JP5995772B2 - 電圧非直線抵抗体、その製造方法およびそれを含む過電圧保護装置 - Google Patents
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Description
(実験例)
(実施例1〜5および比較例1〜8)
表1は、本実験例における実施例1〜5および比較例1〜8の各々の条件および結果をまとめたものである。
Si3N4の原料粉としては、平均粒子径(d50)が0.6μmである宇部興産製の型番SN−E10を用いた。Bi2O3、Sb2O3、NiO、Mn3O4、Cr2O3、Co3O4およびSiO2の各々は、平均粒子径(d50)が1μm以下である工業用原料粉末を用いた。
Claims (5)
- 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、ビスマス(Bi)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)およびケイ素(Si)を副成分とする焼結体を備え、
前記焼結体は、ケイ酸亜鉛(Zn2SiO4)を12%以上の占有率で含み、かつ、Ni3.2Bi9.8O20とBi1.83Mn0.17O3.08とを共に含む、電圧非直線抵抗体。 - 酸化亜鉛(ZnO)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化アンチモン(Sb2O3)、ニッケル単体(Ni)またはニッケル化合物、および、マンガン単体(Mn)またはマンガン化合物を混合して第1混合物を作製する工程と、
前記第1混合物に、二酸化ケイ素(SiO2)または酸素を含む雰囲気中において酸化ケイ素になりうる成分と窒化ケイ素(Si3N4)とを添加して第2混合物を作製する工程と、
前記第2混合物を含む造粒粉を焼結して焼結体を作製する工程と
を備える、電圧非直線抵抗体の製造方法。 - 前記第2混合物を作製する工程において、前記窒化ケイ素(Si3N4)を前記第2混合物中において1mol%以上4mol%以下となるように添加する、請求項2に記載の電圧非直線抵抗体の製造方法。
- 前記第2混合物を作製する工程において、前記二酸化ケイ素(SiO2)または酸素を含む雰囲気中において酸化ケイ素になりうる前記成分を、前記第2混合物中において1mol%以上3mol%以下となるように添加する、請求項2または3に記載の電圧非直線抵抗体の製造方法。
- 被保護機器に過電圧が印加されることを防止する過電圧保護装置であって、
複数の電極を有する電圧非直線抵抗体と、
前記被保護機器に電気的に接続された配線と
を備え、
前記複数の電極のうちの少なくとも1つの電極は接地され、
前記複数の電極のうちの少なくとも1つの電極は前記配線に接続され、
前記電圧非直線抵抗体は、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、ビスマス(Bi)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)およびケイ素(Si)を副成分とする焼結体を含み、
前記焼結体は、ケイ酸亜鉛(Zn2SiO4)を12%以上の占有率で含み、かつ、Ni3.2Bi9.8O20とBi1.83Mn0.17O3.08とを共に含む、過電圧保護装置。
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