JP5916336B2

JP5916336B2 - Wafer grinding method

Info

Publication number: JP5916336B2
Application number: JP2011227655A
Authority: JP
Inventors: 俊一郎廣沢
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2011-10-17
Filing date: 2011-10-17
Publication date: 2016-05-11
Anticipated expiration: 2031-10-17
Also published as: JP2013089713A

Description

本発明は、それぞれ複数のバンプを有するデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、外周縁にノッチが形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法に関する。 The present invention provides a wafer grinding method for grinding a back surface of a wafer having a device region in which devices each having a plurality of bumps are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region and having a notch formed in the outer periphery. Regarding the method.

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウエーハの表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインによって区画される各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される。これらのウエーハは裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、ストリートに沿って切削装置等によって分割されることで個々の半導体デバイスが製造される。 In the manufacturing process of semiconductor devices, grid-like division lines called streets are formed on the surface of a wafer made of silicon or a compound semiconductor, and devices such as ICs and LSIs are formed in each area partitioned by the division lines. The After these wafers are ground and thinned to a predetermined thickness, individual semiconductor devices are manufactured by being divided along a street by a cutting device or the like.

一般的にウエーハには、ウエーハの結晶方位を示すオリエンテーションフラットやノッチが形成される。オリエンテーションフラットは半導体ウエーハの外周の一部を直線的に切り取ることによって形成されるため、この切り取られた部分は半導体デバイスとして使用することができないため、ウエーハ上に形成される有効チップ数の減少をきたすという問題がある。 In general, an orientation flat or notch indicating the crystal orientation of the wafer is formed on the wafer. Since the orientation flat is formed by cutting a part of the outer periphery of the semiconductor wafer linearly, this cut part cannot be used as a semiconductor device, so the number of effective chips formed on the wafer is reduced. There is a problem of coming.

そこで、近年では半導体ウエーハの外周にノッチを形成し、このノッチを露光パターンの位置決め等の基準とする方法が広く採用されている。デバイス製造工程等においてこのノッチを位置決めピンに係合させたときにノッチに欠けが発生し易いため、この欠けの防止のためにノッチに面取り加工を施す方法が特開平２−８７５２３号公報に開示されている。 Therefore, in recent years, a method in which a notch is formed on the outer periphery of a semiconductor wafer and this notch is used as a reference for positioning an exposure pattern has been widely adopted. Since this notch is likely to be chipped when the notch is engaged with a positioning pin in a device manufacturing process or the like, a method for chamfering the notch to prevent the chip is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-87523. Has been.

近年、半導体デバイスの軽薄短小化を実現するための技術として、デバイス表面にバンプと呼ばれる金属突起物を複数形成し、これらのバンプを配線基板に形成された電極に相対させて直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が実用化されている（例えば、特開２００１−２３７２７８号公報参照）。 In recent years, as a technology for realizing lighter, thinner, and smaller semiconductor devices, flip chips have been formed by forming a plurality of metal protrusions called bumps on the device surface, and directly bonding these bumps against the electrodes formed on the wiring board. A mounting technique called bonding has been put into practical use (see, for example, JP-A-2001-237278).

バンプ付きウエーハでは、通常、外周部のデバイスが形成されていない外周余剰領域にはバンプも形成されていない。特開平３−３２３９号公報は外周部にバンプを形成しないバンプ付きウエーハを開示している。 In a bumped wafer, normally, bumps are not formed in the outer peripheral surplus area where the peripheral device is not formed. Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-3239 discloses a bumped wafer in which no bump is formed on the outer periphery.

