JP5890271B2 - 音叉型屈曲水晶振動素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器などに用いられる音叉型屈曲水晶振動素子及びその製造方法に関する。

コンピュータ、携帯電話又は小型情報機器等の電子機器には、電子部品の一つとして水晶振動子又は水晶発振器が搭載されている。この水晶振動子又は水晶発振器は、基準信号源やクロック信号源として用いられる。そして、水晶振動子や水晶発振器の内部に、音叉型屈曲水晶振動素子（以下「振動素子」と略称する。）が搭載されている。以下、特許文献１に記載の振動素子について説明する。

図６及び図７に示すように、関連技術の振動素子１００’は、水晶振動片１０’、励振電極２１ａ，２１ｂ、接続電極２２ａ，２２ｂ、配線パターン２３ａ，２３ｂから主に構成されている。図中のＸ軸、Ｙ’軸及びＺ’軸は、水晶基板の結晶軸である。

水晶振動片１０’は、基部１１、振動腕部１２、突起部１３’により構成される。振動腕部１２は、第一振動腕部１２ａ及び第二振動腕部１２ｂからなる。水晶振動片１０’は、フォトリソグラフィ技術、化学エッチング技術、成膜技術により製造される。振動腕部１２には、溝部１６１〜１６４が設けられている。

突起部１３’の先端側には、延設方向に沿ってスリット１４が設けられている。スリット１４は、突起部１３’の厚み方向に貫通している。突起部１３’の幅１３ｗ’は、先端から基端まで同じ大きさになっている。

突起部１３’に設けられたこのスリット１４は、振動腕部１２の側面に励振電極２１ａ，２１ｂをスパッタ技術及びフォトリソグラフィ技術にて形成する際に、第一振動腕部１２ａの側面の励振電極２１ｂと第二振動腕部１２ｂの側面の励振電極２１ａとが繋がらないようにする役割を果たす。

次に、このスリットの１４の役割を説明するために、振動素子１００’の製造方法を説明する。

まず、水晶ウェハ（図示せず）の表裏に、耐食膜（図示せず）をスパッタリングにて成膜する。続いて、水晶ウエハ表裏の耐食膜上に感光性レジスト（ポジ型）を形成し、その感光性レジストを乾燥した後、表裏の両面に音叉形状の耐食膜が残るように耐食膜をパターン化（露光、現像、乾燥）し、音叉形状以外の耐食膜をエッチングで除去する。

続いて、表裏の耐食膜上に、電極の形状を決定するために感光性レジスト（ポジ型）をパターン化する。スリット１４となる水晶部分は、耐食膜を介することなく、感光性レジストで直接覆われる。

続いて、露出している水晶部分をウェットエッチングで除去する。このとき、スリット１４の形状と水晶振動片１０’の形状とが、同時に形成される。つまり、この感光性レジストを残した状態で、基部１１と振動腕部１２と突起部１３’とが形成される。なお、突起部１３’を覆う感光性レジストは、スリット１４を跨いだ状態で残されている。

続いて、水晶振動片１０’の表裏面に露出した耐食膜を、エッチングで除去する。これにより、水晶表面を得る。

続いて、感光性レジストを残した状態の水晶振動片１０’の全面に、電極膜をスパッタ技術により形成する。このとき、スリット１４を跨いで突起部１３’を覆う感光性レジストにより、スリット１４を跨いで突起部１３’の側面に電極膜が形成される。

続いて、水晶振動片１０’の表裏に形成した感光性レジストと、その上に形成された電極膜と、を剥離する。これは、感光性レジストを溶解する液に、これらを浸すことにより実現される。このとき、スリット１４を跨いでいた感光性レジストも除去されるため、感光性レジスト上の電極膜を介して接続されていた第一振動腕部１２ａの側面の励振電極２１ｂと第二振動腕部１２ｂの側面の励振電極２１ａとが、切断された状態となる。

最後に、感光性レジストの下で残っていた耐食膜を、エッチングにより除去する。

このようにして、水晶振動片１０’に電極が形成されるので、スパッタ技術を用いても、第一振動腕部１２ａの側面の励振電極２１ｂと第二振動腕部１２ｂの側面の励振電極２１ａとをスリット１４で切断した状態にすることができる。

