JP5945262B2 - Printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、プリント配線板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a printed wiring board and a manufacturing method thereof.

プリント配線板としては、可撓性基板の表裏面に導電パターンを配設したフレキシブルプリント配線板、硬質基板を用いたリジッドプリント配線板、硬質基板と可撓性基板とを積層したリジッドフレキシブルプリント配線板等が公知である。   As a printed wiring board, a flexible printed wiring board having conductive patterns disposed on the front and back surfaces of a flexible board, a rigid printed wiring board using a rigid board, and a rigid flexible printed wiring in which a rigid board and a flexible board are laminated. Plates and the like are known.

かかるプリント配線板としては、基材の一方の面に第1導電層が形成されると共に基板の他方の面に第2導電層が形成される両面プリント配線板がある。この両面プリント配線板では、一般的に第1導電層及び第2導電層同士がブラインドビアホール等のインタースティシャルビアホールを介して接続されることがある。   As such a printed wiring board, there is a double-sided printed wiring board in which a first conductive layer is formed on one surface of a base material and a second conductive layer is formed on the other surface of the substrate. In this double-sided printed wiring board, generally, the first conductive layer and the second conductive layer may be connected to each other through an interstitial via hole such as a blind via hole.

このインタースティシャルビアホールは、例えば第1導電層及び基材を貫通すると共に第2導電層と接触するものである。このようなインタースティシャルビアホールは、ビアホール用孔の内面に電解めっきを施すこと(特開2006−114787号公報参照)、又はビアホール用孔にビア導電ペーストを充填した後に焼成すること(特開2008−103548号公報、特開2001−345555号公報参照)により形成される。   For example, the interstitial via hole penetrates the first conductive layer and the base material and contacts the second conductive layer. Such an interstitial via hole is subjected to electrolytic plating on the inner surface of the via hole (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114787), or fired after filling the via hole with a via conductive paste (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-2008). -103548 and JP-A-2001-345555).

特開2006−114787号公報JP 2006-114787 A 特開2008−103548号公報JP 2008-103548 A 特開2001−345555号公報JP 2001-345555 A

しかし、電解メッキによりビアホールを形成する場合、メッキ過程において、ビアホール用孔の下部(第2導電層の表面)から成長したメッキが第1導電層に接触すると、この第1導電層にも電力が供給される。そのため、第1導電層の表面に金属が析出して第1導電層の厚みが大きくなり、細線配線の形成が困難となるおそれがある。このような不都合は、第1導電層の表面に被覆層を形成することで防止することができる。ところが、第1導電層の表面に被覆層を形成することは、ビアホールの形成工程の複雑化、ひいてはプリント配線板の製造工程の複雑化を招来し、生産性を悪化させる。   However, when forming a via hole by electrolytic plating, if plating grown from the lower part of the via hole (the surface of the second conductive layer) contacts the first conductive layer in the plating process, power is also applied to the first conductive layer. Supplied. For this reason, metal is deposited on the surface of the first conductive layer, the thickness of the first conductive layer is increased, and it may be difficult to form the fine wire. Such inconvenience can be prevented by forming a coating layer on the surface of the first conductive layer. However, the formation of the coating layer on the surface of the first conductive layer leads to a complicated process for forming the via hole and a complicated manufacturing process for the printed wiring board, thereby deteriorating the productivity.

これに対して、導電ペーストによりビアホールを形成する場合、第1導電層の表面に被覆層を形成しなくとも厚み増大が抑制される。しかし、導電ペーストを充填するときに、ビアホール用孔や導電ペースト内に気泡が残存していると、ビアホール用孔への導電ペーストの充填が不十分となるおそれがある。このような導電ペーストの充填の不十分さは、ビアホールと第2導電層との接続不良の原因となり、特にビアホール用孔の径が小さくなるほど、かつ深さが大きくなるほど生じやすくなる。そこで、ビアホール用孔に導電ペーストを十分に充填するためには、ビアホール用孔や導電ペースト内に残された気泡を抜き取る脱泡工程が必要となる。この脱泡工程を行うためには、ペースト充填を真空状態で行うことができる真空印刷機等に対する設備投資が必要となる。また、ビアホールの形成工程の度に、容器の真空引き及び大気開放を繰り返す必要があるために生産性が低下する。   On the other hand, when a via hole is formed with a conductive paste, an increase in thickness is suppressed without forming a coating layer on the surface of the first conductive layer. However, if bubbles remain in the via hole or the conductive paste when the conductive paste is filled, the conductive paste may not be sufficiently filled in the via hole. Such insufficient filling of the conductive paste causes poor connection between the via hole and the second conductive layer, and is particularly likely to occur as the diameter of the via hole decreases and the depth increases. Therefore, in order to sufficiently fill the via hole with the conductive paste, a defoaming step for extracting bubbles remaining in the via hole and the conductive paste is necessary. In order to perform this defoaming step, it is necessary to make an investment in a vacuum printing machine or the like that can perform paste filling in a vacuum state. Further, productivity is reduced because it is necessary to repeatedly evacuate the container and release the atmosphere every time the via hole is formed.

本発明は、上記のような不都合に鑑みてなされたものであり、インタースティシャルビアホールを効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性に優れるプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above inconveniences, an interstitial via hole can be efficiently formed, and a printed wiring board excellent in electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer, and its An object is to provide a manufacturing method.

本発明のプリント配線板は、基材と、この基材の一方の面に形成される第1導電層と、上記基材の他方の面に形成される第2導電層と、上記基材を貫通しかつ上記第1導電層及び上記第2導電層を電気的に接続するインタースティシャルビアホールとを備え、上記インタースティシャルビアホールが導電粒子を含有し、上記導電粒子の平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下であり、上記導電粒子のアスペクト比が2以上20以下である。   The printed wiring board of the present invention comprises a substrate, a first conductive layer formed on one surface of the substrate, a second conductive layer formed on the other surface of the substrate, and the substrate. An interstitial via hole that penetrates and electrically connects the first conductive layer and the second conductive layer. The interstitial via hole contains conductive particles, and the average particle size of the conductive particles is 0.00. 5 μm or more and 5.0 μm or less, and the aspect ratio of the conductive particles is 2 or more and 20 or less.

本発明の配線板の製造方法は、基材の一方の面に形成される第1導電層と上記基材の他方の面に形成される第2導電層とを電気的に接続するインタースティシャルビアホールを備えるプリント配線板の製造方法であって、ビアホール用有底孔を形成する工程と、このビアホール用有底孔に導電粒子及びバインダーを含む導電ペーストを充填する工程と、この導電ペーストを硬化させる工程とを備え、上記導電ペーストの粘度が20Pa・s以上95Pa・s以下、チクソトロピー指数が−0.05以上0.50以下であり、上記導電粒子の平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下、アスペクト比が2以上20以下、かつ上記導電粒子と上記バインダーとの質量比が80:20以上96:4である。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes an interstitial that electrically connects a first conductive layer formed on one surface of a substrate and a second conductive layer formed on the other surface of the substrate. A method of manufacturing a printed wiring board including a via hole, the step of forming a bottomed hole for a via hole, the step of filling the bottomed hole for a via hole with a conductive paste containing conductive particles and a binder, and curing the conductive paste A viscosity of the conductive paste of 20 Pa · s to 95 Pa · s, a thixotropy index of −0.05 to 0.50, and an average particle size of the conductive particles of 0.5 μm to 5. 0 μm or less, an aspect ratio of 2 or more and 20 or less, and a mass ratio of the conductive particles to the binder of 80:20 or more and 96: 4.

本発明は、インタースティシャルビアホールを効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性に優れるプリント配線板及びその製造方法を提供することができる。   The present invention can provide a printed wiring board that can efficiently form an interstitial via hole and has excellent electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer, and a method for manufacturing the printed wiring board.

本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の要部を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an important section of a printed wiring board concerning a 1st embodiment of the present invention. 図1のプリント配線板の製造方法を説明するための要部を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the principal part for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board of FIG. 図1のプリント配線板の製造方法を説明するための要部を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the principal part for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board of FIG. 図1のプリント配線板の製造方法を説明するための要部を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the principal part for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board of FIG. 図1のプリント配線板の製造方法を説明するための要部を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the principal part for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board of FIG. 図1のプリント配線板の製造方法を説明するための要部を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the principal part for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board of FIG. 図1のプリント配線板の製造方法を説明するための要部を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the principal part for demonstrating the manufacturing method of the printed wiring board of FIG. 本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の要部を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an important section of a printed wiring board concerning a 2nd embodiment of the present invention.

[本発明の実施形態の説明]
本発明は、基材と、この基材の一方の面に形成される第1導電層と、上記基材の他方の面に形成される第2導電層と、上記基材を貫通しかつ上記第1導電層及び上記第2導電層を電気的に接続するインタースティシャルビアホールとを備え、上記インタースティシャルビアホールが導電粒子を含有し、上記導電粒子の平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下であり、上記導電粒子のアスペクト比が2以上20以下のプリント配線板である。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
The present invention includes a base material, a first conductive layer formed on one surface of the base material, a second conductive layer formed on the other surface of the base material, and penetrating the base material. 4. an interstitial via hole that electrically connects the first conductive layer and the second conductive layer, the interstitial via hole contains conductive particles, and the average particle size of the conductive particles is 0.5 μm or more. The printed wiring board has an aspect ratio of 2 or more and 20 or less.

当該プリント配線板は、インタースティシャルビアホールが導電粒子を含有し、この導電粒子の平均粒径及びアスペクト比が上記範囲であることで、インタースティシャルビアホールを形成する導電ペーストが、ビアホール用孔へ充填するときに好適な流動性を発揮する。これにより、インタースティシャルビアホールを導電ペーストにより形成するときのビアホール用孔への導電ペーストの充填性が向上する。そのため、当該プリント配線板は、ビアホール用孔や導電ペーストに気泡が残存することを抑制でき、脱泡工程を行うことなくインタースティシャルビアホールを形成することが可能となる。つまり、インタースティシャルビアホールを真空状態で形成することを不要とすることが可能となる。その結果、当該プリント配線板は、脱泡工程を実行するための設備投資を不要とでき、また真空状態及び大気開放状態を繰り返す必要もないことから生産性を向上できる。さらに、ビアホール用孔や導電ペーストへの気泡の残存が抑制されることで、インタースティシャルビアホールと第2導電層との密着性を高めることができるため電気的な接続信頼性を向上させることができる。従って、当該プリント配線板は、インタースティシャルビアホールを効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと第1導電層及び第2導電層との電気的接続信頼性に優れる。   In the printed wiring board, when the interstitial via hole contains conductive particles, and the average particle diameter and aspect ratio of the conductive particles are within the above ranges, the conductive paste forming the interstitial via hole is transferred to the via hole. Excellent fluidity when filling. Thereby, the filling property of the conductive paste into the via hole when the interstitial via hole is formed of the conductive paste is improved. Therefore, the printed wiring board can suppress bubbles from remaining in the via hole and the conductive paste, and can form an interstitial via hole without performing a defoaming step. That is, it becomes possible to eliminate the need to form the interstitial via hole in a vacuum state. As a result, the printed wiring board can eliminate the need for capital investment for performing the defoaming step, and can improve productivity because it is not necessary to repeat the vacuum state and the open air state. Furthermore, since the adhesion of the interstitial via hole and the second conductive layer can be improved by suppressing the remaining bubbles in the via hole and the conductive paste, the electrical connection reliability can be improved. it can. Therefore, the printed wiring board can efficiently form interstitial via holes and is excellent in electrical connection reliability between the interstitial via holes and the first conductive layer and the second conductive layer.

上記インタースティシャルビアホールがバインダーをさらに含有するとよい。上記導電粒子と上記バインダーとの質量比としては80:20以上96:4以下が好ましい。このように導電粒子とバインダーとの質量比を上記範囲とすることで、インタースティシャルビアホールの導電性を十分に確保できると共に、インタースティシャルビアホールを形成するときの導電ペーストの流動性及びインタースティシャルビアホールの熱膨張率を適切化することができる。これにより、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性を高めることをできる。   The interstitial via hole may further contain a binder. The mass ratio of the conductive particles to the binder is preferably from 80:20 to 96: 4. Thus, by setting the mass ratio of the conductive particles to the binder within the above range, the conductivity of the interstitial via hole can be sufficiently ensured, and the fluidity and interstitials of the conductive paste when forming the interstitial via hole can be ensured. The thermal expansion coefficient of the Char Beer hole can be made appropriate. Thereby, the electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer can be improved.

