JP5922053B2 - Rf生成器の電力および周波数をバイモーダルで自動チューニングするためのシステムおよび方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 title description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 101100218322 Arabidopsis thaliana ATXR3 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100029768 Histone-lysine N-methyltransferase SETD1A Human genes 0.000 description 2
- 102100032742 Histone-lysine N-methyltransferase SETD2 Human genes 0.000 description 2
- 101000865038 Homo sapiens Histone-lysine N-methyltransferase SETD1A Proteins 0.000 description 2
- 101100149326 Homo sapiens SETD2 gene Proteins 0.000 description 2
- LZHSWRWIMQRTOP-UHFFFAOYSA-N N-(furan-2-ylmethyl)-3-[4-[methyl(propyl)amino]-6-(trifluoromethyl)pyrimidin-2-yl]sulfanylpropanamide Chemical compound CCCN(C)C1=NC(=NC(=C1)C(F)(F)F)SCCC(=O)NCC2=CC=CO2 LZHSWRWIMQRTOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100533304 Plasmodium falciparum (isolate 3D7) SETVS gene Proteins 0.000 description 2
- 101150117538 Set2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B28/00—Generation of oscillations by methods not covered by groups H03B5/00 - H03B27/00, including modification of the waveform to produce sinusoidal oscillations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
- H03K3/55—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a gas-filled tube having a control electrode
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
本出願は、2012年3月23日に出願された米国仮特許出願第61/615,063号の優先権を主張するものである。上記出願の開示全体が参照により本明細書に組み込まれる。
以下に、本出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[付記1] 電力増幅器の複数の目標状態に対する複数の電力レベルを示す電力信号を生成するように構成されている電力制御モジュールと、
前記電力増幅器の前記複数の目標状態の複数の周波数を示す周波数信号を生成するように構成されている周波数制御モジュールと、
(i)前記電力増幅器に出力信号を供給し、(ii)前記電力増幅器の前記複数の目標状態のうちの1つに対する最新の電力レベルおよび最新の周波数のうちの少なくとも一方をリコールし、(iii)前記電力増幅器の前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと前記最新の周波数のうちの少なくとも一方とに基づいて、前記出力信号の現在の電力レベルおよび現在の周波数を第1の状態から第2の状態に調整するように構成されているパルス生成モジュールと、を備える無線周波数生成器。
[付記2] 前記パルス生成モジュールが、(i)前記最新の電力レベルと前記最新の周波数の両方をリコールし、(ii)前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の両方に基づいて前記出力信号を調整するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記3] 前記パルス生成モジュールが、(i)前記電力制御モジュールに前記最新の電力レベルを、(ii)前記周波数制御モジュールに前記最新の周波数を提供するように構成されており、
前記電力制御モジュールが、前記最新の電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記最新の周波数に基づいて前記周波数信号を生成するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記4] 前記パルス生成モジュールが、前記電力増幅器の単一パルス時に、前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと、前記最新の周波数とに基づいて、前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数の両方を調整するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記5] 前記パルス生成モジュールが、前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと前記最新の周波数とに基づいて、前記電力増幅器の複数の連続パルスの各々の複数の電力レベルおよび複数の周波数を調整するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記6] 前記パルス生成モジュールが、(i)前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数を調整した後所定期間待機し、(ii)前記所定期間の終了に応答して、前記電力増幅器の更新電力レベルおよび更新周波数を記憶し、(iii)前記更新電力レベルを前記電力制御モジュールに、かつ前記更新周波数を前記周波数制御モジュールに提供するように構成されており、
前記電力制御モジュールが、前記更新電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記更新周波数に基づいて前記周波数信号を生成するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記7] 前記電力生成モジュールが、前記複数の目標状態の各々についての複数の更新電力レベルおよび複数の更新周波数を記憶するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記8] 前記電力増幅器と複数のセンサとをさらに備えており、
前記電力増幅器が、前記出力信号を受信するように構成されており、
前記複数のセンサが、前記複数の目標状態の各々について、前記電力増幅器の電力アウトの複数の電力レベルを検出するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、複数の現在のパルス状態の複数の表示に基づいて、前記電力増幅器の前記電力アウトの複数の周波数を判断するように構成されており、
前記電力生成モジュールが、前記複数の目標状態に対して、前記複数の検出電力レベルおよび複数の周波数を複数の最新の電力レベルおよび複数の周波数として記憶するように構成されている、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記9] 前記電力増幅器の前記電力アウトの前記複数の検出電力レベルおよび複数の周波数が、前記電力増幅器の負荷のインピーダンスの複数の変化に基づいており、
前記電力制御モジュールが、前記複数の検出電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記複数の検出周波数に基づいて、前記周波数信号を生成するように構成されている、付記8に記載の無線周波数生成器。
[付記10] 前記出力信号が前記第1の状態から前記第2の状態に遷移中に、
前記電力制御モジュールが、前記電力信号を漸増的に調整して、前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに調整するように構成されているか、
前記パルス生成モジュールが、前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに漸増的に調整するかの少なくとも一方である、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記11] 前記出力信号が前記第1の状態から前記第2の状態に遷移中に、
前記周波数制御モジュールが、前記周波数信号を漸増的に調整して、前記現在の周波数を前記第2の状態の目標周波数に調整するように構成されているか、
前記パルス生成モジュールが、前記目標周波数を前記第2の状態の前記目標周波数に漸増的に調整するかの少なくとも一方である、付記1に記載の無線周波数生成器。
[付記12] 無線周波数生成器における電力増幅器の複数の目標状態の複数の電力レベルを示す電力信号を生成するステップと、
前記電力増幅器の前記複数の目標状態の複数の周波数を示す周波数信号を生成するステップと、
出力信号を前記電力増幅器に供給するステップと、
前記電力増幅器の前記複数の目標状態のうちの1つに対する最新の電力レベルおよび最新の周波数の少なくとも一方をリコールするステップと、
前記電力信号と、前記周波数信号と、前記電力増幅器の前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の少なくとも一方とに基づいて、前記出力信号の現在の電力レベルおよび現在の周波数を第1の状態から第2の状態に調整するステップとを備える方法。
[付記13] 前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の両方をリコールするステップと、
前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の両方に基づいて前記出力信号を調整するステップとをさらに備える、付記12に記載の方法。
[付記14] (i)電力制御モジュールに前記最新の電力レベルを、かつ(ii)周波数制御モジュールに前記最新の周波数を提供するステップをさらに備えており、
前記電力制御モジュールが、前記最新の電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記最新の周波数に基づいて前記周波数信号を生成するように構成されている、付記12に記載の方法。
[付記15] 前記電力増幅器の単一パルス時に、前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと、前記最新の周波数とに基づいて、前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数の両方を調整するステップをさらに備える、付記12に記載の方法。
[付記16] 前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと、前記最新の周波数とに基づいて、前記電力増幅器の複数の連続パルスの各々の複数の電力レベルおよび複数の周波数を調整するステップをさらに備える、付記12に記載の方法。
[付記17] 前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数を調整した後所定期間待機するステップと、
前記所定期間の終了に応答して、前記電力増幅器の更新電力レベルおよび更新周波数を記憶するステップと、
前記更新電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するステップと、
前記更新周波数に基づいて前記周波数信号を生成するステップと、を備える付記12に記載の方法。
[付記18] 前記複数の目標状態の各々についての複数の更新電力レベルおよび複数の更新周波数を記憶するステップをさらに備える、付記12に記載の方法。
[付記19] 前記電力増幅器によって前記出力信号を受信するステップと、
複数のセンサによって前記複数の目標状態の各々について前記電力増幅器の電力アウトの複数の電力レベルを検出するステップであって、前記電力増幅器の前記電力アウトの前記複数の検出電力レベルが、前記電力増幅器の負荷のインピーダンスの複数の変化に基づいているステップと、
複数の現在のパルス状態の複数の表示に基づいて前記電力増幅器の前記電力アウトの複数の周波数を判断するステップと、
前記複数の検出電力レベルおよび複数の周波数を、前記複数の目標状態の複数の最新電力レベルおよび複数の周波数として記憶するステップと、
前記複数の検出電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するステップと、
前記複数の検出周波数に基づいて前記周波数信号を生成するステップと、をさらに備える付記12に記載の方法。
[付記20] 前記出力信号が前記第1の状態から前記第2の状態に遷移中に、
前記電力信号を漸増的に調整して、前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに調整し、
前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに漸増的に調整し、
前記周波数信号を漸増的に調整して、前記現在の周波数を前記第2の状態の目標周波数に調整し、
前記目標周波数を前記第2の状態の前記目標周波数に漸増的に調整する、付記12に記載の方法。
Claims (20)
- 電力増幅器の複数の目標状態に対する複数の電力レベルを示す電力信号を生成するように構成されている電力制御モジュールと、
前記電力増幅器の前記複数の目標状態に対する複数の周波数を示す周波数信号を生成するように構成されている周波数制御モジュールと、
(i)前記電力増幅器に出力信号を供給し、(ii)前記電力増幅器の前記複数の目標状態のうちの1つに対する最新の電力レベルおよび最新の周波数のうちの少なくとも一方をリコールし、(iii)前記電力増幅器の前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと前記最新の周波数のうちの少なくとも一方とに基づいて、前記出力信号の現在の電力レベルおよび現在の周波数を第1の状態から第2の状態に調整するように構成されているパルス生成モジュールと、を備える無線周波数生成器。 - 前記パルス生成モジュールが、(i)前記最新の電力レベルと前記最新の周波数の両方をリコールし、(ii)前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の両方に基づいて前記出力信号を調整するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。
- 前記パルス生成モジュールが、(i)前記電力制御モジュールに前記最新の電力レベルを、(ii)前記周波数制御モジュールに前記最新の周波数を提供するように構成されており、
前記電力制御モジュールが、前記最新の電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記最新の周波数に基づいて前記周波数信号を生成するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。 - 前記パルス生成モジュールが、前記電力増幅器の単一パルス時に、前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと、前記最新の周波数とに基づいて、前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数の両方を調整するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。
- 前記パルス生成モジュールが、前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと前記最新の周波数とに基づいて、前記電力増幅器の複数の連続パルスの各々の複数の電力レベルおよび複数の周波数を調整するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。
- 前記パルス生成モジュールが、(i)前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数を調整した後所定期間待機し、(ii)前記所定期間の終了に応答して、前記電力増幅器の更新電力レベルおよび更新周波数を記憶し、(iii)前記更新電力レベルを前記電力制御モジュールに、かつ前記更新周波数を前記周波数制御モジュールに提供するように構成されており、
前記電力制御モジュールが、前記更新電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記更新周波数に基づいて前記周波数信号を生成するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。 - 前記パルス生成モジュールが、前記複数の目標状態の各々についての複数の更新電力レベルおよび複数の更新周波数を記憶するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。
- 前記電力増幅器と複数のセンサとをさらに備えており、
前記電力増幅器が、前記出力信号を受信するように構成されており、
前記複数のセンサが、前記複数の目標状態の各々に対して、前記電力増幅器の電力アウトの複数の電力レベルを検出するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、複数の現在のパルス状態の複数の表示に基づいて、前記電力増幅器の前記電力アウトの複数の周波数を検出するように構成されており、
前記パルス生成モジュールが、前記複数の目標状態に対して、検出された前記複数の電力レベルおよび複数の周波数を複数の最新の電力レベルおよび複数の周波数として記憶するように構成されている、請求項1に記載の無線周波数生成器。 - 前記電力増幅器の前記電力アウトの検出された前記複数の電力レベルおよび複数の周波数が、前記電力増幅器の負荷のインピーダンスの複数の変化に基づいており、
前記電力制御モジュールが、検出された前記複数の電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、検出された前記複数の周波数に基づいて、前記周波数信号を生成するように構成されている、請求項8に記載の無線周波数生成器。 - 前記出力信号が前記第1の状態から前記第2の状態に遷移中に、
前記電力制御モジュールが、前記電力信号を漸増的に調整して、前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに調整するように構成されているか、
前記パルス生成モジュールが、前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに漸増的に調整するかの少なくとも一方である、請求項1に記載の無線周波数生成器。 - 前記出力信号が前記第1の状態から前記第2の状態に遷移中に、
前記周波数制御モジュールが、前記周波数信号を漸増的に調整して、前記現在の周波数を前記第2の状態の目標周波数に調整するように構成されているか、
前記パルス生成モジュールが、前記目標周波数を前記第2の状態の前記目標周波数に漸増的に調整するかの少なくとも一方である、請求項1に記載の無線周波数生成器。 - 無線周波数生成器における電力増幅器の複数の目標状態の複数の電力レベルを示す電力信号を生成するステップと、
前記電力増幅器の前記複数の目標状態の複数の周波数を示す周波数信号を生成するステップと、
出力信号を前記電力増幅器に供給するステップと、
前記電力増幅器の前記複数の目標状態のうちの1つに対する最新の電力レベルおよび最新の周波数の少なくとも一方をリコールするステップと、
前記電力信号と、前記周波数信号と、前記電力増幅器の前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の少なくとも一方とに基づいて、前記出力信号の現在の電力レベルおよび現在の周波数を第1の状態から第2の状態に調整するステップとを備える方法。 - 前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の両方をリコールするステップと、
前記最新の電力レベルおよび前記最新の周波数の両方に基づいて前記出力信号を調整するステップとをさらに備える、請求項12に記載の方法。 - (i)電力制御モジュールに前記最新の電力レベルを、かつ(ii)周波数制御モジュールに前記最新の周波数を提供するステップをさらに備えており、
前記電力制御モジュールが、前記最新の電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するように構成されており、
前記周波数制御モジュールが、前記最新の周波数に基づいて前記周波数信号を生成するように構成されている、請求項12に記載の方法。 - 前記電力増幅器の単一パルス時に、前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと、前記最新の周波数とに基づいて、前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数の両方を調整するステップをさらに備える、請求項12に記載の方法。
- 前記電力信号と、前記周波数信号と、前記最新の電力レベルと、前記最新の周波数とに基づいて、前記電力増幅器の複数の連続パルスの各々の複数の電力レベルおよび複数の周波数を調整するステップをさらに備える、請求項12に記載の方法。
- 前記現在の電力レベルおよび前記現在の周波数を調整した後所定期間待機するステップと、
前記所定期間の終了に応答して、前記電力増幅器の更新電力レベルおよび更新周波数を記憶するステップと、
前記更新電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するステップと、
前記更新周波数に基づいて前記周波数信号を生成するステップと、を備える請求項12に記載の方法。 - 前記複数の目標状態の各々についての複数の更新電力レベルおよび複数の更新周波数を記憶するステップをさらに備える、請求項12に記載の方法。
- 前記電力増幅器によって前記出力信号を受信するステップと、
複数のセンサによって前記複数の目標状態の各々に対して前記電力増幅器の電力アウトの複数の電力レベルを検出するステップであって、前記電力増幅器の前記電力アウトの検出された前記複数の電力レベルが、前記電力増幅器の負荷のインピーダンスの複数の変化に基づいているステップと、
複数の現在のパルス状態の複数の表示に基づいて前記電力増幅器の前記電力アウトの複数の周波数を検出するステップと、
検出された前記複数の電力レベルおよび複数の周波数を、前記複数の目標状態の複数の最新電力レベルおよび複数の周波数として記憶するステップと、
検出された前記複数の電力レベルに基づいて前記電力信号を生成するステップと、
検出された前記複数の周波数に基づいて前記周波数信号を生成するステップと、をさらに備える請求項12に記載の方法。 - 前記出力信号が前記第1の状態から前記第2の状態に遷移中に、
前記電力信号を漸増的に調整して、前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに調整し、
前記現在の電力レベルを前記第2の状態の目標電力レベルに漸増的に調整し、
前記周波数信号を漸増的に調整して、前記現在の周波数を前記第2の状態の目標周波数に調整し、
前記目標周波数を前記第2の状態の前記目標周波数に漸増的に調整する、請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261615063P | 2012-03-23 | 2012-03-23 | |
US61/615,063 | 2012-03-23 | ||
US13/803,170 | 2013-03-14 | ||
US13/803,170 US8952765B2 (en) | 2012-03-23 | 2013-03-14 | System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013240042A JP2013240042A (ja) | 2013-11-28 |
JP5922053B2 true JP5922053B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=48045264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013060644A Active JP5922053B2 (ja) | 2012-03-23 | 2013-03-22 | Rf生成器の電力および周波数をバイモーダルで自動チューニングするためのシステムおよび方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8952765B2 (ja) |
EP (1) | EP2642661B1 (ja) |
JP (1) | JP5922053B2 (ja) |
KR (1) | KR101787501B1 (ja) |
CN (1) | CN103327724B (ja) |
SG (1) | SG193746A1 (ja) |
TW (1) | TWI555447B (ja) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9287113B2 (en) | 2012-11-08 | 2016-03-15 | Novellus Systems, Inc. | Methods for depositing films on sensitive substrates |
US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
US9408288B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
US10821542B2 (en) * | 2013-03-15 | 2020-11-03 | Mks Instruments, Inc. | Pulse synchronization by monitoring power in another frequency band |
US9318304B2 (en) * | 2013-11-11 | 2016-04-19 | Applied Materials, Inc. | Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing |
JP6562629B2 (ja) * | 2013-12-30 | 2019-08-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | パルスプラズマ暴露を伴うプラズマ原子層堆積 |
US9196459B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-11-24 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9496122B1 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-15 | Reno Technologies, Inc. | Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same |
US10455729B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | Enclosure cooling system |
US9865432B1 (en) | 2014-01-10 | 2018-01-09 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
US9844127B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Reno Technologies, Inc. | High voltage switching circuit |
US9697991B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-07-04 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9755641B1 (en) | 2014-01-10 | 2017-09-05 | Reno Technologies, Inc. | High speed high voltage switching circuit |
US9578731B2 (en) | 2014-10-16 | 2017-02-21 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for obtaining information about a plasma load |
US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
US10049857B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Mks Instruments, Inc. | Adaptive periodic waveform controller |
US9729122B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9525412B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-20 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US10340879B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-07-02 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9306533B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-04-05 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US11017983B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-05-25 | Reno Technologies, Inc. | RF power amplifier |
US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
US11342160B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Filter for impedance matching |
US11150283B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-10-19 | Reno Technologies, Inc. | Amplitude and phase detection circuit |
US11335540B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-17 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10984986B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-04-20 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10692699B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-23 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with restricted capacitor switching |
US11342161B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit with voltage bias |
US11081316B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-08-03 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US9876476B2 (en) | 2015-08-18 | 2018-01-23 | Mks Instruments, Inc. | Supervisory control of radio frequency (RF) impedance tuning operation |
US10395895B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-08-27 | Mks Instruments, Inc. | Feedback control by RF waveform tailoring for ion energy distribution |
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US10483090B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-11-19 | Reno Technologies, Inc. | Restricted capacitor switching |
US11114280B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-09-07 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with multi-level power setpoint |
US11521833B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Combined RF generator and RF solid-state matching network |
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US11289307B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-29 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
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CN111293021B (zh) * | 2018-12-07 | 2024-01-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置 |
US11804362B2 (en) | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for modulated plasma systems |
KR20200086808A (ko) | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 균일성 제어 방법 및 플라즈마 프로세싱 시스템 |
US12040181B2 (en) | 2019-05-01 | 2024-07-16 | Lam Research Corporation | Modulated atomic layer deposition |
US11538662B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-12-27 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method with reduced memory requirements |
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JP2010114001A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | プラズマ発生用電源装置 |
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CN101640369B (zh) * | 2009-08-25 | 2011-05-25 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 一种射频电源装置 |
US8314561B2 (en) * | 2010-04-02 | 2012-11-20 | Mks Instruments, Inc. | Multi-channel radio frequency generator |
CN103098559B (zh) * | 2010-09-15 | 2015-03-25 | 三菱电机株式会社 | 高频电力供给装置、等离子体处理装置以及薄膜制造方法 |
US9114666B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
US9197196B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-11-24 | Lam Research Corporation | State-based adjustment of power and frequency |
US8736377B2 (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-27 | Mks Instruments, Inc. | RF pulse edge shaping |
-
2013
- 2013-03-14 US US13/803,170 patent/US8952765B2/en active Active
- 2013-03-20 EP EP13160258.3A patent/EP2642661B1/en active Active
- 2013-03-21 TW TW102110119A patent/TWI555447B/zh active
- 2013-03-22 KR KR1020130030942A patent/KR101787501B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-22 JP JP2013060644A patent/JP5922053B2/ja active Active
- 2013-03-22 SG SG2013021035A patent/SG193746A1/en unknown
- 2013-03-25 CN CN201310097480.3A patent/CN103327724B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8952765B2 (en) | 2015-02-10 |
US20140097908A1 (en) | 2014-04-10 |
KR20130108189A (ko) | 2013-10-02 |
TWI555447B (zh) | 2016-10-21 |
SG193746A1 (en) | 2013-10-30 |
EP2642661B1 (en) | 2021-09-15 |
CN103327724B (zh) | 2016-08-31 |
CN103327724A (zh) | 2013-09-25 |
JP2013240042A (ja) | 2013-11-28 |
EP2642661A3 (en) | 2017-08-09 |
EP2642661A2 (en) | 2013-09-25 |
TW201345326A (zh) | 2013-11-01 |
KR101787501B1 (ko) | 2017-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150320 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5922053 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |