JP5950514B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5950514B2 JP5950514B2 JP2011177126A JP2011177126A JP5950514B2 JP 5950514 B2 JP5950514 B2 JP 5950514B2 JP 2011177126 A JP2011177126 A JP 2011177126A JP 2011177126 A JP2011177126 A JP 2011177126A JP 5950514 B2 JP5950514 B2 JP 5950514B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- alignment
- photoelectric conversion
- metal
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 271
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 271
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 97
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 19
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 62
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 47
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 28
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000013461 design Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 101100433757 Arabidopsis thaliana ABCG32 gene Proteins 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 101000896027 Rattus norvegicus 3-hydroxyacyl-CoA dehydrogenase Proteins 0.000 description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 101100345318 Arabidopsis thaliana MFP2 gene Proteins 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 102200104802 rs13406336 Human genes 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
特許文献1には、分離領域を形成し、分離領域をアライメントの基準にして、光電変換素子を形成することが開示されている。また、特許文献1には、分離領域をアライメントの基準にして、ゲート層を形成すること、このゲート層をアライメントの基準にして各コンタクトプラグ層を形成することが開示されている。更に、カラーフィルタを形成する際にはゲート層を基準にして位置合わせを行うこと、オンチップレンズ(マイクロレンズ)を形成する際には、カラーフィルタを基準にして位置合わせをすることが開示されている。
かかるかい離は、複数の光電変換素子同士の間隔(画素ピッチ)が微細になればなるほど、例えば、クロストークの発生や感度の低下など、光電変換装置の性能の低下を招くと考えられる。
そこで本発明は、光電変換素子に対するマイクロレンズの位置が高精度に制御された光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
半導体基板100としてシリコン基板を用いた光電変換装置1に関して、図3、図4、図5および図6を相互に参照しながら、光電変換装置1の製造方法の第1実施形態の一例を典型的な工程順に説明する。図1、図2(a)及び図2(b)と同一の構成については、同一の符号を付し説明を省略する。
本実施形態では、第4金属層240の形成方法が、第1実施形態とは異なる。他の構成部材の形成方法は、第1実施形態と同様のものを採用することができるため、説明を省略する。具体的には、第3金属層230の形成までは、第1実施形態の工程a〜工程g−3と同様に行うことができ、中間膜400の形成以降も、第1実施形態の工程h、工程iと同様に行うことができる。したがって、第1実施形態の工程g−4の代わりに行われる工程としての工程jのみを説明する。図7は、図6と同様に、製造工程において使用するフォトマスクと、それらの各製造工程間の関係を示している。
本実施形態では、金属構造体の形成方法が、第1実施形態および第2実施形態とは異なる。特に、第4金属層240の第4金属配線242をダマシン法を用いて形成する点が異なる。本例では、第1〜第3金属層もダマシン法を用いて形成しているが、第1実施形態と同様の方法を採用することもできる。第1金属プラグ211の形成までは、第1実施形態の工程a〜工程fと同様に行うことができ、中間膜400の形成以降も、第1実施形態の工程h、工程iと同様に行うことができる。したがって、第1実施形態の工程g−1、工程g−2、工程g−3の代わりに行われる工程k−1、工程k−2、工程k−3を簡単に説明し、工程g−4の代わりに行われる工程k−4を詳細に説明する。図9は、図6と同様に、製造工程において使用するフォトマスクと、それらの各製造工程間の関係を示している。
ウエハ1000の上(第3絶縁層330及び第3金属配線232の上)に第4絶縁層340を形成する(図8(k−4a)。第4絶縁層340を形成した後、必要に応じてリフロー法やCMP法、エッチバック法等を用いて第1絶縁層310を平坦化することができる。あるいは、第4絶縁層340をSOG(Spin On Glass)法によって形成してもよい。第4絶縁層340には、酸化シリコンを主成分とする材料を好ましく用いることができ、例えば、酸化シリコンや、BPSG、BSG、PSGなどが挙げられ、酸化シリコンを特に好ましく用いることができる。
本実施形態は、第1、第2、第3実施形態のそれぞれに適用が可能であるが、第1実施形態を例に挙げて、図4、5、7および図10を用いて説明する。
本実施形態は、本発明による製造方法が特に有効な光電変換装置の例である。本実施形態の一例を図11を用いて説明する。図11(a)は本実施形態における1つの画素の平面図であり、図11(b)は図11(a)のE−F線における受光ユニット11の断面図である。
第1実施形態では、いわゆる表面照射型のCMOSセンサについて説明したが、本実施形態は、いわゆる裏面照射型のCMOSセンサの形態である。図12は本実施形態の、図1(a)のA−B線における受光ユニット11の断面図である。
100 半導体基板
1000 半導体ウエハ
110 分離領域
111 分離絶縁体
120 活性領域
130 光電変換素子
155 ゲート電極
210 第1金属層
220 第2金属層
230 第3金属層(第N−1金属層)
240 第4金属層(第N金属層)
500 カラーフィルタ
600 マイクロレンズ
Claims (12)
- 半導体ウエハの活性領域を画定する分離領域を形成する工程と、
前記分離領域によって画定された前記活性領域に光電変換素子を形成する工程と、
前記光電変換素子の上にカラーフィルタを形成する工程と、
前記カラーフィルタの上にマイクロレンズを形成する工程と、
を有する光電変換装置の製造方法であって、
前記光電変換素子を形成する工程におけるアライメントおよび前記マイクロレンズを形成する工程におけるアライメントを、前記分離領域を形成する工程で形成されたアライメントマークを基準にして行い、
前記カラーフィルタを形成する工程におけるアライメントを、前記分離領域を形成する工程で形成されたアライメントマーク以外のアライメントマークを基準にして行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記カラーフィルタを形成する工程は、第1の色のカラーフィルタを形成する工程と、第1の色とは異なる第2の色のカラーフィルタを形成する工程を含み、
前記第2の色のカラーフィルタを形成する工程におけるアライメントを、前記第1の色のカラーフィルタを形成する工程で形成されたアライメントマークを基準にして行うことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の色のカラーフィルタは緑色のカラーフィルタであり、前記第2の色のカラーフィルタは青色のカラーフィルタであることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記マイクロレンズを形成する工程では、前記半導体ウエハの前記分離領域が設けられた面の側に前記マイクロレンズを形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記半導体ウエハの上に金属プラグを形成するプラグ形成段階と、前記金属プラグに接続し、前記マイクロレンズに対して最も近くに配される金属配線を形成する配線形成段階を有し、
