JP5895217B2 - 電流検出用コイル - Google Patents

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Description

本発明は、分電盤などにおいて電流検出センサとして用いられる電流検出コイル、特に
ロゴスキーコイルに関する。
ロゴスキーコイルは、分電盤などにおいて電流検出センサとして用いられているが、L
ED電球をはじめとして電気機器の省エネ化が進んでおり、より少ない電流を検出できる
ように、高感度化が求められている。ところで、ロゴスキーコイルはコアレスであるため
、磁気飽和せず、磁気損失による発熱やヒステリシス誤差がないといったメリットを有す
る反面、出力電圧が低く、外部磁界の影響によりS/Nが低下するというデメリットを有
している。
外部磁界による影響について、図11を参照しつつ説明する。図11において、(a)
は参考として磁性体によるトロイダルコアの周囲にトロイダルコイルを巻回した一般的な
CT(変流器)の構成を示し、(b)はコアレスのロゴスキーコイルの構成を示す。また
、(c)は紙面に垂直な方向の外部磁界に対して一般的なCTが囲む面積を示し、(d)
は紙面に垂直な方向の外部磁界に対してロゴスキーコイルが囲む面積を示す。
図11(a)に示すように、一般的なCTは、トロイダルコアの周囲に導体を螺旋状に
巻き進め、トロイダル方向に一周して巻き終わるため、そのトロイダル方向に垂直な方向
(すなわち、紙面に垂直な方向)の磁界に対しては、1ターンのコイルと等価である。そ
のため、図11(c)に示すように、トロイダル方向に垂直な方向の外部磁界に対しては
、トロイダルコイルのトロイダル方向に垂直な断面がそのまま外部磁界の影響を受ける領
域(左斜めハッチング)となる。ところが、一般的なCTは磁性体のコアを有しているの
で、トロイダルコアの内部を通る被測定磁界による出力Sが外部磁界によるノイズNより
も遙かに大きいため、外部磁界による影響はあまり問題にはならない。ところが、ロゴス
キーコイルはコアレスであるので、被測定磁界による出力Sが小さく、外部磁界による影
響を受けやすく、S/Nの低下が問題となる。そこで、図11(b)に示すように、導体
を螺旋状に巻き進め、トロイダル方向に一周したあと、トロイダルコイルの中心部を逆方
向に1ターン分巻き戻している。そのため、図11(d)に示すように、トロイダル方向
に垂直な方向の外部磁界に対しては、巻き進み方向におけるトロイダルコイルのトロイダ
ル方向に垂直な断面が巻き戻し方向における1ターン分の巻き戻しコイルの断面によって
相殺され、外部磁界の影響を受ける領域(右斜めハッチング)の面積が小さくなっている
ロゴスキーコイルのS/Nを高くする手法として、トロイダルコイルの巻数を多くする
ことが考えられる。ところが、例えば特許文献1に記載されたような回路基板の両面の導
電パターンとスルーホール(ビアホール)でコイルを構成するタイプのロゴスキーコイル
では、加工可能なスルーホールの直径やランドの外径などの制約により、コイルの巻数が
制限される。そこで、特許文献1に記載されたロゴスキーコイルでは、外部磁界の影響を
キャンセルするように、回路基板表面に形成される導電パターンにさらに工夫が施されて
いる。
図12は特許文献1に記載された従来のロゴスキーコイル201を示し、図13は回路
基板の積層方向に透視した導電パターン及びスルーホールを示す。なお、図12において
は、引き出し線の交差を避けるために、巻き進みコイルと巻き戻しコイルの符号を離れた
位置に記載している。
このロゴスキーコイル201では、トロイダルコイルを巻き進み方向と巻き戻し方向に
連続して二重形成し、回路基板202に垂直な方向(被測定電流の流れる方向)から見て
、巻き進みコイルの1ターン分の領域S1の面積と巻き戻しコイルの1ターン分の領域S
2の面積がほぼ等しくなるように導電パターンを形成している。その結果、巻き進みコイ
ルが外部磁界から受ける影響を巻き戻しコイルが外部磁界から受ける影響で相殺し、ノイ
ズ成分をより少なくしてS/Nをさらに高くしている。
より具体的には、環状の回路基板202には、被測定電流が流れる導体を貫通させる円
形の開口203に沿って、同一円周上に一定間隔で内周側のスルーホール211・・・及
び231・・・が形成されている。また、回路基板202の外周部には、2つの同心円周
上に所定のパターンで外周側のスルーホール221・・・及び241・・・が形成されて
いる。回路基板202の表面において、巻き進みコイルを構成するスルーホール211か
らは、外周部に向かって放射状に延び、外周部近傍で右ドッグレッグした導電パターン2
51が形成されている。導電パターン251の右ドッグレッグした先にはスルーホール2
21が形成されている。回路基板202の裏面において、スルーホール211の2つ右隣
のスルーホール212からは、外周部に向かって放射状に延び、外周部近傍で左ドッグレ
ッグ(裏側から見れば右ドッグレッグ)した導電パターン252が形成され、さらに上記
スルーホール221に接続されている。このように、表面の導電パターン251、スルー
ホール221、裏面の導電パターン252及びスルーホール212で巻き進みコイルの1
ターンが形成される。このような導電パターン及びスルーホールが環状の回路基板202
上にトロイダル方向に一周するように形成されており、巻き進みコイルを形成している。
回路基板202の表面において、巻き戻しコイルを構成するスルーホール231からは
、外周部に向かって単純に放射状に延びた導電パターン261が形成され、導電パターン
261の先にはスルーホール241が形成されている。このスルーホール241は、回路
基202の外周部の2つの同心円のうち内側の同心円周上に形成されている。回路基板2
02の裏面において、スルーホール241からは、回路基板202の外周部の2つの同心
円のうち外側の同心円に向かって左ドッグレッグ(裏側から見れば右ドッグレッグ)した
短い導電パターン262が形成され、外側の同心円周上に形成されたスルーホール242
に接続されている。回路基板202の表面において、スルーホール242からは、回路基
板202の外周部の2つの同心円のうち内側の同心円に向かって左ドッグレッグした短い
導電パターン263が形成され、外側の同心円周上に形成されたスルーホール243に接
続されている。回路基板202の裏面において、スルーホール243からは、内周部に向
かって単純に放射状に延びた導電パターン264が形成され、スルーホール232に接続
されている。このように、表面の導電パターン261、スルーホール241、裏面の導電
パターン262、スルーホール242、表面の導電パターン263、スルーホール243
、裏面の導電パターン264及びスルーホール232で巻き戻しコイルの1ターンが形成
される。このような導電パターン及びスルーホールが環状の回路基板202上にトロイダ
ル方向に一周するように形成されており、巻き戻しコイルを形成している。
図12及び図13から明らかなように、この回路基板202は導電パターンが形成され
る導電層が2層しかなく、表面の導電パターンが形成されている部分の裏面には導電パタ
ーンが形成されておらず、その逆も同様である。そのため、導電パターンの本数を多くす
ることはできず、結果的にトロイダルコイルの巻数を多くするには限界がある。また、巻
き戻しコイルの導電パターンが巻き進みコイルの導電パターンを乗り越えるために、3つ
のスルーホールを必要とするため、環状の回路基板202の外周部のスルーホール数が多
くなり、歩留まりを低下させる原因となっている。
さらに、図13に示すように、巻き戻しコイルに関して、巻き進みコイルの導電パター
ンを乗り越える部分のコイルの巻き方向が本来の被測定磁界に対して逆巻きになっている
。具体的には、矢印Xで示す被測定磁界に対して、導電パターン264、スルーホール2
31、導電パターン261及びスルーホール241で形成されるコイルの1ターンと、ス
ルーホール241、導電パターン262、スルーホール241、導電パターン263及び
スルーホール243で形成されるコイルの1ターンの巻き方向が逆になっている。そのた
め、この逆巻き部分の断面積は、信号である巻き戻しコイルに流れる電流を打ち消す方向
に作用するため、S/N低下の原因の1つとなっている。
特開2007−155427号公報
本発明は、上記従来例の問題を解決するためになされたものであり、巻き進みコイルが
外部磁界から受ける影響を巻き戻しコイルが外部磁界から受ける影響で相殺しつつ、従来
と同じサイズの回路基板を用いてトロイダルコイルの巻き数の増加を可能とし、さらに高
出力で高感度なコイル設計や、スルーホールの数を減少させて歩留まりの向上を可能にす
る電流測定用コイルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る電流測定用コイルは、中央部に被測定電流が流れる導体を貫通させる開口を有し、複数の導電層と複数の絶縁層を積層して形成された回路基板に、前記開口を取り囲むようにトロイダルコイルが形成された電流測定用コイルであって、
前記回路基板の積層方向に平行な磁界に対して巻き方向が互いに逆になる巻き進みコイルと巻き戻しコイルを有し、
前記回路基板の前記開口に沿って、直径の異なる2つの同心円周上に所定間隔で1つおきに内周側のスルーホールが形成され、前記開口から遠い外周側には、単一の円周上に所定間隔で外周側のスルーホールが形成されており、前記各スルーホールは、前記複数の導電層及び前記複数の絶縁層を貫通するように形成されており、
前記複数の導電層には、前記外周側のスルーホールのいずれかと前記開口に沿った前記内周側のスルーホールのいずれかに接続されたクランク状の導電パターンが形成されており、
記巻き進みコイルと前記巻き戻しコイルをそれぞれ形成する導電パターンが、前記回路基板の積層方向から透視して、重なり合っていることを特徴とする。
前記クランク状の導電パターンは、それぞれ円周方向の部分と、該円周方向の部分よりも外側の放射状部分と、該円周方向の部分よりも内側の放射状部分で構成されていることが好ましい。
前記複数の導電層のうちの第1の導電層の前記クランク状の導電パターンの円周方向の部分と、前記複数の導電層のうちの第2の導電層の導電パターンの円周方向の部分とが正面視で互いに重なっており、
前記複数の導電層のうちの第1の導電層の前記クランク状の導電パターンの外側の放射状部分と、前記複数の導電層のうちの第3の導電層の前記クランク状の導電パターンの外側の放射状部分とが正面視で互いに重なっており、
前記第1の導電層の前記クランク状の導電パターンの内側の放射状部分と、前記複数の導電層のうちの第4の導電層の前記クランク状の導電パターンの内側の放射状部分とが正面視で互いに重なっていることが好ましい。
本発明に係る他の電流測定用コイルは、中央部に被測定電流が流れる導体を貫通させる開口を有し、複数の導電層と複数の絶縁層を積層して形成された回路基板に、前記開口を取り囲むようにトロイダルコイルが形成された電流測定用コイルであって、
前記トロイダルコイルは、前記回路基板を形成する2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンと該2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンを電気的に接続するスルーホールで形成された巻き進みコイルであり、
記回路基板を形成する他の1つの導電層に形成され、前記開口の周囲を略一周するように形成された平面コイルである巻き戻しコイルが形成され、
前記回路基板の前記開口に沿って、直径の異なる2つの同心円周上に所定間隔で1つおきに内周側のスルーホールが形成され、前記開口から遠い外周側には、単一の円周上に所定間隔で外周側のスルーホールが形成されており、前記各スルーホールは、前記複数の導電層及び前記複数の絶縁層を貫通するように形成されており、
前記2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンのうち1つの導電層に形成された巻き進み導電パターンは、前記外周側のスルーホールのいずれかと前記開口に沿った前記内周側のスルーホールのいずれかに接続されたクランク状であり、
前記2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンのうち他の導電層に形成された巻き進み導電パターンは、前記外周側のスルーホールのいずれかと前記開口に沿った前記内周側のスルーホールのいずれかに接続された放射状であり、
前記巻き戻しコイルは、前記回路基板を形成する他の1つの導電層に、前記内周側のスルーホールを取り囲むように形成された環状の導電パターンであり、
前記巻き進みコイルの前記クランク状の部分の導電パターンと前記巻き戻しコイルの前記環状の導電パターンが、前記回路基板の積層方向から透視して、重なり合っていることを特徴とする。
前記巻き進み導電パターンのうち、前記クランク状に形成された部分は、円周方向に対して所定の角度をなすように、斜めに形成されており、
前記巻き戻しコイルの前記環状の導電パターンは、鋸歯状に形成されていることが好ましい。
本発明によれば、巻き進みコイルと巻き戻しコイルには、それぞれ開口を取り囲み、大
小の直径からなる2つの周上に、所定間隔で1つおきにスルーホールが形成されているの
で、導電パターンを密にして、高出力で高感度なコイル設計が可能となる。また、巻き進
みコイルと巻き戻しコイルの巻き方向が互いに逆であって、巻き進みコイルと巻き戻しコ
イルをそれぞれ形成する導電パターンが、回路基板の積層方向に平行な方向から透視して
、重なり合っているので、回路基板の積層方向に垂直な磁界に対しては、互いに重なり合
っている部分に逆向きの電流が流れ、それによって外部磁界から受ける影響を相殺できる
ので、回路基板の積層方向に垂直な磁界によるS/Nの低下を防止することができる。さ
