JP5869782B2 - Levitation conveyance heating device - Google Patents

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Description

本発明は、塗布膜が形成された基板を超音波浮上により浮上させた状態で加熱および搬送を行う浮上搬送加熱装置に関するものである。   The present invention relates to a levitation conveyance heating apparatus that performs heating and conveyance in a state where a substrate on which a coating film is formed is levitated by ultrasonic levitation.

液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成され、その後、例えば、下記特許文献１に示されるような加熱乾燥装置により塗布膜を乾燥させることにより生産される。   A flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display uses a substrate coated with a resist solution (referred to as a coated substrate). In this coated substrate, a coating film is formed by uniformly coating a resist solution on the substrate by a coating apparatus, and then, for example, the coating film is dried by a heat drying apparatus as shown in Patent Document 1 below. Produced by.

この加熱乾燥装置は、電磁放射線などの加熱手段を用いて、基材を加熱している。また、複数の加熱手段同士の間に超音波浮揚板を設置し、そこへ与えられる超音波振動により基材を浮上させ、その状態で基板を搬送しながら基材を加熱している。このように基材加熱中の搬送手段に浮上搬送を採用することにより、たとえばガイドローラを用いた場合に発生する、基材と接触している部位と他の部位との熱的特性の差異に起因する塗布膜の乾燥ムラを防ぐことが可能である。   This heating and drying apparatus heats the base material using a heating means such as electromagnetic radiation. Further, an ultrasonic levitation plate is installed between a plurality of heating means, the base material is levitated by ultrasonic vibration applied thereto, and the base material is heated while transporting the substrate in this state. By adopting levitation transport as the transport means during heating of the base material in this way, for example, when using a guide roller, the difference in thermal characteristics between the part in contact with the base material and another part is generated. It is possible to prevent the resulting coating film from drying unevenly.

特開２００６−２０５０６４号公報JP 2006-205064 A

しかし、上記特許文献１に記載された加熱乾燥装置では、それでも塗布膜表面に乾燥ムラが発生するおそれがあるという問題があった。具体的には、交互に配列された加熱手段と超音波浮揚板との間には熱的特性に差異があり、基材は加熱手段の上方を通過するときは強く加熱され、超音波浮揚板の上方を通過するときはほとんど加熱されない（むしろ冷却されることもある）といった、大きな波がある加熱環境を通過するため、それが塗布膜の乾燥ムラを生じやすくさせていた。   However, the heating and drying apparatus described in Patent Document 1 still has a problem that uneven drying may occur on the coating film surface. Specifically, there is a difference in thermal characteristics between the alternately arranged heating means and the ultrasonic levitation plate, and the substrate is strongly heated when passing over the heating means, and the ultrasonic levitation plate Since it passes through a heating environment with a large wave such that it is hardly heated (rather, it may be cooled) when passing over the top of the film, it tends to cause uneven drying of the coating film.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、塗布膜に乾燥ムラが形成されることを抑えることができる浮上搬送加熱装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a levitation conveyance heating apparatus capable of suppressing the formation of drying unevenness in a coating film.

上記課題を解決するために本発明の浮上搬送加熱装置は、基板を超音波振動浮上させる振動板部と、前記振動板部を加熱するヒータ部と、前記振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、を備える浮上搬送加熱装置であって、前記ヒータ部は、前記振動板部の基板を浮上させる面の裏面側に前記振動板部と所定間隔を設けて配置され、基板の搬送方向と直交する方向の前記振動板部の寸法は同方向の基板の寸法よりも大きく、前記ヒータ部により前記振動板部が加熱されることにより、浮上搬送中の基板全面が前記振動板部によって加熱されることを特徴としている。   In order to solve the above-described problems, a levitation conveyance heating apparatus according to the present invention includes a vibration plate portion that ultrasonically levitates a substrate, a heater portion that heats the vibration plate portion, and an ultrasonic wave that applies ultrasonic vibration to the vibration plate portion. A levitation transport heating apparatus comprising: a sound wave generation unit; and a transport unit that supports the end of the substrate and transports the substrate in a direction perpendicular to the substrate levitation direction, wherein the heater unit includes: The heater plate is disposed on the back side of the surface on which the substrate is levitated with a predetermined distance from the vibrating plate portion, and the size of the vibrating plate portion in the direction orthogonal to the substrate transport direction is larger than the size of the substrate in the same direction. By heating the diaphragm part by the part, the entire surface of the substrate being floated and transported is heated by the diaphragm part.

上記浮上搬送加熱装置によれば、ヒータ部が振動板部の基板を浮上させる面の裏面側に振動板部と所定間隔を設けて配置されているため、振動板部が輻射加熱される。したがって、振動板部を均一な温度に加熱することができる。また、基板の搬送方向と直交する方向の振動板部の寸法を同方向の基板の寸法よりも大きくすることにより、基板の搬送方向と直交する方向において基板を均一に加熱することができる。そして、この振動板部上を基板を搬送させることにより、基板全面を均一に加熱することができ、基板上の塗布膜をムラなく乾燥させることが可能である。   According to the above-described levitation conveyance heating apparatus, since the heater unit is disposed on the back side of the surface on which the substrate of the diaphragm unit is levitated with a predetermined distance from the diaphragm unit, the diaphragm unit is radiantly heated. Therefore, the diaphragm portion can be heated to a uniform temperature. Further, by making the size of the diaphragm portion in the direction orthogonal to the substrate transport direction larger than the size of the substrate in the same direction, the substrate can be uniformly heated in the direction orthogonal to the substrate transport direction. And by conveying a board | substrate on this diaphragm part, the whole board | substrate surface can be heated uniformly and it is possible to dry the coating film on a board | substrate uniformly.

