JP5992452B2 - 皮膚トリートメント用装置 - Google Patents
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Description
本開示の文脈において、「皮膚アドミタンス」とは電圧フェーザに対する電流フェーザの比を意味し、「皮膚インピーダンス」は皮膚アドミタンスの逆数である。これら複素アドミタンス又はインピーダンスは、例えば抵抗及び位相角のような2成分の実数のような、様々な方法で表すことができる。
(a)外皮層(典型的には角質層)の初期電気的絶縁破壊を行うこと。
(b)皮膚の非アブレーショントリートメントプロセスを維持すること。
(c)皮膚のアブレーションプロセスを所定レベルに維持すること。
(d)非アブレーションプロセスからアブレーションプロセスへの遷移を行うこと。
(e)アブレーションプロセスから非アブレーションプロセスへの遷移を行うこと。
(請求項1)
美容RF皮膚トリートメントの方法であって、
皮膚アブレーションプロセスをもたらす送達RFエネルギーの割合を選択することと、
皮膚非アブレーションプロセスをもたらす送達RFエネルギーの割合を選択することと、
所定のRF電圧パルスを被トリートメント皮膚セグメントに適用することと、
被トリートメント皮膚セグメントの抵抗及び送達されたRFエネルギーを測定及び記録することと、
前記RFパルスの適用過程において、記録された前記被トリートメント皮膚セグメントのRF抵抗と、記録された前記RF電力とを連続的にモニタリングして前記非アブレーションプロセスをもたらす送達エネルギーの割合と前記皮膚アブレーションプロセスをもたらす送達エネルギーの割合とを計算することと、
前記皮膚に送達されたエネルギーの割合と前記RFエネルギーの各選択割合とを比較することと
を含む方法。
(請求項2)
前記非アブレーションプロセスに送達されたエネルギーの割合が、前記プロセスにおいて送達されるべきエネルギーの各選択割合よりも小さい場合、前記RF電圧を、非アブレーション皮膚トリートメントプロセスをもたらす値に設定することと、
それ以外の場合、前記アブレーション皮膚トリートメント用に設定されたエネルギーの各選択割合が得られるまで、前記RF電圧を、アブレーション皮膚プロセスをもたらす値に設定することと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
(請求項3)
電圧と電流との位相角を測定及び記録することと、
前記皮膚トリートメントプロセスがアブレーションか又は非アブレーションプロセスかを評価することに含めることと
をさらに含む、請求項2に記載の方法。
(請求項4)
適用される電圧の増大によって非アブレーション皮膚トリートメントからアブレーション皮膚トリートメントへの遷移が行われ、
適用される電圧の減少によってアブレーション皮膚トリートメントから非アブレーション皮膚トリートメントへの遷移が行われる、請求項2に記載の方法。
(請求項5)
前記RF電圧の値を、非アブレーション皮膚トリートメントプロセスをもたらす値に設定すること及びアブレーション皮膚プロセスをもたらす値に設定することは、皮膚抵抗及び位相角の影響を受ける、請求項4に記載の方法。
(請求項6)
前記アブレーション皮膚トリートメントプロセスは、前記RFエネルギーの選択割合が被トリートメント皮膚セグメントに送達された場合に終了する、請求項2に記載の方法。
(請求項7)
前記美容皮膚トリートメントプロセスはフラクショナル美容皮膚トリートメントプロセスである、請求項1に記載の方法。
(請求項8)
前記RFエネルギーの選択割合が10ミリ秒から200ミリ秒前記被トリートメント皮膚セグメントに送達される、請求項1に記載の方法。
(請求項9)
前記フラクショナル美容皮膚トリートメントプロセスは、複数の電圧皮膚送達素子を備えるアプリケータによって行われ、
前記皮膚抵抗の値は、電圧皮膚適用素子当たり5kオームから100kオームまで変化する、請求項7に記載の方法。
(請求項10)
RFエネルギーを被トリートメント皮膚セグメントに適用することによる美容皮膚トリートメントの方法であって、
所定電圧レベルを被トリートメント皮膚セグメントに適用することと、
皮膚条件を、皮膚抵抗(R)を測定し、及びRF電圧と前記電圧により誘導された電流との位相角(φ)を決定することによって決定することと、
前記位相角及び皮膚抵抗がプリセット値を超える場合、前記被トリートメント皮膚セグメントに適用されるRF電圧を増大させて電気的皮膚絶縁破壊をもたらすことと、
前記位相角及び皮膚抵抗が所定のプリセット値未満の場合、前記被トリートメント皮膚セグメントに適用されるRF電圧を低減して前記皮膚トリートメントを続けることと
を含む皮膚トリートメントの方法。
(請求項11)