らに、巻き進みコイルと巻き戻しコイルをそれぞれ形成する導電パターンが、回路基板の
積層方向に平行な方向から透視して、重なり合っているので、表面の導電パターンが形成
されている部分の裏面には導電パターンが形成されていない(その逆も同様)従来例と比
較して、同じサイズの回路基板を用いてトロイダルコイルの巻き数の増加させることがで
きる。さらに、巻き進みコイルの導電パターンと巻き戻しコイルの導電パターンが、互い
に異なる導電層に形成されているため、巻き進みコイルの導電パターンと巻き戻しコイル
の導電パターンを乗り越えるために余分なスルーホールを必要とせず、回路基板の全スル
ーホール数は増加せず、歩留まりの低下を防止することが可能である。
本発明の第1実施形態に係るロゴスキーコイルが形成された回路基板を示す正面図。 第1実施形態における回路基板の第1導電層に形成された第1導電パターンを示す正面図。 第1実施形態における回路基板の第2導電層に形成された第2導電パターンを示す正面図。 第1実施形態における回路基板の第3導電層に形成された第3導電パターンを示す正面図。 第1実施形態における回路基板の第4導電層に形成された第4導電パターンを示す正面図。 第1実施形態における巻き進みコイル及び巻き戻しコイルを形成する導電パターンが、互いに逆方向に電流が流れるように重なり合っていることを説明するための斜視図。 第2実施形態における回路基板の第1導電層に形成された第1導電パターンを示す正面図。 第2実施形態における回路基板の第2導電層に形成された第2導電パターンを示す正面図。 第2実施形態における回路基板の第3導電層に形成された第3導電パターンを示す正面図。 第2施形態における回路基板の第4導電層に形成された第4導電パターンを示す正面図。 一般的なCTとロゴスキーコイルの外部磁界による影響の比較説明図。 従来のロゴスキーコイルを示す平面図。 従来のロゴスキーコイルの導電パターン及びスルーホールの構成を示す斜視図。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係るロゴスキーコイル型の電流測定用コイルについて説明する
。図1に、第1実施形態に係るロゴスキーコイル1が形成された回路基板を示す。なお、
図1では、分かりやすくするため、第1導電層(実線)と第2導電層(破線)の導電パタ
ーンのみを示す。また、図2〜5はそれぞれ第1〜第4導電層の導電パターンを示す。
第1実施形態に係るロゴスキーコイル1は、4つの導電層と3つの絶縁層を交互に積層
して形成された回路基板2に形成されており、図1に示すように、回路基板2の中央部に
、被測定電流が流れる導体を貫通させるための円形の開口3が形成されている。また、円
形の開口3に沿って、2つの同心円C1及びC2の周上に所定間隔で1つおきに内周側の
スルーホール61・・・及び81・・・が形成されている。また、回路基板2の外周部に
は、単一の円周C3の周上に所定間隔で外周側のスルーホール51・・・及び71・・・
が形成されている。なお、各スルーホールは、4つの導電層及び3つの絶縁層を貫通する
ように形成されている。
第1実施形態では、巻き進みコイル及び巻き戻しコイルは、それぞれトロイダルコイル
として形成されている。巻き進みコイルは、主に第2導電層の第2導電パターン20と、
第4導電層の第4導電パターン40と、外周側スルーホール51・・・と、内周側スルー
ホールのうち直径の小さな同心円周上に形成されたスルーホール61・・・などで構成さ
れる。また、巻き戻しコイルは、主に第1導電層の第1導電パターン10と、第3導電層
の第3導電パターン30と、外周側スルーホール71・・・と、内周側スルーホールのう
ち直径の大きな同心円周上に形成されたスルーホール81・・・などで構成される。
信号を取り出すための第1引き出し線部4は、図2に示す巻き進みコイルの始点部であ
る第1導電層のスルーホール51に接続されている。スルーホール51は、図5に示す第
4導電パターン40に接続され、第4導電パターン40のクランク状に形成された導電パ
ターン41によってスルーホール61に接続される。スルーホール61は、図3に示す第
2導電パターン20に接続され、第2導電パターン20のクランク状に形成された導電パ
ターン21によってスルーホール52に接続される。スルーホール52は、図5に示す導
電パターン42によってスルーホール62に接続される。以下、このようなループを開口
3の周囲に時計回りに一周して、巻き進みコイルが形成される。巻き進みコイルの最後の
スルーホール6xは、図2に示す第1導電パターンの直線状の導電パターン1xに接続さ