また、前記超音波発生部は、超音波振動子およびホーンを有し、前記振動板部の基板を浮上させる領域の裏面側にあたる領域の外部において前記振動板部と接触し、前記振動板部に超音波振動を与え、前記ホーンは、片端が前記振動板部と接触して前記ヒータ部を突き抜けるように設けられ、前記超音波振動子は、前記ホーンの前記振動板部と接触する側と反対側の端部に取りつけられることによって前記ヒータ部から離間されていることを特徴とする構成とすると良い。
Further, the ultrasonic generator comprises an ultrasonic transducer and a horn in contact with the diaphragm portion outside the realm falls back side of the realm to float the substrate of the diaphragm portion, the diaphragm Ultrasonic vibration is applied to the part, and the horn is provided so that one end of the horn comes into contact with the diaphragm part and penetrates the heater part, and the ultrasonic vibrator is on the side of the horn that contacts the diaphragm part and by being attached to the opposite end may be configured characterized that you have been separated from the heater unit.

この構成によれば、超音波発生部を、基板を浮上させる振動板部上の領域および振動板部に対して当該領域の裏面側にあたる領域の両領域の外部において振動板部の下面と接触させることによって、振動板部上で温度ムラを起こす可能性のある、超音波発生部と振動板部との接触部が、基板を浮上させる領域、すなわち基板を加熱する領域から外れるため、振動板部における基板を加熱する領域の温度ムラを防ぎ、さらに乾燥ムラを起こすことなく基板上の塗布膜を乾燥させることが可能である。   According to this configuration, the ultrasonic wave generator is brought into contact with the lower surface of the vibration plate portion outside both the region on the vibration plate portion where the substrate is levitated and the region corresponding to the rear surface side of the vibration plate portion. As a result, the contact portion between the ultrasonic wave generation unit and the diaphragm unit that may cause temperature unevenness on the diaphragm unit is separated from the region where the substrate is levitated, that is, the region where the substrate is heated. It is possible to prevent the temperature unevenness in the region where the substrate is heated in the substrate and to dry the coating film on the substrate without causing drying unevenness.

また、前記振動板部は、複数の振動板を一方向に連続して配列して形成され、前記振動板同士の継ぎ目は基板の搬送方向と略直交し、前記搬送部は前記振動板部上の基板を等速で搬送することを特徴とすると良い。   Further, the diaphragm part is formed by continuously arranging a plurality of diaphragms in one direction, a joint between the diaphragms is substantially perpendicular to a substrate transport direction, and the transport part is on the diaphragm part. The substrate may be transported at a constant speed.

こうすることにより、振動板部に継ぎ目が存在し、その部分で振動板部の温度に他の部分と若干差がある場合でも、振動板を連続して配列することによって、温度変化を極小にすることができ、また、振動板同士の継ぎ目を基板の搬送方向と略直交させ、その上を等速で基板が搬送されることにより、基板のどの箇所も同じ加熱プロファイルで加熱させることができるため、乾燥ムラを防ぐことが可能である。   By doing this, even if there is a seam in the diaphragm part and the temperature of the diaphragm part is slightly different from other parts, the temperature change is minimized by arranging the diaphragms continuously. In addition, by making the joint between the diaphragms substantially perpendicular to the substrate transport direction and transporting the substrate at a constant speed, any part of the substrate can be heated with the same heating profile. Therefore, drying unevenness can be prevented.

本発明の浮上搬送加熱装置によれば、塗布膜に乾燥ムラを生じさせずに基板を加熱しながら搬送することができる。   According to the levitation conveyance heating apparatus of the present invention, the substrate can be conveyed while being heated without causing drying unevenness in the coating film.

本発明の一実施形態における浮上搬送加熱装置の概略図であり、斜視図である。It is the schematic of the levitation conveyance heating apparatus in one Embodiment of this invention, and is a perspective view. 浮上搬送加熱装置の側面図である。It is a side view of a levitation conveyance heating device. 振動板の配列方向による基板の加熱特性の違いを表す概略図である。It is the schematic showing the difference in the heating characteristic of the board | substrate by the arrangement direction of a diaphragm. 浮上搬送加熱装置の動作フローである。It is an operation | movement flow of a levitation conveyance heating apparatus. 本発明の浮上搬送加熱装置を用いた塗布膜焼成ラインの一例である。It is an example of the coating film baking line using the levitation conveyance heating apparatus of this invention.

本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。   Embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図１および図２は、本発明の一実施形態における浮上搬送加熱装置の斜視図および側面図である。浮上搬送加熱装置１は、振動板部２、ヒータ部３、超音波発生部４、および搬送部５を備えており、振動板部２がヒータ部３により加熱される。また、振動板部２は超音波発生部４により超音波振動し、その振動による放射圧によって振動板部２上の基板Ｗを浮上させる。これらにより、基板Ｗは、振動板部２によって浮上、加熱されながら、搬送部５によって振動板部２上を搬送される。   1 and 2 are a perspective view and a side view of a levitation conveyance heating apparatus according to an embodiment of the present invention. The levitation conveyance heating apparatus 1 includes a vibration plate unit 2, a heater unit 3, an ultrasonic wave generation unit 4, and a conveyance unit 5, and the vibration plate unit 2 is heated by the heater unit 3. The diaphragm 2 is ultrasonically vibrated by the ultrasonic generator 4 and the substrate W on the diaphragm 2 is levitated by the radiation pressure due to the vibration. Accordingly, the substrate W is transported on the diaphragm 2 by the transport unit 5 while being floated and heated by the diaphragm 2.

なお、以下の説明では、基板Ｗが搬送される方向をＹ軸方向、Ｙ軸方向と水平面上で直交する方向をＸ軸方向、Ｘ軸およびＹ軸方向の双方に直交する方向をＺ軸方向として説明を進めることとする。   In the following description, the direction in which the substrate W is transported is the Y-axis direction, the direction orthogonal to the Y-axis direction on the horizontal plane is the X-axis direction, and the direction orthogonal to both the X-axis and Y-axis directions is the Z-axis direction. The explanation will proceed as follows.