前記プラグ形成段階におけるアライメントを、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークを基準にして行い、前記配線形成段階におけるアライメントを、前記プラグ形成段階で形成されたアライメントマークを基準にして行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハの上に設けられるN層(N≧2)の金属層の内、前記マイクロレンズに対して最も近くに配される第N金属層を形成する工程を有し、
前記第N金属層を形成する工程において、前記第N金属層の金属配線の形成にトレンチ形成段階を含むダマシン法を用い、前記トレンチ形成段階におけるアライメントを、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークを基準にして行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハの上に設けられるN層(N≧2)の金属層の内、前記マイクロレンズに対して最も近くに配される第N金属層を形成する工程を有し、
前記第N金属層を形成する工程において、前記第N金属層の金属プラグおよび金属配線の形成にビアホール形成段階とトレンチ形成段階を含むデュアルダマシン法を用い、前記ビアホール形成段階におけるアライメントを、第N−1金属層を形成する工程で形成されたアライメントマークを基準にして行い、前記トレンチ形成段階におけるアライメントを、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークを基準にして行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記前記半導体ウエハの上にトランジスタの制御電極を形成する工程におけるアライメントを、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークを基準にして行い、
前記トランジスタに接続する第1金属層を形成する工程におけるアライメントを、前記制御電極を形成する工程で形成されたアライメントマークを基準にして行い、
前記第1金属層に接続する第2金属層を形成する工程におけるアライメントを、前記第1金属層を形成する工程で形成されたアライメントマークを基準にして行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記カラーフィルタを形成する工程において、前記カラーフィルタは、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークの上の少なくとも一部に設けられないように形成し、
前記マイクロレンズを形成する工程における前記アライメントを、前記カラーフィルタを介さずに、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークを検出して行うことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記光電変換素子を形成する工程において、前記光電変換素子を、各々が別々に信号電荷を生成及び蓄積するように隔離部を介して互いに分離した複数の光電変換部を有するように形成し、
前記マイクロレンズを形成する工程において、前記マイクロレンズを、前記マイクロレンズの光軸が前記隔離部に対応するように形成することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記分離領域を形成する工程で第1テストマークを形成し、
前記マイクロレンズを形成する工程で第2テストマークを形成し、
前記マイクロレンズを形成する工程の後、前記第1テストマークと前記第2テストマークとの相対的位置関係を測定し、前記相対的位置関係が許容範囲外であった場合に、前記マイクロレンズを除去してから、前記光電変換素子の上にマイクロレンズを再形成することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハを、各々が、前記分離領域を形成する工程で形成された前記アライメントマークが形成されたマーク部と、前記光電変換素子が形成された受光部とを有する、複数のチップに分割することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177126A JP5950514B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 光電変換装置の製造方法 |
CN201210278323.8A CN102956654B (zh) | 2011-08-12 | 2012-08-07 | 光电转换装置的制造方法 |
US13/569,640 US9054002B2 (en) | 2011-08-12 | 2012-08-08 | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177126A JP5950514B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041940A JP2013041940A (ja) | 2013-02-28 |
JP2013041940A5 JP2013041940A5 (ja) | 2014-09-25 |
JP5950514B2 true JP5950514B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=47677778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177126A Expired - Fee Related JP5950514B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9054002B2 (ja) |
JP (1) | JP5950514B2 (ja) |
CN (1) | CN102956654B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6238558B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム。 |
JP6119432B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-04-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および製造方法 |
US20150062422A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Lens alignment in camera modules using phase detection pixels |
JP6305028B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-04-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
JP2016001682A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6362478B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
KR102414038B1 (ko) * | 2015-09-16 | 2022-06-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 전송 게이트를 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US9484373B1 (en) * | 2015-11-18 | 2016-11-01 | Omnivision Technologies, Inc. | Hard mask as contact etch stop layer in image sensors |
KR102462912B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2022-11-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 전송 게이트를 갖는 이미지 센서 |
JP7289079B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2023-06-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
KR102593949B1 (ko) * | 2018-07-25 | 2023-10-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102523851B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2023-04-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 더미 픽셀들을 포함하는 이미지 센싱 장치 |
KR102615669B1 (ko) * | 2018-12-11 | 2023-12-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
US20220384515A1 (en) * | 2019-11-08 | 2022-12-01 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element and imaging device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3120778B2 (ja) * | 1998-04-20 | 2000-12-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその検査方法および製造方法 |
JP2001250931A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Canon Inc | 固体撮像装置およびこれを用いた撮像システム |
JP4500434B2 (ja) | 2000-11-28 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法 |
JP4221940B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2009-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像装置並びに撮像システム |
JP3722367B2 (ja) | 2002-03-19 | 2005-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
KR100499174B1 (ko) * | 2003-06-17 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 이미지 소자 |
US7295375B2 (en) * | 2005-08-02 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Injection molded microlenses for optical interconnects |
KR100791336B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2008-01-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
JP4598047B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2010-12-15 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7588993B2 (en) * | 2007-12-06 | 2009-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Alignment for backside illumination sensor |
US8183510B2 (en) * | 2008-02-12 | 2012-05-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
KR20090128899A (ko) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 후면 조사 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP5568969B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
-
2011
- 2011-08-12 JP JP2011177126A patent/JP5950514B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-07 CN CN201210278323.8A patent/CN102956654B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-08 US US13/569,640 patent/US9054002B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9054002B2 (en) | 2015-06-09 |
JP2013041940A (ja) | 2013-02-28 |
US20130040415A1 (en) | 2013-02-14 |
CN102956654A (zh) | 2013-03-06 |
CN102956654B (zh) | 2016-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5950514B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
US7648851B2 (en) | Method of fabricating backside illuminated image sensor | |
US8736006B1 (en) | Backside structure for a BSI image sensor device | |
TWI463645B (zh) | 影像感測器中之彩色濾光片陣列對準標記形成 | |
US8790954B2 (en) | Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor | |
USRE46836E1 (en) | Imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus | |
KR20180016699A (ko) | 이미지 센서 | |
JP6362478B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US20170236854A1 (en) | Backside illuminated (bsi) image sensor with a reflector | |
KR101010375B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
US9312292B2 (en) | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof | |
JP4905760B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、固体撮像素子の製造方法およびこれを用いた固体撮像素子 | |
JP2004134790A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
US8318579B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
US7883923B2 (en) | Method for manufacturing image sensor | |
JP2013004686A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US20240120357A1 (en) | Image sensor | |
KR100802303B1 (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
JP2007199386A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 | |
KR20070029447A (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140808 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140808 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160607 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5950514 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |