JP5983546B2 - Nonvolatile memory control device - Google Patents
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Description
本発明は、特定の制御対象機器を制御する際に利用される制御データを記憶する不揮発性メモリを有し、その不揮発性メモリから制御データを読み出して、制御対象機器を制御する制御手段へ提供する不揮発性メモリ制御装置に関する。 The present invention has a non-volatile memory for storing control data used when controlling a specific control target device, and provides the control means for controlling the control target device by reading the control data from the non-volatile memory The present invention relates to a nonvolatile memory control device.
例えば、特許文献1には、データの保存中に機器への給電が絶たれた等の理由で、データ保存に失敗しても、データを完全に喪失することを防ぐことが可能なデータ記憶装置について開示されている。より具体的には、特許文献1のデータ記憶装置は、不揮発性メモリの記憶領域を複数の小領域に区分するとともに、各小領域に管理番号を付与する。そして、不揮発性メモリのある小領域に記憶されたデータで、正常に読み出されたものの内、最新のデータに編集して保存する場合、不揮発性メモリから読み出して使用した正常データに上書きせず、次の小領域に保存する。このため、データ保存に失敗した場合であっても、以前に保存されたデータが使用可能となるので、データ喪失を最小限にとどめることができる。 For example, Patent Document 1 discloses a data storage device that can prevent data from being completely lost even if data storage fails due to the power supply to the device being cut off during data storage. Is disclosed. More specifically, the data storage device of Patent Document 1 divides the storage area of the nonvolatile memory into a plurality of small areas and assigns a management number to each small area. And, when data stored in a small area of the non-volatile memory is normally read and edited and saved, the normal data read from the non-volatile memory and used is not overwritten. Save to the next small area. For this reason, even if data storage fails, previously stored data can be used, so data loss can be minimized.
なお、ある小領域に記憶されたデータが正常に読み出されたか否かは、そのデータに付加されているCRC(Cyclic Redundancy Check:巡回冗長検査符号)やチェックサムなどの誤り検出符号によって判定される。また、データの読み出し時には、各小領域に記憶されている全データを読み出し、その中で正常に読み出されたデータの内の最新のデータを特定し、その特定された最新データを機器で使用するデータとしてRAMに展開している。 Whether or not the data stored in a small area is normally read out is determined by an error detection code such as a CRC (Cyclic Redundancy Check) or a checksum attached to the data. The Also, when reading data, all data stored in each small area is read, the latest data among the data read normally is identified, and the latest data identified is used by the device. This data is expanded in RAM as data to be processed.
このように、特許文献1の装置では、読み出されたデータが最新のデータに編集された場合、記憶する小領域を異ならせている。その結果、不揮発性メモリの各小領域に、複数のデータが記憶される。ただし、各小領域に記憶されたデータに対しては、そのデータ全体に対して1つの誤り検出符号が設けられているだけである。 As described above, in the apparatus of Patent Document 1, when the read data is edited to the latest data, the small areas to be stored are different. As a result, a plurality of data is stored in each small area of the nonvolatile memory. However, for data stored in each small area, only one error detection code is provided for the entire data.
ここで、特許文献1の装置において、例えば機器で使用されるデータに、種類が異なる複数の制御データが含まれる場合、機器の制御開始が遅延したり、制御開始初期に適切な制御を行い得なかったり、場合によっては、必要なフェールセーフ処理の実行が遅れたりする虞がある。 Here, in the apparatus of Patent Document 1, for example, when data used in a device includes a plurality of different types of control data, the control start of the device may be delayed or appropriate control may be performed at the beginning of the control start. There is a possibility that the execution of necessary fail-safe processing may be delayed in some cases.
例えば、制御対象機器がモータであり、そのモータの制御に使用されるデータに、回転センサの誤差補正値、電流センサの原点補正値、インバータ回路の温度センサの誤差補正値などの複数の制御データが記憶されているとする。この場合、特許文献1の装置の読み出し手法では、それら複数の制御データをすべて読み出し、読み出した全制御データからCRCやチェックサムなどの誤り検出符号を算出する。そして、制御データとともに不揮発性メモリに記憶されている誤り検出符号と照合し、一致した場合に、読み出した全制御データは正常であると判定し、その後、データのRAMへの展開が行われる。 For example, the control target device is a motor, and data used for controlling the motor includes a plurality of control data such as an error correction value of a rotation sensor, an origin correction value of a current sensor, and an error correction value of a temperature sensor of an inverter circuit. Is stored. In this case, in the reading method of the apparatus of Patent Document 1, all of the plurality of control data are read, and error detection codes such as CRC and checksum are calculated from all the read control data. Then, the error detection code stored in the nonvolatile memory together with the control data is collated, and if they match, it is determined that all the read control data is normal, and then the data is expanded in the RAM.
このように、特許文献1の読み出し手法では、データをRAMに展開して、機器において利用可能となるまでに時間がかかるので、そのデータ展開を待って制御を開始する場合には、機器の制御開始が遅延することになる。 As described above, in the reading method of Patent Document 1, since it takes time until data is expanded in the RAM and can be used in the device, the control of the device is required when control is started after the data expansion. Start will be delayed.
また、データがRAMに展開され、機器において利用可能となる以前から、機器の制御を開始した場合には、例えば上記の例では、回転センサや電流センサにより正確な検出値を得ることができず、モータを適切に制御することができない虞が生じる。さらに、モータの制御停止後、即座に制御を再開するときなどに、インバータ回路の温度が上昇している場合、インバータ回路による通電電流を制限することが必要となることがある。しかしながら、温度センサの誤差補正値が得られないまま、モータ制御を開始してしまうと、電流制限がかからず、必要なフェールセーフ処理の実行が遅れてしまうことも起こりえる。 In addition, when the control of the device is started before the data is expanded in the RAM and becomes usable in the device, for example, in the above example, an accurate detection value cannot be obtained by the rotation sensor or the current sensor. There is a possibility that the motor cannot be controlled appropriately. Furthermore, when the temperature of the inverter circuit is rising, for example, when the control is resumed immediately after the motor is stopped, it may be necessary to limit the energization current by the inverter circuit. However, if motor control is started without obtaining an error correction value for the temperature sensor, current limitation is not applied, and execution of necessary fail-safe processing may be delayed.
本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、不揮発性メモリに、特定の制御対象機器を制御するために利用される制御データが記憶されている場合に、極力、早期に、その制御データを制御対象機器の制御に利用できるようにした不揮発性メモリ制御装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described points, and when control data used for controlling a specific control target device is stored in a nonvolatile memory, as soon as possible It is an object of the present invention to provide a non-volatile memory control device that can use control data for controlling a control target device.