振動板部２は、複数の振動板２１を有している。振動板２１は、本実施形態ではアルミ製（アルミ合金製）で矩形板状の形状を有した金属板であり、それらが基板搬送方向（Ｙ軸方向）に連続的に配列されることにより、振動板部２が形成されている。このとき、振動板２１同士の継ぎ目２２は、基板搬送方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に沿って存在している。   The diaphragm portion 2 has a plurality of diaphragms 21. The vibration plate 21 is a metal plate made of aluminum (made of aluminum alloy) and having a rectangular plate shape in the present embodiment, and when they are continuously arranged in the substrate transport direction (Y-axis direction), A diaphragm portion 2 is formed. At this time, the joint 22 between the diaphragms 21 exists along a direction (X-axis direction) orthogonal to the substrate transport direction.

ここで、各々の振動板２１のＸ軸方向の寸法は、振動板２１に基板Ｗが載置されたときの基板ＷのＸ軸方向寸法よりも大きく設定されている。これにより、基板Ｗが搬送部５により振動板部２の上を搬送される際、Ｘ軸方向に関して基板Ｗが振動板部２からはみ出る部分が存在することなく、基板Ｗの全面が振動板部２の上を通過するため、ヒータ部３により加熱された振動板部２によって基板ＷをＸ軸方向に関して均一に加熱することができる。また、さらに搬送部５によって等速で基板Ｗが搬送されることによって、後述の通り、基板Ｗの全面が均一に加熱される。   Here, the dimension in the X-axis direction of each diaphragm 21 is set to be larger than the dimension in the X-axis direction of the substrate W when the substrate W is placed on the diaphragm 21. Thereby, when the substrate W is transported on the diaphragm unit 2 by the transport unit 5, there is no portion where the substrate W protrudes from the diaphragm unit 2 in the X-axis direction, and the entire surface of the substrate W is the diaphragm unit. 2, the substrate W can be uniformly heated in the X-axis direction by the diaphragm 2 heated by the heater 3. Further, as the substrate W is transported at a constant speed by the transport unit 5, the entire surface of the substrate W is uniformly heated as described later.

ヒータ部３は、振動板部２の基板Ｗを浮上させる面６の裏面７側に位置し、複数のヒータユニット３１およびスペーサ３２を有している。ヒータユニット３１がＸ軸方向およびＹ軸方向に並べられることにより、一つのヒータ集合体３３が形成される。また、スペーサ３２は、一部のヒータユニット３１に設置されて振動板２１を支持し、また、スペーサ３２によって振動板部２とヒータ集合体３３とが所定の間隔を設けて離間されている。   The heater unit 3 is located on the back surface 7 side of the surface 6 on which the substrate W of the diaphragm unit 2 is levitated, and has a plurality of heater units 31 and spacers 32. By arranging the heater units 31 in the X-axis direction and the Y-axis direction, one heater assembly 33 is formed. The spacer 32 is installed in a part of the heater units 31 to support the vibration plate 21, and the vibration plate portion 2 and the heater assembly 33 are separated from each other with a predetermined interval by the spacer 32.

ヒータユニット３１は、本実施形態ではカートリッジヒータまたはシーズヒータが矩形板状のアルミ板に挿入されて構成されるプレートヒータであり、これらがＸ軸方向およびＹ軸方向に隙間無く並べられている。なお、ここでプレートヒータの代わりにマイカヒータを用いても良い。   In this embodiment, the heater unit 31 is a plate heater configured by inserting a cartridge heater or a sheathed heater into a rectangular plate-like aluminum plate, and these are arranged without gaps in the X-axis direction and the Y-axis direction. Here, a mica heater may be used instead of the plate heater.

ここで、ヒータ集合体３３のＸ軸方向の寸法は、振動板部２のＸ軸方向の寸法よりも大きく、また、ヒータ集合体３３のＹ軸方向の寸法は、振動板部２のＹ軸方向と同等以上である。そして、Ｚ軸方向に沿って振動板部２からヒータ集合体３３を見たときに、振動板部２の領域がヒータ集合体３３の領域に収まる配置となっている。これによって、ヒータ集合体３３は振動板部２の全面を同時に加熱することができ、振動板部２全体を均一な温度に加熱することが可能である。なお、ヒータ集合体３３を形成する各々のヒータユニット３１は、振動板２１よりもＸ軸方向およびＹ軸方向の寸法が小さくても構わない。また、集合体の形をとらず、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の寸法が振動板部２よりも大きい１つのヒータユニット３１のみを用いて振動板部２を加熱する方法をとっても良い。   Here, the dimension of the heater assembly 33 in the X-axis direction is larger than the dimension of the diaphragm portion 2 in the X-axis direction, and the dimension of the heater assembly 33 in the Y-axis direction is the Y-axis of the diaphragm portion 2. It is equal to or greater than the direction. When the heater assembly 33 is viewed from the diaphragm portion 2 along the Z-axis direction, the region of the diaphragm portion 2 is disposed so as to be within the region of the heater assembly 33. As a result, the heater assembly 33 can simultaneously heat the entire surface of the diaphragm portion 2 and can heat the entire diaphragm portion 2 to a uniform temperature. Each heater unit 31 forming the heater assembly 33 may be smaller in dimensions in the X-axis direction and the Y-axis direction than the diaphragm 21. Alternatively, a method may be used in which the diaphragm portion 2 is heated using only one heater unit 31 that does not take the form of an aggregate and has dimensions in the X-axis direction and the Y-axis direction that are larger than those of the diaphragm portion 2.

スペーサ３２は、例えば樹脂製の小径のブロックであり、本実施形態では、スペーサ３２によって振動板部２とヒータ集合体３３の間に１ｍｍの間隔が設けられている。このように振動板部２とヒータ集合体３３とを離間することにより、ヒータ集合体３３による振動板部２への加熱は直接加熱でなく輻射加熱となり、直接加熱と比較して振動板部２全体の温度を均一にすることが容易となる。   The spacer 32 is, for example, a resin-made small-diameter block. In the present embodiment, the spacer 32 provides an interval of 1 mm between the diaphragm portion 2 and the heater assembly 33. By separating the diaphragm portion 2 and the heater assembly 33 in this way, the heating of the diaphragm portion 2 by the heater assembly 33 is not direct heating but radiation heating, and the diaphragm portion 2 is compared with direct heating. It becomes easy to make the whole temperature uniform.

