JP5938363B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents
Organic electroluminescence device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5938363B2 JP5938363B2 JP2013062199A JP2013062199A JP5938363B2 JP 5938363 B2 JP5938363 B2 JP 5938363B2 JP 2013062199 A JP2013062199 A JP 2013062199A JP 2013062199 A JP2013062199 A JP 2013062199A JP 5938363 B2 JP5938363 B2 JP 5938363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical layer
- layer
- organic electroluminescent
- particles
- interval
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 96
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 26
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 for example Polymers 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003121 nonmonotonic effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFCSASDLEBELEU-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene-11,12,15,16,17,18-hexacarbonitrile Chemical compound N#CC1=C(C#N)C(C#N)=C2C3=C(C#N)C(C#N)=NN=C3C3=NN=NN=C3C2=C1C#N YFCSASDLEBELEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機電界発光(EL:エレクトロルミネセンス)素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) device.
有機EL素子は、透明基板上に、透明電極と、発光層と、反射電極とをこの順に積層した構造が一般的である。 The organic EL element generally has a structure in which a transparent electrode, a light emitting layer, and a reflective electrode are laminated in this order on a transparent substrate.
このような有機EL素子において、透明基板からの光取り出し効率を高めるための様々な工夫がなされている。 In such an organic EL element, various devices have been made to increase the light extraction efficiency from the transparent substrate.
例えば、特許文献1〜4には、透明基板と透明電極の間の界面にランダムな凹凸を設けることで、広い波長領域での光取り出し効率を向上させた有機EL素子が記載されている。 For example, Patent Documents 1 to 4 describe organic EL elements in which light extraction efficiency in a wide wavelength region is improved by providing random unevenness at the interface between the transparent substrate and the transparent electrode.
特許文献1〜4には、透明基板と透明電極の間の界面に設ける凹凸の間隔を、どの程度ランダムにすれば光取り出し効率を向上させられるかについては考慮されていない。また、金型等を用いて凹凸を形成しているため、凹凸の間隔を細かく制御することが難しく、製造コストが高くなる。 Patent Documents 1 to 4 do not consider how random the spacing between the unevenness provided at the interface between the transparent substrate and the transparent electrode can improve the light extraction efficiency. Further, since the unevenness is formed using a mold or the like, it is difficult to finely control the interval between the unevenness, and the manufacturing cost increases.
本発明の目的は、広い波長領域での光取り出し効率を向上させることのできる安価な有機電界発光素子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an inexpensive organic electroluminescent device capable of improving the light extraction efficiency in a wide wavelength region.
本発明の有機電界発光素子は、透明基板と、上記透明基板上に形成され、上記透明基板とは反対側の表面に凹凸を有する屈折率が均一な光学層と、上記光学層上に形成される透明電極と、上記透明電極上に形成される発光層と、上記発光層上に形成される反射電極と、を備え、上記光学層は、バインダ層と、上記バインダ層に埋められる粒子とにより構成され、上記粒子の粒径は1000nm以下であり、上記光学層の表面にある凸部同士の間隔は、100nm〜1000nmの範囲でばらついており、上記光学層において最も多く存在する上記間隔の出現頻度を“1”としたとき、1000nmの上記間隔の出現頻度が0.5以上であるものである。 The organic electroluminescence device of the present invention is formed on a transparent substrate, an optical layer formed on the transparent substrate, having an uneven surface on the surface opposite to the transparent substrate and having a uniform refractive index, and the optical layer. A transparent electrode, a light emitting layer formed on the transparent electrode, and a reflective electrode formed on the light emitting layer. The optical layer includes a binder layer and particles embedded in the binder layer. The particle diameter of the particle is 1000 nm or less, and the interval between the convex portions on the surface of the optical layer varies in the range of 100 nm to 1000 nm, and the appearance of the interval that exists most in the optical layer appears. When the frequency is “1”, the appearance frequency of the above-mentioned interval of 1000 nm is 0.5 or more.
本発明によれば、広い波長領域での光取り出し効率を向上させることのできる安価な有機電界発光素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cheap organic electroluminescent element which can improve the light extraction efficiency in a wide wavelength range can be provided.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態を説明するための有機EL素子の断面構成を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration of an organic EL element for explaining an embodiment of the present invention.
