ）の発生を抑えることが可能となる。   In the present embodiment, the tension at the time of laminating to the wafer ring 12 can be easily discriminated visually by the marking 9 in the above process. As a result, wrinkles are generated in the label portion 7 after the lamination or the label portion 7 is peeled off. Can be prevented. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of die shift (arrangement between devices) in the subsequent dicing process.

本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば接着剤層３を挟んで配置されるマーキング９は、必ずしもウェハ加工用テープ１の長手方向の中心線に沿って配置されていなくてもよく、図７に示すように、中心線を挟んで幅方向に互い違いにマーキング９を配置してもよい。また、図８に示すように、ウェハ加工用テープ１の長手方向に沿う２本の線に沿って、接着剤層３を挟むように計４箇所にマーキング９を配置してもよい。このような構成によっても、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the marking 9 disposed with the adhesive layer 3 interposed therebetween does not necessarily have to be disposed along the longitudinal center line of the wafer processing tape 1, and as shown in FIG. The markings 9 may be arranged alternately in the width direction. Further, as shown in FIG. 8, markings 9 may be arranged at a total of four locations so as to sandwich the adhesive layer 3 along two lines along the longitudinal direction of the wafer processing tape 1. Even with such a configuration, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

また、マーキング９は、ウェハ加工用テープ１の長手方向に対する最大長さをＡ、幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域内で、種々の形状を採り得る。例えば図９（ａ）に示すように、幅がＡで長さがＢの略長方形状のマーキング９Ａを配置してもよく、図９（ｂ）に示すように、長さがＢの線状（Ａよりも十分小さい線幅）のマーキング９Ｂを所定の間隔で複数本配置してもよい。   Further, the marking 9 has A of 2 mm to 10 mm and B of 2 mm to 20 mm, where A is the maximum length in the longitudinal direction of the wafer processing tape 1 and B is the maximum length in the width direction. Various shapes can be adopted within the region. For example, as shown in FIG. 9A, a substantially rectangular marking 9A having a width A and a length B may be arranged. As shown in FIG. 9B, a linear shape having a length B is used. A plurality of markings 9B (line width sufficiently smaller than A) may be arranged at a predetermined interval.

図９（ａ）の場合では、ラミネート時の張力によるマーキング９Ａの湾曲度合いを目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。また、図９（ｂ）の場合では、ラミネート時の張力による線間距離の変化を目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。   In the case of FIG. 9A, it is possible to easily determine whether or not the lamination is performed under conditions suitable for the characteristics by visually confirming the degree of curvature of the marking 9A due to the tension at the time of lamination. In the case of FIG. 9B, it is possible to easily determine whether or not the lamination is performed under conditions suitable for the characteristics by visually confirming the change in the distance between the lines due to the tension during the lamination.

また、例えば図９（ｃ）に示すように、幅が０．５Ａで長さが０．５Ｂの略長方形状のマーキング９Ｃを２×２のマトリクス状に配列してもよく、図９（ｄ）に示すように、直径がＡ（＝Ｂ）の円形状のマーキング９Ｄを配置してもよい。   For example, as shown in FIG. 9C, the substantially rectangular markings 9C having a width of 0.5A and a length of 0.5B may be arranged in a 2 × 2 matrix. ), A circular marking 9D having a diameter A (= B) may be disposed.

図９（ｃ）の場合では、ラミネート時の張力による４つのマーキング９Ｃの湾曲度合いを目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。図９（ｄ）の場合では、ラミネート時の張力によるマーキング９Ｄの楕円形状への変化を目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。   In the case of FIG. 9C, it is possible to easily determine whether or not the lamination is performed under conditions suitable for the characteristics by visually confirming the degree of curvature of the four markings 9C due to the tension at the time of lamination. In the case of FIG. 9D, it is possible to easily determine whether or not the lamination is performed under conditions suitable for the characteristics by visually confirming the change of the marking 9D to the elliptical shape due to the tension at the time of lamination.

１…ウェハ加工用テープ、２…離型フィルム、３…接着剤層、４…粘着フィルム、５…粘着剤層、６…基材フィルム、９（９Ａ〜９Ｄ）…マーキング、Ｐ…貼付領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer processing tape, 2 ... Release film, 3 ... Adhesive layer, 4 ... Adhesive film, 5 ... Adhesive layer, 6 ... Base film, 9 (9A-9D) ... Marking, P ... Pasting area.

Claims (4)

半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のウェハ加工用テープであって、
テープの基部をなす離型フィルムと、
前記半導体ウェハの形状に対応して前記離型フィルムの一面側に所定の間隔で設けられた接着剤層と、
前記接着剤層上に設けられた粘着剤層、及び前記粘着剤層上に設けられた基材フィルムとからなる粘着フィルムと、を備え、
前記粘着フィルムは、
前記接着剤層の縁部よりも外側に張り出して前記離型フィルムに接すると共に、ウェハリングに貼り付けられる貼付領域が設定された張出領域を有し、
前記貼付領域において、前記基材フィルムの表面側には、テープの長手方向に沿って前記接着剤層を挟む二箇所にマーキングが設けられており、
前記マーキングは、前記長手方向に対する最大長さをＡ、テープの幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域にて前記幅方向に延在していることを特徴とするウェハ加工用テープ。 A long wafer processing tape used for die bonding of semiconductor chips obtained by dicing semiconductor wafers and dicing,
A release film that forms the base of the tape,
An adhesive layer provided at a predetermined interval on one side of the release film corresponding to the shape of the semiconductor wafer;
An adhesive film comprising an adhesive layer provided on the adhesive layer, and a base film provided on the adhesive layer,
The adhesive film is
While projecting outward from the edge of the adhesive layer and contacting the release film, it has a projecting region in which a pasting region to be affixed to the wafer ring is set,
In the pasting region, on the surface side of the base film , markings are provided at two locations sandwiching the adhesive layer along the longitudinal direction of the tape,
The marking, the maximum length to the longitudinal direction A, when the maximum length to width direction of the tape and B, A is 2mm or more 10mm or less, and hands the width region is 2mm or more 20mm or less B A wafer processing tape characterized by extending in a direction . 前記マーキングは、前記貼付領域におけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応して設けられていることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。 The marking, the wafer processing tape according to claim 1, wherein the provided corresponding to the start point and the end point portion of the laminate in the sticking region. 前記マーキングは、０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下の太さの線の組み合わせからなることを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ加工用テープ。 3. The wafer processing tape according to claim 1, wherein the marking comprises a combination of lines having a thickness of 0.2 mm or more and 2 mm or less. 前記マーキングは、スクリーン印刷法、スタンプ法、及びインクジェット法のいずれかの方法によって設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。 The marking, screen printing, stamping, and any one of claims 1 to 3 wafer processing tape according to any one claim of, characterized in that provided by the ink jet method.

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