また、振動板部２とヒータ集合体３３とが接触する配置であった場合、両者の固有振動数など振動特性の差異により、ヒータ集合体３３が振動板部２の振動の妨げとなることがあるが、両者を離間することにより、振動板部２はヒータ集合体３３によって振動を妨げられることなく、設定された通りに振動することができる。   Further, when the diaphragm portion 2 and the heater assembly 33 are in contact with each other, the heater assembly 33 may interfere with the vibration of the diaphragm portion 2 due to a difference in vibration characteristics such as a natural frequency between the two. However, by separating the two, the diaphragm 2 can vibrate as set without being disturbed by the heater assembly 33.

ここで、スペーサ３２は、振動板２１の振動の節にあたる位置で振動板２１を支持するよう、ヒータユニット３１上に配置されることが望ましい。これにより、スペーサ３２が振動板２１から受ける振動を極小にすることができるため、スペーサ３２が振動板２１との干渉によって摩耗することを防ぐことができる。   Here, the spacer 32 is desirably disposed on the heater unit 31 so as to support the diaphragm 21 at a position corresponding to a vibration node of the diaphragm 21. Thereby, since the vibration received by the spacer 32 from the diaphragm 21 can be minimized, the spacer 32 can be prevented from being worn by interference with the diaphragm 21.

超音波発生部４は、超音波振動子４１およびホーン４２を有している。超音波振動子４１は、Ｚ軸方向から見て振動板２１に対してヒータユニット３１と同じ側にあり、ヒータユニット３１よりも振動板２１から離れた位置に配置されている。超音波振動子４１にはホーン４２が接続されており、このホーン４２がヒータユニット３１を突き抜けて、振動板２１に接触している。   The ultrasonic generator 4 includes an ultrasonic transducer 41 and a horn 42. The ultrasonic transducer 41 is on the same side as the heater unit 31 with respect to the diaphragm 21 when viewed from the Z-axis direction, and is disposed at a position farther from the diaphragm 21 than the heater unit 31. A horn 42 is connected to the ultrasonic transducer 41, and the horn 42 penetrates the heater unit 31 and is in contact with the diaphragm 21.

超音波振動子４１は、図示しない発振器からの発振信号に基づいて対象物を励振させるものであり、例えば電極およびピエゾ素子を有するランジュバン型振動子がある。ランジュバン型振動子は、発振器によって電極に駆動電圧が印加されることでピエゾ素子が振動し、所定の振幅および周波数で発振する。このように発振した超音波振動子４１の振動は、ホーン４２を経由して、対象物である振動板２１へ伝播し、振動板２１を振動させる。振動板２１が振動することで、振動板２１から放射音圧が発せられ、この放射音圧によって、振動板２１上にある基板Ｗには上向きの力が加わる。これにより、基板Ｗを振動板２１の上方に所定の浮上量だけ浮上した状態で保持することが可能である。   The ultrasonic transducer 41 excites an object based on an oscillation signal from an oscillator (not shown). For example, there is a Langevin type transducer having an electrode and a piezoelectric element. In the Langevin type vibrator, when a driving voltage is applied to an electrode by an oscillator, the piezoelectric element vibrates and oscillates with a predetermined amplitude and frequency. The vibration of the ultrasonic transducer 41 oscillated in this way propagates to the diaphragm 21 that is the object via the horn 42, and vibrates the diaphragm 21. When the diaphragm 21 vibrates, a radiated sound pressure is generated from the diaphragm 21, and an upward force is applied to the substrate W on the diaphragm 21 by the radiated sound pressure. As a result, the substrate W can be held in a state where it floats above the diaphragm 21 by a predetermined flying height.

また、超音波振動子４１の振動は、発振器から与えられる駆動電圧を制御することで振幅および周波数を調整することができ、これによって振動板２１上で浮上する基板Ｗの浮上量を調整することが可能である。基板Ｗの浮上量は、本実施形態では０．１ｍｍ程度としている。   In addition, the amplitude and frequency of the vibration of the ultrasonic transducer 41 can be adjusted by controlling the drive voltage applied from the oscillator, thereby adjusting the flying height of the substrate W floating on the vibration plate 21. Is possible. The flying height of the substrate W is about 0.1 mm in this embodiment.

ホーン４２は、円柱もしくは複数の円柱をつなげた形状をとっており、片端が超音波振動子４１と接続され、他端が振動板２１に接触しており、超音波振動子４１が発する振動の振幅を増幅もしくは減衰して振動板２１に伝播させる。また、ホーン４２はヒータユニット３１を突き抜ける配置となるため、ホーン４２が配置される位置においてヒータユニット３１には貫通穴もしくは切り欠きが設けられ、ホーン４２との干渉を回避している。   The horn 42 has a shape in which a cylinder or a plurality of cylinders are connected, one end is connected to the ultrasonic transducer 41, the other end is in contact with the vibration plate 21, and vibration of the ultrasonic transducer 41 is emitted. The amplitude is amplified or attenuated and propagated to the diaphragm 21. Further, since the horn 42 is disposed so as to penetrate the heater unit 31, the heater unit 31 is provided with a through hole or notch at a position where the horn 42 is disposed to avoid interference with the horn 42.

また、ホーン４２は、超音波振動子４１と振動板２１との間に設置されることにより、超音波振動子４１をヒータ集合体３３から離間する役割も兼ねている。超音波振動子４１は熱に弱く、加熱されるとピエゾ素子の損傷などの異常が発生するため、ヒータ集合体３３からの熱が超音波振動子４１に伝わらないよう、ホーン４２を用いて超音波振動子４１がヒータ集合体３３から遠ざけてられている。   In addition, the horn 42 also serves to separate the ultrasonic transducer 41 from the heater assembly 33 by being installed between the ultrasonic transducer 41 and the diaphragm 21. Since the ultrasonic transducer 41 is vulnerable to heat and abnormalities such as damage to the piezoelectric element occur when heated, the horn 42 is used to prevent the heat from the heater assembly 33 from being transmitted to the ultrasonic transducer 41. The sound wave oscillator 41 is kept away from the heater assembly 33.

