JP5971078B2 - Solid-state imaging device and imaging apparatus - Google Patents

Solid-state imaging device and imaging apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP5971078B2
JP5971078B2 JP2012232168A JP2012232168A JP5971078B2 JP 5971078 B2 JP5971078 B2 JP 5971078B2 JP 2012232168 A JP2012232168 A JP 2012232168A JP 2012232168 A JP2012232168 A JP 2012232168A JP 5971078 B2 JP5971078 B2 JP 5971078B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
solid
pixel
floating diffusion
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012232168A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014086781A (en
Inventor
崇志 瀬尾
崇志 瀬尾
敦 駒井
敦 駒井
日下　洋介
洋介 日下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2012232168A priority Critical patent/JP5971078B2/en
Publication of JP2014086781A publication Critical patent/JP2014086781A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5971078B2 publication Critical patent/JP5971078B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、固体撮像素子および撮像装置に関する。   The present invention relates to a solid-state imaging device and an imaging apparatus.

従来、撮影光学系の異なる瞳からの光束をそれぞれ受光する複数の受光素子を１つの画素内に設けた固体撮像素子が知られている。例えば特許文献１には、一対の光電変換部を備えた焦点検出画素の受光出力に対して相関演算処理を行い、デフォーカス量を算出するデジタルカメラが記載されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a solid-state imaging device in which a plurality of light receiving elements that respectively receive light beams from different pupils of a photographing optical system are provided in one pixel. For example, Patent Document 1 describes a digital camera that calculates a defocus amount by performing correlation calculation processing on a light reception output of a focus detection pixel including a pair of photoelectric conversion units.

特開２０１１−２３４０２５号公報JP 2011-234025 A

画素ごとに光電変換部の数が異なる場合、受光出力を精度よく読み出すためには、従来とは異なる回路構成および読み出し方法が要求されるが、特許文献１にはそれらの点について記載がない。   When the number of photoelectric conversion units is different for each pixel, a circuit configuration and a reading method different from the conventional ones are required in order to read out the light reception output with high accuracy. However, Patent Document 1 does not describe these points.

請求項１に記載の固体撮像素子は、第１および第２光電変換部を有する第１画素と、第３光電変換部を有する第２画素と、第４および第５光電変換部を有する第３画素と、第６光電変換部を有する第４画素と、が一列に配列された固体撮像素子であって、前記第１光電変換部により生成された信号電荷と、前記第４光電変換部により生成された信号電荷と、前記第６光電変換部により生成された信号電荷と、が択一的に蓄積される第１電荷蓄積部と、前記第２光電変換部により生成された信号電荷と、前記第３光電変換部により生成された信号電荷と、前記第５光電変換部により生成された信号電荷と、が択一的に蓄積され、前記第１電荷蓄積部と略同一の電気容量を有する第２電荷蓄積部と、を備えることを特徴とする。
請求項８に記載の撮像装置は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の固体撮像素子を有することを特徴とする。 The solid-state imaging device according to claim 1 includes a first pixel having first and second photoelectric conversion units, a second pixel having third photoelectric conversion units, and a third pixel having fourth and fifth photoelectric conversion units. A solid-state imaging device in which pixels and a fourth pixel having a sixth photoelectric conversion unit are arranged in a line, the signal charge generated by the first photoelectric conversion unit, and generated by the fourth photoelectric conversion unit A signal charge generated by the second photoelectric conversion unit, a signal charge generated by the second photoelectric conversion unit, and a signal charge generated by the sixth photoelectric conversion unit. The signal charge generated by the third photoelectric conversion unit and the signal charge generated by the fifth photoelectric conversion unit are alternatively stored, and have a first electric capacity substantially the same as that of the first charge storage unit. And a two-charge storage unit.
An imaging apparatus according to an eighth aspect includes the solid-state imaging element according to any one of the first to seventh aspects.

本発明によれば、画素ごとに光電変換部の数が異なる場合にも、受光出力を精度よく読み出すことができる。   According to the present invention, even when the number of photoelectric conversion units is different for each pixel, the light reception output can be read with high accuracy.

本発明を適用した撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the imaging device to which this invention is applied. 第１の実施の形態に係る撮像素子１５の撮像面の拡大図である。It is an enlarged view of the image pick-up surface of image sensor 15 concerning a 1st embodiment. 第１の実施の形態に係る撮像素子１５の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the image pick-up element 15 which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る撮像素子１５の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the image pick-up element 15 which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施の形態に係る撮像素子の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the image pick-up element which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る撮像素子の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the image pick-up element which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る撮像素子の断面図である。It is sectional drawing of the image pick-up element which concerns on 2nd Embodiment. 撮像素子の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram showing the composition of an image sensor. 撮像素子の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of an image sensor.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明を適用した撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。撮像装置１は、複数のレンズ１１、１２、１３から成る撮影光学系と、撮影光学系により結像された被写体像を撮像する撮像素子１５とを有する。制御装置１９は、撮像素子１５から出力された撮像信号（受光信号）に基づいて撮影光学系の焦点調節状態を検出したり、撮影画像データを作成して液晶ディスプレイ１８や電子ビューファインダー１６に表示したりする。 (First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an imaging apparatus to which the present invention is applied. The imaging apparatus 1 includes a photographing optical system including a plurality of lenses 11, 12, and 13 and an imaging element 15 that captures a subject image formed by the photographing optical system. The control device 19 detects the focus adjustment state of the photographing optical system based on the image signal (light reception signal) output from the image sensor 15 or creates photographed image data and displays it on the liquid crystal display 18 or the electronic viewfinder 16. To do.

次に、第１の実施の形態に係る撮像装置１が備える撮像素子１５の詳細について説明する。撮像素子１５はＣＭＯＳイメージセンサとして構成され、撮像面（撮影光学系を透過した被写体光が入射する面）には複数の画素が二次元状に配列されている。   Next, details of the image sensor 15 provided in the imaging device 1 according to the first embodiment will be described. The imaging element 15 is configured as a CMOS image sensor, and a plurality of pixels are arranged in a two-dimensional manner on an imaging surface (a surface on which subject light that has passed through the imaging optical system is incident).

