JP6005161B2 - 制御されたプロファイルを備えたナノチップの製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2011年9月26日出願の米国仮出願第61/539404号の優先権を主張する。
(i)一貫したビーム整列を維持するために、また、各チップの再構築後にイオン源を再整列させる必要性をなくすために、SATの全体的なチップ形状を制御して、ビーム開口角度及び/又は角度電流密度(源の輝度)を制御するガスエッチング及び電界蒸発を組み合わせた方法。
(ii)高速自動チップエッチング方法。
(iii)追加的な反応を経ることからチップを保護することによって、全体的なイオン電流を改善し、チップの角度電流強度、安定性及び寿命を増強するチップ表面加工。窒素等の多様なチップコーティングを用いて、飛来してくるイメージングガスの原子/分子の高速熱的適応性を促進する。高速熱的適応性はイオンビームの発散を低下させて、イオン電流密度を増大させる。また、ガス捕獲率も改善されて、頂点原子へのヘリウムの供給が増え、裸の金属(タングステン)チップと比較して、全イオン電流が増大する。
(iv)チップの全体的な形状を更に変更して、ビーム開口角及び/又は角度電流密度(源の輝度)を制御するために、前駆体ナノチップ又はSATのいずれかを熱処理(アニーリング)してナノチップをファセット化させることによる頂点の成形。
R=ns/(1−cosγ) (式1)
ここで、sは、ステップ高さであり、γは、結晶方向間の角度である。格子定数a=3.16Åのbccタングステンは、W(111)に対するs=0.912Åに対応する。チップ頂点の半径を求めるために、[111]方向及び[211]方向を選択した。これらの方向は、1/(1−cosγ)=17.5Åに対応する。全ての数を組み合わせると、チップ半径に対する単純な表現が得られる
R[A]=15.96n (式2)
Vfe>Vimg>Vcrit>Vmin (式3)
であり、Vimgは最良イメージング電圧であり、Vfeは電界蒸発が生じる電圧である。Vcritは窒素分子のイオン化確率に関係していて、Vminは、“エッチングされた”タングステン原子を除去(電界蒸発)する最低電界に対応している。エッチング開始時に、は、最良イメージング電圧付近のチップ電界(電圧)が選択される。これが、印加電圧がVcrit>V>Vminという条件を満たす“エッチングバンド”を定める。エッチングが進むと、チップ頂点が突出してきて、局所電界が上昇し、結果として、頂点原子の電界蒸発を防止するためにチップ電圧を低下させなければならない(Vfe>V)。Vを連続的に低下させることで、頂点における“一定電界”が維持され、最後の原子を維持することができる。エッチング/蒸発が、鋭いキンクで続き、結果として、チップ頂点が細くなり、頂点に単一のタングステン原子を残す。これが、大幅には変更されないベースチップ半径の上に高アスペクト比のナノチップをもたらす。“一定電界”法で作製されたチップが図11aに示されている。
R≧λ/2sinα (式4)
によって与えられ、ここで、λは、入射電子の波長である。
tan−1(w/2L) (式5)
の計算(非特許文献7)によって簡単に測定した。ここで、wは、MCP上のパターンの幅であり、Lは、チップとMCPの距離である。これらの干渉パターンに対する最大コヒーレンス角度(図16に示される)は14.3±0.5°であった。
電圧プロファイル: [17kV→16kV(1000秒間)→17kV(10秒間)]を10回繰り返す
He圧力: 1×10−5Torr
N2圧力: 1×10−6Torr
(i)最大2×10−6Torrで真空システム内にアンモニアを導入する;
(ii)略1200℃でWチップを光らせて、フレッシュなタングステン表面を露出する;
(iii)2分間で900℃に温度を低下させる;
(iv)アンモニアを抜いて、更に2分間で800℃に温度を低下させる。
Claims (20)
- ナノチップを製造する方法であって、
電界アシストエッチングを行うように反応ガスの存在下において電界を印加することによって、頂点及び胴部を有する前駆体ナノチップを、前記反応ガスとの化学的相互作用によって前記胴部から優先的に原子が除去されるように変更するステップと、
ナノチップの製造中における頂点原子の電界蒸発を促進するように電界を変更するために、前記反応ガスの圧力及び/又はチップ電圧を制御することによって、結果物のナノチップの全体的なプロファイルを制御するステップとを備えた方法。 - 前記電界蒸発及び前記電界アシストエッチングが少なくとも部分的に同時に行われる、請求項1に記載の方法。
- エッチングが進むにつれて、前記電界蒸発及び前記電界アシストエッチングを同時に行うように或る程度の電界蒸発を生じさせる変化率で前記チップ電圧を低下させる、請求項2に記載の方法。
- 前記電界蒸発及び前記電界アシストエッチングが二つの別々の段階において逐次行われる、請求項1に記載の方法。
- 頂点原子の電界蒸発を抑制して前記胴部の電界アシストエッチングを促進する後続ステップを更に備えた請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 電界アシストエッチング段階及び電界蒸発段階を循環させてチップの成形を行うステップを備えた請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応ガスが窒素である、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 表面金属原子の固定、金属原子拡散の抑制、更なる反応からの前記ナノチップの保護、及びイオンガス源の熱的適応性の上昇のうちの少なくとも一つのために、前記ナノチップがコーティングで覆われる、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記コーティングが、前記ナノチップの電界アシストエッチング固有の結果として生じる、請求項8に記載の方法。
- 前記コーティングが窒素及び酸素から成る群から選択されている、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記ナノチップがタングステン製である、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 製造プロセス中のナノチップのイメージングを可能にするために、電界イオン顕微鏡又は走査型イオン顕微鏡内で前記ナノチップが製造される、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記製造プロセスがコンピュータで制御され、前記コンピュータが、チップの電界イオンパターンを監視して、所定のパターンが得られるように前記チップ電圧及びエッチングガスの圧力を制御するように構成されている、請求項12に記載の方法。
- 前記コンピュータが、パターン認識ソフトウェアを用いてチップの電界イオンパターンを監視するように構成されている、請求項13に記載の方法。
- 製造されたチップを熱処理して、チップの全体的な形状を変更するステップを更に備えた請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- チップが120秒間にわたって略1100〜1400℃の温度に保たれる、請求項15に記載の方法。
- 走査型イオン顕微鏡又は電界イオン顕微鏡内でナノチップを再構築する方法であって、
in situでナノチップを備えた前記走査型イオン顕微鏡又は電界イオン顕微鏡の真空チャンバ内にエッチングガスを導入するステップと、
前記走査型イオン顕微鏡又は電界イオン顕微鏡内のチップの整列を維持しながら、電界の存在下において反応ガスで頂点及び胴部を有するナノチップを、前記胴部が優先的にエッチングされるようにエッチングするステップと、
最終的なナノチップの全体的なプロファイルを制御するために、前記反応ガスの圧力及び/又はチップ電圧を制御して、頂点原子の電界蒸発を促進するように電界を変更するステップとを備えた方法。 - 前記エッチングガスが窒素である、請求項17に記載の方法。
- 前駆体ナノチップを製造する又はナノチップをクリーニングする方法であって、
エッチングガスの存在下において真空チャンバ内に胴部及び頂点を有するサンプルチップを配置するステップと、
ナノチップに電界を印加するステップとを備え、
前記電界を発生させるのに用いられる電圧が、電界蒸発が支配的である電界と、化学的エッチングが支配的である電界とが交互になるように循環的に変更される、方法。 - 前記電圧が下限と上限との間で変更されて、前記下限が前記上限の5〜10%以内に留まる、請求項19に記載の方法。
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