また、本実施形態では、ホーン４２をチタン製とし、熱伝導率を低くしているため、ホーン４２が振動板と接触している端部およびヒータユニット３１と近接する部分において加熱されても、その熱が超音波振動子４１と接続している端部まで伝導しにくくなっている。また、図示しない空冷装置などにより超音波振動子４１を冷却し、さらに、ヒータユニット３１の超音波振動子４１と対向する面には図示しない断熱材を設け、ヒータ集合体３３が超音波振動子４１へ及ぼす影響を極小にしている。   In the present embodiment, the horn 42 is made of titanium and has a low thermal conductivity. Therefore, even if the horn 42 is heated at the end portion in contact with the diaphragm and the portion close to the heater unit 31, The heat is difficult to conduct to the end connected to the ultrasonic transducer 41. Further, the ultrasonic transducer 41 is cooled by an air cooling device (not shown) or the like, and a heat insulating material (not shown) is provided on the surface of the heater unit 31 facing the ultrasonic transducer 41 so that the heater assembly 33 is an ultrasonic transducer. The effect on 41 is minimized.

ここで、本実施形態では、基板Ｗの搬送の妨げにならないことを考慮して、超音波振動子４１をＺ軸方向から見て振動板２１に対してヒータユニット３１と同じ側、すなわち基板Ｗと反対側において振動板２１と接触させているが、基板Ｗと同じ側で接触させても構わない。超音波振動子４１を基板Ｗと同じ側で接触させても、本実施形態のように基板Ｗと反対側で接触させた場合と同様に、基板Ｗを振動浮上させる効果を得ることが可能である。   Here, in the present embodiment, considering that the conveyance of the substrate W is not hindered, the ultrasonic transducer 41 is viewed from the Z-axis direction on the same side as the heater unit 31 with respect to the diaphragm 21, that is, the substrate W. Although it is in contact with the diaphragm 21 on the opposite side, the contact may be made on the same side as the substrate W. Even if the ultrasonic transducer 41 is brought into contact with the same side as the substrate W, it is possible to obtain the effect of causing the substrate W to oscillate and float as in the case where the ultrasonic transducer 41 is brought into contact with the opposite side of the substrate W as in this embodiment. is there.

搬送部５は、ハンド５１および進退機構５２を有している。ハンド５１は、例えばＬ字型のブロックを有し、基板Ｗの角部において基板Ｗの２辺と接触して支持する。ハンド５１は基板Ｗの対角を位置決めして支持ができるよう、基板Ｗ１枚の支持に対して基板Ｗの対角方向に２つ設けられている。また、進退機構５２は、エアシリンダなどの直動機構であり、ハンド５１が取付けられ、基板Ｗの支持時および支持解除時にそれぞれのハンド５１を移動させる。この進退機構５２によって、ハンド５１は基板Ｗの支持時には基板Ｗに接近し、支持解除時には基板Ｗから退避する。ここで、ハンド５１が退避している状態では、基板ＷはＸ軸方向およびＹ軸方向の拘束が解除されている状態であるため、次にハンド５１が接近する時には基板Ｗの位置がずれ、ハンド５１と衝突して基板Ｗおよびハンド５１が破損する可能性がある。この場合、振動板部２に上下動するピンを設け、ハンド５１が退避している時はピンが上昇して基板Ｗの位置を拘束し、基板Ｗが振動板部２上を搬送される時はピンが下降して搬送動作を妨げないようにすると良い。   The transport unit 5 includes a hand 51 and an advance / retreat mechanism 52. The hand 51 has, for example, an L-shaped block, and supports the two sides of the substrate W in contact with the corners of the substrate W. Two hands 51 are provided in the diagonal direction of the substrate W with respect to the support of one substrate W so that the diagonal of the substrate W can be positioned and supported. The advancing / retracting mechanism 52 is a linear motion mechanism such as an air cylinder. The hand 51 is attached to move the respective hands 51 when the substrate W is supported and when the support is released. By this advance / retreat mechanism 52, the hand 51 approaches the substrate W when the substrate W is supported, and retracts from the substrate W when the support is released. Here, in the state where the hand 51 is retracted, the substrate W is in a state where the restraints in the X-axis direction and the Y-axis direction are released. Therefore, when the hand 51 approaches next, the position of the substrate W is shifted. There is a possibility that the substrate W and the hand 51 are damaged by colliding with the hand 51. In this case, a pin that moves up and down is provided on the diaphragm 2, and when the hand 51 is retracted, the pin rises to restrain the position of the substrate W, and the substrate W is transported on the diaphragm 2. The pins should be lowered so as not to interfere with the conveying operation.

また、進退機構５２は図示しないＹ軸方向の走行軸に接続されている。ハンド５１が基板Ｗの角部に接近し、基板Ｗを支持している状態において、この走行軸によりハンド５１および進退機構５２がＹ軸方向に移動することによって、基板ＷがＹ軸方向へ搬送される。   The advance / retreat mechanism 52 is connected to a travel axis in the Y-axis direction (not shown). When the hand 51 approaches the corner of the substrate W and supports the substrate W, the hand 51 and the advancing / retracting mechanism 52 move in the Y-axis direction by this traveling axis, whereby the substrate W is transported in the Y-axis direction. Is done.

ここで、ハンド５１が振動板２１と接触してハンド５１または振動板２１が摩耗することおよびパーティクルが発生することを防ぐために、ハンド５１の下面にエアベアリングを設け、ハンド５１と振動板２１とが一定の間隔を保つようにすると良い。   Here, in order to prevent the hand 51 or the diaphragm 21 from being worn due to contact with the diaphragm 21 and generation of particles, an air bearing is provided on the lower surface of the hand 51, and the hand 51, diaphragm 21, Should be kept at a certain interval.