有機EL素子100は、透明基板1と、透明基板1上に形成された透明基板1側の表面に凹凸を有する屈折率が均一な光学層2と、光学層2上に形成された透明電極3と、透明電極3上に形成された、有機又は無機の発光材料からなる有機発光層又は無機発光層を含む発光層4と、発光層4上に形成された反射電極5と、を備える。光学層2と透明電極3の間には補助配線があってもよい。発光層4は、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等を含んでいてもよい。
The
透明電極3と反射電極5のうち、一方は陽極、他方は陰極である。これら陽極と陰極との間に直流電圧を印加すると、陰極及び陽極から発光層4に含まれる有機発光層又は無機発光層に電子及び正孔が注入され、それらの再結合によって励起子が生成され、この励起子が失活する際の光の放出により、発光層4が発光する。発光層4から発せられた光を透明基板1側に取り出すことで、有機EL素子100を照明や表示素子等に利用することができる。本実施形態では、発光層4として白色光を発光するものを用いる。
One of the
透明基板1は、発光層4から発せられる光を十分に透過できる材料で構成されたものであればよく、例えばガラス基板、樹脂基板等が用いられる。
The transparent substrate 1 should just be comprised with the material which can permeate | transmit the light emitted from the
光学層2は、光の回折現象により、透明基板1側に取り出すことのできる光を増やすために設けられる。
The
光学層2は、バインダ層2Aと、バインダ層2Aに埋められた多数の粒子2Bとにより構成される。この多数の粒子2Bにより、光学層2の透明基板1とは反対側の表面に凹凸が形成される。粒子2Bは、図1では球状としているが、三角柱、四角柱等、様々な形状のものが用いられる。
The
光学層2の表面にある凹凸の凸部同士の間隔は、可視光の波長域(一般的には380nm〜780nm)を含みかつこの波長域よりも広い波長範囲でばらついている。このように、回折格子の格子間隔に相当する凸部同士の間隔がばらついていることで、可視光の波長域のうちの特定波長の光のみでなく、この波長域にある多くの波長の光で、光取り出し効率を向上させることが可能となる。
The interval between the convex and concave portions on the surface of the
なお、上記波長範囲は、可視光の種々の波長において光取り出し効率を高めるために、100nm〜1000nmの範囲としておくのがよい。 The wavelength range is preferably set to a range of 100 nm to 1000 nm in order to increase the light extraction efficiency at various wavelengths of visible light.
凸部同士の間隔は、光学層2の表面に形成される全ての凸部と、この全ての凸部の各々に隣接する他の凸部との間隔のことを言う。ここで、隣接する2つの凸部とは、この2つの凸部の頂部同士を結ぶ直線上に、この2つの凸部以外の別の凸部が配置されないもののことを言う。
The interval between the convex portions refers to the interval between all the convex portions formed on the surface of the
図2は、光学層2の一部領域を発光層4側から見たときの図であり、凸部同士の間隔を説明するための図である。図2に示す一部領域には、上記定義にしたがい、凸部の間隔として、符号20,21,22,23,24,25で示す6つの間隔が存在する。
FIG. 2 is a diagram when a partial region of the
発明者は、光学層2の粒子2Bの粒径が1000nm以下であり、更に、光学層2の表面に形成される凸部同士の間隔のうち、最も多く存在する第一の長さの間隔の出現頻度を“1”としたとき、上記波長範囲における長波長側の端部の波長と同じ第二の長さ(=1000nm)の間隔の出現頻度が0.5以上となっていることで、凸部同士の間隔を単にランダムにする場合と比較して、光取り出し効率を向上させられることを見出した。
The inventor has a particle size of the
なお、粒子2Bの粒径とは、粒子の平面視における面積に相当する大きさの円の直径である。光学層2における粒子2Bの粒径は200nm〜800nmの範囲であることが好ましく、300nm〜600nmの範囲であることがより好ましい。
The particle diameter of the
更に、発明者は、光学層2に含まれる全ての長さの上記間隔毎にその出現頻度をプロットした場合に、上記第一の長さから上記第二の長さの間において、出現頻度が非単調減少となっていることで、光取り出し効率を更に向上させられることを見出した。
Furthermore, when the inventor plots the appearance frequency for each of the intervals of all the lengths included in the
光学層2に含まれる全ての長さの上記間隔は、光学層2の凹凸が形成される面をレーザー顕微鏡によって撮像して得た顕微鏡画像に高速フーリエ変換(FFT)処理を行うことで測定可能である。
The above-mentioned intervals of all lengths included in the
ここまでは、光学層2の凸部同士の間隔の条件について説明したが、光学層2の表面に形成される凹凸の平均高さが大きすぎると、光学層2上に形成される透明電極3と反射電極5との間でリークが発生してしまう。このため、光学層2の表面に形成される凹凸の平均高さは200nm以下にすることが好ましい。もちろん、リーク対策を他の手段(発光層4を平坦にする等)で行えば、凹凸の平均高さは200nmより大きくしても構わない。凹凸の平均高さの下限値は、回折現象が期待できる程度の凹凸が形成されればよく、20nm程度としておくのがよい。
So far, the conditions for the spacing between the convex portions of the
なお、凹凸の平均高さは、凹凸の凹部の底部から凸部の頂部までの高さの平均のことを意味し、例えば次のようにして求めることができる。 The average height of the unevenness means the average height from the bottom of the uneven concave portion to the top of the convex portion, and can be determined as follows, for example.
凹凸パターンを原子間力顕微鏡などにより観察し、その観察から表面微細凹凸体の断面図を得る。1つの凹部の底までの深さは、両隣の2つの凸部の頂部から凹部の底までの距離の和の1/2である。そこで、無作為に抽出した10個以上の各凹部について、このように両隣の2つの凸部の頂部から凹部の底までの距離の和を求め、さらにその1/2をそれぞれ求め、得られた値の平均値を平均高さとする。 The uneven pattern is observed with an atomic force microscope or the like, and a cross-sectional view of the surface fine uneven body is obtained from the observation. The depth to the bottom of one recess is 1/2 of the sum of the distances from the tops of the two adjacent protrusions to the bottom of the recess. Therefore, for each of 10 or more randomly extracted recesses, the sum of the distances from the top of the two adjacent protrusions to the bottom of the recess was obtained, and 1/2 of each was further obtained. The average value is the average height.
以上のような構成の光学層2は、例えば、アクリル等の樹脂製の粒子を分散させたバインダを透明基板1に塗布することによって形成することができる。
The
光学層2に用いられるバインダ層の材料としては、透明性のある適宜の樹脂が用いられる。
As a material of the binder layer used for the
この樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体等が挙げられる。 As this resin, for example, acrylic resin, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene, polyethersulfone, polyarylate, polycarbonate resin, polyurethane, polyacrylonitrile, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide, diester Examples thereof include acrylic phthalate resins, cellulose resins, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetate, other thermoplastic resins, and copolymers of two or more monomers constituting these resins.
光学層2は、透明電極3から入射する光が内部において散乱しないように、バインダ層2Aの屈折率と粒子2Bの屈折率との関係を定めておくのがよい。
In the
バインダ層2Aの屈折率と粒子2Bの屈折率の差を0.1以下、好ましくは0.05以下とすることで、光学層2の屈折率を実質的に均一にすることができ、光学層2内部での光の散乱を効果的に防ぐことができる。この結果、光学層2に入射した光が散乱によって発光層4側に戻る量を減らすことができ、有機EL素子100の光取り出し効率を高くすることができる。
By making the difference between the refractive index of the
また、光学層2と透明基板1との界面での光の散乱を防ぐためにも、バインダ層2Bと透明基板1とはほぼ同じ屈折率にしておくことが好ましい。
In order to prevent light scattering at the interface between the
透明電極3は、発光層4から発せられる光を十分に透過でき、かつ、発光層4に含まれる材料よりも導電性が十分に高い導電性材料で構成された電極である。透明電極3の材料には、例えばITOや、PEDOT−PSS等の導電性高分子が用いられる。
The
透明電極3に用いられる導電性高分子としては、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらを単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。
Examples of the conductive polymer used for the
図1に示すように、透明電極3は、光学層2の表面にある凹凸の形状を反映した形状となっており、透明電極3の発光層4側の表面には、光学層2側の表面と同等の凹凸が形成される。
As shown in FIG. 1, the
図1では、発光層4の反射電極5側の面には、透明電極3の発光層4側の面に形成された凹凸を反映した形状の凹凸が形成されている。しかし、発光層4の反射電極5側の面は、平坦であってもよい。
In FIG. 1, unevenness having a shape reflecting the unevenness formed on the surface of the
反射電極5は、発光層4から発せられる光を反射することができ、かつ、発光層4に用いられる材料よりも導電性の十分に高い導電性材料で構成される。反射電極5は、例えばアルミニウム、銀等が用いられる。
The
次に、有機EL素子100の製造方法の一例を説明する。
Next, an example of a method for manufacturing the
(ガラス基板表面処理)
ガラス基板(コーニング社製、Eagle XG、屈折率1.51)を洗浄容器に入れ、中性洗剤中で超音波洗浄した後、純水中で超音波洗浄し、120℃で120分間加熱乾燥を行った。ガラス基板はシランカップリング処理を行った。
(Glass substrate surface treatment)
A glass substrate (Corning, Eagle XG, refractive index 1.51) is placed in a washing container, ultrasonically washed in a neutral detergent, then ultrasonically washed in pure water, and heated and dried at 120 ° C. for 120 minutes. went. The glass substrate was subjected to silane coupling treatment.
(光学層形成工程)
バインダとしてTMPT(新中村化学工業株式会社製)2500mg及びEA−200(大阪ガスケミカル株式会社製)650mgと、溶媒としてPGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)12000mg及びMEK(メチルエチルケトン)4500mgとを、ローラー、スターラーにより攪拌し、十分に混合させてバインダ層材料液を形成する。
(Optical layer forming process)
TMPT (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 2500 mg and EA-200 (made by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.) 650 mg as binders, PGME (propylene glycol monomethyl ether) 12000 mg and MEK (methyl ethyl ketone) 4500 mg as rollers, stirrer The mixture is sufficiently mixed to form a binder layer material liquid.
