JP5911959B2 - ウェーハテーブル用支持構造体 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
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Description
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項をそのまま付記しておく。
[1]
リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体(1)であって、
基準面(40;50)を有するベース(20)と、
前記ベース(20)よりも低い熱膨張率を有する材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体(1)に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材(30)と、
前記ベース(20)上に前記インターフェース部材(30)を支持する可撓支持体(21,22,23)とを具備し、前記可撓支持体は、実質的に移動平面内で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を与える、支持構造体において、
前記インターフェース部材(30)は、少なくとも1つの支柱(60,61;66,67)によって前記基準面(40;50)に接続され、
前記少なくとも1つの支柱は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する材料ででき、
前記少なくとも1つの支柱は、前記移動平面に平行な方向に沿って実質的に堅いことを特徴とする支持構造体(1)。
[2]
前記基準面は、好ましくは前記ベースの縁部に配置された、鏡の反射面を有する請求項1の支持構造体。
[3]
前記基準面は、第1の基準面であり、前記少なくとも1つの支柱は、少なくとも1つの第1の支柱を有し、前記ベースは、さらに、前記第1の基準面にほぼ垂直な第2の基準面を有し、前記インターフェース部材は、低熱膨張率の材料でできた少なくとも1つの第2の支柱によって前記第2の基準面に接続されている請求項1又は2の支持構造体。
[4]
前記可撓支持体は、前記移動平面に垂直な方向で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を実質的に制限するように適用される請求項1ないし3のいずれか1の支持構造体。
[5]
前記移動平面は、前記ウェーハテーブルのウェーハ支持平面にほぼ平行であるか、前記基準面にほぼ垂直であるかの少なくとも一方である請求項1ないし4のいずれか1の支持構造体。
[6]
前記少なくとも1つの支柱は、前記支柱の長手方向で少なくとも実質的に堅い請求項1ないし5のいずれか1の支持構造体。
[7]
前記少なくとも1つの支柱は、前記長手方向に少なくともほぼ垂直な方向で可撓性を有する請求項6の支持構造体。
[8]
前記少なくとも1つの支柱は、前記ベースにほぼ平行な平面で曲がるように可撓性を有する請求項6又は7の支持構造体。
[9]
前記少なくとも1つの支柱は、少なくとも前記インターフェース部材から少なくとも前記基準面まで延びている請求項1ないし8のいずれか1の支持構造体。
[10]
前記少なくとも1つの支柱の第1の端部は、前記基準面に固定され、前記第1の端部の反対側の第2の端部は、前記インターフェース部材に固定されている請求項9の支持構造体。
[11]
前記少なくとも1つの支柱は、前記基準面にほぼ垂直に長手方向に延びている請求項1ないし10のいずれか1の支持構造体。
[12]
前記インターフェース部材は、前記ベースから間隔を空けられている請求項1ないし11のいずれか1の支持構造体。
[13]
前記可撓支持体は、前記ベースと前記インターフェース部材との間に配置されている請求項1ないし12のいずれか1の支持構造体。
[14]
前記可撓支持体は、複数の可撓ピンを有し、前記ピンは、一方の側で前記インターフェース部材に接続され、他方の側で前記ベースに接続されている請求項13の支持構造体。
[15]
前記可撓支持体は、少なくとも前記移動平面に垂直な方向で、前記ベースの熱膨張率にほぼ等しい熱膨張率を有する請求項13の支持構造体。
[16]
前記インターフェース部材は、互いに間隔を空けられ、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用される2以上の位置決め部材を有する請求項1ないし15のいずれか1の支持構造体。
[17]
前記位置決め部材は、前記ウェーハテーブルに対するキネマティックマウントを少なくとも実質的に形成している請求項16の支持構造体。
[18]
前記インターフェース部材は、前記2以上の位置決め部材が設けられたモノリシックインターフェースプレートを有する請求項16又は17の支持構造体。
[19]
前記インターフェース部材は、低熱膨張材料で、好ましくはゼロデュア(商標)でできている請求項18の支持構造体。
[20]
前記インターフェース部材は、前記2以上の位置決め部材が固定して堅く接続されるフレームを有する請求項16、17又は19のいずれか1の支持構造体。
[21]
前記フレームは、ほぼ中空のフレームである請求項20の支持構造体。
[22]
前記ベースは、高い熱伝導率を有する材料を実質的に有する請求項1ないし21のいずれか1の支持構造体。
[23]
前記材料は、アルミニウムのような金属である請求項22の支持構造体。
[24]
前記基準面は、前記移動平面に垂直であるか、前記インターフェース部材に面している前記ベースの側に垂直であるかの少なくとも一方である実質的に平坦な表面である請求項1ないし23のいずれか1の支持構造体。
[25]
請求項1ないし24のいずれか1の支持構造体を具備するリソグラフィシステム。
[26]
前記投影システムは、さらに、
1以上のビームを発生させるためのビーム源と、
前記ターゲット上に前記1以上のビームを合焦させるための投影光学系と、
前記支持構造体に配置され、リソグラフィシステムで処理されるターゲットを支持するように適用されるウェーハテーブルと、
前記投影光学系に対する前記支持構造体の移動をさせるためのアクチュエータと、
前記投影光学系に対する前記支持構造体の前記基準面の位置又は移動を決定するように適用される測定システムと、
前記決定された位置又は移動に基づいて前記アクチュエータを制御するための制御装置とを具備する請求項25のリソグラフィシステム。
[27]
好ましくは前記支持構造体が前記投影光学に対して移動されているとき、前記1以上のビームを用いて前記ターゲットをパターニングするように適用される請求項25又は26のリソグラフィシステム。
[28]
リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体であって、
基準面を有するベースと、
低熱膨張材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材とを具備し、
前記インターフェース部材は、少なくとも1つの支柱によって前記基準面に接続され、前記少なくとも1つの支柱は、低熱膨張材料でできている支持構造体。
Claims (27)
- リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体(1)であって、前記リソグラフィシステムにおいて移動可能に適用され、
基準面(40;50)を有するベース(20)と、
前記ベース(20)よりも低い熱膨張率を有する材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体(1)に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材(30)と、
前記ベース(20)上に前記インターフェース部材(30)を支持する可撓支持体(21,22,23)とを具備し、前記可撓支持体は、移動平面内で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を与え、前記基準面は、前記移動平面に垂直である平坦な表面である、支持構造体において、
前記インターフェース部材(30)は、少なくとも1つの支柱(60,61;66,67)によって前記基準面(40;50)に接続され、
前記少なくとも1つの支柱は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する材料ででき、
前記少なくとも1つの支柱は、前記移動平面に平行な方向に沿って堅く、
前記少なくとも1つの支柱は、前記ベースが、熱膨張により、前記インターフェース部材とは異なるようにして変形したとき、前記基準面と前記インターフェース部材との間の距離がほぼ一定のままであることを確実にすることを特徴とする、支持構造体(1)。 - 前記基準面は、前記ベースの縁部に配置された、鏡の反射面を有する請求項1の支持構造体。
- 前記基準面は、第1の基準面であり、前記少なくとも1つの支柱は、少なくとも1つの第1の支柱を有し、前記ベースは、さらに、前記第1の基準面に垂直な第2の基準面を有し、前記インターフェース部材は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する低熱膨張率の材料でできた少なくとも1つの第2の支柱によって前記第2の基準面に接続されている請求項1又は2の支持構造体。
- 前記可撓支持体は、前記移動平面に垂直な方向で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を制限するように適用される請求項1ないし3のいずれか1の支持構造体。
- 前記移動平面は、前記ウェーハテーブルのウェーハ支持平面に平行であるか、前記基準面に垂直であるかの少なくとも一方である請求項1ないし4のいずれか1の支持構造体。
- 前記少なくとも1つの支柱は、前記支柱の長手方向で堅い請求項1ないし5のいずれか1の支持構造体。
- 前記少なくとも1つの支柱は、前記長手方向に垂直な方向で可撓性を有する請求項6の支持構造体。
- 前記少なくとも1つの支柱は、前記ベースに少なくとも平行な平面で曲がるように可撓性を有する請求項6又は7の支持構造体。
- 前記少なくとも1つの支柱は、少なくとも前記インターフェース部材から少なくとも前記基準面まで延びている請求項1ないし8のいずれか1の支持構造体。
- 前記少なくとも1つの支柱の第1の端部は、前記基準面に固定され、前記第1の端部の反対側の第2の端部は、前記インターフェース部材に固定されている請求項9の支持構造体。
- 前記少なくとも1つの支柱は、前記基準面に垂直に長手方向に延びている請求項1ないし10のいずれか1の支持構造体。
- 前記インターフェース部材は、前記ベースから間隔を空けられている請求項1ないし11のいずれか1の支持構造体。
- 前記可撓支持体は、前記ベースと前記インターフェース部材との間に配置されている請求項1ないし12のいずれか1の支持構造体。
- 前記可撓支持体は、複数の可撓ピンを有し、前記ピンは、一方の側で前記インターフェース部材に接続され、他方の側で前記ベースに接続されている請求項13の支持構造体。
- 前記可撓支持体は、少なくとも前記移動平面に垂直な方向で、前記ベースの熱膨張率に等しい熱膨張率を有する請求項13の支持構造体。
- 前記インターフェース部材は、互いに間隔を空けられ、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用される2以上の位置決め部材を有する請求項1ないし15のいずれか1の支持構造体。
- 前記位置決め部材は、前記ウェーハテーブルに対するキネマティックマウントを少なくとも形成している請求項16の支持構造体。
- 前記インターフェース部材は、前記2以上の位置決め部材が設けられたモノリシックインターフェースプレートを有する請求項16又は17の支持構造体。
- 前記インターフェース部材は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する低熱膨張材料で、できている請求項18の支持構造体。
- 前記インターフェース部材は、前記2以上の位置決め部材が固定して堅く接続されるフレームを有する請求項16、17又は19のいずれか1の支持構造体。
- 前記フレームは、中空のフレームである請求項20の支持構造体。
- 前記ベースは、前記インターフェース部材の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料を有する請求項1ないし21のいずれか1の支持構造体。
- 前記材料は、金属である請求項22の支持構造体。
- 前記基準面は、前記インターフェース部材に面している前記ベースの側に垂直である平坦な表面である請求項1ないし23のいずれか1の支持構造体。
- 請求項1ないし24のいずれか1の支持構造体を具備するリソグラフィシステム。
- さらに、1以上のビームを発生させるためのビーム源と、
前記ターゲット上に前記1以上のビームを合焦させるための投影光学系と、
前記支持構造体に配置され、リソグラフィシステムで処理されるターゲットを支持するように適用されるウェーハテーブルと、
前記投影光学系に対する前記支持構造体の移動をさせるためのアクチュエータと、
前記投影光学系に対する前記支持構造体の前記基準面の位置又は移動を決定するように適用される測定システムと、
