JP5936922B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
液晶表示装置、及び液晶表示装置の作製方法に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the liquid crystal display device.
近年、液晶は多様なデバイスに応用されており、特に薄型、軽量の特徴を持つ液晶表示装置（液晶ディスプレイ）は幅広い分野のディスプレイにおいて用いられている。 In recent years, liquid crystals have been applied to various devices, and particularly liquid crystal display devices (liquid crystal displays) having thin and light features are used in displays in a wide range of fields.
より大型、高繊細な表示画面を可能とするため、液晶の応答速度の高速化が求められており、開発が進められている（例えば特許文献１参照）。 In order to enable a larger and higher-definition display screen, an increase in response speed of liquid crystal is required and development is underway (see, for example, Patent Document 1).
高速応答可能な液晶の表示モードとしてブルー相を発現する液晶を用いる表示モードがあげられる。ブルー相を発現する液晶を使用するモードは、高速応答が図れるうえ、配向膜が不要であり、かつ広視野角化が可能なので、実用化に向けてより研究が行われている（例えば特許文献２参照）。 As a liquid crystal display mode capable of high-speed response, there is a display mode using a liquid crystal exhibiting a blue phase. In the mode using a liquid crystal that exhibits a blue phase, a high-speed response is achieved, an alignment film is unnecessary, and a wide viewing angle is possible. 2).
長期間の使用においても、高い表示品位を保持できる液晶表示装置を提供することを目的の一とする。 Another object is to provide a liquid crystal display device that can maintain high display quality even in long-term use.
ブルー相を発現する液晶組成物を含む液晶表示パネルを有する液晶表示装置において、液晶組成物を加熱することのできる加熱手段を、液晶組成物に近接して設ける。 In a liquid crystal display device having a liquid crystal display panel including a liquid crystal composition that exhibits a blue phase, a heating unit capable of heating the liquid crystal composition is provided in the vicinity of the liquid crystal composition.
液晶組成物は、液晶組成物に接して設けられる一対の電極層が形成する電界によって制御されるが、度重なる電圧の印加によって、該電極層の周囲、又は近傍に、液晶組成物に含まれる導電性の不純物が析出する。析出した導電性の不純物は、電極層による電圧の印加不良及び保持不良を招き、液晶表示装置の表示品位の低下や消費電力の増大を引き起こす。 The liquid crystal composition is controlled by an electric field formed by a pair of electrode layers provided in contact with the liquid crystal composition, but is included in the liquid crystal composition around or near the electrode layer by repeated application of voltage. Conductive impurities are deposited. The deposited conductive impurities cause a voltage application failure and a retention failure due to the electrode layer, causing a reduction in display quality and an increase in power consumption of the liquid crystal display device.
析出した導電性の不純物は、電極層と接する液晶組成物を加熱手段により加熱することで、液晶組成物中に拡散し、電極層の周囲から除去させることができる。 The deposited conductive impurities can be diffused into the liquid crystal composition and removed from the periphery of the electrode layer by heating the liquid crystal composition in contact with the electrode layer with a heating means.
加熱手段としては、液晶組成物に近接して、加熱部を設け、該加熱部を制御する制御手段（制御回路）を設ける。なお、加熱部及び制御手段はそれぞれ、液晶表示パネル内、又は外に設けられる。 As a heating means, a heating part is provided in the vicinity of the liquid crystal composition, and a control means (control circuit) for controlling the heating part is provided. Note that the heating unit and the control means are each provided inside or outside the liquid crystal display panel.
具体的には、加熱部として高抵抗導電膜を設け、電流を流す（通電する）ことによって加熱する。高抵抗導電膜としては、発熱体として利用できる材料であればよく、例えば、酸化物導電膜、若しくはクロム、タングステン、タンタル、又はそれらの合金などの比較的抵抗の高い金属膜などを用いることができる。高抵抗導電膜は液晶組成物全面に亘って形成されてもよいし、線状や格子状など、選択的に形成されてもよい。 Specifically, a high-resistance conductive film is provided as a heating unit, and heating is performed by flowing current (energizing). The high-resistance conductive film may be any material that can be used as a heating element. For example, an oxide conductive film or a metal film having a relatively high resistance such as chromium, tungsten, tantalum, or an alloy thereof may be used. it can. The high resistance conductive film may be formed over the entire surface of the liquid crystal composition, or may be selectively formed in a linear shape or a lattice shape.
透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光を透過する必要があるため、透光性を有さない金属材料を用いる場合は、高抵抗導電膜は細い線状に加工されていることが好ましい。 In the case of a transmissive liquid crystal display device, it is necessary to transmit light from a backlight. Therefore, when using a metal material that does not have translucency, the high-resistance conductive film must be processed into a thin line. Is preferred.
加熱部は視認側に設けてもよいが、加熱時に高温となることを考慮すると、視認側と反対側（透過型においてはバックライト側）に設ける構造とすることが好ましい。また、高抵抗導電膜として金属膜などの透光性を有さない膜を用いる場合（特に大面積に連続して設ける場合）、視認側に設けると透過率や表示品位の低下も生じうるので、視認側と反対側に設ける構造とすることが好ましい。 The heating unit may be provided on the viewing side, but it is preferable that the heating unit be provided on the side opposite to the viewing side (the backlight side in the transmission type) in consideration of the high temperature during heating. In addition, when a non-transparent film such as a metal film is used as the high resistance conductive film (especially when it is provided continuously in a large area), if it is provided on the viewing side, the transmittance and display quality may be reduced. The structure provided on the side opposite to the viewing side is preferable.
なお、ブルー相はねじれ力の強い液晶組成物で発現し二重ねじれ構造を有する。該液晶組成物は、条件により、コレステリック相、コレステリックブルー相、等方相等を示す。 The blue phase is expressed by a liquid crystal composition having a strong twisting power and has a double twisted structure. The liquid crystal composition exhibits a cholesteric phase, a cholesteric blue phase, an isotropic phase, or the like depending on conditions.
ブルー相であるコレステリックブルー相は、低温側からブルー相Ｉ、ブルー相ＩＩ、ブルー相ＩＩＩと３種類の構造を示す。ブルー相であるコレステリックブルー相は光学的に等方性であるが、ブルー相Ｉは体心立方、ブルー相ＩＩは単純立方の対称性を有する。ブルー相Ｉ及びブルー相ＩＩは、紫外〜可視光領域にブラッグ回折を示す。 The cholesteric blue phase, which is a blue phase, shows three types of structures from the low temperature side: blue phase I, blue phase II, and blue phase III. The cholesteric blue phase which is a blue phase is optically isotropic, but the blue phase I has a body-centered cubic symmetry and the blue phase II has a simple cubic symmetry. Blue phase I and blue phase II exhibit Bragg diffraction in the ultraviolet to visible light region.
カイラル剤は、液晶組成物の捩れを誘起し、液晶組成物を螺旋構造に配向させブルー相を発現させるために用いる。カイラル剤は、不斉中心を有する化合物であり、液晶組成物に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い化合物を用いる。また、カイラル剤は光学活性体であり、光学純度が高いほど好ましく９９％以上が最も好ましい。 The chiral agent is used to induce twist of the liquid crystal composition, to align the liquid crystal composition in a spiral structure and to develop a blue phase. The chiral agent is a compound having an asymmetric center, and a compound having a good compatibility with the liquid crystal composition and a strong twisting power is used. Further, the chiral agent is an optically active substance, and the higher the optical purity, the more preferable it is 99% or more.
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、ブルー相を発現する液晶組成物を有する液晶表示パネルと、加熱部及び制御手段を含む加熱手段とを有し、加熱部は、液晶組成物に重なって設けられている液晶表示装置である。 One embodiment of the structure of the invention disclosed in this specification includes a liquid crystal display panel including a liquid crystal composition that exhibits a blue phase, and a heating unit including a heating unit and a control unit. The heating unit includes a liquid crystal composition. Is a liquid crystal display device provided to overlap.
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、ブルー相を発現する液晶組成物を有する液晶表示パネルと、加熱部及び制御手段を含む加熱手段とを有し、加熱部は、液晶表示パネル内に液晶組成物に重なって設けられている液晶表示装置である。 Another embodiment of the structure of the invention disclosed in this specification includes a liquid crystal display panel including a liquid crystal composition that exhibits a blue phase, and a heating unit including a heating unit and a control unit. A liquid crystal display device is provided in the display panel so as to overlap the liquid crystal composition.
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、上記構成において、加熱部は高抵抗導電膜であり、加熱手段において、制御手段により高抵抗導電膜に電流を流すことによって液晶組成物を加熱する液晶表示装置である。 Another embodiment of the structure of the invention disclosed in this specification is that, in the above structure, the heating portion is a high-resistance conductive film, and in the heating means, a current is passed through the high-resistance conductive film by the control means. It is a liquid crystal display device which heats.
本発明の一は、上記液晶組成物を用いる液晶素子、液晶表示装置、又は電子機器を提供するものである。 One embodiment of the present invention provides a liquid crystal element, a liquid crystal display device, or an electronic device using the above liquid crystal composition.
液晶表示装置において、加熱手段により劣化したブルー相を発現する液晶組成物を加熱し、回復することができるため、良好な表示を再度得ることができる。このような加熱処理を定期的に行うことによって、長期間良好な表示を維持できる、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 In a liquid crystal display device, a liquid crystal composition that exhibits a blue phase deteriorated by heating means can be heated and recovered, so that a good display can be obtained again. By performing such heat treatment periodically, a highly reliable liquid crystal display device capable of maintaining good display for a long period can be provided.
高い表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。 A liquid crystal display device having high display quality can be provided.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, it is not limited to the following description, and it will be easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the structures described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated.
なお、第１、第２、又は第３として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。 In addition, the ordinal numbers attached as the first, second, or third are used for convenience, and do not indicate the process order or the stacking order. In addition, a specific name is not shown as a matter for specifying the invention in this specification.
（実施の形態１）
本発明の一に係る液晶表示装置について、図１及び図３を用いて説明する。図１（Ａ１）乃至（Ａ３）、（Ｂ１）、及び（Ｂ２）は液晶表示装置の断面図であり、図３（Ａ）乃至（Ｃ）は液晶表示装置の平面図である。
(Embodiment 1)
A liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A1 to 1A3, 1B1, and 2B are cross-sectional views of a liquid crystal display device, and FIGS. 3A to 3C are plan views of the liquid crystal display device.
図１（Ａ１）乃至（Ａ３）に示すようにブルー相を発現する液晶組成物２０８を含む液晶表示パネル２１０を有する液晶表示装置において、液晶組成物２０８を加熱することのできる加熱手段２２０を、液晶組成物に近接して設ける。
In a liquid crystal display device having a liquid
加熱手段２２０としては、液晶組成物２０８に近接して、加熱部２２２を設け、該加熱部２２２を制御する制御手段（制御回路）２２３を設ける。なお、加熱部２２２及び制御手段２２３はそれぞれ、液晶表示パネル２１０の内側、又は外側に設けられる。
As the
図１（Ａ１）は加熱部２２２及び制御手段２２３を含む加熱手段２２０が液晶表示パネル２１０の外側に設けられた例であり、図（Ａ２）は加熱部２２２及び制御手段２２３を含む加熱手段２２０が液晶表示パネル２１０の内側に設けられた例である。加熱部２２２及び制御手段２２３はどちらか一方が液晶表示パネル２１０の内側に設けられ、他方が液晶表示パネル２１０の外側に設けられてもよい。図１（Ａ３）は加熱部２２２が液晶表示パネル２１０の内側に設けられ、制御手段２２３が液晶表示パネル２１０の内側に設けられる例である。しかし、液晶表示装置における加熱手段２２０の設け方は、上記構造に限定されず、加熱手段２２０により、液晶組成物２０８を、加熱処理できればよい。
1A1 illustrates an example in which a
具体的には、加熱部２２２として高抵抗導電膜を設け、電流を流す（通電する）ことによって加熱する。高抵抗導電膜としては、発熱体として利用できる材料であればよく、例えば、酸化物導電膜、若しくはクロム、タングステン、タンタル、又はそれらの合金などの比較的抵抗の高い金属膜などを用いることができる。
Specifically, a high-resistance conductive film is provided as the
加熱部２２２である高抵抗導電膜は画素領域全面に亘って形成されてもよいし、線状や格子状など、選択的に形成されてもよい。図３（Ａ）乃至（Ｃ）は液晶表示装置の平面図であり、図３（Ａ）は加熱部２２２ａが液晶組成物２０８全域を連続膜で覆うように設けられる例であり、図３（Ｂ）は複数の線状の加熱部２２２ｂが液晶組成物２０８に重なって設けられる例であり、図３（Ｃ）は格子状の加熱部２２２ｃが液晶組成物２０８に重なって設けられる例である。
The high-resistance conductive film that is the
透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光を透過する必要があるため、透光性を有さない金属材料を用いる場合は、細い線状に加工されていることが好ましい。 In the case of a transmissive liquid crystal display device, it is necessary to transmit light from a backlight. Therefore, when a metal material that does not have translucency is used, it is preferably processed into a thin line shape.
加熱部は視認側に設けてもよいが、加熱時に高温となることを考慮すると、視認側と反対側（透過型においてはバックライト側）に設ける構造とすることが好ましい。また、高抵抗導電膜として金属膜などの透光性を有さない膜を用いる場合（特に高面積に連続して設ける場合）、視認側に設けると透過率や表示品位の低下も生じうるので、視認側と反対側に設ける構造とすることが好ましい。しかし、金属材料を高抵抗導電膜として用いる場合、線幅３μｍ以下と細線化した線状の高抵抗導電膜とし、視認を妨げない程度に細線化すれば、視認側に設けることができる。 The heating unit may be provided on the viewing side, but it is preferable that the heating unit be provided on the side opposite to the viewing side (the backlight side in the transmission type) in consideration of the high temperature during heating. Also, when a non-translucent film such as a metal film is used as the high resistance conductive film (especially when it is provided continuously in a large area), if it is provided on the viewing side, the transmittance and display quality may be reduced. The structure provided on the side opposite to the viewing side is preferable. However, when a metal material is used as the high-resistance conductive film, a linear high-resistance conductive film thinned to have a line width of 3 μm or less can be provided on the viewing side if it is thinned to such an extent that visual recognition is not hindered.
本発明の一に係る液晶表示装置の具体例を図１（Ｂ１）（Ｂ２）に示す。 Specific examples of the liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention are illustrated in FIGS.
図１（Ｂ１）（Ｂ２）は、第１の基板２００と第２の基板２０１とが、液晶組成物２０８を間に挟持して対向するように配置された液晶表示装置である。図１（Ｂ１）の液晶表示装置は、加熱部２２２が液晶表示パネル２１０の内側に設けられる例であり、図１（Ｂ２）の液晶表示装置は、加熱部２２２が液晶表示パネル２１０の外側に設けられる例である。
1B1 and 1B2 illustrate a liquid crystal display device in which a
図１（Ｂ１）の液晶表示装置は、加熱部２２２が液晶表示パネル２１０の内側に設けられる例であり、加熱部２２２が、液晶組成物２０８と第１の基板２００との間に設けられている。また、図１（Ｂ２）の液晶表示装置は、加熱部２２２が液晶表示パネル２１０の外側に設けられる例であり、加熱部２２２が、第１の基板２００の外側に設けられている
The liquid crystal display device in FIG. 1B1 is an example in which the
図１（Ｂ１）（Ｂ２）の液晶表示装置は、第２の基板２０１と液晶組成物２０８との間に画素電極層２３０と、共通電極層２３２が隣接して設けられている。図１（Ｂ１）（Ｂ２）の構成であると、基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。
In the liquid crystal display device in FIGS. 1B1 and 1B2, the
このような図１（Ｂ１）（Ｂ２）の構成は、ブルー相を発現する液晶組成物２０８に用いる場合に好適に適用することができる。
Such a structure shown in FIGS. 1B1 and 1B2 can be preferably applied to the
画素電極層２３０と共通電極層２３２との間に電界を形成することで、液晶を制御する。液晶には水平方向の電界が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。ブルー相を発現する液晶組成物は、高速応答が可能であるため、液晶素子及び液晶表示装置の高性能化が可能になる。
A liquid crystal is controlled by forming an electric field between the
例えば、高速応答が可能であるため、バックライト装置にＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）や、時分割により左目用の映像と右目用の映像を交互に見るシャッター眼鏡方式による３次元表示方式に好適に採用できる。 For example, since a high-speed response is possible, an RGB light emitting diode (LED) or the like is arranged in the backlight device, and a continuous additive color mixing method (field sequential method) in which color display is performed by time division, or for left eye by time division. The present invention can be suitably applied to a three-dimensional display method using a shutter glasses method in which images and right-eye images are alternately viewed.
