JP5950759B2 - 基板の製造方法及び基板洗浄装置 - Google Patents
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Description
本発明は、基板の製造方法及び基板洗浄装置に関する。
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。この微細パターンの形成には、通常、何枚ものフォトマスク（以下、「転写用マスク」という。）が使用されている。この転写用マスクは、一般に、透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィー法が用いられている。
フォトリソグラフィー法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に、転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を備えたマスクブランクが用いられる。マスクブランクの製造に用いられる基板には、矩形状あるいは方形状のものが広く用いられている。
一般に、マスクブランクは、所定の形状に切り出された基板を準備する工程と、研磨砥粒を用いて基板の表面（主表面と端面）を鏡面に研磨する研磨工程と、表面が鏡面に研磨された基板に付着している研磨砥粒等の異物を除去するための洗浄を行う洗浄工程と、洗浄後の基板の主表面にパターン形成用の薄膜を成膜する成膜工程を経て製造される。成膜工程において、薄膜が成膜される前の基板の表面に研磨砥粒等の異物が残存していると、出来上がったマスクブランクに除去困難な凸状欠陥が発生する等の問題が生じる。特に、露光光にＥＵＶ光が適用されるような反射型マスクに用いられる反射型マスクブランクの場合、このような異物の残存は大きな問題となる。
従来、基板の主表面の洗浄は、特許文献１に開示されているように、基板回転手段に基板を載置し、基板を回転させながら、洗浄液供給ノズルから洗浄液を基板の主表面に対して噴射することによって行われている。
他方、特許文献２に開示されているように、基板の対向する端面を基板固定用アームで固定しつつ、基板リンス用シャワーノズルから洗浄液を噴射することで、基板の主表面を洗浄することも行われている。
他方、特許文献２に開示されているように、基板の対向する端面を基板固定用アームで固定しつつ、基板リンス用シャワーノズルから洗浄液を噴射することで、基板の主表面を洗浄することも行われている。
一般に、光透過型マスクを製造するためのマスクブランクの場合、一方の主表面にパターン形成用の薄膜が形成される。しかし、その薄膜が形成される側の主表面だけ十分な洗浄が行われていればよいというわけではない。薄膜が形成されない側の主表面に異物が残存している場合、その異物が移動してパターン形成用薄膜の表面に付着する場合がある。また、パターン形成用薄膜の上にレジスト膜を塗布形成しているとき、あるいは塗布形成後に、異物が移動してレジスト膜に付着する場合もある。パターン形成用薄膜やレジスト膜に異物が付着してしまうと、パターン形成用薄膜にエッチングで転写パターンを形成する際に、正常なパターン形成を阻害する要因となるため、問題となる。
他方、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランクの場合、一方の主表面に多層反射膜とパターン形成用の薄膜が形成されるが、他方の主表面にも静電チャック用の導電性膜が形成されることが多い。したがって、他方の主表面に異物が付着していると、導電性膜内に異物が取り込まれてしまうため、問題となる。
このような理由から、マスクブランクの製造に用いられる基板は、対向する２つの主表面をともに十分に洗浄して異物を除去する必要がある。
このような理由から、マスクブランクの製造に用いられる基板は、対向する２つの主表面をともに十分に洗浄して異物を除去する必要がある。
２つの主表面を洗浄するための簡単な方法として、最初に一方の主表面をスピン洗浄した後、基板を反転させてもう一方の主表面をスピン洗浄することが考えられる。この方法において、最初に一方の主表面をスピン洗浄した後に、その主表面をスピン乾燥してしまうと、未洗浄であるもう一方の主表面も乾燥してしまうため、研磨砥粒等の異物がもう一方の主表面に固着する恐れがある。
そこで、一方の主表面をスピン洗浄した後、その主表面をスピン乾燥せずに、基板を反転させることが考えられる。しかし、この場合、未洗浄であるもう一方の主表面に付着している異物が、洗浄後の一方の主表面に移動してしまう恐れがある。このため、基板を反転させて２つの主表面を洗浄する方法には、問題があった。
一方、上記特許文献１に記載されている基板の洗浄方法の場合、基板回転手段の斜め下方に配置された基板リンス用シャワーノズルから洗浄液を噴射することで、基板の下側の主表面（裏面）の洗浄を行っている。しかし、このような方法を用いた場合、基板回転手段（回転テーブル）に一度当たった洗浄液が、基板の下側の主表面に当たってしまうため、回転テーブルに付着していた異物が、基板の下側の主表面に付着してしまう恐れがあり、問題があった。
そこで、本発明は、基板の主表面からより確実に異物を除去することのできる基板の製造方法及び基板洗浄装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは、基板を反転させることなく、基板の下側の主表面の全体を洗浄する方法について鋭意検討した。
まず、基板の下側の主表面を洗浄するためには、上側の主表面を洗浄するときに用いられるスピン洗浄は不向きであると考えた。そこで、基板の対向する端面を支持具で支持しつつ、下側の主表面をブラシ洗浄することを考えた。しかし、下側の主表面をブラシ洗浄する場合、基板の対向する端面を支持する支持具が障害となるため、下側の主表面にブラシで洗浄できない領域が残ってしまうことが分かった。また、基板の下側の主表面の全面を１つの洗浄ブラシで洗浄する場合、洗浄ブラシが支持具に接触することが避けられず、支持具に付着していた異物が、洗浄ブラシを介して下側の主表面に移動してしまう恐れがあることも分かった。
これらのことを考慮した結果、端面の少なくとも中央側部分を除く外側部分を挟んで基板を支持する第１支持具と、端面の中央側部分を挟んで基板を支持する第２支持具を使用すること、第１支持具で基板を支持しているときは、第１支持具に接触しないように配置した第１洗浄ブラシを用い、この第１洗浄ブラシを下側の主表面との間で相対移動させることで、下側主表面の一部の領域（対向する端面の中央側部分に挟まれる領域）を洗浄すること、第２支持具で基板を支持しているときは、第２支持具に接触しないように配置した第２洗浄ブラシを用い、この第２洗浄ブラシを下側の主表面との間で相対移動させることで、少なくとも第１洗浄ブラシで洗浄できない下側主表面の一部の領域（対向する端面の中央側部分に挟まれる領域）以外を洗浄すること、により、基板の下側の主表面全体を十分に洗浄できるという結論に至り、本発明を完成するに至った。
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）
１組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を準備する工程と、
いずれか１組の対向する端面を第１支持具によって挟んで基板を支持し、下側の主表面に対して第１洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第１洗浄工程と、
前記１組の対向する端面を第２支持具によって挟んで基板を支持し、前記下側の主表面に対して第２洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第２洗浄工程とを有し、
前記第１支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域を除いた外側領域内を挟むものであり、
前記第１洗浄ブラシは、前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を通過する位置に設けられており、
前記第２支持具は、前記端面の長辺方向における前記中央側領域内を挟むものであり、
前記第２洗浄ブラシは、前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を除いた領域を通過する位置に設けられている、ことを特徴とする基板の製造方法。
（構成１）
１組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を準備する工程と、
いずれか１組の対向する端面を第１支持具によって挟んで基板を支持し、下側の主表面に対して第１洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第１洗浄工程と、
前記１組の対向する端面を第２支持具によって挟んで基板を支持し、前記下側の主表面に対して第２洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第２洗浄工程とを有し、
前記第１支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域を除いた外側領域内を挟むものであり、
前記第１洗浄ブラシは、前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を通過する位置に設けられており、
前記第２支持具は、前記端面の長辺方向における前記中央側領域内を挟むものであり、
前記第２洗浄ブラシは、前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を除いた領域を通過する位置に設けられている、ことを特徴とする基板の製造方法。
（構成２）
前記第１支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第２支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第１支持具による基板の支持を解除することで、前記第１支持具から第２支持具へ基板を受け渡す工程を有することを特徴とする構成１記載の基板の製造方法。
前記第１支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第２支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第１支持具による基板の支持を解除することで、前記第１支持具から第２支持具へ基板を受け渡す工程を有することを特徴とする構成１記載の基板の製造方法。
（構成３）
前記第２支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第１支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第２支持具による基板の支持を解除することで、前記第２支持具から第１支持具へ基板を受け渡す工程を有することを特徴とする構成１記載の基板の製造方法。
前記第２支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第１支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第２支持具による基板の支持を解除することで、前記第２支持具から第１支持具へ基板を受け渡す工程を有することを特徴とする構成１記載の基板の製造方法。
（構成４）
前記第１支持具は、前記端面の中央側領域を挟んで２つに分かれている前記外側領域の両方を挟むことで基板を支持することを特徴とする構成１から３のいずれかに記載の基板の製造方法。
前記第１支持具は、前記端面の中央側領域を挟んで２つに分かれている前記外側領域の両方を挟むことで基板を支持することを特徴とする構成１から３のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成５）
第１洗浄工程および第２洗浄工程において、前記基板における上側の主表面に向かって洗浄液を供給することを特徴とする構成１から４のいずれかに記載の基板の製造方法。
第１洗浄工程および第２洗浄工程において、前記基板における上側の主表面に向かって洗浄液を供給することを特徴とする構成１から４のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成６）
第１洗浄工程および第２洗浄工程の後に、前記基板における１組の対向する主表面の上下位置を維持した状態で前記基板を回転ステージに載置し、前記基板の上側の主表面に向かって洗浄液を供給しながら前記基板を回転させることで、前記基板の上側の主表面を洗浄する工程を有することを特徴とする構成１から５のいずれかに記載の基板の製造方法。
第１洗浄工程および第２洗浄工程の後に、前記基板における１組の対向する主表面の上下位置を維持した状態で前記基板を回転ステージに載置し、前記基板の上側の主表面に向かって洗浄液を供給しながら前記基板を回転させることで、前記基板の上側の主表面を洗浄する工程を有することを特徴とする構成１から５のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成７）
第１洗浄工程および第２洗浄工程の前に、２組の対向する端面を洗浄する端面洗浄工程を有することを特徴とする構成１から６のいずれかに記載の基板の製造方法。
第１洗浄工程および第２洗浄工程の前に、２組の対向する端面を洗浄する端面洗浄工程を有することを特徴とする構成１から６のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成８）
前記端面洗浄工程は、
前記対向する２組の端面のうち、一方の組の対向する端面を第１支持具または第２支持具で挟んで基板を支持し、他方の組の対向する端面に対して、端面洗浄ブラシを前記一方の組の対向する端面間の方向に相対的に移動させ、前記他方の組の対向する端面を洗浄する工程と、
前記他方の組の対向する端面を第１支持具または第２支持具で挟んで基板を支持し、一方の組の対向する端面に対して、端面洗浄ブラシを前記他方の組の対向する端面間の方向に相対的に移動させ、前記一方の組の対向する端面を洗浄する工程と
を有することを特徴とする構成７に記載の基板の製造方法。
前記端面洗浄工程は、
前記対向する２組の端面のうち、一方の組の対向する端面を第１支持具または第２支持具で挟んで基板を支持し、他方の組の対向する端面に対して、端面洗浄ブラシを前記一方の組の対向する端面間の方向に相対的に移動させ、前記他方の組の対向する端面を洗浄する工程と、
前記他方の組の対向する端面を第１支持具または第２支持具で挟んで基板を支持し、一方の組の対向する端面に対して、端面洗浄ブラシを前記他方の組の対向する端面間の方向に相対的に移動させ、前記一方の組の対向する端面を洗浄する工程と
を有することを特徴とする構成７に記載の基板の製造方法。
（構成９）
１組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を洗浄する装置であって、
１組の対向する端面を挟んで基板を支持する第１支持具および第２支持具と、
下側の主表面に対して、前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動して下側の主表面を洗浄する第１洗浄ブラシおよび第２洗浄ブラシを有し、
前記第１支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域を除いた外側領域内を挟むものであり、
前記第１洗浄ブラシは、第１支持具によって基板を支持した状態で前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を通過する位置に設けられており、
前記第２支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域内を挟むものであり、
前記第２洗浄ブラシは、第２支持具によって基板を支持した状態で前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を除いた領域を通過する位置に設けられている、ことを特徴とする基板洗浄装置。
１組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を洗浄する装置であって、
１組の対向する端面を挟んで基板を支持する第１支持具および第２支持具と、
下側の主表面に対して、前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動して下側の主表面を洗浄する第１洗浄ブラシおよび第２洗浄ブラシを有し、
前記第１支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域を除いた外側領域内を挟むものであり、
前記第１洗浄ブラシは、第１支持具によって基板を支持した状態で前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を通過する位置に設けられており、
前記第２支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域内を挟むものであり、
前記第２洗浄ブラシは、第２支持具によって基板を支持した状態で前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を除いた領域を通過する位置に設けられている、ことを特徴とする基板洗浄装置。
（構成１０）
第２支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第１支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第２支持具による基板の支持を解除することで、前記第２支持具から第１支持具へ基板を受け渡す機構を有することを特徴とする構成９記載の基板洗浄装置。
第２支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第１支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第２支持具による基板の支持を解除することで、前記第２支持具から第１支持具へ基板を受け渡す機構を有することを特徴とする構成９記載の基板洗浄装置。
（構成１１）
第１支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第２支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第１支持具による基板の支持を解除することで、前記第１支持具から第２支持具へ基板を受け渡す機構を有することを特徴とする構成９記載の基板洗浄装置。
第１支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第２支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第１支持具による基板の支持を解除することで、前記第１支持具から第２支持具へ基板を受け渡す機構を有することを特徴とする構成９記載の基板洗浄装置。
（構成１２）
前記第１支持具は、２つの腕部からなり、
前記各腕部は、前記端面の中央側領域を除いた２つの領域である外側領域のうち、一方の領域内に当接する第１当接部と、他方の領域内に当接する第２当接部を有することを特徴とする構成９から１１のいずれかに記載の基板洗浄装置。
前記第１支持具は、２つの腕部からなり、
前記各腕部は、前記端面の中央側領域を除いた２つの領域である外側領域のうち、一方の領域内に当接する第１当接部と、他方の領域内に当接する第２当接部を有することを特徴とする構成９から１１のいずれかに記載の基板洗浄装置。
（構成１３）
前記第１支持具または第２支持具とともに移動しながら、前記基板における上側の主表面に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給器を有することを特徴とする構成９から１２のいずれかに記載の基板洗浄装置。
前記第１支持具または第２支持具とともに移動しながら、前記基板における上側の主表面に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給器を有することを特徴とする構成９から１２のいずれかに記載の基板洗浄装置。
本発明の基板の製造方法及び基板洗浄装置によれば、２つの主表面が上下方向になる状態で支持具によって保持された基板において、下側になっている主表面をその主表面が下側にある状態のままで全面を洗浄することができ、かつ洗浄時に基板を保持している支持具に洗浄ブラシが接触することなく洗浄することができる。このため、上側になっている主表面に存在する異物が下側の主表面に移動してしまうことや、支持具に付着している異物が洗浄ブラシを介して、下側の主表面に移動してしまうことを抑制できる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明の実施形態に係る基板の製造方法は、１組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を準備する工程（基板準備工程）と、いずれか１組の対向する端面を第１支持具によって挟んで基板を支持し、下側の主表面に対して第１洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第１洗浄工程と、前記１組の対向する端面を第２支持具によって挟んで基板を支持し、前記下側の主表面に対して第２洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第２洗浄工程と、を有している。
本発明の実施形態に係る基板の製造方法は、１組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を準備する工程（基板準備工程）と、いずれか１組の対向する端面を第１支持具によって挟んで基板を支持し、下側の主表面に対して第１洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第１洗浄工程と、前記１組の対向する端面を第２支持具によって挟んで基板を支持し、前記下側の主表面に対して第２洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第２洗浄工程と、を有している。
基板準備工程において準備する基板は、パターン形成用の薄膜を形成する前の基板でもよく、パターン形成用の薄膜を形成した後のマスクブランクでもよい。また、基板上に転写パターンが形成された薄膜を備えた透過型マスクや反射型マスクでもよい。すなわち、本発明の基板は、基板、マスクブランク、透過型マスク及び反射型マスクのいずれの構成も含む。
基板は、露光光を透過させる透過型マスクの製造に用いられるマスクブランク用の透光性基板でもよく、露光光を反射する反射型マスクの製造に用いられるマスクブランク用の基板でもよい。
また、基板は、露光光を透過させる透過型マスクの製造に用いられるマスクブランク（透過型マスクブランク）でもよく、露光光を反射する反射型マスクの製造に用いられるマスクブランク（反射型マスクブランク）でもよい。
さらに、基板は、露光光を透過させる透過型マスクでもよく、露光光を反射する反射型マスクでもよい。
また、基板は、露光光を透過させる透過型マスクの製造に用いられるマスクブランク（透過型マスクブランク）でもよく、露光光を反射する反射型マスクの製造に用いられるマスクブランク（反射型マスクブランク）でもよい。
さらに、基板は、露光光を透過させる透過型マスクでもよく、露光光を反射する反射型マスクでもよい。
透過型マスクブランク用及び透過型マスク用の基板としては、例えば、合成石英ガラス基板、アルミノシリケートガラス基板、ソーダライムガラス基板等のガラス基板を用いることができる。
反射型マスクブランク用及び反射型マスク用の基板としては、例えば合成石英ガラス基板、低熱膨張ガラス基板（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板）、β石英固溶体を析出させた結晶化ガラス等のガラス基板を用いることができる。このほか、インバー合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属基板や単結晶シリコン基板も用いることができる。
反射型マスクブランク用及び反射型マスク用の基板としては、例えば合成石英ガラス基板、低熱膨張ガラス基板（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板）、β石英固溶体を析出させた結晶化ガラス等のガラス基板を用いることができる。このほか、インバー合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属基板や単結晶シリコン基板も用いることができる。
基板準備工程において準備する基板は、ＴＦＴ液晶パネル、プラズマパネル、有機ＥＬパネル等を製造する際に用いられるガラス基板であってもよい。また、これらのパネルを製造するための透明導電膜が形成されたガラス基板であってもよい。
図１は、基板１０の一例を示す斜視図である。なお、以下の説明では、図１における矢印Ｘの方向を前後方向（基板１０が相対的に移動する方向）とし、矢印Ｙの方向を左右方向とし、矢印Ｚの方向を上下方向として説明する。
図１に示すように、基板１０は、１組の対向する主表面１２（１２ａ、１２ｂ）を有し、かつ２組の対向する端面１４（１４ａ〜１４ｄ）を有している。主表面１２は、例えば正方形あるいは長方形の形状を有しており、基板１０の上面及び下面を構成している。端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、主表面１２の一辺を長辺とする長方形の形状を有しており、基板１０の４つの側面を構成している。基板１０の端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、長辺方向における中央側に位置する中央側領域ＣＡと、中央側領域ＣＡを間に挟む２つの外側領域ＳＡを有している。このほか、各主表面１２と端面１４との間や隣接する２つの端面１４の間にはそれぞれ面取り面（図示せず。）が設けられている。
図１に示すように、基板１０は、１組の対向する主表面１２（１２ａ、１２ｂ）を有し、かつ２組の対向する端面１４（１４ａ〜１４ｄ）を有している。主表面１２は、例えば正方形あるいは長方形の形状を有しており、基板１０の上面及び下面を構成している。端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、主表面１２の一辺を長辺とする長方形の形状を有しており、基板１０の４つの側面を構成している。基板１０の端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、長辺方向における中央側に位置する中央側領域ＣＡと、中央側領域ＣＡを間に挟む２つの外側領域ＳＡを有している。このほか、各主表面１２と端面１４との間や隣接する２つの端面１４の間にはそれぞれ面取り面（図示せず。）が設けられている。
基板１０がマスクブランク用の基板である場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜や多層反射膜等が形成される面となる。
基板１０が透過型マスクブランクである場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜等が形成された面となる。
基板１０が反射型マスクブランクである場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜や多層反射膜等が形成された面となる。
基板１０が透過型マスクブランクである場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜等が形成された面となる。
基板１０が反射型マスクブランクである場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜や多層反射膜等が形成された面となる。
図２は、基板１０を支持する第１支持具２０及び第２支持具３０の一例を示す斜視図である。
図２に示すように、第１支持具２０は、モータ等の動力によって回転する２本の腕部２２と、２本の腕部２２に取り付けられた当接部材２４とから構成されている。当接部材２４は、基板１０の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡを挟むことのできる位置に取り付けられている。
一方、第２支持具３０は、モータ等の動力によって回転する２本の腕部３２と、２本の腕部３２に取り付けられた当接部材３４とから構成されている。当接部材３４は、基板１０の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを挟むことのできる位置に取り付けられている。
図２に示すように、第１支持具２０は、モータ等の動力によって回転する２本の腕部２２と、２本の腕部２２に取り付けられた当接部材２４とから構成されている。当接部材２４は、基板１０の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡを挟むことのできる位置に取り付けられている。
一方、第２支持具３０は、モータ等の動力によって回転する２本の腕部３２と、２本の腕部３２に取り付けられた当接部材３４とから構成されている。当接部材３４は、基板１０の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを挟むことのできる位置に取り付けられている。
図３、図４は、第１洗浄ブラシ４０を用いて基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄する第１洗浄工程について説明するための斜視図及び平面図である。
図３、図４に示すように、第１洗浄工程において、第１支持具２０の当接部材２４は、基板１０の前後の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡ内を挟んでいる。第１洗浄ブラシ４０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を通過する位置に設けられている。
図３、図４に示すように、第１洗浄工程において、第１支持具２０の当接部材２４は、基板１０の前後の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡ内を挟んでいる。第１洗浄ブラシ４０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を通過する位置に設けられている。
図５、図６は、第２洗浄ブラシ５０を用いて基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄する第２洗浄工程について説明するための斜視図及び平面図である。
図５、図６に示すように、第２洗浄工程において、第２支持具３０の当接部材３４は、基板１０の前後の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡ内を挟んでいる。第２洗浄ブラシ５０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域を除いた領域Ｒ２を通過する位置に設けられている。
図５、図６に示すように、第２洗浄工程において、第２支持具３０の当接部材３４は、基板１０の前後の端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡ内を挟んでいる。第２洗浄ブラシ５０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域を除いた領域Ｒ２を通過する位置に設けられている。
なお、第１洗浄ブラシ４０を下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動させるときには、第１洗浄ブラシ４０を前後方向に動かしてもよく、基板１０を前後方向に動かしてもよく、両方を前後方向に動かしてもよい。
同様に、第２洗浄ブラシ５０を下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動させるときには、第２洗浄ブラシ５０を前後方向に動かしてもよく、基板１０を前後方向に動かしてもよく、両方を前後方向に動かしてもよい。
同様に、第２洗浄ブラシ５０を下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動させるときには、第２洗浄ブラシ５０を前後方向に動かしてもよく、基板１０を前後方向に動かしてもよく、両方を前後方向に動かしてもよい。
第１洗浄ブラシ４０及び第２洗浄ブラシ５０としては、基板の洗浄に一般的に用いられるスクラブブラシ等を用いることができる。例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジからなるスクラブブラシを用いることができる。また、ブラシの形状は特に制限するものではなく、例えばロール状あるいはシート状のスクラブブラシを用いることが可能である。例えば、特開２０００−２４６１８７号公報等に開示された回転するロール状のスクラブブラシを用いることができる。
図７は、本実施形態に係る基板の製造方法の工程図である。
本実施形態に係る基板の製造方法では、まず、図７（ａ）に示すように、前工程から運ばれてきた基板１０が受け渡しステージ上に載置された後、図７（ｂ）に示すように、基板１０の一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄの中央側領域ＣＡが第２支持具３０によって挟まれる。そして、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂに対して、基板１０の左右両側に配置された一対の第１端面洗浄ブラシ６０を前後方向（前記一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄ間の方向）に相対的に移動させる。これにより、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂを、基板１０の左右両側に配置された一対の第１端面洗浄ブラシ６０によって洗浄することができる（第１端面洗浄工程）。
本実施形態に係る基板の製造方法では、まず、図７（ａ）に示すように、前工程から運ばれてきた基板１０が受け渡しステージ上に載置された後、図７（ｂ）に示すように、基板１０の一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄの中央側領域ＣＡが第２支持具３０によって挟まれる。そして、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂに対して、基板１０の左右両側に配置された一対の第１端面洗浄ブラシ６０を前後方向（前記一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄ間の方向）に相対的に移動させる。これにより、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂを、基板１０の左右両側に配置された一対の第１端面洗浄ブラシ６０によって洗浄することができる（第１端面洗浄工程）。
次に、回転ステージ上に水平に配置した基板１０を９０度回転させた後、図７（ｃ）に示すように、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡが第２支持具３０によって挟まれる。そして、基板１０の一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄに対して、基板１０の左右両側に配置された第２端面洗浄ブラシ６２を前後方向（前記他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂ間の方向）に相対的に移動させる。これにより、基板１０の一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄを、基板１０の左右両側に配置された一対の第２端面洗浄ブラシ６２によって洗浄することができる（第２端面洗浄工程）。
第１端面洗浄ブラシ６０及び第２端面洗浄ブラシ６２としては、基板の洗浄に一般的に用いられるスクラブブラシ等を用いることができる。例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジからなるスクラブブラシを用いることができる。また、ブラシの形状は特に制限するものではなく、例えばロール状あるいはシート状のスクラブブラシを用いることが可能である。例えば、特開２０００−２４６１８７号公報等に開示された回転するロール状のスクラブブラシを用いることができる。また、第１端面洗浄ブラシ６０及び第２端面洗浄ブラシ６２は、互いに異なるブラシを用いてもよいし、同一のブラシを用いてもよい。
なお、上記第１端面洗浄工程及び第２端面洗浄工程では、一方の組の対向する端面１４ｃ、１４ｄ、及び、他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂをそれぞれ第２支持具３０によって挟んでいる例について説明したが、これらの端面を第１支持具２０によって挟むようにしてもよい。
第１端面洗浄工程及び第２端面洗浄工程によって基板１０の端面１４（１４ａ〜１４ｄ）を洗浄した後、第２支持具３０から第１支持具２０へ基板１０を持ち替える。
第１支持具２０へ基板１０を持ち替えた後、図７（ｄ）に示すように、第１洗浄ブラシ４０を用いて基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄する（第１洗浄工程）。
第１洗浄工程において、第１支持具２０は、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡ内を挟んでいる。第１洗浄ブラシ４０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を通過する位置に設けられている。そして、基板１０及び第１洗浄ブラシ４０の少なくとも一方を前後方向に移動させることによって、基板１０の下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を第１洗浄ブラシ４０によって洗浄することができる。
第１洗浄工程において、第１支持具２０は、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡ内を挟んでいる。第１洗浄ブラシ４０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を通過する位置に設けられている。そして、基板１０及び第１洗浄ブラシ４０の少なくとも一方を前後方向に移動させることによって、基板１０の下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を第１洗浄ブラシ４０によって洗浄することができる。
第１洗浄工程において、第１支持具２０は、基板１０の端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡを挟んで２つに分かれている外側領域ＳＡの両方を挟むことによって基板１０を支持している。このように２つの領域において第１支持具２０が基板１０を挟むことによって、基板１０の下側主表面１２ｂを洗浄している間、基板１０をより安定的に支持することができる。
第１洗浄ブラシ４０を用いて基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄した後、第１支持具２０から第２支持具３０へ基板１０を持ち替える。
第２支持具３０へ基板１０を持ち替えた後、図７（ｅ）に示すように、第２洗浄ブラシ５０を用いて基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄する（第２洗浄工程）。
第２洗浄工程において、第２支持具３０は、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡ内を挟んでいる。第２洗浄ブラシ５０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域を除いた領域Ｒ２を通過する位置に設けられている。そして、基板１０及び第２洗浄ブラシ５０の少なくとも一方を前後方向に移動させることによって、基板１０の下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域を除いた領域Ｒ２を第２洗浄ブラシ５０によって洗浄することができる。
第２洗浄工程において、第２支持具３０は、基板１０の他方の組の対向する端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡ内を挟んでいる。第２洗浄ブラシ５０は、下側の主表面１２ｂとの間で相対的に（前後方向に）移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域を除いた領域Ｒ２を通過する位置に設けられている。そして、基板１０及び第２洗浄ブラシ５０の少なくとも一方を前後方向に移動させることによって、基板１０の下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域を除いた領域Ｒ２を第２洗浄ブラシ５０によって洗浄することができる。
第２支持具３０から第１支持具２０へ基板１０を持ち替えるときには、第２支持具３０によって基板１０を挟んで支持している状態で、第１支持具２０によって基板１０を挟んで支持した後、第２支持具３０による基板１０の支持を解除することで、第２支持具３０から第１支持具２０へ基板１０を受け渡すようにするのが好ましい。基板１０をこのように受け渡すことによって、基板１０をステージ上に載置することなく第２支持具３０から第１支持具２０へ受け渡すことができるために、例えばステージに付着している異物が基板１０に移動することを防止することができる。
また、第１支持具２０から第２支持具３０へ基板１０を持ち替えるときには、第１支持具２０によって基板１０を挟んで支持している状態で、第２支持具３０によって基板１０を挟んで支持した後、第１支持具２０による基板１０の支持を解除することで、第１支持具２０から第２支持具３０へ基板１０を受け渡すようにするのが好ましい。基板１０をこのように受け渡すことによって、基板１０をステージ上に載置することなく第１支持具２０から第２支持具３０へ受け渡すことができるために、例えばステージに付着している異物が基板１０に移動することを防止することができる。
第１洗浄工程及び第２洗浄工程において、基板１０の下側の主表面１２ｂを第１洗浄ブラシ４０あるいは第２洗浄ブラシ５０によって洗浄している間、基板１０の上側の主表面１２ａに向かって噴射ノズル等によって洗浄液を供給してもよい。これにより、基板１０の上側の主表面１２ａが乾燥して、その上側の主表面１２へ異物が固着することを防止することができる。なお、基板１０の上側の主表面１２ａに供給する洗浄液としては、純水（例えば、超純水、純水、イオン交換水等）を用いるのが好ましく、アンモニア水溶液やＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）水溶液等のアルカリ性溶液を適用するとより好ましい。また、基板の上側の主表面１２ａ上にパターン形成用の薄膜や転写パターンが形成された薄膜が設けられている場合においては、薄膜の静電破壊の発生を抑制するために、洗浄液には導電性を持たせることが望まれ、たとえば炭酸水などが好ましい。
第２洗浄ブラシ５０を用いて基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄した後、図７（ｆ）に示すように、基板１０の１組の対向する主表面１２ａ、１２ｂの上下位置を維持した状態で、基板１０を回転ステージ（スピンチャック）に載置する。つぎに、基板１０を回転ステージによって所定の回転数で回転させながら、基板１０の上方に配置した噴射ノズルから基板１０の上側の主表面１２ａに向けて洗浄液を噴射する。これにより、基板１０の上側の主表面１２ａを洗浄することができる（上側主表面洗浄工程）。
基板１０の上側の主表面１２ａに噴射する洗浄液は、上側の主表面１２ａ上にパターン形成用の薄膜が設けられているかどうか等、洗浄する対象物に応じて適宜選定すればよい。洗浄液としては、例えば、超純水、純水、イオン交換水、炭酸水、硫酸過水、アンモニア過水、水素ガス溶解水、Ｏ２ガス溶解水、Ｏ３ガス溶解水、希ガス溶解水、Ｎ２ガス溶解水等を用いることもできる。また、これらの洗浄液に超音波を印加して噴射したり、スプレー状で噴射したりすることもできる。
基板１０の上側の主表面１２ａに洗浄液を噴射している間、下側の主表面１２ｂへの異物の移動を防止するために、下側の主表面１２ｂに純水を噴射することが好ましい。
なお、下側の主表面１２ｂに純水を噴射するためには、例えば特開２０１１−２１６５２０号公報に開示されているような、基板１０を回転させるための回転ステージ（スピンチャック）の回転軸に同軸に設けられた噴射ノズルから純水を噴射することが好ましい。これに対して、例えば回転ステージの下方に設けられた噴射ノズルから基板１０の下側の主表面１２ｂに向けて純水を噴射した場合、噴射した純水が回転ステージにぶつかってから下側の主表面１２ｂに到達するため、回転ステージに付着していた異物が下側の主表面１２ｂに移動してしまう恐れがあるので好ましくない。
なお、下側の主表面１２ｂに純水を噴射するためには、例えば特開２０１１−２１６５２０号公報に開示されているような、基板１０を回転させるための回転ステージ（スピンチャック）の回転軸に同軸に設けられた噴射ノズルから純水を噴射することが好ましい。これに対して、例えば回転ステージの下方に設けられた噴射ノズルから基板１０の下側の主表面１２ｂに向けて純水を噴射した場合、噴射した純水が回転ステージにぶつかってから下側の主表面１２ｂに到達するため、回転ステージに付着していた異物が下側の主表面１２ｂに移動してしまう恐れがあるので好ましくない。
なお、基板１０の上側の主表面１２ａをスピン洗浄以外の方法によって洗浄してもよい。例えば、基板１０の上側の主表面１２ａをスクラブブラシによって洗浄してもよい。
基板１０の上側の主表面１２ａを洗浄した後、回転ステージに固定された基板１０を回転させることで基板１０を乾燥させてもよい（スピン乾燥）。
上記実施形態では、第１端面洗浄工程、第２端面洗浄工程、第１洗浄工程、第２洗浄工程、上側主表面洗浄工程の順で基板１０を洗浄する例について説明したが、これ以外の順番で基板１０を洗浄してもよい。例えば、第１洗浄工程、第２洗浄工程、第１端面洗浄工程、第２端面洗浄工程、上側主表面洗浄工程の順で基板１０を洗浄してもよい。ただし、上側主表面洗浄工程は、最後に実施することが好ましい。基板１０の上側の主表面１２ａにはパターン形成用の薄膜等が形成されるため、異物の個数が少ないことが特に強く要求されるためである。
上記実施形態では、第１洗浄工程、第２洗浄工程の順で下側の主表面１２ｂを洗浄する例について説明したが、第２洗浄工程、第１洗浄工程の順で下側の主表面１２ｂを洗浄してもよい。
本実施形態の基板の製造方法によれば、洗浄する領域が互いに重複するように第１洗浄ブラシ４０及び第２洗浄ブラシ５０を配置して基板１０の下側の主表面１２ｂを洗浄することができる。このため、基板１０の下側の主表面１２ｂをまんべんなく洗浄することができる。その結果、上下の主表面１２ａ、１２ｂに付着している異物の個数が極めて少ない基板１０を得ることができる。
本実施形態の基板の製造方法によれば、基板１０を反転させることなく、基板１０の上側の主表面１２ａ及び下側の主表面１２ｂを洗浄することができる。このため、一方の主表面に付着していた異物が他方の主表面に移動することがなくなるため、上下の主表面１２ａ、１２ｂに付着している異物の個数が極めて少ない基板１０を得ることができる。
本発明は、以下に説明するように、基板洗浄装置１００として構成することもできる。
図３、図４に示すように、基板洗浄装置１００は、第１支持具２０、第２支持具３０、第１洗浄ブラシ４０、及び第２洗浄ブラシ５０を有している。
第１支持具２０及び第２支持具３０は、１組の対向する端面１４ａ、１４ｂを挟んで基板１０を支持する。
第１洗浄ブラシ４０及び第２洗浄ブラシ５０は、下側の主表面１２ｂに対して、１組の対向する端面１４ａ、１４ｂ間の方向（前後方向）に相対的に移動して、下側の主表面１２ｂを洗浄する。
図３、図４に示すように、基板洗浄装置１００は、第１支持具２０、第２支持具３０、第１洗浄ブラシ４０、及び第２洗浄ブラシ５０を有している。
第１支持具２０及び第２支持具３０は、１組の対向する端面１４ａ、１４ｂを挟んで基板１０を支持する。
第１洗浄ブラシ４０及び第２洗浄ブラシ５０は、下側の主表面１２ｂに対して、１組の対向する端面１４ａ、１４ｂ間の方向（前後方向）に相対的に移動して、下側の主表面１２ｂを洗浄する。
第１支持具２０は、端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡを除いた外側領域ＳＡ内を挟む。
第１洗浄ブラシ４０は、第１支持具２０によって基板１０を支持した状態で下側の主表面１２ｂとの間で相対的に移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を通過する位置に設けられている。
第１洗浄ブラシ４０は、第１支持具２０によって基板１０を支持した状態で下側の主表面１２ｂとの間で相対的に移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を通過する位置に設けられている。
第２支持具３０は、端面１４ａ、１４ｂの長辺方向における中央側領域ＣＡ内を挟む。
第２洗浄ブラシ５０は、第２支持具３０によって基板１０を支持した状態で下側の主表面１２ｂとの間で相対的に移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を除いた領域Ｒ２を通過する位置に設けられている。
第２洗浄ブラシ５０は、第２支持具３０によって基板１０を支持した状態で下側の主表面１２ｂとの間で相対的に移動したときに、下側の主表面１２ｂにおける端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡに挟まれる領域Ｒ１を除いた領域Ｒ２を通過する位置に設けられている。
基板洗浄装置１００は、第１支持具２０によって基板１０を挟んで支持している状態で、第２支持具３０によって基板１０を挟んで支持した後、第１支持具２０による基板１０の支持を解除することで、第１支持具２０から第２支持具３０へ基板１０を受け渡す機構を有することが好ましい。あるいは、基板洗浄装置１００は、第２支持具３０によって基板１０を挟んで支持している状態で、第１支持具２０によって基板１０を挟んで支持した後、第２支持具３０による基板１０の支持を解除することで、第２支持具３０から第１支持具２０へ基板１０を受け渡す機構を有することが好ましい。
第１支持具２０は、基板１０の前方側及び後方側に配置された２つの腕部２２を有している。
２つの腕部２２は、それぞれ、端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡを除いた２つの領域である外側領域ＳＡのうち、一方の領域内に当接する第１当接部２４ａと、他方の領域内に当接する第２当接部２４ｂを有することが好ましい。このように２つの当接部２４ａ、２４ｂを有することにより、第１支持具２０によって基板１０をより安定的に支持することができる。
２つの腕部２２は、それぞれ、端面１４ａ、１４ｂの中央側領域ＣＡを除いた２つの領域である外側領域ＳＡのうち、一方の領域内に当接する第１当接部２４ａと、他方の領域内に当接する第２当接部２４ｂを有することが好ましい。このように２つの当接部２４ａ、２４ｂを有することにより、第１支持具２０によって基板１０をより安定的に支持することができる。
基板洗浄装置１００は、第１支持具２０または第２支持具３０とともに前後方向に移動しながら、基板１０の上側の主表面１２ａに向かって洗浄液を供給する洗浄液供給器を有することが好ましい。このような洗浄液供給器としては、例えば洗浄液を噴射する噴射ノズルを用いることが好ましい。このような洗浄液を噴射する噴射ノズルを用いることにより、基板１０の上側の主表面１２ａに異物等が固着することを防止することができる。
本発明の基板の製造方法または基板洗浄装置は、特に、露光光にＥＵＶ光を用いる反射型マスクブランク用の基板に対して好適に適用することができる。反射型マスクブランクは、下側の主表面に静電チャック用の導電性膜が形成されることが多いため、下側の主表面に付着した異物の個数が少ないことが特に強く要求されるためである。
本発明の基板の製造方法によって得られたガラス基板の表面に、パターンを形成するための薄膜を形成する。これにより、転写用マスクを製造するためのマスクブランクを得ることができる。なお、ガラス基板への薄膜の形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
本発明の基板の製造方法によって得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することによって、転写用マスクを得ることができる。なお、マスクブランクの薄膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
本発明の基板の製造方法によって得られたガラス基板の表面に、露光光を反射する多層反射膜を形成する。これにより、反射型マスクブランクを製造するための多層反射膜付きガラス基板を得ることができる。なお、ガラス基板への多層反射膜の形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
また、このようにして得られた多層反射膜付きガラス基板に吸収体膜を形成することによって、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランクを得ることができる。なお、多層反射膜付きガラス基板への吸収体膜の形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
また、このようにして得られた多層反射膜付きガラス基板に吸収体膜を形成することによって、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランクを得ることができる。なお、多層反射膜付きガラス基板への吸収体膜の形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
本発明の基板の製造方法によって得られた反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成することによって、反射型マスクを得ることができる。なお、反射型マスクブランクの吸収体膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
本発明の基板の製造方法は、以下の（１）〜（５）に示すマスクブランクや反射型マスクブランクに適用することができる。
（１）遷移金属を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜（パターン形成用の薄膜）を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた３層構造としたものなどがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
（１）遷移金属を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜（パターン形成用の薄膜）を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた３層構造としたものなどがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
（２）遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料からなる光半透過膜を備えた位相シフトマスクブランク
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板（ガラス基板）上に光半透過膜（パターン形成用の薄膜）を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜（遮光帯）とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板（ガラス基板）上に光半透過膜（パターン形成用の薄膜）を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜（遮光帯）とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
前記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものであって、所定の位相差（例えば１８０度）を有するものである。この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。
この光半透過膜は、例えば遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイドを含む）の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
レベンソン型位相シフトマスクは、バイナリマスクブランクと同様の構成のマスクブランクから作製されるため、パターン形成用の薄膜の構成については、バイナリマスクブランクの遮光膜と同様である。エンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものではあるが、透過する露光光に生じさせる位相差が小さい膜（例えば、位相差が３０度以下。好ましくは０度。）であり、この点が、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜とは異なる。この光半透過膜の材料は、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素を含むが、各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率と所定の小さな位相差となるように調整される。
（３）遷移金属、遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
この遮光膜（パターン形成用の薄膜）は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び／又はホウ素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層（ＭｏＳｉ等）と表面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）を加えた３層構造がある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
この遮光膜（パターン形成用の薄膜）は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び／又はホウ素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層（ＭｏＳｉ等）と表面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）を加えた３層構造がある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
また、レジスト膜の膜厚を薄膜化して微細パターンを形成するために、遮光膜上にエッチングマスク膜を有する構成としてもよい。このエッチングマスク膜は、遷移金属シリサイドを含む遮光膜のエッチングに対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物からなる材料で構成することが好ましい。このとき、エッチングマスク膜に反射防止機能を持たせることにより、遮光膜上にエッチングマスク膜を残した状態で転写用マスクを作製してもよい。
（４）１以上の半透過膜と遮光膜との積層構造を備えた多階調マスクブランク
半透過膜（パターン形成用の薄膜）の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素のほか、クロム、タンタル、チタン、アルミニウムなどの金属単体や合金あるいはそれらの化合物を含む材料も含まれる。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜（パターン形成用の薄膜）の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能（光学濃度）となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
半透過膜（パターン形成用の薄膜）の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素のほか、クロム、タンタル、チタン、アルミニウムなどの金属単体や合金あるいはそれらの化合物を含む材料も含まれる。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜（パターン形成用の薄膜）の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能（光学濃度）となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
また、上記（１）〜（４）において、透光性基板（ガラス基板）と遮光膜との間、又は光半透過膜と遮光膜との間に、遮光膜や光半透過膜に対してエッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー膜は、エッチングストッパー膜をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができる材料としてもよい。
（５）高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる多層反射膜上に吸収体膜を備える反射型マスクブランク
反射型マスクは、ＥＵＶリソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜（パターン形成用の薄膜）がパターン状に形成された構造を有する。露光装置に搭載された反射型マスクに入射した光（ＥＵＶ光）は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
反射型マスクは、ＥＵＶリソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜（パターン形成用の薄膜）がパターン状に形成された構造を有する。露光装置に搭載された反射型マスクに入射した光（ＥＵＶ光）は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
多層反射膜は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成される。多層反射膜の例としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択することができる。
吸収体膜は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、さらにＯとＮの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、ＴａとＨｆを含む材料、ＴａとＨｆとＮを含む材料、ＴａとＺｒを含む材料、ＴａとＺｒとＮを含む材料、等を用いることができる。ＴａにＢやＳｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、ＴａにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。
反射型マスクは、露光装置のマスクステージに装着される際、基板の多層反射膜が形成されていない側の主表面（裏面側の主表面）を静電チャックする場合が多い。基板自体の導電性が低い場合、裏面側の主表面に導電性膜を形成することが多い。この導電性膜は、静電チャックが可能な程度の導電性が確保できる金属系材料であればよい。導電性膜は、クロムを含有する材料や、タンタルを含有する材料が好ましい。
以下、本発明のより具体的な実施例および比較例について説明する。
［実施例１］
実施例１では、まず、大きさが約１５２．１ｍｍ×約１５２．１ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍの合成石英ガラスからなる基板を６０枚準備した。
つぎに、準備した基板の上側の主表面に存在する欠陥の位置座標と大きさを、マスクブランクス欠陥検査装置（レーザーテック株式会社製、「Ｍ６６４０」）を用いて測定した。
［実施例１］
実施例１では、まず、大きさが約１５２．１ｍｍ×約１５２．１ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍの合成石英ガラスからなる基板を６０枚準備した。
つぎに、準備した基板の上側の主表面に存在する欠陥の位置座標と大きさを、マスクブランクス欠陥検査装置（レーザーテック株式会社製、「Ｍ６６４０」）を用いて測定した。
つぎに、上記で説明した基板洗浄装置１００を用いて、基板の洗浄を行った。
基板の洗浄は、以下の順番で行った。
（１）第１洗浄工程
（２）第２洗浄工程
（３）上側主表面洗浄工程
（４）スピン乾燥工程
基板の洗浄は、以下の順番で行った。
（１）第１洗浄工程
（２）第２洗浄工程
（３）上側主表面洗浄工程
（４）スピン乾燥工程
上記（１）第１洗浄工程では、基板１０の上側の主表面１２ａに対して噴射ノズルを用いて純水を供給しつつ、下側の主表面１２ｂを第１洗浄ブラシ４０を用いて洗浄した。
上記（２）第２洗浄工程では、基板１０の上側の主表面１２ａに対して噴射ノズルを用いて純水を供給しつつ、下側の主表面１２ｂを第２洗浄ブラシ５０を用いて洗浄した。
上記（２）第２洗浄工程では、基板１０の上側の主表面１２ａに対して噴射ノズルを用いて純水を供給しつつ、下側の主表面１２ｂを第２洗浄ブラシ５０を用いて洗浄した。
上記（３）上側主表面洗浄工程では、基板の上側の主表面１２ａに対して超音波を印加した純水を供給して洗浄を行った（メガソニック洗浄）。なお、上側の主表面１２ａを洗浄している間、下側の主表面１２ｂに対して、基板１０を回転させるための回転テーブルの回転軸に同軸に設けられた噴射ノズルから純水を噴射した。
上記（４）スピン乾燥工程では、回転テーブルを用いて基板１０を回転させることで乾燥を行った。
上記（４）スピン乾燥工程では、回転テーブルを用いて基板１０を回転させることで乾燥を行った。
上記（１）〜（４）の工程によって基板の洗浄を行った後、基板の上側の主表面に存在する欠陥の座標を、上記と同じマスクブランクス欠陥検査装置を用いて測定した。そして、洗浄前後における基板の欠陥の座標を照合することによって、洗浄後に増加した欠陥の大きさと個数を測定した。
［実施例２］
実施例２では、合成石英ガラスからなる基板の代わりに、合成石英ガラスにモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）の化合物からなる遮光膜が形成された透過型マスクブランクからなる基板を用いた以外は、実施例１と同様の条件で基板の洗浄及び欠陥の個数の測定を行った。
実施例２では、合成石英ガラスからなる基板の代わりに、合成石英ガラスにモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）の化合物からなる遮光膜が形成された透過型マスクブランクからなる基板を用いた以外は、実施例１と同様の条件で基板の洗浄及び欠陥の個数の測定を行った。
［比較例１］
比較例１では、基板の下側の主表面を洗浄した後に、基板の上下位置を１８０度反転させた以外は、実施例１と同様の条件で基板の洗浄及び欠陥の個数の測定を行った。
比較例１では、基板の下側の主表面を洗浄した後に、基板の上下位置を１８０度反転させた以外は、実施例１と同様の条件で基板の洗浄及び欠陥の個数の測定を行った。
［比較例２］
比較例２では、合成石英ガラスからなる基板の代わりに、合成石英ガラスにモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）の化合物からなる遮光膜が形成された透過型マスクブランクからなる基板を用いた以外は、比較例１と同様の条件で基板の洗浄及び欠陥の個数の測定を行った。この遮光膜には、基板側から、下層（ＭｏＳｉＮ 膜組成の原子％比 Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝９．９：６６．１：２４．０）と上層（ＭｏＳｉＮ 膜組成の原子％比 Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝７．５：５０．５：４２．０）の積層構造のものを適用した。なお、各層の膜組成は、ラザフォード後方散乱分析法によって測定された値である。
比較例２では、合成石英ガラスからなる基板の代わりに、合成石英ガラスにモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）の化合物からなる遮光膜が形成された透過型マスクブランクからなる基板を用いた以外は、比較例１と同様の条件で基板の洗浄及び欠陥の個数の測定を行った。この遮光膜には、基板側から、下層（ＭｏＳｉＮ 膜組成の原子％比 Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝９．９：６６．１：２４．０）と上層（ＭｏＳｉＮ 膜組成の原子％比 Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝７．５：５０．５：４２．０）の積層構造のものを適用した。なお、各層の膜組成は、ラザフォード後方散乱分析法によって測定された値である。
以下の表１に、実施例１及び比較例１の結果を示し、表２に、実施例２及び比較例２の結果を示す。なお、表１及び表２では、６０枚の基板について測定された欠陥の個数の平均値を、欠陥のサイズ毎に示している。
実施例１の結果を見れば分かる通り、本発明の基板の製造方法によって得られた合成石英ガラスからなる基板では、全体の欠陥の個数の平均値が０．２７であり、欠陥の個数が極めて少ない結果となった。
実施例２の結果を見れば分かる通り、本発明の基板の製造方法によって得られた透過型マスクブランクからなる基板では、全体の欠陥の個数の平均値が０．３５であり、欠陥の個数が極めて少ない結果となった。
実施例２の結果を見れば分かる通り、本発明の基板の製造方法によって得られた透過型マスクブランクからなる基板では、全体の欠陥の個数の平均値が０．３５であり、欠陥の個数が極めて少ない結果となった。
比較例１の結果を見れば分かる通り、合成石英ガラスからなる基板の下側の主表面を洗浄した後に基板を１８０度反転させた場合には、全体の欠陥の個数の平均値が０．６２であり、欠陥の個数が多い結果となった。
比較例２の結果を見れば分かる通り、透過型マスクブランクからなる基板の下側の主表面を洗浄した後に基板を１８０度反転させた場合には、全体の欠陥の個数の平均値が０．８７であり、欠陥の個数が多い結果となった。
比較例２の結果を見れば分かる通り、透過型マスクブランクからなる基板の下側の主表面を洗浄した後に基板を１８０度反転させた場合には、全体の欠陥の個数の平均値が０．８７であり、欠陥の個数が多い結果となった。
１０ 基板
１２（１２ａ、１２ｂ） 主表面
１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ） 端面
２０ 第１支持具
２２ 腕部
２４ａ 第１当接部
２４ｂ 第２当接部
３０ 第２支持具
４０ 第１洗浄ブラシ
５０ 第２洗浄ブラシ
６０ 第１端面洗浄ブラシ
６２ 第２端面洗浄ブラシ
１００ 基板洗浄装置
１２（１２ａ、１２ｂ） 主表面
１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ） 端面
２０ 第１支持具
２２ 腕部
２４ａ 第１当接部
２４ｂ 第２当接部
３０ 第２支持具
４０ 第１洗浄ブラシ
５０ 第２洗浄ブラシ
６０ 第１端面洗浄ブラシ
６２ 第２端面洗浄ブラシ
１００ 基板洗浄装置
Claims (13)
- １組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を準備する工程と、
いずれか１組の対向する端面を第１支持具によって挟んで基板を支持し、下側の主表面に対して第１洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第１洗浄工程と、
前記１組の対向する端面を第２支持具によって挟んで基板を支持し、前記下側の主表面に対して第２洗浄ブラシを前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動させて前記下側の主表面を洗浄する第２洗浄工程とを有し、
前記第１支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域を除いた外側領域内を挟むものであり、
前記第１洗浄ブラシは、前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を通過する位置に設けられており、
前記第２支持具は、前記端面の長辺方向における前記中央側領域内を挟むものであり、
前記第２洗浄ブラシは、前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を除いた領域を通過する位置に設けられている
ことを特徴とする基板の製造方法。 - 前記第１支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第２支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第１支持具による基板の支持を解除することで、前記第１支持具から第２支持具へ基板を受け渡す工程を有することを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
- 前記第２支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第１支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第２支持具による基板の支持を解除することで、前記第２支持具から第１支持具へ基板を受け渡す工程を有することを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
- 前記第１支持具は、前記端面の中央側領域を挟んで２つに分かれている前記外側領域の両方を挟むことで基板を支持することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 第１洗浄工程および第２洗浄工程において、前記基板における上側の主表面に向かって洗浄液を供給することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 第１洗浄工程および第２洗浄工程の後に、前記基板における１組の対向する主表面の上下位置を維持した状態で前記基板を回転ステージに載置し、前記基板の上側の主表面に向かって洗浄液を供給しながら前記基板を回転させることで、前記基板の上側の主表面を洗浄する工程を有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 第１洗浄工程および第２洗浄工程の前に、２組の対向する端面を洗浄する端面洗浄工程を有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の基板の製造方法。
- 前記端面洗浄工程は、
前記対向する２組の端面のうち、一方の組の対向する端面を第１支持具または第２支持具で挟んで基板を支持し、他方の組の対向する端面に対して、端面洗浄ブラシを前記一方の組の対向する端面間の方向に相対的に移動させ、前記他方の組の対向する端面を洗浄する工程と、
前記他方の組の対向する端面を第１支持具または第２支持具で挟んで基板を支持し、一方の組の対向する端面に対して、端面洗浄ブラシを前記他方の組の対向する端面間の方向に相対的に移動させ、前記一方の組の対向する端面を洗浄する工程と
を有することを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。 - １組の対向する主表面を有し、かつ２組の対向する端面を有する基板を洗浄する装置であって、
１組の対向する端面を挟んで基板を支持する第１支持具および第２支持具と、
下側の主表面に対して、前記１組の対向する端面間の方向に相対的に移動して下側の主表面を洗浄する第１洗浄ブラシおよび第２洗浄ブラシを有し、
前記第１支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域を除いた外側領域内を挟むものであり、
前記第１洗浄ブラシは、第１支持具によって基板を支持した状態で前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を通過する位置に設けられており、
前記第２支持具は、前記端面の長辺方向における中央側領域内を挟むものであり、
前記第２洗浄ブラシは、第２支持具によって基板を支持した状態で前記下側の主表面との間で相対的に移動したときに、前記下側の主表面における前記端面の中央側領域に挟まれる領域を除いた領域を通過する位置に設けられている
ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 第２支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第１支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第２支持具による基板の支持を解除することで、前記第２支持具から第１支持具へ基板を受け渡す機構を有することを特徴とする請求項９記載の基板洗浄装置。
- 第１支持具によって基板を挟んで支持している状態で、前記第２支持具によって基板を挟んで支持した後、前記第１支持具による基板の支持を解除することで、前記第１支持具から第２支持具へ基板を受け渡す機構を有することを特徴とする請求項９記載の基板洗浄装置。
- 前記第１支持具は、２つの腕部からなり、
前記各腕部は、前記端面の中央側領域を除いた２つの領域である外側領域のうち、一方の領域内に当接する第１当接部と、他方の領域内に当接する第２当接部を有することを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 前記第１支持具または第２支持具とともに移動しながら、前記基板における上側の主表面に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給器を有することを特徴とする請求項９から１２のいずれかに記載の基板洗浄装置。
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| JP2003084258A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法および製造装置 |
| JP2007053154A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Pre-Tech Co Ltd | マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法 |
-
2012
- 2012-08-27 JP JP2012186337A patent/JP5950759B2/ja active Active
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