上記インタースティシャルビアホールが導電ペーストを硬化させることで形成されるとよい。上記導電ペーストのチクソトロピー指数としては、−0.05以上0.50以下が好ましい。このようにチクソトロピー指数が上記範囲の導電ペーストによれば、導電ペーストをスクリーン印刷等により塗工するとき(高剪断時)に導電ペーストがビアホール用孔に充填されるのに好適な流動性を確保できる。一方、導電ペーストの充填後(低剪断時)に適度な粘性を発揮することができるため、導電ペーストがビアホール用孔に充填された状態が適切に維持される。そのため、インタースティシャルビアホールを形成するときのビアホール用孔への導電ペーストの充填性がより向上すると共にビアホール用孔や導電ペーストへの混入や残存を抑制できる。その結果、インタースティシャルビアホールをより効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性をより向上させることができる。   The interstitial via hole may be formed by curing the conductive paste. The thixotropy index of the conductive paste is preferably −0.05 or more and 0.50 or less. Thus, according to the conductive paste having a thixotropy index in the above range, when the conductive paste is applied by screen printing or the like (during high shear), the fluidity suitable for filling the conductive paste into the via hole is ensured. it can. On the other hand, an appropriate viscosity can be exhibited after filling the conductive paste (at the time of low shear), so that the state where the conductive paste is filled in the via hole is appropriately maintained. Therefore, the filling property of the conductive paste into the via hole when the interstitial via hole is formed can be further improved, and mixing and remaining in the via hole and the conductive paste can be suppressed. As a result, the interstitial via hole can be formed more efficiently and the electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer can be further improved.

上記導電ペーストの粘度としては20Pa・s以上95Pa・s以下が好ましい。このように粘度が上記範囲の導電ペーストによれば、インタースティシャルビアホールを形成するときのビアホール用孔への導電ペーストの充填性がさらに向上する。そのため、インタースティシャルビアホールをさらに効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性をさらに向上させることができる。   The viscosity of the conductive paste is preferably 20 Pa · s to 95 Pa · s. Thus, according to the conductive paste having a viscosity in the above range, the filling property of the conductive paste into the via hole when the interstitial via hole is formed is further improved. Therefore, the interstitial via hole can be formed more efficiently and the electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer can be further improved.

上記基材の厚み方向における熱膨張率としては、上記インタースティシャルビアホールの上記熱膨張率の0.1倍以上10倍以下が好ましい。このように基材の熱膨張率がインタースティシャルビアホールの熱膨張率に対して0.1倍以上10倍であることで、インタースティシャルビアホール及び基材が熱膨張又は熱収縮するときにこれらの界面に作用する応力を小さくすることができる。その結果、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性をより向上させることができる。   The coefficient of thermal expansion in the thickness direction of the substrate is preferably 0.1 to 10 times the coefficient of thermal expansion of the interstitial via hole. As described above, when the thermal expansion coefficient of the base material is 0.1 to 10 times the thermal expansion coefficient of the interstitial via hole, the interstitial via hole and the base material undergo thermal expansion or contraction. The stress acting on the interface can be reduced. As a result, the reliability of electrical connection between the interstitial via hole and the conductive layer can be further improved.

上記インタースティシャルビアホールが導電ペーストを用いるスクリーン印刷により形成されるとよい。このように導電ペーストをスクリーン印刷することによりインタースティシャルビアホールを形成するようにすれば、スキージを移動させることで導電ペースト中の導電粒子の長軸がスキージの移動方向に配向させられるものと考えられる。これにより、導電粒子相互の接触面積を大きく確保し、インタースティシャルビアホールの抵抗、及びこのインタースティシャルビアホールと導体との接触抵抗を小さくすることが可能となる。その結果、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性をより向上させることができる。   The interstitial via hole may be formed by screen printing using a conductive paste. If the interstitial via hole is formed by screen-printing the conductive paste in this way, the long axis of the conductive particles in the conductive paste can be oriented in the moving direction of the squeegee by moving the squeegee. It is done. Thereby, it is possible to secure a large contact area between the conductive particles, and to reduce the resistance of the interstitial via hole and the contact resistance between the interstitial via hole and the conductor. As a result, the reliability of electrical connection between the interstitial via hole and the conductive layer can be further improved.

上記インタースティシャルビアホールがビアホール用有底孔に形成されるブラインドビアホールであるとよい。上記ビアホール用有底孔の内径としては40μm以上100μm以下が好ましい。上記有底孔ビアホール用の深さとしては20μm以上50μm以下が好ましい。当該プリント配線板は、インタースティシャルビアホールが形成される有底孔の内径及び深さが上記範囲であっても、有底孔への導電ペーストの充填性を十分に確保することができる。そのため、当該プリント配線は、配線が微細化されることでインタースティシャルビアホールが小型化される場合であっても、インタースティシャルビアホールを効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性を確保することができる。   The interstitial via hole may be a blind via hole formed in a bottomed hole for a via hole. The inner diameter of the bottomed hole for via hole is preferably 40 μm or more and 100 μm or less. The depth for the bottomed hole via hole is preferably 20 μm or more and 50 μm or less. The printed wiring board can sufficiently ensure the filling property of the conductive paste into the bottomed hole even if the inner diameter and depth of the bottomed hole in which the interstitial via hole is formed are in the above range. Therefore, the printed wiring can efficiently form the interstitial via hole even if the interstitial via hole is miniaturized by reducing the wiring, and the interstitial via hole and the conductive layer can be formed. Electrical connection reliability can be ensured.

本発明は、基材の一方の面に形成される第1導電層と上記基材の他方の面に形成される第2導電層とを電気的に接続するインタースティシャルビアホールを備えるプリント配線板の製造方法であって、ビアホール用有底孔を形成する工程と、このビアホール用有底孔に導電粒子及びバインダーを含む導電ペーストを充填する工程と、この導電ペーストを硬化させる工程とを備え、上記導電ペーストの粘度が20Pa・s以上95Pa・s以下、チクソトロピー指数が−0.05以上0.50以下であり、上記導電粒子の平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下、アスペクト比が2以上20以下であり、かつ上記導電粒子と上記バインダーとの質量比が80:20以上96:4以下のプリント配線板の製造方法を含む。   The present invention relates to a printed wiring board comprising an interstitial via hole that electrically connects a first conductive layer formed on one surface of a substrate and a second conductive layer formed on the other surface of the substrate. A method of forming a bottomed hole for via holes, a step of filling the bottomed hole for via holes with a conductive paste containing conductive particles and a binder, and a step of curing the conductive paste, The conductive paste has a viscosity of 20 Pa · s to 95 Pa · s, a thixotropic index of −0.05 to 0.50, an average particle size of the conductive particles of 0.5 μm to 5.0 μm, and an aspect ratio of And a method for producing a printed wiring board having a mass ratio of 2 to 20 and the conductive particles and the binder of 80:20 to 96: 4.

当該製造方法では、ビアホール用有底孔に充填される導電ペーストとして、平均粒径及びアスペクト比が上記範囲である導電粒子を含有するものを使用することで、ビアホール用孔や導電ペーストに気泡が残存することを抑制でき、脱泡工程を行うことなくインタースティシャルビアホールを形成することが可能となる。つまり、インタースティシャルビアホールを真空状態で形成することを不要とすることが可能となる。その結果、当該製造方法は、脱泡工程を実行するための設備投資を不要とでき、また真空状態及び大気開放状態を繰り返す必要もないことからインタースティシャルビアホールを効率良く形成できる。さらに、ビアホール用孔や導電ペーストへの気泡の混入や残存が抑制されることで、インタースティシャルビアホールと第2導電層との密着性を高めることができるため、電気的な接続信頼性に優れるプリント配線板を提供できる。また、導電ペーストの粘度及びチクソトロピー指数が上記範囲であることで、ビアホール用有底孔への導電ペーストの充填性をより向上させることができる。さらに、導電ペーストとして導電粒子とバインダーとの質量比が上記範囲であることで、インタースティシャルビアホールの導電性をより十分に確保できると共に、インタースティシャルビアホールの熱膨張率を適切化することができる。従って、当該製造方法は、インタースティシャルビアホールを効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性に優れるプリント配線板を提供できる。   In the manufacturing method, as the conductive paste filled in the bottomed hole for via holes, the conductive paste containing conductive particles having an average particle diameter and an aspect ratio in the above range is used, whereby bubbles are formed in the via hole and the conductive paste. It is possible to suppress the remaining, and it is possible to form an interstitial via hole without performing a defoaming step. That is, it becomes possible to eliminate the need to form the interstitial via hole in a vacuum state. As a result, the manufacturing method can eliminate the need for capital investment for performing the defoaming step, and can efficiently form interstitial via holes because it is not necessary to repeat the vacuum state and the air release state. Furthermore, since the admixture between the interstitial via hole and the second conductive layer can be improved by suppressing the mixing and remaining of bubbles in the via hole and the conductive paste, the electrical connection reliability is excellent. A printed wiring board can be provided. Moreover, the filling property of the electrically conductive paste to the bottomed hole for via holes can be further improved because the viscosity and thixotropy index of the electrically conductive paste are in the above ranges. Furthermore, as the conductive paste has a mass ratio between the conductive particles and the binder in the above range, the interstitial via hole can be more sufficiently secured and the coefficient of thermal expansion of the interstitial via hole can be optimized. it can. Therefore, the manufacturing method can efficiently form the interstitial via hole, and can provide a printed wiring board having excellent electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer.

ここで、「インタースティシャルビアホール」とは、ブラインドビアホール及びベリードビアホールを含む概念である。「平均粒径」は、レーザ回折法で測定した累積分布から算出されるメディアン径(D50)又はメーカーの公称値である。「粘度」は、JIS−Z8803:2011に準拠して測定した値である。この粘度は、例えばコーンプレート型粘度計(東機産業社の「TV22形粘度計」:コーンNo.7)を用い、回転数1rpm(せん断速度2s−1)、25℃の条件下で測定することができる。「熱膨張率」は、JIS−R3251「低膨張ガラスのレーザ干渉法による線膨張率の測定法」:1995に準拠して測定した値である。この熱膨張率は、例えばレーザー熱膨張計(アルバック理工社の「LIX−2L型」)を用いて測定することができる。 Here, the “interstitial via hole” is a concept including a blind via hole and a buried via hole. The “average particle diameter” is a median diameter (D50) calculated from a cumulative distribution measured by a laser diffraction method or a manufacturer's nominal value. “Viscosity” is a value measured according to JIS-Z8803: 2011. This viscosity is measured using, for example, a cone plate viscometer (“TV22 viscometer” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd .: Cone No. 7) under the conditions of a rotation speed of 1 rpm (shear speed 2 s −1 ) and 25 ° C. be able to. “Thermal expansion coefficient” is a value measured according to JIS-R3251 “Measurement method of linear expansion coefficient by laser interference method of low expansion glass”: 1995. This coefficient of thermal expansion can be measured using, for example, a laser thermal dilatometer (“LIX-2L type” manufactured by ULVAC-RIKO).

また、「チクソトロピー指数」は、下記式(1)で算出される値である。
チクソトロピー指数=log(η1/η2)/log(D2/D1)・・・(1)
D1(せん断速度):2s−1 (回転数1rpm)
D2(せん断速度):20s−1(回転数10rpm)
η1:せん断速度D1のときの導電ペーストの粘度
η2:せん断速度D2のときの導電ペーストの粘度
The “thixotropy index” is a value calculated by the following formula (1).
Thixotropic index = log (η1 / η2) / log (D2 / D1) (1)
D1 (shear rate): 2 s −1 (rotation speed 1 rpm)
D2 (shear rate): 20 s −1 (rotation speed: 10 rpm)
η1: Viscosity of conductive paste at shear rate D1 η2: Viscosity of conductive paste at shear rate D2

[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明のプリント配線板及びその製造方法について図面を参照しつつ説明する。
[Details of the embodiment of the present invention]
Hereinafter, the printed wiring board and the manufacturing method thereof of the present invention will be described with reference to the drawings.

[第1実施形態]
図1のプリント配線板1は、フレキシブル両面プリント配線板として構成されたものである。このプリント配線板1は、基材2、第1導電層3、第2導電層4、第1カバーレイ5、第2カバーレイ6、ビアホール用有底孔7及びブラインドビアホール8を備える。
[First Embodiment]
The printed wiring board 1 of FIG. 1 is configured as a flexible double-sided printed wiring board. The printed wiring board 1 includes a substrate 2, a first conductive layer 3, a second conductive layer 4, a first cover lay 5, a second cover lay 6, a via hole bottomed hole 7, and a blind via hole 8.

<基材>
基材2は、第1導電層3及び第2導電層4が積層されるものである。この基材2は、絶縁性及び可撓性を有する。基材2は、ビアホール用有底孔7を構成する貫通孔20を有する。
<Base material>
The base material 2 is formed by laminating the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4. This base material 2 has insulation and flexibility. The base material 2 has a through hole 20 that constitutes the bottomed hole 7 for a via hole.

基材2としては、樹脂フィルムを採用可能である。この樹脂フィルムとしては、例えばポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。   As the substrate 2, a resin film can be employed. Examples of the resin film include a polyimide film and a polyethylene terephthalate film.

基材2の平均厚みは、特に限定されるものではない。この基材2の平均厚みの下限としては、5μmが好ましく、10μmがより好ましい。基材2の平均厚みの上限としては、100μmが好ましく、50μmがより好ましい。基材2の平均厚みが上記下限未満であると、基材2の強度が不十分となるおそれがある。一方、基材2の平均厚みが上記上限を超えると、薄型化の要請に反するおそれがあると共にフレキシブル性を損なうおそれがある。なお、平均厚みとは、任意の十点で測定した厚みの平均値として定義される。基材2以外の要素について平均厚みという場合には同様に定義される。   The average thickness of the base material 2 is not particularly limited. As a minimum of average thickness of this substrate 2, 5 micrometers is preferred and 10 micrometers is more preferred. As an upper limit of the average thickness of the base material 2, 100 micrometers is preferable and 50 micrometers is more preferable. There exists a possibility that the intensity | strength of the base material 2 may become inadequate that the average thickness of the base material 2 is less than the said minimum. On the other hand, if the average thickness of the substrate 2 exceeds the above upper limit, it may be against the request for thinning and the flexibility may be impaired. The average thickness is defined as an average value of thicknesses measured at arbitrary ten points. In the case of an average thickness for elements other than the base material 2, it is defined similarly.

基材2の厚み方向における熱膨張率の下限としては、ブラインドビアホール8の熱膨張率の0.1倍が好ましく、0.5倍がより好ましい。基材2の熱膨張率の下限としてはさらに、10ppm/℃が好ましく、20ppm/℃がより好ましい。基材2の上記熱膨張率の上限としては、ブラインドビアホール8の熱膨張率の10倍が好ましく、5倍がより好ましい。基材2の熱膨張率の上限としてはさらに、200ppm/℃が好ましく、150ppm/℃がより好ましい。基材2の熱膨張率が上記下限未満、又は上記上限を超えると、ブラインドビアホール8に対する基材2の熱膨張率の差が大きくなりすぎるおそれがある。その結果、基材2及びブラインドビアホール8が熱膨張又は熱収縮するときに、これらの界面に作用する応力を十分に小さくすることができず、基材2とブラインドビアホール8との電気的接続信頼性が低下するおそれがある。   The lower limit of the thermal expansion coefficient in the thickness direction of the substrate 2 is preferably 0.1 times the thermal expansion coefficient of the blind via hole 8, and more preferably 0.5 times. The lower limit of the coefficient of thermal expansion of the substrate 2 is further preferably 10 ppm / ° C, more preferably 20 ppm / ° C. The upper limit of the thermal expansion coefficient of the substrate 2 is preferably 10 times the thermal expansion coefficient of the blind via hole 8, and more preferably 5 times. The upper limit of the coefficient of thermal expansion of the substrate 2 is further preferably 200 ppm / ° C, more preferably 150 ppm / ° C. If the coefficient of thermal expansion of the substrate 2 is less than the above lower limit or exceeds the above upper limit, the difference in the coefficient of thermal expansion of the substrate 2 with respect to the blind via hole 8 may be too large. As a result, when the base material 2 and the blind via hole 8 are thermally expanded or contracted, the stress acting on these interfaces cannot be sufficiently reduced, and the electrical connection reliability between the base material 2 and the blind via hole 8 can be reduced. May decrease.

<第1導電層>
第1導電層3は、基材2の一方の面(図1の基材2における上方側の面)に積層されている。この第1導電層3は、所定の平面視形状にパターン形成されていると共に貫通孔30を有している。第1導電層3を形成する材料としては、導電性を有する材料、例えば銅、銀、アルミ、ニッケル、これらの1種以上を含む合金が挙げられ、中でも、導電性、耐久性等の観点からは銅が好ましい。
<First conductive layer>
The first conductive layer 3 is laminated on one surface of the substrate 2 (the upper surface of the substrate 2 in FIG. 1). The first conductive layer 3 is patterned in a predetermined plan view shape and has a through hole 30. Examples of the material for forming the first conductive layer 3 include materials having conductivity, such as copper, silver, aluminum, nickel, and alloys containing one or more of these materials. Among these, from the viewpoint of conductivity, durability, and the like. Is preferably copper.

第1導電層3の平均厚みは、特に限定されるものではない。第1導電層3の平均厚みの下限としては、2μmが好ましく、5μmがより好ましい。第1導電層3の平均厚みの上限としては、30μmが好ましく、50μmがより好ましい。第1導電層3の平均厚みが上記下限未満であると、導電性が不十分となるおそれがある。一方、第1導電層3の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板のフレキシブル性を損なうおそれがある。   The average thickness of the first conductive layer 3 is not particularly limited. The lower limit of the average thickness of the first conductive layer 3 is preferably 2 μm and more preferably 5 μm. The upper limit of the average thickness of the first conductive layer 3 is preferably 30 μm and more preferably 50 μm. There exists a possibility that electroconductivity may become inadequate that the average thickness of the 1st conductive layer 3 is less than the said minimum. On the other hand, if the average thickness of the first conductive layer 3 exceeds the above upper limit, the flexibility of the printed wiring board may be impaired.

<第2導電層>
第2導電層4は、基材2の他方の面(図1の基材2における下方側の面)に積層されている。この第2導電層4は、所定の平面視形状にパターン形成されている。第2導電層4を形成する材料としては、第1導電層3と同様なものが挙げられる。また、第2導電層4の平均厚みは、第1導電層3と同様とされる。
<Second conductive layer>
The second conductive layer 4 is laminated on the other surface of the substrate 2 (the lower surface of the substrate 2 in FIG. 1). The second conductive layer 4 is patterned in a predetermined plan view shape. Examples of the material for forming the second conductive layer 4 include the same materials as those for the first conductive layer 3. The average thickness of the second conductive layer 4 is the same as that of the first conductive layer 3.

<第1カバーレイ>
第1カバーレイ5は、第1導電3を保護するものであり、基材2の一方の面側に積層されている。この第1カバーレイ5は、カバーフィルム50及び接着剤層51を備える。
<First coverlay>
The first coverlay 5 protects the first conductive 3 and is laminated on one surface side of the substrate 2. The first coverlay 5 includes a cover film 50 and an adhesive layer 51.

(カバーフィルム)
カバーフィルム50は、可撓性を有するものであり、絶縁性を有することが好ましい。カバーフィルム50の主成分としては、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられ、耐熱性の観点からポリイミド樹脂が好ましい。なお、このカバーフィルム50は、主成分以外の他の樹脂、耐候剤、帯電防止剤等が含有されていてもよい。
(Cover film)
The cover film 50 is flexible and preferably has an insulating property. Examples of the main component of the cover film 50 include polyimide resin, epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, polyester resin, thermoplastic polyimide resin, polyethylene terephthalate resin, fluororesin, and liquid crystal polymer. Resins are preferred. The cover film 50 may contain a resin other than the main component, a weathering agent, an antistatic agent, and the like.

カバーフィルム50の平均厚みは、特に限定はない。カバーフィルム50の平均厚みの下限としては、3μmが好ましく、10μmがより好ましい。カバーフィルム50の平均厚みの上限としては、500μmが好ましく、150μmがより好ましい。カバーフィルム50の平均厚みが上記下限未満であると、第1導電3の保護が不十分となるおそれがある。一方、カバーフィルム50の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板1のフレキシブル性が低下するおそれがある。   The average thickness of the cover film 50 is not particularly limited. As a minimum of average thickness of cover film 50, 3 micrometers is preferred and 10 micrometers is more preferred. The upper limit of the average thickness of the cover film 50 is preferably 500 μm, and more preferably 150 μm. There exists a possibility that protection of the 1st electroconductivity 3 may become inadequate that the average thickness of the cover film 50 is less than the said minimum. On the other hand, when the average thickness of the cover film 50 exceeds the upper limit, the flexibility of the printed wiring board 1 may be reduced.

(接着剤層)
接着剤層51は、カバーフィルム50に積層され、このカバーフィルム50を基材2及び第1導電層3に接着するものである。この接着剤層51としては、特に限定されるものではないが、柔軟性や耐熱性に優れたものが好ましく、例えばポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
(Adhesive layer)
The adhesive layer 51 is laminated on the cover film 50 and adheres the cover film 50 to the substrate 2 and the first conductive layer 3. Although it does not specifically limit as this adhesive bond layer 51, The thing excellent in the softness | flexibility and heat resistance is preferable, for example, a polyamide resin, an epoxy resin, a butyral resin, an acrylic resin etc. are mentioned.

接着剤層51の厚みは、特に限定されない。接着剤層51の平均厚みの下限としては、12.5μmが好ましく、15μmがより好ましい。接着剤層51の平均厚みの上限としては、75μmが好ましく、50μmがより好ましい。接着剤層51の平均厚みが上記下限未満であると接着強度を十分に確保でないおそれがある。一方、接着剤層51の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板1のフレキシブル性を損なうおそれがある。   The thickness of the adhesive layer 51 is not particularly limited. As a minimum of average thickness of adhesive bond layer 51, 12.5 micrometers is preferred and 15 micrometers is more preferred. The upper limit of the average thickness of the adhesive layer 51 is preferably 75 μm, and more preferably 50 μm. If the average thickness of the adhesive layer 51 is less than the above lower limit, the adhesive strength may not be sufficiently ensured. On the other hand, if the average thickness of the adhesive layer 51 exceeds the above upper limit, the flexibility of the printed wiring board 1 may be impaired.

<第2カバーレイ>
第2カバーレイ6は、第2導電層4を保護するものであり、基材2の他方の面側に積層されている。このカバーレイ6は、カバーフィルム60及び接着剤層61を備える。
<Second coverlay>
The second coverlay 6 protects the second conductive layer 4 and is laminated on the other surface side of the substrate 2. The coverlay 6 includes a cover film 60 and an adhesive layer 61.

カバーフィルム60及び接着剤層61は、第1カバーレイ5のカバーフィルム50及び接着剤層51と同様なものである。   The cover film 60 and the adhesive layer 61 are the same as the cover film 50 and the adhesive layer 51 of the first coverlay 5.

なお、第1カバーレイ5及び第2カバーレイ6は、カバーフィルム及び接着剤層を備える2層構造に限らず、絶縁性を有し、かつ加熱等により適度な接着性を発揮する単層フィルムであってもよい。   The first cover lay 5 and the second cover lay 6 are not limited to a two-layer structure including a cover film and an adhesive layer, but have a single layer film that has insulating properties and exhibits appropriate adhesiveness by heating or the like. It may be.

<ビアホール用有底孔>
ビアホール用有底孔7は、ブラインドビアホール8が形成されるものである。このビアホール用有底孔7は、第1導電層3及び基材2を貫通すると共に、平面視(横断面)形状が円形かつ縦断面形状が台形のテーパ状に形成されている。ビアホール用有底孔7は、第1導電層3の貫通孔30及び基材2の貫通孔20により内周面が規定され、第2導電層4の表面(基材層2側の面)により底面が規定されている。
<Bottomed hole for via hole>
The bottomed hole 7 for the via hole is where the blind via hole 8 is formed. The bottomed hole 7 for via holes penetrates the first conductive layer 3 and the base material 2 and is formed in a tapered shape having a circular shape in plan view (transverse section) and a trapezoidal shape in vertical section. The bottomed hole 7 for the via hole has an inner peripheral surface defined by the through hole 30 of the first conductive layer 3 and the through hole 20 of the base material 2, and is defined by the surface of the second conductive layer 4 (surface on the base material layer 2 side). The bottom is defined.

ビアホール用有底孔7の内径の下限としては、40μmが好ましく、50μmがより好ましく、60μmがさらに好ましい。ビアホール用有底孔7の内径の上限としては、100μmが好ましく、90μmがより好ましく、80μmがさらに好ましい。ビアホール用有底孔7の内径が上記下限未満であると、ビアホール用有底孔7の形成が困難となるおそれがある。一方、ビアホール用有底孔7の内径が上記上限を超えると、第1導電層3及び第2導電層4を構成する配線の細線化を阻害するおそれがある。ここで、ビアホール用有底孔7の内径とは、ビアホール用有底孔7における最大径(上部開口の径)である。   The lower limit of the inner diameter of the bottomed hole 7 for via holes is preferably 40 μm, more preferably 50 μm, and even more preferably 60 μm. The upper limit of the inner diameter of the bottomed hole 7 for via holes is preferably 100 μm, more preferably 90 μm, and even more preferably 80 μm. If the inner diameter of the bottomed hole for via hole 7 is less than the lower limit, it may be difficult to form the bottomed hole for via hole 7. On the other hand, when the inner diameter of the bottomed hole 7 for via holes exceeds the upper limit, there is a possibility that the thinning of the wirings constituting the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 may be hindered. Here, the inner diameter of the bottomed hole for via hole 7 is the maximum diameter (the diameter of the upper opening) in the bottomed hole for via hole 7.

ビアホール用有底孔7の深さの下限としては、10μmが好ましく、15μmがより好ましく、20μmがさらに好ましい。ビアホール用有底孔7の深さの上限としては、100μmが好ましく、75μmがより好ましく、50μmがさらに好ましい。ビアホール用有底孔7の深さの上記下限未満であると、ビアホール用有底孔7の形成が困難となるおそれがある。一方、ビアホール用有底孔7の深さが上記上限を超えると、第1導電層3及び第2導電層4を構成する配線の細線化を阻害するおそれがある。   As a minimum of the depth of bottomed hole 7 for via holes, 10 micrometers is preferred, 15 micrometers is more preferred, and 20 micrometers is still more preferred. The upper limit of the depth of the bottomed hole 7 for via holes is preferably 100 μm, more preferably 75 μm, and even more preferably 50 μm. If the depth of the bottomed hole 7 for the via hole is less than the lower limit, it may be difficult to form the bottomed hole 7 for the via hole. On the other hand, when the depth of the bottomed hole 7 for the via hole exceeds the above upper limit, there is a possibility that the thinning of the wiring constituting the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 may be hindered.

<ブラインドビアホール>
ブラインドビアホール8は、ビアホール用有底孔7に形成され、第1導電層3と第2導電層4との電気的導通を図るものであり、インタースティシャルビアホールの一例に相当する。このブラインドビアホール8は、フランジ部80、本体部分81及び凹部82を含み、本体部分80において第1導電層3及び基材2を貫通する。
<Blind via hole>
The blind via hole 8 is formed in the bottomed hole 7 for the via hole, and serves to electrically connect the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 and corresponds to an example of an interstitial via hole. The blind via hole 8 includes a flange portion 80, a main body portion 81, and a concave portion 82, and penetrates the first conductive layer 3 and the base material 2 in the main body portion 80.

フランジ部80は、第1導電層3の表面と接触している。本体部分81は、外周面の上部が第1導電層3の貫通孔30の内面と接触し外周面の下部が基材2の貫通孔20の内面と接触する。本体部分81はさらに、底面が第2導電層4の表面と接触している。このように、ブラインドビアホール8は、フランジ部80及び本体部分81の上部が第1導電層3に接触する一方で、本体部分81の底面が第2導電層4に接触することで、第1導電層3と第2導電層4とを電気的に導通する。   The flange portion 80 is in contact with the surface of the first conductive layer 3. In the main body portion 81, the upper part of the outer peripheral surface is in contact with the inner surface of the through hole 30 of the first conductive layer 3, and the lower part of the outer peripheral surface is in contact with the inner surface of the through hole 20 of the substrate 2. The body portion 81 further has a bottom surface in contact with the surface of the second conductive layer 4. As described above, the blind via hole 8 is configured such that the upper portion of the flange portion 80 and the main body portion 81 is in contact with the first conductive layer 3 while the bottom surface of the main body portion 81 is in contact with the second conductive layer 4. The layer 3 and the second conductive layer 4 are electrically connected.

凹部82は、ブラインドビアホール8に変形容易性を付与する。この凹部82は、ブラインドビアホール8の上面の中央部に形成されている。   The recess 82 imparts ease of deformation to the blind via hole 8. The recess 82 is formed at the center of the upper surface of the blind via hole 8.

ブラインドビアホール8は、凹部82を有することで、プリント配線板1が湾曲された際に第1導電層3との接触状態が良好に維持され易い。例えば、プリント配線板1を第1導電層3が外側となるように湾曲させると、第1導電層3側が伸長し第2導電層4側が収縮するよう基材2が変形する。このとき、この基材2の変形に伴ってブラインドビアホール8と第1導電層3とに両者を離間させるような力が作用する。これに対して、プリント配線板1は、ブラインドビアホール8が凹部82を有するので、基材2の変化に伴ってブラインドビアホール8が変形しやすく、ブラインドビアホール8と第1導電層35との両者を離間させるような力を緩和させやすい。このため、プリント配線板1は、ブラインドビアホール8と第1導電層3との接触状態が良好に維持され易い。   The blind via hole 8 has the recess 82, so that the contact state with the first conductive layer 3 is easily maintained well when the printed wiring board 1 is curved. For example, when the printed wiring board 1 is bent so that the first conductive layer 3 is on the outside, the substrate 2 is deformed so that the first conductive layer 3 side is expanded and the second conductive layer 4 side is contracted. At this time, a force is applied to the blind via hole 8 and the first conductive layer 3 along with the deformation of the base material 2 to separate them. On the other hand, in the printed wiring board 1, since the blind via hole 8 has the recess 82, the blind via hole 8 is easily deformed with the change of the base material 2, and both the blind via hole 8 and the first conductive layer 35 are formed. It is easy to relieve the force of separating. For this reason, in the printed wiring board 1, the contact state between the blind via hole 8 and the first conductive layer 3 is easily maintained satisfactorily.

ブラインドビアホール8は、後述するようにビアホール用有底孔7に導電粒子及びバインダーを含有する導電ペーストを充填した後、この導電ペーストを加熱して硬化させることで形成される。そのため、ブラインドビアホール8は、導電粒子及びバインダーを含有する。   As will be described later, the blind via hole 8 is formed by filling the bottomed hole for via hole 7 with a conductive paste containing conductive particles and a binder, and then heating and curing the conductive paste. Therefore, the blind via hole 8 contains conductive particles and a binder.

導電粒子は、ブラインドビアホール8の導電性を確保するものである。導電粒子としては、金属粒子が好適に用いられる。この金属粒子としては、例えば金粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子、半田粒子、銀コート銅粒子等が挙げられる。これらの金属粒子は、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。中でも、導電性の観点からは、銀粒子若しくは銀コート銅粒子を単独で使用し、又は銀粒子と銀コート銅粒子とを併用することが好ましい。   The conductive particles ensure the conductivity of the blind via hole 8. Metal particles are preferably used as the conductive particles. Examples of the metal particles include gold particles, silver particles, copper particles, nickel particles, solder particles, and silver-coated copper particles. These metal particles may be used alone or in combination of two or more. Among these, from the viewpoint of conductivity, it is preferable to use silver particles or silver-coated copper particles alone, or to use silver particles and silver-coated copper particles in combination.

導電粒子の形状としては、例えば板状、扁平球状(球を扁平させた形状)、針状等が挙げられる。導電粒子のアスペクト比の下限は、2であり、好ましくは3、より好ましくは4である。導電粒子のアスペクト比の上限は、20であり、好ましくは15、より好ましくは10である。導電粒子のアスペクト比が上記下限以上かつ上記上限以下であることで、導電ペーストに所望のチクソ性を付与することが可能となる。また、導電粒子のアスペクト比が上記下限未満であると、導電粒子相互の接触面積が小さくなり、ブラインドビアホール8の抵抗が大きくなり過ぎるおそれがある。一方、導電粒子のアスペクト比が上記上限を超えると、バインダーへの導電粒子の分散性が悪化することで導電粒子が偏在し、導通不良が生じるおそれがある。   Examples of the shape of the conductive particles include a plate shape, a flat spherical shape (a shape obtained by flattening a sphere), and a needle shape. The lower limit of the aspect ratio of the conductive particles is 2, preferably 3, and more preferably 4. The upper limit of the aspect ratio of the conductive particles is 20, preferably 15, and more preferably 10. When the aspect ratio of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to impart desired thixotropy to the conductive paste. Moreover, when the aspect ratio of the conductive particles is less than the above lower limit, the contact area between the conductive particles is decreased, and the resistance of the blind via hole 8 may be excessively increased. On the other hand, when the aspect ratio of the conductive particles exceeds the above upper limit, the conductive particles are unevenly distributed due to deterioration of the dispersibility of the conductive particles in the binder, which may cause poor conduction.

導電粒子の平均粒径(D50)の下限は、0.5μmであり、好ましくは0.75μm、より好ましくは1μmである。導電粒子の平均粒径(D50)の上限は、5.0μmであり、好ましくは4.5μm、より好ましくは4.0μmである。導電粒子の平均粒径(D50)が上記下限以上かつ上記上限以下であることで、導電ペーストに所望のチクソ性を付与することが可能となる。また、導電粒子の平均粒径(D50)が上記下限未満であると、導電粒子相互の接触面積が小さくなり、ブラインドビアホール8の抵抗が大きくなり過ぎるおそれがある。一方、導電粒子の平均粒径(D50)が上記上限を超えると、バインダーへの導電粒子の分散性が悪化することで導電粒子が偏在し、導通不良が生じるおそれがある。また、導電粒子の最大粒径(Dmax)としては、14μm以下が好ましい。このように導電粒子の最大粒径(Dmax)が14μm以下であることで、粒度分布がブロード化することを抑制し、粒度分布におけるピーク粒径と平均粒径との差を小さくすることがきる。これにより、ブラインドビアホール8の制御が容易となる。   The lower limit of the average particle diameter (D50) of the conductive particles is 0.5 μm, preferably 0.75 μm, more preferably 1 μm. The upper limit of the average particle diameter (D50) of the conductive particles is 5.0 μm, preferably 4.5 μm, more preferably 4.0 μm. When the average particle diameter (D50) of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, desired thixotropy can be imparted to the conductive paste. Moreover, when the average particle diameter (D50) of the conductive particles is less than the lower limit, the contact area between the conductive particles is decreased, and the resistance of the blind via hole 8 may be excessively increased. On the other hand, when the average particle diameter (D50) of the conductive particles exceeds the above upper limit, the conductive particles are unevenly distributed due to the deterioration of the dispersibility of the conductive particles in the binder, which may cause poor conduction. The maximum particle size (Dmax) of the conductive particles is preferably 14 μm or less. Thus, when the maximum particle size (Dmax) of the conductive particles is 14 μm or less, it is possible to suppress the broadening of the particle size distribution and to reduce the difference between the peak particle size and the average particle size in the particle size distribution. . Thereby, control of the blind via hole 8 becomes easy.

導電粒子の比表面積の下限としては、0.7m/gが好ましく、1m/gがより好ましい。導電粒子の比表面積の上限としては、3.8m/gが好ましく、3m/g以下がより好ましい。導電粒子の比表面積が上記下限以上かつ上記上限以下であることで、導電ペーストに所望のチクソ性を付与することが可能となる。また、導電粒子の比表面積が上記下限未満であると、導電粒子相互の接触面積が小さくなり、ビア抵抗が大きくなり過ぎるおそれがある。一方、導電粒子の比表面積が上記上限を超えると、バインダーへの導電粒子の分散性が悪化することで導電粒子が偏在し、導通不良が生じるおそれがある。 The lower limit of the specific surface area of the conductive particles is preferably 0.7m 2 / g, 1m 2 / g is more preferable. The upper limit of the specific surface area of the conductive particles is preferably 3.8 m 2 / g, more preferably 3 m 2 / g or less. When the specific surface area of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to impart desired thixotropy to the conductive paste. Further, if the specific surface area of the conductive particles is less than the above lower limit, the contact area between the conductive particles becomes small, and the via resistance may be excessively increased. On the other hand, when the specific surface area of the conductive particles exceeds the above upper limit, the conductive particles are unevenly distributed due to deterioration of the dispersibility of the conductive particles in the binder, which may cause poor conduction.

導電粒子のタップ密度の下限としては、2.0g/cmが好ましく、2.5g/cmがより好ましい。導電粒子のタップ密度の上限としては、4.5g/cmが好ましく、4g/cmがより好ましい。導電粒子のタップ密度が上記下限以上かつ上記上限以下であることで、導電ペーストに所望のチクソ性を付与することが可能となる。また、導電粒子のタップ密度が上記下限未満であると、導電粒子相互の接触面積が小さくなり、ブラインドビアホール8の抵抗が大きくなり過ぎるおそれがある。一方、導電粒子の比表面積が上記上限を超えると、バインダーへの導電粒子の分散性が悪化することで導電粒子が偏在し、導通不良が生じるおそれがある。 The lower limit of the tap density of the conductive particles is preferably from 2.0g / cm 3, 2.5g / cm 3 is more preferable. The upper limit of the tap density of the conductive particles is preferably from 4.5g / cm 3, 4g / cm 3 is more preferable. When the tap density of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to impart desired thixotropy to the conductive paste. If the tap density of the conductive particles is less than the above lower limit, the contact area between the conductive particles may be reduced, and the resistance of the blind via hole 8 may be excessively increased. On the other hand, when the specific surface area of the conductive particles exceeds the above upper limit, the conductive particles are unevenly distributed due to deterioration of the dispersibility of the conductive particles in the binder, which may cause poor conduction.

上記バインダーは、導電粒子同士をバインドし体積収縮によりブラインドビアホール8での導電粒子の接続を図ると同時にブラインドビアホール8とビアホール用有底孔7との接着又は接続を図るものである。   The binder binds conductive particles to each other and attempts to connect the conductive particles in the blind via hole 8 by volume shrinkage, and at the same time, bonds or connects the blind via hole 8 and the bottom hole 7 for via hole.

バインダーとしては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が挙げられ、中でも、耐熱性、熱膨張性等の観点から、エポキシ樹脂が好ましい。   Examples of the binder include an epoxy resin, a phenol resin, a polyester resin, a polyurethane resin, an acrylic resin, a melamine resin, a polyimide resin, and a polyamideimide resin. Among these, from the viewpoint of heat resistance, thermal expansibility, etc., an epoxy resin is used. preferable.

エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、ビスフェノールAD型等を骨格とするビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ビスフェノールA型が好ましい。   Epoxy resins include, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, bisphenol AD type and the like bisphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type An epoxy resin, a phenoxy resin, etc. are mentioned. Among these, bisphenol A type is preferable.

エポキシ樹脂の分子量としては、45,000以上55,000以下が好ましい。エポキシ等量としては、7,500以上8,500以下が好ましい。エポキシ樹脂の分子量及び等量を上記範囲とすることで、基材2に対して所望とする耐熱性、熱膨張性等を付与することができる。   The molecular weight of the epoxy resin is preferably 45,000 or more and 55,000 or less. The epoxy equivalent is preferably 7,500 or more and 8,500 or less. By setting the molecular weight and the equivalent amount of the epoxy resin within the above ranges, desired heat resistance, thermal expansion property, and the like can be imparted to the base material 2.

エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えばイミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤等が挙げられるが、中でも、ポットライフの観点から潜在性硬化剤が好ましく、マイクロカプセル型イミダゾール系硬化剤がより好ましい。   Examples of the epoxy resin curing agent include an imidazole curing agent, an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and the like. Among these, a latent curing agent is preferable from the viewpoint of pot life, and a microcapsule type imidazole system is preferable. A curing agent is more preferable.

導電粒子とバインダーとの質量比の下限としては、80:20が好ましく、73:27がより好ましい。この質量比の上限としては、96:4が好ましく、93:7がより好ましい。導電粒子とバインダーとの質量比であることで、ブラインドビアホール8の熱膨張率を所望のものとすることが可能となる。また、導電粒子とバインダーとの質量比が上記下限未満であると、導電粒子の割合が相対的に低くなると共にバインダーの割合が相対的に高くなり、ブラインドビアホール8の抵抗が大きくなり過ぎるおそれがある。一方、上記質量比が上記上限を超えると、導電粒子の割合が相対的に高くなると共にバインダーの割合が相対的に低くなり、ビアホール用有底孔7への導電ペーストの充填性が悪化し、第1導電層3と第2導電層4との間に接触不良が生じるおそれがある。   As a minimum of mass ratio of conductive particles and a binder, 80:20 is preferred and 73:27 is more preferred. The upper limit of this mass ratio is preferably 96: 4, more preferably 93: 7. By setting the mass ratio of the conductive particles to the binder, the thermal expansion coefficient of the blind via hole 8 can be set to a desired value. If the mass ratio of the conductive particles to the binder is less than the lower limit, the ratio of the conductive particles is relatively low and the ratio of the binder is relatively high, and the resistance of the blind via hole 8 may be excessively increased. is there. On the other hand, when the mass ratio exceeds the upper limit, the ratio of the conductive particles becomes relatively high and the ratio of the binder is relatively low, and the filling property of the conductive paste into the bottomed hole 7 for via holes is deteriorated. There is a risk of poor contact between the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4.

<利点>
当該プリント配線板1は、ブラインドビアホール8が導電粒子を含有し、この導電粒子の平均粒径及びアスペクト比が特定の範囲であることで、ブラインドビアホール8を導電ペーストにより形成するときのビアホール用有底孔7への導電ペーストの充填性が向上する。そのため、当該プリント配線板1は、ビアホール用有底孔7や導電ペーストに気泡が残存することを抑制でき、脱泡工程を行うことなくブラインドビアホール8を形成することが可能となる。これにより、ブラインドビアホール8を真空状態で形成することを不要とすることが可能となる。その結果、当該プリント配線板1は、脱泡工程を実行するための設備投資を不要とでき、また真空状態及び大気開放状態を繰り返す必要もないことから生産性の悪化を抑制できる。さらに、ビアホール用有底孔7や導電ペーストへの気泡の残存が抑制されることで、ブラインドビアホール8と第2導電層4との密着性を高めることができるため、電気的な接続信頼性を向上させることができる。従って、当該プリント配線板1は、ブラインドビアホール8を効率良く形成できると共に、ブラインドビアホール8と第1導電層3及び第2導電層4との電気的接続信頼性に優れる。
<Advantages>
In the printed wiring board 1, the blind via hole 8 contains conductive particles, and the average particle diameter and aspect ratio of the conductive particles are in a specific range. The filling property of the conductive paste into the bottom hole 7 is improved. Therefore, the printed wiring board 1 can suppress bubbles from remaining in the bottom hole 7 for via holes and the conductive paste, and can form the blind via hole 8 without performing a defoaming step. This makes it unnecessary to form the blind via hole 8 in a vacuum state. As a result, the printed wiring board 1 can eliminate the need for capital investment for executing the defoaming step, and can suppress the deterioration of productivity because it is not necessary to repeat the vacuum state and the air release state. In addition, since the presence of bubbles in the bottomed hole 7 for the via hole and the conductive paste is suppressed, the adhesion between the blind via hole 8 and the second conductive layer 4 can be improved, so that the electrical connection reliability is improved. Can be improved. Therefore, the printed wiring board 1 can efficiently form the blind via hole 8 and has excellent electrical connection reliability between the blind via hole 8 and the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4.

<プリント配線板の製造方法>
次に、プリント配線板1の製造方法について、図2A〜図2Fを参照しつつ説明する。
<Method for manufacturing printed wiring board>
Next, the manufacturing method of the printed wiring board 1 is demonstrated, referring FIG. 2A-FIG. 2F.

当該プリント配線板1の製造方法は、基材2の両面に金属膜90,91を積層する工程(図2A参照)、金属膜90,91をパターニングして第1導電層3及び第2層体層4を形成する工程(図2B参照)、基材2に貫通孔20を形成する工程(図2C参照)、ビアホール用有底孔7に導電ペーストを充填する工程(図2D及び図2E参照)、充填後の導電ペースト92を加熱する工程(図2E参照)、第1カバーレイ5及び第2カバーレイ6を積層する工程(図2F参照)を備える。   The method for manufacturing the printed wiring board 1 includes a step of laminating metal films 90 and 91 on both surfaces of the substrate 2 (see FIG. 2A), and patterning the metal films 90 and 91 to form the first conductive layer 3 and the second layer body. The step of forming the layer 4 (see FIG. 2B), the step of forming the through hole 20 in the base material 2 (see FIG. 2C), and the step of filling the via hole bottomed hole 7 with a conductive paste (see FIGS. 2D and 2E) The step of heating the conductive paste 92 after filling (see FIG. 2E) and the step of laminating the first coverlay 5 and the second coverlay 6 (see FIG. 2F) are provided.

(金属膜積層工程)
図2Aに示すように、金属膜積層工程は、第1導電層3及び第2層体層4となる金属膜90,91を基材2に積層する工程である。基材2に金属層90,91を積層する方法としては、特に限定されず、例えば金属箔を接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に基材2の材料である樹脂組成物を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で基材2上に形成した厚さ数nmの薄い導電層(シード層)の上に電解メッキで金属層を形成するスパッタ/メッキ法、金属箔を熱プレスで貼り付けるラミネート法等を用いることができる。
(Metal film lamination process)
As shown in FIG. 2A, the metal film laminating step is a step of laminating the metal films 90 and 91 to be the first conductive layer 3 and the second layer body layer 4 on the base material 2. The method for laminating the metal layers 90 and 91 on the substrate 2 is not particularly limited. For example, an adhesion method in which a metal foil is bonded with an adhesive, or a resin composition that is a material of the substrate 2 is applied onto the metal foil. Casting method, sputtering / plating method that forms a metal layer by electrolytic plating on a thin conductive layer (seed layer) with a thickness of several nanometers formed on the substrate 2 by sputtering or vapor deposition, and metal foil is attached by hot press A laminating method can be used.

(導電層形成工程)
図2Aに示すように、導電層形成工程は、金属膜90,91をパターニングすることで第1導電層3及び第2層体層4を形成する工程である。金属膜90,91のパターニングは、公知の方法、例えばフォトエッチングにより行うことができる。フォトエッチングは、金属膜90,91の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を形成した後に、レジスト膜から露出する金属膜90,91をエッチング液で処理し、レジスト膜を除去することにより行われる。
(Conductive layer formation process)
As shown in FIG. 2A, the conductive layer forming step is a step of forming the first conductive layer 3 and the second layer body layer 4 by patterning the metal films 90 and 91. The patterning of the metal films 90 and 91 can be performed by a known method, for example, photoetching. Photo-etching is performed by forming a resist film having a predetermined pattern on the surfaces of the metal films 90 and 91, treating the metal films 90 and 91 exposed from the resist film with an etching solution, and removing the resist film. .

なお、このパターニングの際には、第1導電層3に貫通孔30を同時に形成することができる。この貫通孔30は、上述のようにビアホール用有底孔7を構成するものである。   In this patterning, the through holes 30 can be formed in the first conductive layer 3 at the same time. This through hole 30 constitutes the bottomed hole 7 for via holes as described above.

また、金属膜90,91のパターニングは、離型フィルムの表面に形成した金属膜をパターニングした後にこの金属膜パターンを基材2に接着する方法、打ち抜いた金属膜を積層する方法等により行ってもよい。   Further, the metal films 90 and 91 are patterned by a method of adhering the metal film pattern to the substrate 2 after patterning the metal film formed on the surface of the release film, a method of laminating the punched metal film, or the like. Also good.

(貫通孔形成工程)
貫通孔形成工程は、基材2にビアホール用有底孔7を構成する貫通孔20を形成する工程である。この貫通孔20は、基材2における第1導電層3の貫通孔30から露出する部位にレーザ光を照射することで、貫通孔30に連通し、かつ第2導体層4の表面を露出させるものとして形成される。このような貫通孔20を基材2に形成することで、貫通孔20が貫通孔30と共にビアホール用有底孔7を構成する。
(Through hole forming process)
The through hole forming step is a step of forming the through hole 20 constituting the via hole bottomed hole 7 in the base material 2. The through-hole 20 communicates with the through-hole 30 and exposes the surface of the second conductor layer 4 by irradiating a portion of the substrate 2 exposed from the through-hole 30 of the first conductive layer 3 with laser light. Formed as a thing. By forming such a through hole 20 in the base material 2, the through hole 20 and the through hole 30 constitute the via hole bottomed hole 7.

レーザ光の照射は、気体レーザを用いて行うことができる。気体レーザとしては、例えばエキシマレーザ、COレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等が挙げられる。 The laser light irradiation can be performed using a gas laser. Examples of the gas laser include an excimer laser, a CO 2 laser, an Ar laser, and a He—Ne laser.

なお、レーザ光照射の後は、貫通孔20の内面をデスミアすることによって残渣の除去を行うことが好ましい。   After the laser light irradiation, it is preferable to remove the residue by desmearing the inner surface of the through hole 20.

(導電ペースト充填工程)
図2D及び図2Fに示すように、導電ペースト充填工程は、ブラインドビアホール用孔7への導電ペースト92の塗工と、塗工後の導電ペースト92の放置とを含む。
(Conductive paste filling process)
As shown in FIGS. 2D and 2F, the conductive paste filling process includes the application of the conductive paste 92 to the blind via hole 7 and the leaving of the conductive paste 92 after the application.

(導電ペースト)
導電ペースト92は、導電粒子及びバインダーを含有し、好ましくは硬化剤及び溶剤を含有する。
(Conductive paste)
The conductive paste 92 contains conductive particles and a binder, and preferably contains a curing agent and a solvent.

導電ペースト92の導電粒子、バインダー及び硬化剤については、ブラインドビアホール8の導電粒子、バインダー及び硬化剤として説明したものと同様であるため、重複説明は省略する。   The conductive particles 92, the binder, and the curing agent of the conductive paste 92 are the same as those described as the conductive particles, the binder, and the curing agent of the blind via hole 8, and thus redundant description is omitted.

導電ペースト92における導電粒子とバインダーとの質量比の下限としては、80:20が好ましく、73:27がより好ましい。この質量比の上限としては、96:4が好ましく、93:7がより好ましい。導電粒子とバインダーとの質量比が上記下限未満であると、導電粒子の割合が相対的に低くなると共にバインダーの割合が相対的に高くなり、ビア抵抗が大きくなり過ぎるおそれがある。一方、上記質量比が上記上限を超えると、導電粒子の割合が相対的に高くなると共にバインダーの割合が相対的に低くなり、ビアホール用有底孔7への導電ペースト92の充填性が悪化し、第1導電層3と第2導電層4との間に接触不良が生じるおそれがある。   The lower limit of the mass ratio between the conductive particles and the binder in the conductive paste 92 is preferably 80:20, and more preferably 73:27. The upper limit of this mass ratio is preferably 96: 4, more preferably 93: 7. When the mass ratio of the conductive particles to the binder is less than the lower limit, the proportion of the conductive particles becomes relatively low, the proportion of the binder becomes relatively high, and the via resistance may be excessively increased. On the other hand, when the mass ratio exceeds the upper limit, the ratio of the conductive particles is relatively high and the ratio of the binder is relatively low, and the filling property of the conductive paste 92 into the bottom hole 7 for via holes is deteriorated. There is a possibility that poor contact occurs between the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4.

この導電ペースト92の粘度の下限としては、20Pa・sが好ましく、25Pa・sがより好ましく、30Pa・sがさらに好ましい。導電ペースト92の粘度の上限としては、95Pa・sが好ましく、90Pa・sがより好ましく、85Pa・sがさらに好ましい。導電ペースト92の粘度が上記下限未満であると、導電ペースト92の塗布性が悪化すると共に、ブラインビアホール8が高抵抗化するおそれがある。導電ペースト92の粘度が上記上限を超えると、ビアホール用有底孔7への充填性が悪化し、ブラインビアホール8の電気的接続信頼性が低下するおそれがある。   The lower limit of the viscosity of the conductive paste 92 is preferably 20 Pa · s, more preferably 25 Pa · s, and even more preferably 30 Pa · s. The upper limit of the viscosity of the conductive paste 92 is preferably 95 Pa · s, more preferably 90 Pa · s, and still more preferably 85 Pa · s. If the viscosity of the conductive paste 92 is less than the above lower limit, the applicability of the conductive paste 92 is deteriorated and the brine via hole 8 may be increased in resistance. When the viscosity of the conductive paste 92 exceeds the above upper limit, the filling property to the bottom hole 7 for via holes is deteriorated, and the electrical connection reliability of the brine via hole 8 may be lowered.

導電ペースト92のチクソトロピー指数の下限としては、−0.05が好ましく、−0.025がより好ましく、0がさらに好ましい。導電ペースト92のチクソトロピー指数の上限としては、0.50が好ましく、0.45がより好ましく、0.40がさらに好ましい。導電ペースト92のチクソトロピー指数が上記下限未満であると、又は上記上限を超えると、導電ペースト92の塗布性及びビアホール用有底孔7への充填性が悪化し、ブラインビアホール8の電気的接続信頼性が低下するおそれがある。   The lower limit of the thixotropy index of the conductive paste 92 is preferably −0.05, more preferably −0.025, and even more preferably 0. The upper limit of the thixotropy index of the conductive paste 92 is preferably 0.50, more preferably 0.45, and still more preferably 0.40. When the thixotropy index of the conductive paste 92 is less than the above lower limit or exceeds the above upper limit, the coating property of the conductive paste 92 and the filling property to the bottom hole 7 for the via hole are deteriorated, and the electrical connection reliability of the brine via hole 8 is deteriorated. May decrease.

(導電ペーストの塗工)
導電ペースト92の塗工は、ビアホール用有底孔7及びその周辺部に一定量の導電ペースト92を塗布することで行われる。導電ペースト92のチクソトロピー指数が上記範囲であるため、塗工された導電ペースト92の粘度が小さくなるため、塗工によりビアホール用有底孔7に対して十分に導電ペーストを充填することができる。
(Coating of conductive paste)
The conductive paste 92 is applied by applying a certain amount of the conductive paste 92 to the via hole bottomed hole 7 and its peripheral portion. Since the thixotropy index of the conductive paste 92 is in the above range, the viscosity of the coated conductive paste 92 becomes small, and therefore the conductive paste can be sufficiently filled into the via hole bottomed hole 7 by coating.

導電ペーストの塗工方法としては、従来公知の手法、例えばスクリーン印刷、インクジェット印刷等が挙げられ、スクリーン印刷が好ましい。このスクリーン印刷によれば、スキージを移動させることで導電ペースト92中の導電粒子の長軸がスキージの移動方向に配向させられるものと考えられる。これにより、導電粒子相互の接触面積を大きく確保し、ブラインドビアホール8の抵抗、及びこのブラインドビアホール8と第2導体層4との接触抵抗を小さくすることが可能となる。その結果、ブラインドビアホール8と第2導電層4との電気的接続信頼性をより向上させることができる。   Examples of the method for applying the conductive paste include conventionally known methods such as screen printing and ink jet printing, and screen printing is preferred. According to this screen printing, it is considered that the major axis of the conductive particles in the conductive paste 92 is oriented in the moving direction of the squeegee by moving the squeegee. As a result, a large contact area between the conductive particles can be secured, and the resistance of the blind via hole 8 and the contact resistance between the blind via hole 8 and the second conductor layer 4 can be reduced. As a result, the electrical connection reliability between the blind via hole 8 and the second conductive layer 4 can be further improved.

ビアホール用有底孔7への導電ペーストの塗工量の下限としては、ビアホール用有底孔7の容積に対して、60容量%が好ましく、80容量%がより好ましい。この塗工量の上限としては、ビアホール用有底孔7の容積に対して、100容量%以下が好ましい。上記塗工量が上記下限以上かつ上記上限以下であることで、第1導電層3と第2導電層4との電気的導通を十分に確保し、かつブラインドビアホール8が第1導電層3の表面から不必要に突出することを抑制できる。   The lower limit of the amount of the conductive paste applied to the bottomed hole 7 for via holes is preferably 60% by volume, more preferably 80% by volume with respect to the volume of the bottomed hole 7 for via holes. As an upper limit of this coating amount, 100 volume% or less is preferable with respect to the volume of the bottomed hole 7 for via holes. When the coating amount is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient electrical continuity between the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 is ensured, and the blind via holes 8 are formed on the first conductive layer 3. Unnecessarily protruding from the surface can be suppressed.

(塗工後の導電ペーストの放置)
図2Eに示すように、塗工後の導電ペースト92の放置は、塗工された導電ペースト92をビアホール用有底孔7に充填させるために行われる。上述のように、導電ペースト92は、所定のチクソ性を有する。そのため、導電ペースト92の塗工後に放置することで、塗工時よりも導電ペースト92に作用する剪断力が小さくなるために導電ペースト92の粘度が増加する。その結果、塗工後の導電ペースト92の放置により、ビアホール用有底孔7に充填された導電ペースト92が気泡の混合を抑制しつつ安定化するため、充填性を高めることができる。
(Leave conductive paste after coating)
As shown in FIG. 2E, the conductive paste 92 after coating is left in order to fill the bottom hole 7 for via holes with the coated conductive paste 92. As described above, the conductive paste 92 has a predetermined thixotropy. Therefore, when the conductive paste 92 is left after being applied, the shearing force acting on the conductive paste 92 becomes smaller than that at the time of application, and thus the viscosity of the conductive paste 92 increases. As a result, by leaving the conductive paste 92 after coating, the conductive paste 92 filled in the bottom hole 7 for via holes is stabilized while suppressing the mixing of bubbles, so that the filling property can be improved.

導電ペースト印刷後の放置時間は、導電ペースト92の粘度、チクソトロピー指数、導電ペースト92の印刷量、ビアホール用有底孔7の容積等により決定される。上記印刷時間の下限は、通常1分であり、好ましくは2分、より好ましくは3分である。上記印刷時間の上限は、通常60分であり、好ましくは45分、より好ましくは30分である。上記印刷時間が上記下限未満であると、ビアホール用有底孔7への導電ペースト92の充填が不十分となるおそれがある。一方、上記印刷時間が上記上限を超えても、充填性に変化が見受けられないおそれがある。   The standing time after printing the conductive paste is determined by the viscosity of the conductive paste 92, the thixotropy index, the printing amount of the conductive paste 92, the volume of the bottom hole 7 for via holes, and the like. The lower limit of the printing time is usually 1 minute, preferably 2 minutes, more preferably 3 minutes. The upper limit of the printing time is usually 60 minutes, preferably 45 minutes, more preferably 30 minutes. If the printing time is less than the lower limit, the conductive paste 92 may be insufficiently filled into the bottom hole 7 for via holes. On the other hand, even if the printing time exceeds the upper limit, there is a possibility that no change is observed in the filling property.

導電ペースト92のチクソトロピー指数は、上述のよう上記式(1)に従い、剪断速度D1(2s−1)、剪断速度D1(2s−1)のときの導電ペーストの粘度η1、剪断速度D2(20s−1)及び剪断速度D2(20s−1)のときの導電ペースト92の粘度η2に基づいて算出される。そして、ビアホール用有底孔7への導電ペースト92の充填性を高めるためには、導電ペースト92に作用する剪断力が小さいときの粘度、すなわちη1が小さいことが好ましい。具体的には、η1の下限としては、20Pa・sが好ましく、40Pa・sがより好ましい。η1の上限としては、300Pa・sが好ましく、150Pa・sがより好ましい。 Thixotropic index of the conductive paste 92 is, according to the above formula (1) as described above, the shear rate D1 (2s -1), the viscosity of the conductive paste at a shear rate of D1 (2s -1) .eta.1, shear rate D2 (20s - 1 ) and the viscosity η2 of the conductive paste 92 at the shear rate D2 (20 s −1 ). In order to improve the filling property of the conductive paste 92 into the bottomed hole 7 for via holes, it is preferable that the viscosity when the shearing force acting on the conductive paste 92 is small, that is, η1 is small. Specifically, the lower limit of η1 is preferably 20 Pa · s, more preferably 40 Pa · s. The upper limit of η1 is preferably 300 Pa · s, more preferably 150 Pa · s.

(導電ペーストの加熱)
導電ペースト92の加熱は、導電ペースト92のバインダーを硬化させてブラインビアホール8を得るために行われる。
(Heating of conductive paste)
The conductive paste 92 is heated to cure the binder of the conductive paste 92 and obtain the brine via hole 8.

導電ペースト92の加熱は、公知の方法、例えば高温雰囲気の加熱炉内に保持する方法、熱風を吹き付ける方法、プレス機を用いて加圧加熱する方法等が挙げられ、中でも、ブラインビアホール8の導電性を向上させる観点から加圧加熱する方法が好ましい。   The conductive paste 92 can be heated by a known method, for example, a method of holding in a high-temperature atmosphere heating furnace, a method of blowing hot air, a method of pressurizing and heating using a press machine, and the like. From the viewpoint of improving the property, a method of heating under pressure is preferred.

加圧加熱によれば、加熱時に導電ペースト92が圧縮され、ブラインドビアホール8での導電粒子の密度や接触面積が大きくなると共に、導電粒子と第1導電層3及び第2導電層4との接触面積が小さくなる。これにより、ブラインドビアホール8及び第1導電層3と第2導電層4との接続抵抗が小さくなる。   According to the pressure heating, the conductive paste 92 is compressed during heating, and the density and contact area of the conductive particles in the blind via hole 8 are increased, and the conductive particles are in contact with the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4. The area becomes smaller. Thereby, the blind via hole 8 and the connection resistance between the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 are reduced.

導電ペースト92の加熱温度は、導電ペースト92の種類、特にバインダーの種類により決定すればよいが、通常100℃〜280℃である。   The heating temperature of the conductive paste 92 may be determined by the type of the conductive paste 92, particularly the type of the binder, but is usually 100 ° C. to 280 ° C.

このような導電ペースト92の加熱は、導電ペースト92のバインダーとして熱硬化性樹脂を使用する場合には、予備乾燥後に行うことが好ましい。   Such heating of the conductive paste 92 is preferably performed after preliminary drying when a thermosetting resin is used as the binder of the conductive paste 92.

予備乾燥は、導電ペースト92に含まれる溶剤を除去するために行われる。このようにバインダーを硬化させる前に導電ペースト92の残留溶剤を除去することで、ビアホール用有底孔7でのボイドの発生を防止でき、接続抵抗を低くすることができる。なお、バインダーとして熱可塑性樹脂を使用する場合には、予備乾燥と同様な工程のみにより導電ペースト92の加熱を完了してもよい。   The preliminary drying is performed to remove the solvent contained in the conductive paste 92. Thus, by removing the residual solvent of the conductive paste 92 before curing the binder, it is possible to prevent the formation of voids in the bottom hole 7 for via holes, and to reduce the connection resistance. In addition, when using a thermoplastic resin as a binder, you may complete the heating of the electrically conductive paste 92 only by the process similar to preliminary drying.

(カバーレイ積層工程)
図2Fに示すように、カバーレイ積層工程は、第1導電層3及び第2導電層4を覆うように第1カバーレイ5及び第2カバーレイを積層する工程である。このカバーレイ積層工程は、例えばカバーフィルム50,60に接着剤層51,61を予め形成した第1カバーレイ5及び第2カバーレイ6を、第1導電層3及び第2導電層4を覆うように載置した後、加圧加熱により接着剤層51,61を介して基材2にカバーフィルム50,60を固定することで行われる。
(Coverlay lamination process)
As illustrated in FIG. 2F, the cover lay stacking step is a step of stacking the first cover lay 5 and the second cover lay so as to cover the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4. In this cover lay lamination step, for example, the first cover lay 5 and the second cover lay 6 in which the adhesive layers 51 and 61 are previously formed on the cover films 50 and 60 are covered, and the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 are covered. After mounting as described above, the cover films 50 and 60 are fixed to the base material 2 via the adhesive layers 51 and 61 by pressurization and heating.

なお、加圧加熱の条件は、第1カバーレイ5及び第2カバーレイ6に使用する接着剤層51,61の主成分等に応じて適宜決定すればよい。また、カバーレイ積層工程の加熱時に導電ペースト92の加熱を同時に行ってもよい。   The pressure heating conditions may be appropriately determined according to the main components of the adhesive layers 51 and 61 used for the first cover lay 5 and the second cover lay 6. Moreover, you may heat the electrically conductive paste 92 simultaneously at the time of a heating of a cover-lay lamination process.

<利点>
当該プリント配線板の製造方法では、ビアホール用有底孔7に充填される導電ペースト92として、平均粒径及びアスペクト比が上記範囲である導電粒子を含有するものを使用することで、ビアホール用有底孔7や導電ペースト92に気泡が残存することを抑制でき、脱泡工程を行うことなくブラインドビアホール8を形成することが可能となる。これにより、ブラインドビアホール8を真空状態で形成することを不要とすることが可能となる。その結果、当該プリント配線板の製造方法は、脱泡工程を実行するための設備投資を不要とでき、また真空状態及び大気開放状態を繰り返す必要もないことから生産性の悪化を抑制できる。さらに、ビアホール用有底孔7や導電ペースト92への気泡の残存が抑制されることで、ブラインドビアホール8と第2導電層4との密着性を高めることができるため、電気的な接続信頼性を向上させることができる。また、導電ペースト92のチクソトロピー指数及び粘度が上記範囲であることで、ビアホール用有底孔7への導電ペースト92の充填性をより向上させることができ。さらに、導電ペースト92として導電粒子とバインダーとの質量比が上記範囲であることで、ブラインドビアホール8の導電性をより十分に確保できると共に、ブラインドビアホール8の熱膨張率を適切化することができる。従って、当該製造方法は、ブラインドビアホール8を効率良く形成できると共に、ブラインドビアホール8と第1導電層3及び第2導電層4との電気的接続信頼性に優れるプリント配線板1を提供できる。
<Advantages>
In the method for manufacturing a printed wiring board, the conductive paste 92 filled in the bottomed hole 7 for via holes is a paste containing conductive particles having an average particle diameter and an aspect ratio in the above range, thereby providing the via hole use. It is possible to suppress the bubbles from remaining in the bottom hole 7 and the conductive paste 92, and the blind via hole 8 can be formed without performing a defoaming process. This makes it unnecessary to form the blind via hole 8 in a vacuum state. As a result, the printed wiring board manufacturing method can eliminate the need for capital investment for executing the defoaming step, and can suppress the deterioration of productivity because it is not necessary to repeat the vacuum state and the open air state. Furthermore, since the air bubbles remaining in the bottomed hole 7 for the via hole and the conductive paste 92 are suppressed, the adhesion between the blind via hole 8 and the second conductive layer 4 can be improved, so that the electrical connection reliability Can be improved. Moreover, since the thixotropy index and the viscosity of the conductive paste 92 are within the above ranges, the filling property of the conductive paste 92 into the bottomed hole 7 for via holes can be further improved. Furthermore, since the conductive paste 92 has a mass ratio of the conductive particles and the binder within the above range, the conductivity of the blind via hole 8 can be more sufficiently secured and the thermal expansion coefficient of the blind via hole 8 can be optimized. . Therefore, the manufacturing method can provide the printed wiring board 1 that can efficiently form the blind via hole 8 and that has excellent electrical connection reliability between the blind via hole 8 and the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4.

[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態に係るプリント配線板について、図3を参照しつつ説明する。ただし、図3においては、図1のプリント配線板1と同様な要素については同一の符号を付してあり、以下における重複説明は省略する。
[Second Embodiment]
Next, a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. However, in FIG. 3, the same code | symbol is attached | subjected about the element similar to the printed wiring board 1 of FIG. 1, and the duplication description in the following is abbreviate | omitted.

図3のプリント配線板1Aは、基本的には図1のプリント配線板1と同様であるが、ビアホール用有底孔7A及びブラインドビアホール8Aをさらに備える点で異なっている。   The printed wiring board 1A of FIG. 3 is basically the same as the printed wiring board 1 of FIG. 1, but differs in that it further includes a via hole with a bottom 7A and a blind via hole 8A.

<ビアホール用有底孔>
ビアホール用有底孔7Aは、ブラインドビアホール8Aが形成されるものである。このビアホール用有底孔7Aは、第2導電層4A及び基材2Aを貫通すると共に、平面視(横断面)形状が円形かつ縦断面形状が台形のテーパ状に形成されている。ビアホール用有底孔7Aは、第2導電層4Aの貫通孔40A及び基材2Aの貫通孔20Aにより内周面が規定され、第1導電層3の表面(基材層2A側の面)により底面が規定されている。このビアホール用有底孔7Aの内径及び深さは、図1のビアホール用有底孔7と同様である。
<Bottomed hole for via hole>
The bottomed hole 7A for via holes is where the blind via hole 8A is formed. The via-holed bottom hole 7A penetrates the second conductive layer 4A and the base material 2A, and is formed in a tapered shape having a circular shape in plan view (transverse section) and a trapezoidal shape in vertical section. The bottomed hole for via hole 7A has an inner peripheral surface defined by the through hole 40A of the second conductive layer 4A and the through hole 20A of the base material 2A, and is defined by the surface of the first conductive layer 3 (surface on the base material layer 2A side). The bottom is defined. The inner diameter and the depth of the bottomed hole for via hole 7A are the same as the bottomed hole for via hole 7 of FIG.

<ブラインドビアホール>
ブラインドビアホール8Aは、第1導電層3と第2導電層4Aとの電気的導通を図るものであり、インタースティシャルビアホールの一例に相当する。このブラインドビアホール8Aは、フランジ部80A、本体部分81A及び凹部82Aを含み、本体部分80Aにおいて第2導電層4A及び基材2Aを貫通する。
<Blind via hole>
The blind via hole 8A is intended to electrically connect the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4A, and corresponds to an example of an interstitial via hole. The blind via hole 8A includes a flange portion 80A, a main body portion 81A, and a concave portion 82A, and penetrates the second conductive layer 4A and the base material 2A in the main body portion 80A.

フランジ部80Aは、第2導電層4Aの表面と接触している。本体部分81Aは、外周面の上部が第2導電層4Aの貫通孔40Aの内面と接触し外周面の下部が基材2Aの貫通孔20Aの内面と接触する。本体部分81Aはさらに、底面が第1導電層3の表面と接触している。このように、ブラインドビアホール8Aは、フランジ部80A及び本体部分81Aの上部が第2導電層4Aに接触する一方で、本体部分81Aの底面が第1導電層3に接触することで、第1導電層3と第2導電層4Aとを電気的に導通する。   The flange portion 80A is in contact with the surface of the second conductive layer 4A. The upper portion of the outer peripheral surface of the main body portion 81A is in contact with the inner surface of the through hole 40A of the second conductive layer 4A, and the lower portion of the outer peripheral surface is in contact with the inner surface of the through hole 20A of the base material 2A. The body portion 81 </ b> A further has a bottom surface in contact with the surface of the first conductive layer 3. As described above, the blind via hole 8A has the first conductive layer by contacting the first conductive layer 3 with the bottom surface of the main body part 81A while the upper part of the flange part 80A and the upper part of the main body part 81A are in contact with the second conductive layer 4A. The layer 3 and the second conductive layer 4A are electrically connected.

凹部82Aは、ブラインドビアホール8Aに変形容易性を付与する。この凹部82Aは、ブラインドビアホール8Aの上面の中央部に形成されている。凹部82Aは、図1のブラインドビアホール8の凹部82と同様な作用により、プリント配線板1Aが湾曲された際に第2導電層4Aとの接触状態が良好に維持され易い。そのため、プリント配線板1Aは、ブラインドビアホール8Aと第2導電層4Aとの接触状態が良好に維持され易い。   The recess 82A imparts ease of deformation to the blind via hole 8A. The recess 82A is formed at the center of the upper surface of the blind via hole 8A. The concave portion 82A is easily maintained in good contact with the second conductive layer 4A when the printed wiring board 1A is bent by the same action as the concave portion 82 of the blind via hole 8 of FIG. Therefore, in the printed wiring board 1A, the contact state between the blind via hole 8A and the second conductive layer 4A is easily maintained satisfactorily.

[その他の実施形態]
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
[Other Embodiments]
The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is not limited to the configuration of the embodiment described above, but is defined by the scope of the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims. The

上記実施形態においては、プリント配線板の一実施例としてフレキシブル性を有するプリント配線板を例にとり説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。当該プリント配線板としては、リジッドプリント配線板を採用することも可能である。また、当該プリント配線板は、フレキシブルプリント配線板とリジッドプリント配線板とを一体化したリジッドフレキシブルプリント配線板や、多層構造のビルドアップ基板等に採用することも可能である。   In the said embodiment, although demonstrated taking the case of the printed wiring board which has flexibility as an example of a printed wiring board, the scope of the present invention is not limited to this. A rigid printed wiring board can also be adopted as the printed wiring board. The printed wiring board can also be employed in a rigid flexible printed wiring board in which a flexible printed wiring board and a rigid printed wiring board are integrated, a build-up board having a multilayer structure, or the like.

上記実施形態では、インタースティシャルビアホールとしてブラインドビアホールを備えるプリント配線板について説明したが、当該プリント配線板はインタースティシャルビアホールとしてベリードビアホール等を採用したものであってもよい。   Although the printed wiring board provided with the blind via hole as the interstitial via hole has been described in the above embodiment, the printed wiring board may employ a buried via hole or the like as the interstitial via hole.

ブラインドビアホールの形成位置、個数及び形状は、上記実施形態で説明したものには限定されない。例えば、ブラインドビアホールは、必ずしもテーパ状である必要はなく、円柱状であっても、水平方向の断面が円形以外の他の形状であってもよい。   The formation position, the number, and the shape of the blind via hole are not limited to those described in the above embodiment. For example, the blind via hole does not necessarily need to have a tapered shape, and may have a cylindrical shape or a shape having a horizontal cross section other than a circular shape.

次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する。ただし、実施例は本発明の範囲を限定するものではない。   Next, the present invention will be described in more detail based on examples. However, the examples do not limit the scope of the present invention.

[実施例1]
ポリイミドフィルムの両面に、接着剤を用いずに銅箔を貼り合わせた両面銅貼基板(ポリイミドフィルム厚み:25μm、銅箔厚み:12μm)を準備し、この両面銅貼基板の銅箔をエッチング加工して両面に配線(導電層)を形成した。さらに、YAGレーザにより有底のビアホール用孔(開口径100μm)を開け、ドライデスミア処理を施した。ビアホール用孔は1296個形成した。
[Example 1]
A double-sided copper-clad substrate (polyimide film thickness: 25 μm, copper foil thickness: 12 μm) prepared by bonding copper foil on both sides of the polyimide film without using an adhesive is prepared, and the copper foil of this double-sided copper-clad substrate is etched. Then, wiring (conductive layer) was formed on both sides. Further, a bottomed via hole (opening diameter: 100 μm) was opened with a YAG laser, and dry desmear treatment was performed. 1296 via hole holes were formed.

次に、バインダーとしてビスフェノールA型エポキシ樹脂6質量部をブチルカルビトールアセテート(BCA)に溶解した。これにイミダゾール系の潜在性硬化剤2質量部、無機粒子として銀粒子73質量部及び銀コート銅粒子4質量部を添加して導電ペーストを作製した。なお、銀粒子73質量部及び銀コート銅粒子の平均粒径及びアスペクト比は、それぞれ1.1μm及び3.4である。   Next, 6 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin as a binder was dissolved in butyl carbitol acetate (BCA). To this, 2 parts by mass of an imidazole-based latent curing agent, 73 parts by mass of silver particles and 4 parts by mass of silver-coated copper particles as inorganic particles were added to prepare a conductive paste. The average particle diameter and aspect ratio of 73 parts by mass of silver particles and silver-coated copper particles are 1.1 μm and 3.4, respectively.

上記導電ペーストをスクリーン印刷により、全てのビアホール用孔に充填した。導電ペーストはビアホール用孔の全体を被覆するように塗布し、塗布径は150μmとした。その後、70℃に加熱して予備乾燥することで導電ペースト中の溶剤を除去し、1296個のビアホールがデイジーチェーン構造で接続されたプリント配線板を作製した。   The conductive paste was filled in all via hole holes by screen printing. The conductive paste was applied so as to cover the entire via hole, and the coating diameter was 150 μm. Thereafter, the solvent in the conductive paste was removed by heating to 70 ° C. and preliminary drying, and a printed wiring board in which 1296 via holes were connected in a daisy chain structure was produced.

[実施例2〜実施例12及び比較例1〜11]
導電ペーストとして表1に示す物性及び組成のものを用いた以外は実施例1と同様とし、実施例2〜実施例12及び比較例1〜11のプリント配線板を作製した。なお、表1における「−」は、導電ペーストに対して該当成分を配合していないことを意味する。
[Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 11]
The printed wiring boards of Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 11 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the conductive paste having the physical properties and composition shown in Table 1 was used. In addition, "-" in Table 1 means that the corresponding component is not blended with the conductive paste.