液晶組成物２０８を介して隣接する画素電極層２３０と、共通電極層２３２との距離は、画素電極層２３０及び共通電極層２３２にそれぞれ所定の電圧を印加した時、画素電極層２３０及び共通電極層２３２間に介在する液晶組成物２０８の液晶が応答する距離とする。該距離に応じて印加する電圧を適宜制御する。
The distance between the
液晶組成物２０８は、液晶組成物２０８に接して設けられる画素電極層２３０及び共通電極層２３２が形成する電界によって制御されるが、度重なる電圧の印加によって、画素電極層２３０及び共通電極層２３２の周囲、又は近傍に、液晶組成物２０８に含まれる導電性の不純物が析出する。析出した導電性の不純物は、画素電極層２３０及び共通電極層２３２による電圧の印加不良及び保持不良を招き、液晶表示装置の表示品位の低下や消費電力の増大を引き起こす。
Although the
析出した導電性の不純物は、画素電極層２３０及び共通電極層２３２と接する液晶組成物２０８を加熱手段２２０により加熱することで、液晶組成物２０８中に拡散し、画素電極層２３０及び共通電極層２３２の周囲から除去させることができる。
The deposited conductive impurities diffuse into the
導電性の不純物を除去することで、画素電極層２３０及び共通電極層２３２による電圧の印加不良及び保持不良は解消し、液晶表示装置において、良好な表示を再度得ることができる。このような加熱処理を定期的に行うことによって、長期間良好な表示を維持できる、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
By removing the conductive impurities, the voltage application failure and the retention failure due to the
液晶組成物２０８はブルー相を発現する液晶組成物であり、少なくともネマティック液晶、及びカイラル剤を含む。
The
ネマティック液晶としては、特に制限されず、ビフェニル系化合物、ターフェニル系化合物、フェニルシクロヘキシル系化合物、ビフェニルシクロヘキシル系化合物、フェニルビシクロヘキシル系化合物、安息香酸フェニル系化合物、シクロヘキシル安息香酸フェニル系化合物、フェニル安息香酸フェニル系化合物、ビシクロヘキシルカルボン酸フェニル系化合物、アゾメチン系化合物、アゾ系化合物、およびアゾオキシ系化合物、スチルベン系化合物、ビシクロヘキシル系化合物、フェニルピリミジン系化合物、ビフェニルピリミジン系化合物、ピリミジン系化合物、およびビフェニルエチン系化合物等が挙げられる。 The nematic liquid crystal is not particularly limited and is a biphenyl compound, a terphenyl compound, a phenylcyclohexyl compound, a biphenylcyclohexyl compound, a phenylbicyclohexyl compound, a phenylbenzoate compound, a cyclohexylphenylbenzoate compound, a phenylbenzoate. Acid phenyl compounds, bicyclohexylcarboxylic acid phenyl compounds, azomethine compounds, azo compounds, and azooxy compounds, stilbene compounds, bicyclohexyl compounds, phenylpyrimidine compounds, biphenylpyrimidine compounds, pyrimidine compounds, and And biphenylethyne compounds.
カイラル剤は、液晶組成物の捩れを誘起し、液晶組成物を螺旋構造に配向させブルー相を発現させるために用いる。カイラル剤は、不斉中心を有する化合物であり、液晶組成物に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い化合物を用いる。また、カイラル剤は光学活性体であり、光学純度が高いほど好ましく９９％以上が最も好ましい。 The chiral agent is used to induce twist of the liquid crystal composition, to align the liquid crystal composition in a spiral structure and to develop a blue phase. The chiral agent is a compound having an asymmetric center, and a compound having a good compatibility with the liquid crystal composition and a strong twisting power is used. Further, the chiral agent is an optically active substance, and the higher the optical purity, the more preferable it is 99% or more.
ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。 Since the blue phase is optically isotropic, it does not depend on the viewing angle, and it is not necessary to form an alignment film, so that the quality of the display image can be improved and the cost can be reduced.
液晶組成物に、重合性モノマー及び重合開始剤を添加し、重合開始剤により重合性モノマーを重合する処理を行うことで、ブルー相の発現する温度範囲を広げることができる。よって、該処理を高分子安定化処理ともいう。 By adding a polymerizable monomer and a polymerization initiator to the liquid crystal composition and polymerizing the polymerizable monomer with the polymerization initiator, the temperature range where the blue phase appears can be expanded. Therefore, this treatment is also referred to as polymer stabilization treatment.
なお、本発明の一に係る液晶表示装置は、光学シャッターなどの表示機能を有さない光学機器にも好適に用いることができる。 Note that the liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention can also be preferably used for an optical apparatus that does not have a display function, such as an optical shutter.
また、重合性モノマーは複数種用いてもよい。 A plurality of polymerizable monomers may be used.
重合性モノマーとしては、例えば、熱により重合が進行する熱重合性（熱硬化性）モノマー、光により重合が進行する光重合性（光硬化性）モノマー、又は熱及び光により重合が進行する重合性モノマーなどを用いることができる。また、液晶組成物は重合開始剤が添加されている。 Examples of the polymerizable monomer include a thermopolymerizable (thermosetting) monomer that undergoes polymerization by heat, a photopolymerizable (photocurable) monomer that undergoes polymerization by light, or a polymerization that undergoes polymerization by heat and light. A monomer can be used. In addition, a polymerization initiator is added to the liquid crystal composition.
重合性モノマーは、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマーでもよく、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマーでもよく、これらを混合させたものでもよい。また、液晶性のものでも非液晶性のものでもよく、両者を混合させてもよい。 The polymerizable monomer may be a monofunctional monomer such as acrylate or methacrylate, may be a polyfunctional monomer such as diacrylate, triacrylate, dimethacrylate, or trimethacrylate, or may be a mixture of these. Further, it may be liquid crystalline or non-liquid crystalline, and both may be mixed.
重合開始剤は、光照射によって重合性モノマーを重合させる光重合開始剤でもよく、光照射によってラジカルを発生させるラジカル重合開始剤でもよく、酸を発生させる酸発生剤でもよく、塩基を発生させる塩基発生剤でもよい。 The polymerization initiator may be a photopolymerization initiator that polymerizes a polymerizable monomer by light irradiation, a radical polymerization initiator that generates radicals by light irradiation, an acid generator that generates acid, or a base that generates a base. It may be a generator.
光重合性モノマーを重合性モノマーとして用いる場合、重合性モノマーが含まれる液晶組成物に、光重合開始剤を添加し、重合性モノマー、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して高分子安定化処理を行うことができる。 When a photopolymerizable monomer is used as the polymerizable monomer, a photopolymerization initiator is added to the liquid crystal composition containing the polymerizable monomer, and light having a wavelength at which the polymerizable monomer and the photopolymerization initiator react is irradiated. Polymer stabilization treatment can be performed.
高分子安定化処理は、等方相を示す液晶組成物に行っても良いし、温度制御してブルー相を発現した液晶組成物に行ってもよい。なお、昇温時にブルー相から等方相に相転移する温度又は降温時に等方相からブルー相に相転移する温度をブルー相と等方相間の相転移温度という。高分子安定化処理の一例としては、光重合性モノマーを添加した液晶組成物を等方相まで加熱した後、徐々に降温させてブルー相にまで相転移させ、ブルー相が発現する温度を保持した状態で光を照射して行うことができる。 The polymer stabilization treatment may be performed on a liquid crystal composition exhibiting an isotropic phase, or may be performed on a liquid crystal composition exhibiting a blue phase by controlling temperature. The temperature at which the phase transitions from the blue phase to the isotropic phase when the temperature rises or the temperature at which the phase transition from the isotropic phase to the blue phase when the temperature falls is called the phase transition temperature between the blue phase and the isotropic phase. As an example of polymer stabilization treatment, after heating the liquid crystal composition to which the photopolymerizable monomer has been added to the isotropic phase, the temperature is gradually lowered to the blue phase to maintain the temperature at which the blue phase appears. In this state, light irradiation can be performed.
液晶組成物２０８の厚さ（膜厚）は１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。
The thickness (film thickness) of the
液晶組成物２０８を形成する方法として、ディスペンス法（滴下法）や、第１の基板２００と第２の基板２０１とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
As a method for forming the
また、図１（Ａ１）乃至（Ａ３）、（Ｂ１）、及び（Ｂ２）では図示しないが、偏光板、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどは適宜設ける。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライトなどを用いることができる。 Although not illustrated in FIGS. 1A1 to 1A3, B1, and B2, optical films such as a polarizing plate, a retardation plate, and an antireflection film are provided as appropriate. For example, circularly polarized light using a polarizing plate and a retardation plate may be used. Further, a backlight or the like can be used as the light source.
本明細書では、半導体素子（例えばトランジスタ）、又は画素電極層が形成されている基板を素子基板（第１の基板）といい、該素子基板と液晶組成物を介して対向する基板を対向基板（第２の基板）という。 In this specification, a substrate on which a semiconductor element (for example, a transistor) or a pixel electrode layer is formed is referred to as an element substrate (first substrate), and a substrate facing the element substrate with a liquid crystal composition interposed therebetween is a counter substrate. (Second substrate).
本発明の一に係る液晶表示装置として、光源の光を透過することによって表示を行う透過型の液晶表示装置、入射する光を反射することによって表示を行う反射型の液晶表示装置、又は透過型と反射型を両方有する半透過型の液晶表示装置を提供することができる。 As a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention, a transmissive liquid crystal display device that performs display by transmitting light from a light source, a reflective liquid crystal display device that performs display by reflecting incident light, or a transmissive liquid crystal display device A transflective liquid crystal display device having both a reflection type and a reflection type can be provided.
透過型の液晶表示装置の場合、光が透過する画素領域に存在する画素電極層２３０、共通電極層２３２、第１の基板２００、第２の基板２０１、その他の絶縁膜、導電膜などは可視光の波長領域の光に対して透光性とする。図１（Ｂ１）（Ｂ２）の構成の液晶表示装置においては、画素電極層２３０、共通電極層２３２は透光性が好ましいが、開口パターンを有する場合は形状によっては金属膜などの非透光性材料を用いてもよい。
In the case of a transmissive liquid crystal display device, a
一方反射型の液晶表示装置の場合、液晶組成物２０８に対して視認側と反対側には液晶組成物２０８を透過した光を反射する反射性の部材（反射性を有する膜や基板など）を設ければよい。なお、加熱部２２２として反射性を有する高抵抗導電膜を用いる場合、該高抵抗導電膜を反射性の部材として兼ねてもよい。よって、視認側より反射性の部材までに設けられた、光が透過する基板、絶縁膜、導電膜は可視光の波長領域の光に対して透光性とする。なお、本明細書で透光性とは少なくとも可視光の波長領域の光を透過する性質をいう。
On the other hand, in the case of a reflective liquid crystal display device, a reflective member (such as a reflective film or substrate) that reflects light transmitted through the
画素電極層２３０、共通電極層２３２は、インジウム錫酸化物、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合した導電材料、酸化インジウムに酸化シリコンを混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、グラフェン、又はタングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、チタン、白金、アルミニウム、銅、銀等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
The
第１の基板２００、第２の基板２０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。なお、反射型の液晶表示装置の場合、視認側と反対側の基板にはアルミニウム基板やステンレス基板などの金属基板を用いてもよい。
As the
以上のように、本発明の一に係る液晶表示装置として、高い表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。 As described above, a liquid crystal display device having high display quality can be provided as a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures described in the other embodiments.
（実施の形態２）
本発明の一に係る液晶表示装置として、パッシブマトリクス型の液晶表示装置、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供することができる。本実施の形態は、本発明の一に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例を、図２を用いて説明する。
(Embodiment 2)
As a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention, a passive matrix liquid crystal display device and an active matrix liquid crystal display device can be provided. In this embodiment, an example of an active matrix liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図２（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図２（Ｂ）は図２（Ａ）の線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。 FIG. 2A is a plan view of the liquid crystal display device and shows one pixel. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line X1-X2 in FIG.
図２（Ａ）において、複数のソース配線層（配線層４０５ａを含む）が互いに平行（図中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層（ゲート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交する方向（図中左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配線層４０８は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線層と、共通配線層４０８及びゲート配線層とによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通電極層が配置されている。画素電極層を駆動するトランジスタ４２０は、図中左上の角に配置されている。画素電極層及びトランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
In FIG. 2A, a plurality of source wiring layers (including the
図２の液晶表示装置において、トランジスタ４２０に電気的に接続する第１の電極層４４７が画素電極層として機能し、共通配線層４０８と電気的に接続する第２の電極層４４６が共通電極層として機能する。なお、第１の電極層と共通配線層によって容量が形成されている。共通電極層はフローティング状態（電気的に孤立した状態）として動作させることも可能だが、固定電位、好ましくはコモン電位（データとして送られる画像信号の中間電位）近傍でフリッカーの生じないレベルに設定してもよい。
In the liquid crystal display device in FIG. 2, the
基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。このような方式として、図２に示すようなＩＰＳモードで用いる電極構成が適用できる。 A method can be used in which an electric field substantially parallel (that is, in a horizontal direction) is generated on the substrate and liquid crystal molecules are moved in a plane parallel to the substrate to control gradation. As such a system, an electrode configuration used in the IPS mode as shown in FIG. 2 can be applied.
ＩＰＳモードなどに示される横電界モードは、液晶組成物の下方に開口パターンを有する第１の電極層（例えば各画素別に電圧が制御される画素電極層）及び第２の電極層（例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極層）を配置する。よって第１の基板４４１上には、一方が画素電極層であり、他方が共通電極層である第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６が形成され、少なくとも第１の電極層及び第２の電極層の一方が絶縁膜上に形成されている。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６は、平面形状でなく、様々な開口パターンを有し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６はその電極間に電界を発生させるため、同形状で完全に重なる配置は避ける。
The horizontal electric field mode shown in the IPS mode or the like includes a first electrode layer (for example, a pixel electrode layer whose voltage is controlled for each pixel) and a second electrode layer (for example, all pixels) having an opening pattern below the liquid crystal composition. A common electrode layer to which a common voltage is supplied. Accordingly, a
また、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６としてＦＦＳモードで用いる電極構成を適用してもよい。ＦＦＳモードに示される横電界モードは、液晶組成物の下方に開口パターンを有する第１の電極層（例えば各画素別に電圧が制御される画素電極層）及びさらにその開口パターンの下方に平板状の第２の電極層（例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極層）を配置する。この場合、第１の基板４４１上には、一方が画素電極層であり、他方が共通電極層である第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６が形成され、画素電極層と共通電極層とは絶縁膜（又は層間絶縁層）を介して積層するように配置される。画素電極層及び共通電極層のいずれか一方は、絶縁膜（又は層間絶縁層）の下方に形成され、かつ平板状であり、他方は絶縁膜（又は層間絶縁層）の上方に形成され、かつ様々な開口パターンを有し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む形状とする。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６はその電極間に電界を発生させるため、同形状で完全に重なる配置は避ける。
Alternatively, an electrode structure used in an FFS mode may be used as the
液晶組成物４４４に、ブルー相を発現する液晶組成物を用いる。本実施の形態では、液晶組成物４４４は重合性モノマーを含み、重合処理である高分子安定化処理によって、ブルー相を発現している状態（ブルー相を呈す状態、又はブルー相を示す状態ともいう）で液晶素子、液晶表示装置に設けられる。
A liquid crystal composition that exhibits a blue phase is used for the
画素電極層である第１の電極層４４７と共通電極層である第２の電極層４４６との間に電界を形成することで、液晶組成物４４４の液晶を制御する。液晶には水平方向の電界が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。ブルー相を呈するように配向している液晶分子を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くなる。
By forming an electric field between the
第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６は、互い違いとなるように形成され、うねりを有する波状形状や、同心円状の開口部を有する形状や、櫛歯状であり一部重なっている形状や、櫛歯状であり電極同士がかみ合うような形状などを適用することができる。なお、第１の電極層４４７と第２の電極層４４６とが重なる場合は、第１の電極層４４７と第２の電極層４４６との間には絶縁膜を形成し、異なる膜上に第１の電極層４４７と第２の電極層４４６とをそれぞれ形成する。
The
なお、第１の電極層４４７、第２の電極層４４６は、開口パターンを有する形状であるために、図２（Ｂ）の断面図においては分断された複数の電極層として示されている。これは本明細書において、他の図面においても同様である。
Note that the
ブルー相を発現する液晶組成物４４４を含む液晶表示パネルを有する液晶表示装置において、液晶組成物４４４を加熱することのできる加熱手段４５２を、液晶組成物４４４に近接して設ける。
In a liquid crystal display device including a liquid crystal display panel including a
図示しないが、加熱手段４５２は、液晶組成物４４４に近接する加熱部と、該加熱部を制御する制御手段（制御回路）とを有している。なお、加熱部及び制御手段はそれぞれ、液晶表示パネル内、又は外に設けられる。本実施の形態では、加熱手段４５２を液晶表示パネル内、液晶組成物４４４と第２の基板４４２との間に設ける例である。加熱手段４５２は実施の形態１で示す加熱手段２２０と同様な構成とすることができる。
Although not shown, the
液晶組成物４４４は、液晶組成物４４４に接して設けられる第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６が形成する電界によって制御されるが、度重なる電圧の印加によって、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６の周囲、又は近傍に、液晶組成物４４４に含まれる導電性の不純物が析出する。析出した導電性の不純物は、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６による電圧の印加不良及び保持不良を招き、液晶表示装置の表示品位の低下や消費電力の増大を引き起こす。
Although the
析出した導電性の不純物は、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６と接する液晶組成物４４４を加熱手段４５２により加熱することで、液晶組成物４４４中に拡散し、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６の周囲、又は近傍から除去させることができる。
The deposited conductive impurities are diffused into the
導電性の不純物を除去することで、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６による電圧の印加不良及び保持不良は解消し、液晶表示装置において、良好な表示を再度得ることができる。このような加熱処理を定期的に行うことによって、長期間良好な表示を維持できる、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
By removing the conductive impurities, the voltage application failure and the retention failure due to the
トランジスタ４２０は逆スタガ型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である第１の基板４４１上に形成され、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂを含む。
The
本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。 There is no particular limitation on the structure of the transistor that can be applied to the liquid crystal display device disclosed in this specification. For example, a staggered type or a planar type with a top gate structure or a bottom gate structure can be used. The transistor may have a single gate structure in which one channel formation region is formed, a double gate structure in which two channel formation regions are formed, or a triple gate structure in which three channel formation regions are formed. Alternatively, a dual gate type having two gate electrode layers arranged above and below the channel region with a gate insulating layer interposed therebetween may be used.
トランジスタ４２０を覆い、半導体層４０３に接する絶縁膜４０７、絶縁膜４０９が設けられ、絶縁膜４０９上に層間膜４１３が積層されている。
An insulating
層間膜４１３の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用いることができる。
The formation method of the
第１の基板４４１と対向基板である第２の基板４４２とを、液晶組成物４４４を間に挟持させてシール材で固着する。液晶組成物４４４を形成する方法として、ディスペンス法（滴下法）や、第１の基板４４１と第２の基板４４２とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
The
シール材としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、カップリング剤を含んでもよい。 As the sealing material, it is typically preferable to use a visible light curable resin, an ultraviolet curable resin, or a thermosetting resin. Typically, an acrylic resin, an epoxy resin, an amine resin, or the like can be used. Further, it may contain a light (typically ultraviolet) polymerization initiator, a thermosetting agent, a filler, and a coupling agent.
重合性モノマーとして光重合性を有する重合性モノマーを用いる場合、重合開始剤として光重合開始剤を用いて、光照射により液晶組成物に高分子安定化処理を行うことができる。 When a photopolymerizable monomer is used as the polymerizable monomer, the liquid crystal composition can be subjected to polymer stabilization treatment by light irradiation using a photopolymerization initiator as a polymerization initiator.
該液晶組成物を第１の基板４４１と第２の基板４４２の間の間隙に充填後、光を照射して高分子安定化処理を行い、液晶組成物４４４を形成する。光は、液晶組成物４４４として用いられる液晶組成物に含まれる重合性モノマー、及び光重合開始剤が反応する波長の光とする。この光照射による高分子安定化処理により、液晶組成物４４４がブルー相を発現する温度範囲を広く改善することができる。
The liquid crystal composition is filled in the gap between the
シール材に紫外線などの光硬化樹脂を用い、滴下法で液晶組成物を形成する場合など、高分子安定化処理の光照射工程によってシール材の硬化も行ってもよい。 The sealing material may be cured by a light irradiation process of polymer stabilization treatment, for example, when a photocurable resin such as ultraviolet rays is used for the sealing material and a liquid crystal composition is formed by a dropping method.
本実施の形態では、第１の基板４４１の外側（液晶組成物４４４と反対側）に偏光板４４３ａを、第２の基板４４２の外側（液晶組成物４４４と反対側）に偏光板４４３ｂを設ける。また、偏光板の他、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを設けてもよい。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。以上の工程で、液晶表示装置を完成させることができる。
In this embodiment, a
また、大型の基板を用いて複数の液晶表示装置を作製する場合（所謂多面取り）、その分断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができる。分断工程による液晶組成物への影響（分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど）を考慮すると、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好ましい。 In the case where a plurality of liquid crystal display devices are manufactured using a large substrate (so-called multi-cavity), the dividing step can be performed before the polymer stabilization treatment or before the polarizing plate is provided. Considering the influence on the liquid crystal composition by the dividing step (alignment disorder due to force applied during the dividing step), it is preferable that the first substrate and the second substrate are bonded together and before the polymer stabilization treatment. .
図示しないが、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いればよい。光源は第２の基板４４２側から、視認側である素子基板である第１の基板４４１へと透過するように照射される。
Although not shown, a backlight, a sidelight, or the like may be used as the light source. The light source is irradiated from the
第１の電極層４４７、及び第２の電極層４４６は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
The
また、第１の電極層４４７、及び第２の電極層４４６はタングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、チタン、白金、アルミニウム、銅、銀等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
The
また、第１の電極層４４７、及び第２の電極層４４６として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
Alternatively, the
下地膜となる絶縁膜を第１の基板４４１とゲート電極層４０１の間に設けてもよい。下地膜は、第１の基板４４１からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による単層、又は積層構造により形成することができる。ゲート電極層４０１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、ゲート電極層４０１としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイドなどのシリサイド膜を用いてもよい。ゲート電極層４０１に遮光性を有する導電膜を用いると、バックライトからの光（第１の基板４４１から入射する光）が、半導体層４０３へ入射することを防止することができる。
An insulating film serving as a base film may be provided between the
例えば、ゲート電極層４０１の２層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層が積層された２層の積層構造、又は銅層上にモリブデン層を積層した２層構造、又は銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した２層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した２層構造とすることが好ましい。３層の積層構造としては、タングステン層又は窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層又はアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層又はチタン層とを積層した積層構造とすることが好ましい。
For example, the two-layer structure of the
ゲート絶縁層４０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化シリコン膜等を用いて形成することができる。又は、ゲート絶縁層４０２の材料として酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート、窒素が添加されたハフニウムアルミネートなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いてもよい。これらのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでゲートリーク電流を低減できる。
The
また、ゲート絶縁層４０２として、有機シランガスを用いたＣＶＤ法により酸化シリコン層を形成することも可能である。有機シランガスとしては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。なお、ゲート絶縁層４０２は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
Alternatively, a silicon oxide layer can be formed as the
半導体層４０３に用いる材料は特に限定されず、トランジスタ４２０に要求される特性に応じて適宜設定すればよい。半導体層４０３に用いることのできる材料の例を説明する。
The material used for the
半導体層４０３を形成する材料としては、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いた化学気相成長法や、スパッタリング法等の物理気相成長法で作製される非晶質（アモルファスともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、又はプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
As a material for forming the
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。 A typical example of an amorphous semiconductor is hydrogenated amorphous silicon, and a typical example of a crystalline semiconductor is polysilicon. Polysilicon (polycrystalline silicon) is mainly made of so-called high-temperature polysilicon using polysilicon formed through a process temperature of 800 ° C. or higher as a main material, or polysilicon formed at a process temperature of 600 ° C. or lower. And so-called low-temperature polysilicon, and polysilicon obtained by crystallizing amorphous silicon using an element that promotes crystallization. Needless to say, as described above, a microcrystalline semiconductor or a semiconductor including a crystalline phase in part of a semiconductor layer can be used.
また、酸化物半導体を用いてもよく、酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）、特にＩｎと亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、該酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ（Ｓｎ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてジルコニウム（Ｚｒ）を有することが好ましい。 An oxide semiconductor may be used, and the oxide semiconductor preferably contains at least indium (In), particularly In and zinc (Zn). In addition, it is preferable to include gallium (Ga) in addition to the stabilizer for reducing variation in electrical characteristics of the transistor including the oxide. Moreover, it is preferable to have tin (Sn) as a stabilizer. Moreover, it is preferable to have hafnium (Hf) as a stabilizer. Moreover, it is preferable to have aluminum (Al) as a stabilizer. Moreover, it is preferable to have a zirconium (Zr) as a stabilizer.
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。 Other stabilizers include lanthanoids such as lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), and terbium (Tb). , Dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), or lutetium (Lu).
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。 For example, as an oxide semiconductor, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, binary metal oxides In—Zn oxide, In—Mg oxide, In—Ga oxide, ternary metal In-Ga-Zn-based oxide (also referred to as IGZO), In-Al-Zn-based oxide, In-Sn-Zn-based oxide, In-Hf-Zn-based oxide, In-La -Zn oxide, In-Ce-Zn oxide, In-Pr-Zn oxide, In-Nd-Zn oxide, In-Sm-Zn oxide, In-Eu-Zn oxide In-Gd-Zn-based oxide, In-Tb-Zn-based oxide, In-Dy-Zn-based oxide, In-Ho-Zn-based oxide, In-Er-Zn-based oxide, In-Tm- Zn-based oxide, In-Yb-Zn-based oxide, In-Lu-Zn-based oxide, four In-Sn-Ga-Zn-based oxides, In-Hf-Ga-Zn-based oxides, In-Al-Ga-Zn-based oxides, and In-Sn-Al-Zn-based oxides that are oxides of the base metal In-Sn-Hf-Zn-based oxides and In-Hf-Al-Zn-based oxides can be used.