次に、振動板部２への超音波発生部４の取付け位置について、図１および図２を用いて説明する。   Next, the attachment position of the ultrasonic wave generation unit 4 to the vibration plate unit 2 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

先述の通り、超音波振動子４１からの振動を振動板２１に伝播するために、ホーン４２が振動板２１に接触しており、また、ホーン４２が配置される位置においてヒータユニット３１には貫通穴もしくは切り欠きが設けられている。そのため、振動板２１のホーン４２が接触している箇所およびその近辺では、他の箇所と比べ、ヒータユニット３１からの加熱を受けにくくなり、温度が低くなる。それは基板Ｗを浮上させる側の面でも同じであり、裏面側でホーン４２が接触している箇所およびその近辺では、温度が低くなる。このような箇所にて基板Ｗを加熱すると、他の箇所に比べて十分に加熱することができないため、基板Ｗに乾燥ムラを発生させる可能性がある。   As described above, in order to propagate the vibration from the ultrasonic transducer 41 to the diaphragm 21, the horn 42 is in contact with the diaphragm 21, and the heater unit 31 penetrates at the position where the horn 42 is disposed. There is a hole or notch. For this reason, at the location where the horn 42 of the diaphragm 21 is in contact and in the vicinity thereof, compared to other locations, it is less susceptible to heating from the heater unit 31 and the temperature is lowered. The same applies to the surface on the side where the substrate W is levitated, and the temperature is lowered at and near the position where the horn 42 is in contact with the back surface. If the substrate W is heated at such a location, the substrate W cannot be sufficiently heated as compared with other locations, and thus there is a possibility of causing unevenness of drying on the substrate W.

したがって、本実施形態では、上記のような箇所では基板Ｗを加熱しないようにし、乾燥ムラの発生を防止している。具体的には、図１および図２中に示している、振動板部２の基板Ｗを浮上させる領域Ｒ１、およびその裏面側にあたる領域をＲ２に対して、それらの領域の外部、すなわち、基板Ｗを加熱する領域の外部において振動板２１がホーン４２と接触している。   Therefore, in the present embodiment, the substrate W is not heated in the above-described places to prevent drying unevenness. Specifically, the region R1 that floats the substrate W of the diaphragm portion 2 and the region corresponding to the rear surface side thereof shown in FIGS. 1 and 2 with respect to R2, the outside of these regions, that is, the substrate The diaphragm 21 is in contact with the horn 42 outside the region where W is heated.

次に、複数の振動板部２１の配列方向と基板Ｗの乾燥ムラの発生との関係について、図３を用いて説明する。図３は、振動板２１の配列方向による基板Ｗの加熱特性の違いを表す概略図である。図３（ａ）は、振動板２１同士の継ぎ目が基板搬送方向（Ｙ軸方向）に沿うように振動板２１が配列された場合、図３（ｂ）は、継ぎ目が基板搬送方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に沿うように配列された場合、図３（ｃ）は、継ぎ目が基板搬送方向と直角以外の傾きを有するように配列された場合のものであり、それぞれの図の左側には基板搬送方向と振動板２１の配列方向との関係を表した模式図を、右側には模式図上で表している基板Ｗ上のＡ点およびＢ点の２点における基板温度の変化を表すグラフ（加熱プロファイル）を示している。   Next, the relationship between the arrangement direction of the plurality of diaphragm portions 21 and the occurrence of drying unevenness of the substrate W will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a difference in heating characteristics of the substrate W depending on the arrangement direction of the diaphragms 21. FIG. 3A shows the case where the diaphragm 21 is arranged so that the joint between the diaphragms 21 is along the substrate transport direction (Y-axis direction), and FIG. 3B shows that the joint is orthogonal to the substrate transport direction. When arranged so as to be along the direction (X-axis direction), FIG. 3C is a case where the joints are arranged so as to have an inclination other than a right angle with respect to the substrate transport direction. Is a schematic diagram showing the relationship between the substrate transport direction and the arrangement direction of the diaphragm 21, and the right side shows substrate temperature changes at two points, point A and point B on the substrate W shown in the schematic diagram. The graph (heating profile) to represent is shown.

振動板部２１が複数枚配列されて振動板部２が形成されるとき、ヒータ部３により振動板部２の全面が加熱されたとしても、振動板部２１同士の継ぎ目２２まで他の部分と同じ温度になることは困難であり、大抵、継ぎ目２２の部分の温度は他の部分の温度よりも低くなる。ここで、図３（ａ）のように継ぎ目がＹ軸方向に沿っている場合、基板Ｗ上のＢ点のように、浮上搬送中、常に継ぎ目２２の上を通過する点が存在する。このような点における加熱プロファイルは、図３（ａ）右のグラフに示すように、Ａ点に代表するような継ぎ目２２以外の上を通過する点の加熱プロファイルに比べて低くなってしまう。すなわち、基板Ｗは全面を均一に加熱されず、塗布膜には継ぎ目２２に沿った筋状の乾燥ムラが発生する。   When the diaphragm portion 2 is formed by arranging a plurality of the diaphragm portions 21, even if the entire surface of the diaphragm portion 2 is heated by the heater portion 3, the other portions up to the joint 22 between the diaphragm portions 21 are connected. It is difficult to reach the same temperature, and in most cases, the temperature of the portion of the seam 22 is lower than the temperature of the other portions. Here, when the seam is along the Y-axis direction as shown in FIG. 3A, there is a point that always passes over the seam 22 during the levitation transfer, such as point B on the substrate W. As shown in the graph on the right side of FIG. 3A, the heating profile at such a point is lower than the heating profile at a point that passes over a portion other than the joint 22 as represented by point A. That is, the entire surface of the substrate W is not heated uniformly, and streaky drying unevenness along the joints 22 occurs in the coating film.

これに対し、図３（ｂ）のように継ぎ目２２がＸ軸方向に沿っている場合、Ａ点、Ｂ点ともに同じ加熱状態となる。各点とも継ぎ目２２の上を通過する際に若干基板温度が下がるが、そのタイミングも同時であるため、各点の加熱プロファイルは同一となる。また、この状態においてさらに基板Ｗの搬送速度を等速とすることにより、Ｘ軸方向に並んだＡ点およびＢ点だけでなく基板Ｗ上の全ての点で同一の加熱プロファイルとなることが可能である。   On the other hand, when the joint 22 is along the X-axis direction as shown in FIG. 3B, both the points A and B are in the same heating state. The substrate temperature slightly drops when passing over the joint 22 at each point, but since the timing is also the same, the heating profile at each point is the same. Further, in this state, by making the transport speed of the substrate W constant, it is possible to have the same heating profile not only at the points A and B aligned in the X-axis direction but at all points on the substrate W. It is.