次に、このバインダ層材料液に対し、架橋アクリル系粒子(テクポリマー(積水化成品工業株式会社製、登録商標))合計4500mgと、重合開始剤(BASFジャパン社製)30mgを添加し、スターラーにて攪拌して光学層2の材料液を形成する。
Next, a total of 4500 mg of crosslinked acrylic particles (Techpolymer (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., registered trademark)) and 30 mg of a polymerization initiator (BASF Japan) are added to the binder layer material liquid, and a stirrer is added. To form a material liquid for the
ガラス基板にワイヤーバーを用いて上記光学層2の材料液を塗布し、その後、UV照射(365nm)を10分間行い硬化させて、光学層2を形成する。
The
こうしてできた光学層2に含まれる粒子2Bの数をNとし、光学層2が形成される透明基板1上の平面領域内に粒子2Bが重ならないように最密に配置したときの粒子2Bの数をMとしたとき、N=α×M(αは1以上の自然数)である場合、光学層2の粒子密度はαであるという。
The number of the
光学層2の凸部同士の間隔に関する上記条件は、材料液に含まれる粒子の粒径と上記αの値とを調整することで実現可能である。粒子密度αは1.5以上が好ましく、2以上がより好ましい。
The said conditions regarding the space | interval of the convex parts of the
(透明電極形成工程)
光学層2上に、補助配線としてAgを100nm、金属マスクを介して成膜し、その後、ITOを真空蒸着装置によってスパッタ蒸着して透明電極3を形成する。
(Transparent electrode formation process)
On the
(発光層形成工程)
透明電極3上に、HATCN(ヘキサアザトリフェニレン ヘキサカルボニトリル)を厚み10nmとなるように真空蒸着して正孔注入層を形成する。
(Light emitting layer forming step)
On the
正孔注入層上に、α−NPD(Bis[N−(1−naphthyl)−N−phenyl]benzidine)を厚み500nmとなるように真空蒸着して、第一の正孔輸送層を形成する。 On the hole injection layer, α-NPD (Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine) is vacuum-deposited to a thickness of 500 nm to form a first hole transport layer.
第一の正孔輸送層上に、下記構造式で表される有機材料Aを厚み5nmとなるように真空蒸着して、第二の正孔輸送層を形成する。 On the 1st positive hole transport layer, the organic material A represented by the following structural formula is vacuum-deposited so that it may become thickness 5nm, and a 2nd positive hole transport layer is formed.
次に、第二の正孔輸送層上に、MCP(メタ−ジカルバゾ−9−リ ルベンゼン)をホスト材料として、このホスト材料に対して40質量%の燐光発光材料である下記構造式で表される発光材料Aをドープした材料を厚み30nmとなるように真空蒸着して、有機発光層を形成する。 Next, MCP (meta-dicarbazo-9-rylbenzene) is used as a host material on the second hole transport layer, and the following structural formula, which is a phosphorescent material of 40% by mass with respect to the host material, is represented by the following structural formula. A material doped with the light emitting material A is vacuum-deposited to a thickness of 30 nm to form an organic light emitting layer.
有機発光層上に、下記構造式で表されるBAlq(Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium(III))を厚み39nmとなるように真空蒸着して、第一の電子輸送層を形成する。 On the organic light emitting layer, BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum (III)) represented by the following structural formula was vacuum-deposited to a thickness of 39 nm. Thus, the first electron transport layer is formed.
第一の電子輸送層上に、下記構造式で表されるBCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)を厚み1nmとなるように真空蒸着して、第二の電子輸送層を形成する。 On the first electron transport layer, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) represented by the following structural formula was vacuum-deposited so as to have a thickness of 1 nm. The electron transport layer is formed.
第二の電子輸送層上にLiFを厚み1nmとなるように蒸着して電子注入層を形成する。これにより、発光層4の形成を終了する。
LiF is deposited on the second electron transport layer so as to have a thickness of 1 nm to form an electron injection layer. Thereby, the formation of the
(反射電極形成工程)
電子注入層の上にアルミニウムを厚み200nmとなるように蒸着して、反射電極5を形成する。
(Reflective electrode formation process)
Aluminum is deposited on the electron injection layer to a thickness of 200 nm to form the
(封止工程)
窒素ガス雰囲気中にて乾燥剤を貼り付け、透明基板との設置面に封止材を塗った封止ガラス缶にて、透明基板1以外の構成要素を封止する。
(Sealing process)
A constituent other than the transparent substrate 1 is sealed with a sealing glass can in which a desiccant is attached in a nitrogen gas atmosphere and a sealing material is applied to the installation surface with the transparent substrate.