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。 Note that here, for example, an In—Ga—Zn-based oxide means an oxide containing In, Ga, and Zn as its main components, and there is no limitation on the ratio of In, Ga, and Zn. Moreover, metal elements other than In, Ga, and Zn may be contained.
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でない）で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０、且つ、ｎは整数）で表記される材料を用いてもよい。 Alternatively, a material represented by InMO 3 (ZnO) m (m> 0 is satisfied, and m is not an integer) may be used as the oxide semiconductor. Note that M represents one metal element or a plurality of metal elements selected from Ga, Fe, Mn, and Co. Alternatively, a material represented by In 2 SnO 5 (ZnO) n (n> 0 is satisfied, and n is an integer) may be used as the oxide semiconductor.
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２（＝１／２：１／６：１／３）、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２（＝１／６：１／２：１／３）の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）あるいはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の原子数比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。 For example, In: Ga: Zn = 1: 1: 1 (= 1/3: 1/3: 1/3), In: Ga: Zn = 2: 2: 1 (= 2/5: 2/5: 1) / 5), In: Ga: Zn = 3: 1: 2 (= 1/2: 1/6: 1/3), or In: Ga: Zn = 1: 3: 2 (= 1/6: 1 / An In—Ga—Zn-based oxide having an atomic ratio of 2: 1/3) or an oxide in the vicinity of the composition can be used. Alternatively, In: Sn: Zn = 1: 1: 1 (= 1/3: 1/3: 1/3), In: Sn: Zn = 2: 1: 3 (= 1/3: 1/6: 1) / 2) or In: Sn: Zn = 2: 1: 5 (= 1/4: 1/8: 5/8) atomic ratio In—Sn—Zn-based oxide or oxide in the vicinity of the composition Should be used.
しかし、酸化物半導体は、これらに限られず、必要とする半導体特性（移動度、しきい値、ばらつき等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。 However, the oxide semiconductor is not limited thereto, and an oxide semiconductor having an appropriate composition may be used depending on required semiconductor characteristics (mobility, threshold value, variation, and the like). In order to obtain the required semiconductor characteristics, it is preferable that the carrier concentration, impurity concentration, defect density, atomic ratio of metal element to oxygen, interatomic bond distance, density, and the like are appropriate.
なお、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１）である酸化物の組成が、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝Ａ：Ｂ：Ｃ（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１）の酸化物の組成の近傍であるとは、ａ、ｂ、ｃが、（ａ−Ａ）２＋（ｂ−Ｂ）２＋（ｃ−Ｃ）２≦ｒ２を満たすことをいう。ｒとしては、例えば、０．０５とすればよい。他の酸化物でも同様である。 Note that for example, the composition of an oxide in which the atomic ratio of In, Ga, and Zn is In: Ga: Zn = a: b: c (a + b + c = 1) has an atomic ratio of In: Ga: Zn = A: B: C (A + B + C = 1) is in the vicinity of the oxide composition, a, b, c are (a−A) 2 + (b−B) 2 + (c−C) 2 ≦ r 2 Satisfying. For example, r may be 0.05. The same applies to other oxides.
酸化物半導体膜は、単結晶、多結晶（ポリクリスタルともいう。）または非晶質などの状態をとる。 An oxide semiconductor film is in a single crystal state, a polycrystalline (also referred to as polycrystal) state, an amorphous state, or the like.
好ましくは、酸化物半導体膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜とする。 Preferably, the oxide semiconductor film is a CAAC-OS (C Axis Crystallized Oxide Semiconductor) film.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、非晶質相に結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜である。なお、当該結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる非晶質部と結晶部との境界は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には粒界（グレインバウンダリーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に起因する電子移動度の低下が抑制される。 The CAAC-OS film is not completely single crystal nor completely amorphous. The CAAC-OS film is an oxide semiconductor film with a crystal-amorphous mixed phase structure where crystal parts are included in an amorphous phase. Note that the crystal part is often large enough to fit in a cube whose one side is less than 100 nm. Further, in the observation image obtained by a transmission electron microscope (TEM), the boundary between the amorphous part and the crystal part included in the CAAC-OS film is not clear. Further, a grain boundary (also referred to as a grain boundary) cannot be confirmed in the CAAC-OS film by TEM. Therefore, in the CAAC-OS film, reduction in electron mobility due to grain boundaries is suppressed.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、８５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−５°以上５°以下の範囲も含まれることとする。 In the crystal part included in the CAAC-OS film, the c-axis is aligned in a direction parallel to the normal vector of the formation surface of the CAAC-OS film or the normal vector of the surface, and triangular when viewed from the direction perpendicular to the ab plane. It has a shape or hexagonal atomic arrangement, and metal atoms are arranged in layers or metal atoms and oxygen atoms are arranged in layers as viewed from the direction perpendicular to the c-axis. Note that the directions of the a-axis and the b-axis may be different between different crystal parts. In this specification, a simple term “perpendicular” includes a range from 85 ° to 95 °. In addition, a simple term “parallel” includes a range from −5 ° to 5 °.
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非晶質化することもある。 Note that the distribution of crystal parts in the CAAC-OS film is not necessarily uniform. For example, in the formation process of the CAAC-OS film, when crystal growth is performed from the surface side of the oxide semiconductor film, the ratio of crystal parts in the vicinity of the surface of the oxide semiconductor film is higher in the vicinity of the surface. In addition, when an impurity is added to the CAAC-OS film, the crystal part in a region to which the impurity is added becomes amorphous in some cases.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形成面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。なお、結晶部のｃ軸の方向は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線方向または表面の法線方向に平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、または成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。 Since the c-axis of the crystal part included in the CAAC-OS film is aligned in a direction parallel to the normal vector of the formation surface of the CAAC-OS film or the normal vector of the surface, the shape of the CAAC-OS film (formation surface) Depending on the cross-sectional shape of the surface or the cross-sectional shape of the surface). Note that the c-axis direction of the crystal part is in a direction parallel to the normal direction of the surface where the CAAC-OS film is formed or the normal direction of the surface. The crystal part is formed by film formation or by performing crystallization treatment such as heat treatment after film formation.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動を低減することが可能である。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。 A transistor including a CAAC-OS film can reduce variation in electrical characteristics due to irradiation with visible light or ultraviolet light. Therefore, the transistor has high reliability.
なお、酸化物半導体膜を構成する酸素の一部は窒素で置換されてもよい。 Note that part of oxygen included in the oxide semiconductor film may be replaced with nitrogen.
また、ＣＡＡＣ−ＯＳのように結晶部を有する酸化物半導体では、よりバルク内欠陥を低減することができ、表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動度を得ることができる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましく、具体的には、平均面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下、好ましくは０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．１ｎｍ以下の表面上に形成するとよい。 Further, in an oxide semiconductor having a crystal part such as a CAAC-OS, defects in a bulk can be further reduced, and mobility higher than that of an oxide semiconductor in an amorphous state can be obtained by increasing surface flatness. . In order to improve the flatness of the surface, it is preferable to form an oxide semiconductor on the flat surface. Specifically, the average surface roughness (Ra) is 1 nm or less, preferably 0.3 nm or less, more preferably Is preferably formed on a surface of 0.1 nm or less.
半導体層、配線層の作製工程において、薄膜を所望の形状に加工するためにエッチング工程を用いる。エッチング工程は、ドライエッチングやウエットエッチングを用いることができる。 In the manufacturing process of the semiconductor layer and the wiring layer, an etching process is used to process the thin film into a desired shape. For the etching process, dry etching or wet etching can be used.
所望の加工形状にエッチングできるように、材料に合わせてエッチング条件（エッチング液、エッチング時間、温度等）を適宜調節する。 Etching conditions (such as an etchant, etching time, and temperature) are adjusted as appropriate depending on the material so that the material can be etched into a desired shape.
ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂの材料としては、アルミニウム、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、熱処理を行う場合には、この熱処理に耐える耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。例えば、アルミニウム単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。アルミニウムと組み合わせる耐熱性導電性材料としては、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、又は上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
As a material of the
ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂを大気に触れさせることなく連続的に形成してもよい。大気に触れさせることなく連続成膜することで、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成することができるので、トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。
The
なお、半導体層４０３は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する半導体層である。
Note that the
トランジスタ４２０を覆う絶縁膜４０７、絶縁膜４０９は、乾式法や湿式法で形成される無機絶縁膜、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いて得られる窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜などを用いることができる。また、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンケイ酸ガラス）等を用いることができる。また、絶縁膜４０７として酸化ガリウム膜を用いてもよい。
As the insulating
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアルキル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有していても良い。シロキサン系樹脂は塗布法により成膜し、焼成することによって絶縁膜４０７として用いることができる。
Note that the siloxane-based resin corresponds to a resin including a Si—O—Si bond formed using a siloxane-based material as a starting material. Siloxane resins may use organic groups (for example, alkyl groups and aryl groups) and fluoro groups as substituents. The organic group may have a fluoro group. A siloxane-based resin can be used as the insulating
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜４０７、絶縁膜４０９を形成してもよい。例えば、無機絶縁膜上に有機樹脂膜を積層する構造としてもよい。
Note that the insulating
以上のように、本発明の一に係る液晶組成物、液晶表示装置として、高い表示品位を有する液晶組成物、液晶表示装置を提供することができる。 As described above, a liquid crystal composition and a liquid crystal display device having high display quality can be provided as the liquid crystal composition and the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures described in the other embodiments.
（実施の形態３）
トランジスタを作製し、該トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、トランジスタを用いて駆動回路の一部又は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
(Embodiment 3)
A transistor is manufactured, and a liquid crystal display device having a display function can be manufactured using the transistor in a pixel portion and further in a driver circuit. In addition, part or the whole of the driver circuit can be formed over the same substrate as the pixel portion by using a transistor, so that a system-on-panel can be formed.
液晶表示装置は表示素子として液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。 A liquid crystal display device includes a liquid crystal element (also referred to as a liquid crystal display element) as a display element.
また、液晶表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該液晶表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。 Further, the liquid crystal display device includes a panel in which the display element is sealed, and a module in which an IC or the like including a controller is mounted on the panel. Furthermore, in the process of manufacturing the liquid crystal display device, an element substrate corresponding to one embodiment before the display element is completed, the element substrate includes means for supplying current to the display element in each of the plurality of pixels. . Specifically, the element substrate may be in a state where only the pixel electrode of the display element is formed, or after the conductive film to be the pixel electrode is formed, the pixel electrode is formed by etching. The previous state may be used, and all forms are applicable.
なお、本明細書中における液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。 Note that a liquid crystal display device in this specification means an image display device, a display device, or a light source (including a lighting device). In addition, a connector, for example, a module with a FPC (Flexible Printed Circuit) or TAB (Tape Automated Bonding) tape or TCP (Tape Carrier Package), a module with a printed wiring board at the end of a TAB tape or TCP, or a display All modules in which an IC (integrated circuit) is directly mounted on the element by a COG (Chip On Glass) method are also included in the liquid crystal display device.
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図４を用いて説明する。図４（Ａ１）（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成されたトランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５によって封止した、パネルの上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ１）（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
The appearance and a cross section of a liquid crystal display panel, which is an embodiment of a liquid crystal display device, will be described with reference to FIGS. 4A1 and 4A2 illustrate a panel in which the
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、液晶組成物４００８と共に封止されている。
A
また、図４（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図４（Ａ２）は信号線駆動回路の一部を第１の基板４００１上に設けられたトランジスタで形成する例であり、第１の基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３ａが実装されている。
4A1 is formed using a single crystal semiconductor film or a polycrystalline semiconductor film over a separately prepared substrate in a region different from the region surrounded by the
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図４（Ａ１）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図４（Ａ２）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
Note that a connection method of a driver circuit which is separately formed is not particularly limited, and a COG method, a wire bonding method, a TAB method, or the like can be used. 4A1 illustrates an example in which the signal
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、トランジスタを複数有しており、図４（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１とを例示している。トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜４０２１が設けられている。
The
トランジスタ４０１０、４０１１は、実施の形態２に示すトランジスタを適用することができる。
As the
また、層間膜４０２１、又は絶縁層４０２０上において、駆動回路用のトランジスタ４０１１の半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層を設けてもよい。導電層は、電位がトランジスタ４０１１のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いは導電層はフローティング状態であってもよい。
Alternatively, a conductive layer may be provided over the interlayer film 4021 or the insulating layer 4020 so as to overlap with a channel formation region of the semiconductor layer of the
また、層間膜４０２１上に画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が形成され、画素電極層４０３０はトランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子４０１３は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１及び液晶組成物４００８を含む。なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２ａ、４０３２ｂが設けられている。
In addition, a
液晶組成物４００８に、ブルー相を発現する液晶組成物を用いる。画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１には、実施の形態１又は実施の形態２で示したような画素電極層及び共通電極層の構成を適用することができる。
A liquid crystal composition that exhibits a blue phase is used for the
本実施の形態では、液晶組成物４００８は、重合処理である高分子安定化処理によって、ブルー相を発現している状態（ブルー相を呈す状態、又はブルー相を示す状態ともいう）で、液晶素子、液晶表示装置に設けられる。よって、本実施の形態では、実施の形態１の図３で示したような画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が開口パターンを有する形状である。
In this embodiment, the
画素電極層４０３０と共通電極層４０３１との間に電界を形成することで、液晶組成物４００８の液晶を制御する。液晶には水平方向の電界が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。
By forming an electric field between the
ブルー相を発現する液晶組成物４００８を含む液晶表示パネルを有する液晶表示装置において、液晶組成物４００８を加熱することのできる加熱手段４０５２を、液晶組成物４００８に近接して設ける。
In a liquid crystal display device including a liquid crystal display panel including a
図示しないが、加熱手段４０５２は、液晶組成物４００８に近接する加熱部と、該加熱部を制御する制御手段（制御回路）とを有している。なお、加熱部及び制御手段はそれぞれ、液晶表示パネル内、又は外に設けられる。本実施の形態では、加熱手段４０５２を液晶表示パネル内、液晶組成物４００８と第２の基板４００６との間に設ける例である。加熱手段４０５２は実施の形態１で示す加熱手段２２０と同様な構成とすることができる。
Although not illustrated, the
液晶組成物４００８は、液晶組成物４００８に接して設けられる画素電極層４０３０と共通電極層４０３１が形成する電界によって制御されるが、度重なる電圧の印加によって、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１の周囲、又は近傍に、液晶組成物４００８に含まれる導電性の不純物が析出する。析出した導電性の不純物は、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１による電圧の印加不良及び保持不良を招き、液晶表示装置の表示品位の低下や消費電力の増大を引き起こす。
Although the
析出した導電性の不純物は、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１と接する液晶組成物４００８を加熱手段４０５２により加熱することで、液晶組成物４００８中に拡散し、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１の周囲、又は近傍から除去させることができる。
The deposited conductive impurities are diffused into the
導電性の不純物を除去することで、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１による電圧の印加不良及び保持不良は解消し、液晶表示装置において、良好な表示を再度得ることができる。このような加熱処理を定期的に行うことによって、長期間良好な表示を維持できる、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
By removing the conductive impurities, a voltage application failure and a retention failure due to the
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルム又はアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシート、又はＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板を用いることもできる。
Note that the
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶組成物４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。液晶組成物４００８を用いる液晶表示装置において液晶組成物の厚さであるセルギャップは１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。なお、本明細書においてセルギャップの厚さとは、液晶組成物の厚さ（膜厚）の最大値とする。
なお図４は透過型液晶表示装置の例であるが、本発明は半透過型液晶表示装置でも、反射型液晶表示装置でも適用できる。 Although FIG. 4 shows an example of a transmissive liquid crystal display device, the present invention can be applied to either a transflective liquid crystal display device or a reflective liquid crystal display device.
また、図４の液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。 4 shows an example in which a polarizing plate is provided on the outer side (viewing side) of the substrate, the polarizing plate may be provided on the inner side of the substrate. What is necessary is just to set suitably according to the material and preparation process conditions of a polarizing plate. Further, a light shielding layer functioning as a black matrix may be provided.
層間膜４０２１の一部としてカラーフィルタ層や遮光層を形成してもよい。図４においては、トランジスタ４０１０、４０１１上方を覆うように遮光層４０３４が第２の基板４００６側に設けられている例である。遮光層４０３４を設けることにより、さらにコントラスト向上やトランジスタの安定化の効果を高めることができる。
A color filter layer or a light shielding layer may be formed as part of the interlayer film 4021. FIG. 4 illustrates an example in which a light-
トランジスタの保護膜として機能する絶縁層４０２０で覆う構成としてもよいが、特に限定されない。 A structure covered with an insulating layer 4020 functioning as a protective film of the transistor may be employed, but is not particularly limited.
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタリング法を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。 Note that the protective film is for preventing entry of contaminant impurities such as organic substances, metal substances, and water vapor floating in the atmosphere, and a dense film is preferable. The protective film is formed by a sputtering method using a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, an aluminum oxide film, an aluminum nitride film, an aluminum oxynitride film, or an aluminum nitride oxide film, Alternatively, a stacked layer may be formed.
また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンケイ酸ガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。 In the case where a light-transmitting insulating layer is further formed as the planarizing insulating film, a heat-resistant organic material such as polyimide, acrylic, benzocyclobutene resin, polyamide, or epoxy can be used. In addition to the above organic materials, a low dielectric constant material (low-k material), a siloxane resin, PSG (phosphosilicate glass), BPSG (boron phosphosilicate glass), or the like can be used. Note that the insulating layer may be formed by stacking a plurality of insulating films formed using these materials.
積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート、ディップ法、スプレー塗布法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用いることができる。 The method of forming the insulating layer to be stacked is not particularly limited, and depending on the material, sputtering method, spin coating, dipping method, spray coating method, droplet discharge method (inkjet method, etc.), printing method (screen printing, offset) Printing, etc.), roll coat, curtain coat, knife coat and the like.
画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
The
また、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１はタングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、チタン、白金、アルミニウム、銅、銀等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
The
また、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
The
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４又は画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
In addition, a variety of signals and potentials are supplied to the signal
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線又はソース線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。 Further, since the transistor is easily broken by static electricity or the like, it is preferable to provide a protective circuit for protecting the driver circuit over the same substrate for the gate line or the source line. The protection circuit is preferably configured using a non-linear element.
図４では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
In FIG. 4, the
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
The
また図４においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
FIG. 4 illustrates an example in which the signal
以上のように、本発明の一に係る液晶組成物、液晶素子、液晶表示装置として、高い表示品位を有する液晶組成物、液晶素子、液晶表示装置を提供することができる。 As described above, a liquid crystal composition, a liquid crystal element, and a liquid crystal display device having high display quality can be provided as the liquid crystal composition, the liquid crystal element, and the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures described in the other embodiments.
（実施の形態４）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
(Embodiment 4)
The liquid crystal display device disclosed in this specification can be applied to a variety of electronic devices (including game machines). Examples of the electronic device include a television device (also referred to as a television or a television receiver), a monitor for a computer, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone (also referred to as a mobile phone or a mobile phone device). ), Large game machines such as portable game machines, portable information terminals, sound reproducing devices, and pachinko machines.
図５（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。実施の形態１乃至３のいずれかで示した液晶表示装置を表示部３００３に適用することにより、良好な高い表示品位を長期間保持できる信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。
FIG. 5A illustrates a laptop personal computer, which includes a
図５（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス３０２２がある。実施の形態１乃至３のいずれかで示した液晶表示装置を表示部３０２３に適用することにより、良好な高い表示品位を長期間保持できる信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）とすることができる。
FIG. 5B illustrates a personal digital assistant (PDA). A
図５（Ｃ）は、電子書籍であり、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
FIG. 5C illustrates an electronic book, which includes two housings, a
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図５（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部（図５（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。実施の形態１乃至３のいずれかで示した液晶表示装置を表示部２７０５、表示部２７０７に適用することにより、低消費電力な電子書籍とすることができる。表示部２７０５として半透過型、又は反射型の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想されるため、太陽電池を設け、太陽電池による発電、及びバッテリーでの充電を行えるようにしてもよい。なおバッテリーとしては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
A
また、図５（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
FIG. 5C illustrates an example in which the
また、電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。 Further, the electronic book may have a configuration capable of transmitting and receiving information wirelessly. It is also possible to adopt a configuration in which desired book data or the like is purchased and downloaded from an electronic book server wirelessly.
図５（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８００には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。実施の形態１乃至３のいずれかで示した液晶表示装置を表示パネル２８０２に適用することにより、良好な高い表示品位を長期間保持できる信頼性の高い携帯電話とすることができる。
FIG. 5D illustrates a mobile phone, which includes two housings, a
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図５（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
In addition, the
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図５（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
In the
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
The
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。 In addition to the above functions, an infrared communication function, a television reception function, or the like may be provided.
図５（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６などによって構成されている。実施の形態１乃至３のいずれかで示した液晶表示装置を表示部（Ａ）３０５７、表示部（Ｂ）３０５５に適用することにより、良好な高い表示品位を長期間保持できる信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
FIG. 5E illustrates a digital video camera which includes a
図５（Ｆ）は、テレビジョン装置であり、筐体９６０１に表示部９６０３などによって構成されている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。実施の形態１乃至３のいずれかで示した液晶表示装置を表示部９６０３に適用することにより、良好な高い表示品位を長期間保持できる信頼性の高いテレビジョン装置とすることができる。
FIG. 5F illustrates a television device, which includes a
テレビジョン装置の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
The television device can be operated with an operation switch provided in the
なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。 Note that the television device is provided with a receiver, a modem, and the like. General TV broadcasts can be received by a receiver, and connected to a wired or wireless communication network via a modem, so that it can be unidirectional (sender to receiver) or bidirectional (sender and receiver). It is also possible to perform information communication between each other or between recipients).
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures described in the other embodiments.
Claims (3)
前記加熱部は、前記液晶組成物に重なって設けられ、
前記加熱部は、高抵抗導電膜であり、
前記加熱手段において、前記制御手段により高抵抗導電膜に電流を流すことによって前記液晶組成物を加熱し、
前記高抵抗導電膜は、金属材料を有し、
前記高抵抗導電膜は、線幅３μｍ以下の線状であり、
前記高抵抗導電膜は、前記液晶表示パネルの視認側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display panel having a liquid crystal composition that exhibits a blue phase, and a heating unit including a heating unit and a control unit,
The heating unit is provided to overlap the liquid crystal composition,
The heating unit is a high resistance conductive film,
In the heating unit, the liquid crystal composition is heated by passing a current through the high resistance conductive film by the control unit,
The high resistance conductive film has a metal material,
The high-resistance conductive film has a linear shape with a line width of 3 μm or less,
The liquid crystal display device, wherein the high-resistance conductive film is provided on a viewing side of the liquid crystal display panel .
前記加熱部は、前記液晶表示パネル内に前記液晶組成物に重なって設けられ、
前記加熱部は、高抵抗導電膜であり、
前記加熱手段において、前記制御手段により高抵抗導電膜に電流を流すことによって前記液晶組成物を加熱し、
前記高抵抗導電膜は、金属材料を有し、
前記高抵抗導電膜は、線幅３μｍ以下の線状であり、
前記高抵抗導電膜は、前記液晶表示パネルの視認側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display panel having a liquid crystal composition that exhibits a blue phase, and a heating unit including a heating unit and a control unit,
The heating unit is provided in the liquid crystal display panel so as to overlap the liquid crystal composition ,
The heating unit is a high resistance conductive film,
In the heating unit, the liquid crystal composition is heated by passing a current through the high resistance conductive film by the control unit,
The high resistance conductive film has a metal material,
The high-resistance conductive film has a linear shape with a line width of 3 μm or less,
The liquid crystal display device, wherein the high-resistance conductive film is provided on a viewing side of the liquid crystal display panel .
前記高抵抗導電膜は反射性を有することを特徴とする液晶表示装置。 In claim 1 or claim 2 ,
The liquid crystal display device, wherein the high-resistance conductive film has reflectivity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012125595A JP5936922B2 (en) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012125595A JP5936922B2 (en) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013250458A JP2013250458A (en) | 2013-12-12 |
| JP5936922B2 true JP5936922B2 (en) | 2016-06-22 |
Family
ID=49849192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012125595A Expired - Fee Related JP5936922B2 (en) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5936922B2 (en) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01237521A (en) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric liquid crystal display device |
| JP2655434B2 (en) * | 1989-06-29 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | Matrix liquid crystal display |
| JPH05289037A (en) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display element |
| JP2003131191A (en) * | 2001-10-22 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Field sequential color liquid crystal display device |
| JP3735722B2 (en) * | 2003-07-07 | 2006-01-18 | 国立大学法人名古屋大学 | Unicycle for mobile observation |
| JP4075781B2 (en) * | 2003-11-27 | 2008-04-16 | 旭硝子株式会社 | Tunable filter |
| KR100599756B1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | A liquid crystal display and a driving method thereof |
| JP2007086205A (en) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sharp Corp | Display panel and display device |
| JP2008209859A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal device and electronic equipment |
| JP2011186453A (en) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
-
2012
- 2012-06-01 JP JP2012125595A patent/JP5936922B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013250458A (en) | 2013-12-12 |
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| JP2015044794A (en) | Organic compound, liquid crystal composition, liquid crystal element, and liquid crystal display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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