JP5958098B2 - 誘電率測定装置及び誘電率測定方法 - Google Patents

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Description

本発明は、誘電率測定装置及び誘電率測定方法に関する。
物質の誘電率(又は比誘電率)を測定する技術として、測定対象物質に一対の電極(対向電極)を配置し、その電極間の静電容量に基づき、その物質の誘電率を測定する技術が知られている。雪や土壌を誘電率の測定対象とし、電極を用いて雪や土壌の静電容量、誘電率を測定し、その測定値から雪の密度や土壌の水分量を求める技術が知られている。
実公平07−004599号公報 特開平06−288888号公報 特開2001−021518号公報
誘電率の測定において、電極部(電極或いは電極を含むセンサ部)間が測定対象物質で隙間なく満たされている場合には、比較的容易にその物質の静電容量、誘電率を測定することができる。しかし、電極部と測定対象物質の間に隙間があると、隙間がない場合に比べて静電容量が減少し、その物質の適正な誘電率を求めることができない恐れがある。例えば、測定対象が雪である場合には、測定時の融雪によって電極部との間に隙間が生じることが起こり得る。また、測定対象が土壌である場合、その土壌の形態等により、隙間なく電極部を配置できないことが起こり得る。
本発明の一観点によれば、第1電極及び第2電極を含む第1検知部、第3電極及び第4電極を含む第2検知部、前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部、並びに、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和、前記第3静電容量及び前記情報を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間に設けられる測定対象物質の誘電率を演算する演算部を含み、前記情報は、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1データと、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がある時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第2データとを含み、前記演算部は、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を、前記第1データ及び前記第2データと比較し、前記測定対象物質の誘電率を演算する誘電率測定装置が提供される。更に、本発明の一観点によれば、第1電極及び第2電極を含む第1検知部、第3電極及び第4電極を含む第2検知部、前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部、並びに、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和、前記第3静電容量及び前記情報を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間に設けられる測定対象物質の誘電率を演算する演算部を含み、前記情報は、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1の一次関数と、前記第2信号と前記測定対象物質の誘電率との関係を示す第2の一次関数と、前記測定対象物質の誘電率が一定で前記隙間の厚みが変化した時の前記第2信号の変化率と前記第1信号の変化率との比とを含み、前記演算部は、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量と、前記比とを用いて、第3の一次関数を取得し、前記第3の一次関数と前記第1の一次関数との交点の前記第2信号の値を取得し、前記値と前記第2の一次関数とを用いて前記測定対象物質の誘電率を演算する誘電率測定装置が提供される。
また、本発明の一観点によれば、誘電率測定装置を用いた誘電率測定方法が提供される。
開示の技術によれば、検知部と測定対象物質の間に隙間がある場合にも、その隙間の影響を補正して測定対象物質の適正な誘電率を測定することが可能になる。
誘電率測定の一例の説明図である。 誘電率測定装置の一例を示す図(その1)である。 誘電率測定装置の一例を示す図(その2)である。 第1測定時の電界の様子を模式的に示す図である。 第2測定時の電界の様子を模式的に示す図である。 第1信号と第2信号の関係の一例を示す図である。 誘電率測定フローの一例を示す図である。 誘電率測定装置の処理フローの一例を示す図である。 誘電率測定装置の検知部のモデルを示す図である。 図9のモデルを用いた有限要素解析によって求めた第1信号と第2信号の関係を示す図である。 比誘電率を求める方法の一例の説明図である。 比誘電率を求める方法の別例の説明図である。 隙間と算出される比誘電率の関係の一例を示す図である。 誘電率測定装置の検知部の一例を示す図である。 誘電率測定装置に用いるコンピュータのハードウェアの構成例を示す図である。
例えば、土壌や雪を測定対象とし、そのような測定対象物質の誘電率(又は比誘電率)を測定することが行われる。土壌の誘電率測定は、農業分野における土壌の水分管理、土砂崩れ等の危険を予測することに利用でき、また、雪の誘電率測定は、積雪深さだけでは分からない雪の重量、雪解け水の量の予測等に利用することができる。
図1は誘電率測定の一例の説明図である。
土壌や雪のような測定対象物質100の誘電率は、その測定対象物質100の中に置かれた一対の電極101及び電極102の間の静電容量から求めることができる。静電容量と測定対象物質100の誘電率との関係は、最も単純な場合、対向する一対の平行平板電極についての次式(1)で表すことができる。
C=ε×S/d ・・・(1)
式(1)において、Cは静電容量、εは測定対象物質100の誘電率、Sは電極101及び電極102の面積、dは電極101と電極102の間の距離である。
電極101と電極102の間の距離が大きい場合等では、式(1)の関係から外れることがあるが、校正データを準備することで、静電容量を適正に求め、その静電容量から測定対象物質100の適正な誘電率を求めることができる。尚、電極をこのように対向させず、平面上に並設し、そのように並設した電極間の静電容量から誘電率を求めることも行われる。
図1に示すように、一対の電極101及び電極102は、検出ユニット103に接続される。静電容量を測定する際には、検出ユニット103を用い、電極101と電極102のうち、一方の電極(印加電極)に交流電圧信号を印加し、他方の電極(検出電極)に流れる電流値を検出する。交流の電流振幅が、静電容量に比例することから、検出される電流値から静電容量を求め、その静電容量から誘電率を求める。
ところで、このようにして電極間の静電容量から測定対象物質の誘電率を求める場合には、電極或いは電極を含むセンサ部に対し、測定対象物質が密着していることが前提となる。電極を含むセンサ部の場合、その電極が樹脂等で被覆されていることで電極と測定対象物質とが密着しないことは、測定対象物質の誘電率と静電容量の間の関係を予め校正することで、対処できる。しかし、電極或いは電極を含むセンサ部と測定対象物質が密着せず、それらの間に幅(厚み)の分からない隙間があると、隙間がない場合に比べて静電容量が減少するため、測定対象物質の誘電率を適正に測定することができないことが起こり得る。