有機EL素子100によれば、上記のように、材料液の塗布によって光学層を形成することができる。また、光学層の凸部同士の間隔を、粒子の粒径や密度によって容易に調整することができる。したがって、製造コストを増大させることなく、光取り出し効率を向上させることができる。
According to the
次に、上記構成の有機EL素子100において光取出し効率を検証した結果を以下に説明する。
Next, the result of verifying the light extraction efficiency in the
<実施例1>
光学層を構成する粒子の粒径を300nmとし、光学層における粒子の密度α=2として、上記製造方法により有機EL素子を製造した。実施例1の素子では、バインダ層材料に含まれる2つのバインダの混合比を調整することで、光学層における粒子とバインダ層との屈折率差を0.01にした。実施例1の素子は、光学層の凸部の分布が図3のグラフに示すようなものとなった。図3に示すグラフは、横軸に凸部同士の間隔を示し、縦軸に、凸部の間隔毎の出現頻度を、最も多く存在する間隔の出現頻度を1としたときの相対頻度として示している。
<Example 1>
The organic EL element was manufactured by the said manufacturing method by making the particle size of the particle | grains which comprise an optical layer into 300 nm, and setting the density (alpha) = 2 of the particle | grains in an optical layer. In the element of Example 1, the refractive index difference between the particles in the optical layer and the binder layer was set to 0.01 by adjusting the mixing ratio of the two binders contained in the binder layer material. In the element of Example 1, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in the graph of FIG. In the graph shown in FIG. 3, the horizontal axis indicates the interval between the convex portions, and the vertical axis indicates the appearance frequency for each interval between the convex portions as the relative frequency when the appearance frequency of the most existing interval is 1. ing.
<実施例2>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例2の素子は、光学層の凸部の分布が図3に示すようなものとなった。
<Example 2>
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle size of the particles constituting the optical layer was 500 nm. In the element of Example 2, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG.
<実施例3>
光学層を構成する粒子の粒径を800nmとした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例3の素子は、光学層の凸部の分布が図3に示すようなものとなった。
<Example 3>
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle size of the particles constituting the optical layer was 800 nm. In the element of Example 3, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG.
<実施例4>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、α=3とした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例4の素子は、光学層の凸部の分布が図4に示すようなものとなった。図4に示すグラフの横軸及び横軸は図3と同じである。
<Example 4>
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle size of the particles constituting the optical layer was 500 nm and α was set to 3. In the element of Example 4, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG. The horizontal axis and horizontal axis of the graph shown in FIG. 4 are the same as those in FIG.
<実施例5>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、α=4とした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例5の素子は、光学層の凸部の分布が図4に示すようなものとなった。
<Example 5>
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle diameter of the particles constituting the optical layer was 500 nm and α was set to 4. In the element of Example 5, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG.
<実施例6>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、透明電極を構成する材料をPEDOT−PSSに変更した以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例6の素子は、光学層の凸部の分布が、実施例2の素子とほぼ同じになった。
<Example 6>
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle diameter of the particles constituting the optical layer was 500 nm and the material constituting the transparent electrode was changed to PEDOT-PSS. In the element of Example 6, the distribution of the convex portions of the optical layer was almost the same as that of the element of Example 2.
<実施例7>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、光学層における粒子とバインダ層との屈折率差が0.05となるように調整した以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例7の素子は、光学層の凸部の分布が、実施例2の素子とほぼ同じになった。
<Example 7>
The organic EL element was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the particle diameter of the particles constituting the optical layer was 500 nm and the refractive index difference between the particles in the optical layer and the binder layer was adjusted to 0.05. Produced. In the element of Example 7, the distribution of the convex portions of the optical layer was almost the same as that of the element of Example 2.
<実施例8>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、α=1.5とした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。実施例8の素子は、光学層の凸部の分布が図4に示すようなものとなった。
<Example 8>
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle size of the particles constituting the optical layer was 500 nm and α was set to 1.5. In the element of Example 8, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG.
<比較例1>
光学層を省略した以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
<Comparative Example 1>
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the optical layer was omitted.
<比較例2>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、α=1とした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。比較例2の素子は、光学層の凸部の分布が図5に示すようなものとなった。図5に示すグラフの横軸及び横軸は図3と同じである。
<Comparative Example 2>
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle size of the particles constituting the optical layer was 500 nm and α = 1. In the element of Comparative Example 2, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG. The horizontal axis and the horizontal axis of the graph shown in FIG. 5 are the same as those in FIG.
<比較例3>
光学層を構成する粒子の粒径を1500nmとした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。比較例3の素子は、光学層の凸部の分布が図5に示すようなものとなった。
<Comparative Example 3>
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the particle size of the particles constituting the optical layer was 1500 nm. In the element of Comparative Example 3, the distribution of the convex portions of the optical layer was as shown in FIG.
<比較例4>
光学層を構成する粒子の粒径を500nmとし、光学層における粒子とバインダ層との屈折率差が0.15となるように調整した以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。比較例4の素子は、光学層の凸部の分布が図5に示すようなものとなった。
<Comparative example 4>
The organic EL element was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the particle diameter of the particles constituting the optical layer was 500 nm and the refractive index difference between the particles in the optical layer and the binder layer was adjusted to 0.15. Produced. In the element of Comparative Example 4, the distribution of convex portions of the optical layer was as shown in FIG.
