JP5916168B2 - 中電圧デバイスを使用する高電圧ドライバ - Google Patents
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そのため、NMOSトランジスタの数及びPMOSトランジスタの数は、以下の方程式2でそれぞれ規定される。
Claims (10)
- 第1のソースノードと出力ノードとの間で直列に接続された第1の複数のトランジスタと、
前記第1の複数のトランジスタの少なくとも1つに電圧を供給するように構成された複数の電圧源と、
前記第1の複数のトランジスタのゲートを横断して結合された複数のコンデンサであって、各コンデンサが、前記トランジスタのゲートでの変化と関連する電荷を蓄えるように構成される、複数のコンデンサと、を備える電圧駆動回路であって、
前記複数のコンデンサが、前記第1の複数のトランジスタでの電圧変化を同期させるように選択されたキャパシタンスを有し、
前記電圧駆動回路が、第1の電圧を生成するための第1の定常状態から第2の電圧を生成するための第2の定常状態に推移するように構成され、
前記複数のコンデンサが、前記第1の定常状態から前記第2の定常状態に推移する間に電荷を蓄えるように構成され、
前記第1及び第2の電圧間の差が、前記第1の複数のトランジスタの少なくとも一つの絶縁破壊電圧よりも大きい、電圧駆動回路。 - 前記複数の電圧源のそれぞれが、前記第1の複数のトランジスタの少なくとも1つのゲートでの電圧を切り替えて維持するように構成される、請求項1に記載の電圧駆動回路。
- 第2のソースノードと前記出力ノードとの間に直列の第2の複数のトランジスタをさらに備える、請求項1に記載の電圧駆動回路。
- 直列の前記第1の複数のトランジスタが、複数のPMOSトランジスタを備え、直列の前記第2の複数のトランジスタが、複数のNMOSトランジスタを備え、前記第1及び第2の複数のトランジスタのトランジスタが、前記トランジスタのそれぞれのドレインが前記トランジスタの次の1つのソースと接続されるように配列され、
前記PMOSトランジスタの少なくとも1つのドレイン及び前記NMOSトランジスタの少なくとも1つのドレインが、前記出力ノードに接続される、請求項3に記載の電圧駆動回路。 - 第1の電圧を生成するように構成された電圧駆動回路であって、
第1のソースノードと出力ノードとの間で直列に接続された第1の複数のトランジスタと、
前記第1の複数のトランジスタの少なくとも1つに電圧を供給するように構成された複数の電圧源であり、各電圧源が、前記第1の複数のトランジスタの少なくとも1つのゲートでの電圧を切り替えて維持するように構成される、複数の電圧源と、
前記第1の複数のトランジスタのゲートを横断して結合された複数のコンデンサであり、各コンデンサが、前記トランジスタのゲートでの変化と関連する電荷を蓄えるように構成され、前記複数のコンデンサが、前記第1の複数のトランジスタでの電圧変化を同期させるように選択されたキャパシタンスを有する、複数のコンデンサと、
前記複数のコンデンサの少なくとも1つに接続され、前記接続されたコンデンサが放電するのを抑えるように構成された少なくとも1つの弱いレベルシフタと、を備える、電圧駆動回路と、
前記電圧駆動回路に結合され、前記第1の電圧に対応する第1の論理信号を前記電圧駆動回路に送るように構成された処理システムと、を備える、表示デバイス。 - 前記電圧駆動回路が、前記第1の電圧を生成するための第1の定常状態から第2の電圧を生成するための第2の定常状態に推移するように構成され、
前記複数のコンデンサが、前記第1の定常状態から前記第2の定常状態に推移する間に電荷を蓄えるように構成され、
前記第1及び第2の電圧間の差が、前記第1の複数のトランジスタのそれぞれの個別絶縁破壊電圧よりも大きい、請求項5に記載の表示デバイス。 - 高出力を生成するための方法であって、
第1のソース信号を直列に接続された第1の複数のトランジスタの第1のソースノードに印加するステップと、
前記第1の複数のトランジスタの状態変化を同期させることができる速度で直列に接続された前記第1の複数のトランジスタの隣接トランジスタのゲート間に結合された第1の複数のコンデンサを充電するステップと、を含み、
前記第1の複数のトランジスタの前記状態変化が、第1の電圧を生成する第1の定常状態から第2の電圧を生成する第2の定常状態への変化を有し、
前記複数のコンデンサが、前記第1の定常状態から前記第2の定常状態に推移する間に電荷を蓄えるように構成され、
前記第1及び第2の電圧間の差が、前記第1の複数のトランジスタの少なくとも一つの絶縁破壊電圧よりも大きい、方法。 - 前記第1の複数のトランジスタと共通の出力ノードに直列に接続された第2の複数のトランジスタの第2のソースノードに第2のソース信号を印加するステップと、
前記第2の複数のトランジスタの状態変化を同期させることができる速度で直列に接続された前記第2の複数のトランジスタの隣接トランジスタのゲート間に結合された第2の複数のコンデンサを充電するステップと、をさらに含む、請求項7に記載の方法。 - 前記複数のコンデンサを充電する前記ステップが、直列に接続された前記第1の複数のトランジスタのそれぞれのドレイン及びソースを横断する電圧を6.6VDC未満に制限するステップを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のソース信号を印加する前記ステップが、前記第1の複数のトランジスタの少なくとも1つの絶縁破壊電圧を越える電圧を前記第1のソースノードに印加するステップを含む、請求項7に記載の方法。
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