上記目的を達成するために、本発明による不揮発性メモリ制御装置は、特定の制御対象機器(18)を制御する際に利用される制御データを記憶する不揮発性メモリ(14)を有し、不揮発性メモリから制御データを読み出して、制御対象機器を制御する制御手段(10)へ提供するものであって、
制御データは、制御対象機器を制御する上で、異なる用途に用いられる複数のデータを含み、その用途ごとのデータをグループ化の単位として、グループ化されたデータに優先順位が定められており、
制御対象機器の制御が開始されるとき、高い優先順位のグループ化されたデータから順番に、不揮発性メモリに記憶されたデータを読み出す読み出し手段(S150)と、
読み出し手段によって読み出されたデータに関して、グループ化されたデータごとに、異常がないかどうかを判定する判定手段(S160、S220)と、
読み出し手段により、ある用途に用いられるグループ化されたデータがすべて読み出され、かつ判定手段により、その読み出されたグループ化されたデータに異常がないと判定されると、読み出されたデータを、他の用途に用いられるグループ化されたデータの読み出し処理の進行状況によらず、制御手段へ提供する提供手段(S230)と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a nonvolatile memory control device according to the present invention includes a nonvolatile memory (14) for storing control data used when controlling a specific control target device (18). Control data is read from the memory and provided to the control means (10) for controlling the control target device,
The control data includes a plurality of data used for different purposes in controlling the device to be controlled, and the priority order is defined for the grouped data with the data for each usage as a unit of grouping.
Readout means (S150) for reading data stored in the non-volatile memory in order from the grouped data with high priority when control of the control target device is started;
Determination means (S160, S220) for determining whether or not there is an abnormality for each grouped data with respect to the data read by the reading means;
When the reading unit reads all the grouped data used for a certain application, and the determining unit determines that there is no abnormality in the read grouped data, the read data And providing means (S230) for providing to the control means regardless of the progress of reading processing of grouped data used for other purposes.
このように、本発明による不揮発性メモリ制御装置では、不揮発性メモリに記憶された、制御対象機器を制御する上で異なる用途に用いられる複数のデータに対し、その用途ごとのデータをグループ化の単位として、グループ化されたデータに優先順位を定めている。この優先順位は、制御対象機器を適切に制御するために、制御手段によって、より早期に取得される必要性が高いデータほど優先順位が高くなるように定められる。その上で、読み出し手段は、高い優先順位のグループ化されたデータから順番にデータを読み出し、判定手段は、読み出し手段によって読み出されたデータについて、グループ化されたデータごとに、異常がないかどうかを判定する。そして、ある用途に用いられるグループ化されたデータがすべて読み出され、かつ、その読み出されたグループ化されたデータに異常がないと判定されると、読み出されたデータを、他の用途に用いられるグループ化されたデータの読み出し処理の進行状況によらず、制御対象機器の制御手段へ提供する。これにより、用途ごとにグループ化されたデータを単位として、優先順位の高いデータほど早期に制御手段へ提供することが可能となる。従って、制御開始の遅れや、制御開始初期に適切な制御を行い得ない事態の発生を抑制することができる。 As described above, in the nonvolatile memory control device according to the present invention, the data for each use is grouped with respect to a plurality of data stored in the nonvolatile memory and used for different purposes in controlling the control target device. As a unit, priority is set for the grouped data. In order to appropriately control the control target device, this priority order is determined such that data having a higher necessity of being acquired earlier by the control means has a higher priority order. In addition, the reading unit reads data in order from the grouped data having a high priority, and the determining unit checks whether there is an abnormality for each grouped data of the data read by the reading unit. Determine if. Then, when all the grouped data used for a certain application is read and it is determined that the read grouped data is normal, the read data is transferred to the other application. Regardless of the progress status of the grouped data reading process used in the above, the data is provided to the control means of the control target device. As a result, with the data grouped for each application as a unit, the higher priority data can be provided to the control means earlier. Therefore, it is possible to suppress the delay of the control start and the occurrence of a situation where appropriate control cannot be performed at the beginning of the control.
上述した発明の構成において、制御対象機器の制御が開始されるときの、当該制御対象機器の状態を検出する検出手段(S100、S120)と、検出手段によって検出された制御対象機器の状態に応じて、グループ化されたデータに対して定められた優先順位を変更する優先順位変更手段(S110、S130)と、が設けられることが好ましい。例えば、「発明が解決しようとする課題」の欄において説明した例において、インバータ回路の温度を検出する温度センサの誤差補正値は、インバータ回路の温度が定常範囲内である場合には、その誤差補正値の提供が遅くなっても、モータ制御に重大な影響が及ぶことはない。しかし、モータ制御の開始時点で、インバータ回路の温度が定常範囲を超えて高くなっているときには、フェールセーフ処理を実行するために、最も優先して制御手段に提供すべきデータとなる。このように、制御対象機器の状態に応じて、制御手段がより早期に取得すべきデータは変化する場合がある。従って、制御対象機器の状態に応じて、グループ化されたデータに対して定められた優先順位を変更することで、そのような制御対象機器の状態変化にも適切に対応したデータの提供を行うことが可能となる。 In the configuration of the above-described invention, when the control of the control target device is started, the detection unit (S100, S120) for detecting the state of the control target device and the state of the control target device detected by the detection unit Preferably, priority order changing means (S110, S130) for changing the priority order determined for the grouped data is provided. For example, in the example described in the column “Problems to be Solved by the Invention”, the error correction value of the temperature sensor that detects the temperature of the inverter circuit is the error when the temperature of the inverter circuit is within a steady range. Even if the provision of the correction value is delayed, the motor control is not seriously affected. However, when the temperature of the inverter circuit is higher than the steady range at the start of the motor control, the data that should be provided to the control means with the highest priority in order to execute the fail-safe process. Thus, the data that the control means should acquire earlier may change depending on the state of the control target device. Therefore, by changing the priority order determined for the grouped data in accordance with the state of the control target device, data corresponding to such a change in the state of the control target device is provided. It becomes possible.
なお、上記括弧内の参照番号は、本発明の理解を容易にすべく、後述する実施形態における具体的な構成との対応関係の一例を示すものにすぎず、なんら本発明の範囲を制限することを意図したものではない。 Note that the reference numerals in the parentheses merely show an example of a correspondence relationship with a specific configuration in an embodiment described later in order to facilitate understanding of the present invention, and limit the scope of the present invention. It is not intended.
また、上述した特徴以外の、請求項に記載した本発明の特徴に関しては、後述する実施形態の説明及び添付図面から明らかになる。 Further, the features of the present invention described in the claims other than the features described above will be apparent from the description of embodiments and the accompanying drawings described later.
以下、本発明の実施形態による、特定の制御対象機器を制御する際に利用される制御データを記憶する不揮発性メモリに対する読み出し、書き込みを制御する不揮発性メモリ制御装置について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、制御対象機器を、いわゆるハイブリッド車両に用いられるモータジェネレータとした例について説明する。そして、不揮発性メモリ制御装置は、モータジェネレータを制御するMGECU(Motor Generator Electronic Control Unit)の一機能として具現化されている。つまり、MGECUにて、不揮発性メモリからの読み取りを行うプログラムを実行したり、不揮発性メモリへの書き込みを行うプログラムを実行したりすることにより、MGECUが、不揮発性メモリ制御装置としても機能する。 Hereinafter, a nonvolatile memory control device that controls reading and writing to a nonvolatile memory that stores control data used when controlling a specific control target device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. To do. In the present embodiment, an example in which the control target device is a motor generator used in a so-called hybrid vehicle will be described. The nonvolatile memory control device is embodied as a function of an MGECU (Motor Generator Electronic Control Unit) that controls the motor generator. That is, the MGECU also functions as a non-volatile memory control device by executing a program for reading from the non-volatile memory or executing a program for writing to the non-volatile memory.
図1は、本実施形態による不揮発性メモリ制御装置としての機能を有するMGECU10を含む、モータジェネレータ18を制御するためのモータジェネレータ制御装置全体の構成を示している。
FIG. 1 shows the overall configuration of a motor generator control apparatus for controlling a
MGECU10は、マイクロコンピュータにより構成され、少なくとも、MGECU10において実行すべき各種の制御処理を記述したプログラムを記憶するROM、各種の演算処理を実行するCPU、演算処理結果や各種のデータを一時的に保存するRAMなどを有している。このMGECU10は、電源回路12から電源供給を受けて動作可能となる。電源回路12は、車両のイグニッションスイッチがオンされたときに発生するIG信号に応じて、MGECU10への電源供給を開始する。ただし、イグニッションスイッチがオフされてIG信号が消滅しても、電源回路12は、MGECU10から電源停止許可信号が出力されるまで、電源の供給を維持する。これにより、MGECU10は、イグニッションオフ時に、不揮発性メモリ14への書き込み処理などを実行することが可能となる。
The MGECU 10 is composed of a microcomputer, and at least stores a ROM that stores programs describing various control processes to be executed by the MGECU 10, a CPU that executes various arithmetic processes, and temporarily stores arithmetic processing results and various data. RAM to be used. The
なお、図1では電源回路12と不揮発性メモリ14は、MGECU10の外部に構成されているが、本構成は一例であり、電源回路12と不揮発性メモリ14はMGECU10の内部に構成されても良い。
In FIG. 1, the
MGECU10は、モータジェネレータ18の回転位置を検出する回転センサ、モータジェネレータ18に通電される電流値を検出する電流センサ、及びインバータ回路16のスイッチング素子の温度を検出する温度センサからの検出信号を入力する。MGECU10は、外部から与えられるトルク指令値とそれらのセンサからの検出信号とに基づき、モータジェネレータ18を駆動するための駆動制御信号をインバータ回路16に出力する。この駆動制御信号に応じてインバータ回路16のスイッチング素子が駆動されることで、図示しない高圧バッテリからインバータ回路16を介してモータジェネレータ18に駆動電流が通電される。その結果、モータジェネレータ18は、所望の駆動トルクを発生するように駆動される。もしくは、モータジェネレータ18によって発電された電力による電流がインバータ回路16により整流され、図示しない高圧バッテリの充電が行われる。
The
モータジェネレータ18は、例えばU相、V相、W相の3相のステータコイル、及び永久磁石からなるロータを有し、電動機及び発電機としての機能を発揮可能なものである。このモータジェネレータ18は、例えば遊星歯車機構を介して車両の駆動軸に連結されている。モータジェネレータ18は、インバータ回路16により駆動電流が供給されることにより、駆動輪に必要とされる駆動トルクを発生する電動機として機能する。また、モータジェネレータ18は、車両の減速時に、駆動輪からの駆動力によって回転駆動されることにより、回生電力を発生する発電機として機能する。
The
インバータ回路16は、モータジェネレータ18のU相、V相、W相の各相に対応して設けられた、それぞれ対をなしている6個のスイッチング素子(例えば、IGBT)を有する。つまり、インバータ回路16においては、対をなす高電位側及び低電位側のスイッチング素子が、モータジェネレータ18の各相ごとに設けられ、それら高電位側及び低電位側のスイッチング素子同士の接続線が、モータジェネレータ18の各相のステータコイルに接続されている。
モータジェネレータ18を電動機として機能させる場合、MGECU10からの駆動制御信号に応じて、インバータ回路16において、モータジェネレータ18の回転位置を検出する回転センサからの検出信号に基づき、同時にオンするスイッチング素子の組み合わせが順番に切り替えられる。これにより、図示しない高圧バッテリから電流が通電されるモータジェネレータ18の通電相が順番に切り替えられ、モータジェネレータ18には、ロータを回転させるための回転磁界が生成される。
When the
そして、MGECU10は、駆動制御信号として、モータジェネレータ18が発生すべき駆動トルクに応じたパルス幅変調信号(PWM信号)をインバータ回路16に出力する。これにより、各ステータコイルには、PWM信号に応じた電流値の電流が通電され、モータジェネレータ18が発生する駆動トルクが、その電流値に応じて制御される。このPWM信号の生成は、モータジェネレータ18の各相に通電される電流値を検出する電流センサからの検出信号に基づいて行われる。
Then,
一方、MGECU10は、車両の減速時にモータジェネレータ18を発電機として機能させる場合、モータジェネレータ18によって発電された3相交流電流を直流電流に変換するようにインバータ回路16を制御する。その直流電流は、高圧バッテリの充電などに用いられる。
On the other hand,
回転センサは、レゾルバやアブソリュート型エンコーダのように、モータジェネレータ18の回転位置(磁極位置)を絶対値として検出可能なものである。この回転センサは、所定角度(例えば22.5°)毎に、モータジェネレータ18の回転位置を検出する。回転センサは、モータジェネレータ18の製造時に、モータジェネレータ18に組み付けられる。ただし、この場合、組み付け誤差や、回転センサの製造誤差などにより、モータジェネレータ18の実際の回転位置と、回転センサが出力する回転位置とにずれ(オフセット誤差)が生じる場合がある。そのため、回転センサがモータジェネレータ18に組み付けられると、オフセット誤差が計測され、そのオフセット誤差を補正するための誤差補正値が算出されて、不揮発性メモリ14に記録される。MGECU10は、モータジェネレータ18の回転位置を検出する際、誤差補正値を用いてオフセット誤差を補正する。
The rotation sensor can detect the rotation position (magnetic pole position) of the
電流センサは、モータジェネレータ18の3相のうち、2相(例えばV相、W相)の電流値をそれぞれ検出する2つのセンサからなる。残り1相の電流値は、検出した2相の電流値から計算により算出される。この電流センサは、誤差成分としてオフセット成分を含んでいたり、あるいは、出力特性の傾きが、理想とする出力特性の傾きからずれていたりする場合がある。そのため、この電流センサについても、オフセット成分や出力特性の傾きを計測し、そのオフセット成分や出力特性の傾きのずれを補正するための原点補正値や傾き補正値(ゲイン補正係数)が算出され、不揮発性メモリ14に記録される。なお、本実施形態では、原点補正値だけを不揮発性メモリ14に記録する例について説明するが、出力特性の傾きを補正するためのゲイン補正係数を、同じく不揮発性メモリ14に記録するようにしても良い。そして、MGECU10は、モータジェネレータ18のステータコイルに通電される電流を検出する際、原点補正値を用いてオフセット成分を補正する。