れ、導電パターン1xはスルーホール71に接続されている。
スルーホール71は、図4に示す第3導電パターン30のクランク状に形成された導電
パターン31によってスルーホール81に接続される。スルーホール81は、図1に示す
第1導電パターン10に接続され、第1導電パターン10のクランク状に形成された導電
パターン11によってスルーホール72に接続される。スルーホール72は、図4に示す
導電パターン32によってスルーホール82に接続される。以下、このようなループを開
口3の周囲に反時計回りに一周して、巻き戻しコイルが形成される。巻き戻しコイルの最
後のスルーホール8xは、図3に示す第2導電パターンの直線状の導電パターン2xに接
続され、巻き戻しコイルの終点部である導電パターン2xは信号を取り出すための第2引
き出し線部5に接続されている。
図2と図3を比較して分かるように、第1引き出し線部4と第2引き出し線部5は、そ
れぞれ第1導電層と第2導電層に形成されており、スルーホール6を介して第1導電層の
導電パターンと第2導電層の導電パターンが電気的に接続されている。第1引き出し線部
4を構成する導電パターンと第2引き出し線部5を構成する導電パターンは、互いに電流
が逆向きに流れるように、部分的に重なり合い、回路基板2の積層方向から透視して(以
下、正面視と略称する)X状となるような交差パターンに形成されている。
図2に示す第1導電パターン10の各クランク状の導電パターン11・・・の外側の放
射状部分11aと図4に示す第3導電パターン30の各クランク状の導電パターン31・
・・の外側の放射状部分31aは、正面視で互いに重なっている。また、図3に示す第2
導電パターン20の各クランク状の導電パターン21・・・の外側の放射状部分21aと
図5に示す第4導電パターン40の各クランク状の導電パターン41・・・の外側の放射
状部分41aは、正面視で互いに重なっている。一方、第1導電パターン10及び第3導
電パターン30の放射状部分11a及び31aと第2導電パターン20及び第4導電パタ
ーン40の放射状部分21a及び41aは、正面視で互いに重なっておらず、互に隣接し
ている。
また、図2に示す第1導電パターン10の各クランク状の導電パターン11・・・の円
周方向の部分11bと図3に示す第2導電パターン20の各クランク状の導電パターン2
1・・・の円周方向の部分21bは、正面視で互いに重なっている。同様に、図4に示す
第3導電パターン30の各クランク状の導電パターン31・・・の円周方向の部分31b
と図5に示す第4導電パターン40の各クランク状の導電パターン41・・・の円周方向
の部分41bは、正面視で互いに重なっている。さらに、図2に示す第1導電パターン1
0の各クランク状の導電パターン11・・・の内側の放射状部分11cと図4に示す第3
導電パターン30の各クランク状の導電パターン31・・・の1つ隣の内側の放射状部分
31cは、正面視で互いに重なっている。同様に、図3に示す第2導電パターン20の各
クランク状の導電パターン21・・・の内側の放射状部分21cと図5に示す第4導電パ
ターン40の各クランク状の導電パターン41・・・の1つ隣の内側の放射状部分41c
は、正面視で互いに重なっている。
このように、回路基板2は導電パターンが形成される導電層を4層有しており、巻き進
みコイルと巻き戻しコイルをそれぞれ形成する導電パターンが、回路基板2の積層方向か
ら透視して、重なり合っている、そのため、図12に示す従来例に比べて、ロゴスキーコ
イル1の全ターン数を多くすることができ、出力信号の電圧が高くなり、S/Nを高くす
ることができる。また、巻き進みコイルの導電パターンと巻き戻しコイルの導電パターン
が、互いに異なる導電層に形成されているため、巻き進みコイルの導電パターンと巻き戻
しコイルの導電パターンを乗り越えるために余分なスルーホールを必要とせず、回路基板
2の全スルーホール数は増加せず、歩留まりの低下を防止することが可能である。さらに
、回路基板2の積層方向に平行な磁界に対して巻き進みコイルで囲まれた面積と巻き戻し
コイルで囲まれた面積がほぼ等しいので、外部磁界から受ける影響で相殺し、ノイズ成分
をより少なくしてS/Nをさらに高くすることができる。
一方、回路基板2の積層方向に直交する外部磁界に対しては、トロイダルコイルのポロ
イダル方向の1ターンで囲まれた面積が影響を受けることになる。ところが、このロゴス
キーコイル1は、導電層と絶縁層が積層された回路基板2に形成されており、前述のよう
に、巻き進みコイルを形成する導電パターン同士、巻き戻しコイルを形成する導電パター
ンの同士又は巻き進みコイルを形成する導電パターンと巻き戻しコイルを形成する導電パ
