JP5889152B2 - 受光回路、レーザレーダ - Google Patents
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Description
制御部2の信号処理回路11に入力される。電流電圧変換増幅回路7と可変利得増幅回路8は、本発明の「増幅手段」の一例である。
3 投光部
5 受光素子
7 電流電圧変換増幅回路
8 可変利得増幅回路
9、9’ 可変インピーダンス回路
10 受光回路
12 受光制御部
50 計測対象物
A 受光信号のピーク値
Ath 閾値
Ath1 下閾値
Ath2 上閾値
N 受光信号の変動度合い
Nth 閾値
PD フォトダイオード
W 受光信号のパルス幅
Wth 閾値
Claims (7)
- 対象光を受光して電気的な信号に変換する受光素子と、
前記受光素子からの出力信号を増幅する増幅手段と、
前記受光素子から前記増幅手段への入力信号を減衰させる減衰手段と、
前記増幅手段からの出力信号に基づいて、所定の制御を行う制御手段と、
を備えた受光回路であって、
前記制御手段は、
前記増幅手段からの出力信号のピーク値を第1の閾値と比較するとともに、前記出力信号のパルス幅を第2の閾値と比較し、
前記ピーク値が前記第1の閾値以上で、かつ、前記パルス幅が前記第2の閾値に達しなかった場合に、前記増幅手段からの出力信号が第1の飽和状態にあると判断し、
前記ピーク値が前記第1の閾値以上で、かつ、前記パルス幅が前記第2の閾値以上となった場合に、前記増幅手段からの出力信号が第2の飽和状態にあると判断し、
前記増幅手段からの出力信号が前記第1の飽和状態にあると判断した場合に、
前記増幅手段のゲインを小さくし、
前記増幅手段からの出力信号が前記第2の飽和状態にあると判断した場合に、前記受光素子から前記増幅手段への入力信号を前記減衰手段を用いて減衰させる、ことを特徴とする受光回路。 - 請求項1に記載の受光回路において、
前記制御手段は、
前記増幅手段からの出力信号が外乱光の影響を受けた状態にあると判断すると、前記受光素子から前記増幅手段への入力信号を前記減衰手段を用いて減衰させる、ことを特徴とする受光回路。 - 請求項2に記載の受光回路において、
前記制御手段は、
前記増幅手段からの出力信号の変動度合いを、第3の閾値と比較した結果に基づいて、前記増幅手段からの出力信号が前記外乱光の影響を受けた状態にあることを判断する、ことを特徴とする受光回路。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の受光回路において、
前記制御手段は、
前記増幅手段からの出力信号が過小状態にあると判断すると、前記増幅手段のゲインを調整して、前記増幅手段からの出力信号を増大させる、ことを特徴とする受光回路。 - 請求項4に記載の受光回路において、
前記制御手段は、
前記増幅手段からの出力信号のピーク値またはパルス幅を、第4の閾値と比較した結果に基づいて、前記増幅手段からの出力信号が前記過小状態にあることを判断する、ことを特徴とする受光回路。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の受光回路において、
前記受光素子は、フォトダイオードから構成され、
前記増幅手段は、
前記受光素子からの出力信号が入力される電流電圧変換増幅回路と、前記電流電圧変換増幅回路からの出力信号が入力される可変利得増幅回路とから構成され、
前記減衰手段は、可変インピーダンス回路から構成され、
前記制御手段は、
前記可変利得増幅回路からの出力信号に基づいて、
前記可変利得増幅回路のゲインを調整して、前記可変利得増幅回路からの出力信号を減衰させ、
前記可変インピーダンス回路のインピーダンスを変化させることにより、前記受光素子から前記電流電圧変換増幅回路への入力信号を減衰させる、ことを特徴とする受光回路。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の受光回路と、投光手段とを備え、
前記投光手段からレーザ光を投光して、計測対象物で反射した光を前記受光回路で受光して電気的な信号に変換し、前記受光回路からの出力信号に基づいて計測対象物の位置を計測する、ことを特徴とするレーザレーダ。
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