The current sensor includes two sensors that respectively detect current values of two phases (for example, V phase and W phase) among the three phases of the
ここで、車両の走行負荷が高く、モータジェネレータ18が大きな駆動トルクを発生する必要がある場合、インバータ回路16の各スイッチング素子は、モータジェネレータ18の各ステータコイルに大電流を通電する。このような大電流の通電が行われると、各スイッチング素子の温度は大きく上昇する。そして、各スイッチング素子の温度が過度に上昇すると、各スイッチング素子にダメージを与える虞が生じる。そのため、インバータ回路16の各スイッチング素子が実装された基板には、温度センサが設けられている。
Here, when the traveling load of the vehicle is high and the
MGECU10は、温度センサからの検出信号に基づき、インバータ回路16の各スイッチング素子の温度が閾値温度以上に上昇したことを検出すると、各ステータコイルに通電する電流値を所定値以下に制限するフェールセーフ処理を実行する。このフェールセーフ処理により、インバータ回路16のスイッチング素子の温度が閾値温度を超えて上昇することが防止される。
When the
上述した温度センサは、例えば感温ダイオードからなる。感温ダイオードは、一般的に、その温度と、ある電流を流した時の順方向降下電圧Vfとが、負の線形性を示す温度電圧特性を有する。従って、感温ダイオードの順方向降下電圧Vfを測定することにより、感温ダイオード、すなわち、インバータ回路16のスイッチング素子の温度を検出することができる。ただし、感温ダイオードの温度電圧特性は、個々の感温ダイオードで多少のばらつきがある。そのため、インバータ回路16の製造段階において、各感温ダイオードの温度電圧特性が測定され、理想とする温度電圧特性との誤差を補正するための温度補正値が算出され、不揮発性メモリ14に記録される。なお、本実施形態では、温度補正値は、各感温ダイオードの負の線形性による傾きは一定とみなし、その傾き直線が平行にずれたずれ量を補正するものとして算出される。ただし、傾きの誤差を補正するための補正値を合わせて算出しても良い。MGECU10は、スイッチング素子の温度を検出する際には、温度補正値を用いて、感温ダイオードの温度電圧特性の誤差を補正する。
The temperature sensor mentioned above consists of a temperature sensitive diode, for example. In general, a temperature-sensitive diode has a temperature-voltage characteristic in which the temperature and the forward voltage drop Vf when a certain current flows are negative linearity. Therefore, the temperature of the temperature sensitive diode, that is, the switching element of the
不揮発性メモリ14は、例えばEEPROMなどの電気的に読み書き可能なメモリである。この不揮発性メモリ14には、図2に示すように、制御データ記憶領域と、故障診断データ記憶領域とが設けられている。制御データ記憶領域には、上述した回転センサの誤差補正値、電流センサの原点補正値、及び温度センサの温度補正値などが記憶される。
The
回転センサは、上述したように、所定角度ごとに、モータジェネレータ18の回転位置を検出する。そのため、その所定角度ごとの実際のモータジェネレータ18の回転位置とのずれが、それぞれ誤差補正値として不揮発性メモリ14に記憶される。図2に示す例では、制御データ記憶領域1において、所定角度ごとの誤差補正値が、データ1−1、1−2、…として記憶されている。
As described above, the rotation sensor detects the rotational position of the
さらに、不揮発性メモリ14においては、それら所定角度ごとの誤差補正値のデータ1−1、1−2、…が、1面からn面に渡って、n個(nは3以上の整数)記憶されている。このように、各データ1−1、1−2、…を3個以上記憶しておくことで、不揮発性メモリ14の異常などにより記憶データの一部に異常が生じても、多数決判定処理により、正しいデータ1−1、1−2、…を読み出せるようにしている。なお、2面目からn面目に記憶されるデータ1−1、1−2、…は、1面目に記憶されるデータ1−1、1−2、…のミラーデータであったり、暗号化されたデータであったりしても良い。いずれの場合も、元のデータを復元できるためである。
Further, in the
また、不揮発性メモリ14には、回転センサの所定角度毎の誤差補正値の誤り検出符号として、1面からn面の各面にチェックサムSUM1が記憶されている。なお、この誤り検出符号は、巡回冗長検査符号(CRC:Cyclic Redundancy Check)などの他の誤り検出符号であっても良い。
The
このように、本実施形態では、不揮発性メモリ14に記憶されているデータの真偽を確認するために、複数のデータによる多数決判定と、誤り検出符号によるチェックとを行い得るようにしている。しかしながら、いずれか一方の手法だけで、記憶されているデータの真偽を確認するようにしても良い。
As described above, in this embodiment, in order to confirm the authenticity of data stored in the
電流センサは、上述したように、V相とW相の2相の電流をそれぞれ検出する2つのセンサからなる。そのため、不揮発性メモリ14には、それら2つのセンサのオフセット成分を補正するための原点補正値が、それぞれ、データ2−1、2−2として記憶されている。また、回転センサの誤差補正値の場合と同様に、原点補正値のデータ2−1、2−2が、1面からn面に渡ってn個記憶されている。さらに、不揮発性メモリ14には、それら各面の原点補正値のデータ2−1、2−2のチェックサムSUM2も記憶されている。
As described above, the current sensor includes two sensors that respectively detect two-phase currents of the V phase and the W phase. Therefore, the origin memory correction values for correcting the offset components of these two sensors are stored in the
温度センサに関しては、上述したように、感温ダイオードの温度電圧特性を示す負の傾きを持った直線が、理想とする直線から平行にずれたずれ量を補正するための温度補正値が、不揮発性メモリ14に、データ3−1として記憶されている。この温度補正値に関しても、回転センサの誤差補正値の場合と同様に、温度補正値のデータ3−1が、1面からn面に渡ってn個記憶されている。ただし、温度補正値は1つだけであるため、温度補正値に関しては、チェックサムなどの誤り検出符号は記憶されていない。 Regarding the temperature sensor, as described above, the temperature correction value for correcting the deviation amount in which the straight line having the negative slope indicating the temperature-voltage characteristic of the temperature-sensitive diode is shifted in parallel from the ideal straight line is non-volatile. Stored as data 3-1. Also for this temperature correction value, as in the case of the error correction value of the rotation sensor, n pieces of temperature correction value data 3-1 are stored from the 1st surface to the nth surface. However, since there is only one temperature correction value, no error detection code such as a checksum is stored for the temperature correction value.
これらの制御データ記憶領域に記憶されたデータは、イグニッションスイッチがオンされたときに、不揮発性メモリ14から読み出される。すなわち、図3に示すように、イグニッションスイッチがオンされ、電源回路12からの電源供給が開始されて、MGECU10が、その動作を開始したとき、読み出しフラグが許可状態に設定され、不揮発性メモリ14からのデータの読み出しが実行される。このデータの読み出しは、各データに設定された優先順位に従って、順番に実行される。不揮発性メモリ14からの読み出し処理については、後に詳細に説明する。
The data stored in these control data storage areas is read from the
次に、不揮発性メモリ14の故障診断データ記憶領域に記憶される情報について説明する。モータジェネレータ18の動作になんらかの異常が生じたり、故障が発生したりしたとき、その異常や故障の発生時の状況を確認するため、車速や、高電圧バッテリの電圧などの付帯情報が検出される。そして、不揮発性メモリ14の故障診断データ記憶領域には、異常の種類を示す情報と、それらの付帯情報とをまとめたフリーズフレームデータが書き込まれる。モータジェネレータ18の動作異常の例としては、モータ電流やインバータ回路16の温度がそれぞれの規定値を超えたことなどが含まれる。また、故障診断データ記憶領域には、モータジェネレータ18に関連するなんらかの故障が発生し、故障警告灯(MIL)が点灯されたとき、上述した付帯情報が検出され、それらの情報をまとめたデータも書き込まれたりする。
Next, information stored in the failure diagnosis data storage area of the
この不揮発性メモリ14への書込処理は、イグニッションスイッチがオフされたときに実行される。つまり、図3に示すように、イグニッションスイッチがオフされたとき、書き込みフラグが許可状態に設定され、不揮発性メモリ14への書き込みが行われる。この書込処理については後に詳細に説明する。
The writing process to the
なお、イグニッションスイッチがオンされている最中にも、書き込みフラグが許可状態に設定される場合がある。それは、故障診断装置により、不揮発性メモリ14の故障診断データ記憶領域に記憶されていたデータが読み出され、故障診断が完了したときである。この場合、故障診断装置により、故障診断データ(ダイアグデータ)のクリア要求が出される。そのクリア要求を受けて、MGECU10は、書き込みフラグを許可状態に設定し、故障診断データの消去を行う。また、故障診断データ記憶領域に記憶されたデータも、イグニッションスイッチがオンされたとき、与えられた優先順位に従って、制御データ記憶領域のデータの読み出し後に読み出され、RAMに記憶される。故障診断装置は、そのRAMに記憶されたデータを通信により取得して、故障診断を実行する。
Note that the write flag may be set to the permitted state even while the ignition switch is turned on. That is when the failure diagnosis apparatus has read out the data stored in the failure diagnosis data storage area of the
次に、不揮発性メモリ14からの読み出し処理について、図4のフローチャートを参照しつつ説明する。なお、図4のフローチャートに示す処理は、イグニッションスイッチがオンされ、読み出しフラグが許可状態に設定されたときに実行される。
Next, read processing from the
まず、ステップS100において、温度センサによって検出されたスイッチング素子の温度が規定値以下であるか否かが判定される。 First, in step S100, it is determined whether or not the temperature of the switching element detected by the temperature sensor is equal to or lower than a specified value.
ここで、本実施形態においては、図2に示すように、回転センサの誤差補正に用いられる誤差補正値、電流センサの原点補正に用いられる原点補正値、温度センサの温度補正に用いられる温度補正値など、異なる用途に用いられる複数のデータに対し、その用途ごとのデータをグループ化の単位として、グループ化されたデータに優先順位を定めている。この優先順位は、モータジェネレータ18の駆動開始から適切に制御するために、MGECU10において、より早期に取得される必要性が高いデータほど優先順位が高くなるように予め定められている。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, an error correction value used for error correction of the rotation sensor, an origin correction value used for origin correction of the current sensor, and a temperature correction used for temperature correction of the temperature sensor. For a plurality of data used for different purposes such as values, priority is set for the grouped data with the data for each usage as a unit of grouping. In order to appropriately control the
例えば図2に示す例では、回転センサの誤差補正値が優先度1、電流センサの原点補正値が優先度2,温度センサの温度補正値が優先度3に定められている。これは、MGECU10が、通常のモータジェネレータ18の制御に、回転センサの誤差補正値及び電流センサの原点補正値を使用するのに対し、温度センサの温度補正値は、通常の制御では使用されないためである。つまり、温度センサの誤差補正値は、インバータ回路16の素子温度が規定値以下の定常範囲内である場合には、MGECU10が、その誤差補正値を利用できる時期が遅くなっても、モータジェネレータ18の制御に重大な影響が及ぶことはない。このため、温度センサの温度補正値の読み出し優先順位は、回転センサの誤差補正値や電流センサの原点補正値の読み出し優先順位よりも低く設定されている。
For example, in the example shown in FIG. 2, the error correction value of the rotation sensor is set to priority 1, the origin correction value of the current sensor is set to priority 2, and the temperature correction value of the temperature sensor is set to priority 3. This is because the
しかし、モータジェネレータ18の駆動開始時点で、インバータ回路16の素子温度が規定値を超えて高くなっているときには、スイッチング素子のダメージの防止を目的として、電流値を制限するフェールセーフ処理を実行するために、温度センサの温度補正値が、最も優先して読み出すべきデータとなる。このように、制御対象機器であるモータジェネレータ18の状態に応じて、読み出すべきデータの優先順位は変化する。
However, when the element temperature of the
そのため、ステップS100において、インバータ回路16の素子温度が規定値以下であるか否かを確認する。そして、規定値以上である場合には、ステップS110に進んで、温度補正値の読み出し優先度を最高位に変更する。この場合、他のデータの読み出し優先度は順次、繰り下げられる。
Therefore, in step S100, it is confirmed whether or not the element temperature of the
次に、ステップS120では、電流センサによって検出されたW相電流もしくはV相電流の絶対値が規定値以下であるか否かが判定される。W相電流、V相電流の少なくとも一方が規定値以上と判定された場合、電流センサやモータジェネレータ18に何らかの異常が生じている可能性が高い。また、この場合、極力早期に正しい電流値を検出して、必要であれば、モータジェネレータ18に通電する電流値を低下させるなどの対策処理を施す必要がある。
Next, in step S120, it is determined whether or not the absolute value of the W-phase current or V-phase current detected by the current sensor is equal to or less than a specified value. When it is determined that at least one of the W-phase current and the V-phase current is greater than or equal to the specified value, there is a high possibility that some abnormality has occurred in the current sensor or the
そのため、ステップS120において、W相電流もしくはV相電流の絶対値が規定値以上と判定された場合、ステップS130において、電流センサの原点補正値の読み出し優先度を最高位に変更する。なお、既に、ステップS110において、温度補正値の読み出し優先度が最高位に変更されている場合には、その読み出し優先度は、次点に繰り下げられる。 Therefore, when it is determined in step S120 that the absolute value of the W-phase current or the V-phase current is equal to or greater than the specified value, the read priority of the origin correction value of the current sensor is changed to the highest level in step S130. If the temperature correction value read priority has already been changed to the highest level in step S110, the read priority is lowered to the next point.
続くステップS140では、予め定められた優先順位に従い、もしくは、優先順位の変更があった場合には、その変更後の優先順位に従い、未読出データの中で優先順位の最も高いデータが記憶されている領域を読み出し領域として選択する。そして、ステップS150では、同じ番号が付与されたデータを、1面〜n面までの各面から読み出す。ステップS160では、各面から読み出したデータの多数決判定を行い、半分を超えるデータが一致している場合、多数決判定OKとみなす。例えば、不揮発性メモリ14に3個のデータが記憶されている場合、2個以上のデータが一致している場合、多数決判決OKとなる。多数決判定OKの場合には、ステップS170の処理に進む。一方、多数決判定NGの場合には、ステップS240の処理に進む。
In the subsequent step S140, the highest priority data among the unread data is stored in accordance with the predetermined priority order, or when the priority order is changed, in accordance with the priority order after the change. Is selected as a readout area. In step S150, data with the same number is read from each of the first to nth surfaces. In step S160, the majority decision of the data read from each surface is performed, and if more than half of the data match, it is regarded as majority decision OK. For example, when three pieces of data are stored in the
ステップS170では、データが不一致となったか否か、不一致となった場合、その不一致となったデータを記憶している面はどの面かを判定する。データが不一致となったと判定されると、ステップS180の処理に進む。一方、すべてのデータが一致し、不一致となったデータはないと判定されると、ステップS190の処理に進む。ステップS180では、不一致となったデータを記憶している面を示す情報を、不一致履歴として保存する。この不一致履歴は、イグニッションオフ時に、不揮発性メモリ14に書き込んで保存される。また、不一致となったデータは、イグニッションオフ時の書き込み処理などにおいて、一致したデータと同一のデータとなるように書き換えられても良い。
In step S170, it is determined whether or not the data does not match. If the data does not match, it is determined which surface stores the mismatched data. If it is determined that the data does not match, the process proceeds to step S180. On the other hand, if it is determined that all the data matches and there is no mismatched data, the process proceeds to step S190. In step S180, information indicating the surface storing the mismatched data is saved as a mismatch history. The mismatch history is written and stored in the
ステップS190では、ステップS140にて選択した領域内の全データの読み出しが完了したか否かを判定する。まだ全データの読み出しが完了していないと判定されると、ステップS200の処理に進み、読み出しデータの番号を更新する。そして、ステップS150からの処理を再度実行する。一方、全データの読み出しが完了したと判定されると、ステップS210に進み、読み出した全データから、チェックサムSUM1,2などの誤り検出符号を算出する。そして、ステップS220において、算出した誤り検出符号と、不揮発性メモリ14に記憶されていた誤り検出符号との照合を行い、両符号が一致するか否かを判定する。両符号が一致したと判定された場合には、読み出したデータは正しいとみなし、RAMに展開する。これにより、MGECU10が、モータジェネレータ18を制御するための制御プログラムを実行する際、補正値を参照可能となる。すなわち、RAMに補正値を展開することにより、モータジェネレータ18の制御手段としてのMGECU10へ補正値が提供される。すると、MGECU10は、提供された補正値を用いて、モータジェネレータ18の回転位置の検出や、電流値の検出を高精度に行うことが可能となる。一方、誤り検出符号が一致しないと判定された場合には、ステップS240の処理に進む。
In step S190, it is determined whether reading of all data in the area selected in step S140 has been completed. If it is determined that reading of all data has not been completed, the process proceeds to step S200, and the read data number is updated. Then, the processing from step S150 is executed again. On the other hand, if it is determined that reading of all data is completed, the process proceeds to step S210, and error detection codes such as checksums SUM1, 2 are calculated from all the read data. In step S220, the calculated error detection code is compared with the error detection code stored in the
ステップS240では、不揮発性メモリ14が異常である旨を記憶し、読み出したデータをRAMに展開せずに、図4に示すフローチャートを終了する。この場合、故障ランプの点灯などにより車両の乗員に異常を報知する。
In step S240, the fact that the
最後に、ステップS250において、まだデータが読み出されていない領域が残されているか否かを判定する。まだ読み出されていない領域が残されていると判定されると、ステップS140の処理に戻る。 Finally, in step S250, it is determined whether or not an area where data has not yet been read remains. If it is determined that an area that has not yet been read remains, the process returns to step S140.
図4のフローチャートに示す読み出し処理により、相対的に高い優先順位が与えられたグループ化されたデータから順番にデータが読み出されるとともに、そのグループ化されたデータごとに、異常がないかどうかが判定される。そして、グループ化されたデータがすべて読み出され、かつ、その読み出されたグループ化されたデータに異常がないと判定されると、読み出されたデータを、他の用途に用いられるグループ化されたデータの読み出し処理の進行状況によらず、RAMに展開して、MGECU10において利用可能としている。これにより、用途ごとにグループ化されたデータを単位として、優先順位の高いデータほど早期に、MGECU10において利用することが可能となる。
By the reading process shown in the flowchart of FIG. 4, data is sequentially read from the grouped data to which relatively high priority is given, and it is determined whether there is any abnormality for each grouped data. Is done. Then, if all the grouped data is read and it is determined that the read grouped data is normal, the read data is grouped for other uses. Regardless of the progress status of the read processing of the read data, the data is expanded in the RAM and can be used in the
例えば、図5のフローチャートに示すように、MGECU10では、各補正値がRAMに展開されたか否かにより、その補正値が利用可能となったか否かを判定し、利用可能と判定された補正値から、順次、演算処理に利用するようにしている。
For example, as shown in the flowchart of FIG. 5, the
具体的には、ステップS300において、回転センサの誤差補正値が利用可能か否かを判定し、利用可能と判定されると、ステップS310に進み、その誤差補正値を用いた、モータジェネレータ18の回転角度の演算を開始する。また、ステップS320において、電流センサの原点補正値が利用可能か否かを判定し、利用可能と判定されると、ステップS330に進み、その原点補正値を用いた、モータジェネレータ18のステータコイルの各相に通電される電流値の演算を開始する。さらに、ステップS340において、温度センサの誤差補正値が利用可能か否かを判定し、利用可能と判定されると、ステップS350に進み、その誤差補正値を用いた、インバータ回路16の素子温度の演算を開始する。
Specifically, in step S300, it is determined whether or not the error correction value of the rotation sensor can be used. If it is determined that the rotation sensor can be used, the process proceeds to step S310, and the
このため、モータジェネレータ18の制御開始の遅れや、制御開始初期に適切な制御を行い得ない事態の発生を極力抑制することができる。
For this reason, it is possible to suppress as much as possible the delay in the start of control of the
次に、不揮発性メモリ14への書き込み処理について、図6のフローチャートを参照しつつ説明する。なお、図6のフローチャートに示す処理は、イグニッションスイッチがオフされ、書き込みフラグが許可状態に設定されたときに実行される。
Next, the writing process to the
まず、ステップS400において、何らかの異常や故障が発生したか否かが判定される。異常や故障が発生すると、その情報は、上述した付帯情報とともにRAMに一時的に保存される。ステップS400では、そのような異常や故障の発生情報がRAMに保存されているか否かにより、異常や故障が発生したかを判定する。ステップS400において、異常や故障が発生したと判定されると、その異常や故障に関するフリーズフレームデータを不揮発性メモリ14に書き込むため、ステップS410の処理に進む。一方、異常や故障が発生していないと判定されると、図6のフローチャートに示す処理を終了する。
First, in step S400, it is determined whether any abnormality or failure has occurred. When an abnormality or failure occurs, the information is temporarily stored in the RAM together with the accompanying information. In step S400, whether or not an abnormality or failure has occurred is determined based on whether or not such abnormality or failure occurrence information is stored in the RAM. If it is determined in step S400 that an abnormality or failure has occurred, the process proceeds to step S410 in order to write freeze frame data relating to the abnormality or failure in the
ステップS410では、複数回発生の異常があるか否かを判定する。すなわち、ステップS400において判定された異常や故障は、既に、フリーズフレームデータが不揮発性メモリ14に記憶されている異常や故障と同じ種類のものかを判定する。
In step S410, it is determined whether there is an abnormality that has occurred a plurality of times. That is, it is determined whether the abnormality or failure determined in step S400 is already the same type as the abnormality or failure in which the freeze frame data is stored in the
ここで、本実施形態では、同時に複数種類の異常や故障に関するフリーズフレームデータを書き込む必要が生じた場合、例えば、異常や故障の種類に応じて、書き込み処理の優先順位を定め、その優先順位に従って、順番にフリーズフレームデータの書き込みを行なう。ただし、複数回同じ異常や故障が発生した場合には、それらの異常や故障は継続的に発生しており、相対的な重要度が高まっているとみなす。そのため、ステップS410において複数回発生している異常であると判定されると、ステップS420に進み、その異常や故障に関するフリーズフレームデータの書き込み優先度を最高位に設定する。 Here, in the present embodiment, when it is necessary to write freeze frame data regarding a plurality of types of abnormalities and failures at the same time, for example, according to the types of abnormalities and failures, the priority order of the writing process is determined, and according to the priority order The freeze frame data is written in order. However, when the same abnormality or failure occurs a plurality of times, the abnormality or failure occurs continuously, and it is considered that the relative importance is increasing. Therefore, if it is determined in step S410 that the abnormality has occurred a plurality of times, the process proceeds to step S420, where the priority of writing freeze frame data regarding the abnormality or failure is set to the highest.
ステップS430では、初めて発生した異常や故障があるか否かを判定する。初めて発生した異常や故障は、まだ、不揮発性メモリ14になんらのデータも書き込まれていないため、最も優先して書き込み処理を行うべきデータとなる。そのため、ステップS430にて初めて発生した異常や故障があると判定された場合、ステップS440の処理に進み、その異常や故障に関するフリーズフレームデータの書き込み優先度を最高位に設定する。この際、ステップS420において、複数回発生した異常や故障に関するフリーズフレームデータの書き込み優先度が最高位に設定されている場合には、その書き込み優先度が次点に繰り下げられる。
In step S430, it is determined whether there is an abnormality or failure that has occurred for the first time. The abnormality or failure that has occurred for the first time is the data that should be preferentially written because no data has been written to the
ステップS450では、書き込み領域が選択される。例えば、この書き込み領域は異常や故障の種類毎に予め設定されており、いずれの種類の異常や故障が生じたかに応じて、該当する書き込み領域が選択される。あるいは、故障診断データの記憶領域において、異常や故障が発生するごとに、空き領域の先頭から順番に書き込み領域として選択するようにしても良い。 In step S450, a writing area is selected. For example, this writing area is preset for each type of abnormality or failure, and the corresponding writing area is selected depending on which type of abnormality or failure has occurred. Alternatively, each time an abnormality or failure occurs in the failure diagnosis data storage area, it may be selected as the writing area in order from the beginning of the empty area.
続くステップS460では、書き込むべきフリーズフレームデータの誤り検出符号を算出する。この算出した誤り検出符号は、書き込みデータの1つとして、全てのフリーズフレームデータの書き込み終了後に、不揮発性メモリ14に書き込まれる。
In subsequent step S460, an error detection code of freeze frame data to be written is calculated. The calculated error detection code is written to the
ステップS470では、書き込むべきフリーズフレームデータ中の1つのデータを選択し、その選択したデータを1面からn面までの各面に書き込む。なお、データを選択する順序は予め定められている。ステップS480では、不揮発性メモリ14に書き込みデータを送信した結果として、不揮発性メモリ14から、書き込みが正常に行われたことを示す信号が返送されたか否かを判定する。その信号が返送された場合には、ステップS490の処理に進み、その信号が返送されない場合には、ステップS510に進む。ステップS510では、不揮発性メモリ14に異常が発生している旨を記憶する。この場合、故障ランプの点灯などにより車両の乗員に異常を報知する。
In step S470, one data item in the freeze frame data to be written is selected, and the selected data is written to each surface from the first surface to the n-th surface. Note that the order in which data is selected is determined in advance. In step S480, it is determined whether or not a signal indicating that the writing has been normally performed is returned from the
ステップS490では、選択した書き込み領域内の全てデータの書き込みが完了したか否か判定される。全てのデータが書き込まれていないと判定されると、ステップS500にてデータ番号を更新した後、ステップS470からの処理を再度実行する。一方、全てのデータが書き込まれたと判定されると、ステップS520の処理に進む。ステップS520では、データが書き込まれるべきであるが、まだ書き込まれていない領域が残されているか否かを判定する。まだ書き込まれていない領域が残されていると判定されると、ステップS450の処理に戻る。 In step S490, it is determined whether writing of all data in the selected writing area is completed. If it is determined that all the data has not been written, the data number is updated in step S500, and then the processing from step S470 is executed again. On the other hand, if it is determined that all the data has been written, the process proceeds to step S520. In step S520, it is determined whether data should be written but an area that has not yet been written remains. If it is determined that an area that has not yet been written remains, the process returns to step S450.