特開２０１１−１５１５６７号公報

しかしながら、関連技術の振動素子１００’には次のような問題があった。

突起部１３’の幅１３ｗ’は極めて狭く、かつ、その狭さが先端から基端まで続いている。そのため、ウェットエッチングの作用が進みすぎると、突起部１３’の一部が欠けるなど、突起部１３’の形状が大きく損なわれることがあった。また、突起部１３’上に形成するレジストパターンの幅も極めて狭くなることにより、レジストパターンの位置ずれ（特に±Ｘ軸方向）によっては、レジストパターンがスリット１４を十分に跨げないことがあった。そして、突起部１３’とその上に形成されるレジストパターンとの接触面積も狭くなることにより、ウェットエッチング液の圧力などによってレジストパターンがはがれることがあった。更に、その微細な形状ゆえに、突起部１３’形成後の電極膜形成、電気的検査、パッケージ実装、移送などの際に、突起部１３’が損傷することがあった。このように、振動素子１００’では、突起部１３’の形状が製造歩留まり低下の要因になっていた。

また、水晶は、シリコンと酸素で構成される三方晶系の単結晶からなり、成長軸（光軸）をＺ軸とし、これと垂直に稜線を結ぶ軸をＸ軸(電気軸)とし、これと直交する軸をＹ軸(機械軸)として表現される。それらの三つの軸のウェットエッチング中のエッチング速度は、Ｚ＞Ｘ＞Ｙの順となる。そのため、図６及び図７に示すように、突起部１３’では、ウェットエッチング後の水晶に残渣１５ａ’，１５ｂ’が生じてしまう。ところが、第一振動腕部１２ａ側に生じる残渣１５ａ’と第二振動腕部１２ｂ側に生じる残渣１５ｂ’とは、形状及び大きさが異なったものになる。その結果、音叉の右側と左側とで振動周波数がアンバランスとなることにより、振動が基部１１側へ伝播してしまうので、ＣＩ（Crystal Impedance）値の増加を招いていた。

そこで、本発明の主な目的は、製造歩留まりを向上させつつ、ＣＩ値の低減も達成し得る、振動素子及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る振動素子は、
基部と、この基部から同じ一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの二本の振動腕部の間の前記基部から前記一方向へ延設された突起部と、この突起部に設けられたスリットと、からなる水晶振動片を備え、
前記突起部は、前記基部から最も離れた先端と、前記基部に最も近い基端と、この基端と前記先端との間の移行領域と、に分けられ、
前記スリットは前記基部側から前記一方向に沿って前記先端まで設けられ、
前記移行領域において前記一方向と垂直かつ前記二本の振動腕部に交差する方向の長さを幅としたとき、この幅は前記先端から前記基端へ進むに従い広くなる、
ことを特徴とする。

本発明に係る振動素子の製造方法は、本発明に係る水晶振動素子を製造する方法であって、
水晶基板上に耐食膜を成膜しパターン化する第一工程と、
前記耐食膜上及び前記スリットとなる前記水晶基板の露出部分上にレジストパターンを形成する第二工程と、
前記耐食膜で覆われていない前記水晶基板の露出部分をウェットエッチングで除去することにより前記水晶振動片を形成する第三工程と、
前記レジストパターンで覆われていない前記耐食膜を除去する第四工程と、
前記スリット内を除く前記水晶振動片の露出部分上及び前記レジストパターン上に電極膜を形成する第五工程と、
前記レジストパターン上に形成された前記電極膜を前記レジストパターンとともに除去する第六工程と、
前記レジストパターンが除去されたことにより露出した前記耐食膜を除去する第七工程と、
を含むことを特徴とする。

本発明によれば、二本の振動腕部間にある突起部の幅が先端から基端へ進むに従い広くなることにより、製造上の諸問題を解決できるので製造歩留まりを向上でき、しかも、二本の振動腕部の根元に生ずる残渣を小さくかつ等しくできるのでＣＩ値を低減できる。

実施形態１の振動素子を示す斜視図である。 実施形態１の振動素子を示す平面図である。 図２におけるIII−III線縦断面の製造工程を示す断面図であり、図３［１］、図３［２］、図３［３］、図３［４］の順に工程が進行する。 図２におけるIII−III線縦断面の製造工程を示す断面図であり、図４［５］、図４［６］、図４［７］の順に工程が進行する。 実施形態２の振動素子の一部を示す平面図である。 関連技術の振動素子を示す斜視図である。 関連技術の振動素子を示す平面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。

