JP5981537B2 - 熱金属酸化物バリスタ回路保護デバイス - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、回路保護デバイスの分野に関する。より具体的には、本発明は過熱に対し高速応答を提供するように構成された熱切断システムを有するサージ保護デバイスに関する。

過電圧保護デバイスは、過電圧障害状態による損傷から電子回路および部品を保護するのに用いられる。これらの過電圧保護デバイスは、保護されるべき回路と接地線との間に接続される金属酸化物バリスタ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｖａｒｉｓｔｏｒ：ＭＯＶ）を含むものであってよい。ＭＯＶは、破壊的な電圧サージに対してそのような回路を保護するのに用いることができる、固有の電流−電圧特性を有する。典型的には、これらのデバイスは、異常状態において溶融して開回路を形成することができる熱リンクを利用する。特に、公称電圧またはしきい電圧よりも大きな電圧がデバイスに印加されると、電流がＭＯＶを通して流れ、熱を発生する。このことによって、熱リンクが溶融する。リンクが溶融すると、保護すべき回路を過電圧状態によって損傷することを防ぐ開回路が形成される。

しかしながら、これらの既存の回路保護デバイスは、ＭＯＶから熱リンクへの効率的な熱移送を提供しておらず、そのため反応時間に遅延が発生する。さらに、既存の回路保護デバイスは、組立が複雑であり、製造コストを増大させる。従って、金属酸化物バリスタを用いる回路保護デバイスの改良が現在望まれていると考えられる。

本発明の例示的な実施形態は、回路保護デバイスに指向される。例示的な実施形態において、回路保護デバイスは、キャビティを画定するハウジング及びキャビティ内に配置される金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）を含む。第１の端子は第１の端部においてＭＯＶにはんだによって電気的に取り付けられ、第２の端部においてハウジングの外部に延設する。アークシールドは、第１の端子の第１の端部と少なくとも部分的にはんだ上の間のハウジング内に配置される。ハウジングの外部に少なくとも部分的に配置された表示部を有するマイクロスイッチに対してアークシールドをバイアスするように構成されたバネもまた含まれる。電圧サージ状態が発生すると、ＭＯＶは非導電状態から導電状態へ変化し、電流が第１の端子と第２の端子との間を流れる。バリスタを通って流れる電流によって発生した熱ははんだを溶融し、第１の端子の第１の端部はバリスタから分離し、それによって開回路を形成する。

他の例示的な実施形態において、回路保護デバイスはキャビティを画定するハウジング及びキャビティ内に配置され表面から延設する突出部を含む金属酸化物バリスタを含む。端子は第１の端部においてはんだによって突出部に電気的に取り付けられ、第２の端部はハウジングの外部に延設し、端子が突出部から離れるようにバイアスされたバネを形成する。回路保護デバイスはまた少なくとも部分的にハウジングの外部に配置された表示部を有するマイクロスイッチも備えてもよい。端子の一部は回路保護デバイスの通常の動作状態に対応する第１の位置においてマイクロスイッチのトリガー部に力を加える。

本開示の実施形態に従う回路保護デバイスの斜視図である。 本開示の実施形態に従う通常動作状態で示される回路保護デバイスの切断斜視図である。 本開示の実施形態に従う図１及び２に示されたハウジングの外部の金属酸化物バリスタ部の斜視図である。 本開示の実施形態に従う障害状態の動作後のデバイスを示す、カバー２０のない回路保護デバイスの斜視図である。 本開示の実施形態に従う障害状態の動作後の図４に示されるハウジングの外部の金属酸化物バリスタ部の斜視図である。 本開示の実施形態に従う通常の非導電状態における回路保護デバイスの代替的な実施形態の切断平面図である。 本開示の実施形態に従う障害状態の動作後のデバイスを示す図６の回路保護デバイスの切断平面図である。 本開示の実施形態に従う通常動作状態において示される回路保護デバイスの切断斜視図である。 本開示の実施形態に従う通常動作状態における図８に示されるハウジングの外部の金属酸化物バリスタ部の斜視図である。 本開示の実施形態に従う障害状態の動作後のデバイスを示すカバーのない回路保護デバイスの斜視図である。 本開示の実施形態に従う障害状態の動作後のデバイスを示すハウジングの外部の金属酸化物バリスタ部の斜視図である。

本発明は、添付された図面を参照して以下により完全に説明され、本発明の好適な実施形態が示される。しかしながら、この発明は、数多くの様々な形態で実施されてもよく、本明細書に記載される実施形態に限定されるものとして解釈すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が徹底的かつ完全であるように提供され、当業者に本発明の範囲を全て伝えるものである。図面において、類似の符号は全体を通して類似した要素を指す。

以下の説明及び／または特許請求の範囲において、「上に」「上に覆って」「上に配置されて」及び「上方に」という用語が以下の説明および特許請求の範囲で用いられうる。「上に」「上に覆って」「上に配置されて」及び「上方に」という用語は、２つ以上の要素が直接物理的に互いに接触していることを指すものとして用いられうる。しかしながら、「上に」「上に覆って」「上に配置されて」及び「上方に」という用語は、２つ以上の要素が直接互いに接触していないことを意味することもありうる。例えば、「上方に」は、１つの要素が他の要素の上にあるが互いに接触しておらず、２つの要素の間に他の１つ以上の要素を有しうることを意味しうる。さらに、特許請求の範囲における対象の範囲はこの点において限定されるものではないが、「及び／または」という用語は、「及び」、「または」、「排他的または」、「１つの」、「いくつかの、しかし全てではない」、「いずれでもない」、及び／または「両方」を意味しうるものである。

図１は、ハウジング１５、第１の端子３０_１及び第２の端子３０_２を含む回路保護デバイス１０の斜視図である。第１の端子３０_１及び第２の端子３０_２は、電源と保護されるべきデバイスとの間で本開示の実施形態に従って保護デバイス１０を接続するのに用いられる。ハウジング１５は、基部２５上またはその上方に配置されたカバー部２０によって画定されるものであってもよい。ハウジング１５は、図２に示されるように、その内部に金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）を収容するためのキャビティを画定する。ハウジング１５はまた回路保護デバイスの状態を示すのに用いられるマイクロスイッチ３５の可視部を収容するための１つ以上の開口部を含む。

図２は、通常の動作状態における図１に示される回路保護デバイスの切断斜視図である。ハウジング１５の基部２５は、内部にＭＯＶ５０が配置されるキャビティを画定する底壁２６及び側壁２５_１、２５_２、２５_３を含む。図示されるように、ＭＯＶ５０は、一般に長方形であり、そのため基部２５の底壁及び側壁によって画定されるキャビティもまた一般に長方形である。ＭＯＶ５０の代替的な形状も採用されてもよく、基部２５もハウジング１５と同様にＭＯＶを収容するための代替的な形状を同じように有することは了解されるであろう。さらに、ＭＯＶ５０はまた並列の一対のＭＯＶであってもよい。側壁２５_２はマイクロスイッチ３５（図３に示される）及び端子３０_１のコンタクトリード３１の一部を少なくとも部分的に収容するポケット部６０を含む。リード部３１の第１の端部はアークシールド６５の上方に延設し、はんだ５５を介してＭＯＶ５０の１つの側面に取り付けられる。端子３０_２の第１の端部は（図３に示されるように）ＭＯＶ５０の反対の側面に取り付けられる。はんだは典型的には例えば金属合金やポリマーのような低温軟化性または低温溶融性はんだである。コンタクトリード３１とＭＯＶ５０との間のはんだ５５を介したこの接続は、以下により詳細に説明されるように回路保護デバイス１０の熱ヒューズ構成（すなわちＴＭＯＶ）を提供する。

アークシールド６５は、バネ７０の組み合わせによって位置が保持され、コンタクトリード３１とはんだ５５との間の接続が形成される。特に、バネ７０は壁２５_３に接続された第１の部分及びアークシールド６５に接続された第２の部分を有し、バネの第１及び第２の部分の間に中央に配置されたピボットピン７５を有する「Ｌ」型バネとして示されている。ピボットピン７５は、一般に基部２５の底壁２６から垂直に延設する。バネ７０は、アークシールド６５をポケット部６０から離れる方向にバイアスするが、コンタクトリードがはんだ５５に接続されている場合にはコンタクトリード３１によってその位置に維持される。

上述したように、端子３０_１ははんだ５５を介してＭＯＶ５０の１つの側面に取り付けられ、端子３０_２は同様のはんだパッドを介してＭＯＶ５０の反対の側面に取り付けられる。ＭＯＶは、デバイスに印加される電圧が定格電圧を超過すると加熱する電圧感応デバイスである。背景として、ＭＯＶは円盤を形成するように共に焼結された酸化亜鉛顆粒を主として含み、酸化亜鉛顆粒は、固体としては高い導電性を有する材料であるが、他の酸化物と形成される顆粒間境界は高い抵抗性を有する。酸化亜鉛顆粒が接触するそれらの点においてのみ、焼結によって、対称ツェナーダイオードと互換的な「マイクロバリスタ」が形成される。金属酸化物バリスタの電気的な振る舞いは、直列または並列に接続されたマイクロバリスタの数に起因する。ＭＯＶの焼結体はまた、高いエネルギー吸収を許容する高い電気的負荷容量及びそのため例外的に高いサージ電流の処理能力も説明する。

図３は、アークシールド６５及びマイクロスイッチ３５の構成をより良く図示するために、図１及び２に示されたポケット部６０を除いたハウジング部１５の外側の金属酸化物バリスタ部の側面斜視図である。特に、アークシールド６５の背面壁はマイクロスイッチ３５の活性化トリガー部３５ａに隣接する。表示部３５ｂはマイクロスイッチ３５から突出し、図１に示されるように基部２５の開口部内に入る。この例示的な実施形態において、表示部３５ｂは、マイクロスイッチ３５の基部から延設する複数のピンを含み、トリガー部３５ａは通常は押された状態にある。トリガー部３５ａ及び表示部３５ｂを含むマイクロスイッチ３５の代替的な構成もまた採用されてもよいことは了解されるであろう。例えば、トリガー表示部３５ａは通常は延設され、表示部３５ｂは通常は延設されていない状態であってもよい。

この側面斜視図に見られるように、バネ７０がアークシールド６５をコンタクトリード３１の部分３１ａに対してバイアスする一方で、コンタクトリード３１がはんだ５５を有する接続部を介して、トリガー部３５ａに対してアークシールド６５の位置を維持する。通常の動作状態では、ＭＯＶにかかる電圧がＶ_Ｎよりも低い状態を保つ場合には、ＭＯＶ５０は非導電性のままである。これらの状態において、はんだ５５はコンタクトリード３１の部分３１ａに電気的に接続され、マイクロスイッチ３５のトリガー部３５ａに対してアークシールド６５の位置を保持し、表示部３５ｂのピンは延設されている。

図４は、障害状態の作動後のデバイスを示す、（説明の目的で）カバー２０を除いた回路保護デバイス１０の斜視図である。電圧サージ状態が発生すると、ＭＯＶ５０は非導電性状態から導電性状態に変化し、電流が端子３０_１、３０_２の間を流れる。電圧サージが継続すると、ＭＯＶ５０内の酸化亜鉛顆粒間の間隙及び境界が電流を遮断できるほど広くない状態となり、そのためＭＯＶ５０は高い導電性を有するようになる。この状態は、はんだ５５を溶融させコンタクトリード３１をはんだ５５との電気的コンタクトから解放するような熱を発生させる。複数のＭＯＶが並列に構成されている場合には、電導性端子は並列のＭＯＶ５０間に配置されてそれらの間の効率的な熱の移送を提供するものであってもよい。コンタクトリード３１は、はんだ５５を溶融するのに十分なＭＯＶ５０からの熱の発生によって開く熱ヒューズとして働く。その結果として、アークシールド６５に取り付けられたバネ７０のアーム７０ａは、アークシールドに、マイクロスイッチ３５のトリガー部３５ａから離れる方向に力を加える。回路保護デバイス１０は、障害状態によって引き起こされたＭＯＶ５０を通過する電流に対して比較的高速な応答を提供する。

図５は、マイクロスイッチ３５と組み合わせたアークシールド６５の動作をより良く図示するために、図４に示されたポケット部６０を除外したハウジング１５の外部の金属酸化物バリスタ部５０の側面斜視図である。一度アークシールド６５がはんだ５５の溶融によって解放されると、トリガー延設部３５ｃがマイクロスイッチ３５のトリガー部３５ａから解放される。この構成において、マイクロスイッチは、端子３０_１、３０_２とＭＯＶ５０との間に形成された回路から分離されて改良された回路監視を可能とする。さらに、アークシールド６５は、ＭＯＶ５０からのアーク放電がコンタクトリード３１に到達することを防ぐ。そのため、端子３０_１、３０_２の間のＭＯＶ５０を介した電気的経路は、回路保護デバイス１０の定格に依存して、持続的なサージ電圧の発生に応じて開回路となる。

図６は、通常の非導電性状態またはオフ状態における回路保護デバイス１００の代替的な実施形態の切断平面図である。ハウジング１１０は、ＭＯＶ１２０が内部に配置されるキャビティを画定する。ＭＯＶ１２０は一般に円形の構成を有するように示されているが、例えば、正方形のような代替的な形状も採用してもよい。第１の端子１３０_１及び第２の端子１３０_２はハウジング１１０の底部から延設する。第１の端子１３０_１は、ハウジング１２０内に延設し、バネ端子１３０を形成する。ＭＯＶ１２０は、ＭＯＶ１２０からバネ端子１３０へはんだ接続部１５０を介した電気的端子接続として働く突出部１５１を含む。はんだは、典型的には、例えば金属合金またはポリマーのような低温軟化はんだまたは低温溶融はんだである。バネ端子１３０とＭＯＶ１２０との間のはんだ接続部１５０を介したこの接続は、回路保護デバイス１００の熱ヒューズ構成を提供する。バネ端子１３０は、一般的に逆「Ｖ」字構成を有するように示されている。この構成は、上方に、または突出部１５１から離れる方向にバネ端子１３０にバイアス力を提供する。マイクロスイッチ１４０は、一般にトリガー部１４０ａ及び表示ピンを有する表示部１４０ｂを有するハウジング１１０内に配置される。

図７は、障害状態の動作後のデバイスを示す回路保護デバイス１００の切断平面図である。電圧サージ状態が発生すると、ＭＯＶ１２０は非導電状態から導電状態に変化し、電流が端子１３０_１、１３０_２間を流れる。電圧サージが継続すると、ＭＯＶ１２０内の酸化亜鉛顆粒間の間隙及び境界が電流を遮断するのに十分な広さでない状態となり、そのためＭＯＶは導電性の高い状態となる。この導電性によって、はんだ１５０を溶融する熱が発生し、バネ端子１３０を突出部１５１との電気的接触から解放する。バネ端子１３０が解放されると、マイクロスイッチ１４０のトリガー部１４０ａが上方へ動いて表示部１４０ｂのピンを「トリガーする」。この構成において、マイクロスイッチ１４０は、端子１３０_１、１３０_２の間に形成された回路から分離され、ＭＯＶ１２０は改良された回路監視を可能にする。ピンがハウジング１１０の外部に延設するため、これらは回路保護デバイス１００が開回路となったことの表示を提供する。さらに、ＭＯＶ１２０はまた回路保護デバイス１００内で用いられる並列の複数のＭＯＶとして構成されてもよい。

図８は、通常の動作状態で示される回路保護デバイス２００の他の例示的な実施形態の切断斜視図である。ハウジング２１５の基部２２５は、内部にＭＯＶ２５０が第１の端子２３０_１及び第２の端子２３０_２と共に配置されたキャビティを含む。第１の端子２３０１は基部２２５の開口部を通して延設し、アークシールド２６５の上方に延設する第１のリード部２３１を形成し、はんだ２５５を介してＭＯＶ２５０の１つの側面に取り付けられる。第１の端子２３０_１は、基部２２５の開口部を通して延設し、アークシールド２６５の上方に延設する第１のリード部２３１を形成し、はんだ２５５を介してＭＯＶ２５０の１つの側面に取り付けられる。端子２３０_２の第１の端部は、（図９に示されるように）ＭＯＶ５０の反対側の側面に取り付けられる。はんだ２５５は典型的には低温軟化はんだまたは低温溶融はんだである。コンタクトリード２３１とＭＯＶ５０の間のはんだ２５５を介したこの接続は、回路保護デバイス２００の熱ヒューズ構成（すなわちＴＭＯＶ）を提供する。

アークシールド２６５は、バネ２７０と、コンタクトリード２３１とはんだ２５５との間に形成される接続部との組み合わせによって、その位置に保持される。特に、バネ２７０は壁２２５_１に接続された第１の部分及びバネの第１及び第２の部分の間にほぼ中央に配置されたピボットピン２７７を有するアークシールド２６５に接続された第２の部分を有する「Ｌ」字型バネとして示される。バネ２７０は「Ｌ」字型を有するものとして示されているが、コンタクトリード２３１の方向へアークシールド２６５をバイアスする一方でアークシールド２６５をその位置に保持する代替的な構成が採用されてもよい。バネ２７０は、アークシールド２６５を基部２２５の壁２２５_２から離れる方向へバイアスするが、コンタクトリードがはんだ５５に接続されている場合にはコンタクトリード２３１によってその位置に保持される。上述のように、端子２３０_１ははんだ２５５を介してＭＯＶ２５０の１つの側面に取り付けられ、端子２３０_２は同様のはんだパッドを介してＭＯＶ５０の反対の側面に取り付けられている。ＭＯＶは、デバイスに印加されている電圧が定格電圧を超過すると加熱する、電圧感応デバイスである。

図９は、アークシールド３６５および通常の動作時にアークシールドの下に少なくとも部分的に配置されたマイクロスイッチ２３５の構成をより良く図示するための、基部２２５の外側の金属酸化物バリスタ２５０の部分の側面斜視図である。特に、アークシールド２６５の下方側面は、マイクロスイッチ２３５の活性化トリガー部２３５ａ（図１１に示される）を格納位置に保持する。マイクロスイッチ２３５の表示部２３５ｂは、基部２２５の壁の開口部と位置合わせされ、保護デバイス２００の状態の可視表示を提供する。この例示的な実施形態において、表示部２３５ｂはマイクロスイッチ２３５の基部から延設する複数のピンを含み、トリガー部２３５ａは通常はアークシールド２６５の位置によって押し下げられた状態にある。また、トリガー部２３５ａ及び表示部２３５ｂを含むマイクロスイッチ２３５の代替的な構成が採用されてもよいことは了解されるであろう。

この側面斜視図に見られるように、バネ２７０がアークシールド２６５をコンタクトリード３１の一部に対してバイアスする一方で、コンタクトリード２３１はアークシールド２６５をはんだ２５５との接続を介してマイクロスイッチ２４５のトリガー部２３５ａに対してその位置に保持する。通常動作状態において、ＭＯＶ２５０はＭＯＶにかかる電圧がＶ_Ｎよりも小さい状態を維持しているときには非導電状態を保つ。これらの状態において、はんだ２５５はコンタクトリード３１の部分に電気的に取り付けられて、マイクロスイッチ３５のトリガー部２３５ａに対してアークシールド２６５をその位置に保持し、表示部２３５ｂのピンが延設される。

図１０は障害状態の作動後のデバイスを示す（図示の目的のために）カバーを除外した回路保護デバイス２００の斜視図である。電圧サージ状態が発生すると、ＭＯＶ２５０は非導電状態から導電状態へ変化し、電流が端子２３０_１、２３０_２間に流れる。電圧サージが継続すると、ＭＯＶ２５０内の酸化亜鉛顆粒間の間隙及び境界が電流を遮断するのに十分な広さでない状態となり、そのためＭＯＶ２５０は高い導電性を有するようになる。この状態ははんだ２５５を溶融する熱を発生させ、コンタクトリード２３１をはんだ２５５との電気的コンタクトから解放する。代替的に、単一のＭＯＶではなく複数のＭＯＶが並列に構成される場合には、電気的導電端子は並列のＭＯＶ２５０の間に配置されてそれらの間の効率的な熱移送を提供するものであってもよい。コンタクトリード２３１は、ＭＯＶ２５０がはんだ２５５を溶融するように十分な熱を発生させるのに応じて開回路となる熱ヒューズとして働く。その結果、アークシールド２６５に取り付けられたバネ２７０のアーム２７０ａは、アークシールドをマイクロスイッチ２３５のトリガー部２３５ａ（図１１に示される）から離れる方向に力を加える。回路保護デバイス２００は、障害状態によって引き起こされるＭＯＶ５０を通る電流に対して比較的速い応答を提供する。

図１１は、障害状態が発生した後のアークシールド２６５の作動をマイクロスイッチ２３５と組み合わせてより良く図示するための、図１０に示された基部２２５の外部の金属酸化物バリスタ部２５０の側面斜視図である。はんだ２５５の溶融及びそれからのコンタクトリード２３１の解放によって一度アークシールド２６５が解放されると、アークシールド２６５がバイアスバネ２７０のアーム２７０ａによってトリガー部２３５ａから離れる方向に変位するため、トリガー部２３５ａがマイクロスイッチ２３５から解放される。マイクロスイッチ２３５のトリガーによって、表示部２３５ｂのピンは基部２２５のさらに外側に延設するかまたは基部２２５の方へ格納されて、デバイスのハウジングを開ける必要なく障害状態の可視表示を提供するものであってもよい。この構成において、マイクロスイッチ２３５は、端子２３０_１、２３０_２の間に形成される回路から分離されて、ＭＯＶ２５０が改善された回路監視を可能にする。さらに、アークシールドは障害状態の発生後にバネ２７０によってコンタクトリード２３１とはんだ２５５との間で変位するため、アークシールド２６５は、ＭＯＶ２５０からのアーク放電がコンタクトリード２３１に到達するのを防止する。従って、ＭＯＶ２５０を介した端子２３０_１、２３０_２間の電気的経路は、回路保護デバイス２００の定格に応じた継続したサージ電圧の発生に応じて開回路となる。

本発明が特定の実施形態を参照して開示されたが、説明された実施形態に対して多数の改良、代替及び変更が、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を逸脱しない限り可能である。従って、本発明は説明された実施形態に限定されることを意図するものではなく、以下の特許請求の範囲の記載によって定義される全範囲及びその等価物を有するものであるということを意図するものである。

１０ 回路保護デバイス
１５ ハウジング
２０ カバー部
２５ 基部
２５_１、２５_２、２５_３ 側壁
２６ 底壁
３０_１ 第１の端子
３０_２ 第２の端子
３１ コンタクトリード
３５ マイクロスイッチ
３５ａ 活性化トリガー部
３５ｂ 表示部
５０ 金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）
５５ はんだ
６０ ポケット部
６５ アークシールド
７０ バネ
７０ａ アーム
７５ ピボットピン
１００ 回路保護デバイス
１１０ ハウジング
１２０ ＭＯＶ
１３０ バネ端子
１３０_１ 第１の端子
１３０_２ 第２の端子
１４０ マイクロスイッチ
１４０ａ トリガー部
１４０ｂ 表示部
１５０ はんだ接続部
１５１ 突出部
２００ 回路保護デバイス
２１５ ハウジング
２２５ 基部
２２５_１、２２５_２ 壁
２３０_１ 第１の端子
２３０_２ 第２の端子
２３１ コンタクトリード
２３５ マイクロスイッチ
２３５ａ トリガー部
２３５ｂ 表示部
２５０ ＭＯＶ
２５５ はんだ
２６５ アークシールド
２７０ バネ

Claims (13)

1. キャビティを画定するハウジングと、
   前記キャビティ内に配置される金属酸化物バリスタと、
   第１の端部においてはんだによって前記金属酸化物バリスタに電気的に取り付けられ、前記ハウジングの外部に延設する第２の端部を有する端子と、
   前記ハウジング内で前記端子と前記金属酸化物バリスタとの間に配置されたアークシールドと、
   前記ハウジングのポケット部内に収容されたマイクロスイッチであって、前記マイクロスイッチが、トリガー部を有し、前記ハウジングの外側に少なくとも部分的に配置された表示部をさらに有し、前記アークシールドが、前記トリガー部に対して位置する、マイクロスイッチと、
   前記アークシールドを、前記ポケット部から離れる方向にバイアスし、前記はんだが溶融するときに前記トリガー部から離れる方向に前記アークシールドを移動させるように構成されたバネと、を含む回路保護デバイス。
2. 前記金属酸化物バリスタが、電気的に並列に配置された一対の金属酸化物バリスタである、請求項１に記載の回路保護デバイス。
3. 前記第１の端部が前記はんだに電気的に接続される、請求項１に記載の回路保護デバイス。
4. 障害状態の発生に応じて、前記金属酸化物バリスタを通る電流が、前記はんだを、前記第１の端部を解放するのに十分加熱し、前記バネに、前記アークシールドを前記はんだの上方であって前記マイクロスイッチから離れる方向に変位を発生させる、請求項３に記載の回路保護デバイス。
5. 前記マイクロスイッチの前記表示部が、前記ハウジングの外部に部分的に延設する少なくとも１つのピンを含む、請求項１に記載の回路保護デバイス。
6. 前記バネが第１のアーム、第２のアーム並びに前記バネの前記第１及び第２のアームの間のほぼ中央に配置されたピボット部を含む、請求項１に記載の回路保護デバイス。
7. 前記バネの第１のアームが前記アークシールドに接続され、前記バネの第２のアームが前記ハウジングの壁の内部表面に接続される、請求項１に記載の回路保護デバイス。
8. 前記端子が金属酸化物バリスタの第１の側面に接続された第１の端子であり、前記回路保護デバイスが前記金属酸化物バリスタの前記第１の側面に対向する側面に電気的に接続された第１の端部を有する第２の端子をさらに含む、請求項１に記載の回路保護デバイス。
9. 前記第２の端子の第２の端部が、前記ハウジングの外部に延設する、請求項８に記載の回路保護デバイス。
10. 回路保護デバイスであって、
    キャビティを画定するハウジングと、
    前記キャビティ内に配置され、表面から延設する突出部を含む金属酸化物バリスタと、
    第１の端部においてはんだによって前記突出部に電気的に取り付けられ、第２の端部が前記ハウジングの外部に延設する端子であって、前記端子が前記突出部から離れる方向にバイアスされたバネを形成する、端子と、
    前記ハウジングの外部に少なくとも部分的に配置された表示部を有するマイクロスイッチであって、前記端子の一部が、前記回路保護デバイスの通常の動作状態に対応する第１の位置において前記マイクロスイッチのトリガー部に力を加える、マイクロスイッチと、を含む、回路保護デバイス。
11. 障害状態の発生に応じて、前記金属酸化物バリスタを通る電流が、前記端子の前記第１の端部を前記突出部から解放するのに十分前記はんだを加熱し、前記端子の前記一部が前記マイクロスイッチの前記トリガー部から離れて、前記回路保護デバイスの障害状態を表示する、請求項１０に記載の回路保護デバイス。
12. 前記端子が第１の端子であり、前記突出部が前記金属酸化物バリスタの第１の側面から延設し、前記回路保護デバイスが、前記金属酸化物バリスタの前記第１の側面の反対の側面に電気的に接続される第１の端部を有する第２の端子をさらに含む、請求項１０に記載の回路保護デバイス。
13. 前記マイクロスイッチの前記表示部が、前記ハウジングの外側に少なくとも部分的に延設する複数のピンを含む、請求項１０に記載の回路保護デバイス。

Images