前記所定電圧レベルは50ボルトから1000ボルトである、請求項10に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項12)
前記所定電圧レベルは100ボルトから500ボルトである、請求項10に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項13)
前記位相角のプリセット値は45度未満である、請求項10に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項14)
前記位相角のプリセット値は30度未満である、請求項10に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項15)
前記皮膚絶縁破壊のプロセスは5ミリ秒未満の時間がかかる、請求項10に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項16)
前記美容皮膚トリートメントプロセスはフラクショナル美容皮膚トリートメントプロセスである、請求項10に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項17)
前記フラクショナル美容皮膚トリートメントプロセスは、複数の電圧皮膚送達素子を備えるアプリケータによって行われ、
前記皮膚抵抗の値は、電圧皮膚適用素子当たり5kオームから100kオームまで変化する、請求項16に記載の皮膚トリートメントの方法。
(請求項18)
美容フラクショナルRF皮膚トリートメントの方法であって、
皮膚アブレーション及び皮膚非アブレーションプロセスからなる皮膚トリートメントプロセスの群から所望の皮膚トリートメントプロセスを選択することと、
RF電圧パルスを被トリートメント皮膚セグメントに適用し、かつ、前記RF電圧パルスの適用過程において前記被トリートメント皮膚セグメントのRF抵抗を測定及び記録することと、
前記RFパルスの適用過程において、前記被トリートメント皮膚セグメントの記録されたRF抵抗を連続的にモニタリングし、前記皮膚トリートメントプロセスがアブレーションか又は非アブレーションかを決定し、及び前記皮膚トリートメントプロセスの決定の結果に基づいて前記選択されたプロセスを駆動するRF電圧を設定することと
を含む方法。
(請求項19)
前記選択されたプロセスがアブレーションであり、かつ、前記モニタリングされた皮膚プロセスが非アブレーションプロセスである場合、前記RF電圧を増大させることをさらに含む、請求項18に記載の方法。
(請求項20)
前記選択されたプロセスが非アブレーションであり、かつ、前記モニタリングされた皮膚トリートメントプロセスがアブレーションである場合、前記RF電圧を減少させることをさらに含む、請求項18に記載の方法。
(請求項21)
前記RF電圧を増大及び減少させる場合に位相角の値を明らかにすることをさらに含む、請求項19又は20に記載の方法。
(請求項22)
美容RF皮膚トリートメント用装置であって、
皮膚アブレーションプロセスをもたらす送達RFエネルギーの割合及び皮膚非アブレーションプロセスをもたらす送達RFエネルギーの割合を設定するべく動作可能なコントローラと、
前記RFエネルギーの設定割合に応じてRF電圧パルスを被トリートメント皮膚セグメントに適用するべく動作可能なアプリケータと、
前記被トリートメント皮膚セグメントのインピーダンス及び前記送達RFエネルギーを測定及び記録するべく動作可能な機構であって、当該値を、前記RFパルスの適用過程において、前記被トリートメント皮膚セグメントの記録されたインピーダンス及び記録されたRF電力を連続的にモニタリングするべく動作可能な、かつ、非アブレーションプロセスをもたらす送達エネルギー割合及び皮膚アブレーションプロセスをもたらす送達エネルギー割合を計算するべく動作可能な機構に通信するべく動作可能な機構と
を含み、
前記皮膚への送達エネルギー割合が前記RFエネルギーの各選択割合と比較される装置。
(請求項23)
前記コントローラは、前記皮膚へのRFエネルギー送達を、
非アブレーション皮膚トリートメントプロセスにおける送達エネルギーの各選択割合に応じて、前記RF電圧を非アブレーション皮膚トリートメントプロセスをもたらす値に設定することと、
アブレーション皮膚トリートメントのために設定されたエネルギーの各選択割合が得られるまで、前記RF電圧をアブレーション皮膚プロセスをもたらす値に設定することと
によって制御する、請求項22に記載の装置。
(請求項24)
前記皮膚インピーダンスから皮膚抵抗を導出しかつ前記被トリートメント皮膚セグメントの抵抗及び前記送達RF電力を測定及び記録し、当該値を、前記RFパルスの適用過程において、前記皮膚トリートメントプロセスがアブレーションか又は非アブレーションプロセスかを連続的に評価するべく動作可能なモニタリング機構に通信する機構をさらに含む、請求項23に記載の装置。
(請求項25)
前記コントローラは、前記適用RF電圧を増大させることによって非アブレーション皮膚トリートメントからアブレーション皮膚トリートメントへの遷移を、及び前記適用電圧を減少させることによってアブレーション皮膚トリートメントから非アブレーション皮膚トリートメントへの遷移を行う、請求項22に記載の装置。
(請求項26)
前記コントローラが前記適用RF電圧の値を非アブレーション皮膚トリートメントプロセスをもたらす値に及びアブレーション皮膚プロセスをもたらす値に設定することは、皮膚抵抗及び位相角の影響を受ける、請求項25に記載の装置。
(請求項27)
前記コントローラは、前記RFエネルギーの選択割合が前記被トリートメント皮膚セグメントに送達された場合に前記アブレーション皮膚トリートメントプロセスを終了させる、請求項23に記載の装置。
(請求項28)
前記RFエネルギーの選択割合は、10ミリ秒から200ミリ秒前記被トリートメント皮膚セグメントに送達される、請求項22に記載の装置。
(請求項29)
前記アプリケータは、複数の電圧皮膚送達素子を備える先端部を含み、前記皮膚抵抗の値は、電圧皮膚適用素子当たり5kオームから100kオームまで変化する。請求項22に記載の装置。
(請求項30)
美容RF皮膚トリートメント用装置であって、
複数のRF電圧皮膚送達素子を備える先端部を含むアプリケータと、
前記アプリケータを駆動しかつ所定のRF電圧パルスを被トリートメント皮膚セグメントに適用するRF電圧源と、
前記電圧及び電流の信号を受信及び記録し、かつ、前記皮膚セグメントのRF抵抗、前記皮膚セグメントに送達された真のRF電力、及び前記RF電圧の値と前記電圧により誘導された電流の値との位相角の群の少なくとも一つを前記信号から導出して双方の前記値をコントローラに通信する機構と
を含み、
前記アプリケータは、前記アプリケータが適用する電圧及び前記電圧が前記被トリートメント皮膚セグメントに誘導する電流を感知する電流感知器及び電圧感知器を含みかつ対応する信号を生成するべく動作可能であり、
前記コントローラは、記録された前記被トリートメント皮膚セグメントのRF抵抗及び記録された前記RF電力に基づいて、前記非アブレーションプロセスをもたらすエネルギー割合及び前記皮膚アブレーションプロセスをもたらすエネルギー割合を計算する装置。
(請求項31)
前記先端部は2つの型のRF電圧皮膚送達素子を含み、
前記型のRF電圧皮膚送達素子の少なくとも一つは複数の微小電極である、請求項30に記載の装置。
(請求項32)
前記RF電圧源は、前記電圧皮膚送達素子にRF電圧を供給するべく動作可能であって2つのポートを有し、
第1RFポートには複数の電圧皮膚送達素子が接続され、
第2RFポートには前記電圧皮膚送達素子の範囲を定める電圧皮膚送達素子が接続される、請求項30に記載の装置。
(請求項33)
前記コントローラは前記RF電圧を、前記非アブレーションプロセスをもたらす送達エネルギーの割合が前記プロセスにおける送達エネルギーの前記選択割合よりも小さい場合は非アブレーション皮膚トリートメントプロセスをもたらす値に、及び前記アブレーション皮膚トリートメントのために設定されたエネルギーの前記選択割合が得られるまではアブレーション皮膚プロセスをもたらす値に設定する、請求項30に記載の装置。
(請求項34)
前記コントローラは、非アブレーション皮膚トリートメントからアブレーション皮膚トリートメントへの遷移を目的として前記適用電圧を増大させ、
前記コントローラは、アブレーション皮膚トリートメントから非アブレーション皮膚トリートメントへの遷移を目的として前記適用電圧を減少させる、請求項33に記載の装置。
(請求項35)
電圧と電流との位相角を測定及び記録することと、
記録された前記角の値をモニタリングすることと、
前記角の値を前記プロセスがアブレーションか又は非アブレーションかを評価することに含めることと
をさらに含む、請求項33に記載の装置。
(請求項36)
前記RF電圧を、非アブレーション皮膚トリートメントプロセスをもたらす値に及びアブレーション皮膚プロセスをもたらす値に設定することは、皮膚抵抗及び位相角の影響を受ける、請求項33に記載の装置。
(請求項37)
前記コントローラは、前記RFエネルギーの選択割合が前記被トリートメント皮膚セグメントに送達された場合に前記アブレーション皮膚トリートメントプロセスを終了させる、請求項36に記載の装置。
(請求項38)
前記RFエネルギーの選択割合は、10ミリ秒から200ミリ秒前記被トリートメント皮膚セグメントに送達される、請求項33に記載の装置。
(請求項39)
RFエネルギーを被トリートメント皮膚セグメントに適用することによる美容皮膚トリートメント用装置であって、