ターンが、互いに逆方向に電流が流れるように重なり合っている。より具体的には、図6
に示すように、スルーホール71を介して接続された導電パターン11の放射状部分11
aと導電パターン31の放射状部分31aは正面視で互いに重なっており、矢印A方向の
外部磁界の影響を受けたとしても、導電パターン11の放射状部分11aに流れる電流と
導電パターン31の放射状部分31aに流れる電流の向きが逆向きになり、互いに打ち消
し合う。スルーホール52を介して接続された導電パターン21の放射状部分21aと導
電パターン41の放射状部分41aについても同様である。
前述のように、巻き進みコイルと巻き戻しコイル互いにつながっており、且つコイルの
巻き方向が逆である。従って、矢印B方向の外部磁界の影響を受けた場合、導電パターン
11の円周方向の部分11bと導電パターン21の円周方向の部分21bが正面視で互い
に重なっているので、導電パターン11の円周方向の部分11bと導電パターン21の円
周方向の部分21bに流れる電流の向きが逆向きになり、互いに打ち消し合う。導電パタ
ーン31の円周方向の部分31bと導電パターン41・・・の円周方向の部分41bに付
いても同様である。さらに、導電パターン11の内側の放射状部分11cと導電パターン
31の1つ隣の内側の放射状部分31c、導電パターン21の内側の放射状部分21cと
導電パターン41の1つ隣の内側の放射状部分41cについても同様である。
このように、巻き進みコイルと巻き戻しコイルには、それぞれ開口3を取り囲み、大小
の直径からなる2つの周上C1,C2に、所定間隔で1つおきにスルーホール61,81
が形成されているので、導電パターン(コイルパターン)を密にして、高出力で高感度な
コイル設計が可能となる。また、回路基板2の積層方向に直交する外部磁界に対して、1
つの導電層に形成された導電パターンに流れる電流を、それに隣接する導電層に形成され
た導電パターンに流れる電流で相殺するように形成されているので、ノイズ成分をより少
なくしてS/Nをさらに高くすることができる。特に、被測定電流以外の電流などによっ
て発生される外部磁界は、その電流に近いほど影響が大きいので、より近くの導電層に形
成された導電パターンに流れる電流同士で相殺させることが好ましい。
第1引き出し線部4と第2引き出し線部5についても、第1引き出し線部4を構成する
導電パターンと第2引き出し線部5を構成する導電パターンは、互いに電流が逆向きに流
れるように、部分的に重なり合い、また正面視でX状となるような交差パターンに形成さ
れている。そのため、外部磁界の影響に対しても、第1引き出し線部4に流れる電流と第
2引き出し線部5に流れる電流が互いに相殺し合うので、第1引き出し線部4と第2引き
出し線部5によるS/Nの低下を防止することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係るロゴスキーコイルについて説明する。第2実施形態
に係るロゴスキーコイル1も、4つの導電層と3つの絶縁層を交互に積層して形成された
回路基板2に形成されており、図1に示す第1実施形態の場合と同様に、回路基板2の中
央部に、被測定電流が流れる導体を貫通させるための円形の開口が形成されている(図示
せず)。図7〜10はそれぞれ第2実施形態における回路基板2の第1〜第4導電層の導
電パターンを示す。また、円形の開口に沿って、2つの同心円C1及びC2の周上に一定
間隔で1つおきに内周側のスルーホール161・・・が形成されている。また、回路基板
2の外周部には、単一の円周C3の周上に所定間隔で外周側のスルーホール151・・・
が形成されているのも同様である。さらに、各スルーホールは、4つの導電層及び3つの
絶縁層を貫通するように形成されている。
第2実施形態では、巻き進みコイルは、回路基板2を形成する第1導電層と第4導電層
に形成された巻き進み導電パターンとこれら2つの導電層に形成された巻き進み導電パタ
ーンを電気的に接続するスルーホールで形成されたトロイダルコイルであり、巻き戻しコ
イルは、回路基板2を形成する第2導電層に形成され、開口の周囲を略一周するように形
成された平面コイルである。図9に示すように、第3導電層の第3導電パターン130に
は、信号を取り出すための第1引き出し線部4及び第2引き出し線部5を構成する導電パ
ターンのみが形成されている。また、第4導電層の第4導電パターン140にも、第1引
き出し線部4及び第2引き出し線部5を構成する他の部分の導電パターンが形成されてい
る。
図9と図10を比較して分かるように、第1引き出し線部4と第2引き出し線部5は、
スルーホール6を介して第3導電層の第3導電パターン130と第4導電層の第4導電パ
ターン140に電気的に接続されている。第1実施形態と同様に、第1引き出し線部4を
構成する導電パターンと第2引き出し線部5を構成する導電パターンは、互いに電流が逆
向きに流れるように、部分的に重なり合い、また正面視でX状となるような交差パターン
に形成されている。
図7に示すように、第1導電パターン110において、スルーホール15xと16xを
除いて、外周部のスルーホール151・・・と内周部のスルーホール161・・・の間に
は、内周部の放射状部分の長さを除いてほぼ同じ形状のクランク状の導電パターン111
・・・が接続されている。図9に示すように、第1引き出し線部4は第3導電層のスルー
ホール151に接続されており、スルーホール151は、図7に示す第1導電パターン1
10に接続され、第1導電パターン110の導電パターン111によってスルーホール1
61に接続される。スルーホール161は、図10に示す第4導電パターン140に接続
され、第4導電パターン140の放射状に形成された導電パターン141によってスルー
ホール152に接続される。スルーホール152は、図7に示す導電パターン112によ
ってスルーホール162に接続される。以下、このようなループを開口の周囲に時計回り
に一周して、巻き進みコイルが形成される。
巻き進みコイルの最後のスルーホール15xは、図8に示す第2導電パターン120の
放射方向に直線状の導電パターン121に接続されている。導電パターン121は内側の
スルーホール161・・・を取り囲むように、反時計方向に略一周する環状の導電パター
ン122に接続されている。環状の導電パターン122の最後は、スルーホール16xに
接続され、図10に示すように、第4導電パターン140の直線状の導電パターン14x
に接続され、導電パターン14xは信号を取り出すための第2引き出し線部5に接続され
ている。
なお、第2実施形態では、第1導電パターン110では、導電パターン111・・・の
ピッチを小さくするために、クランク状部分の形状を円周方向ではなく、円周方向に対し
て所定の角度を成すように、斜めに形成している。第2実施形態においても、巻き進みコ
イルと巻き戻しコイルをそれぞれ形成する導電パターンが、回路基板の積層方向に平行な
方向から透視して、重なり合っているという条件を満たすために、第2導電パターン12
0の環状の導電パターン122が、鋸歯状に形成されている。それによって、上記第1実
施形態の場合と同様の効果が得られる。
第2実施形態の構成によれば、トロイダルコイルが第1導電層の第1導電パターン11
0と第4導電層の第4導電パターン140、及びこれらを電気的に接続するスルーホール
151・・・及び161・・・で形成されている。そのため、本来の被測定電流を検出す
るためのトロイダルコイルのポロイダル方向の断面積が大きくなり、出力電圧を高くする
ことができる。
なお、本発明は、上記実施形態の説明に限定されるものではなく、様々な変形が可能で
ある。例えば、3つの絶縁層のうち、中央の絶縁層の厚みを他の2つの絶縁層の厚みより
も厚くしてもよい。それによって、トロイダルコイルのポロイダル方向の断面積を大きく
することができ、出力電圧をさらに高くすることができ、S/Nをさらに改善することが
可能となる。また、ビルトアップ基板を用いて、1つの回路基板に複数のロゴスキーコイ
ルを重ねて形成することも可能である。それによって、出力電圧をさらに高くすることが
でき、S/Nをさらに改善することが可能となる。
1 ロゴスキーコイル
2 回路基板
3 開口
4 第1引き出し線部
5 第2引き出し線部
6 スルーホール
10 (第1実施形態の)第1導電パターン
11、21、31、41、1x、2x、3x 導電パターン
11a、21a、31a、41a (導電パターンの)放射状部分
11b、21b、31b、41b (導電パターンの)円周方向の部分
11c、21c、31c、41c (導電パターンの)放射状部分
20 (第1実施形態の)第2導電パターン
30 (第1実施形態の)第3導電パターン
40 (第1実施形態の)第4導電パターン
51、52、53、61、62、71、81、82、6x、8x スルーホール
110 (第2実施形態の)第1導電パターン
120 (第2実施形態の)第2導電パターン
130 (第2実施形態の)第3導電パターン
140 (第2実施形態の)第4導電パターン
111、112、121、122 導電パターン
151、152、161、162、15x、16x スルーホール

Claims (5)

  1. 中央部に被測定電流が流れる導体を貫通させる開口を有し、複数の導電層と複数の絶縁層を積層して形成された回路基板に、前記開口を取り囲むようにトロイダルコイルが形成された電流測定用コイルであって、
    前記回路基板の積層方向に平行な磁界に対して巻き方向が互いに逆になる巻き進みコイルと巻き戻しコイルを有し、
    前記回路基板の前記開口に沿って、直径の異なる2つの同心円周上に所定間隔で1つおきに内周側のスルーホールが形成され、前記開口から遠い外周側には、単一の円周上に所定間隔で外周側のスルーホールが形成されており、前記各スルーホールは、前記複数の導電層及び前記複数の絶縁層を貫通するように形成されており、
    前記複数の導電層には、前記外周側のスルーホールのいずれかと前記開口に沿った前記内周側のスルーホールのいずれかに接続されたクランク状の導電パターンが形成されており、
    記巻き進みコイルと前記巻き戻しコイルをそれぞれ形成する導電パターンが、前記回路基板の積層方向から透視して、重なり合っていることを特徴とする電流測定用コイル。
  2. 前記クランク状の導電パターンは、それぞれ円周方向の部分と、該円周方向の部分よりも外側の放射状部分と、該円周方向の部分よりも内側の放射状部分で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電流測定用コイル。
  3. 前記複数の導電層のうちの第1の導電層の前記クランク状の導電パターンの円周方向の部分と、前記複数の導電層のうちの第2の導電層の導電パターンの円周方向の部分とが正面視で互いに重なっており、
    前記複数の導電層のうちの第1の導電層の前記クランク状の導電パターンの外側の放射状部分と、前記複数の導電層のうちの第3の導電層の前記クランク状の導電パターンの外側の放射状部分とが正面視で互いに重なっており、
    前記第1の導電層の前記クランク状の導電パターンの内側の放射状部分と、前記複数の導電層のうちの第4の導電層の前記クランク状の導電パターンの内側の放射状部分とが正面視で互いに重なっていることを特徴とする請求項2に記載の電流測定用コイル。
  4. 中央部に被測定電流が流れる導体を貫通させる開口を有し、複数の導電層と複数の絶縁層を積層して形成された回路基板に、前記開口を取り囲むようにトロイダルコイルが形成された電流測定用コイルであって、
    前記トロイダルコイルは、前記回路基板を形成する2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンと該2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンを電気的に接続するスルーホールで形成された巻き進みコイルであり、
    記回路基板を形成する他の1つの導電層に形成され、前記開口の周囲を略一周するように形成された平面コイルである巻き戻しコイルが形成され、
    前記回路基板の前記開口に沿って、直径の異なる2つの同心円周上に所定間隔で1つおきに内周側のスルーホールが形成され、前記開口から遠い外周側には、単一の円周上に所定間隔で外周側のスルーホールが形成されており、前記各スルーホールは、前記複数の導電層及び前記複数の絶縁層を貫通するように形成されており、
    前記2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンのうち1つの導電層に形成された巻き進み導電パターンは、前記外周側のスルーホールのいずれかと前記開口に沿った前記内周側のスルーホールのいずれかに接続されたクランク状であり、
    前記2つの導電層に形成された巻き進み導電パターンのうち他の導電層に形成された巻き進み導電パターンは、前記外周側のスルーホールのいずれかと前記開口に沿った前記内周側のスルーホールのいずれかに接続された放射状であり、
    前記巻き戻しコイルは、前記回路基板を形成する他の1つの導電層に、前記内周側のスルーホールを取り囲むように形成された環状の導電パターンであり、
    前記巻き進みコイルの前記クランク状の部分の導電パターンと前記巻き戻しコイルの前記環状の導電パターンが、前記回路基板の積層方向から透視して、重なり合っていることを特徴とする電流測定用コイル。
  5. 前記巻き進み導電パターンのうち、前記クランク状に形成された部分は、円周方向に対して所定の角度をなすように、斜めに形成されており、
    前記巻き戻しコイルの前記環状の導電パターンは、鋸歯状に形成されていることを特徴とする請求項に記載の電流測定用コイル。
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