このようにして、MGECU10において書き込み処理が実行される。そして、その書き込み処理が終了すると、MGECU10は、電源停止許可信号を電源回路12に出力する。
In this way, the writing process is executed in the
本実施形態では、上述したように、複数回発生している異常や故障に関するデータと、初めて発生した異常や故障に関するデータとの書き込みが競合した場合に、初めて発生した異常や故障に関するデータの書き込みを優先して行うようにした。このため、書き込み中になんらかの異常が発生し、書き込み処理が中断されたとしても、初めて発生した異常や故障に関するデータを不揮発性メモリ14に残せる可能性を高めることができる。
In this embodiment, as described above, when there is a conflict between writing data regarding an abnormality or failure that has occurred multiple times and data regarding an abnormality or failure that has occurred for the first time, writing of data regarding an abnormality or failure that has occurred for the first time. Was given priority. For this reason, even if some abnormality occurs during writing and the writing process is interrupted, it is possible to increase the possibility that data relating to the abnormality or failure that has occurred for the first time can remain in the
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することができる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上述した実施形態では、複数回発生している異常や故障に関するデータと、初めて発生した異常や故障に関するデータとの書き込みが競合する場合について説明した。しかしながら、異常や故障に関するデータの書き込みが競合するパターンは、上述した例以外にもありえる。例えば、どちらも複数回発生している異常や故障に関するデータの書き込みが競合することも考えられる。このような場合には、書き込み回数の少ない異常や故障に関するデータを優先して書き込むようにすることが好ましい。これにより、書き込み回数の少ない異常や故障に関するデータを不揮発性メモリ14に残せる可能性を高めることができ、それぞれの異常や故障に関するデータを豊富化することで、各異常や故障の診断を的確に行うことが可能となる。
For example, in the above-described embodiment, a case has been described in which writing related to an abnormality or failure that has occurred a plurality of times competes with writing of data relating to an abnormality or failure that has occurred for the first time. However, there may be patterns other than the above-described example in which data writing relating to an abnormality or failure competes. For example, it is also conceivable that data writing relating to an abnormality or failure occurring both times competes. In such a case, it is preferable to preferentially write data relating to an abnormality or failure with a small number of writings. As a result, it is possible to increase the possibility that data relating to abnormalities and failures with a small number of writings can be left in the
10 MGECU
12 電源回路
14 不揮発性メモリ
16 インバータ回路
18 モータジェネレータ
10 MGECU
12
Claims (6)
前記制御データは、前記制御対象機器を制御する上で、異なる用途に用いられる複数のデータを含み、その用途ごとのデータをグループ化の単位として、グループ化されたデータに優先順位が定められており、
前記制御対象機器の制御が開始されるとき、高い優先順位のグループ化されたデータから順番に、前記不揮発性メモリに記憶されたデータを読み出す読み出し手段(S150)と、
前記読み出し手段によって読み出されたデータに関して、グループ化されたデータごとに、異常がないかどうかを判定する判定手段(S160、S220)と、
前記読み出し手段により、ある用途に用いられるグループ化されたデータがすべて読み出され、かつ前記判定手段により、その読み出されたグループ化されたデータに異常がないと判定されると、読み出されたデータを、他の用途に用いられるグループ化されたデータの読み出し処理の進行状況によらず、前記制御手段へ提供する提供手段(S230)と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ制御装置。 It has a non-volatile memory (14) for storing control data used when controlling a specific control target device (18), and reads the control data from the non-volatile memory to control the control target device A non-volatile memory control device provided to the control means (10),
The control data includes a plurality of data used for different purposes in controlling the device to be controlled, and the priority order is defined for the grouped data with the data for each usage as a unit of grouping. And
Readout means (S150) for reading the data stored in the non-volatile memory in order from the grouped data of high priority when the control of the control target device is started;
Determination means (S160, S220) for determining whether there is no abnormality for each grouped data with respect to the data read by the reading means;
When the grouping data used for a certain application is read by the reading unit and the grouping data read by the determination unit determines that there is no abnormality, it is read. And a providing unit (S230) for providing the data to the control unit regardless of the progress of the reading process of the grouped data used for other purposes. .
前記検出手段によって検出された当該制御対象機器の状態に応じて、グループ化されたデータに対して定められた優先順位を変更する優先順位変更手段(S110、S130)と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ制御装置。 Detecting means (S100, S120) for detecting the state of the control target device when the control of the control target device is started;
Priority order changing means (S110, S130) for changing the priority order determined for the grouped data in accordance with the state of the control target device detected by the detecting means. The nonvolatile memory control device according to claim 1.
前記判定手段(S160)は、グループ化されたデータに含まれるすべてのデータについて、記憶された3個以上のデータの内、少なくとも2個のデータが一致した場合、グループ化されたデータに異常がないと判定することを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性メモリ制御装置。 In the nonvolatile memory, three or more pieces of the same data are stored with respect to the grouped data,
The determination unit (S160) determines that the grouped data has an abnormality when at least two of the three or more stored data match for all the data included in the grouped data. The non-volatile memory control device according to claim 1, wherein the non-volatile memory control device is determined not to be present.
前記判定手段(S220)は、この符号データに基づき、誤りが検出されない場合、グループ化されたデータに異常がないと判定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の不揮発性メモリ制御装置。 The nonvolatile memory also stores code data for error detection of grouped data,
4. The non-volatile device according to claim 1, wherein the determination unit (S220) determines that there is no abnormality in the grouped data when no error is detected based on the code data. Memory controller.
電源がオフされるとき、前記故障診断データを、前記不揮発性メモリに書き込む書き込み手段(S470)と、
書き込むべき複数の故障診断データがある場合、書き込み回数の少ない故障診断データが優先して書き込まれるように、書前記書き込み手段によって行われる書き込みの優先順位を設定する優先順位設定手段(S440)と、を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の不揮発性メモリ制御装置。 When an abnormality occurs in the control target device, the nonvolatile memory stores information indicating the type of the abnormality and operation information indicating an operation state of the control target device when the abnormality occurs as failure diagnosis data. A storage area is defined for
Write means (S470) for writing the failure diagnosis data into the nonvolatile memory when the power is turned off;
Priority setting means (S440) for setting the priority of writing performed by the writing means so that failure diagnosis data with a small number of times of writing is preferentially written when there are a plurality of fault diagnosis data to be written; The nonvolatile memory control device according to claim 1, further comprising:
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