図２は、撮像素子１５の撮像面の拡大図である。撮像素子が有する各々の画素は、マイクロレンズとその後側に配置されマイクロレンズを透過した被写体光を受光するフォトダイオードとを備える。   FIG. 2 is an enlarged view of the imaging surface of the imaging device 15. Each pixel included in the imaging device includes a microlens and a photodiode that is disposed on the rear side of the pixel and receives subject light transmitted through the microlens.

マイクロレンズとフォトダイオードとの間には、画素ごとに赤、青、緑のカラーフィルタが設置されている。以下、赤のカラーフィルタを有する画素をＲ画素と、青のカラーフィルタを有する画素をＢ画素と、緑のカラーフィルタを有する画素をＧ画素と、それぞれ称する。Ｒ画素２１ｒ、Ｇ画素２１ｇ、Ｂ画素２１ｂの配列パターンは、周知のベイヤー配列である。   Between the microlens and the photodiode, red, blue, and green color filters are installed for each pixel. Hereinafter, a pixel having a red color filter is referred to as an R pixel, a pixel having a blue color filter is referred to as a B pixel, and a pixel having a green color filter is referred to as a G pixel. The arrangement pattern of the R pixel 21r, the G pixel 21g, and the B pixel 21b is a well-known Bayer arrangement.

本実施形態では、緑のカラーフィルタを備えるＧ画素２１ｇは、Ｒ画素２１ｒやＢ画素２１ｂが備えるフォトダイオードを左右に２分割した形状の、一対のフォトダイオードを有している。一対のフォトダイオードは、撮影光学系の異なる瞳から出射した一対の光束をそれぞれ受光する。制御装置１９は、この一対の光束による受光出力を用いて、周知の位相差検出演算を行うことにより、撮影光学系の焦点調節状態を検出する。また、制御装置１９は、画像データを作成する際、一対のフォトダイオードの各々における受光出力を合算することにより、Ｇ画素２１ｇから、１つのフォトダイオードのみを有する他の画素（Ｒ画素２１ｒやＢ画素２１ｂ）と同様の受光出力を得る。   In the present embodiment, the G pixel 21g including a green color filter has a pair of photodiodes that are formed by dividing the photodiodes included in the R pixel 21r and the B pixel 21b into left and right. The pair of photodiodes respectively receive a pair of light beams emitted from different pupils of the photographing optical system. The control device 19 detects the focus adjustment state of the photographing optical system by performing a well-known phase difference detection calculation using the light reception output by the pair of light beams. Further, when creating the image data, the control device 19 adds the received light output of each of the pair of photodiodes to the other pixel (R pixel 21r and B) having only one photodiode from the G pixel 21g. A light reception output similar to that of the pixel 21b) is obtained.

図３は撮像素子１５の構成を示す回路図であり、図４は撮像素子１５の構成を示す上面図である。なお図３および図４では、図２に示した複数の画素のうち、垂直方向に並んだ４つの画素２２およびその周辺回路のみを示している。   FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the configuration of the image sensor 15, and FIG. 4 is a top view illustrating the configuration of the image sensor 15. 3 and 4 show only the four pixels 22 arranged in the vertical direction and the peripheral circuit among the plurality of pixels shown in FIG.

撮像素子１５は、垂直方向に並んだ画素の列ごとに一対の読み出し信号線Ｏ１、Ｏ２を備える。また、水平方向に並んだ４つの画素の行ごとに、リセット信号線ＲＳＴ、行選択信号線ＳＥＬを備える。撮像素子１５は更に、水平方向に並んだ４つの画素の行ごとに、転送信号線ＴＸ１〜ＴＸ４を備える。なお図３では、紙面の都合上、転送信号線ＴＸ１〜ＴＸ４の図示を省略している。   The imaging element 15 includes a pair of readout signal lines O1 and O2 for each column of pixels arranged in the vertical direction. Further, a reset signal line RST and a row selection signal line SEL are provided for each row of four pixels arranged in the horizontal direction. The image sensor 15 further includes transfer signal lines TX1 to TX4 for each row of four pixels arranged in the horizontal direction. In FIG. 3, the transfer signal lines TX1 to TX4 are not shown for the sake of space.

Ｇ画素３１ａは、Ｐ型ウェルに形成された一対のフォトダイオード３２ａ、３２ｂと、転送トランジスタ３３ａ、３３ｂと、フローティングディフュージョン（ＦＤ）領域４１ａ、４１ｂとを備える。一対のフォトダイオード３２ａ、３２ｂはＰ層、Ｎ層から成り、それぞれ撮影光学系の異なる瞳領域から出射した被写体光を受光し、その光量に応じた信号電荷を生成する。ＦＤ領域４１ａ、４１ｂはＮ層から成り、それぞれ一対のフォトダイオード３２ａ、３２ｂにより生成された信号電荷が蓄積される領域である。フォトダイオード３２ａとＦＤ領域４１ａは転送トランジスタ３３ａにより接続されている。   The G pixel 31a includes a pair of photodiodes 32a and 32b formed in a P-type well, transfer transistors 33a and 33b, and floating diffusion (FD) regions 41a and 41b. The pair of photodiodes 32a and 32b is composed of a P layer and an N layer, each receiving subject light emitted from different pupil regions of the photographing optical system, and generating a signal charge corresponding to the amount of light. The FD regions 41a and 41b are composed of N layers and are regions in which signal charges generated by the pair of photodiodes 32a and 32b are accumulated, respectively. The photodiode 32a and the FD region 41a are connected by a transfer transistor 33a.

転送トランジスタ３３ａのゲート端子は転送信号線ＴＸ１に接続されている。転送信号線ＴＸ１に所定信号を出力することで、フォトダイオード３２ａからＦＤ領域４１ａに信号電荷を転送することができる。また、フォトダイオード３２ｂ、ＦＤ領域４１ｂ、転送トランジスタ３３ｂについても同様である。つまり、転送信号線ＴＸ１に所定信号を出力することで、フォトダイオード３２ｂからＦＤ領域４１ｂに信号電荷を転送することができる。   The gate terminal of the transfer transistor 33a is connected to the transfer signal line TX1. By outputting a predetermined signal to the transfer signal line TX1, signal charges can be transferred from the photodiode 32a to the FD region 41a. The same applies to the photodiode 32b, the FD region 41b, and the transfer transistor 33b. That is, signal charges can be transferred from the photodiode 32b to the FD region 41b by outputting a predetermined signal to the transfer signal line TX1.

他方、Ｂ画素３１ｂは、１つのフォトダイオード３２ｃと、１つの転送トランジスタ３３ｃと、１つのＦＤ領域４１ｃとを備えており、フォトダイオード３２ｃとＦＤ領域４１ｃは転送トランジスタ３３ｃにより接続されている。転送トランジスタ３３ｃのゲート端子は転送信号線ＴＸ２に接続されている。転送信号線ＴＸ２に所定信号を出力することで、フォトダイオード３２ｃからＦＤ領域４１ｃに信号電荷を転送することができる。   On the other hand, the B pixel 31b includes one photodiode 32c, one transfer transistor 33c, and one FD region 41c. The photodiode 32c and the FD region 41c are connected by the transfer transistor 33c. The gate terminal of the transfer transistor 33c is connected to the transfer signal line TX2. By outputting a predetermined signal to the transfer signal line TX2, the signal charge can be transferred from the photodiode 32c to the FD region 41c.

なお、Ｇ画素３１ｃおよびＢ画素３１ｄの構成は、Ｇ画素３１ａおよびＢ画素３１ｂの構成と同様であるので説明を省略する。   Note that the configurations of the G pixel 31c and the B pixel 31d are the same as the configurations of the G pixel 31a and the B pixel 31b, and a description thereof will be omitted.

Ｇ画素３１ａ、Ｇ画素３１ｃ、およびＢ画素３１ｄがそれぞれ有するＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆは、垂直方向に伸びた配線により、電気的に相互に接続されている。従って、ＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆと、それらを接続する配線と、から成る回路部分に、フォトダイオード３２ａ、３２ｄ、３２ｆにより生成された信号電荷が蓄積されることになる。   The FD regions 41a, 41d, and 41f included in the G pixel 31a, the G pixel 31c, and the B pixel 31d are electrically connected to each other through wiring extending in the vertical direction. Accordingly, signal charges generated by the photodiodes 32a, 32d, and 32f are accumulated in a circuit portion that includes the FD regions 41a, 41d, and 41f and wirings that connect them.

以下の説明では、ＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆと、それらを接続する配線と、から成る回路部分のことを、第１電荷蓄積部と称する。   In the following description, a circuit portion including the FD regions 41a, 41d, and 41f and wirings that connect them is referred to as a first charge storage unit.

同様に、Ｇ画素３１ａ、Ｂ画素３１ｂ、およびＧ画素３１ｃがそれぞれ有するＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅは、垂直方向に伸びた配線により、電気的に相互に接続されている。従って、ＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅと、それらを接続する配線と、から成る回路部分に、フォトダイオード３２ｂ、３２ｃ、３２ｅにより生成された信号電荷が蓄積されることになる。   Similarly, the FD regions 41b, 41c, and 41e included in the G pixel 31a, the B pixel 31b, and the G pixel 31c are electrically connected to each other through wiring extending in the vertical direction. Accordingly, signal charges generated by the photodiodes 32b, 32c, and 32e are accumulated in a circuit portion that includes the FD regions 41b, 41c, and 41e and wirings that connect them.

以下の説明では、ＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅと、それらを接続する配線と、から成る回路部分のことを、第２電荷蓄積部と称する。   In the following description, a circuit portion including the FD regions 41b, 41c, and 41e and wirings that connect them is referred to as a second charge storage unit.

第１電荷蓄積部は、増幅トランジスタ３５のゲート端子に接続されている。また、増幅トランジスタ３５は、電源ＶＤＤと行選択トランジスタ３６とを接続している。行選択トランジスタ３６は、増幅トランジスタ３５と読み出し信号線Ｏ１とを接続し、そのゲート端子は行選択信号線ＳＥＬに接続されている。電源ＶＤＤと第１電荷蓄積部とは、リセットトランジスタ３４により接続されている。リセットトランジスタのゲート端子は、リセット信号線ＲＳＴに接続されている。   The first charge storage unit is connected to the gate terminal of the amplification transistor 35. The amplification transistor 35 connects the power supply VDD and the row selection transistor 36. The row selection transistor 36 connects the amplification transistor 35 and the read signal line O1, and its gate terminal is connected to the row selection signal line SEL. The power supply VDD and the first charge storage unit are connected by a reset transistor 34. The gate terminal of the reset transistor is connected to the reset signal line RST.

なお、第２電荷蓄積部についても、リセットトランジスタ３７、増幅トランジスタ３８、および行選択トランジスタ３９により同様の構成が採られている。その接続態様は、読み出し信号線Ｏ１の代わりに読み出し信号線Ｏ２が用いられていることを除き、第１電荷蓄積部と同様であるので説明を省略する。   Note that the second charge storage unit also has the same configuration with the reset transistor 37, the amplification transistor 38, and the row selection transistor 39. Since the connection mode is the same as that of the first charge storage unit except that the read signal line O2 is used instead of the read signal line O1, the description thereof is omitted.

以上のように、本実施形態の撮像素子１５は、垂直方向に並んだ４つの画素３１ａ〜３１ｄごとに、フォトダイオードからの信号電荷を蓄積する第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部を共有している。また、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部は、その電気容量が略同一になるように構成されている。   As described above, the imaging device 15 according to the present embodiment shares the first charge accumulation unit and the second charge accumulation unit that accumulate signal charges from the photodiodes for each of the four pixels 31a to 31d arranged in the vertical direction. doing. The first charge storage unit and the second charge storage unit are configured so that their electric capacities are substantially the same.

具体的には、４つの画素３１ａ〜３１ｄのうち２つの画素３１ａ、３１ｃは一対のフォトダイオードを有しているが、このような画素については、その一方と第１電荷蓄積部とが転送トランジスタを介して接続され、他方と第２電荷蓄積部とが別の転送トランジスタを介して接続されている。また、４つの画素３１ａ〜３１ｄのうち残り２つの画素３１ｂ、３１ｄは１つのフォトダイオードを有しているが、この２つの画素３１ｂ、３１ｄのうち、一方の画素３１ｄが有するフォトダイオードが、転送トランジスタ２１ｇを介して第１電荷蓄積部に接続され、他方の画素３１ｂが有するフォトダイオードが、それとは別の転送トランジスタ３３ｃを介して第２電荷蓄積部に接続されている。このように、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部は対称に構成されているため、その電気容量も略同一となる。   Specifically, of the four pixels 31a to 31d, the two pixels 31a and 31c have a pair of photodiodes, and for such a pixel, one of the pixels and the first charge storage unit is a transfer transistor. And the other and the second charge storage unit are connected via another transfer transistor. Of the four pixels 31a to 31d, the remaining two pixels 31b and 31d have one photodiode. Of the two pixels 31b and 31d, the photodiode of one pixel 31d is transferred. The photodiode of the other pixel 31b, which is connected to the first charge storage unit through the transistor 21g, is connected to the second charge storage unit through a transfer transistor 33c that is different from the photodiode. Thus, since the first charge storage unit and the second charge storage unit are configured symmetrically, their electric capacities are substantially the same.

なお、図３および図４から明らかな通り、上から３つ目の画素３１ｃが有する２つのＦＤ領域４１ｄ、４１ｅのうち一方のＦＤ領域４１ｄは、上から４つ目の画素３１ｄが有するＦＤ領域４１ｆと接続されているが、他方のＦＤ領域４１ｅは、４つ目の画素３１ｄが有するいかなる領域とも接続されていない。従って、そのままでは、第１電荷蓄積部の配線長と、第２電荷蓄積部の配線長とが異なってしまい、電気容量がずれる可能性がある。そこで本実施形態では、第１電荷蓄積部の配線長と第２電荷蓄積部の配線長が等しくなるように、３つ目の画素３１ｃのＦＤ領域４１ｅから下方（４つ目の画素３１ｄの方向）に、ＦＤ領域４１ｄとＦＤ領域４１ｆとの間の配線と同じ長さだけ、端点に何も接続されていない配線を設けている。   3 and 4, one of the two FD regions 41d and 41e of the third pixel 31c from the top is the FD region of the fourth pixel 31d from the top. Although connected to 41f, the other FD region 41e is not connected to any region of the fourth pixel 31d. Therefore, the wiring length of the first charge storage unit and the wiring length of the second charge storage unit are different from each other as they are, and the electric capacity may be shifted. Thus, in the present embodiment, the wiring length of the first charge storage unit and the wiring length of the second charge storage unit are equal to each other below the FD region 41e of the third pixel 31c (in the direction of the fourth pixel 31d). ) Is provided with a wiring that is the same length as the wiring between the FD region 41d and the FD region 41f and nothing is connected to the end points.

次に、撮像素子１５からの受光信号の読み出し処理について説明する。本実施形態の撮像装置１は、各画素のリセット、露光、信号の読み出しを行ごとに順次行うことにより被写体像を撮像した撮像信号（受光信号）を出力する。   Next, a process for reading a received light signal from the image sensor 15 will be described. The imaging apparatus 1 according to the present embodiment outputs an imaging signal (light reception signal) obtained by imaging a subject image by sequentially performing resetting, exposure, and signal readout for each pixel for each row.

撮像時、撮像素子１５は、まず１〜４行目の画素３１ａ〜３１ｄに対応するリセット信号線ＲＳＴに所定の制御信号を出力し、１〜４行目の画素３１ａ〜３１ｄに対応する第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部に蓄積された信号電荷をリセットする。その後、１行目の画素に対応する転送信号線ＴＸ１に所定信号を出力し、１行目の各画素が有する各フォトダイオード３２ａ、３２ｂにより生成された信号電荷を、当該フォトダイオード３２ａ、３２ｂに対応する第１電荷蓄積部、第２電荷蓄積部に転送する。そして、行選択信号線ＳＥＬに所定の制御信号を出力し、１〜４行目の画素３１ａ〜３１ｄを選択状態にする。このとき行選択トランジスタ３６、３９がオンとなり、各列の読み出し信号線Ｏ１、Ｏ２から、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部に蓄積されている信号電荷に応じた受光信号を読み出すことが可能な状態になる。ここで撮像素子１５は、各列の読み出し信号線Ｏ１、Ｏ２から受光信号を順次読み出し、制御装置１９に出力する。   At the time of imaging, the imaging device 15 first outputs a predetermined control signal to the reset signal line RST corresponding to the pixels 31a to 31d in the first to fourth rows, and the first corresponding to the pixels 31a to 31d in the first to fourth rows. The signal charges accumulated in the charge accumulation unit and the second charge accumulation unit are reset. Thereafter, a predetermined signal is output to the transfer signal line TX1 corresponding to the pixels in the first row, and the signal charges generated by the photodiodes 32a and 32b included in the pixels in the first row are transmitted to the photodiodes 32a and 32b. The data is transferred to the corresponding first charge accumulation unit and second charge accumulation unit. Then, a predetermined control signal is output to the row selection signal line SEL, and the pixels 31a to 31d in the first to fourth rows are selected. At this time, the row selection transistors 36 and 39 are turned on, and light reception signals corresponding to the signal charges accumulated in the first charge accumulation unit and the second charge accumulation unit can be read from the read signal lines O1 and O2 of the respective columns. It becomes possible. Here, the image sensor 15 sequentially reads the received light signals from the read signal lines O1 and O2 of each column and outputs them to the control device 19.

撮像素子１５は以上の動作を２行目以降の画素についても繰り返すことにより、全画素の受光信号を制御装置１９に出力する。制御装置１９はこのようにして出力された受光信号に基づいて、例えば被写体像の画像データを作成したり、撮影光学系の焦点調節状態を検出したりする。   The imaging device 15 outputs the light reception signals of all the pixels to the control device 19 by repeating the above operation for the pixels in the second and subsequent rows. Based on the light reception signal output in this way, the control device 19 creates, for example, image data of a subject image or detects the focus adjustment state of the photographing optical system.

