JP5954984B2 - Cleaning processing apparatus and cleaning processing method - Google Patents
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Description
この発明は半導体ウェーハやガラス基板などの基板を洗浄処理するために用いられる洗浄処理装置、及び洗浄処理方法に関する。 The invention washing apparatus that is used for cleaning process a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate, and a cleaning method.
半導体装置や液晶表示装置などを製造する場合、半導体ウェーハやガラス基板などの基板に回路パタ−ンを形成するリソグラフィプロセスがある。このリソグラフィプロセスは、周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形成されたマスクを介して光を照射する。 When manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device, there is a lithography process in which a circuit pattern is formed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate. In this lithography process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and light is irradiated through a mask having a circuit pattern formed on the resist.
ついで、レジストの光が照射されない部分あるいは光が照射された部分を除去し、除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パタ−ンを形成するようにしている。 Next, a circuit pattern is formed on the substrate by repeating a series of steps such as removing a portion of the resist not irradiated with light or a portion irradiated with light and etching the removed portion a plurality of times. I have to.
上記一連の各工程において、上記基板が汚染されていると回路パタ−ンを精密に形成することができなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、基板に回路パタ−ンを形成する際、それに先立って基板に付着残留する有機物やレジストなどのパーティクルを除去するため、その処理目的に応じた処理液を用いて基板を洗浄処理するということが行われる。基板の洗浄処理に用いられる液体としての処理液には純水、エッチング液、剥離液、現像液など知られている。 In each of the series of steps, if the substrate is contaminated, the circuit pattern cannot be accurately formed, causing defective products. Therefore, when a circuit pattern is formed on the substrate, the substrate is cleaned using a processing liquid according to the processing purpose in order to remove particles such as organic substances and resist remaining on the substrate prior to the formation of the circuit pattern. Is done. Known treatment liquids used for the substrate cleaning process include pure water, etching liquid, stripping liquid, and developing liquid.
最近では、処理液を単に基板に噴射するだけでは処理効率に限界がある。そこで、その処理効率を向上させるために加圧状態下において処理液に、窒素などの気体を加圧溶解させた後、微細気泡が溶解した処理液を大気圧に開放させることで、処理液中の過飽和となった気体を微細気泡とする。 Recently, there is a limit to processing efficiency simply by spraying the processing liquid onto the substrate. Therefore, in order to improve the processing efficiency, after the gas such as nitrogen is pressurized and dissolved in the processing liquid under pressure, the processing liquid in which the fine bubbles are dissolved is released to the atmospheric pressure. The supersaturated gas is made into fine bubbles.
そして、微細気泡を含む処理液を基板に噴射させる。それによって、微細気泡に物理力が作用して圧壊するから、圧壊時に生じるエネルギによって基板を洗浄するということが行われている。 Then, a processing liquid containing fine bubbles is sprayed onto the substrate. As a result, physical force acts on the microbubbles to cause crushing, so that the substrate is cleaned with energy generated at the time of crushing.
ところで、上述したように加圧状態で処理液に気体を溶解させ、処理液を大気圧に開放させることで、過飽和となった気体を微細気泡として発生させるようにすると、微細気泡の発生量は、処理液に気体を溶解させたときの圧力と、この処理液が大気開放されたときとの圧力差によって決定されてしまう。 By the way, when the gas is dissolved in the processing liquid in a pressurized state as described above and the processing liquid is opened to atmospheric pressure so that the supersaturated gas is generated as fine bubbles, the amount of generated fine bubbles is The pressure is determined by the difference between the pressure when the gas is dissolved in the processing liquid and the pressure when the processing liquid is opened to the atmosphere.
つまり、処理液に溶解された気体のうちの、処理液中の過飽和となった気体だけが微細気泡として取り出されるだけであるため、十分な量の微細気泡が得られず、基板の洗浄効果にも限界が生じるということがあった。 That is, only the supersaturated gas in the processing liquid out of the gas dissolved in the processing liquid is only taken out as fine bubbles, so that a sufficient amount of fine bubbles cannot be obtained, which is effective for cleaning the substrate. There was a limit.