例えば、雪の中に電極或いは電極を含むセンサ部を配置して雪の誘電率測定を行う際には、通電によって、又は、センサ部の固定部材からの熱伝導により、電極或いはセンサ部の温度が雪より高くなり、その表面付近の雪が融けて隙間ができてしまう場合がある。また、土壌中に電極或いは電極を含むセンサ部を埋め込んで誘電率測定を行う際には、土壌の形態により、電極或いはセンサ部を土壌との間に隙間ができないように配置することが難しい場合がある。
そこで、以下、上記のような隙間が存在し得る状態でも、雪や土壌のような測定対象物質の静電容量、誘電率を適正に測定することのできる技術について説明する。
図2及び図3は誘電率測定装置の一例を示す図である。
誘電率測定装置10は、図2及び3に示すように、第1検知部11、第2検知部12、印加電圧信号源13、電流検出回路(検出部)14、及び測定モード切り換え部15を有する。更に、誘電率測定装置10は、図3に示すように、制御部16、演算部17、及びメモリ(格納部)18を有する。
第1検知部11は、第1電極11a及び第2電極11bを備える。ここでは、複数(一例として3つ)の第1電極11a(電極アレイ)と、複数(一例として3つ)の第2電極11b(電極アレイ)とを備え、第1電極11aと第2電極11bとが互いに離間して交互に配置された第1検知部11を例示している。第1電極11a群は、互いに電気的に接続され、第2電極11b群は、互いに電気的に接続される。
第2検知部12は、第3電極12a及び第4電極12bを備える。ここでは、複数(一例として3つ)の第3電極12a(電極アレイ)と、複数(一例として3つ)の第4電極12b(電極アレイ)とを備え、第3電極12aと第4電極12bとが互いに離間して交互に配置された第2検知部12を例示している。第3電極12a群は、互いに電気的に接続され、第4電極12b群は、互いに電気的に接続される。
印加電圧信号源13は、後述のように測定モード切り換え部15によって接続される第1電極11a群と第3電極12a群、又は第1電極11a群と第2電極11b群に対して印加する交流電圧信号の信号源である。
電流検出回路14は、後述のように測定モード切り換え部15によって接続される第2電極11b群と第4電極12b群、又は第3電極12a群と第4電極12b群に流れる電流値を検出する回路である。
測定モード切り換え部15は、第2電極11b群の印加電圧信号源13又は電流検出回路14への接続の切り換えを行うスイッチ15a、及び第3電極12a群の印加電圧信号源13又は電流検出回路14への接続の切り換えを行うスイッチ15bを備える。
制御部16は、測定モード切り換え部15のスイッチ15aの切り換え、及びスイッチ15bの切り換えを制御する。また、制御部16は、印加電圧信号源13及び電流検出回路14の動作を制御する。
演算部17は、電流検出回路14で検出される電流値を用いて、静電容量、誘電率、比誘電率等を演算する処理を行う。演算部17の演算処理は、制御部16によって制御される。
メモリ18は、演算部17での演算処理に用いられる各種データを格納する。メモリ18の動作は、制御部16によって制御される。
誘電率測定装置10は、上記のような4つの電極アレイ、即ち、第1電極11a群、第2電極11b群、第3電極12a群及び第4電極12b群を、測定モード切り換え部15を用いて組み合わせ、静電容量について2種類の測定を行う。1つ目は、第1検知部11の第1電極11a群と第2電極11b群の間の静電容量測定、及び第2検知部12の第3電極12a群と第4電極12b群の間の静電容量測定を含む測定(第1測定)である。2つ目は、第1検知部11と第2検知部12の間の静電容量測定を含む測定(第2測定)である。
まず、第1測定(第1測定モード)について述べる。
第1測定では、第1電極11a群と第2電極11b群の間の静電容量と、第3電極12a群と第4電極12b群の間の静電容量とを測定し、それら2つの静電容量の和を第1信号として測定する。
この第1測定では、測定モード切り換え部15のスイッチ15aが図2の接点qに接続され、スイッチ15bが図2の接点rに接続される。これにより、第1電極11a群及び第3電極12a群が印加電圧信号源13に接続され、第2電極11b群及び第4電極12b群が電流検出回路14に接続された状態になる。この状態から電流検出回路14で検出される電流値が、第1電極11a群と第2電極11b群の間の静電容量と、第3電極12a群と第4電極12b群の間の静電容量との和に対応する信号となる。
演算部17では、電流検出回路14で検出される信号(電流値)が用いられ、第1電極11a群と第2電極11b群の間の静電容量と、第3電極12a群と第4電極12b群の間の静電容量との和を示す第1信号が演算される。
このように測定モード切り換え部15のスイッチ15a及びスイッチ15bを切り換え、第1電極11a群及び第3電極12a群を印加電極、第2電極11b群及び第4電極12b群を検出電極とし、第1信号を測定する測定モードを、第1測定モードという。
次に、第2測定(第2測定モード)について述べる。
第2測定では、第1検知部11と第2検知部12の間の静電容量を、第2信号として測定する。
この第2測定では、測定モード切り換え部15のスイッチ15aが図2の接点pに接続され、スイッチ15bが図2の接点sに接続される。これにより、第1検知部11の第1電極11a群及び第2電極11b群が印加電圧信号源13に接続され、第2検知部12の第3電極12a群及び第4電極12b群が電流検出回路14に接続された状態になる。この状態から電流検出回路14で検出される電流値が、第1検知部11と第2検知部12の間の静電容量に対応する信号となる。
演算部17では、電流検出回路14で検出される信号(電流値)が用いられ、第1検知部11と第2検知部12の間の静電容量を示す第2信号が演算される。
尚、第1検知部11の第1電極11aと第2電極11bの間、第2検知部12の第3電極12aと第4電極12bの間には一定距離D1のスペースがあるが、このスペースは、第1検知部11と第2検知部12の間の距離D2よりも小さくなるように設定しておく。例えば、距離D1を距離D2の20%〜30%の範囲に設定する。このようにすることで、第1検知部11及び第2検知部12はそれぞれ、1つの大きな電極のように振る舞い、それらの間の静電容量(第2信号)を測定することが可能になる。
このように第2測定では、第1検知部11及び第2検知部12をそれぞれ1つの電極と見なして、それらの間の静電容量(第2信号)を測定する。
このように測定モード切り換え部15のスイッチ15a及びスイッチ15bを切り換え、第1電極11a群及び第2電極11b群を印加電極、第3電極12a群及び第4電極12b群を検出電極とし、第2信号を測定する測定モードを、第2測定モードという。
第1電極11a群、第2電極11b群、第3電極12a群、及び第4電極12b群を、上記のように第1測定と第2測定で印加電極として用いるか検出電極として用いるかの関係を、表1にまとめる。
Figure 0005958098
第1測定(第1測定モード)及び第2測定(第2測定モード)について更に説明する。
図4は第1測定時の電界の様子を模式的に示す図である。
図4には、誘電率(比誘電率)の測定対象物質20内に、第1検知部11及び第2検知部12が配置されている状況を図示している。第1検知部11は、その本体11c内部に、第1電極11a群及び第2電極11b群を含み、第1電極11aと第2電極11bとは、互いに離間して交互に配置されている。第2検知部12は、その本体12c内部に、第3電極12a群及び第4電極12b群を含み、第3電極12aと第4電極12bとは、互いに離間して交互に配置されている。
第1測定では、例えば第1検知部11の場合、印加電極である第1電極11a群と、検出電極である第2電極11b群が隣り合っている。そのため、図4に示すように、第1検知部11では、その表面付近に電界31が広がる。同様に、第2検知部12の場合、印加電極である第3電極12a群と、検出電極である第4電極12b群が隣り合っている。そのため、図4に示すように、第2検知部12では、その表面付近に電界32が広がる。
このように第1検知部11の表面付近に電界31が広がり、第2検知部12の表面付近に電界32が広がるため、取得される信号(電流値或いは第1信号)は、第1検知部11の表面付近の状態、第2検知部12の表面付近の状態に大きく影響される。
今、図4に示すように、第1検知部11の表面から一定の厚みで隙間41(例えば空気)が存在し、第2検知部12の表面から一定の厚みで隙間42(例えば空気)が存在しているものとする。隙間41及び隙間42が存在すると、存在しない場合に比べて、得られる信号が小さくなり、存在する隙間41及び隙間42が大きくなるほど、得られる信号が小さくなる傾向がある。誘電率測定装置10は、このように第1測定で取得される信号を、隙間41及び隙間42が第1検知部11と第2検知部12の間の静電容量に与える影響を補正するのに用いる。
尚、電界31及び電界32の広がりに比べて、隙間41及び隙間42の厚みが大きくなり過ぎると、厚みによらず、得られる信号がほぼ一定になり、隙間41及び隙間42の影響を補正することができない場合がある。電界31、電界32の広がりはそれぞれ、例えば、第1検知部11の隣り合う第1電極11aと第2電極11bの間の距離、第2検知部12の隣り合う第3電極12aと第4電極12bの間の距離と同程度かそれよりも小さくなる。そのため、第1電極11aと第2電極11bの間の距離、第3電極12aと第4電極12bの間の距離は、想定される隙間41、隙間42の厚みよりも大きくしておくことが望ましい。
図5は第2測定時の電界の様子を模式的に示す図である。
第2測定では、第1検知部11の第1電極11a群及び第2電極11b群が印加電極となり、第2検知部12の第3電極12a群及び第4電極12b群が検出電極となる。そのため、第1検知部11から第2検知部12に向かう電界33が生じる。第2測定では、2枚の電極間の静電容量を測定するのと同様にして、第1検知部11と第2検知部12の間の静電容量が測定される。
今、上記の図4及びこの図5に示すように、第1検知部11の表面及び第2検知部12の表面にそれぞれ隙間41及び隙間42(例えば空気)が存在していると、電界33が隙間41及び隙間42を横切ることになる。隙間41及び隙間42の誘電率は、測定対象物質20の誘電率よりも小さいため、取得される信号(電流値或いは第2信号)は、隙間41及び隙間42が存在しなかった場合に比べて減少する。尚、隙間41及び隙間42の厚みとして想定しているのは、第1検知部11と第2検知部12の間の距離に比べて小さく、第2測定における隙間41及び隙間42の影響は、第1測定における影響よりは小さい。
第2測定において測定される第2信号は、第1検知部11と第2検知部12の間の媒体(ここでは測定対象物質20、隙間41及び隙間42)の誘電率を反映した値である。第2信号は、第1検知部11及び第2検知部12の表面の隙間41及び隙間42の影響を受け、隙間41及び隙間42の厚みが大きくなるにつれて、その信号値は比較的緩やかに減少する。一方、第1測定において測定される第1信号は、第1検知部11及び第2検知部12の表面の媒体の誘電率を反映した値である。第1信号は、第1検知部11及び第2検知部12の表面の隙間41及び隙間42の影響を比較的敏感に受け、隙間41及び隙間42の厚みが大きくなるにつれて、その信号値は比較的急峻に減少する。
そこで、第1信号が隙間41及び隙間42の程度を示しているものとし、第1信号によって第2信号の補正をする。これにより、第1検知部11と第2検知部12の間の測定対象物質20について、隙間41及び隙間42の影響を補正して、その誘電率を適正に求めることが可能になる。
図6は第1信号と第2信号の関係の一例を示す図である。図6の横軸は第1信号の値、縦軸は第2信号の値を表している。
まず、隙間41及び隙間42のない状態を考えると、第1測定も第2測定も、媒体(測定対象物質20)の比誘電率にほぼ比例して第1信号及び第2信号が増加する。そのため、第1信号と第2信号とは、図6の線50(点線)に示すような関係となる。図6の線50上、太矢印51の方向ほど比誘電率が小さくなり、太矢印52の方向ほど比誘電率が大きくなる。
尚、図6では、第1測定と第2測定で取得される信号値から、それぞれ媒体の比誘電率が1の場合の信号値を差し引いて線50を表示している。また、第1測定と第2測定では、取得される信号の絶対値が異なるが、図6では便宜上、縦軸、横軸のスケーリングを調整し、線50がほぼ傾き45度となるようにしている。
ここで、このような隙間41及び隙間42のない状態の時の線50上に位置する信号値が、測定対象物質20の比誘電率一定のまま、隙間41及び隙間42が大きくなっていった場合にどうなるかを考える。
隙間41及び隙間42は、上記のように、第2測定で取得される第2信号には比較的影響が小さいのに対し、第1測定で取得される第1信号には比較的影響が大きい。そのため、第1信号と第2信号とは、図6に示すような、線50よりも勾配が緩やかな左下がりの線60(60a,60b,60c)のような関係となり、太矢印61の方向ほど隙間41及び隙間42が大きくなる。
測定対象物質20の比誘電率として、いくつかの値を選び、それぞれについて隙間41及び隙間42が大きくなった場合の線を描くと、図6の線60a、線60b、線60cのようになる。線60a、線60b、線60cは、それぞれ比誘電率一定での第1信号と第2信号との関係を示す線であり、概ね並行な線になる。この比誘電率ごとの線60a、線60b、線60cは、いわば比誘電率の等高線であり、第1信号と第2信号から比誘電率を求めるためのデータ(比誘電率の分布データ、分布図)として利用することができる。
このような分布データは、有限要素解析により、第1検知部11及び第2検知部12の電極構造をモデリングし、測定対象物質20の比誘電率と隙間41及び隙間42の厚みを条件として変えながら、第1信号と第2信号を求めていくことで作成することができる。分布データは、勿論、実験に基づいて作成することもでき、また、その他の方法で作成することもできる。予め準備された分布データは、誘電率測定装置10のメモリ18に格納される。
第1測定で取得される第1信号、及び第2測定で取得される第2信号を用い、各信号の値を、図6に示したような分布データと比較、照合することで、測定対象物質20の比誘電率を求めることができる。このように分布データを用いて比誘電率を求める処理は、誘電率測定装置10の演算部17で実行される。
以上のような誘電率測定装置10を用いた誘電率(比誘電率)測定フローの一例を図7に示す。
上記図2及び図3に示すような構成を有する誘電率測定装置10を用いた誘電率測定では、まず、測定対象物質20に第1検知部11及び第2検知部12が配置される(ステップS1)。
次いで、測定モード切り換え部15のスイッチ15a及びスイッチ15bがそれぞれ接点q及び接点rに接続されて第1測定が行われ(ステップS2)、スイッチ15a及びスイッチ15bがそれぞれ接点p及び接点sに接続されて第2測定が行われる(ステップS3)。
ステップS2の第1測定では、印加電圧信号源13から第1電極11a群及び第3電極12a群に交流電圧信号が印加され、電流検出回路14で第2電極11b群及び第4電極12b群に流れる電流値が検出される。その電流値(振幅)に基づき、演算部17により、第1信号としての静電容量が算出される。
ステップS3の第2測定では、印加電圧信号源13から第1電極11a群及び第2電極11b群に交流電圧信号が印加され、電流検出回路14で第3電極12a群及び第4電極12b群に流れる電流値が検出される。その電流値(振幅)に基づき、演算部17により、第2信号としての静電容量が算出される。
そして、演算部17により、得られた第1信号及び第2信号が用いられて、測定対象物質20の比誘電率が算出される(ステップS4)。演算部17では、例えば、予め用意されメモリ18に格納された、上記図6に例示したような関係を示す分布データ70が用いられ、第1信号及び第2信号から、測定対象物質20の比誘電率が求められる。
このように第1測定及び第2測定を行い、各々の測定で得られる第1信号及び第2信号を用いることで、測定対象物質20について、第1検知部11及び第2検知部12の表面に存在し得る隙間の影響を補正した適正な比誘電率を求めることができる。
尚、ここでは、第1検知部11及び第2検知部12の配置(ステップS1)後、第1測定(ステップS2)を行い、次いで第2測定(ステップS3)を行う場合を例示した。このほか、第1検知部11及び第2検知部12の配置後、第2測定を行い、次いで第1測定を行うこともできる。
上記のような誘電率測定において、誘電率測定装置10は、例えば、次のような処理を実行する。誘電率測定装置10の処理フローの一例を図8に示す。
誘電率測定装置10は、測定モード切り換え部15のスイッチ15a及びスイッチ15bをそれぞれ接点q及び接点rに接続する(ステップS11)。これにより、誘電率測定装置10は、第1測定が行える状態(第1測定モード)となる。誘電率測定装置10は、印加電圧信号源13によって第1電極11a群及び第3電極12a群に交流電圧信号を印加し(ステップS12)、第2電極11b群及び第4電極12b群に流れる電流値を電流検出回路14によって検出する(ステップS13)。誘電率測定装置10は、検出された電流値を用い、演算部17によって、第1信号としての静電容量を算出する(ステップS14)。
次いで、誘電率測定装置10は、測定モード切り換え部15のスイッチ15a及びスイッチ15bをそれぞれ接点p及び接点sに接続する(ステップS15)。これにより、誘電率測定装置10は、第2測定が行える状態(第2測定モード)となる。誘電率測定装置10は、印加電圧信号源13によって第1電極11a群及び第2電極11b群に交流電圧信号を印加し(ステップS16)、第3電極12a群及び第4電極12b群から出力される電流値を電流検出回路14によって検出する(ステップS17)。誘電率測定装置10は、検出された電流値を用い、演算部17によって、第2信号としての静電容量を算出する(ステップS18)。
そして、誘電率測定装置10は、得られた第1信号及び第2信号を用い、演算部17によって、第1検知部11と第2検知部12の間にある測定対象物質20の比誘電率を求める(ステップS19)。演算部17は、第1信号及び第2信号から、予め用意されてメモリ18に格納された分布データ70を用いて、測定対象物質20の比誘電率を求める。
尚、誘電率測定装置10で実行されるこのような処理において、測定モード切り換え部15、印加電圧信号源13、電流検出回路14、演算部17、及びメモリ18の各処理動作は、制御部16によって制御される。
また、第1測定(ステップS11〜S14)と第2測定(ステップS15〜S18)の順番は入れ替えることもできる。
続いて、上記のような誘電率測定の実施例について説明する。
図9は誘電率測定装置の検知部のモデルを示す図、図10は図9のモデルを用いた有限要素解析によって求めた第1信号と第2信号の関係(分布データ)を示す図である。
ここでは、誘電率測定装置10の第1検知部11及び第2検知部12のモデルとして、図9に示すようなモデル80を用いる。モデル80では、第1検知部11と第2検知部12の間の距離D2を50mmとしている。また、モデル80では、第1電極11a、第2電極11b、第3電極12a、第4電極12bの各電極の幅D3を3mmとし、各電極間の距離(スペース)D1を12mmとしている。尚、モデル80は、第1検知部11及び第2検知部12の構造対称性、有限要素解析の簡単化等の観点から、第1検知部11及び第2検知部12の中央Cから片側の部分について設定している。
このようなモデル80で有限要素解析を行って求めた第1信号と第2信号の関係を図10に示している。図10には、測定対象物質の比誘電率が3程度以下の場合の分布データを例示している。尚、雪の比誘電率はこの程度であり、図10は雪の誘電率測定に用いるのに有効な分布データである。
図10には、測定対象物質の隙間がない場合に比誘電率を変えた場合の線50(点線)を図示している。更に、図10には、比誘電率一定(比誘電率kの値はk=1.5、k=2、k=2.5)にして、隙間を変化させた場合の線60(線60a(k=1.5)、線60b(k=2)、線60c(k=2.5))を図示している。
図10は、第1信号及び第2信号並びに比誘電率について、上記の図6と同様の関係を示している。モデル80のような電極構造は、測定対象物質の比誘電率の測定に用いることのできる構造と言える。また、図10には、隙間3mmまでを解析した結果を示しており、モデル80で示した電極間のスペースD1が12mmという設計は、隙間3mm程度までを補正するのに適した構造と言える。
この図10のような分布データを予め準備しておき、測定で得られた第1信号及び第2信号を、この分布データと比較、照合することで、測定対象物質の比誘電率を求めることができる。
図10の分布データに、比誘電率一定の線60のデータが、充分に小さい間隔の比誘電率についてそれぞれ準備されていれば、測定で得られた第1信号及び第2信号を、単純に分布データと照合することで、測定対象物質の比誘電率を求めることが可能である。このほか、ある程度大きな間隔で比誘電率一定の線60のデータを準備しておき、測定で得られた第1信号及び第2信号が、準備した線60間にある場合には、補間処理によって測定対象物質の比誘電率を求めることも可能である。
図11は比誘電率を求める方法の一例の説明図である。
図11では、比誘電率k1と比誘電率k2について、分布データの線60aを示すデータ及び線60bを示すデータが準備されており、測定された第1信号Xm及び第2信号Ymが、2つの線60aと線60bの間にあった場合を想定する。また、隙間がない場合の比誘電率k1と比誘電率k2の時の信号から、分布データ上で隙間がない場合の線50(点線)の傾きをaとする。
測定された第1信号Xm及び第2信号Ymに対応する点Pm(Xm,Ym)を通る傾きaの線55(点線)を引き、この線55が、比誘電率k1一定の線60aと交わる点P1と、比誘電率k2一定の線60bと交わる点P2を求める。点Pmと点P1の距離d1、点Pmと点P2の距離d2を求め、この距離により、比誘電率k1と比誘電率k2の値を内挿し、点Pmに対応する比誘電率kを求める。比誘電率kは、次式(2)により求められる。
k=(d2×k1+d1×k2)/(d1+d2) ・・・(2)
上記の誘電率測定装置10では、例えば、その演算部17により、測定された第1信号Xm及び第2信号Ym、及びメモリ18に格納された分布データが用いられて、このような補間処理が実行され、測定対象物質の比誘電率kが求められる。
第1信号Xm及び第2信号Ym並びに分布データを用いて測定対象物質の比誘電率kを求める方法として、次のような方法を用いることもできる。
図12は比誘電率を求める方法の別例の説明図である。
ここでは、所定パラメータ間の関係を直線(一次関数)で近似し、それを用いて測定対象物質の比誘電率を求める方法について述べる。図12に示すように、隙間のない場合の第1信号Xと第2信号Yの関係を示す線56(点線)を、Y=aX+b(a,bは係数)で近似する。比誘電率一定で隙間の大きさが変わる場合の線66は、傾きα(第2信号の変化率と第1信号の変化率の比)の直線で近似する。また、隙間のない場合の第2信号Yと比誘電率kの関係を、k=cY+d(c,dは係数)で近似する。
これらの情報が準備されていて、測定により第1信号Xm及び第2信号Ymが得られたとする。この場合は、測定された第1信号Xm及び第2信号Ymに対応する点Pm(Xm,Ym)を通る傾きαの線66を引き、この線66が、隙間のない場合の線56と交わる点P’(X’,Y’)を求める。点P’を求める計算は、2つの直線56,66の交点であるので、連立方程式で求められる。Y’は、次式(3)のように表される。
Y’=a/(a−α)×(Ym−α×Xm)−b×α/(a−α) ・・・(3)
測定対象物質の比誘電率kは、この式(3)の値を用い、k=cY’+dから求めることができる。このように、分布データを表現するための定数a、b、c、d、αの値が準備されていれば、測定された第1信号X及び第2信号Yから、比誘電率を算出することができる。
上記の誘電率測定装置10では、例えば、その演算部17により、測定された第1信号Xm及び第2信号Ym、及びメモリ18に格納された定数a、b、c、d、αの値が用いられて、このような演算処理が実行され、測定対象物質の比誘電率kが求められる。
尚、上記のように定数a、b、c、d、αを用いた近似直線を利用する方法は、比較的狭い比誘電率の範囲で非常に有効な方法である。但し、一般的に、比誘電率が大きくなるほど傾きαが大きくなる傾向があること等のために、比較的広い比誘電率の範囲について同じ定数を用いると誤差が大きくなる場合がある。その場合は、比誘電率を所定の範囲で複数に分割し、分割した範囲ごとに定数a、b、c、d、αを使い分けるという方法を用いることもできる。
続いて、上記図10に示した分布データを用い、上記の近似直線を利用する方法の効果について述べる。
図10には、比誘電率一定の線60として、比誘電率k=1.5、k=2、k=2.5にそれぞれ対応する線60a、線60b、線60cが図示されている。それぞれの線60a、線60b、線60cを直線で近似すると、k=1.5の場合は傾き0.32、k=2の場合は傾き0.38、k=2.5の場合は傾き0.44となる。また、隙間のない場合の線50は、傾きa=1.4である。比誘電率一定の線60の傾きは、比誘電率kによって変化するが、ここでは1つの傾きの値α=0.38で代表させる。この傾きの代表値は、比誘電率k=2の場合に最も合っている値であり、比誘電率k=1.5、k=2.5の場合にはずれる。そこで、一例として比誘電率k=1.5の場合に着目し、傾きαとして代表値0.38を用いた時に、上記のような近似直線を利用する方法が有効か否かを調べる。
図13は隙間と算出される比誘電率の関係の一例を示す図である。
図13には、比誘電率k=1.5の場合の第1信号Xmと第2信号Ymの解析結果を用い、上記のような近似直線を利用する方法で、傾きαを0.38として、比誘電率kを求めた結果をグラフ91で示している。図13には、比較のため、第2信号Ymから、k=cYm+dで求めた結果をグラフ92で示している。このグラフ92は、隙間の影響が分からずに、隙間がない場合と同じ式で(隙間の影響を補正しないで)比誘電率kを計算したものに相当する。
比誘電率k=1.5の条件で有限要素解析した値を用いているので、求められるべき比誘電率kは1.5である。図13のグラフ91より、近似直線を利用する方法では、比誘電率kが誤差0.02程度と良い精度で求められている。一方、隙間の影響を補正しないで比誘電率kを求めると、図13のグラフ92より、比誘電率kの誤差が0.11程度と大きくなる。このように直線の傾きαとして1つの値(代表値)を用いた近似でも、ある程度の範囲の比誘電率に対して、隙間の影響を補正する効果がある。
尚、以上の説明では、誘電率測定装置10の第1検知部11と第2検知部12を、それらの間に測定対象物質20が挟まれるように対向配置させて用いる例を示した。このほか、第1検知部11と第2検知部12を、測定対象物質上に並設し、上記のような第1測定及び第2測定を行って、その測定対象物質の比誘電率を求めることも可能である。第1検知部11と第2検知部12をこのように配置した場合にも、それらと測定対象物質との隙間の影響を補正した適正な比誘電率を求めることができる。また、次の図14に示すような形態の検知部を用いることもできる。
図14は誘電率測定装置の検知部の一例を示す図である。
図14に示す検知部200は、電極201を円筒202に配置し、円筒202の周りに存在する測定対象物質の誘電率(比誘電率)を測定するものである。第1検知部211と第2検知部212は、円筒202の上部と下部に分かれて配置され、それぞれが円筒202の周りにライン状の電極201が複数並設された構造になっている。第1検知部211の電極201は、互いに離間して交互に配置された複数の第1電極211aと第2電極211bを含んでいる。第2検知部212の電極201は、互いに離間して交互に配置された複数の第3電極212aと第4電極212bを含んでいる。第1電極211a群、第2電極211b群、第3電極212a群、第4電極212b群の誘電率測定装置10内での電気的接続は、上記の第1電極11a群、第2電極11b群、第3電極12a群、第4電極12b群の場合と同様とすることができる。
このような検知部200を用い、上記同様、第1検知部211と第2検知部212の各々の静電容量を測定する第1測定と、第1検知部211と第2検知部212の間の静電容量を測定する第2測定を行う。第1検知部211と第2検知部212の間のギャップ付近に存在する測定対象物質の誘電率を、第1検知部211及び第2検知部212の表面付近に存在し得る隙間の影響を補正して、適正に測定することができる。
また、以上述べたような誘電率測定装置10の処理機能は、コンピュータを用いて実現することができる。処理機能としては、印加電圧信号源13による交流電圧信号の印加、電流検出回路14による電流値の検出、測定モード切り換え部15のスイッチ15a及びスイッチ15bの切り換え等が挙げられる。このほか、検出された電流値及びメモリ18に格納されたデータ(分布データ、定数、比誘電率範囲の分割条件等)を用いた演算部17による比誘電率等の演算処理、メモリ18に対する書き込み又は読み出し等が挙げられる。
図15は誘電率測定装置に用いるコンピュータのハードウェアの構成例を示す図である。
誘電率測定装置10に用いられるコンピュータ500は、プロセッサ501によって装置全体が制御される。プロセッサ501には、バス509を介してRAM(Random Access Memory)502と複数の周辺機器が接続されている。プロセッサ501は、マルチプロセッサであってもよい。プロセッサ501は、例えばCPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、又はPLD(Programmable Logic Device)である。また、プロセッサ501は、CPU、MPU、DSP、ASIC、PLDのうち、2種以上を組み合わせたものであってもよい。
RAM502は、コンピュータ500の主記憶装置として使用される。RAM502には、プロセッサ501に実行させるOS(Operating System)のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、RAM502には、プロセッサ501による処理に必要な各種データが格納される。
バス509に接続されている周辺機器としては、HDD(Hard Disk Drive)503、グラフィック処理装置504、入力インタフェース505、光学ドライブ装置506、機器接続インタフェース507及びネットワークインタフェース508がある。
HDD503は、コンピュータ500の補助記憶装置として使用される。HDD503には、OSのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データが格納される。尚、補助記憶装置としては、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を使用することもできる。
グラフィック処理装置504には、CRT(Cathode Ray Tube)を用いた表示装置や液晶表示装置等のモニタ511が接続される。グラフィック処理装置504は、プロセッサ501からの命令に従って、画像をモニタ511の画面に表示させる。
入力インタフェース505には、キーボード512とマウス513とが接続される。入力インタフェース505は、キーボード512やマウス513から送られてくる信号をプロセッサ501に送信する。尚、マウス513は、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボール等がある。
光学ドライブ装置506は、レーザ光等を利用して、光ディスク514に記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク514は、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスク514には、DVD(Digital Versatile Disc)、DVD−RAM、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、CD−R(Recordable)/RW(ReWritable)等がある。
機器接続インタフェース507は、コンピュータ500に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。例えば、機器接続インタフェース507には、メモリ装置515やメモリリーダライタ516を接続することができる。メモリ装置515は、機器接続インタフェース507との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタ516は、メモリカード517へのデータの書き込み又はメモリカード517からのデータの読み出しを行う装置である。メモリカード517は、カード型の記録媒体である。
ネットワークインタフェース508は、ネットワーク510に接続されている。ネットワークインタフェース508は、ネットワーク510を介して、他のコンピュータ又は通信機器との間でデータの送受信を行う。
以上のようなハードウェア構成によって、誘電率測定装置10の処理機能を実現することができる。
コンピュータ500は、例えば、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、誘電率測定装置10の処理機能を実現する。コンピュータ500に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。例えば、コンピュータ500に実行させるプログラムをHDD503に格納しておくことができる。プロセッサ501は、HDD503内のプログラムの少なくとも一部をRAM502にロードし、プログラムを実行する。また、コンピュータ500に実行させるプログラムを、光ディスク514、メモリ装置515、メモリカード517等の可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、例えばプロセッサ501からの制御により、HDD503にインストールされた後、実行可能となる。また、プロセッサ501が可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1) 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と
を含むことを特徴とする誘電率測定装置。
(付記2) 前記第1測定モードは、前記第1電極及び前記第3電極に電圧を印加して前記第2電極及び前記第4電極から検出される第1電流値に基づき、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を測定する測定モードであり、
前記第2測定モードは、前記第1電極及び前記第2電極に電圧を印加して前記第3電極及び前記第4電極から検出される第2電流値に基づき、前記第3静電容量を測定する測定モードである
ことを特徴とする付記1に記載の誘電率測定装置。
(付記3) 前記第1電流値及び前記第2電流値を検出する検出部と、
検出された前記第1電流値に基づいて前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を演算し、検出された前記第2電流値に基づいて前記第3静電容量を演算する演算部と
を含むことを特徴とする付記2に記載の誘電率測定装置。
(付記4) 前記演算部は、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間の測定対象物質の誘電率を演算することを特徴とする付記3に記載の誘電率測定装置。
(付記5) 前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部を含み、
前記演算部は、前記情報を用いて、前記測定対象物質の誘電率を演算する
ことを特徴とする付記4に記載の誘電率測定装置。
(付記6) 前記情報は、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1データと、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がある時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第2データとを含み、
前記演算部は、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を、前記第1データ及び前記第2データと比較し、前記測定対象物質の誘電率を演算する
ことを特徴とする付記5に記載の誘電率測定装置。
(付記7) 前記情報は、
前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1の一次関数と、
前記第2信号と前記測定対象物質の誘電率との関係を示す第2の一次関数と、
前記測定対象物質の誘電率が一定で前記隙間の厚みが変化した時の前記第2信号の変化率と前記第1信号の変化率との比と
を含み、
前記演算部は、
測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量と、前記比とを用いて、第3の一次関数を取得する工程と、
前記第3の一次関数と前記第1の一次関数との交点の前記第2信号の値を取得する工程と、
前記値と前記第2の一次関数とを用いて前記測定対象物質の誘電率を演算する工程と
を含むことを特徴とする付記5に記載の誘電率測定装置。
(付記8) 前記第1電極と前記第2電極の間の距離、及び前記第3電極と前記第4電極の間の距離が、前記第1検知部と前記第2検知部の間の距離よりも小さくなるように、前記第1電極と前記第2電極とが並設され、前記第3電極と前記第4電極とが並設される
ことを特徴とする付記1乃至7のいずれかに記載の誘電率測定装置。
(付記9) 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と
を含む誘電率測定装置を用いた誘電率測定方法であって、
前記第1検知部及び前記第2検知部を、測定対象物質を挟んで配置する工程と、
前記切り換え部によって前記第1測定モードにし、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を測定する工程と、
前記切り換え部によって前記第2測定モードにし、前記第3静電容量を測定する工程と
を含むことを特徴とする誘電率測定方法。
(付記10) 前記誘電率測定装置により、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を用いて、前記測定対象物質の誘電率を演算する工程を含む
ことを特徴とする付記9に記載の誘電率測定方法。
(付記11) 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と
を含む誘電率測定装置を用いて誘電率を測定する誘電率測定プログラムであって、
コンピュータに、
前記切り換え部によって前記第1測定モードにし、測定対象物質を挟んで配置された前記第1検知部と前記第2検知部の、前記第1電極と前記第2電極の間の前記第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の前記第2静電容量との和を測定し、
前記切り換え部によって前記第2測定モードにし、前記測定対象物質を挟んで配置された前記第1検知部と前記第2検知部の間の前記第3静電容量を測定する
処理を実行させることを特徴とする誘電率測定プログラム。
(付記12) 前記コンピュータに、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を用いて、前記測定対象物質の誘電率を演算する処理を実行させることを特徴とする付記11に記載の誘電率測定プログラム。
10 誘電率測定装置
11,211 第1検知部
11a,211a 第1電極
11b,211b 第2電極
11c,12c 本体
12,212 第2検知部
12a,212a 第3電極
12b,212b 第4電極
13 印加電圧信号源
14 電流検出回路
15 測定モード切り換え部
15a,15b スイッチ
16 制御部
17 演算部
18 メモリ
20,100 測定対象物質
31,32,33 電界
41,42 隙間
70 分布データ
80 モデル
101,102,201 電極
103 検出ユニット
200 検知部
202 円筒
500 コンピュータ
501 プロセッサ
502 RAM
503 HDD
504 グラフィック処理装置
505 入力インタフェース
506 光学ドライブ装置
507 機器接続インタフェース
508 ネットワークインタフェース
509 バス
510 ネットワーク
511 モニタ
512 キーボード
513 マウス
514 光ディスク
515 メモリ装置
516 メモリリーダライタ
517 メモリカード

Claims (8)

  1. 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
    第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
    前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和、前記第3静電容量及び前記情報を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間に設けられる測定対象物質の誘電率を演算する演算部と
    を含み、
    前記情報は、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1データと、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がある時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第2データとを含み、
    前記演算部は、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を、前記第1データ及び前記第2データと比較し、前記測定対象物質の誘電率を演算することを特徴とする誘電率測定装置。
  2. 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
    第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
    前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和、前記第3静電容量及び前記情報を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間に設けられる測定対象物質の誘電率を演算する演算部と
    を含み、
    前記情報は、
    前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1の一次関数と、
    前記第2信号と前記測定対象物質の誘電率との関係を示す第2の一次関数と、
    前記測定対象物質の誘電率が一定で前記隙間の厚みが変化した時の前記第2信号の変化率と前記第1信号の変化率との比と
    を含み、
    前記演算部は、
    測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量と、前記比とを用いて、第3の一次関数を取得し、
    前記第3の一次関数と前記第1の一次関数との交点の前記第2信号の値を取得し、
    前記値と前記第2の一次関数とを用いて前記測定対象物質の誘電率を演算することを特徴とする誘電率測定装置。
  3. 前記第1測定モードは、前記第1電極及び前記第3電極に電圧を印加して前記第2電極及び前記第4電極から検出される第1電流値に基づき、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を測定する測定モードであり、
    前記第2測定モードは、前記第1電極及び前記第2電極に電圧を印加して前記第3電極及び前記第4電極から検出される第2電流値に基づき、前記第3静電容量を測定する測定モードである
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の誘電率測定装置。
  4. 前記第1電流値及び前記第2電流値を検出する検出部を含み、
    前記演算部は、前記検出部によって検出された前記第1電流値に基づいて前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を演算し、前記検出部によって検出された前記第2電流値に基づいて前記第3静電容量を演算する
    ことを特徴とする請求項に記載の誘電率測定装置。
  5. 前記第1検知部は、交互に並んだ複数の前記第1電極及び複数の前記第2電極を含み、
    前記第2検知部は、交互に並んだ複数の前記第3電極及び複数の前記第4電極を含む
    ことを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の誘電率測定装置。
  6. 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
    第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
    前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和、前記第3静電容量及び前記情報を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間に設けられる測定対象物質の誘電率を演算する演算部と
    を含み、
    前記情報は、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1データと、前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がある時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第2データとを含む誘電率測定装置を用いた誘電率測定方法であって、
    前記第1検知部及び前記第2検知部を、前記第1検知部と前記第2検知部の間に前記測定対象物質が設けられるように配置する工程と、
    前記切り換え部によって前記第1測定モードにし、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を測定する工程と、
    前記切り換え部によって前記第2測定モードにし、前記第3静電容量を測定する工程と、
    前記演算部により、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量を、前記第1データ及び前記第2データと比較し、前記測定対象物質の誘電率を演算する工程と
    を含むことを特徴とする誘電率測定方法。
  7. 第1電極及び第2電極を含む第1検知部と、
    第3電極及び第4電極を含む第2検知部と、
    前記第1電極と前記第2電極の間の第1静電容量と、前記第3電極と前記第4電極の間の第2静電容量との和を測定する第1測定モードと、前記第1検知部と前記第2検知部の間の第3静電容量を測定する第2測定モードとを切り換える切り換え部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和に対応する第1信号、及び前記第3静電容量に対応する第2信号に関する情報が格納された格納部と、
    前記第1静電容量と前記第2静電容量との和、前記第3静電容量及び前記情報を用いて、前記第1検知部と前記第2検知部の間に設けられる測定対象物質の誘電率を演算する演算部と
    を含み、
    前記情報は、
    前記第1検知部及び前記第2検知部と前記測定対象物質との間に隙間がない時の前記第1信号と前記第2信号との関係を示す第1の一次関数と、
    前記第2信号と前記測定対象物質の誘電率との関係を示す第2の一次関数と、
    前記測定対象物質の誘電率が一定で前記隙間の厚みが変化した時の前記第2信号の変化率と前記第1信号の変化率との比とを含む誘電率測定装置を用いた誘電率測定方法であって、
    前記第1検知部及び前記第2検知部を、前記第1検知部と前記第2検知部の間に前記測定対象物質が設けられるように配置する工程と、
    前記切り換え部によって前記第1測定モードにし、前記第1静電容量と前記第2静電容量との和を測定する工程と、
    前記切り換え部によって前記第2測定モードにし、前記第3静電容量を測定する工程と、
    前記演算部により、測定される前記第1静電容量と前記第2静電容量との和及び前記第3静電容量と、前記比とを用いて、第3の一次関数を取得する工程と、
    前記演算部により、前記第3の一次関数と前記第1の一次関数との交点の前記第2信号の値を取得する工程と、
    前記演算部により、前記値と前記第2の一次関数とを用いて前記測定対象物質の誘電率を演算する工程と
    を含むことを特徴とする誘電率測定方法。
  8. 前記第1検知部は、交互に並んだ複数の前記第1電極及び複数の前記第2電極を含み、
    前記第2検知部は、交互に並んだ複数の前記第3電極及び複数の前記第4電極を含む
    ことを特徴とする請求項6又は7に記載の誘電率測定方法。
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