JP5974970B2 - ウェハ洗浄用組成物及びウェハ洗浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物及びその製造方法、ウェハ洗浄用組成物並びにウェハ洗浄方法に関するものである。

近年、各種基板の微細化や高集積化が進んでおり、例えば半導体実装においては、３次元実装することにより、より一層の高密度、大容量化を実現している。３次元半導体実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層積層していく半導体作製技術である。
これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を裏面研削によって薄型化し、さらに裏面にＴＳＶを含む電極等を形成する電極形成工程が必要である。

薄型化する際に、半導体回路を形成した基板をシリコン、ガラス等の支持基板に接着剤を介して接合することによって裏面研削工程、裏面電極形成工程等の加工に耐えうるシステムが提案されているが、該工程後に支持基板を簡便に剥離することが必要であり、支持基板剥離後、半導体回路を形成した基板表面に残存した接着剤を除去した後、最後に薄膜半導体基板表面の洗浄を行なう必要がある。また、加工工程においては、１５０℃以上の高温になることがあり、接着剤も耐熱性が求められるため、シリコーン系接着剤が用いられるが、基板表面洗浄時に、接着剤を溶解する有機溶剤のみの洗浄では、充分に接着剤を除去することが困難であり、後の製造工程において封止材の接着不良等の不具合が発生する場合があった。

そのため、基板表面を腐食することなく残存した接着剤を短時間で充分に除去できる洗浄用組成物が望まれているが、接着剤のシリコーン成分に汚染された基板表面を短時間で充分に洗浄できる洗浄用組成物はこれまでに見出されていなかった。

なお、本発明に関連する先行技術として、特開２００５−１４５９２４号公報（特許文献１）、特開２０１２−２０８３２５号公報（特許文献２）、特開２０１３−０１０８８８号公報（特許文献３）が挙げられる。

特開２００５−１４５９２４号公報 特開２０１２−２０８３２５号公報 特開２０１３−０１０８８８号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、接着剤が残存するウェハの洗浄に好適な新規な第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物及びその製造方法、ウェハ洗浄用組成物並びにウェハ洗浄方法を提供することを目的とする。

本発明者は、第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物について鋭意検討した結果、後述する式（１）及び式（２）で表される新規な化合物が上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明は、下記のウェハ洗浄用組成物及びウェハ洗浄方法を提供する。
〔１〕 下記式（１）又は式（２）で示される第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物と、水とを含むことを特徴とするウェハ洗浄用組成物。

（式中、Ｒ¹はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜４の一価の脂肪族炭化水素基である。）
〔２〕 Ｒ¹がメチル基又はエチル基である〔１〕記載のウェハ洗浄用組成物。
〔３〕 Ｒ¹がエチル基である〔２〕記載のウェハ洗浄用組成物。
〔４〕 Ｒ²が水素原子又はメチル基であり、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷がそれぞれ水素原子である〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のウェハ洗浄用組成物。
〔５〕 更に、有機溶剤を含む〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のウェハ洗浄用組成物。
〔６〕 上記第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物の濃度が０．１〜１０質量％である〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のウェハ洗浄用組成物。
〔７〕 〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のウェハ洗浄用組成物を用いて、接着剤が付着したウェハを洗浄することを特徴とするウェハ洗浄方法。

本発明によれば、工業的に入手可能な原料から容易に製造することが可能で新規な第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物を提供でき、該化合物及び水を含んだウェハ洗浄用組成物を用いれば、接着剤が付着して汚染された、特にシリコーン成分に汚染された基板表面を短時間で充分に洗浄することができる。

以下、本発明を更に詳細に説明する。
（第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物）
本発明の第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物は、下記式（１）又は式（２）で示される第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物であって、水に溶解すると強塩基性を示す常温（２０℃）で固体の化合物である。

ここで、式（１）又は式（２）中、Ｒ¹は、炭素数１〜４の一価の脂肪族炭化水素基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷は、それぞれ水素原子又は炭素数１〜４の一価の脂肪族炭化水素基を示している。Ｒ¹の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直鎖又は分岐状アルキル基が挙げられる。中でも、メチル、エチルが好ましく、特にエチルが好ましい。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷としては、水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、原料の入手性から、Ｒ²においては好ましくは、水素原子、メチル基であり、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷においては、好ましくは、水素原子である。

なお、式（１）の化合物は、具体的には下記構造式のものが挙げられる。

また、式（２）の化合物は、具体的には下記構造式のものが挙げられる。

（第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物の製造方法）
式（１）又は式（２）の第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物の製造方法としては、例えばハロゲン化アルキルと下記式（３）で示される環状ジアミン化合物とを反応させ、強塩基で処理することにより製造できる。

ここで、式（３）中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷は、それぞれ水素原子又は炭素数１〜４の一価の脂肪族炭化水素基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷の例としては、水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、原料の入手性から、Ｒ²においては、好ましくは水素原子又はメチル基であり、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷においては、好ましくは、水素原子である。

本発明で用いるハロゲン化アルキルとしては、例えば、臭化メチル、ヨウ化メチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化ｎ−プロピル、塩化イソプロピル、臭化ｎ−プロピル、ヨウ化ｎ−プロピル、塩化ｎ−ブチル、臭化イソブチル、ヨウ化ｎ−ブチル、ヨウ化イソプロピル、臭化ｎ−ブチル、ヨウ化イソブチル、ヨウ化ｓｅｃ−ブチル、ヨウ化ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。

なお、式（３）の化合物とハロゲン化アルキルとの反応モル比によって、式（１）の化合物の単一物や式（１）の化合物と式（２）の化合物の混合物を製造可能である。例えば、式（３）の化合物１．０モルに対してハロゲン化アルキルを２．０モル以上反応させることで式（１）の化合物の単一物を製造することができる。その際、反応後に余剰となったハロゲン化アルキルを留去して除去を行えばよい。また、ハロゲン化アルキルを２．０モル未満で反応させた場合には、式（１）の化合物、式（２）の化合物及び原料の式（３）の化合物の混合物となる。このような混合物をそのまま使用してもウェハ洗浄用組成物としてのウェハ洗浄効果が得られる。なお、ハロゲン化アルキルを式（３）の化合物１．０モルに対して１．０モル以上とすることが好ましい。

この反応における反応温度は任意であるが、室温（２０℃）から１５０℃程度が好ましい。反応時間も任意であるが、３０分から４８時間程度で反応は完結する。また、この反応を行う際、反応溶媒の使用は任意であるが、通常は反応溶媒を使用する。使用する溶媒としては、例えば水、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の脂肪族炭化水素等が挙げられる。

ハロゲン化アルキルと式（３）の化合物とを反応して生成した第四級アンモニウム塩は、そのアニオンが塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンになっているため、目的とする水酸化物イオンにするには、強塩基でイオン交換処理することが必要である。このイオン交換の処理方法は、従来知られた一般的な方法で行うことが可能である。その際の反応温度は任意であり、０〜５０℃程度であり、通常は室温（２０℃）で行えばよい。また、反応時間も任意であり、３０分から２４時間程度である。

用いる強塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム等が挙げられる。このような強塩基を加えることで塩化ナトリウム、臭化物ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、塩化カリウム、臭化物カリウム、ヨウ化カリウム等が生成するが、これらはろ過により除去すればよい。この強塩基を加える量としては、反応させたハロゲン化アルキルとほぼ同量のモル数を加えればよい。反応終了後、反応溶媒を留去して、濃縮するか、濃縮乾固した固体を更に適当な溶媒で再結晶精製することで、本発明の第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物を得ることができる。

（ウェハ洗浄用組成物）
本発明では、式（１）で表される化合物を単独でウェハ洗浄用組成物として使用することが可能であり、また反応生成物として式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物の混合物をウェハ洗浄用組成物として用いることも可能である。混合物の場合には、特に限定されないが、式（１）の化合物に対し、０モル％超８０モル％以下、より好ましくは０％超６０モル％以下の式（２）の化合物を含んでいてもよい。またその際に式（３）の化合物を原料残存物として含有したままでもよい。

即ち、本発明に係るウェハ洗浄用組成物は、上記式（１）で表される化合物又は式（２）で表される化合物と、水とを含む組成物である。あるいは、更に有機溶剤を含んでもよい。

このウェハ洗浄用組成物における上記第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物の濃度は、０．１〜１０．０質量％とすればよく、特に０．１〜５．０質量％であることが好ましい。第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物の濃度が０．１質量％未満であると洗浄性が不十分となるおそれがあり、１０．０質量％を超えると基板への腐食が発生する場合がある。

ウェハ洗浄用組成物における水の添加量は任意であるが、有機溶剤を使用しなければ、９０．０〜９９．９質量％であり、有機溶剤と併用する場合には、好ましくは０．１〜９９．８質量％、より好ましくは０．１〜５０．０質量％、更に好ましくは、０．１〜５．０質量％である。

有機溶剤としては特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、２−エチルヘキシルアルコール等のアルコール類、アセトン、ＭＥＫ等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキシレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリメチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラエチレングリコール等のグリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のグリコールエステル類等が挙げられる。

本発明のウェハ洗浄用組成物には、界面活性剤、キレート剤などを適宜添加してもよい。また、他の第四級アンモニウム塩、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどを添加することもできる。

（ウェハ洗浄方法）
このウェハ洗浄用組成物を用いてシリコン半導体基板（シリコンウェハ）を洗浄することで、シリコン半導体基板を短時間で洗浄することが可能となる。また、本発明のウェハ洗浄用組成物は、シリコン基板の洗浄だけでなく、特に薄型化処理された基板表面に接着剤を有している（残存している）ものを洗浄するのにも有効である。なお、ここでいう接着剤とは、半導体回路を形成した基板を裏面研削によって薄型化する際に該基板を支持基板に固定する際に使用する接着剤であって、裏面研削加工後に支持基板を剥離した後に基板表面に残存したものである。この接着剤としては、合成有機系接着剤、例えばシリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、オレフィン系接着剤等が挙げられる。

本発明のウェハ洗浄方法としては、上記ウェハ洗浄用組成物を用いたディッピング、噴霧、シャワー、超音波洗浄等により洗浄が可能であり、雰囲気温度１０〜７０℃程度のもと、３０秒〜６０分で行い、水洗、乾燥して処理を行うことができる。洗浄の際、ウェハ洗浄用組成物の沸点以下で加温することも可能である。なお、ウェハ洗浄用組成物のｐＨは、好ましくは９〜１４に調整して用いる。

以下、実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［実施例１］（式（４）の四級塩の合成）
メチルＤＡＢＣＯ（２−メチル−１，４ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）６４ｇ（０．５ｍｏｌ）、ヨウ化メチル１２７ｇ（１．０ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３００ｇに加え、室温（２０℃）で１時間撹拌した後、５０℃にて１時間撹拌を続けた。析出した第四級アンモニウム塩のヨウ化物にエタノール５００ｇを加え、更に水酸化ナトリウム４０ｇ（１．０ｍｏｌ）をゆっくり添加した。析出したヨウ化ナトリウムを除き、水を加えた後、エタノールを減圧で留去したところ、固形分を３０質量％の割合で溶解して含有する水溶液２６４ｇを得た。
得られた水溶液中の固形分を取り出し、赤外線吸収スペクトル分析、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル分析を行った結果、下記式（４）の構造の化合物であることを確認した。

［実施例２］（式（４）及び式（５）の四級塩の合成）
実施例１におけるヨウ化メチルの量を６３．５ｇ（０．５ｍｏｌ）とし、水酸化ナトリウムを２０ｇ（０．５ｍｏｌ）とした他は、同様に操作を行った結果、固形分を３０質量％の割合で溶解して含有する水溶液２４３ｇを得た。
得られた水溶液中の固形分を取り出し、赤外線吸収スペクトル分析、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル分析を行った結果、原料のメチルＤＡＢＣＯ ２５モル％と上記式（４）の構造の化合物２５モル％と下記式（５）の構造の化合物５０モル％の混合物であることを確認した。

［実施例３］（式（６）の四級塩の合成）
実施例１におけるメチルＤＡＢＣＯ（２−メチル−１，４ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）に代えて、ＤＡＢＣＯ（１，４ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）５７ｇ（０．５ｍｏｌ）とした他は、同様に操作を行った結果、固形分を３０質量％の割合で溶解して含有する水溶液２４５ｇを得た。
得られた水溶液中の固形分を取り出し、赤外線吸収スペクトル分析、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル分析を行った結果、下記式（６）の構造の化合物であることを確認した。

［実施例４］（式（７）の四級塩の合成）
実施例３におけるヨウ化メチルに変えて、ヨウ化エチル １５６ｇ（１．０ｍｏｌ）とした他は、同様に操作を行った結果、固形分を３０質量％の割合で溶解して含有する水溶液２９０ｇを得た。
得られた水溶液中の固形分を取り出し、赤外線吸収スペクトル分析、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル分析を行った結果、下記式（７）の構造の化合物であることを確認した。

［実施例５］（式（８）の四級塩の合成）
実施例３におけるヨウ化メチルに変えて、ｎ−ブチルブロマイド１３７ｇ（１．０ｍｏｌ）とし、反応温度を８０℃にて５時間撹拌とした他は、同様に操作を行った結果、固形分を３０質量％の割合で溶解して含有する水溶液３８０ｇを得た。
得られた水溶液中の固形分を取り出し、赤外線吸収スペクトル分析、１Ｈ核磁気共鳴スペクトル分析を行った結果、下記式（８）の構造の化合物であることを確認した。

［実施例６］
撹拌装置、冷却装置及び温度計を取り付けた５００ｍｌフラスコに、実施例１で合成した式（４）の化合物を３０質量％含有する水溶液３ｇ、１−ブトキシ−２−プロパノール９７ｇを仕込み、室温（２０℃）で撹拌しウェハ洗浄用組成物Ａを得た。

［実施例７］
撹拌装置、冷却装置及び温度計を取り付けた５００ｍｌフラスコに、実施例２で合成した式（４）の化合物２５モル％、式（５）の化合物５０モル％、原料のメチルＤＡＢＣＯ ２５モル％の合計固形分３０質量％含有する水溶液６ｇ、イオン交換水４４ｇ、エタノール５０ｇを仕込み、室温（２０℃）で撹拌しウェハ洗浄用組成物Ｂを得た。

［実施例８］
撹拌装置、冷却装置及び温度計を取り付けた５００ｍｌフラスコに、実施例３で合成した式（６）の化合物を３０質量％含有する水溶液６ｇ、イオン交換水９４ｇを仕込み、室温（２０℃）で撹拌しウェハ洗浄用組成物Ｃを得た。

［実施例９］
実施例６における式（４）の化合物を３０質量％含有する水溶液の代わりに実施例４で合成した式（７）の化合物を３０質量％含有する水溶液３ｇとし、１−ブトキシ−２−プロパノールの代わりに１−プロポキシ２−プロパノール９７ｇを仕込み、室温（２０℃）で撹拌しウェハ洗浄用組成物Ｄを得た。

［実施例１０］
実施例６における式（４）化合物を３０質量％含有する水溶液の代わりに実施例５で合成した式（８）の化合物を３０質量％含有する水溶液１０ｇとし、１−ブトキシ−２−プロパノールの代わりにイソプロパノール９０ｇを仕込み、室温（２０℃）で撹拌しウェハ洗浄用組成物Ｅを得た。

［比較例１］
実施例６における式（４）化合物を３０質量％含有する水溶液の代わりに、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド３０質量％含有する水溶液３ｇとした他は、同様にしてウェハ洗浄用組成物Ｆを得た。

［基板の作製］
シリコーン樹脂／ノナン溶液接着剤を用い、８インチシリコン半導体基板（直径２００ｍｍ、厚さ：７２５μｍ）上にスピンコートにて１０μｍの膜厚で接着層を形成した。８インチガラス基板（ガラスウエハ）を支持基板とし、この支持基板と、上記接着層を有するシリコン半導体基板を真空接合装置内で２００℃にて接合し、シリコン半導体基板、接着層及び支持基板からなる積層体を作製した。その後、グラインダーを用いてシリコン半導体基板の裏面研削を行い、最終基板厚５０μｍまでグラインドした。続いて、積層体のうちシリコン半導体基板を水平に固定しておき、支持基板を剥離した後、有機溶剤としてノナンに６分間浸漬し、接着層を除去した後、乾燥させることにより、洗浄試験用シリコン半導体基板を作製した。なお、この洗浄試験用シリコン半導体基板の洗浄試験前の水接触角は６０度超であった。

［基板洗浄性の評価］（表１）
上記のように作製されたシリコン半導体基板を、上記ウェハ洗浄用組成物Ａ〜Ｆを用い、基板の洗浄を行なった。具体的にはウェハ洗浄用組成物Ａ〜Ｆに、シリコン半導体基板を３分又は５分浸漬（即ち、洗浄時間３分又は５分）後、１分間純水で洗い流し、乾燥させたシリコン半導体基板表面の水接触角を全自動接触角計（協和界面科学（株）製、型式ＤＭ−７０１）で確認した。その結果、いずれの組成物を用いた場合も、洗浄時間５分のシリコン半導体基板の水接触角は３０°未満となっており、処理した基板表面を走査型電子顕微鏡にて観察したところ、きれいに洗浄されていることを確認した。なお、この中で実施例６のウェハ洗浄用組成物Ａ、比較例１のウェハ洗浄用組成物Ｆのものについては、シリコン半導体基板の腐食が観測された。また、ウェハ洗浄用組成物Ａ、Ｄ（実施例６、９）については、洗浄時間３分でもきれいに洗浄されており、基板の腐食（基板へのダメージ）も全くないことを確認した。一方、比較例１のウェハ洗浄用組成物Ｆでは、洗浄時間３分できれいに洗浄されていたが、基板の腐食が確認された。

Claims (7)

1. 下記式（１）又は式（２）で示される第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物と、水とを含むことを特徴とするウェハ洗浄用組成物。
   

   

   （式中、Ｒ¹はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜４の一価の脂肪族炭化水素基である。）
2. Ｒ¹がメチル基又はエチル基である請求項１記載のウェハ洗浄用組成物。
3. Ｒ¹がエチル基である請求項２記載のウェハ洗浄用組成物。
4. Ｒ²が水素原子又はメチル基であり、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷がそれぞれ水素原子である請求項１〜３のいずれか１項記載のウェハ洗浄用組成物。
5. 更に、有機溶剤を含む請求項１〜４のいずれか１項記載のウェハ洗浄用組成物。
6. 上記第四級アンモニウムヒドロキサイド化合物の濃度が０．１〜１０質量％である請求項１〜５のいずれか１項記載のウェハ洗浄用組成物。
7. 請求項１〜６のいずれか１項記載のウェハ洗浄用組成物を用いて、接着剤が付着したウェハを洗浄することを特徴とするウェハ洗浄方法。