JP5976893B1 - センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】感度を向上できるセンサを提供する。【解決手段】実施形態によれば、センサは、構造体と、第1可撓部と、第1検出部と、を含む。前記構造体は、第1部分と、前記第1部分と繋がる第2部分と、を含む。前記第1部分は、前記第1部分と前記第2部分とを結ぶ方向と交差する第1方向に沿って変位する。前記第2部分は前記第1部分の前記変位に応じて前記第1方向と交差する第2方向に沿って変位する、前記第1可撓部は、前記第2部分の前記変位に応じて前記第2方向に沿って変形する。前記第1検出部は、前記第1可撓部の前記変形を検出する。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、センサに関する。
例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いたセンサがある。センサにおいて、感度の向上が求められる。例えば、低周波数域(0.1Hz〜10Hz程度)における感度を向上することで、センサの用途が拡大する。
本発明の実施形態は、感度を向上できるセンサを提供する。
本発明の実施形態によれば、センサは、構造体と、第1可撓部と、第1検出部と、を含む。前記構造体は、第1部分と、前記第1部分と繋がる第2部分と、を含む。前記第1部分は、前記第1部分と前記第2部分とを結ぶ方向と交差する第1方向に沿って変位する。前記第2部分は前記第1部分の前記変位に応じて前記第1方向と交差する第2方向に沿って変位する、前記第1可撓部は、前記第2部分の前記第2方向に沿った変位に応じて前記第2方向に沿って変形する。前記第1検出部は、前記第1可撓部の前記変形を検出する。
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1の実施形態)
図1(a)〜図1(c)は、第1の実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図1(a)は、1つの状態ST0(例えば初期状態)を例示している。図1(b)は、第1状態ST1を例示している。図1(c)は、第2状態ST2を例示している。
図1(a)〜図1(c)は、第1の実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図1(a)は、1つの状態ST0(例えば初期状態)を例示している。図1(b)は、第1状態ST1を例示している。図1(c)は、第2状態ST2を例示している。
図1(a)に示すように、本実施形態に係るセンサ110は、構造体10と、第1可撓部21と、第1検出部31と、を含む。この例では、センサ110は、支持部40をさらに含む。
構造体10は、第1部分11と、第2部分12と、第3部分13と、を含む。第2部分12は、第1部分11と繋がる。この例では、第3部分13は、第1部分11と第2部分12との間に設けられる。
第1部分11は、第1方向D1に沿って変位する。この例では、第1方向D1は、実質的にZ軸方向に対応する。Z軸方向に対して垂直な1つの方向をX軸方向とする。Z軸方向とX軸方向とに対して垂直な方向をY軸方向とする。
第1方向D1は、第1部分11と第2部分12とを結ぶ方向と交差する。図1(a)に示す状態ST0においては、第1部分11と第2部分12とを結ぶ方向は、実質的にX軸方向に沿っている。
この例では、支持部40は、構造体10の第3部分13を支持している。例えば、支持部40の一部と、第3部分13と、を貫通するピン40pが設けられている。ピン40pを中心として、構造体10は回転可能である。回転に伴って、第1部分11は、第1方向D1に沿って変位する。構造体10は、例えば、梃である。ピン40pが支点に対応する。
第2部分12は、第1部分11の変位に応じて、第2方向D2に沿って変位する。第2方向D2は、第1方向D1と交差する。第2方向D2は、第1方向D1と非平行である。上記の構造体10の回転により、第1部分11が第1方向D1に沿って変位し、この変位に連動して、第2部分12が第2方向D2に沿って変位する。
例えば、図1(b)は、変位の1つの状態(第1状態ST1)を例示している。図1(c)は、変位の別の1つの状態(第2状態ST2)を例示している。図1(b)に示すように、例えば、第1状態ST1においては、第1部分11が第1方向D1に沿って図中の下方向に向かって変位する。この変位に連動して、第2部分12が、第2方向D2に沿った図中の左方向に向かって変位する。図1(c)に示すように、例えば、第2状態ST2においては、第1部分11が第1方向D1に沿って図中の上方向に向かって変位する。この変位に連動して、第2部分12が、第2方向D2に沿った図中の右方向に向かって変位する。
第1可撓部21は、上記の第2部分12の第2方向D2に沿った変位に応じて、第2方向D2に沿って変形する。第2部分12は、第2方向D2に沿って第1可撓部21を押す。第2部分12は、第2方向D2に沿って第1可撓部21を引く。第1可撓部21には、例えば、薄膜が用いられる。例えば、第1可撓部21には、シリコン薄膜を用いても良い。第1可撓部21の厚さ(第2方向D2に沿った長さ)は、例えば、0.01μm(マイクロメートル)以上1000μm以下である。これにより、適正な可撓性が得られる。
第1検出部31は、第1可撓部21の第2方向D2に沿ったこの変形を検出する。
この例では、第1検出部31は、第1素子部31gと、第1電極31eと、第2電極31fと、を含む。第1可撓部21の変形に応じて、第1素子部31gに応力が加わる。第1素子部31gは、第1可撓部21の変形に応じて、変形する。第1素子部31gは、例えば、シリコン薄膜である。第1素子部31gは、第1可撓部21と連続していても良い。第1電極31eは、第1素子部31gと接続される。第2電極31fは、第1素子部31gと接続され、第1電極31eと離間する。
第1電極31eと第2電極31fとの間の電気特性(例えば電気抵抗)は、第1可撓部21の変形に応じて変化する。例えば、第1素子部31gがシリコンである場合に、第1可撓部21の変形に伴って第1素子部31gが変形したときに、第1素子部31gの電気抵抗(第1電極31eと第2電極31fとの間の電気特性)が変化する。第1素子部31gとして、例えば圧電体が用いられる場合には、第1可撓部21の変形に伴って第1素子部31gが変形したときに、第1素子部31gに生じる電位差(第1電極31eと第2電極31fとの間の電位差)が変化する。さらに、後述するように、第1検出部31は、第1可撓部21の第2方向D2に沿った変形に伴う静電容量を検出しても良い。実施形態において、第1可撓部21の第2方向D2に沿った変形の検出の方法(及び構造)は任意である。
実施形態に係るセンサ110においては、第1部分11が、第1方向D1に沿って変位し、第2部分12が、第1部分11の変位に応じて第2方向D2に沿って変位する。そして、第1可撓部21は、第2部分12の第2方向D2に沿った変位に応じて、第2方向D2に沿って変形する。このような第1可撓部21の第2方向D2に沿ったこの変形が、第1検出部31で検出される。これにより、例えば、センサ110に加わる加速度を高感度に検出できる。
すなわち、第1部分11は例えば、おもりである。センサ110に加わる加速度により、第1部分11は第1方向D1に沿って変位する。この第1部分11に連動して、第2部分12の変位を介して、第1可撓部21は、第1方向D1とは異なる第2方向D2に沿って変位する。第1可撓部21の変形は、第1可撓部21の質量に伴う第1方向D1に沿った力の影響を受けにくい。第1可撓部21の質量(第1可撓部21の自重)の影響が抑制される。これにより、第1部分11の第1方向D1に沿った変位が高感度に検出できる。すなわち、第1部分11の第1方向D1に沿った加速度を高感度に検出できる。
例えば、参考例において、第1可撓部の変位方向と同じ方向に変位するおもりが、第1可撓部と組み合わせられる。この参考例においては、おもりに力(加速度)が加わった際に、おもりは第1方向に沿って変位し、この変位に伴って、第1可撓部も第1方向に沿って変位する。第1可撓部のこの第1方向の変位は、第1可撓部自身の質量の影響を受ける。
実施形態においては、第1部分11(例えばおもり)の変位の方向(第1方向D1)と、第1可撓部21の変形の方向(第2方向D2)が交差する。このため、第1方向D1に沿った加速度が第1可撓部21に加わった場合においても、この加速度が第1可撓部21に与える影響が抑制できる。これにより、感度を向上することができる。
第1部分11は、おもりとして機能する。第1部分11の質量は、第1可撓部21の質量よりも大きい。第1部分11の質量は、例えば、第1可撓部21の質量の10倍以上である。第1部分11の質量は、第1可撓部21の質量の100倍以下である。
例えば、第1部分11の質量は、第1可撓部21のたわみ剛性の1倍以上106倍以下である。
例えば実施形態において、センサ110は、ピーク感度周波数を有する。センサ110の感度は、ピーク感度周波数において最高となる。実施形態において、ピーク感度周波数は、例えば10Hz以下である。これにより、例えば、低周波数において、高い感度が得られる。実施形態において、ピーク感度周波数は、例えば0.1Hz以上である。第1検出部31において検出される加速度のピーク感度周波数は、0.1Hz以上10Hz以下である。第1検出部31において検出される変位のピーク感度周波数は、0.1Hz以上10Hz以下である。
実施形態において、構造体10には、例えばアルミナ、シリコン、鉄またはステンレスなどが用いられる。第1部分11と第2部分12との間の距離は、例えば、0.01mm以上10mm以下程度である。第1部分11の質量は、例えば、0.1g以上10g以下である。
第1可撓部21には、例えば、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンなどが用いられる。第1可撓部21の厚さは、0.01mm以上10mm以下である。第1可撓部21の質量は、例えば、0.1μg以上10g以下である。
実施形態において、構造体10及び第1可撓部21に関する上記の材料、形状及び大きさについての記載は例であり、実施形態において、これらは、任意である。
図2は、第1の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図2に示すように、本実施形態に係る別のセンサ111においては、支持部40に突起40qが設けられている。突起40qにより、構造体10の第3部分13が支持される。これ以外は、センサ110と同様である。センサ111においても、感度が向上できる。
図2に示すように、本実施形態に係る別のセンサ111においては、支持部40に突起40qが設けられている。突起40qにより、構造体10の第3部分13が支持される。これ以外は、センサ110と同様である。センサ111においても、感度が向上できる。
図3は、第1の実施形態に係る別のセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図3は、構造体10の第2部分12、第1可撓部21、及び、支持部40の一部を含む部分を拡大して示している。
図3は、構造体10の第2部分12、第1可撓部21、及び、支持部40の一部を含む部分を拡大して示している。
図3に示すように、本実施形態に係る別のセンサ112は、中間層25をさらに含む。中間層25は、構造体10の第2部分12と、第1可撓部21と、の間に設けられる。中間層25には、柔軟な媒質が用いられる。中間層25のヤング率は、例えば、第1可撓部21のヤング率よりも低い。例えば、中間層25のヤング率は、0.01MPa程度以上1MPa程度以下である。
中間層25は、例えば、液体を含む。液体は、例えば、シリコーンオイルまたは機械油などを含む。液体は、不揮発性(低揮発性)であることが望ましい。高保存性および高耐環境性が得られる。中間層25は、例えば、高分子を含んでも良い。高分子は、例えば、天然ゴム、合成ゴムまたはエポキシ系樹脂などを含む。高分子は、例えばPDMS(polydimethylsiloxane)の架橋体を含んでも良い。中間層25は、弾性体を含んでも良い。
この例では、第2部分12と中間層25との間に、連結部26が設けられている。連結部26には、例えば、金属などが用いられる。連結部26は第2部分12に連結している。中間層25に液体が用いられた場合に、連結部26により、液体の流出が抑制される。例えば、第1可撓部21と連結部26とにより形成される空間に、液体の表面張力により、液体が保持される。
第2部分12の第2方向D2の変位は、中間層25を介して、第1可撓部21に伝達される。中間層25により、第1部分11の変位に伴う第2部分12の変位による力が緩和されて、第1可撓部21に伝達される。例えば、第1可撓部21の破壊が抑制される。
図4(a)及び図4(b)は、第1の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図4(a)は、本実施形態に係る別のセンサ113を示す。図4(b)は、センサ113の一部を示す。
図4(a)は、本実施形態に係る別のセンサ113を示す。図4(b)は、センサ113の一部を示す。
図4(a)に示すように、本実施形態に係るセンサ113は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第1弾性部41をさらに含む。構造体10は、第1部分11と第2部分12との間の第3部分13を含む。第1弾性部41は、支持部40と第3部分13との間に設けられる。支持部40は、第1弾性部41を介して第3部分13を支持する。これ以外は、センサ110と同様なので説明を省略する。
図4(b)は、第1弾性部41を例示している。第1弾性部41は、変形可能である。第1弾性部41は、Z軸方向(第1方向D1)とは交差する方向において変形する。第1弾性部41は、構造体10の第1部分11の変位の力を受ける。第1弾性部41は、第1弾性部41の変形により、この力を緩和する。第1弾性部41を用いることで、例えば、構造体10及び第1可撓部21の少なくともいずれかの破壊が抑制される。
第1弾性部41は、例えば平行ばねである。第1弾性部41には、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレス、シリコン及びアルミナの少なくともいずれかが用いられる。
図5(a)及び図5(b)は、第1の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図5(a)は、本実施形態に係る別のセンサ114を示す。この例でも第1弾性部41が設けられる。図5(b)は、センサ114の一部(第1弾性部41)を示す。
図5(a)は、本実施形態に係る別のセンサ114を示す。この例でも第1弾性部41が設けられる。図5(b)は、センサ114の一部(第1弾性部41)を示す。
図5(a)及び図5(b)に示すように、センサ114においては、第1弾性部41は、例えば、弾性ヒンジである。第1弾性部41において、第1領域41aと、第2領域41bと、第3領域41cと、が設けられる。第1領域41aと、構造体10との間に、第2領域41bが設けられる。第1領域41aと第2領域41bとの間に第3領域41cが設けられる。第3領域41cのX軸方向(例えば、第1方向D1に対して垂直な方向)の幅は、第1領域41aのX軸方向の幅よりも狭く、第2領域41bのX軸方向の幅よりも狭い。第1弾性部41は、変形し易い。
この例においても、第1弾性部41は、変形可能である。第1弾性部41は、Z軸方向(第1方向D1)とは交差する方向において変形する。第1弾性部41を用いることで、例えば、構造体10及び第1可撓部21の少なくともいずれかの破壊が抑制される。
図6は、第1の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図6に示すように、本実施形態に係る別のセンサ115は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第2弾性部42をさらに含む。第2弾性部42は、支持部40及び第2部分12と接続される。第2弾性部42は、例えば、ばねである。これ以外は、センサ110と同様なので説明を省略する。第2弾性部42は、変形可能である。第2弾性部42を用いることで、例えば、構造体10及び第1可撓部21の少なくともいずれかの破壊が抑制される。
図6に示すように、本実施形態に係る別のセンサ115は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第2弾性部42をさらに含む。第2弾性部42は、支持部40及び第2部分12と接続される。第2弾性部42は、例えば、ばねである。これ以外は、センサ110と同様なので説明を省略する。第2弾性部42は、変形可能である。第2弾性部42を用いることで、例えば、構造体10及び第1可撓部21の少なくともいずれかの破壊が抑制される。
図7は、第1の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図7に示すように、本実施形態に係る別のセンサ116は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、ダンパ43をさらに含む。ダンパ43は、支持部40及び第2部分12と接続される。これ以外は、センサ110と同様なので説明を省略する。ダンパ43は、変形可能である。ダンパ43は、例えば、第2部分12に加わる衝撃を吸収する。ダンパ43は、例えば、第1可撓部21に加わる衝撃を吸収する。ダンパ43を用いることで、例えば、構造体10及び第1可撓部21の少なくともいずれかの破壊が抑制される。
図7に示すように、本実施形態に係る別のセンサ116は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、ダンパ43をさらに含む。ダンパ43は、支持部40及び第2部分12と接続される。これ以外は、センサ110と同様なので説明を省略する。ダンパ43は、変形可能である。ダンパ43は、例えば、第2部分12に加わる衝撃を吸収する。ダンパ43は、例えば、第1可撓部21に加わる衝撃を吸収する。ダンパ43を用いることで、例えば、構造体10及び第1可撓部21の少なくともいずれかの破壊が抑制される。
ダンパ43には、例えば、PDMS,合成ゴム、天然ゴム、または、シリコーンオイル(オイルダンパ)が用いられる。実施形態において、第2弾性部42及びダンパ43を設けても良い。
図8は、第1の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図8に示すように、本実施形態に係る別のセンサ117においては、第1検出部31の構成が、センサ110における第1検出部31の構成とは異なる。これ以外は、センサ110と同様である。
図8に示すように、本実施形態に係る別のセンサ117においては、第1検出部31の構成が、センサ110における第1検出部31の構成とは異なる。これ以外は、センサ110と同様である。
図8に示すように、第1検出部31は、第1電極31eと第2電極31fと、を含む。第1電極31eは、第1可撓部21の少なくとも一部に設けられる。第1可撓部21は、支持部40に対向する面を有する。例えば、第1電極31eは、第1可撓部21のその面に設けられる。第2電極31fは、第1電極31eと離間する。第2電極31fは、第1電極31eと対向する。支持部40は、第1可撓部21に対向する面を有する。第2電極31fは、支持部40のその面に設けられる。第1可撓部21の変形に応じて、第1電極31eと第2電極31fとの間の距離が変化する。第1電極31eと第2電極31fとの間の静電容量は、第1可撓部21の変形に応じて変化する。この例では、第1検出部31は、静電容量型である。センサ117においても、高い感度が得られる。
(第2の実施形態)
図9(a)〜図9(c)は、第2の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図9(a)は、1つの状態ST0(例えば初期状態)を例示している。図9(b)は、第1状態ST1を例示している。図9(c)は、第2状態ST2を例示している。
図9(a)〜図9(c)は、第2の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図9(a)は、1つの状態ST0(例えば初期状態)を例示している。図9(b)は、第1状態ST1を例示している。図9(c)は、第2状態ST2を例示している。
図9(a)に示すように、本実施形態に係るセンサ120は、構造体10と、第1可撓部21と、第1検出部31と、支持部40と、を含む。
構造体10は、第1部分11と、第2部分12と、第3部分13と、を含む。第2部分12は、第1部分11と繋がる。この例では、第2部分12は、第1部分11と第3部分13との間に設けられる。
図9(b)及び図9(c)に示すように、この場合も、第1部分11は、第1方向D1に沿って変位する。第1方向D1をZ軸方向とする。この場合も、第1方向D1は、第1部分11と第2部分12とを結ぶ方向と交差する。図9(a)に示す状態ST0においては、第1部分11と第2部分12とを結ぶ方向は、X軸方向に沿っている。
図9(b)及び図9(c)に示すように、第2部分12は、第1部分11の変位に応じて、第2方向D2に沿って変位する。第2方向D2は、第1方向D1と交差する。
支持部40は、第3部分13を支持する。例えば、支持部40の一部と、第3部分13と、を貫通するピン40pが設けられている。ピン40pを中心として、構造体10は回転可能である。回転に伴って、第1部分11は、第1方向D1に沿って、変位する。構造体10は、例えば、梃である。ピン40pが、支点に対応する。
第2部分12は、第1部分11の変位に応じて、第2方向D2に沿って変位する。すなわち、上記の構造体10の回転により、第1部分11が第1方向D1に沿って変位し、この変位に連動して、第2部分12が第2方向D2に沿って変位する。センサ120においても、第1部分11に加わる第1方向D1に沿った加速度が第1可撓部21に加わった場合においても、この加速度が第1可撓部21に与える影響が抑制できる。これにより、感度を向上することができる。
図10は、第2の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図10に示すように、本実施形態に係るセンサ121は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第1弾性部41をさらに含む。第1弾性部41は、例えば、平行ばね(図4(b)参照)である。第1弾性部41は、弾性ヒンジ(図5(b)参照)でも良い。
図10に示すように、本実施形態に係るセンサ121は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第1弾性部41をさらに含む。第1弾性部41は、例えば、平行ばね(図4(b)参照)である。第1弾性部41は、弾性ヒンジ(図5(b)参照)でも良い。
このように、センサ121においては、支持部40と、第1弾性部41と、が設けられている。構造体10の第2部分12は、第1部分11と第3部分13との間に設けられる。第1弾性部41は、支持部40と第3部分13との間に設けられる。支持部40は、第1弾性部41を介して第3部分13を支持する。
センサ120及び121において、中間層25(図3参照)をさらに設けても良い。連結部26(図3参照)をさらに設けても良い。第2弾性部42(図6参照)をさらに設けても良い。ダンパ43(図7参照)をさらに設けても良い。センサ120及び121において、第1検出部31は、静電容量型(図8参照)でも良い。
(第3の実施形態)
図11は、第3の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図11に示すように、本実施形態に係るセンサ130は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第2可撓部22及び第2検出部32を含む。構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40については、センサ110と同様であるので説明を省略する。
図11は、第3の実施形態に係る別のセンサを例示する模式的断面図である。
図11に示すように、本実施形態に係るセンサ130は、構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40に加えて、第2可撓部22及び第2検出部32を含む。構造体10、第1可撓部21、第1検出部31及び支持部40については、センサ110と同様であるので説明を省略する。
この例では、筐体50が設けられている。筐体50に支持部40が固定される。筐体50に第2可撓部22が固定される。第2可撓部22は、筐体50から離間している。
第2可撓部22は、第3方向D3に沿って変形する。第3方向D3は、第2方向D2と交差する。この例では、第3方向D3は、第1方向D1の成分を有する。例えば、第3方向D3は、第1方向D1に沿っている。
第2検出部32は、第2可撓部22の第3方向D3に沿った変形を検出する。
この例では、第2検出部32は、第2素子部32gと、第3電極32eと、第4電極32fと、を含む。第2可撓部22の変形に応じて、第2素子部32gに応力が加わる。第2素子部32gは、第2可撓部22の変形に応じて、変形する。第2素子部32gは、例えば、シリコン薄膜である。第2素子部32gは、第2可撓部22と連続していても良い。第3電極32eは、第2素子部32gと接続される。第4電極32fは、第2素子部32gと接続され、第3電極32eと離間する。
第3電極32eと第4電極32fとの間の電気特性(例えば電気抵抗)は、第2可撓部22の変形に応じて変化する。第2素子部32gとして、例えば圧電体が用いられる場合には、第2可撓部22の変形に伴って第2素子部32gが変形したときに、第2素子部32gに生じる電位差(第3電極32eと第4電極32fとの間の電位差)が変化する。さらに、第2検出部32は、第2可撓部22の第3方向D3に沿った変形に伴う静電容量を検出しても良い。この場合、センサ117について説明したように、第3電極32eは、第2可撓部22の少なくとも一部に設けられる。第4電極32fは、第3電極32eと離間する。第4電極32fは、第3電極32eと対向する。第2可撓部22の変形に応じて、第3電極32eと第4電極32fとの間の距離が変化する。第3電極32eと第4電極32fとの間の静電容量は、第2可撓部22の変形に応じて変化する。実施形態において、第2可撓部22の変形の検出の方法(及び構造)は任意である。
第2可撓部22は、構造体10に接続されていない。第2可撓部22は構造体10の第1部分に比べて動き易い。例えば、第2可撓部22の質量は、構造体10の第1部分11の質量よりも小さい。例えば、第2可撓部22の質量は、構造体10の第1部分11の質量の10−6倍以上1倍以下である。
例えば、第2可撓部22及び第2検出部32は、高周波の加速度を検出する。例えば、第2検出部32において検出される加速度のピーク感度周波数は、第1検出部31において検出される加速度のピーク感度周波数よりも高い。第2検出部32において検出される変位のピーク感度周波数は、第1検出部31において検出される変位のピーク感度周波数よりも高い。第2検出部32において検出される加速度のピーク感度周波数は、10Hz以上10MHz以下である。第2検出部32において検出される変位のピーク感度周波数は、10Hz以上10MHz以下である。
センサ130においては、低周波数の加速度を第1可撓部21及び第1検出部31で検出し、高周波数の加速度を第2可撓部22及び第2検出部32で検出する。センサ130は便利である。センサの用途が拡大する。
本実施形態において、第2の実施形態について説明したように、構造体10の第2部分12は、第1部分11と第3部分13と間に設けられても良い。支持部40は、このような第3部分13を支持しても良い。本実施形態において、中間層25(図3参照)をさらに設けても良い。連結部26(図3参照)をさらに設けても良い。第2弾性部42(図6参照)をさらに設けても良い。ダンパ43(図7参照)をさらに設けても良い。
上記の第1及び第2の実施形態に係るセンサは、例えば、低周波帯域振動センサである。このセンサは、例えば、振動による慣性力を受けるおもりと、おもりに接続された梃と、梃を支える支点と、梃を介しておもりに接続された可撓部と、可撓部の一部に設けられた検出部と、を含む。おもりの慣性力により変形する可撓部の変位を、検出部で検出する。例えば、可撓部は、重力方向に対して垂直な方向に設置されても良い。例えば、可撓部は、加速度検出方向に対して垂直な方向に設置される。
MEMSセンサは、小型化や低価格化などの点で有利である。用途によっては、圧電式センサの置き換えとして有力である。圧力センサや音響帯域(マイク)センサだけではなく、超音波帯域のセンサとしての用途もある。例えば、MEMSによる加速度センサは、半導体プロセスによって形成される。このため、他のセンサ(例えば圧電式などのセンサ)に比べて、コストが低減できると考えられる。MEMS型の加速度センサでは、カンチレバーやダイヤフラムなどの可撓体が、例えば、シリコンプロセスにより形成される。可撓体のひずみが大きく生じる部分に、検出素子が配置される。検出素子に加わるひずみが、電圧に変換される。この電圧を検出することにより加速度が検出される。
加速度の検出は、可撓体の質量(自重)により可撓体が変形することを利用する。このようなセンサにおいては、低周波数域(0.1Hz〜10Hz程度)の周波数においては、可撓体に加わる加速度が小さく、変形が小さくなり、検出が困難である。
実施形態においては、自重による可撓部のたわみが小さいことが改善される。可撓部に直接負荷を加える構造が採用される。加える負荷は、PDMS等の柔軟媒質、または、液体などの介在物を用いて、与えられても良い。負荷を加える手段として、梃が利用される。おもりの変位方向(自重方向)に対して直交する方向に、センサが配置される。
おもりの自重による負荷が、梃を介してカンチレバーに与えられる。このため、低周波数域においても、十分な可撓部の変形を得ることができる。直交方向に負荷を与えることにより、カンチレバー自身の自重の影響が抑制できる。そして、上記の介在物の自重の影響が抑制できる。おもり部の負荷のみを加えることが可能となる。センサ設計が容易になる。
図12は、実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図12において、第1部分11の質量を第1質量M1(単位:kg)とする。第1可撓部21の第2方向D2に対するたわみ剛性を剛性Kf(単位:N/m)とする。ピン40pと、第1部分11の重心との間の第2方向D2に沿った距離を第1距離L1(単位:m)とする。ピン40pと、第1可撓部21との間の第1方向D1に沿った距離を第2距離L2(単位:m)とする。ピン40pにおける回転変位を角度θ(単位:rad)とする。
図12において、第1部分11の質量を第1質量M1(単位:kg)とする。第1可撓部21の第2方向D2に対するたわみ剛性を剛性Kf(単位:N/m)とする。ピン40pと、第1部分11の重心との間の第2方向D2に沿った距離を第1距離L1(単位:m)とする。ピン40pと、第1可撓部21との間の第1方向D1に沿った距離を第2距離L2(単位:m)とする。ピン40pにおける回転変位を角度θ(単位:rad)とする。
角度θが小さい場合、以下となる。第1部分11の第1方向D1に沿う変位は、L1・(sinθ)であり、実質的にL1・θである。第1可撓部21の第2方向D2に沿う変位は、L2・(sinθ)であり、実質的にL2・θである。ピン40pのまわりにおいて、モーメントのつり合いから、以下の第1式が導出される。
M1・L1・<θ2>=Kf・L2・θ …(1)
第1式において、<θ2>は、θの2階微分である。
M1・L1・<θ2>=Kf・L2・θ …(1)
第1式において、<θ2>は、θの2階微分である。
上記の第1式は、微小な角度θに関する単振動の方程式である。固有振動数(周波数)は、(1/2π)・{(Kf・L2)/(M1・L1)}1/2となる。
例えば、第1距離L1が第2距離L2と同じ場合において、第1質量M1が剛性Kfの10倍とする。質量と剛性とにおいて、単位系は異なるが、ここでは、単純に値を比較する。このとき、固有振動数は、(1/2π)・/(101/2)であり、第1質量M1が剛性Kfに等しい場合と比較して、約0.32倍になる。固有振動数以下の領域において、同じ加速度の入力が作用した際に発生する変位の値が、固有振動数が低下すると大きくなる。これにより、低周波数における感度が高まる。
例えば、第1可撓部21の質量をMfとする。第1可撓部21の剛性Kfの値が第1可撓部21の質量Mfと同程度とする(単位系が異なるが、単純に値を比較する)。このとき、第1部分11の質量が第1可撓部21の質量の10倍以上となる。第1可撓部21の質量Mfの値と、第1可撓部21の剛性Kfの値と、第1部分11の第1質量M1の値と、が適切な値に設定される。これにより、高い感度の周波数を設計することができる。
実施形態において、ピーク感度周波数は、例えば10Hz以下である。例えば、第1距離L1が第2距離L2と同じとする。例えば、第1質量M1(単位:kg)は、剛性Kf(単位:N/m)の約2.53×10−4倍以上である。
実施形態において、ピーク感度周波数は、例えば0.1Hz以上である。例えば、第1距離L1が第2距離L2と同じとする。第1質量M1(単位:kg)は、剛性Kf(単位:N/m)の約2.53倍以下である。第1検出部31において検出される加速度または変位のピーク感度周波数は、0.1Hz以上10Hz以下である。
実施形態によれば、感度を向上できるセンサが提供される。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれる構造体、可撓部、検出部、電極、素子部、支持部及び弾性部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したセンサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…構造体、 11〜13…第1〜第3部分、 21、22…第1、第2可撓部、 25…中間層、 26…連結部、 31…第1検出部、 31e…第1電極、 31f…第2電極、 31g…第1素子部、 32…第2検出部、 32e…第3電極、 32f…第4電極、 32g…第2素子部、 40…支持部、 40p…ピン、 40q…突起、 41…第1弾性部、 41a〜41c…第1〜第3領域、 42…第2弾性部、 43…ダンパ、 50…筐体、 110〜117、120、121、130…センサ、 θ…角度、 D1〜D3…第1〜第3方向、 L1、L2…第1、第2距離、 ST0…状態、 ST1、ST2…第1、第2状態
Claims (13)
- 第1部分と、前記第1部分と繋がる第2部分と、を含み、前記第1部分は、前記第1部分と前記第2部分とを結ぶ方向と交差する第1方向に沿って変位し、前記第2部分は前記第1部分の前記変位に応じて前記第1方向と交差する第2方向に沿って変位する、構造体と、
前記第2部分の前記第2方向に沿った変位に応じて前記第2方向に沿って変形する第1可撓部と、
前記第1可撓部の前記変形を検出する第1検出部と、
を備えたセンサ。 - 前記第1部分の質量は、前記第1可撓部の質量よりも大きい、請求項1記載のセンサ。
- 支持部をさらに備え、
前記構造体は、前記第1部分と前記第2部分との間の第3部分をさらに含み、
前記支持部は、前記第3部分を支持する、請求項1または2に記載のセンサ。 - 支持部をさらに備え、
前記構造体は、第3部分をさらに含み、
前記第2部分は、前記第1部分と前記第3部分と間に設けられ、
前記支持部は、前記第3部分を支持する、請求項1または2に記載のセンサ。 - 支持部と、
第1弾性部と、
をさらに備え、
前記構造体は、前記第1部分と前記第2部分との間の第3部分をさらに含み、
前記第1弾性部は、前記支持部と前記第3部分との間に設けられ、
前記支持部は、前記第1弾性部を介して前記第3部分を支持する、請求項1または2に記載のセンサ。 - 支持部と、
第1弾性部と、
をさらに備え、
前記構造体は、第3部分をさらに含み、
前記第2部分は、前記第1部分と前記第3部分との間に設けられ、
前記第1弾性部は、前記支持部と前記第3部分との間に設けられ、
前記支持部は、前記第1弾性部を介して前記第3部分を支持する、請求項1または2に記載のセンサ。 - 前記支持部及び前記第2部分と接続された第2弾性部をさらに備えた、請求項3〜6のいずれか1つに記載のセンサ。
- 前記支持部及び前記第2部分と接続されたダンパをさらに備えた、請求項3〜6のいずれか1つに記載のセンサ。
- 前記第2部分と前記第1可撓部との間に設けられた中間層をさらに備え、
前記中間層のヤング率は、前記第1可撓部のヤング率よりも低い、請求項1〜8のいずれか1つに記載のセンサ。 - 前記第1検出部は、
前記第1可撓部の変形に応じて変形する第1素子部と、
前記第1素子部と接続された第1電極と、
前記第1素子部と接続され前記第1電極と離間する第2電極と、
を含み、
前記第1電極と前記第2電極との間の電気特性は、前記第1可撓部の前記変形に応じて変化する、請求項1〜9のいずれか1つに記載のセンサ。 - 前記第1検出部は、
前記第1可撓部の少なくとも一部に設けられた第1電極と、
前記第1電極と離間する第2電極と、
を含み、
前記第1電極と前記第2電極との間の静電容量は、前記第1可撓部の前記変形に応じて変化する、請求項1〜9のいずれか1つに記載のセンサ。 - 前記第1検出部において検出される変位のピーク感度周波数は、0.1Hz以上10Hz以下である、請求項1〜11のいずれか1つに記載のセンサ。
- 前記第2方向と交差する第3方向に沿って変形する第2可撓部と、
前記第2可撓部の前記第3方向に沿った変形を検出する第2検出部と、
をさらに備え、
前記第2可撓部の質量は、前記第1部分の前記質量よりも小さい、請求項2記載のセンサ。
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Citations (1)
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