JP5965194B2 - 微細構造体の形成方法 - Google Patents
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Description
レーザー光602の集光部に形成された構造改質部は、フッ酸水溶液等の薬液に対するエッチング耐性が弱まっている。特に、酸素が欠乏した状態の部位(酸素欠乏部)は、酸素リッチな部位に比べてエッチングが進行しやすい。
さらに、図11に示すように、加工下限閾値のパルスエネルギーでレーザー光702を集光照射し、その焦点をシフトさせながら走査することによって、1パルス毎に形成される酸素欠乏部が連なって形成される。これをエッチング処理することにより、ナノレベルのサイズの微細孔を形成することができる。
ただし、特許文献2のレーザー光702は、直線偏光レーザー光であるため、レーザー光702の偏光方向と焦点の走査方向とを垂直に保ちつつ構造改質部を形成しなければならない。レーザー光702の偏光方向と焦点の走査方向とが垂直でない状態となる場合には、1パルス毎に形成される酸素欠乏部が繋がって形成されないため、形成される構造改質部が全長に亘って均質とはならず、安定したエッチング速度で微細孔の形成を行うことができない。
しかし、特許文献3の円偏光レーザー光を用いた構造改質部の形成では、微細孔のサイズが数μmから数十μmである、1μm未満のナノレベルの微細孔を形成する手法については言及されていない。したがって、特許文献3の加工方法では、その結果、ナノレベルの微細孔を形成することが困難であった。
本発明の第一実施形態に係る微細構造体の形成方法について、図1〜3を用いて説明する。微細構造体の形成方法は、少なくとも、以下に述べる二つの工程(第1工程、第2工程)を順に備えた方法である。
(円偏光レーザー光のパルスエネルギー)
実験例1は、円偏光レーザー光の照射とエッチング処理によって形成される微細孔について、照射する円偏孔レーザー光の照射パワーを変えて比較した例である。第2工程のエッチング処理に用いるエッチング液の主成分をフッ酸(HF)とした場合について、図4(a)〜(f)を用いて説明する。
他方、図4(c)〜(f)に示すように、パルスエネルギーを80[nJ/pulse]以上とした場合には、それぞれの基体の一面(側面)321a、331a、341a、351aから内部に向けて延びる微細孔326、336、346、356が形成された。
実験例2は、本発明を適用して形成される微細孔の形状について、第1工程において用いるレーザー光のパルスエネルギー、偏光状態を変えて比較した例である。パルスエネルギーは、強度に対し、レーザー光の集光部分の面積とパルス幅とを掛けた量として定義される。本発明においては、集光した部分の面積およびパルス幅をほぼ一定として扱うため、パルスエネルギーを制御することは、強度を制御することに相当する。実験例2について、図7(a)〜(c)および図8を用いて説明する。
以上より、円偏光レーザー光を用いて形成した構造改質部の方が、直線偏光レーザー光を用いて形成した構造改質部よりも、エッチング速度のばらつきが小さく、安定したエッチングが可能であることが明らかとなった。
本発明を適用して形成することが可能な、微細孔の形状に関する例を、実験例3として、図9(a)、(b)に示す。図9(a)に示す基体501は、円形状の微細孔506を内部に備えている。図9(b)に示す基体511は、サインカーブ状の微細孔516を内部に備えている。基体501および基体511について、微細孔の形状を除いた構成については、いずれも第一実施形態として示した基体101の構成と同様である。第2工程で用いるエッチング液については、高アスペクト比な微細孔を形成し易いとされる水酸化カリウム(KOH)を主成分とするアルカリ溶液を用いた。
21・・・光源、22・・・1/4波長板、
101、111、121、201、211、221・・・基体、
301、311、321、331、341、351、・・・基体、
401、411、421、431、441、501、511・・・基体、
101a、201a、221a・・・一面、
401a、411a、421a、431a、441a、451a・・・一面、
101b、201b、211b、221b・・・一面、
301b、311b、321b、331b、341b、351b・・・一面、
102・・・円偏光レーザー光、102f・・・焦点、
103、103c、113、123・・・構造改質部、
103a・・・一端、103b・・・微小改質部、
303c、313c、323c、333c、343c、353c・・・構造改質部、
403c、413c、423c、433c、443c、453c・・・構造改質部、
104・・・容器、105・・・エッチング液、
106、206、226・・・微細孔、
326、336、346、356・・・微細孔、
426、436、446、456・・・微細孔、
107、207・・・外部空間、
307、317、327、337、347、357・・・外部空間、
407、417、427、437、447、457・・・外部空間、
A、B・・・振動方向、E・・・偏光方向、k・・・光軸方向、S・・・走査方向、
S1〜S5・・・ステップ。
Claims (3)
- 光源から出射したパルス幅がピコ秒オーダー以下のレーザー光を偏光手段および集光手段を通して基体に照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査することにより前記基体に構造改質部を形成する第1工程と、
前記構造改質部をエッチング処理することにより微細孔を形成する第2工程と、を備えた微細構造体の形成方法であって、
前記出射レーザー光は、前記偏光手段によって円偏光レーザー光へと変換され、前記焦点における前記円偏光レーザー光の強度パルスパワーは、前記出射レーザー光を直線偏光した直線偏光レーザー光を前記基体に照射して構造改質部を形成するのに必要な強度に対して、1.3倍以上2倍以下であることを特徴とする微細構造体の形成方法。 - 前記第1工程に用いるレーザー光の焦点の走査方向を、前記焦点を走査する間に変更することを特徴とする請求項1に記載の微細構造体の形成方法。
- 前記円偏光レーザー光の焦点の走査を、複数回繰り返すことを特徴とする請求項1または2に記載の微細構造体の形成方法。
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