特開平２−８７５２３号公報JP-A-2-87523 特開２００１−２３７２７８号公報JP 2001-237278 A 特開平３−３２３９号公報JP-A-3-3239

ウエーハの裏面研削時にバンプ付きウエーハの表面側をチャックテーブルで保持した際、バンプが形成されたデバイス領域はチャックテーブルで保持されるが、バンプが形成されていない外周余剰領域はチャックテーブルの保持面から浮いた状態となる。従って、この状態で研削砥石でウエーハを押圧しつつウエーハの裏面を研削すると、外周余剰領域からクラックが発生し易い。 When the front side of the wafer with bumps is held by the chuck table during backside grinding of the wafer, the device area where the bumps are formed is held by the chuck table, but the extra peripheral area where the bumps are not formed is the holding surface of the chuck table It will be floating from. Accordingly, if the back surface of the wafer is ground while pressing the wafer with a grinding wheel in this state, cracks are likely to occur from the outer peripheral surplus region.

特に、ノッチが形成されたバンプ付きウエーハでは、ノッチを起点にクラックが発生し、このクラックがデバイス領域に達するとデバイスを破損させるため非常に問題となる。 In particular, in a wafer with bumps in which a notch is formed, a crack is generated starting from the notch, and when this crack reaches the device region, the device is damaged, which is a serious problem.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ノッチを起点に発生したクラックによってデバイスが破損される恐れを低減可能なウエーハの研削方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a wafer grinding method capable of reducing the risk of damage to a device due to a crack generated from a notch. is there.

本発明によると、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域に複数のバンプを有するデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すＶ字状切欠きが形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、該Ｖ字状切欠きを起点に発生したクラックが該デバイス領域に伸長することを防止するウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部を該Ｖ字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するクラック防止部形成ステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させる保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化する研削ステップと、を具備し、該クラック防止部形成ステップでは、該Ｖ字状切欠きと該デバイス領域との間の該Ｖ字状切欠きの頂点に対向する領域にのみ、直線状の該クラック防止部を形成することを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。 According to the present invention, the device includes a device region in which a device having a plurality of bumps is formed in each region divided by a plurality of intersecting scheduled lines, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. A wafer grinding method in which the back surface of a wafer having a V-shaped notch indicating the crystal orientation of the wafer formed on the periphery is ground to reduce the thickness to a predetermined thickness, and is generated from the V-shaped notch as a starting point. A crack preventing portion having a depth from the wafer surface to the finished thickness of the wafer, which prevents cracks from extending into the device region, is formed in the outer peripheral region of the wafer so as to face the vertex of the V-shaped notch. After performing the crack prevention portion forming step, the protective member disposing step of disposing the protective member on the surface of the wafer, and the protective member disposing step, the wafer is passed through the protective member. The provided a holding step of exposing the back surface was held by the chuck table, and the grinding step of thinning to the finished thickness by grinding the back surface of the wafer held by the chuck table grinding means, and the cracks In the prevention portion forming step, the linear crack prevention portion is formed only in a region facing the vertex of the V-shaped notch between the V-shaped notch and the device region. A method for grinding a wafer is provided.

好ましくは、クラック防止部形成ステップでは、切削ブレードでウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する。代替案として、クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する。 Preferably, in the crack prevention portion forming step, a groove having a depth from the wafer surface to the finished thickness of the wafer is formed by a cutting blade. As an alternative, in the crack prevention portion forming step, a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer is irradiated to form a groove having a depth from the surface of the wafer to the finished thickness of the wafer.

他の代替案では、クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質層を形成する。 In another alternative, in the crack preventing portion forming step, a modified layer having a depth from the surface of the wafer to the finished thickness of the wafer is formed by irradiating a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer.

本発明のウエーハの研削方法では、まずＶ字状切欠きであるノッチに対向してウエーハの外周余剰領域に、Ｖ字状切欠きを起点に発生したクラックがデバイス領域に伸長することを防止するウエーハの表面から仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部が形成される。 In the wafer grinding method of the present invention, first, a crack generated from the V-shaped notch as a starting point in the outer peripheral region of the wafer is opposed to the notch which is a V-shaped notch and is prevented from extending into the device region. A crack prevention portion having a depth ranging from the surface of the wafer to the finished thickness is formed.

その後、ウエーハの裏面が研削されるため、Ｖ字状切欠きを起点にクラックが発生してもクラック防止部によってクラックの伸長が防止され、クラックがデバイス領域に到達してデバイスを破損してしまう恐れを低減できる。 Then, since the back surface of the wafer is ground, even if a crack occurs starting from the V-shaped notch, the crack prevention portion prevents the crack from extending, and the crack reaches the device region and damages the device. Fear can be reduced.

また、Ｖ字状切欠きを起点にクラックが発生してウエーハの外周余剰領域の一部が割れた状態でも、保護部材によってウエーハの形態を保つため、後の搬送、ハンドリング時等に支障をきたす恐れがない。 In addition, even if a crack occurs from the V-shaped notch and a part of the outer peripheral area of the wafer is broken, the protective member keeps the wafer shape, which causes troubles during subsequent transportation and handling. There is no fear.

本発明の研削方法で研削するのに適した半導体ウエーハの斜視図である。It is a perspective view of a semiconductor wafer suitable for grinding by the grinding method of the present invention. クラック防止部形成ステップの第１実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 1st Embodiment of a crack prevention part formation step. クラック防止部の第１実施形態を示すウエーハの斜視図である。It is a perspective view of a wafer showing a 1st embodiment of a crack prevention part. クラック防止部の第２実施形態を示すウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer which shows 2nd Embodiment of a crack prevention part. クラック防止部形成ステップの第２実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 2nd Embodiment of a crack prevention part formation step. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. クラック防止部の第３実施形態を示すウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer which shows 3rd Embodiment of a crack prevention part. クラック防止部形成ステップの第３実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 3rd Embodiment of a crack prevention part formation step. クラック防止部の第４実施形態を示すウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer which shows 4th Embodiment of a crack prevention part. 保護部材配設ステップを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows a protection member arrangement | positioning step. 本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置の斜視図である。It is a perspective view of a grinding device suitable for carrying out the grinding method of the present invention. 保持ステップを示す側面図である。It is a side view which shows a holding | maintenance step. 研削ステップを示す側面図である。It is a side view which shows a grinding step.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の研削方法により研削するのに適した半導体ウエーハ１１の斜視図が示されている。半導体ウエーハ１１は表面１１ａ及び裏面１１ｂを有しており、表面１１ａには複数のストリート（分割予定ライン）１３が直交して形成されており、ストリート１３によって区画された各領域にそれぞれデバイス１５が形成されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a semiconductor wafer 11 suitable for grinding by the grinding method of the present invention. The semiconductor wafer 11 has a front surface 11 a and a back surface 11 b, and a plurality of streets (division lines) 13 are formed orthogonally on the front surface 11 a, and devices 15 are respectively provided in the regions defined by the streets 13. Is formed.

図１の拡大図に示すように、各デバイス１５の４辺には複数の突起状のバンプ１７が形成されている。半導体ウエーハ１１はその表面１１ａに複数のデバイス１５が形成されたデバイス領域１９と、デバイス領域１９を囲繞する外周余剰領域２１を有している。外周余剰領域２１にはデバイス１５が形成されていないので、バンプ１７も形成されていないことになる。 As shown in the enlarged view of FIG. 1, a plurality of protruding bumps 17 are formed on the four sides of each device 15. The semiconductor wafer 11 has a device region 19 in which a plurality of devices 15 are formed on the surface 11 a and an outer peripheral surplus region 21 surrounding the device region 19. Since the device 15 is not formed in the outer peripheral surplus region 21, the bump 17 is not formed.

更に、半導体ウエーハ１１はその外周縁にウエーハの結晶方位を示すＶ字状切欠きであるノッチ２３を有している。このノッチ２３はフォトリソグラフィでデバイスを形成する際に露光パターンの位置決め等のために用いられる。半導体ウエーハ１１の厚みは例えば７００μｍである。 Further, the semiconductor wafer 11 has a notch 23 which is a V-shaped notch indicating the crystal orientation of the wafer on the outer peripheral edge thereof. The notch 23 is used for positioning an exposure pattern when a device is formed by photolithography. The thickness of the semiconductor wafer 11 is 700 μm, for example.

本発明のウエーハの研削方法では、ノッチ２３を起点に発生したクラックがデバイス領域１９に伸長することを防止するウエーハの表面１１ａからウエーハ１１の仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部をノッチ２３の頂点に対向したウエーハ１１の外周余剰領域２１に形成するクラック防止部形成ステップを実施する。 In the wafer grinding method of the present invention, a crack preventing portion having a depth from the wafer surface 11 a to the finished thickness of the wafer 11 that prevents the crack generated from the notch 23 from extending into the device region 19 is formed on the notch 23. The crack prevention part formation step formed in the outer periphery surplus area | region 21 of the wafer 11 which opposes the vertex is implemented.

このクラック防止部形成ステップの第１実施形態では、図２に示す切削装置の切削ユニット１０を使用して実施する。切削ユニット１０はモータにより高速回転されるスピンドル１２と、スピンドル１２の先端部に装着された切削ブレード１４とを含んでいる。 In the first embodiment of the crack prevention portion forming step, the cutting unit 10 of the cutting apparatus shown in FIG. 2 is used. The cutting unit 10 includes a spindle 12 that is rotated at a high speed by a motor, and a cutting blade 14 that is attached to the tip of the spindle 12.

クラック防止部形成ステップの第１実施形態では、図２に示すように高速回転する切削ブレード１４でノッチ２３を有する外周余剰領域２１に切り込み、ウエーハ１１を保持した切削装置の図示しないチャックテーブルを矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、図３に示すようなウエーハの仕上げ厚みに至る深さ（例えば１２０μｍ）の切削溝２５を形成する。 In the first embodiment of the crack prevention portion forming step, a chuck table (not shown) of the cutting apparatus holding the wafer 11 is cut by cutting into the outer peripheral surplus area 21 having the notch 23 with the cutting blade 14 rotating at high speed as shown in FIG. By cutting and feeding in the X1 direction, a cutting groove 25 having a depth (for example, 120 μm) reaching the finished thickness of the wafer as shown in FIG. 3 is formed.

図４を参照すると、本発明第２実施形態のクラック防止部の斜視図が示されている。本実施形態では、切削ブレード１４でノッチ２３の内側の外周余剰領域２１を円形に切削し、ウエーハ１１の表面１１ａからウエーハの仕上げ厚みに至る深さの円形溝２７を形成する。 Referring to FIG. 4, there is shown a perspective view of a crack preventing unit according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the outer peripheral surplus region 21 inside the notch 23 is cut into a circular shape with the cutting blade 14 to form a circular groove 27 having a depth from the surface 11a of the wafer 11 to the finished thickness of the wafer.

図５を参照すると、本発明第２実施形態のクラック防止部形成ステップの斜視図が示されている。本実施形態では、ウエーハ１１に対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のレーザビームをノッチ２３を含む外周余剰領域２１に照射して、ウエーハ１１の表面１１ａからウエーハ１１の仕上げ厚みに至る深さのレーザ加工溝２５を形成する。 Referring to FIG. 5, there is shown a perspective view of the crack preventing portion forming step of the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, a laser beam having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity with respect to the wafer 11 is irradiated to the outer peripheral surplus region 21 including the notch 23, and the depth from the surface 11a of the wafer 11 to the finished thickness of the wafer 11 is reached. that form a laser processed grooves 25 of the.

１６はレーザ加工装置のレーザビームの照射ユニットであり、ケーシング１８中に収容された図５のブロック図に示すレーザビームの発生ユニット２０と、ケーシング１８の先端部に取り付けられた集光器２２とから構成される。２４は顕微鏡及びカメラを有する撮像ユニットであり、レーザ加工すべき領域を検出するために用いられる。 Reference numeral 16 denotes a laser beam irradiation unit of the laser processing apparatus. The laser beam generation unit 20 shown in the block diagram of FIG. 5 housed in the casing 18, and the condenser 22 attached to the tip of the casing 18 Consists of An imaging unit 24 having a microscope and a camera is used for detecting an area to be laser processed.

図６に示すように、レーザビーム発生ユニット２０は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器２６と、繰り返し周波数設定手段２８と、パルス幅調整手段３０と、パワー調整手段３２とを含んでいる。 As shown in FIG. 6, the laser beam generating unit 20 includes a laser oscillator 26 that oscillates a YAG laser or a YVO4 laser, a repetition frequency setting unit 28, a pulse width adjusting unit 30, and a power adjusting unit 32. .

レーザビーム発生ユニット２０のパワー調整手段３２により所定パワーに調整されたレーザビームは、集光器２２のミラー３４で反射され、更に集光用対物レンズ３６によって集光されてチャックテーブル３８に保持されている半導体ウエーハ１１に照射される。 The laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 32 of the laser beam generating unit 20 is reflected by the mirror 34 of the condenser 22, further condensed by the condenser objective lens 36, and held on the chuck table 38. The semiconductor wafer 11 is irradiated.

図７を参照すると、本発明第３実施形態のクラック防止部の斜視図が示されている。本実施形態では、例えば図５に示したのと同様なレーザビーム照射ユニット１６を用いて、ウエーハ１１に対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のレーザビームをデバイス領域１９と外周余剰領域２１との境界部に照射して、境界部全周にレーザ加工溝２９を形成する。このレーザ加工溝２９は、ウエーハ１１の表面１１ａからウエーハ１１の仕上げ厚みに至る深さの溝とする。 Referring to FIG. 7, there is shown a perspective view of a crack preventing unit according to a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, for example, a laser beam irradiation unit 16 similar to that shown in FIG. The laser processing groove 29 is formed on the entire periphery of the boundary. The laser processed groove 29 is a groove having a depth from the surface 11 a of the wafer 11 to the finished thickness of the wafer 11.

次に、図８及び図９を参照して、本発明第３実施形態のクラック防止部形成ステップについて説明する。本実施形態では、図６に示したレーザビーム発生ユニット２０のレーザ発振器２６にＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを採用し、ウエーハ１１に対して透過性を有する波長である１０６４ｎｍのレーザビームを発振する。 Next, with reference to FIG.8 and FIG.9, the crack prevention part formation step of 3rd Embodiment of this invention is demonstrated. In the present embodiment, a YAG laser or YVO4 laser is employed in the laser oscillator 26 Les Zabimu generating unit 20 shown in FIG. 6, to oscillate a laser beam of 1064nm is a wavelength capable of passing through the wafer 11.

このレーザビームを集光器２２によりウエーハ１１の表面１１ａ近傍に集光し、ウエーハ１１を保持したチャックテーブルを矢印Ｘ１方向に加工送りして、図９に示すようにウエーハ１１の表面１１ａからウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質層３１を形成する。この改質層３１は溶融再硬化層として形成され、周囲よりも強度の劣った領域となる。 The laser beam is condensed near the surface 11a of the wafer 11 by the condenser 22, and the chuck table holding the wafer 11 is processed and fed in the direction of the arrow X1, and the wafer 11 is moved from the surface 11a of the wafer 11 as shown in FIG. The modified layer 31 having a depth up to the finished thickness is formed. The modified layer 31 is formed as a melt-rehardened layer and becomes a region having a lower strength than the surroundings.

クラック防止部形成ステップは上述した第１乃至第３実施形態に加えて、エッチングによりノッチ２３部分を除去するような方法でもよい。 In addition to the first to third embodiments described above, the crack preventing portion forming step may be a method of removing the notch 23 portion by etching.

本発明の研削方法では、クラック防止部形成ステップ実施後、ウエーハ１１の表面１１ａに保護部材を配設する保護部材配設ステップを実施する。例えば、図１０に示すように、保護部材として保護テープ３３を採用し、ウエーハ１１の表面１１ａに保護テープ３３を貼着する。 In the grinding method of the present invention, after the crack prevention portion forming step is performed, a protection member disposing step of disposing a protective member on the surface 11a of the wafer 11 is performed. For example, as shown in FIG. 10, the protective tape 33 is employed as the protective member, and the protective tape 33 is attached to the surface 11 a of the wafer 11.

保護部材配設ステップを実施した後、図１１に示すような研削装置４２を使用して、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削手段（研削ユニット）で研削してウエーハ１１を仕上げ厚み（例えば１００μｍ）へと薄化する研削ステップを実施する。 After carrying out the protective member disposing step, the back surface 11b of the wafer 11 is ground by a grinding means (grinding unit) using a grinding device 42 as shown in FIG. 11, and the wafer 11 is finished to a finished thickness (for example, 100 μm). And implement a thinning grinding step.

図４において、４４は研削装置４２のベースであり、ベース４４の後方にはコラム４６が立設されている。コラム４６には、上下方向に伸びる一対のガイドレール４８が固定されている。 In FIG. 4, 44 is a base of the grinding device 42, and a column 46 is erected on the rear side of the base 44. A pair of guide rails 48 extending in the vertical direction are fixed to the column 46.

この一対のガイドレール４８に沿って研削ユニット（研削手段）５０が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット５０は、スピンドルハウジング５２と、スピンドルハウジング５２を保持する支持部５４を有しており、支持部５４が一対のガイドレール４８に沿って上下方向に移動する移動基台５６に取り付けられている。 A grinding unit (grinding means) 50 is mounted along the pair of guide rails 48 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 50 includes a spindle housing 52 and a support portion 54 that holds the spindle housing 52, and the support portion 54 is attached to a moving base 56 that moves up and down along a pair of guide rails 48. Yes.

研削ユニット５０は、スピンドルハウジング５２中に回転可能に収容されたスピンドル５８と、スピンドル５８を回転駆動するモータ６０と、スピンドル５８の先端に固定されたホイールマウント６２と、ホイールマウント６２に着脱可能に装着された研削ホイール６４とを含んでいる。 The grinding unit 50 includes a spindle 58 rotatably accommodated in a spindle housing 52, a motor 60 that rotationally drives the spindle 58, a wheel mount 62 fixed to the tip of the spindle 58, and a detachable attachment to the wheel mount 62. And a mounted grinding wheel 64.

研削装置４２は、研削ユニット５０を一対の案内レール４８に沿って上下方向に移動するボールねじ７０とパルスモータ７２とから構成される研削ユニット送り機構７４を備えている。パルスモータ７２を駆動すると、ボールねじ７０が回転し、移動基台５６が上下方向に移動される。 The grinding device 42 includes a grinding unit feed mechanism 74 including a ball screw 70 and a pulse motor 72 that move the grinding unit 50 in the vertical direction along a pair of guide rails 48. When the pulse motor 72 is driven, the ball screw 70 rotates and the moving base 56 is moved in the vertical direction.

ベース４４の上面には凹部４４ａが形成されており、この凹部４４ａにチャックテーブル機構７６が配設されている。チャックテーブル機構７６はチャックテーブル７８を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Ａと、研削ユニット５０に対向する研削位置Ｂとの間でＹ軸方向に移動される。８０，８２は蛇腹である。ベース４４の前方側には、研削装置４２のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル８４が配設されている。 A recess 44a is formed on the upper surface of the base 44, and a chuck table mechanism 76 is disposed in the recess 44a. The chuck table mechanism 76 has a chuck table 78 and is moved in the Y-axis direction between the wafer attachment / detachment position A and the grinding position B facing the grinding unit 50 by a moving mechanism (not shown). 80 and 82 are bellows. On the front side of the base 44, an operation panel 84 is provided for an operator of the grinding device 42 to input grinding conditions and the like.

ウエーハ１１の表面１１ａに保護テープ３３を貼着する保護部材配設ステップを実施した後、図１２に示すように、保護テープ３３を介してウエーハ１１をチャックテーブル７８で吸引保持してウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる保持ステップを実施する。図１２に示す吹き出し部分に示された拡大断面図において、２３ａはノッチ２３の頂点の位置を示しており、２５は切削溝、ｔ１はウエーハの仕上げ厚みをそれぞれ示している。 After performing the protective member disposing step of adhering the protective tape 33 to the surface 11a of the wafer 11, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 78 via the protective tape 33 as shown in FIG. A holding step for exposing the back surface 11b is performed. In the enlarged cross-sectional view shown in the blowing portion shown in FIG. 12, reference numeral 23a indicates the position of the apex of the notch 23, reference numeral 25 indicates a cutting groove, and reference numeral t1 indicates the finished thickness of the wafer.

図１３に示すように、研削ユニット５０のスピンドル５８の先端に固定されたホイールマウント６２には、研削ホイール６４が図示しないねじにより着脱可能に装着されている。研削ホイール６４は、ホイール基台６６の自由端部（下端部）に複数の研削砥石６８を環状に配設して構成されている。 As shown in FIG. 13, a grinding wheel 64 is detachably attached to a wheel mount 62 fixed to the tip of a spindle 58 of the grinding unit 50 by screws (not shown). The grinding wheel 64 is configured by arranging a plurality of grinding wheels 68 in an annular shape at the free end (lower end) of the wheel base 66.

裏面研削ステップでは、チャックテーブル７８を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール６４を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ユニット送り機構７４を駆動して研削ホイール６４の研削砥石６８をウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。 In the back grinding step, while rotating the chuck table 78 in the direction indicated by the arrow a at 300 rpm, for example, the grinding wheel 64 is rotated in the direction indicated by the arrow b at, for example, 6000 rpm, and the grinding unit feed mechanism 74 is driven to drive the grinding wheel. 64 grinding wheels 68 are brought into contact with the back surface 11 b of the wafer 11.

そして、研削ホイール６４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ１１の厚さを測定しながら、ウエーハ１１を仕上げ厚み、例えば１００μｍに研削する。 Then, the grinding wheel 64 is ground by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed. While measuring the thickness of the wafer 11 with a contact-type or non-contact-type thickness measurement gauge, the wafer 11 is ground to a finished thickness, for example, 100 μm.

切削溝２５はウエーハ１１の仕上げ厚みに至る深さ、例えば１２０μｍの深さを有しているため、ウエーハ１１を仕上げ厚み１００μｍに研削すると、ノッチ２３を含む外周余剰領域２１がデバイス領域１９から分離される。よって、ノッチ２３の頂点２３ａから発生したクラック３５は切削溝２５によって遮断され、クラック３５がデバイス領域１９に到達することが防止される。 Since the cutting groove 25 has a depth reaching the finished thickness of the wafer 11, for example, 120 μm, when the wafer 11 is ground to a finished thickness of 100 μm, the outer peripheral area 21 including the notch 23 is separated from the device area 19. Is done. Therefore, the crack 35 generated from the apex 23 a of the notch 23 is blocked by the cutting groove 25, and the crack 35 is prevented from reaching the device region 19.

改質層３１が形成された図９に示す実施形態においては、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削してウエーハ１１を仕上げ厚みである１００μｍに薄化すると、改質層３１は脆弱な層であるため、ノッチ２３を含む外周余剰領域２１に外力を加えることにより、ノッチ２３を含む外周余剰領域２１は改質層３１部分で破断される。 In the embodiment shown in FIG. 9 in which the modified layer 31 is formed, if the rear surface 11b of the wafer 11 is ground and the wafer 11 is thinned to a finished thickness of 100 μm, the modified layer 31 is a fragile layer. By applying an external force to the outer peripheral surplus area 21 including the notch 23, the outer peripheral surplus area 21 including the notch 23 is broken at the modified layer 31 portion.

何れの実施形態においても、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削して、ウエーハ１１を仕上げ厚みへと薄化することにより、ノッチ２３を含む外周余剰領域２１がウエーハ１１の他の部分から除去される。よって、ウエーハ１１のその後の搬送、ハンドリング時等において、ノッチを起点にクラックが発生することが防止される。 In any embodiment, the outer peripheral surplus region 21 including the notch 23 is removed from other portions of the wafer 11 by grinding the back surface 11b of the wafer 11 and thinning the wafer 11 to a finished thickness. Therefore, it is possible to prevent cracks from starting from the notch during the subsequent conveyance and handling of the wafer 11.

１１半導体ウエーハ
１４切削ブレード
１５デバイス
１７バンプ
１９デバイス領域
２１外周余剰領域
２３ノッチ（Ｖ形状切欠き）
２５切削溝
２５´ レーザ加工溝
２７円形切削溝
１６レーザビーム照射ユニット
２０レーザビーム発生ユニット
２２集光器
２４撮像ユニット
３１改質層
３３保護テープ
４２研削装置
５０研削ユニット
６４研削ホイール
７８チャックテーブル 11 Semiconductor wafer 14 Cutting blade 15 Device 17 Bump 19 Device region 21 Peripheral surplus region 23 Notch (V-shaped notch)
25 Cutting groove 25 ′ Laser machining groove 27 Circular cutting groove 16 Laser beam irradiation unit 20 Laser beam generating unit 22 Condenser 24 Imaging unit 31 Modified layer 33 Protective tape 42 Grinding device 50 Grinding unit 64 Grinding wheel 78 Chuck table

Claims

交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域に複数のバンプを有するデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すＶ字状切欠きが形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、
該Ｖ字状切欠きを起点に発生したクラックが該デバイス領域に伸長することを防止するウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部を該Ｖ字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するクラック防止部形成ステップと、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該保護部材配設ステップを実施した後、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させる保持ステップと、
該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化する研削ステップと、
を具備し、
該クラック防止部形成ステップでは、該Ｖ字状切欠きと該デバイス領域との間の該Ｖ字状切欠きの頂点に対向する領域にのみ、直線状の該クラック防止部を形成することを特徴とするウエーハの研削方法。 A device region in which a device having a plurality of bumps is formed in each region divided by a plurality of intersecting division lines, and a peripheral surplus region surrounding the device region are provided on the surface, and a wafer crystal is formed on the outer periphery. A wafer grinding method for grinding a back surface of a wafer formed with a V-shaped notch indicating an orientation to reduce the thickness to a predetermined thickness,
The crack prevention part having a depth from the surface of the wafer to the finished thickness of the wafer that prevents the crack generated from the V-shaped notch from extending into the device region is opposed to the apex of the V-shaped notch. A crack preventing portion forming step to be formed in the outer peripheral surplus region of the wafer;
A protective member disposing step of disposing a protective member on the surface of the wafer;
A holding step for holding the wafer on the chuck table via the protection member and exposing the back surface after performing the protection member disposing step;
A grinding step in which the back surface of the wafer held by the chuck table is ground by a grinding means and thinned to the finished thickness;
Equipped with,
In the crack preventing portion forming step, the linear crack preventing portion is formed only in a region facing the vertex of the V-shaped notch between the V-shaped notch and the device region. Wafer grinding method.

前記クラック防止部形成ステップでは、切削ブレードでウエーハの表面から該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する請求項１記載のウエーハの研削方法。 2. The wafer grinding method according to claim 1, wherein in the crack preventing portion forming step, a groove having a depth from the wafer surface to the finished thickness of the wafer is formed by a cutting blade.

前記クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面から該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する請求項１記載のウエーハの研削方法。 2. The wafer grinding according to claim 1, wherein in the crack preventing portion forming step, a groove having a depth extending from the wafer surface to the finished thickness of the wafer is formed by irradiating the wafer with a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer. Method.

前記クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面から該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質層を形成する請求項１記載のウエーハの研削方法。 2. The wafer according to claim 1, wherein, in the crack preventing portion forming step, a modified layer having a depth from the surface of the wafer to a finished thickness of the wafer is formed by irradiating a laser beam having a wavelength having transparency to the wafer. Grinding method.