図１は、実施形態１の振動素子を示す斜視図である。図２は、実施形態１の振動素子を示す平面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。

本実施形態１の振動素子１００は水晶振動片１０を備えている。水晶振動片１０は、基部１１と、基部１１から同じ一方向（Ｙ’軸方向）に延設された二本の振動腕部１２と、二本の振動腕部１２の間の基部１１から一方向（Ｙ’軸方向）へ延設された突起部１３と、突起部１３に設けられたスリット１４とからなる。

突起部１３は、基部１１から最も離れた先端１３１と、基部１１に最も近い基端１３３と、基端１３３と先端１３１との間の移行領域１３２とに分けられる。スリット１４は、基部１１側から一方向（Ｙ’軸方向）に沿って先端１３１まで設けられている。移行領域１３２において一方向（Ｙ’軸方向）と垂直かつ二本の振動腕部１２に交差する方向の長さを幅１３ｗとしたとき、幅１３ｗは先端１３１から基端１３３へ進むに従い広くなる。

この場合、基端１３３は、図示するように、二本の振動腕部１２の基部１１に対する根元まで達するようにしてもよい。また、移行領域１３２の形状は、図示するように、三角形状としてもよい。

次に、振動素子１００の構成について更に詳しく説明する。

図１及び図２に示すように、振動素子１００は、水晶振動片１０と、水晶振動片１０に設けられた励振電極２１ａ，２１ｂ、接続電極２２ａ，２２ｂ及び配線パターン２３ａ，２３ｂと、から主に構成されている。なお、必要に応じ、水晶振動片１０に周波数調整用金属膜を設けてもよい。

水晶振動片１０は、音叉形状となっており、基部１１と、基部１１から延設された二本一対の振動腕部１２と、二本の振動腕部１２の間であって基部１１から延設された突起部１３と、により概略構成される。振動腕部１２には、水晶を挟んで対向する平面同士に同極となる励振電極２１ａ，２１ｂが設けられている。

基部１１は、平面視略四角形の平板となっている。振動腕部１２は、第一振動腕部１２ａ及び第二振動腕部１２ｂからなる。第一振動腕部１２ａ及び第二振動腕部１２ｂは、基部１１の一辺から同一方向（Ｙ’軸方向）に延設されている。水晶振動片１０は、基部１１と振動腕部１２とが一体となって音叉形状をなしており、フォトリソグラフィ技術、化学エッチング技術、成膜技術により製造される。

なお、第一振動腕部１２ａ及び第二振動腕部１２ｂの長さ方向には、それぞれ溝部１６１〜１６４を設けてもよい。それらの溝部１６１〜１６４は、例えば、第一振動腕部１２ａの表裏面に二本ずつ及び第二振動腕部１２ｂの表裏面に二本ずつ、基部１１との境界部分から振動腕部１２の先端に向って、振動腕部１２の長さ方向と平行に所定の長さで設けられる。なお、溝部１６１〜１６４は、表裏のどちらか片面にのみ設けてもよい。また、溝部１６１〜１６４は、本実施形態１では第一振動腕部１２ａの表裏面に二本ずつ及び第二振動腕部１２ｂの表裏面に二本ずつ設けられているが、それらの本数に制限はなく、例えば第一振動腕部１２ａの表裏面に一本ずつ及び第二振動腕部１２ｂの表裏面に一本ずつ設けてもよい。

励振電極２１ａは、第一振動腕部１２ａの一方及び他方の主面、並びに、第二振動腕部１２ｂの内側及び外側の側面に設けられている。励振電極２１ｂは、第二振動腕部１２ｂの一方及び他方の主面、並びに、第一振動腕部１２ａの内側及び外側の側面に設けられている。

基部１１には、接続電極２２ａ，２２ｂが設けられる。また、基部１１及び振動腕部１２には、所定の電極間を電気的に接続させるための配線パターン２３ａ，２３ｂが設けられる。励振電極２１ａ、接続電極２２ａ及び配線パターン２３ａは、互いに電気的に導通している。励振電極２１ｂ、接続電極２２ｂ及び配線パターン２３ｂも、互いに電気的に導通している。

これら励振電極２１ａ，２１ｂ、接続電極２２ａ，２２ｂ及び配線パターン２３ａ，２３ｂは、フォトリソグラフィ技術により形成され、例えばＴｉ層の上にＰｄ又はＡｕ層が設けられた積層構造となっている。

音叉型の水晶振動片１０を振動させる場合、接続電極２２ａ，２２ｂに交番電圧を印加する。印加後のある電気的状態を瞬間的に捉えると、第一振動腕部１２ａの両主面に設けられた励振電極２１ａはプラス電位となり、第一振動腕部１２ａの両側面に設けられた励振電極２１ｂはマイナス電位となり、プラスからマイナスに電界が生じる。このとき、第二振動腕部１２ｂの両主面に設けられた励振電極２１ｂはマイナス電位となり、第二振動腕部１２ｂの両側面に設けられた励振電極２１ａはプラス電位となり、第一振動腕部１２ａに生じた極性とは反対の極性となり、プラスからマイナスに電界が生じる。この交番電圧で生じた電界によって、第一振動腕部１２ａ及び第二振動腕部１２ｂに伸縮現象が生じ、振動腕部１２に設定した共振周波数の屈曲振動モードが得られる。

突起部１３は、二本一対の振動腕部１２の中間にあって、振動腕部１２に沿って基部１１から延設されている。また、突起部１３は、幅１３ｗが先端１３１から基端１３３へ進むに従い広くなるように設けられる。突起部１３の先端１３１には、延設方向に沿ってスリット１４が設けられている。スリット１４は、突起部１３の厚み方向に貫通している。

突起部１３に設けられたこのスリット１４は、振動腕部１２の側面に励振電極２１ａ，２１ｂをスパッタ技術及びフォトリソグラフィ技術にて形成する際に、第一振動腕部１２ａの側面の励振電極２１ｂと第二振動腕部１２ｂの側面の励振電極２１ａとを切り離す役割を果たす。

図３及び図４は、図２におけるIII−III線縦断面に相当する各工程での断面図である。以下、図１乃至図４に基づき、振動素子１００の製造方法について説明する。

本実施形態１の製造方法は、次の第一乃至第七工程を含む。

図３［１］に示す第一工程では、水晶基板３１上に、耐食膜３２を成膜しパターン化する。例えば、水晶基板３１の表裏に、Ｃｒ又はＣｒ＋Ａｕなどの耐食膜３２をスパッタリングにて成膜する。そして、耐食膜３２上に感光性レジスト（ポジ型）を形成し、その感光性レジストの乾燥後に、水晶基板３１の表裏に音叉形状の耐食膜３２が残るようにパターン化（露光、現像、乾燥）し、音叉形状以外の耐食膜３２をエッチングで除去する。

図３［２］に示す第二工程では、耐食膜３２上及びスリット１４となる水晶基板３１の露出部分３１１上に、レジストパターン３３を形成する。例えば、水晶基板３１の表裏の耐食膜３２上に電極の形状を決定するために、感光性レジスト（ポジ型）をパターン化する。

図３［３］に示す第三工程では、耐食膜３２で覆われていない水晶基板３１の露出部分をウェットエッチングで除去することにより、水晶振動片１０を形成する。このとき、スリット１４の形状と水晶振動片１０の形状とが、同時に形成される。このとき、スリット１４は、レジストパターン３３の下からアンダーエッチングによって形成される。そのため、レジストパターン３３は、スリット１４を跨いだ状態で少なくとも突起部１３に残されている。すなわち、レジストパターン３３を残した状態で、基部１１と振動腕部１２と突起部１３とが形成される。

なお、振動腕部１２に溝部１６１〜１６４を設ける場合は、この第三工程で水晶振動片１０の形状と同時に溝部１６１〜１６４を形成してもよい。ただし、振動腕部１２の表裏面に溝部１６１〜１６４を設ける場合は、溝部１６１〜１６４の貫通を避けるために、溝部１６１〜１６４内にエッチング抑制パターンを形成することが望ましい。

図３［４］に示す第四工程では、レジストパターン３３で覆われていない耐食膜３２を、除去する。つまり、水晶振動片１０の表裏面に露出した耐食膜３２をエッチングで除去することにより、水晶表面を得る。

図４［５］に示す第五工程では、スリット１４内を除く水晶振動片１０の露出部分上及びレジストパターン３３上に、電極膜３４を形成する。例えば、水晶振動片１０の全面に電極膜３４をスパッタ技術により形成する。このとき、スリット１４を跨いで突起部１３を覆うレジストパターン３３により、スリット１４を跨いで突起部１３の側面に電極膜３４が形成される。

図４［６］に示す第六工程では、レジストパターン３３上に形成された電極膜３４を、レジストパターン３３とともに除去する。つまり、水晶振動片１０の表裏に形成されたレジストパターン３３と、その上に形成された電極膜３４と、を剥離する。これは、感光性レジストを溶解する液（例えばアセトン）に、これらを浸すことにより容易に除去できる。ただし、レジストパターン３３の下にある耐食膜３２は残る。スリット１４を跨いだレジストパターン３３も除去されるため、第一振動腕部１２ａの側面の励振電極２１ｂと第二振動腕部１２ｂの側面の励振電極２１ａとはスリット１４で切断された状態となる。この第六工程の電極膜形成方法は、一般にリフトオフ法と呼ばれる。

図４［７］に示す第七工程では、レジストパターン３３が除去されたことにより露出した耐食膜３２を、除去する。つまり、最後まで残った耐食膜３２をエッチングで除去する。

このようにして水晶振動片１０に励振電極２１ａ，２１ｂが形成されるので、スパッタ技術を用いても、第一振動腕部１２ａの側面の励振電極２１ｂと第二振動腕部１２ｂの側面の励振電極２１ａとをスリット１４で切断した状態にできる。

次に、本実施形態１の振動素子１００について、関連技術と比較した場合の作用及び効果を説明する。

図１及び図２に示すように、突起部１３の幅１３ｗは先端１３１から基端１３３へ進むに従い広くなる。そのため、ウェットエッチングの作用が進みすぎることによる、突起部１３が一部かけやすくなるなど突起部１３の形状への影響を、突起部１３の幅１３ｗが広くなることにより低減できる。また、突起部１３上に形成するレジストパターン３３の幅も同様に広くなることにより、レジストパターン３３に位置ずれが多少生じても、レジストパターン３３がスリット１４を十分に跨ぐことができる（図３［２］参照）。そして、突起部１３とその上に形成されるレジストパターン３３との接触面積も広くなることにより、ウェットエッチング液の圧力などによるレジストパターン３３のはがれを抑制できる（図３［３］参照）。更に、幅広な形状ゆえに、突起部１３形成後の電極膜形成、電気的検査、パッケージ実装、移送などの際に、突起部１３が損傷することを抑制できる。このように、振動素子１００によれば、突起部１３の形状が前述のように幅広になっているので、製造歩留まりを向上できる。

また、突起部１３の幅１３ｗは先端１３１が細く基端１３３が広くなっているので、スパッタ又は蒸着などの成膜時に電極材料が振動腕部１２の内側の根元まで入り込みやすい。つまり、突起部１３は、振動腕部１２の内側側面に電極膜３４を形成することを、妨害しにくい構造になっている（図４［５］参照）。したがって、振動腕部１２の内側の根元まで十分に電極膜３４を形成できるので、振動素子１００の電界効率の低下を防止できる。特に、移行領域１３２の形状を三角形状とする場合は、移行領域１３２が外側に膨らまないので、すなわち成膜時に飛来する電極材料を遮蔽しにくいので、突起部１３の面積を確保しつつ、電極材料を振動腕部１２の内側の根元まで導くことができる。

更に、突起部１３の幅１３ｗは先端１３１から基端１３３へ進むに従い広くなることにより、ウェットエッチング後に水晶の残渣が生じる領域を狭くできる。そのため、図１及び図２に示すように、第一振動腕部１２ａ側に生じる残渣１５ａと第二振動腕部１２ｂ側に生じる残渣１５ｂとを、小さくかつ等しく形成できる。その結果、音叉の右側と左側との振動周波数を等しくできるので、ＣＩ値を低減できる。特に、振動腕部１２の基部１１に対する根元まで基端１３３が達するようにした場合は、振動腕部１２に影響を与えることなく、水晶の残渣が生じる領域を最も狭くできるので、この効果がより顕著になる。

以上のように、振動素子１００によれば、突起部１３の幅１３ｗが先端１３１から基端１３３へ進むに従い広くなることにより、製造上の諸問題を解決できるので製造歩留まりを向上でき、しかも、二本の振動腕部１２の根元に生ずる残渣１５ａ，１５ｂを小さくかつ等しくできるのでＣＩ値を低減できる。

図５は、実施形態２の振動素子の一部を示す平面図である。以下、この図面に基づき説明する。

本実施形態２の振動素子は、突起部４３の形状が実施形態１と異なる。すなわち、本実施形態２における突起部４３は、基部１１から最も離れた先端４３１と、基部１１に最も近い基端４３３と、基端４３３と先端４３１との間の移行領域４３２とに分けられる。スリット１４は、基部１１側から一方向（Ｙ’軸方向）に沿って先端４３１まで設けられている。移行領域４３２において一方向（Ｙ’軸方向）と垂直かつ二本の振動腕部１２に交差する方向の長さを幅４３ｗとしたとき、幅４３ｗは先端４３１から基端４３３へ進むに従い広くなる。そして、移行領域４３２の形状は、外側に凸となる半円状である。

本実施形態２の振動素子によれば、移行領域４３２の形状を外側に凸となる半円状としたことにより、突起部４３の面積及び突起部４３とレジストパターン３３との接触面積をより広くできるので、前述の効果がより顕著になる。本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

１００ 振動素子
１０ 水晶振動片
１１ 基部
１２ 振動腕部
１２ａ 第一振動腕部
１２ｂ 第二振動腕部
１３ 突起部
１３１ 先端
１３２ 移行領域
１３３ 基端
１３ｗ 幅
１４ スリット
１５ａ，１５ｂ 残渣
１６１，１６２，１６３，１６４ 溝部
２１ａ，２１ｂ 励振電極
２２ａ，２２ｂ 接続電極
２３ａ，２３ｂ 配線パターン
３１ 水晶基板
３１１ 露出部分
３２ 耐食膜
３３ レジストパターン
３４ 電極膜

４３ 突起部
４３１ 先端
４３２ 移行領域
４３３ 基端
４３ｗ 幅

１００’ 振動素子
１０’ 水晶振動片
１３’ 突起部
１３ｗ’ 幅
１５ａ’，１５ｂ’ 残渣

Claims (5)

1. 基部と、この基部から同じ一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの二本の振動腕部の間の前記基部から前記一方向へ延設された突起部と、この突起部に設けられたスリットと、からなる水晶振動片を備え、
   前記突起部は、前記基部から最も離れた先端と、前記基部に最も近い基端と、この基端と前記先端との間の移行領域と、に分けられ、
   前記スリットは前記基部側から前記一方向に沿って前記先端まで設けられ、
   前記移行領域において前記一方向と垂直かつ前記二本の振動腕部に交差する方向の長さを幅としたとき、この幅は前記先端から前記基端へ進むに従い広くなる、
   ことを特徴とする音叉型屈曲水晶振動素子。
2. 前記基端は、前記二本の振動腕部の前記基部に対する根元まで達する、
   請求項１記載の音叉型屈曲水晶振動素子。
3. 前記移行領域の形状が三角形状である、
   請求項１又は２記載の音叉型屈曲水晶振動素子。
4. 前記移行領域の形状が外側に凸となる半円状である、
   請求項１乃至３のいずれか一つに記載の音叉型屈曲水晶振動素子。
5. 請求項１乃至４のいずれか一つに記載の音叉型屈曲水晶振動素子を製造する方法であって、
   水晶基板上に耐食膜を成膜しパターン化する第一工程と、
   前記耐食膜上及び前記スリットとなる前記水晶基板の露出部分上にレジストパターンを形成する第二工程と、
   前記耐食膜で覆われていない前記水晶基板の露出部分をウェットエッチングで除去することにより前記水晶振動片を形成する第三工程と、
   前記レジストパターンで覆われていない前記耐食膜を除去する第四工程と、
   前記スリット内を除く前記水晶振動片の露出部分上及び前記レジストパターン上に電極膜を形成する第五工程と、
   前記レジストパターン上に形成された前記電極膜を前記レジストパターンとともに除去する第六工程と、
   前記レジストパターンが除去されたことにより露出した前記耐食膜を除去する第七工程と、
   を含むことを特徴とする音叉型屈曲水晶振動素子の製造方法。

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