前記決定された位置又は移動に基づいて前記アクチュエータを制御するための制御装置とを具備する、請求項25のリソグラフィシステム。 - 前記支持構造体が前記投影光学に対して移動されているとき、前記1以上のビームを用いて前記ターゲットをパターニングするように適用される請求項25又は26のリソグラフィシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161532584P | 2011-09-09 | 2011-09-09 | |
US61/532,584 | 2011-09-09 | ||
PCT/NL2012/050617 WO2013036116A1 (en) | 2011-09-09 | 2012-09-06 | Support structure for wafer table |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014526796A JP2014526796A (ja) | 2014-10-06 |
JP2014526796A5 JP2014526796A5 (ja) | 2015-10-29 |
JP5911959B2 true JP5911959B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=47023051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014529632A Expired - Fee Related JP5911959B2 (ja) | 2011-09-09 | 2012-09-06 | ウェーハテーブル用支持構造体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9146480B2 (ja) |
EP (1) | EP2753980B1 (ja) |
JP (1) | JP5911959B2 (ja) |
TW (1) | TWI553772B (ja) |
WO (1) | WO2013036116A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4758091A (en) | 1986-11-20 | 1988-07-19 | Ateo Corporation | Pattern generator part holder |
US6842226B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Flexure supported wafer table |
TWI230844B (en) * | 2002-06-07 | 2005-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862639B2 (ja) | 2002-08-30 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7239369B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004241670A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Nikon Corp | 組立構造体、ステージ装置および露光装置 |
US7012264B2 (en) * | 2004-06-04 | 2006-03-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2027966B1 (en) | 2007-08-20 | 2010-04-21 | Soonhan Engineering Corp. | Sample traveling stage with flexure mechanism module to absorb the deformation of the slide |
DE102008018220A1 (de) | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Robert Seuffer Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Eigenschaft eines dielektrischen Mediums |
NL1036735A1 (nl) * | 2008-04-10 | 2009-10-13 | Asml Holding Nv | Shear-layer chuck for lithographic apparatus. |
US8797509B2 (en) * | 2008-05-29 | 2014-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
-
2012
- 2012-09-06 JP JP2014529632A patent/JP5911959B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-06 WO PCT/NL2012/050617 patent/WO2013036116A1/en active Application Filing
- 2012-09-06 EP EP12773130.5A patent/EP2753980B1/en active Active
- 2012-09-07 US US13/607,469 patent/US9146480B2/en active Active
- 2012-09-07 TW TW101132695A patent/TWI553772B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2753980A1 (en) | 2014-07-16 |
US9146480B2 (en) | 2015-09-29 |
EP2753980B1 (en) | 2019-11-20 |
TWI553772B (zh) | 2016-10-11 |
JP2014526796A (ja) | 2014-10-06 |
TW201320234A (zh) | 2013-05-16 |
WO2013036116A1 (en) | 2013-03-14 |
US20130063712A1 (en) | 2013-03-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150901 |
|
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|
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|
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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