この発明は、液体に溶解された気体をより効率よく微細気泡として取り出すことができるようにした処理液の製造装置、製造方法、及び洗浄処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a processing liquid manufacturing apparatus, a manufacturing method, and a cleaning processing apparatus capable of taking out gas dissolved in a liquid as fine bubbles more efficiently.
この発明は、基板を処理液によって処理洗浄処理するための洗浄処理装置であって、
第１の気体を液体に溶解させる溶解手段と、
この溶解手段によって第１の気体が溶解された液体に、上記第１の気体よりも上記液体に溶解し易い第２の気体を供給し、上記液体に溶解した上記第１の気体を微細気泡として放出させる放出用気体供給手段とを具備し、
前記第１の気体を微細気泡として含む前記液体を前記処理液として用いることを特徴とする洗浄処理装置にある。
The present invention is a cleaning processing apparatus for processing and cleaning a substrate with a processing liquid,
Dissolving means for dissolving the first gas in the liquid;
The liquid first gas is dissolved by the dissolving means, the than the first gas supplying second gas easily dissolved in the liquid, the first gas dissolved in the liquid fine fine bubbles A release gas supply means for releasing as
There the liquid containing said first gas as a fine fine bubbles in the cleaning apparatus, which comprises using as the treatment solution.
この発明は、基板を処理液によって洗浄処理するための洗浄処理方法であって、
第１の気体を液体に溶解させる工程と、
第１の気体が溶解された液体に、上記第１の気体よりも上記液体に溶解し易い第２の気体を供給して上記液体に溶解した上記第１の気体を微細気泡として放出させる工程とを具備し、
前記第１の気体を微細気泡として含む前記液体を前記処理液として用いることを特徴とする洗浄処理方法にある。
The present invention is a cleaning processing method for cleaning a substrate with a processing liquid,
Dissolving a first gas in a liquid;
The liquid first gas is dissolved, the step of releasing the first of said first gas which is supplied to the second gas easily dissolved in the liquid was dissolved in the liquid than the gas as fine fine bubbles And
There the liquid containing said first gas as a fine fine bubbles cleaning method, which comprises using as the treatment solution.
この発明によれば、第１の気体を溶解した液体に、第１の気体よりも溶解され易い第２の気体を溶解させるようにしたことで、液体に溶解した第１の気体が第２の気体と置換され、置換された第１の気体が微細気泡として放出されるから、液体に溶解された気体を効率よく微細気泡として取り出すことが可能となる。 According to the present invention, the second gas that is more easily dissolved than the first gas is dissolved in the liquid in which the first gas is dissolved, so that the first gas dissolved in the liquid is the second gas. Since the substituted first gas is discharged as fine bubbles, the gas dissolved in the liquid can be efficiently taken out as fine bubbles.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は基板Ｗを洗浄処理するための処理液Ｓを製造するための製造装置１を示している。この製造装置１は、図示しない液体供給部から供給される、たとえば純水などの液体Ｌに、図示しない第１の気体供給部より加圧供給されるたとえば酸素、窒素、水素或いはオゾンガスなどの第１の気体Ｇ１を溶解させる溶解手段としての処理タンク３を備えている。この処理タンク３には、上記液体Ｌを供給する第１の給液管４と、上記第１の気体Ｇ１を供給する第１の給気管５とが接続されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a
上記第１の給液管４には液体Ｌを加圧して上記処理タンク３に供給する加圧手段としての加圧ポンプ６が設けられている。上記給気管５にはフィルタ７、圧力計８、逆止弁９及び開閉弁１０が順次設けられている。 The first liquid supply pipe 4 is provided with a pressurizing pump 6 as pressurizing means for pressurizing the liquid L and supplying it to the processing tank 3. The air supply pipe 5 is sequentially provided with a filter 7, a pressure gauge 8, a check valve 9 and an on-off valve 10.
上記処理タンク３には公知の中空糸膜などの溶解膜（図示せず）が内蔵されていて、上記第１の気体Ｇ１は上記溶解膜を透過することで上記加圧ポンプ６によって加圧されて上記処理タンク３に供給された上記液体Ｌに加圧溶解されるようになっている。 The processing tank 3 contains a dissolved membrane (not shown) such as a known hollow fiber membrane, and the first gas G1 is pressurized by the pressure pump 6 by passing through the dissolved membrane. Thus, the liquid L supplied to the processing tank 3 is dissolved under pressure.