所定の電圧レベルを被トリートメント皮膚セグメントに適用するべく動作可能なアプリケータと、
皮膚インピーダンスを測定し、皮膚抵抗(R)を計算し、RF電圧と前記電圧により誘導された電流との位相角(φ)を決定し、及び決定された値をコントローラに通信することによって皮膚条件を決定するべく動作可能なモニタリング機構と
を含み、
前記コントローラは、前記位相角及び皮膚抵抗がプリセット値を超える場合、前記被トリートメント皮膚セグメントに適用されるRF電圧を増大させて前記皮膚に電気的伝導チャネルを形成し、かつ、前記位相角及び皮膚抵抗が所定のプリセット値未満の場合、前記被トリートメント皮膚セグメントに適用されるRF電圧を低減して前記皮膚トリートメントを続ける装置。
(請求項40)
前記所定の電圧レベルは50ボルトから1000ボルトである、請求項39に記載の装置。
(請求項41)
前記所定の電圧レベルは100から500ボルトである、請求項39に記載の装置。
(請求項42)
前記位相角のプリセット値は45度未満である、請求項39に記載の装置。
(請求項43)
前記位相角のプリセット値は30度未満である、請求項42に記載の装置。
(請求項44)
前記美容皮膚トリートメントはフラクショナル美容皮膚トリートメントである、請求項39に記載の装置。
(請求項45)
前記フラクショナル美容皮膚トリートメントは、複数の電圧皮膚送達素子を備える先端部を含むアプリケータによって行われ、
前記皮膚抵抗の値は、電圧皮膚適用素子当たり5kオームから100kオームまで変化する、請求項44に記載の装置。
Claims (17)
- 美容RF皮膚トリートメント用装置であって、
皮膚アブレーションプロセスをもたらす送達RFエネルギーの割合及びアブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす送達RFエネルギーの割合を設定するべく動作可能なコントローラと、
前記RFエネルギーの設定割合に応じてRF電圧パルスを被トリートメント皮膚セグメントに適用するべく動作可能なアプリケータと、
前記被トリートメント皮膚セグメントのインピーダンス及び前記送達RFエネルギーを測定及び記録するべく動作可能な機構であって、当該測定及び記録された値を、前記RF電圧パルスの適用過程において、前記被トリートメント皮膚セグメントの記録されたインピーダンス及び記録されたRF電力を連続的にモニタリングするべく動作可能な、かつ、前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす送達エネルギー割合及び前記皮膚アブレーションプロセスをもたらす送達エネルギー割合を計算して前記皮膚への送達エネルギー割合を前記RFエネルギーの各選択割合と比較するべく動作可能な機構に通信するべく動作可能な機構と
を含む装置。 - 前記コントローラは、前記皮膚へのRFエネルギー送達を、
前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスにおいて前記送達RFエネルギーの各選択割合に応じて、RF電圧を前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす値に設定することと、
前記皮膚アブレーションプロセスのために設定されたRFエネルギーの各選択割合が得られるまで、RF電圧を前記皮膚アブレーションプロセスをもたらす値に設定することと
によって制御する、請求項1に記載の装置。 - 前記インピーダンスから皮膚抵抗を導出しかつ前記被トリートメント皮膚セグメントの抵抗及び送達RF電力を測定及び記録し、当該測定及び記録された値を、前記RF電圧パルスの適用過程において、前記美容RF皮膚トリートメントのプロセスが前記皮膚アブレーションプロセスか又は前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスかを連続的に評価するべく動作可能なモニタリング機構に通信する機構をさらに含む、請求項2に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記RF電圧パルスの適用電圧を増大させることによって前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスから前記皮膚アブレーションプロセスへの遷移を、及び前記RF電圧パルスの適用電圧を減少させることによって前記皮膚アブレーションプロセスから前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスへの遷移を行う、請求項1に記載の装置。
- 前記コントローラは、皮膚抵抗及び適用される電圧と電流との位相角に基づいて前記RF電圧パルスの適用電圧の値を、前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす値に及び前記皮膚アブレーションプロセスをもたらす値に設定する、請求項4に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記RFエネルギーの選択割合が前記被トリートメント皮膚セグメントに送達された場合に前記皮膚アブレーションプロセスを終了させる、請求項2に記載の装置。
- 前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスは、10ミリ秒から200ミリ秒前記コントローラによって維持される、請求項1に記載の装置。
- 前記アプリケータは、複数の電圧皮膚送達素子を備える先端部を含む、請求項1に記載の装置。
- 美容RF皮膚トリートメント用装置であって、
複数のRF電圧皮膚送達素子を備える先端部を含むアプリケータと、
前記アプリケータを駆動しかつ所定のRF電圧パルスを被トリートメント皮膚セグメントに適用するRF電圧源と、
前記RF電圧源のRF電圧及び電流の信号を受信及び記録し、かつ、前記皮膚セグメントのRF抵抗、前記皮膚セグメントに送達された真のRF電力、及び前記RF電圧の値と前記RF電圧により誘導された電流の値との位相角の群の少なくとも一つを前記信号から導出をして前記導出による少なくとも一つの値をコントローラに通信する機構と
を含み、
前記アプリケータは、前記アプリケータが適用する電圧及び前記電圧が前記被トリートメント皮膚セグメントに誘導する電流を感知する電流感知器及び電圧感知器を含みかつ対応する信号を生成するべく動作可能であり、
前記コントローラは、記録された前記被トリートメント皮膚セグメントのRF抵抗及び記録された前記RF電力に基づいて、アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらすエネルギー割合及び皮膚アブレーションプロセスをもたらすエネルギー割合を計算する装置。 - 前記先端部は2つの型のRF電圧皮膚送達素子を含み、
前記型のRF電圧皮膚送達素子の少なくとも一つは複数の微小電極である、請求項9に記載の装置。 - 前記RF電圧源は、前記RF電圧皮膚送達素子にRF電圧を供給するべく動作可能であって2つのポートを有し、
第1RFポートには複数のRF電圧皮膚送達素子が接続され、
第2RFポートには前記RF電圧皮膚送達素子とは別個のRF電圧皮膚送達素子が接続される、請求項9に記載の装置。 - 前記コントローラは前記RF電圧を、前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす送達エネルギーの選択割合が前記皮膚アブレーションプロセスにおける送達エネルギーの選択割合よりも小さい場合は前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす値に、及び前記皮膚アブレーションプロセスのために設定されたエネルギーの割合が得られるまでは前記皮膚アブレーションプロセスをもたらす値に設定する、請求項9に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスから前記皮膚アブレーションプロセスへの遷移を目的として前記適用する電圧を増大させ、
前記コントローラは、前記皮膚アブレーションプロセスから前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスへの遷移を目的として前記適用する電圧を減少させる、請求項12に記載の装置。 - 電圧と電流との位相角の測定部及び記録部をさらに含み、
記録された前記位相角の値が前記コントローラによってモニタリングされ、かつ、記録された前記位相角の値に基づいて、前記美容RF皮膚トリートメントが前記皮膚アブレーションプロセスか又は前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスかが前記コントローラによって評価される、請求項12に記載の装置。 - 前記コントローラは、皮膚抵抗及び前記位相角に基づいて前記RF電圧を、前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスをもたらす値に及び前記皮膚アブレーションプロセスをもたらす値に設定する、請求項14に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記RFエネルギーの選択割合が前記被トリートメント皮膚セグメントに送達された場合に前記皮膚アブレーションプロセスを終了させる、請求項12に記載の装置。
- 前記アブレーションなしの皮膚加熱プロセスは、10ミリ秒から200ミリ秒前記コントローラによって維持される、請求項12に記載の装置。
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