JP5995701B2 - 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書では半導体の導電型として第1導電型をn型、第2導電型をp型とするが、逆の導電型であっても良い。
図1は、実施の形態1の炭化珪素半導体装置であるnチャネル型のSiC−MOSFET101の断面図を示している。
次に、SiC−MOSFET101の動作を説明する。
次に、SiC−MOSFET101の製造方法を図2〜図5に沿って説明する。
図6は、ゲートバイアスによって導入された負の固定電荷密度と、ドレイン電圧によりJFET部41の中央(JFET中央部)上のゲート酸化膜21に加わる電界強度との関係を計算によって求めた結果を示している。1200V程度の耐圧特性を有する素子を想定して、エピタキシャル層12の膜厚を12μm、不純物濃度を1×1016cm−3程度とする。また対向するpウェル13の間隔、いわゆるJFET長さは2μm〜3μmを想定する。電界強度の値はドレイン電極25に1200Vを印加したときの計算値であり、固定電荷31を導入していない状態の電界強度を100%とした相対的な値で表している。なお、図6ではy軸を相対値にしているので、熱酸化工程等でゲートバイアスによらずゲート酸化膜21界面に負の固定電荷31が形成されている場合にも、この計算結果が適用可能である。電界ストレスによるゲート酸化膜21の劣化や破壊については様々なモデルが提唱されており、実使用での印加電界によって大きく異なってくるため一概に述べることはできないが、ゲート酸化膜21にかかる電界強度を1〜10%程度抑制することで素子の寿命は数倍から数十倍まで向上させることができる。これにより、信頼性が向上し、デバイス設計マージンが向上する。
本実施の形態の炭化珪素半導体装置であるSiC−MOSFET101は、第1導電型のSiC基板11と、SiC基板11上に形成された第1導電型のエピタキシャル層12と、エピタキシャル層12の表層に選択的に形成された第2導電型のウェル領域13と、ウェル領域13の表層に選択的に形成された第1導電型のソース領域14と、ソース領域14とエピタキシャル層12に挟まれたウェル領域13の表面上からエピタキシャル層12の表面上に亘って形成されたゲート酸化膜21と、ゲート酸化膜21上に形成されたゲート電極22とを備え、ゲート酸化膜21とエピタキシャル層12の界面に負の固定電荷31を有する。よって、オン時のJFET抵抗を増加させることなく、オフ時のゲート酸化膜21に加わる電界を緩和できる。
<B−1.構成>
図11は、実施の形態2の炭化珪素半導体装置であるnチャネル型のSiC−MOSFET102の断面図である。
SiC−MOSFET102の製造方法は、実施の形態1のSiC−MOSFET101とゲート酸化膜21の形成工程が異なる。ゲート酸化膜21の形成工程の前までは図2,3に示したSiC−MOSFET101の製造工程と同様であるので、説明を省略する。
実施の形態2の炭化珪素半導体装置であるSiC−MOSFET102において、ウェル領域13の表面上のゲート酸化膜は、エピタキシャル層12上の表面上のゲート酸化膜21より厚い。ゲート酸化膜21が厚いほどゲートバイアス印加時に加わる電界が弱まり、固定電荷31の導入量が少なくなるので、JFET部41上の界面に主体的に固定電荷31を導入しつつ、固定電荷31がチャネルに及ぼす影響を抑制することが可能である。
<C−1.構成>
図13は、実施の形態3の炭化珪素半導体装置であるnチャネル型のSiC−MOSFET103の断面図を示している。
チャネルドープ領域16は、例えばウェル領域13を形成する際のマスクを用いたイオン注入により形成する。チャネルドープ領域16を形成した後、ゲート酸化膜21を熱酸化法により形成すると、チャネルドープ領域16とソース領域14はエピタキシャル層12よりも高濃度であるため増速酸化され、これらの場所のゲート酸化膜21はJFET部41上におけるよりも厚く形成される。以上の製造工程により、図11に示すSiC−MOSFET102と同様のゲート酸化膜21の膜厚制御を、チャネルドープ領域16に基づき容易に行う事ができ、図13に示すSiC−MOSFET103が完成する。
図14は、実施の形態3の変形例に係るSiC−MOSFET104の断面図である。SiC−MOSFET104は、チャネルドープ領域16がウェル領域13の表層だけでなくエピタキシャル層12の一部にも形成されている点で、図13に示したSiC−MOSFET103とは異なる。この構造によれば、JFET抵抗が更に低減する。なお、それに伴い、ゲート酸化膜21の膜厚が大きくなる箇所がJFET部41の一部にも形成されており、その部分にゲートバイアスで導入される固定電荷密度が小さくなる。しかし、最も電界集中が懸念されるJFET中央部分におけるゲート酸化膜21の膜厚およびゲートバイアスで導入される固定電荷密度は、図13に示したSiC−MOSFET103と変わらないため、同様の信頼性を有する。
実施の形態3及びその変形例に係る炭化珪素半導体装置であるSiC−MOSFET103,104では、ソース領域14とエピタキシャル層12に挟まれたウェル領域13の表層、または当該表層とこれに隣接するエピタキシャル層12の表層に形成された、エピタキシャル層12よりも不純物濃度が高い第1導電型のチャネルドープ領域16を備える。熱酸化法によりSiC層を酸化する際、不純物濃度が高いほど酸化速度が速いので、ウェル領域13上のゲート酸化膜21が厚く形成され、ゲートバイアス印加時に導入される固定電荷31の量を少なくすることが可能である。
Claims (7)
- 第1導電型のSiC基板と、
前記SiC基板上に形成された第1導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表層に選択的に形成された第2導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域の表層に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域と前記エピタキシャル層に挟まれた前記ウェル領域の表面上から前記エピタキシャル層の表面上に亘って形成されたゲート酸化膜と、
前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とを備え、
前記ゲート酸化膜と前記エピタキシャル層の界面に負の固定電荷を有し、
前記ウェル領域の表面上の前記ゲート酸化膜における前記負の固定電荷の密度は、前記エピタキシャル層の表面上の前記ゲート酸化膜における前記負の固定電荷の密度よりも小さい、
炭化珪素半導体装置。 - 前記ウェル領域の表面上の前記ゲート酸化膜は、前記エピタキシャル層の表面上の前記ゲート酸化膜より厚い、
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ソース領域と前記エピタキシャル層に挟まれた前記ウェル領域の表層、または当該表層とこれに隣接する前記エピタキシャル層の表層に形成された、前記エピタキシャル層よりも不純物濃度が高い第1導電型のチャネルドープ領域をさらに備える、
請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置。 - (a)第1導電型のSiC基板上に第1導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、
(b)前記エピタキシャル層の表層に第2導電型のウェル領域を選択的に形成する工程と、
(c)前記ウェル領域の表層に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、
(d)前記ソース領域と前記エピタキシャル層に挟まれた前記ウェル領域の表面上から前記エピタキシャル層の表面上に亘ってゲート酸化膜を形成する工程と、
(e)前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
(f)前記ゲート電極に正電圧を印加して、前記ゲート酸化膜と前記エピタキシャル層の界面に負の固定電荷を形成する工程とを備える、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)は、前記ウェル領域の表面上の前記ゲート酸化膜を、前記エピタキシャル層の表面上の前記ゲート酸化膜よりも厚く形成する工程である、
請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)は、
(d1)前記ソース領域と前記エピタキシャル層に挟まれた前記ウェル領域の表面上から前記エピタキシャル層の表面上に亘って第1のゲート酸化膜を形成する工程と、
(d2)前記第1のゲート酸化膜のうち、前記エピタキシャル層上の部分にシリコン窒化膜を形成する工程と、
(d3)前記第1のゲート酸化膜のうち、前記ウェル領域上の部分に熱酸化法により第2のゲート酸化膜を形成する工程とを備える、
請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)は、
(d1)前記ウェル領域の表層、または当該表層とこれに隣接する前記エピタキシャル層の表層に、前記エピタキシャル層よりも不純物濃度が高い第1導電型のチャネルドープ層を形成する工程と、
(d2)熱酸化法により前記チャネルドープ層及び前記エピタキシャル層上にゲート酸化膜を形成する工程とを備える、
請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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