Figure 0005945262
Figure 0005945262

[評価]
実施例1〜12及び比較例1〜11のプリント配線板について、熱膨張特性及び接続信頼性を評価した。その結果を表2に示す。
[Evaluation]
About the printed wiring board of Examples 1-12 and Comparative Examples 1-11, the thermal expansion characteristic and connection reliability were evaluated. The results are shown in Table 2.

<熱膨張特性>
熱膨張特性は、基材の熱膨張率に対するビアホールの熱膨張率の比として評価した。基材及びビアホールの熱膨張率は、JIS−R3251「低膨張ガラスのレーザ干渉法による線膨張率の測定法」:1995に準拠し、レーザー熱膨張計(アルバック理工社の「LIX−2L型」)を用いて測定した。
<Thermal expansion characteristics>
The thermal expansion characteristic was evaluated as the ratio of the thermal expansion coefficient of the via hole to the thermal expansion coefficient of the substrate. The thermal expansion coefficient of the base material and the via hole is based on JIS-R3251 “Measuring method of linear expansion coefficient by laser interference method of low expansion glass”: 1995. Laser thermal dilatometer (“LIX-2L type” manufactured by ULVAC-RIKO) ).

この熱膨張特性は熱膨張率比が0.1以上10以下の場合に良好であると判断できる。   This thermal expansion characteristic can be judged to be good when the thermal expansion ratio is 0.1 or more and 10 or less.

<接続信頼性>
接続信頼性は、初期抵抗値、及び熱衝撃試験の前後での接続抵抗の変化率(抵抗変化率)として評価した。なお、抵抗変化率は、以下の式により算出した。
抵抗変化率(%)=100×(衝撃試験後の抵抗値−初期抵抗値)/初期抵抗値
<Connection reliability>
The connection reliability was evaluated as an initial resistance value and a change rate (resistance change rate) of the connection resistance before and after the thermal shock test. The resistance change rate was calculated by the following equation.
Resistance change rate (%) = 100 × (resistance value after impact test−initial resistance value) / initial resistance value

この接続信頼性は、初期抵抗値が50Ω以下、かつ抵抗変化率の絶対値が10%以内の場合に良好であると判断できる。   This connection reliability can be determined to be good when the initial resistance value is 50Ω or less and the absolute value of the resistance change rate is within 10%.

(熱衝撃試験)
熱衝撃試験は、プリント配線板を低温環境下及び高温環境下に一定周期で繰り返し晒すことで行った。具体的には、−45℃の低温環境下に15分間晒した後に、125℃の高温環境下に15分間晒すことを1セットとし、このセットを1000回繰り返した。
(Thermal shock test)
The thermal shock test was performed by repeatedly exposing the printed wiring board to a low temperature environment and a high temperature environment at regular intervals. Specifically, after being exposed to a low temperature environment of −45 ° C. for 15 minutes, exposure to a high temperature environment of 125 ° C. for 15 minutes was taken as one set, and this set was repeated 1000 times.

(接続抵抗の評価)
接続抵抗は、デイジーチェーンの両端から4端子法により測定した。なお、抵抗値は1296個のビアホールの抵抗、導電層の抵抗、及びビアホールと導電層の接触抵抗の合計と考えられる。
(Evaluation of connection resistance)
The connection resistance was measured by the 4-terminal method from both ends of the daisy chain. The resistance value is considered to be the sum of the resistance of 1296 via holes, the resistance of the conductive layer, and the contact resistance of the via hole and the conductive layer.

Figure 0005945262
Figure 0005945262

表2から分かるように、実施例1〜12のプリント配線板は、熱膨張率比((A)/(B))が0.77〜6.33の範囲であり、熱膨張特性について良好な結果が得られた。また、実施例1〜12のプリント配線板は、初期抵抗値が最大で38.1Ω、抵抗変化率の絶対値が最大で6%であり、接続信頼性に優れるものであった。   As can be seen from Table 2, in the printed wiring boards of Examples 1 to 12, the thermal expansion coefficient ratio ((A) / (B)) is in the range of 0.77 to 6.33, and the thermal expansion characteristics are good. Results were obtained. In addition, the printed wiring boards of Examples 1 to 12 had an initial resistance value of 38.1Ω at the maximum and an absolute value of the resistance change rate of 6% at the maximum, and were excellent in connection reliability.

これに対して、比較例1〜11のプリント配線板は、比較例11を除き、熱膨張率比((A)/(B))について良好な結果が得られているが、全体的に初期抵抗値が高く、知抵抗変化率が10%を超えていた。このように、比較例1〜11のプリント配線板は、接続信頼が低い結果となった。   On the other hand, the printed wiring boards of Comparative Examples 1 to 11, except for Comparative Example 11, have obtained good results for the thermal expansion coefficient ratio ((A) / (B)). The resistance value was high, and the intelligent resistance change rate exceeded 10%. Thus, the printed wiring boards of Comparative Examples 1 to 11 resulted in low connection reliability.

以上の結果から、ビアホールの導電粒子として平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下、アスペクト比が2以上20以下のものを含有させることで電気的な接続信頼性が向上するものと考えられる。また、ビアホールを形成するための導電ペーストの粘度を20Pa・s以上95Pa・s以下とし、上記導電ペーストのチクソトロピー指数を−0.05以上0.50以下とすることで、より電気的な接続信頼の高いビアホールが得られるものと推定される。   From the above results, it is considered that electrical connection reliability is improved by including conductive particles of via holes having an average particle size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less and an aspect ratio of 2 or more and 20 or less. . Further, the electrical paste for forming the via hole has a viscosity of 20 Pa · s or more and 95 Pa · s or less, and the thixotropy index of the conductive paste is −0.05 or more and 0.50 or less. It is estimated that a high via hole can be obtained.

本発明は、インタースティシャルビアホールを効率良く形成できると共に、インタースティシャルビアホールと導電層との電気的接続信頼性に優れるプリント配線板及びその製造方法を提供することができる。   The present invention can provide a printed wiring board that can efficiently form an interstitial via hole and has excellent electrical connection reliability between the interstitial via hole and the conductive layer, and a method for manufacturing the printed wiring board.

1,1A プリント配線板
2,2A 基材
20,20A 貫通孔
3 第1導電層
30 貫通孔
4,4A 第2導電層
40A 貫通孔
5 第1カバーレイ
50 カバーフィルム
51 接着剤層
6 第2カバーレイ
60 カバーフィルム
61 接着剤層
7,7A ビアホール用有底孔
8,8A ブラインドビアホール
80,80A フランジ部
81,81A 本体部分
82,82A 凹部
90,91 金属膜
92 導電ペースト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A Printed wiring board 2,2A Base material 20,20A Through-hole 3 1st conductive layer 30 Through-hole 4,4A 2nd conductive layer 40A Through-hole 5 1st coverlay 50 Cover film 51 Adhesive layer 6 2nd cover Lay 60 Cover film 61 Adhesive layer 7, 7A Bottom hole for via hole 8, 8A Blind via hole 80, 80A Flange portion 81, 81A Main body portion 82, 82A Recessed portion 90, 91 Metal film 92 Conductive paste

Claims (3)

基材と、この基材の一方の面に形成される第1導電層と、上記基材の他方の面に形成される第2導電層と、上記基材を貫通しかつ上記第1導電層及び上記第2導電層を電気的に接続するインタースティシャルビアホールとを備え、
上記インタースティシャルビアホールが導電粒子及びバインダーを含有し、
上記インタースティシャルビアホールが導電ペーストを硬化したものであり、上記導電ペーストのJIS−Z8803:2011に準拠し回転数1rpm(せん断速度2s −1 )、25℃の条件下で測定される粘度が20Pa・s以上95Pa・s以下、下記式(1)で表されるチクソトロピー指数が−0.05以上0.50以下であり、
上記導電粒子の平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下であり、
上記導電粒子のアスペクト比が2以上20以下であり、
上記導電粒子と上記バインダーとの質量比が80:20以上96:4以下であり、
上記基材の厚み方向における熱膨張率が、上記インタースティシャルビアホールの上記熱膨張率の0.1倍以上10倍以下であるプリント配線板。
チクソトロピー指数=log(η1/η2)/log(D2/D1)・・・(1)
D1(せん断速度):2s −1 (回転数1rpm)
D2(せん断速度):20s −1 (回転数10rpm)
η1:せん断速度D1、25℃のときの導電ペーストの粘度
η2:せん断速度D2、25℃のときの導電ペーストの粘度
A base material, a first conductive layer formed on one surface of the base material, a second conductive layer formed on the other surface of the base material, and the first conductive layer penetrating the base material. And an interstitial via hole for electrically connecting the second conductive layer,
The interstitial via hole contains conductive particles and a binder,
The interstitial via hole is obtained by curing the conductive paste, and the viscosity of the conductive paste measured under conditions of 1 rpm (shear rate 2 s −1 ) and 25 ° C. in accordance with JIS-Z8803: 2011 is 20 Pa. S to 95 Pa · s, the thixotropy index represented by the following formula (1) is from −0.05 to 0.50,
The conductive particles have an average particle size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less,
The conductive particles have an aspect ratio of 2 or more and 20 or less,
The mass ratio of the conductive particles to the binder is 80:20 or more and 96: 4 or less,
The printed wiring board whose thermal expansion coefficient in the thickness direction of the said base material is 0.1 to 10 times the said thermal expansion coefficient of the said interstitial via hole.
Thixotropic index = log (η1 / η2) / log (D2 / D1) (1)
D1 (shear rate): 2 s −1 (rotation speed 1 rpm)
D2 (shear rate): 20 s −1 (rotation speed: 10 rpm)
η1: the viscosity of the conductive paste when the shear rate D1 is 25 ° C.
η2: viscosity of the conductive paste at a shear rate D2 and 25 ° C.
上記インタースティシャルビアホールがビアホール用有底孔に形成されるブラインドビアホールであり、
上記ビアホール用有底孔の内径が40μm以上100μm以下であり、
上記ビアホール用有底孔の深さが10μm以上100μm以下である請求項1に記載のプリント配線板。
The interstitial via hole is a blind via hole formed in a bottomed hole for a via hole,
The inner diameter of the bottomed hole for the via hole is 40 μm or more and 100 μm or less,
The printed wiring board according to claim 1, wherein a depth of the bottomed hole for the via hole is 10 μm or more and 100 μm or less.
基材の一方の面に形成される第1導電層と上記基材の他方の面に形成される第2導電層とを電気的に接続するインタースティシャルビアホールを備えるプリント配線板の製造方法であって、
ビアホール用有底孔を形成する工程と、
このビアホール用有底孔に導電粒子及びバインダーを含む導電ペーストを充填する工程と、
この導電ペーストを硬化させる工程とを備え、
上記導電ペーストのJIS−Z8803:2011に準拠し回転数1rpm(せん断速度2s −1 )、25℃の条件下で測定される粘度が20Pa・s以上95Pa・s以下、下記式(1)で表されるチクソトロピー指数が−0.05以上0.50以下であり、
上記導電粒子の平均粒径が0.5μm以上5.0μm以下、アスペクト比が2以上20以下、かつ
上記導電粒子と上記バインダーとの質量比が80:20以上96:4であり、
上記基材の厚み方向における熱膨張率が、上記インタースティシャルビアホールの上記熱膨張率の0.1倍以上10倍以下であるプリント配線板の製造方法。
チクソトロピー指数=log(η1/η2)/log(D2/D1)・・・(1)
D1(せん断速度):2s −1 (回転数1rpm)
D2(せん断速度):20s −1 (回転数10rpm)
η1:せん断速度D1、25℃のときの導電ペーストの粘度
η2:せん断速度D2、25℃のときの導電ペーストの粘度
A method of manufacturing a printed wiring board comprising an interstitial via hole that electrically connects a first conductive layer formed on one surface of a substrate and a second conductive layer formed on the other surface of the substrate. There,
Forming a bottomed hole for a via hole;
Filling the bottomed hole for the via hole with a conductive paste containing conductive particles and a binder;
A step of curing the conductive paste,
The conductive paste of JIS-Z8803: conforms to 2011 rpm 1 rpm (shear rate 2s -1), the viscosity measured under the conditions of 25 ° C. below 20 Pa · s or higher 95 Pa · s, the table by the following formula (1) The thixotropy index is -0.05 or more and 0.50 or less,
The conductive particles have an average particle size of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less, an aspect ratio of 2 or more and 20 or less, and a mass ratio of the conductive particles and the binder of 80:20 or more and 96: 4,
The manufacturing method of the printed wiring board whose thermal expansion coefficient in the thickness direction of the said base material is 0.1 to 10 times the said thermal expansion coefficient of the said interstitial via hole.
Thixotropic index = log (η1 / η2) / log (D2 / D1) (1)
D1 (shear rate): 2 s −1 (rotation speed 1 rpm)
D2 (shear rate): 20 s −1 (rotation speed: 10 rpm)
η1: the viscosity of the conductive paste when the shear rate D1 is 25 ° C.
η2: viscosity of the conductive paste at a shear rate D2 and 25 ° C.
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