このようにして作製した各素子について、外部量子効率と駆動電圧を測定した。外部量子効率と駆動電圧は、浜松ホトニクス製「C9920−12」を用い、2.5mA/cm2の電流を素子に流したときの外部量子効率と素子に加わった電圧値を読みとった。測定結果と素子構成をまとめたものを、以下の表1,2に示す。 The external quantum efficiency and the driving voltage were measured for each device thus fabricated. As the external quantum efficiency and driving voltage, “C9920-12” manufactured by Hamamatsu Photonics was used, and the external quantum efficiency and the voltage value applied to the device when a current of 2.5 mA / cm 2 was passed through the device were read. Tables 1 and 2 below summarize the measurement results and device configuration.
実施例1〜8と比較例2との比較により、間隔=1000nmにおける相対頻度が0.5以上になっていると、量子効率が高くなることがわかる。 From comparison between Examples 1 to 8 and Comparative Example 2, it can be seen that the quantum efficiency increases when the relative frequency at the interval = 1000 nm is 0.5 or more.
また、比較例3は、間隔=1000nmにおける相対頻度が1であり、間隔=1000nmにおける相対頻度が0.5以上という要件を満たしているが、量子効率は14.4%と低い。これは、粒子の粒径が1500nmと大きいために、相対頻度の高い間隔が長波長側に偏ることで、量子効率が落ちるためと考えられる。実施例1〜8のように、粒径を1000nm以下とすることで、相対頻度の高い間隔が、100nn〜1000nmの波長範囲で分散することになり、量子効率を高めることができる。 Comparative Example 3 satisfies the requirement that the relative frequency at the interval = 1000 nm is 1 and the relative frequency at the interval = 1000 nm is 0.5 or more, but the quantum efficiency is as low as 14.4%. This is presumably because the quantum efficiency decreases because the particle size of the particles is as large as 1500 nm, and the interval having a high relative frequency is biased toward the longer wavelength side. As in Examples 1 to 8, by setting the particle size to 1000 nm or less, intervals with high relative frequency are dispersed in a wavelength range of 100 nn to 1000 nm, and quantum efficiency can be increased.
また、比較例4は、間隔=1000nmにおける相対頻度が0.9であるが、量子効率は10.1%と低い。これは、光学層において粒子とバインダ層の屈折率差が大きく、光学層内において光の散乱が生じてしまっているためと考えられる。実施例1〜8と比較例4の結果から、光学層において粒子とバインダ層の屈折率差が0.1以下となっていることで、量子効率の低下を防げることが分かる。 In Comparative Example 4, the relative frequency at the interval = 1000 nm is 0.9, but the quantum efficiency is as low as 10.1%. This is presumably because the refractive index difference between the particles and the binder layer is large in the optical layer, and light is scattered in the optical layer. From the results of Examples 1 to 8 and Comparative Example 4, it can be seen that the difference in refractive index between the particles and the binder layer in the optical layer is 0.1 or less, thereby preventing the quantum efficiency from being lowered.
また、実施例1,2,6,7は、実施例3,8と比べると量子効率が高くなっている。実施例1,2,6,7に共通するのは、相対頻度が“1”になる間隔から1000nmの間隔までの間において、相対頻度が非単調減少となっていることである。非単調減少とは、値が下がり続けるのではなく、途中で上がったり、途中で変化がなくなったりすることを言う。 Also, Examples 1, 2, 6, and 7 have higher quantum efficiencies than Examples 3 and 8. What is common to Examples 1, 2, 6, and 7 is that the relative frequency decreases non-monotonically from the interval at which the relative frequency becomes “1” to the interval of 1000 nm. Non-monotonic decrease means that the value does not continue to decrease, but increases or disappears along the way.
相対頻度がピークから単調減少するということは、相対頻度の高い間隔が100nn〜1000nmの波長範囲で分散しにくくなることを意味する。したがって、相対頻度が非単調減少になる分布を光学層に持たせることで、実施例1,2,6,7の結果からも分かるように、光取り出し効率をより向上させることができる。 That the relative frequency monotonously decreases from the peak means that the interval having a high relative frequency is difficult to disperse in the wavelength range of 100 nn to 1000 nm. Therefore, by providing the optical layer with a distribution in which the relative frequency decreases non-monotonically, the light extraction efficiency can be further improved as can be seen from the results of Examples 1, 2, 6, and 7.
また、実施例1,2,3,6,7の結果から、光学層の粒子の粒径は、300nm〜600nmの範囲にあれば、最も効率を上げられることがわかる。これは、有機EL素子に用いる有機EL材料は、屈折率が1.8程度と高いため、可視光(380nm〜780nm)の波長範囲が、この有機EL材料中では波長200nm〜450nmとなり、この範囲に光学層の粒径があれば、可視光全体での取り出し効率を挙げられるためである。 In addition, the results of Examples 1, 2, 3, 6, and 7 show that the efficiency can be maximized when the particle diameter of the optical layer is in the range of 300 nm to 600 nm. This is because the organic EL material used for the organic EL element has a refractive index as high as about 1.8, so the wavelength range of visible light (380 nm to 780 nm) is 200 nm to 450 nm in this organic EL material. This is because if the optical layer has a particle size, the extraction efficiency in the entire visible light can be increased.
以上説明してきたように、本明細書には以下の事項が開示されている。 As described above, the following items are disclosed in this specification.
開示された有機電界発光素子は、透明基板と、上記透明基板上に形成され、上記透明基板とは反対側の表面に凹凸を有する屈折率が均一な光学層と、上記光学層上に形成される透明電極と、上記透明電極上に形成される発光層と、上記発光層上に形成される反射電極と、を備え、上記光学層は、バインダ層と、上記バインダ層に埋められる粒子とにより構成され、上記粒子の粒径は1000nm以下であり、上記光学層の表面にある凸部同士の間隔は、100nm〜1000nmの範囲でばらついており、上記光学層において最も多く存在する上記間隔の出現頻度を“1”としたとき、1000nmの上記間隔の出現頻度が0.5以上であるものである。 The disclosed organic electroluminescent device is formed on a transparent substrate, an optical layer formed on the transparent substrate, having an uneven surface on the surface opposite to the transparent substrate and having a uniform refractive index, and the optical layer. A transparent electrode, a light emitting layer formed on the transparent electrode, and a reflective electrode formed on the light emitting layer. The optical layer includes a binder layer and particles embedded in the binder layer. The particle diameter of the particle is 1000 nm or less, and the interval between the convex portions on the surface of the optical layer varies in the range of 100 nm to 1000 nm, and the appearance of the interval that exists most in the optical layer appears. When the frequency is “1”, the appearance frequency of the above-mentioned interval of 1000 nm is 0.5 or more.
開示された有機電界発光素子は、上記光学層に含まれる全ての長さの上記間隔毎に出現頻度をプロットした場合に、上記光学層において最も多く存在する上記間隔から1000nmの上記間隔までの間において、上記出現頻度が非単調減少となっているものを含む。 The disclosed organic electroluminescence device has a frequency range from the most existing interval in the optical layer to the interval of 1000 nm when the appearance frequency is plotted for each interval of all the lengths included in the optical layer. In which the appearance frequency is non-monotonically decreasing.
開示された有機電界発光素子は、上記光学層に含まれる上記粒子の数が、上記光学層が形成される平面領域内に上記粒子が重ならないように最密に配置したときの上記粒子の数の1.5倍以上となっているものを含む。 In the disclosed organic electroluminescent element, the number of the particles contained in the optical layer when the particles are arranged in a close-packed manner so that the particles do not overlap in a plane region where the optical layer is formed. Including those that are 1.5 times or more.
開示された有機電界発光素子は、上記粒子の粒径が、300nm〜600nmの範囲にあるものを含む。 The disclosed organic electroluminescent element includes those in which the particle diameter is in the range of 300 nm to 600 nm.
開示された有機電界発光素子は、上記粒子と上記バインダ層との屈折率の差が0.1以下であるものを含む。 The disclosed organic electroluminescent element includes those in which the difference in refractive index between the particles and the binder layer is 0.1 or less.
開示された有機電界発光素子は、上記凹凸の平均高さが20nm〜200nmの範囲にあるものを含む。 The disclosed organic electroluminescent elements include those in which the average height of the irregularities is in the range of 20 nm to 200 nm.
100 有機EL素子
1 透明基板
2 光学層
2A バインダ層
2B 粒子
3 透明電極
4 発光層
5 反射電極
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記透明基板上に形成され、前記透明基板とは反対側の表面に凹凸を有する屈折率が均一な光学層と、
前記光学層上に形成される透明電極と、
前記透明電極上に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される反射電極と、を備え、
前記光学層は、バインダ層と、前記バインダ層に埋められる粒子とにより構成され、
前記粒子の粒径は1000nm以下であり、
前記光学層の表面にある凸部同士の間隔は、100nm〜1000nmの範囲でばらついており、
前記光学層において最も多く存在する前記間隔の出現頻度を“1”としたとき、1000nmの前記間隔の出現頻度が0.5以上である有機電界発光素子。 A transparent substrate;
An optical layer formed on the transparent substrate and having a uniform refractive index having irregularities on the surface opposite to the transparent substrate;
A transparent electrode formed on the optical layer;
A light emitting layer formed on the transparent electrode;
A reflective electrode formed on the light emitting layer,
The optical layer is composed of a binder layer and particles embedded in the binder layer,
The particle diameter is 1000 nm or less,
The spacing between the convex portions on the surface of the optical layer varies in the range of 100 nm to 1000 nm,
An organic electroluminescent element in which the appearance frequency of the interval of 1000 nm is 0.5 or more, when the appearance frequency of the interval existing most in the optical layer is “1”.
前記光学層に含まれる全ての前記間隔毎に出現頻度をプロットした場合に、前記光学層において最も多く存在する前記間隔から1000nmの前記間隔までの間において、前記出現頻度が非単調減少となっている有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1,
When the appearance frequency is plotted for each of the intervals included in the optical layer, the appearance frequency decreases non-monotonically between the interval that exists most in the optical layer and the interval of 1000 nm. Organic electroluminescent device.
前記光学層に含まれる前記粒子の数が、前記光学層が形成される平面領域内に前記粒子が重ならないように最密に配置したときの前記粒子の数の1.5倍以上となっている有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2,
The number of the particles contained in the optical layer is 1.5 times or more of the number of the particles when the particles are arranged in a close-packed manner so that the particles do not overlap in a plane region where the optical layer is formed. Organic electroluminescent device.
前記粒子の粒径は、300nm〜600nmの範囲にある有機電界発光素子。 It is an organic electroluminescent element of any one of Claims 1-3, Comprising:
The organic electroluminescent element having a particle size of 300 nm to 600 nm.
前記粒子と前記バインダ層との屈折率の差は0.1以下である有機電界発光素子。 It is an organic electroluminescent element of any one of Claims 1-4, Comprising:
The organic electroluminescent element whose refractive index difference of the said particle | grain and the said binder layer is 0.1 or less.
前記凹凸の平均高さは20nm〜200nmの範囲にある有機電界発光素子。 It is an organic electroluminescent element of any one of Claims 1-5, Comprising:
The organic electroluminescent device having an average height of the irregularities in a range of 20 nm to 200 nm.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013062199A JP5938363B2 (en) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | Organic electroluminescence device |
PCT/JP2014/054217 WO2014156405A1 (en) | 2013-03-25 | 2014-02-21 | Organic electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013062199A JP5938363B2 (en) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | Organic electroluminescence device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014186925A JP2014186925A (en) | 2014-10-02 |
JP5938363B2 true JP5938363B2 (en) | 2016-06-22 |
Family
ID=51623404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013062199A Expired - Fee Related JP5938363B2 (en) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | Organic electroluminescence device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5938363B2 (en) |
WO (1) | WO2014156405A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104701466B (en) | 2015-03-25 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate and preparation method thereof and display device |
JPWO2016174950A1 (en) * | 2015-04-28 | 2018-02-22 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence device |
CN105977393B (en) * | 2016-05-27 | 2019-03-08 | 纳晶科技股份有限公司 | A kind of electroluminescent device and preparation method thereof |
CN106711347A (en) * | 2016-12-28 | 2017-05-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | OLED device and substrate thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4515274B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-07-28 | 大日本印刷株式会社 | Inorganic light emitting display |
JP2010186613A (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hitachi Displays Ltd | Organic light-emitting device and method of manufacturing the same, and display device |
JP5216806B2 (en) * | 2010-05-14 | 2013-06-19 | 株式会社日立製作所 | Organic light emitting diode and light source device using the same |
JP5835216B2 (en) * | 2010-05-26 | 2015-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | Light extraction sheet, organic electroluminescence element and lighting device |
-
2013
- 2013-03-25 JP JP2013062199A patent/JP5938363B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-21 WO PCT/JP2014/054217 patent/WO2014156405A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014156405A1 (en) | 2014-10-02 |
JP2014186925A (en) | 2014-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101330461B1 (en) | Organic electroluminescent device, display device, and illumination device | |
JP5849087B2 (en) | Light emitting device and article | |
Cai et al. | Extremely Efficient Indium–Tin‐Oxide‐Free Green Phosphorescent Organic Light‐Emitting Diodes | |
JP6471905B2 (en) | Light emitting device | |
JP4856937B2 (en) | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
AU2012338004B2 (en) | Organic EL element | |
US8653548B2 (en) | Light-emitting device | |
JP5830194B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME | |
KR102163400B1 (en) | Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an oled array | |
JP5938363B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP2011048937A (en) | Organic el light-emitting element | |
KR20160070142A (en) | Organic electroluminescent element, illumination device, and display device | |
JP5763517B2 (en) | Organic EL device | |
US20160126488A1 (en) | Organic light emitting diode structure | |
Kim et al. | Nanosinusoidal surface zinc oxide for optical out-coupling of inverted organic light-emitting diodes | |
JP6050333B2 (en) | Organic light-emitting device with improved light extraction | |
JP2012178279A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP5827934B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
Lee et al. | Enhancement of Light Extraction Efficiency and Suppression of Roll‐Off Characteristics of Thermally Activated Delayed Fluorescence Organic Light‐Emitting Diodes by Inserting Nanoscale Pixel‐Defining Layer | |
JP6471907B2 (en) | Light emitting device | |
Peng et al. | Improving Light Extraction of Organic Light‐Emitting Devices by Attaching Nanostructures with Self‐Assembled Photonic Crystal Patterns | |
JP2013175403A (en) | Organic electroluminescent element | |
WO2017213262A1 (en) | Organic el element, illumination device using organic el element, planar light source and display device | |
US9705109B2 (en) | Organic light emitting diode structure and method of forming same | |
KR20140098687A (en) | Method for manufacturing light extraction layer, organic light-emitting diodes including the light extraction layer, and lighting and display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150424 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5938363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |