JP5972566B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置100を示す図であり、(A)は、表示装置の正面透視図であり、(B)は、図1(A)のB−B線断面図である。図1において、TFT基板1は、その画素領域6の画素ごとにMEMSシャッター8がマトリックス状に配置されている。TFT基板1の背面には、図示しない赤色、緑色及び青色のLEDバックライトが設けられている。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る表示装置100を示す図であり、(A)は、表示装置の正面透視図であり、(B)は、図6(A)のB−B線断面図である。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る表示装置100を示す図であり、(A)は、表示装置の正面透視図であり、(B)は、図7(A)のB−B線断面図である。
図8は、本発明の第3の実施形態に係る表示装置100を示す図であり、(A)は、表示装置の正面透視図であり、(B)は、図8(A)のB−B線断面図である。
2 対向基板
3 封止材
4 注入口
4a 注入経路
5 エンドシール
6 画素領域
7 電極(接地電極)
8 MEMSシャッター
10 支柱
20A 治具
20B 治具
100 表示装置
Claims (7)
- マトリックス状に配置された複数のメカニカルシャッターを備える薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタへ外部から信号を供給するための端子が形成されたTFT基板と、
該TFT基板に張り合わされる対向基板と、を備え、
前記のTFT基板の縁部と対向基板の縁部には、前記のTFT基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する注入口と、該注入口の内面の少なくとも一部を覆う接地電極が形成されていること、を特徴とする、表示装置。 - 前記の接地電極は、外部の接地電極に導通するように配置されたことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記の接地電極は、前記のTFT基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する手段或いは前記のTFT基板と対向基板を固定する手段に接続可能であって、前記の接地電極と前記手段との接続部分は、接地電位に維持されていることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の表示装置。
- 薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタへ外部から信号を供給するための端子とをTFT基板上に形成し、
前記薄膜トランジスタ及び端子が形成されたTFT基板上にTFT及び端子を覆うパッシベーション膜を形成し、
該パッシベーション膜上にマトリックス状に配置された複数のメカニカルシャッターを形成し、
前記のTFT基板の縁部と対向基板の縁部に、前記のTFT基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する注入口の少なくとも一部を覆う接地電極とを形成し、
前記TFT基板に対向基板を貼り合わせること、を含む、
表示装置の製造方法。 - 前記の接地電極は、外部の接地電極に導通するように配置されたことを特徴とする、請求項4に記載の表示装置の製造方法。
- 前記の接地電極は、前記のTFT基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する手段或いは前記のTFT基板と対向基板を固定する手段に接続可能にされており、前記の接地電極と前記手段との接続部分は、接地電位に維持されていることを特徴とする、請求項4または請求項5に記載の表示装置の製造方法。
- 前記の接地電極は、前記のTFT基板及び対向基板のそれぞれの配線膜の形成時に、前記の注入口を含む領域に形成されることを特徴とする、請求項4から6のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
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