溶解手段としては処理タンク３に溶解膜を設けた溶解膜方式に代わり、加圧タンク方式やバブリング方式などであってもよく、上記液体Ｌとしては脱気純水や純水を用いることが好ましい。とくに、溶解膜方式や加圧タンク方式の場合には脱気純水を用いることが好ましく、バブリング方式の場合にはバブリング時に純水に含まれる気体が脱気されるから、脱気純水ではなく、通常の純水であってもよい。 The dissolving means may be a pressurized tank system or a bubbling system instead of the dissolving film system in which the processing tank 3 is provided with a dissolving film. The liquid L is preferably degassed pure water or pure water. . In particular, it is preferable to use degassed pure water in the case of a dissolved membrane method or a pressurized tank method. In the case of a bubbling method, gas contained in pure water is degassed during bubbling. Or, it may be ordinary pure water.
上記第１の気体としては後述するように微細気泡となったときに基板Ｗの洗浄効果を高めることができる気体が好ましく、上述した気体の他に、アルゴンやヘリウムなどを用いることもある。 As the first gas, a gas capable of enhancing the cleaning effect of the substrate W when it becomes fine bubbles as described later is preferable, and in addition to the above-described gas, argon, helium, or the like may be used.
図２は第１の気体Ｇ１の圧力Ｐと、その溶解量Ｍとの関係を示したグラフであって、同図に直線Ａで示すように、圧力Ｐと、溶解量Ｍは比例している。このことはヘンリーの法則からも知られている。 FIG. 2 is a graph showing the relationship between the pressure P of the first gas G1 and its dissolution amount M, and the pressure P and the dissolution amount M are proportional to each other as shown by the straight line A in FIG. . This is also known from Henry's Law.
したがって、上記加圧ポンプ６によって大気圧Ｐａ以上の圧力である圧力Ｐ１に加圧されて上記処理タンク３に供給された上記液体Ｌには、第１の気体Ｇ１が同図にＭ１で示す量で溶解されることになる。 Therefore, in the liquid L pressurized to the pressure P1 that is equal to or higher than the atmospheric pressure Pa by the pressure pump 6 and supplied to the processing tank 3, the amount of the first gas G1 indicated by M1 in FIG. Will be dissolved.
なお、上記処理タンク３に供給される上記第１の気体Ｇ１は、この処理タンク３内における圧力、すなわち処理タンク３に加圧供給される液体Ｌの圧力条件下においては飽和溶解量を超えない範囲で供給される。それによって、液体Ｌに第１の気体Ｇ１が溶解されずに、ナノバブルやマイクロナノバブルなどの微細気泡よりも大きな気泡となって存在するのが防止される。 The first gas G1 supplied to the processing tank 3 does not exceed the saturation dissolution amount under the pressure in the processing tank 3, that is, the pressure condition of the liquid L supplied under pressure to the processing tank 3. Supplied in range. This prevents the first gas G1 from being dissolved in the liquid L and present as bubbles larger than fine bubbles such as nanobubbles and micronanobubbles.
上記処理タンク３で第１の気体Ｇ１を溶解した液体Ｌは、図１に示すように上記処理タンク３に接続された第２の給液管１１に流出する。この第２の給液管１１を流れる液体Ｌの圧力は、第２の給液管１１に設けられた圧力維持手段としてのオリフィス１２によって維持されるようになっていて、このオリフィス１２を通過することで大気圧まで減圧されるようになっている。
The liquid L in which the first gas G1 is dissolved in the processing tank 3 flows out to the second liquid supply pipe 11 connected to the processing tank 3 as shown in FIG. The pressure of the liquid L flowing through the second liquid supply pipe 11 is maintained by an
上記第２の給液管１１の上記オリフィス１２よりも上流側、つまりオリフィス１２の直前には、上記液体Ｌに溶解した第１の気体Ｇ１を微細気泡にして放出させる、放出用気体供給手段としての第２の給気管１３が接続されている。
Discharge gas supply means for releasing the first gas G1 dissolved in the liquid L as fine bubbles on the upstream side of the
上記第２の給気管１３には、上記第１の気体Ｇ１に比べて上記液体Ｌに対して溶解度が十分に高い第２の気体Ｇ２、たとえばアンモニアガスがフィルタ１４、圧力計１５、加熱器１６、逆止弁１７及び開閉弁１８を介して供給される。
In the second air supply pipe 13, the second gas G <b> 2, for example, ammonia gas, having a sufficiently high solubility with respect to the liquid L as compared with the first gas G <b> 1 is supplied with a filter 14, a pressure gauge 15, and a heater 16. , And supplied via a
上記加熱器１６は上記第２の気体Ｇ２を上記液体Ｌよりも高い温度に加熱して上記第２の給気管１３に供給する。たとえば、上記液体Ｌが２０度の温度で上記処理タンク３に供給される場合、上記第２の気体Ｇ２は上記加熱器１６によってたとえば３０〜４０度に加熱されて供給される。 The heater 16 heats the second gas G <b> 2 to a temperature higher than that of the liquid L and supplies the second gas G <b> 2 to the second air supply pipe 13. For example, when the liquid L is supplied to the processing tank 3 at a temperature of 20 degrees, the second gas G2 is heated and supplied by the heater 16 to 30 to 40 degrees, for example.
上記第２の気体Ｇ２の温度が上記液体Ｌの温度よりも高いことで、上記第２の気体Ｇ２の温度が上記液体Ｌに伝わって温度が上昇し、第１の気体Ｇ１が微細気泡としてより放出され易くなる。 When the temperature of the second gas G2 is higher than the temperature of the liquid L, the temperature of the second gas G2 is transmitted to the liquid L, the temperature rises, and the first gas G1 becomes a fine bubble. Easily released.
なお、上記第２の気体Ｇ２であるアンモニアガスの溶解度（溶媒水１ｍｌに溶ける気体の体積ｍｌ）は612.7000である。これに対して第１の気体Ｇ１として用いられる酸素の溶解度は0.02850、水素の溶解度は0.01750、窒素の溶解度は0.01470である。つまり、第２の気体Ｇ２は、第１の気体Ｇ１に対して溶解度が十分に大きな気体が用いられている。これらの溶解度は液温が常温（２５度）のときの値である。 The solubility of the ammonia gas, which is the second gas G2, (volume ml of gas dissolved in 1 ml of solvent water) is 612.7000. On the other hand, the solubility of oxygen used as the first gas G1 is 0.02850, the solubility of hydrogen is 0.01750, and the solubility of nitrogen is 0.01470. That is, as the second gas G2, a gas having a sufficiently high solubility with respect to the first gas G1 is used. These solubilities are values when the liquid temperature is room temperature (25 degrees).
第１の気体Ｇ１を溶解した液体Ｌに第２の気体Ｇ２を供給すると、第１の気体Ｇ１よりも液体Ｌに溶解され易い第２の気体Ｇ２が上記液体Ｌに溶解される。つまり、第２の気体Ｇ２の分子が上記液体Ｌの分子間に入り込む。そのため、それまで液体Ｌの分子間に溶解していた第１の気体Ｇ１が微細気泡となって液体Ｌ中に生成される。 When the second gas G2 is supplied to the liquid L in which the first gas G1 is dissolved, the second gas G2 that is more easily dissolved in the liquid L than the first gas G1 is dissolved in the liquid L. That is, the molecules of the second gas G2 enter between the molecules of the liquid L. Therefore, the first gas G <b> 1 that has been dissolved between the molecules of the liquid L until then becomes fine bubbles and is generated in the liquid L.
つまり、第１の気体Ｇ１を溶解した液体Ｌに、この第１の気体Ｇ１よりも液体Ｌに溶解され易い第２の気体Ｇ２を供給することで、微細気泡となった第１の気体Ｇ１を含む液体Ｌが生成されることになる。ここで、微細気泡となった第１の気体Ｇ１を含む液体Ｌを上記処理液Ｓとする。 That is, by supplying the second gas G2 that is more easily dissolved in the liquid L than the first gas G1 to the liquid L in which the first gas G1 is dissolved, the first gas G1 that has become microbubbles is supplied. The liquid L containing will be produced | generated. Here, the liquid L containing the first gas G1 that has become fine bubbles is referred to as the processing liquid S.
このようにして生成された処理液Ｓは上記オリフィス１２を通過して減圧される。それによって、上記オリフィス１２の上流側と下流側との圧力差によって、上記液体Ｌに溶解した状態で残留している第１の気体Ｇ１が過飽和により微細気泡となってさらに放出されるから、そのことによっても第１の気体Ｇ１の微細気泡の発生量が増大する。
The treatment liquid S thus generated passes through the
しかも、上記処理液Ｓが上記オリフィス１２を通過する直前まで増圧されていることで、上記第２の給液管１１を流れる処理液Ｓに含まれる微細気泡が大きな気泡に成長するのが阻止される。
In addition, since the pressure of the processing liquid S is increased to just before passing through the
上記第２の気体Ｇ２がアンモニアガスの場合、上記液体Ｌの水素イオン指数（ｐＨ）が７よりも大きく、１１を超えないよう上記アンモニア気体の供給量が制御される。それによって、液体Ｌから作られた処理液Ｓによって基板Ｗを後述するように洗浄処理した場合、処理液Ｓによって除去されたパーティクルが基板Ｗに再付着するのを防止して基板Ｗの洗浄効果を向上させることができるばかりか、基板Ｗの表面が粗面化するなどして損傷するのを防止することができる。 When the second gas G2 is ammonia gas, the supply amount of the ammonia gas is controlled so that the hydrogen ion index (pH) of the liquid L is greater than 7 and does not exceed 11. Accordingly, when the substrate W is cleaned with the processing liquid S made from the liquid L as will be described later, the particles removed by the processing liquid S are prevented from re-adhering to the substrate W, thereby cleaning the substrate W. In addition, the surface of the substrate W can be prevented from being damaged by being roughened.
上記第２の給液管１１の上記オリフィス１２よりも下流側には、上記処理液Ｓを基板Ｗに噴射供給する管体１９ａに複数のノズル１９ａが所定間隔で設けられたノズル体１９が接続されている。上記基板Ｗは、たとえば搬送手段としての搬送ローラ２１によって水平に搬送される。上記ノズル体１９は基板Ｗの搬送方向と交差する幅方向全長にわたって処理液Ｓを噴射供給する。それによって、基板Ｗは上面全体が上記処理液Ｓによって洗浄されることになる。
A
なお、詳細は図示はしないが、上記基板Ｗをスピン処理装置の回転テーブルに保持して回転させ、１つのノズル１９ｂを有するノズル体１９を回転駆動される基板Ｗの上方でアーム体によって往復動させながら処理液Ｓを噴射させることで、上記基板Ｗの上面を洗浄処理するようにしてもよい。
Although not shown in detail, the substrate W is rotated while being held on the rotary table of the spin processing apparatus, and the
上述した構成の処理液Ｓの製造装置１によれば、液体Ｌに第１の気体Ｇ１を溶解させ、さらにその液体Ｌに第１の気体Ｇ１よりも溶解度の高い第２の気体Ｇ２を溶解させることで、上記液体Ｌに溶解された第１の気体Ｇ１を第２の気体Ｇ２に置換して第１の気体Ｇ１を微細気泡にして取り出すようにした。
According to the
そのため、液体Ｌに溶解した第１の気体Ｇ１を、第１の気体Ｇ１を溶解させるときの圧力と、大気に開放した圧力との差によって過飽和を生じさせて微細気泡として取り出す場合に比べ、液体Ｌに溶解される第２の気体Ｇ２の溶解度に応じてより多くの第１の気体Ｇ１を微細気泡にして取り出すことが可能となる。 Therefore, compared with the case where the first gas G1 dissolved in the liquid L is taken out as fine bubbles by causing supersaturation due to the difference between the pressure at which the first gas G1 is dissolved and the pressure released to the atmosphere. Depending on the solubility of the second gas G2 dissolved in L, more first gas G1 can be taken out as fine bubbles.
図２を参照して説明すると、圧力Ｐ１の加圧状態下での液体Ｌに溶解する第１の気体Ｇ１の溶解量をＭ１とし、大気圧下で液体Ｌに溶解する第１の気体Ｇ１の溶解量をＭ２とすると、上記液体ＬをＰａで示す大気圧に開放した場合、その圧力差（Ｐ１−Ｐａ）に相対する第１の気体Ｇ１の溶解量分は過飽和となり、上記液体Ｌから微細気泡となって放出され、その量は、同図にΔＭａで示す（Ｍ１−Ｍ２）の量となる。 Referring to FIG. 2, the amount of the first gas G1 dissolved in the liquid L under the pressure P1 is M1, and the amount of the first gas G1 dissolved in the liquid L under atmospheric pressure is M1. When the dissolution amount is M2, when the liquid L is opened to the atmospheric pressure indicated by Pa, the dissolution amount of the first gas G1 relative to the pressure difference (P1-Pa) becomes supersaturated, and the liquid L is finer than the liquid L. Released as bubbles, the amount is (M1-M2) indicated by ΔMa in FIG.
それに対して第１の気体Ｇ１を溶解した液体Ｌに、第１の気体Ｇ１よりも溶解され易い第２の気体Ｇ２を供給すると、過飽和によって微細気泡となって放出される第１の気体Ｇ１の量はΔＭａだけでなく、第２の気体Ｇ２の溶解度に応じて液体Ｌから追い出される第１の気体Ｇ１の量が加わることになるから、たとえば図２にΔＭｂで示す、（Ｍ２−Ｍ３）の量が追加されることになる。つまり、合計で（ΔＭａ＋ΔＭｂ）の量の微細気泡を発生させることができる。 On the other hand, when the second gas G2 that is more easily dissolved than the first gas G1 is supplied to the liquid L in which the first gas G1 is dissolved, the first gas G1 that is released as fine bubbles by supersaturation is released. The amount is not only ΔMa but also the amount of the first gas G1 expelled from the liquid L according to the solubility of the second gas G2, and therefore, for example, (M2−M3) shown by ΔMb in FIG. An amount will be added. That is, it is possible to generate fine bubbles in a total amount (ΔMa + ΔMb).
したがって、従来に比べて微細気泡を多く含む洗浄液Ｓを基板Ｗに供給することができるため、基板Ｗを高い清浄度で洗浄処理することが可能となる。 Therefore, since the cleaning liquid S containing more fine bubbles than the conventional one can be supplied to the substrate W, the substrate W can be cleaned with high cleanliness.
上記一実施の形態では第１の気体が溶解される液体として純水或いは脱気純水を例に挙げて説明したが、基板を処理するために用いられる純水或いは脱気純水以外の液体を用いるようにしてもよい。 In the above embodiment, pure water or degassed pure water has been described as an example of the liquid in which the first gas is dissolved. However, liquid other than pure water or degassed pure water used for processing the substrate is used. May be used.
また、液体を加圧して処理タンクに供給し、ここで液体に第１の気体を溶解させるようにしたが、液体を加圧せずに処理タンクに供給して第１の気体を溶解させるようにしてもよい。そのようにすると、液体の圧力変化による過飽和で微細気泡を取り出すことはできないが、第２の気体が液体に溶解し、それ以前に溶解していた第１の気体と置換されることによって、微細気泡を発生させることができる。 Further, the liquid is pressurized and supplied to the processing tank, and the first gas is dissolved in the liquid here. However, the liquid is not pressurized and supplied to the processing tank so as to dissolve the first gas. It may be. In such a case, the fine bubbles cannot be taken out due to supersaturation due to the pressure change of the liquid, but the second gas dissolves in the liquid and is replaced by the first gas that has been dissolved before that. Bubbles can be generated.
また、第１の気体が溶解された液体に第２の気体としてアルカリ性のアンモニアガスを供給するようにしたが、純度が１００％のアンモニアガスに代わり、他のガス、たとえば酸性の炭酸ガスが含まれる窒素ガスを供給するようにしてもよい。炭酸ガスを含ませれば、その量に応じて液体の水素イオン指数（ｐＨ）を調整することができる。つまり、基板の処理目的に応じた水素イオン指数の液体を供給することができる。 In addition, alkaline ammonia gas is supplied as the second gas to the liquid in which the first gas is dissolved, but instead of ammonia gas having a purity of 100%, other gases such as acidic carbon dioxide gas are included. Nitrogen gas may be supplied. If carbon dioxide gas is included, the liquid hydrogen ion index (pH) can be adjusted according to the amount. That is, it is possible to supply a liquid having a hydrogen ion index corresponding to the processing purpose of the substrate.
上記第２の気体Ｇ２は、アンモニアガスとして説明したが、これに限られず、第１の気体Ｇ１よりも溶解度が高ければよく、その差が大きい方が好ましい。 Although the second gas G2 has been described as ammonia gas, the present invention is not limited to this, and it is sufficient that the solubility is higher than that of the first gas G1, and it is preferable that the difference is larger.
３…処理タンク（溶解手段）、４…第１の給液管、５…第１の給気管、６…加圧ポンプ、１１…第２の給液管、１３…第２の給気管（放出用気体供給手段）、１６…加熱器、１９…ノズル体。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Processing tank (dissolution means), 4 ... 1st liquid supply pipe, 5 ... 1st air supply pipe, 6 ... Pressure pump, 11 ... 2nd liquid supply pipe, 13 ... 2nd air supply pipe (discharge | release) Gas supply means), 16 ... heater, 19 ... nozzle body.
Claims (7)
第１の気体を液体に溶解させる溶解手段と、
この溶解手段によって第１の気体が溶解された液体に、上記第１の気体よりも上記液体に溶解し易い第２の気体を供給し、上記液体に溶解した上記第１の気体を微細気泡として放出させる放出用気体供給手段とを具備し、
前記第１の気体を微細気泡として含む前記液体を前記処理液として用いることを特徴とする洗浄処理装置。 A cleaning processing apparatus for cleaning a substrate with a processing liquid,
Dissolving means for dissolving the first gas in the liquid;
The liquid first gas is dissolved by the dissolving means, the than the first gas supplying second gas easily dissolved in the liquid, the first gas dissolved in the liquid fine fine bubbles A release gas supply means for releasing as
Cleaning apparatus, which comprises using the liquid containing said first gas as a fine fine bubbles as the treatment solution.
上記溶解手段によって第１の気体を溶解した液体が供給される送液管を有し、この送液管には、上記液体に上記第２の気体を供給する上記放出用気体供給手段が接続されているとともに、この放出用気体供給手段よりも下流側には上記第１の気体を溶解した上記液体の圧力を維持する圧力維持手段が設けられ、上記液体は上記圧力維持手段を通過することで大気圧に開放されることを特徴とする請求項１記載の洗浄処理装置。 The dissolving means dissolves the first gas in the liquid under a pressure higher than atmospheric pressure,
The liquid supply pipe is supplied with a liquid obtained by dissolving the first gas by the dissolving means, and the discharge gas supply means for supplying the second gas to the liquid is connected to the liquid supply pipe. In addition, pressure maintaining means for maintaining the pressure of the liquid in which the first gas is dissolved is provided on the downstream side of the discharge gas supply means, and the liquid passes through the pressure maintaining means. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cleaning apparatus is opened to atmospheric pressure.
第１の気体を液体に溶解させる工程と、
第１の気体が溶解された液体に、上記第１の気体よりも上記液体に溶解し易い第２の気体を供給して上記液体に溶解した上記第１の気体を微細気泡として放出させる工程とを具備し、
前記第１の気体を微細気泡として含む前記液体を前記処理液として用いることを特徴とする洗浄処理方法。 A cleaning method for cleaning a substrate with a processing liquid,
Dissolving a first gas in a liquid;
The liquid first gas is dissolved, the step of releasing the first of said first gas which is supplied to the second gas easily dissolved in the liquid was dissolved in the liquid than the gas as fine fine bubbles And
Cleaning method, which comprises using the liquid containing said first gas as a fine fine bubbles as the treatment solution.
上記第２の気体が供給されて上記液体に溶解した上記第１の気体を微細気泡として放出させる工程は大気圧下で行われること
を特徴とする請求項６記載の洗浄処理方法。 The step of dissolving the first gas in the liquid is performed under a pressure higher than atmospheric pressure,
Cleaning method according to claim 6, wherein the step of releasing the first gas which the second gas is supplied dissolved in the liquid as a fine fine bubbles at atmospheric pressure.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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