上述した第１の実施の形態による撮像装置によれば、次の作用効果が得られる。
（１）撮像素子１５の撮像面には、フォトダイオード３２ａ、３２ｂを有するＧ画素３１ａと、フォトダイオード３２ｃを有するＢ画素３１ｂと、フォトダイオード３２ｄ、３２ｅを有するＧ画素３１ｃと、フォトダイオード３２ｆを有するＢ画素３１ｄと、が垂直方向に一列に配列されている。第１電荷蓄積部には、フォトダイオード３２ａにより生成された信号電荷と、フォトダイオード３２ｄにより生成された信号電荷と、フォトダイオード３２ｆにより生成された信号電荷と、が択一的に蓄積される。また、第２電荷蓄積部には、フォトダイオード３２ｂにより生成された信号電荷と、フォトダイオード３２ｃにより生成された信号電荷と、フォトダイオード３２ｅにより生成された信号電荷と、が択一的に蓄積される。そして、第１電荷蓄積部と第２電荷蓄積部とを、略同一の電気容量を有するように構成した。このようにしたので、画素ごとに光電変換部の数が異なる場合にも、電荷蓄積部の電気容量が画素ごとに異なることがなく、受光出力を精度よく読み出すことができる。 According to the imaging apparatus according to the first embodiment described above, the following operational effects can be obtained.
(1) On the imaging surface of the image sensor 15, a G pixel 31a having photodiodes 32a and 32b, a B pixel 31b having photodiodes 32c, a G pixel 31c having photodiodes 32d and 32e, and a photodiode 32f are provided. The B pixels 31d are arranged in a line in the vertical direction. In the first charge storage unit, the signal charge generated by the photodiode 32a, the signal charge generated by the photodiode 32d, and the signal charge generated by the photodiode 32f are alternatively stored. Further, the signal charge generated by the photodiode 32b, the signal charge generated by the photodiode 32c, and the signal charge generated by the photodiode 32e are alternatively stored in the second charge storage unit. The The first charge storage unit and the second charge storage unit are configured to have substantially the same electric capacity. Since it did in this way, even when the number of photoelectric conversion parts differs for every pixel, the electric capacity of a charge storage part does not differ for every pixel, and a light reception output can be read accurately.

（２）撮像素子１５の半導体基板上に、フォトダイオード３２ａ〜３２ｆの各々に対応してＦＤ領域４１ａ〜４１ｆと、フォトダイオード３２ａ〜３２ｆの各々からＦＤ領域４１ａ〜４１ｆの各々に信号電荷を転送する転送トランジスタ３３ａ〜３３ｆと、ＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆを互いに接続する配線と、ＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅを互いに接続する配線とを設けた。第１電荷蓄積部はＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆと、ＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆを互いに接続する配線とを含み、第２電荷蓄積部はＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅと、ＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅを互いに接続する配線とを含む。このようにしたので、電荷蓄積部の電気容量が各画素で統一され、受光出力を精度よく読み出すことができる。 (2) On the semiconductor substrate of the image sensor 15, signal charges are transferred to the FD regions 41a to 41f corresponding to the photodiodes 32a to 32f and from the photodiodes 32a to 32f to the FD regions 41a to 41f, respectively. The transfer transistors 33a to 33f to be connected, wirings for connecting the FD regions 41a, 41d, and 41f to each other, and wirings for connecting the FD regions 41b, 41c, and 41e to each other are provided. The first charge storage unit includes FD regions 41a, 41d, and 41f and wirings that connect the FD regions 41a, 41d, and 41f to each other, and the second charge storage unit includes FD regions 41b, 41c, and 41e, and an FD region 41b, 41c and 41e are connected to each other. Since it did in this way, the electric capacity of a charge storage part is unified by each pixel, and a light reception output can be read with sufficient accuracy.

（３）ＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆを互いに接続する配線は、ＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅを互いに接続する配線と略同一の配線長を有する。このようにしたので、読み出し信号線Ｏ１に接続されたフォトダイオードと読み出し信号線Ｏ２に接続されたフォトダイオードとの間で、電荷蓄積部の電気容量が略同一となり、受光出力を精度よく読み出すことができる。 (3) The wiring that connects the FD regions 41a, 41d, and 41f has substantially the same wiring length as the wiring that connects the FD regions 41b, 41c, and 41e. Since it did in this way, the electric capacity of a charge storage part becomes substantially the same between the photodiode connected to the readout signal line O1 and the photodiode connected to the readout signal line O2, and the light receiving output can be read out with high accuracy. Can do.

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係る撮像装置について説明する。第２の実施の形態に係る撮像装置は、撮像素子を除き、第１の実施の形態と同様の構成を有する。以下、第２の実施の形態に係る撮像素子について、第１の実施の形態に係る撮像素子１５との違いを説明する。 (Second Embodiment)
Next, an imaging apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. The imaging apparatus according to the second embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except for the imaging element. Hereinafter, the difference between the imaging device according to the second embodiment and the imaging device 15 according to the first embodiment will be described.

図５は撮像素子の構成を示す回路図であり、図６は撮像素子の構成を示す上面図である。なお図５および図６では、図３および図４と同様に、垂直方向に並んだ４つの画素およびその周辺回路のみを示している。   FIG. 5 is a circuit diagram showing the configuration of the image sensor, and FIG. 6 is a top view showing the configuration of the image sensor. In FIGS. 5 and 6, only four pixels arranged in the vertical direction and their peripheral circuits are shown, as in FIGS.

図５および図６に示したように、本実施形態の撮像素子では、上から２つ目の画素３１ｂが、ＦＤ領域６１および転送トランジスタ５１を有している。また、上から４つ目の画素３１ｄも同様に、ＦＤ領域６２および転送トランジスタ５２を有している。ただし、転送トランジスタ５１、５２のゲート端子は、転送信号線ＴＸ１〜ＴＸ４のいずれにも接続されていない。つまり、転送トランジスタ５１、５２はオン状態にならず、ＦＤ領域６１、６２とフォトダイオード３２ｃ、３２ｄとの間で電荷を移動させない。   As shown in FIGS. 5 and 6, in the imaging device of the present embodiment, the second pixel 31 b from the top has the FD region 61 and the transfer transistor 51. Similarly, the fourth pixel 31d from the top includes the FD region 62 and the transfer transistor 52. However, the gate terminals of the transfer transistors 51 and 52 are not connected to any of the transfer signal lines TX1 to TX4. That is, the transfer transistors 51 and 52 are not turned on, and no charge is transferred between the FD regions 61 and 62 and the photodiodes 32c and 32d.

このように、ＦＤ領域６１、６２とオン状態にならない転送トランジスタ５１、５２とを追加したのは、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部が、可能な限り同一の電気容量を有するようにするためである。図５や図６から明らかなように、ＦＤ領域６１、６２や転送トランジスタ５１、５２を追加することで、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部は完全に対称な構成となる。   As described above, the FD regions 61 and 62 and the transfer transistors 51 and 52 that are not turned on are added so that the first charge storage unit and the second charge storage unit have the same capacitance as much as possible. It is to do. As is apparent from FIGS. 5 and 6, by adding the FD regions 61 and 62 and the transfer transistors 51 and 52, the first charge accumulation unit and the second charge accumulation unit have a completely symmetrical configuration.

図７（ａ）は、図５および図６に示したＧ画素３１ｃの断面図であり、図７（ｂ）は同様にＢ画素３１ｄの断面図である。Ｂ画素３１ｄには、Ｇ画素３１ｃと同様の位置に、左右対称となるように、転送トランジスタ５２およびＦＤ領域６２が設けられている。また、一対のフォトダイオード３２ｄ、３２ｅおよびフォトダイオード３２ｆは、Ｎ型半導体基板上のＰ型ウェルに形成されている。   FIG. 7A is a cross-sectional view of the G pixel 31c shown in FIGS. 5 and 6, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the B pixel 31d. The B pixel 31d is provided with a transfer transistor 52 and an FD region 62 at the same position as the G pixel 31c so as to be symmetrical. The pair of photodiodes 32d and 32e and the photodiode 32f are formed in a P-type well on the N-type semiconductor substrate.

上述した第２の実施の形態による撮像装置によれば、次の作用効果が得られる。
（１）ＦＤ領域４１ａ、４１ｄ、４１ｆと互いに接続されるＦＤ領域６１を設けると共に、ＦＤ領域４１ｂ、４１ｃ、４１ｅと互いに接続されるＦＤ領域６２を設けた。第１電荷蓄積部はＦＤ領域６１を含み、第２電荷蓄積部はＦＤ領域６２を含む。従って、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部は対称な構成となるため、光学特性を向上させることができる。 According to the imaging apparatus according to the second embodiment described above, the following operational effects can be obtained.
(1) The FD region 61 connected to the FD regions 41a, 41d, and 41f is provided, and the FD region 62 connected to the FD regions 41b, 41c, and 41e is provided. The first charge accumulation unit includes an FD region 61, and the second charge accumulation unit includes an FD region 62. Therefore, since the first charge storage unit and the second charge storage unit have a symmetric configuration, the optical characteristics can be improved.

（２）転送トランジスタ５１を設け、フォトダイオード３２ｃとＦＤ領域６１とを接続させた。ただし、この転送トランジスタ５１には、フォトダイオード３２ｃからＦＤ領域６１に信号電荷を転送させず、常にオフ状態とする。同様に転送トランジスタ５２を設け、フォトダイオード３２ｆとＦＤ領域６２とを接続させた。この転送トランジスタ５２についても同様に、フォトダイオード３２ｆからＦＤ領域６２に信号電荷を転送させず、常にオフ状態とする。このようにしたので、読み出し信号線Ｏ１、Ｏ２の間で回路構成が対称になり、受光出力を精度よく読み出すことができる。 (2) The transfer transistor 51 is provided, and the photodiode 32c and the FD region 61 are connected. However, the transfer transistor 51 does not transfer the signal charge from the photodiode 32c to the FD region 61, and is always turned off. Similarly, a transfer transistor 52 is provided, and the photodiode 32f and the FD region 62 are connected. Similarly, the transfer transistor 52 is always turned off without transferring the signal charge from the photodiode 32f to the FD region 62. Since this is done, the circuit configuration is symmetrical between the read signal lines O1 and O2, and the received light output can be read with high accuracy.

次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。   The following modifications are also within the scope of the present invention, and one or a plurality of modifications can be combined with the above-described embodiment.

（変形例１）
図８に示すように、連結トランジスタ８１を設けて、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部を選択的に接続可能にしてもよい。この場合、焦点検出用の受光信号を得る際には連結トランジスタ８１をオフにして読み出し信号線Ｏ１、Ｏ２の各々から受光信号を読み出す。また、画像データ作成用の受光信号を得る際には連結トランジスタ８１をオンにして、Ｇ画素３１ａ、３１ｃがそれぞれ有する一対のフォトダイオードからの信号電荷を一括して一方の読み出し信号線（例えば読み出し信号線Ｏ１）から読み出せばよい。このようにすることで、撮像素子の読み出し制御が容易になる。また、画像データの作成時には、実質的に電荷蓄積容量が倍になるため、より低い感度で撮像素子を利用することが可能となる。 (Modification 1)
As shown in FIG. 8, a linking transistor 81 may be provided to selectively connect the first charge storage unit and the second charge storage unit. In this case, when obtaining a light receiving signal for focus detection, the coupling transistor 81 is turned off and the light receiving signal is read from each of the read signal lines O1 and O2. In addition, when obtaining a light reception signal for creating image data, the connecting transistor 81 is turned on, and signal charges from a pair of photodiodes respectively included in the G pixels 31a and 31c are collectively collected into one readout signal line (for example, readout). Reading from the signal line O1) is sufficient. By doing so, the readout control of the image sensor is facilitated. Further, when image data is created, the charge storage capacity is substantially doubled, so that the image sensor can be used with lower sensitivity.

（変形例２）
第２の実施の形態において、画素周辺の回路構成は、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部が対称な構成となっていればよく、図５、図６に示したものに限定されない。例えば図９のように、垂直方向の第１電荷蓄積部同士、第２電荷蓄積部同士を選択的に接続するための連結トランジスタ９１、９２を設けた回路構成とすることもできる。 (Modification 2)
In the second embodiment, the circuit configuration around the pixel is not limited to that shown in FIGS. 5 and 6 as long as the first charge storage unit and the second charge storage unit are symmetrical. For example, as shown in FIG. 9, it is possible to adopt a circuit configuration in which connection transistors 91 and 92 for selectively connecting the first charge accumulation units and the second charge accumulation units in the vertical direction are provided.

（変形例３）
上述した各実施の形態では、垂直方向に並んだ４つの画素３１ａ〜３１ｄの間で第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部を共有する構成について説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されない。例えば、水平方向に並んだ４つの画素について第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部を共有する構成としてもよい。また、４つよりも多くの画素（例えば８つの画素）について、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部を共有する構成とすることも可能である。更に、４つの画素３１ａ〜３１ｄのいずれかが、左右に並んだ一対のフォトダイオードではなく、上下に並んだ（上下に分割された）一対のフォトダイオードを有していてもよい。 (Modification 3)
In each of the above-described embodiments, the configuration in which the first charge accumulation unit and the second charge accumulation unit are shared between the four pixels 31a to 31d arranged in the vertical direction has been described. The form is not limited. For example, the first charge accumulation unit and the second charge accumulation unit may be shared for four pixels arranged in the horizontal direction. Further, it is also possible to adopt a configuration in which the first charge accumulation portion and the second charge accumulation portion are shared by more than four pixels (for example, eight pixels). Further, any of the four pixels 31a to 31d may have a pair of photodiodes arranged vertically (divided vertically) instead of a pair of photodiodes arranged side by side.

また、４つの画素３１ａ〜３１ｄは、１つのフォトダイオードを有する画素と、一対のフォトダイオードを有する画素とが互い違いに並んでいればよく、その順序は図３や図４に示したものに限定されない。   The four pixels 31a to 31d only need to have pixels having one photodiode and pixels having a pair of photodiodes arranged alternately, and the order is limited to that shown in FIGS. Not.

（変形例４）
ＦＤ領域や転送トランジスタの配置、配線長を統一する以外の方法で、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部の電気容量を略同一としてもよい。例えばＮ層の大きさや不純物濃度を調整することで、第１電荷蓄積部および第２電荷蓄積部の電気容量を略同一としてもよい。また、配線の太さや間隔を調整してもよいし、これら複数の要素の調整を組み合わせて適用してもよい。 (Modification 4)
The capacitances of the first charge storage unit and the second charge storage unit may be made substantially the same by a method other than unifying the arrangement of the FD region and the transfer transistor and the wiring length. For example, the electric capacity of the first charge storage unit and the second charge storage unit may be made substantially the same by adjusting the size and impurity concentration of the N layer. In addition, the thickness and interval of the wiring may be adjusted, or a combination of adjustments of these multiple elements may be applied.

（変形例５）
本発明は、いわゆる裏面照射型のＣＭＯＳイメージセンサに適用することも可能である。 (Modification 5)
The present invention can also be applied to a so-called back-illuminated CMOS image sensor.

（変形例６）
上述した各実施の形態では、Ｎ型半導体基板上のＰ型ウェルにフォトダイオードを形成した例について説明したが、本発明はこのような実施形態に限定されない。例えば、Ｐ型半導体基板に各フォトダイオードを形成した場合であっても、本発明を適用することが可能である。 (Modification 6)
In each of the above-described embodiments, the example in which the photodiode is formed in the P-type well on the N-type semiconductor substrate has been described, but the present invention is not limited to such an embodiment. For example, the present invention can be applied even when each photodiode is formed on a P-type semiconductor substrate.

本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。   As long as the characteristics of the present invention are not impaired, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and other forms conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention. .

１…撮像装置、１５…撮像素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Imaging device, 15 ... Imaging device

Claims (8)

第１および第２光電変換部を有する第１画素と、第３光電変換部を有する第２画素と、第４および第５光電変換部を有する第３画素と、第６光電変換部を有する第４画素と、が一列に配列された画素部と、
前記第１光電変換部により生成された信号電荷と、前記第４光電変換部により生成された信号電荷と、前記第６光電変換部により生成された信号電荷と、が択一的に蓄積される第１電荷蓄積部と、
前記第２光電変換部により生成された信号電荷と、前記第３光電変換部により生成された信号電荷と、前記第５光電変換部により生成された信号電荷と、が択一的に蓄積され、前記第１電荷蓄積部と略同一の電気容量を有する第２電荷蓄積部と、
を備えることを特徴とする固体撮像素子。 A first pixel having first and second photoelectric conversion units, a second pixel having third photoelectric conversion unit, a third pixel having fourth and fifth photoelectric conversion units, and a sixth pixel having sixth photoelectric conversion unit A pixel portion in which four pixels are arranged in a line;
The signal charge generated by the first photoelectric conversion unit, the signal charge generated by the fourth photoelectric conversion unit, and the signal charge generated by the sixth photoelectric conversion unit are alternatively accumulated. A first charge storage unit;
The signal charge generated by the second photoelectric conversion unit, the signal charge generated by the third photoelectric conversion unit, and the signal charge generated by the fifth photoelectric conversion unit are alternatively accumulated, A second charge storage unit having substantially the same capacitance as the first charge storage unit;
A solid-state imaging device comprising: 請求項１に記載の固体撮像素子において、
前記第１乃至第６光電変換部の各々に対応して設けられた第１乃至第６フローティングディフュージョン領域と、
前記第１乃至第６光電変換部から前記第１乃至第６フローティングディフュージョン領域にそれぞれ信号電荷を転送する第１乃至第６転送トランジスタと、
前記第１、第４、および第６フローティングディフュージョン領域を互いに接続する第１配線と、
前記第２、第３、および第５フローティングディフュージョン領域を互いに接続する第２配線と、を備え、
前記第１電荷蓄積部は、前記第１、第４、および第６フローティングディフュージョン領域と、前記第１配線とを含み、
前記第２電荷蓄積部は、前記第２、第３、および第５フローティングディフュージョン領域と、前記第２配線とを含むことを特徴とする固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 1,
First to sixth floating diffusion regions provided corresponding to each of the first to sixth photoelectric conversion units;
First to sixth transfer transistors for transferring signal charges from the first to sixth photoelectric conversion units to the first to sixth floating diffusion regions, respectively.
A first wiring connecting the first, fourth and sixth floating diffusion regions to each other;
A second wiring connecting the second, third and fifth floating diffusion regions to each other;
The first charge storage unit includes the first, fourth, and sixth floating diffusion regions, and the first wiring.
The solid-state imaging device, wherein the second charge storage unit includes the second, third, and fifth floating diffusion regions and the second wiring. 請求項２に記載の固体撮像素子において、
前記第１配線は、前記第２配線と略同一の配線長を有することを特徴とする固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 2,
The solid-state imaging device, wherein the first wiring has a wiring length substantially the same as the second wiring. 請求項２に記載の固体撮像素子において、
前記第１配線により前記第１、第４、および第６フローティングディフュージョン領域と互いに接続される第７フローティングディフュージョン領域と、
前記第２配線により前記第２、第３、および第５フローティングディフュージョン領域と互いに接続される第８フローティングディフュージョン領域とを備え、
前記第１電荷蓄積部は、前記第７フローティングディフュージョン領域を含み、
前記第２電荷蓄積部は、前記第８フローティングディフュージョン領域を含むことを特徴とする固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 2,
A seventh floating diffusion region connected to the first, fourth, and sixth floating diffusion regions by the first wiring;
An eighth floating diffusion region connected to the second, third, and fifth floating diffusion regions by the second wiring;
The first charge storage unit includes the seventh floating diffusion region,
The solid-state imaging device, wherein the second charge accumulation unit includes the eighth floating diffusion region. 請求項４に記載の固体撮像素子において、
前記第３光電変換部と前記第７フローティングディフュージョン領域とを接続する第７転送トランジスタと、
前記第６光電変換部と前記第８フローティングディフュージョン領域とを接続する第８転送トランジスタとを備えることを特徴とする固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 4,
A seventh transfer transistor connecting the third photoelectric conversion unit and the seventh floating diffusion region;
A solid-state imaging device comprising: an eighth transfer transistor that connects the sixth photoelectric conversion unit and the eighth floating diffusion region. 請求項５に記載の固体撮像素子において、
前記第７転送トランジスタは、前記第３光電変換部から前記第７フローティングディフュージョン領域に信号電荷を転送せず、
前記第８転送トランジスタは、前記第６光電変換部から前記第８フローティングディフュージョン領域に信号電荷を転送しないことを特徴とする固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 5,
The seventh transfer transistor does not transfer a signal charge from the third photoelectric conversion unit to the seventh floating diffusion region,
The solid state imaging device, wherein the eighth transfer transistor does not transfer a signal charge from the sixth photoelectric conversion unit to the eighth floating diffusion region. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
第１電荷蓄積部と第２電荷蓄積部とを選択的に接続するスイッチング手段を備えることを特徴とする固体撮像素子。 In the solid-state image sensor according to any one of claims 1 to 6,
A solid-state imaging device comprising switching means for selectively connecting the first charge storage unit and the second charge storage unit. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の固体撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。   An image pickup apparatus comprising the solid-state image pickup device according to claim 1.
JP2012232168A 2012-10-19 2012-10-19 Solid-state imaging device and imaging apparatus Active JP5971078B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012232168A JP5971078B2 (en) 2012-10-19 2012-10-19 Solid-state imaging device and imaging apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012232168A JP5971078B2 (en) 2012-10-19 2012-10-19 Solid-state imaging device and imaging apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014086781A JP2014086781A (en) 2014-05-12
JP5971078B2 true JP5971078B2 (en) 2016-08-17

Family

ID=50789497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012232168A Active JP5971078B2 (en) 2012-10-19 2012-10-19 Solid-state imaging device and imaging apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5971078B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6176062B2 (en) * 2013-11-06 2017-08-09 ソニー株式会社 Solid-state imaging device, driving method thereof, and electronic apparatus
JP6609910B2 (en) * 2014-11-27 2019-11-27 株式会社ニコン Imaging device
CN111741200B (en) 2016-04-08 2021-12-21 佳能株式会社 Image sensor and image pickup apparatus
JP6774207B2 (en) * 2016-04-08 2020-10-21 キヤノン株式会社 Image sensor and image sensor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250931A (en) * 2000-03-07 2001-09-14 Canon Inc Solid-state image sensor and image sensing system using the same
JP5089017B2 (en) * 2004-09-01 2012-12-05 キヤノン株式会社 Solid-state imaging device and solid-state imaging system
US7705900B2 (en) * 2005-06-01 2010-04-27 Eastman Kodak Company CMOS image sensor pixel with selectable binning and conversion gain
JP5537172B2 (en) * 2010-01-28 2014-07-02 ソニー株式会社 Solid-state imaging device and electronic apparatus
JP2011221253A (en) * 2010-04-08 2011-11-04 Sony Corp Imaging apparatus, solid-state image sensor, imaging method and program
JP2012032723A (en) * 2010-08-03 2012-02-16 Sony Corp Imaging device, imaging element, imaging method, and program

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014086781A (en) 2014-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10015426B2 (en) Solid-state imaging element and driving method therefor, and electronic apparatus
US9843751B2 (en) Solid-state image sensor and camera system
JP2024038309A (en) Imaging device
JP6369233B2 (en) Solid-state imaging device, signal processing method thereof, and electronic device
CN107197177B (en) Image pickup element and image pickup apparatus
KR20220066188A (en) Solid-state imaging element, production method thereof, and electronic device
JP6343870B2 (en) Imaging device and imaging apparatus
US20150163464A1 (en) Solid-state imaging device
CN111479066B (en) Image pickup element and image pickup apparatus
JP5971078B2 (en) Solid-state imaging device and imaging apparatus
US9036066B2 (en) Solid-state image pickup device, method of controlling solid-state image pickup device, and image pickup device
JP2012211942A (en) Solid-state image sensor and image pickup apparatus
JP2016042623A (en) Imaging device and camera
JP5958497B2 (en) Solid-state imaging device and electronic camera

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160610

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160614

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160627

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5971078

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250