JP5990233B2 - 絶縁電線 - Google Patents
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Description
[1]アルミ導体上に、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物50〜90モル%、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物5〜20モル%および無水ピロメリット酸5〜40モル%からなる酸成分と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを含むジアミン成分を反応させて得られる第1のポリイミドからなる第1の絶縁皮膜を具備することを特徴とする絶縁電線。
[2]前記酸成分が、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物60〜70モル%、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物10〜15モル%および無水ピロメリット酸25〜30モル%からなることを特徴とする[1]の絶縁電線。
[3]前記第1のポリイミドのガラス転移点(Tg)が250〜350℃であることを特徴とする[1]または[2]の絶縁電線。
[4]前記第1の絶縁皮膜の厚みが10〜200μmであることを特徴とする[1]乃至[3]のいずれかの絶縁電線。
[5]前記第1の絶縁皮膜上に、第2のポリイミドからなる第2の絶縁皮膜を具備することを特徴とする[1]乃至[4]のいずれかの絶縁電線。
[6]前記導体が、平角導体からなることを特徴とする[1]乃至[5]のいずれかの絶縁電線。
[7]前記平角導体は、幅2.0〜7.0mm、厚さ0.7〜3.0mmの矩形状断面を有することを特徴とする[6]の絶縁電線。
(調製例1)
攪拌機、窒素流入管および加熱冷却装置を備えたフラスコ内に、酸成分として3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物(BPDA)0.40モル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物(BTDA)0.15モル、および無水ピロメリット酸(PMDA)0.45モル、ジアミン成分として4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DDE)1.02モルを投入した。溶媒としてN−メチル−2−ピロリドンを酸、ジアミン成分の合計100部に対し、400部投入し、窒素雰囲気下で攪拌しながら2時間反応させた後、樹脂分20質量%のポリイミド樹脂ワニス(W−1)を得た。
調製例1と同様の方法で、表1に示す通り、酸成分の比率を変更して、ポリイミド樹脂ワニス(W−2)〜(W−11)を得た。
また、上記ポリイミド樹脂ワニスとは別に汎用のポリイミド樹脂ワニス(東レ(株)製のトレニース#3000;W−12)を用意した。
(例1)
厚さ1.9mm、幅3.0mmの平角アルミ導体上に、上記表1に示すポリイミド樹脂ワニス(W−1)を塗布し焼付けて100μm厚の皮膜(第1の絶縁皮膜)を形成し、絶縁電線を得た。
平角導体の種類および第1の絶縁皮膜の形成に使用するポリイミド樹脂ワニスの種類の少なくとも1つの条件を変えた以外は、例1と同様にして絶縁電線を得た。
厚さ1.9mm、幅3.0mmの平角アルミ導体上に、上記表1に示すポリイミド樹脂ワニス(W−5)を塗布し焼付けて皮膜(第1の絶縁皮膜)を形成し、次いで、この皮膜上に、汎用のポリイミド樹脂ワニスである上記表1に示すポリイミド樹脂ワニス(W−13)を塗布し焼付けて皮膜(第2の絶縁皮膜)を形成し、総厚100μmの皮膜を備えた絶縁電線を得た。
[ガラス転移点(Tg)]
熱機械分析装置を用いて各皮膜(第1の絶縁皮膜および第2の絶縁皮膜)を構成する材料のガラス転移点(Tg)を測定した。
[密着性]
絶縁皮膜と導体との180°剥離試験を行い、絶縁皮膜の密着力(単位:g/mm)を測定した。
[耐加工性]
長さ25cmの絶縁電線試料を30%伸長させ、エッジワイズ曲げ試験を行い、下記の基準で評価した(n=40)。
◎:亀裂の発生なし
○:亀裂発生率5%未満
△:亀裂発生率5%以上10%未満
×:亀裂発生率10%以上
第1の絶縁皮膜の厚みを変えた以外は、例4と同様にして絶縁電線を得た。
絶縁抵抗破壊電圧を測定し、下記の基準で評価した。
◎:絶縁抵抗破壊電圧10kV以上
○:絶縁抵抗破壊電圧5kV以上10kV未満
△:絶縁抵抗破壊電圧5kV未満
[コイルの小型化の容易性]
絶縁皮膜の厚みから、下記の基準で評価した。
◎:極めて容易
○:容易
△:困難
Claims (7)
- アルミニウム導体上に、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物50〜90モル%、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物5〜20モル%および無水ピロメリット酸5〜40モル%からなる酸成分と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを含むジアミン成分を反応させて得られる第1のポリイミドからなる第1の絶縁皮膜を具備することを特徴とする絶縁電線。
- 前記酸成分が、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物60〜70モル%、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物10〜15モル%および無水ピロメリット酸25〜30モル%からなることを特徴とする請求項1記載の絶縁電線。
- 前記第1のポリイミドのガラス転移点(Tg)が250〜350℃であることを特徴とする請求項1または2記載の絶縁電線。
- 前記第1の絶縁皮膜の厚みが10〜200μmであることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の絶縁電線。
- 前記第1の絶縁皮膜上に、第2のポリイミドからなる第2の絶縁皮膜を具備することを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の絶縁電線。
- 前記導体が、平角導体からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の絶縁電線。
- 前記平角導体は、幅2.0〜7.0mm、厚さ0.7〜3.0mmの矩形状断面を有することを特徴とする請求項6記載の絶縁電線。
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