本実施形態では、前述の通り、振動板部２は振動板２１がＹ軸方向に配列されることにより、継ぎ目２２はＸ軸方向に沿って存在している。そのため、図３（ｂ）に示すように基板Ｗ上の全ての点が同一の加熱プロファイルをとることで基板Ｗ全面が均一に加熱され、塗布膜の乾燥ムラを防ぐことが可能である。   In the present embodiment, as described above, the diaphragm 2 has the joints 22 along the X-axis direction by arranging the diaphragms 21 in the Y-axis direction. For this reason, as shown in FIG. 3B, all the points on the substrate W have the same heating profile, whereby the entire surface of the substrate W is heated uniformly, and drying unevenness of the coating film can be prevented.

ここで、図３（ｃ）のように継ぎ目２２の方向がＸ軸方向に沿っていなくても、Ｙ軸方向に対して傾きを有していれば、継ぎ目２２の上しか通過しない点が基板Ｗ上に存在することを回避することが可能である。ただし、図３（ｃ）右のグラフに示すように、継ぎ目２２の上を通過して基板温度が低くなるタイミングは各点で一定にはならず、同一の加熱プロファイルにはならない。これが原因で乾燥ムラが発生する可能性もあるため、継ぎ目２２はＸ軸方向に近い方向（基板搬送方向と略直交する方向）であることが望ましい。   Here, even if the direction of the seam 22 is not along the X-axis direction as shown in FIG. 3C, the substrate passes only on the seam 22 as long as it has an inclination with respect to the Y-axis direction. It is possible to avoid existing on W. However, as shown in the graph on the right side of FIG. 3C, the timing at which the substrate temperature decreases after passing over the joint 22 is not constant at each point, and does not become the same heating profile. Since this may cause uneven drying, it is desirable that the seam 22 is in a direction close to the X-axis direction (a direction substantially orthogonal to the substrate transport direction).

なお、搬送する基板Ｗの面積が小さく、１枚の振動板２１を用いて十分に塗布膜の乾燥が完了するまで加熱できる場合、１枚の振動板２１のみで振動板部２を形成すると良い。そうすることにより、振動板部２１同士の継ぎ目による温度変化を考慮する必要が無くなり、容易に乾燥ムラを防ぐことが可能である。   In addition, when the area of the substrate W to be transported is small and heating can be performed using the single vibration plate 21 until the coating film has been sufficiently dried, the vibration plate portion 2 may be formed using only the single vibration plate 21. . By doing so, it is not necessary to consider the temperature change due to the joint between the diaphragm portions 21, and it is possible to easily prevent drying unevenness.

次に、浮上搬送加熱装置１における基板Ｗの浮上搬送加熱動作のフローについて、図４をもとに説明する。ここで、搬送動作時は振動板部２はすでにヒータ部３によって最高温度まで加熱された状態にあるものとする。また、振動板部２は超音波発生部４によって振動している状態であり、振動板部２上に搬送された基板Ｗはすぐに浮上するものとする。   Next, the flow of the levitation conveyance heating operation of the substrate W in the levitation conveyance heating apparatus 1 will be described with reference to FIG. Here, it is assumed that the diaphragm portion 2 is already heated to the maximum temperature by the heater portion 3 during the transport operation. Moreover, the diaphragm 2 is in a state of being vibrated by the ultrasonic wave generator 4, and the substrate W transported on the diaphragm 2 is assumed to float immediately.

まず、塗布液が塗布された基板Ｗが上流工程より搬送開始位置へ搬入される（ステップＳ１）。基板の搬入方法は、コンベアによるもの、ローダによるものなど、種類は問わない。ここで、この搬送開始位置においては、まだ基板Ｗは振動板部２に差しかかっていなく、基板Ｗを加熱する環境下には無い。この位置では基板Ｗは一定時間停止するため、仮に振動板部２で加熱を開始してしまうと、継ぎ目２２の存在によって乾燥ムラが発生するためである。   First, the substrate W on which the coating liquid has been applied is carried into the conveyance start position from the upstream process (step S1). There are no limitations on the method of loading the substrate, such as using a conveyor or using a loader. Here, at the transfer start position, the substrate W has not yet reached the diaphragm portion 2 and is not in an environment for heating the substrate W. This is because, since the substrate W stops at this position for a certain period of time, if heating is started by the diaphragm portion 2, drying unevenness occurs due to the presence of the joint 22.

次に、進退機構５２によってハンド５１が基板Ｗに接近し、基板Ｗが位置決め、支持される（ステップＳ２）。基板Ｗの位置を拘束するピンを振動板部２に設けている場合、まずハンド５１が基板Ｗに接近して基板Ｗを支持してから、ピンが下降する。   Next, the hand 51 approaches the substrate W by the advance / retreat mechanism 52, and the substrate W is positioned and supported (step S2). In the case where a pin for restraining the position of the substrate W is provided on the diaphragm portion 2, the hand 51 first approaches the substrate W to support the substrate W, and then the pin descends.

次に、図示しない走行軸により、ハンド５１および進退機構５２がＹ軸方向へ等速移動し、それとともに基板ＷがＹ方向へ等速で搬送される。（ステップＳ３）。この移動中、基板Ｗは振動板部２に差しかかり、差しかかった箇所から基板Ｗの加熱乾燥が行われる。   Next, the hand 51 and the advancing / retreating mechanism 52 are moved at a constant speed in the Y-axis direction by a travel axis (not shown), and the substrate W is transported at a constant speed in the Y direction. (Step S3). During this movement, the substrate W reaches the diaphragm portion 2, and the substrate W is heated and dried from the position where the substrate W has reached.

基板Ｗの搬送と同時に加熱乾燥が続けられ、次にハンド５１および進退機構５２が搬送端に到達する（ステップＳ４）。これ以降、次工程への受け渡しのため基板Ｗは一定時間停止する。また、この時点において、基板Ｗの加熱乾燥は完了している。もし、この時点で基板Ｗの加熱乾燥が完了していなければ、振動板部２の継ぎ目２２により、乾燥ムラが発生する可能性がある。したがって、ハンド５１が搬送端に到達するまでに基板の加熱乾燥が完了するよう、等速搬送の速度および搬送距離が設定されている必要がある。   Heating and drying are continued simultaneously with the transport of the substrate W, and then the hand 51 and the advance / retreat mechanism 52 reach the transport end (step S4). Thereafter, the substrate W is stopped for a certain period of time for delivery to the next process. At this time, the drying of the substrate W is completed. If heating and drying of the substrate W is not completed at this time, drying unevenness may occur due to the joint 22 of the diaphragm portion 2. Therefore, it is necessary to set the constant-speed conveyance speed and conveyance distance so that the heating and drying of the substrate is completed before the hand 51 reaches the conveyance end.

次に、ハンド５１が基板Ｗから退避し、基板Ｗの支持が解除される（ステップＳ５）。基板Ｗの位置を拘束するピンを振動板部２に設けている場合、まずピンが上昇して基板Ｗを拘束してから、ハンド５１が退避する。そして、次の受け渡しが行われるまで基板Ｗを拘束する。   Next, the hand 51 is retracted from the substrate W, and the support of the substrate W is released (step S5). In the case where a pin for restraining the position of the substrate W is provided in the diaphragm portion 2, the pin first rises to restrain the substrate W, and then the hand 51 is retracted. Then, the substrate W is restrained until the next delivery is performed.

次に、ハンド５１および進退機構５２が初期位置（ステップＳ１の搬送開始位置にて基板Ｗを支持できる位置）に戻り、次の基板Ｗの搬送への待機状態となる（ステップＳ６）。   Next, the hand 51 and the advance / retreat mechanism 52 return to the initial positions (positions at which the substrate W can be supported at the transfer start position in step S1), and enter a standby state for the next transfer of the substrate W (step S6).

最後に、浮上搬送加熱装置１から次工程へ基板Ｗが受け渡しされることで加熱乾燥工程が終了し、次工程へと基板Ｗが渡される（ステップＳ７）。ここで、基板搬入時と同様、搬出方法の種類は問わない。   Finally, the substrate W is transferred from the levitation conveyance heating apparatus 1 to the next process, whereby the heating and drying process is completed, and the substrate W is transferred to the next process (step S7). Here, the kind of carrying-out method is not ask | required similarly to the time of board | substrate carrying-in.

以上説明した浮上搬送加熱装置によれば、塗布膜に乾燥ムラが形成されることなく基板を加熱乾燥させることができ、また、基板の搬送と加熱乾燥を同時に実施することが可能である。   According to the levitation conveyance heating apparatus described above, the substrate can be heated and dried without forming uneven drying on the coating film, and the conveyance and heating drying of the substrate can be performed simultaneously.

図５は、本発明の浮上搬送加熱装置１を用いた塗布膜焼成ラインの一例である。浮上搬送加熱装置１は、先述の基板乾燥の工程だけでなく、ヒータユニット３１の設定温度をさらに高くして、塗布膜の焼成に適用することも可能である。また、ヒータユニット３１内のカートリッジヒータなどを冷却材に置き換え、ヒータユニット３１を冷却ユニットとして用いることにより、基板Ｗの冷却にも適用可能である。こうすることにより、基板Ｗの乾燥、焼成、冷却の工程を本発明の浮上搬送加熱装置１のみで形成することが可能である。   FIG. 5 is an example of a coating film baking line using the levitation conveyance heating apparatus 1 of the present invention. The levitation conveyance heating apparatus 1 can be applied not only to the above-described substrate drying process, but also to heating the coating film by further increasing the set temperature of the heater unit 31. In addition, by replacing the cartridge heater or the like in the heater unit 31 with a coolant and using the heater unit 31 as a cooling unit, the present invention can also be applied to cooling the substrate W. By doing so, it is possible to form the steps of drying, baking and cooling the substrate W only by the levitation conveyance heating apparatus 1 of the present invention.

また、従来の技術では、これらの工程に対してそれぞれ炉を設けて実施することもあるが、この場合、各炉間の基板の移動にローダの設置が必要となる。これに対し、本発明の浮上搬送加熱装置１を用いた塗布膜焼成ラインでは、ローダ無しで工程間の基板の搬送が可能であるため、ライン長の短縮および装置コストの減縮を行うことが可能である。   In the conventional technique, a furnace is provided for each of these processes. In this case, it is necessary to install a loader to move the substrate between the furnaces. On the other hand, in the coating film baking line using the levitation conveyance heating apparatus 1 of the present invention, the substrate can be conveyed between processes without a loader, so that the line length can be shortened and the apparatus cost can be reduced. It is.

１ 浮上搬送加熱装置
２ 振動板部
３ ヒータ部
４ 超音波発生部
５ 搬送部
６ 基板を浮上させる面
７ 基板を浮上させる面の裏面
２１ 振動板
２２ 継ぎ目
３１ ヒータユニット
３２ スペーサ
３３ ヒータ集合体
４１ 超音波振動子
４２ ホーン
５１ ハンド
５２ 進退機構
Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Levitation conveyance heating apparatus 2 Vibrating plate part 3 Heater part 4 Ultrasonic wave generation part 5 Conveyance part 6 The surface which floats a board | substrate 7 The back surface of the surface which floats a board | substrate 21 Vibrating plate 22 Seam 31 Heater unit 32 Spacer 33 Over heater assembly 41 Sound wave oscillator 42 Horn 51 Hand 52 Advance / retreat mechanism W substrate

Claims (3)

基板を超音波振動浮上させる振動板部と、
前記振動板部を加熱するヒータ部と、
前記振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、
基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、
を備える浮上搬送加熱装置であって、
前記ヒータ部は、前記振動板部の基板を浮上させる面の裏面側に前記振動板部と所定間隔を設けて配置され、
基板の搬送方向と直交する方向の前記振動板部の寸法は同方向の基板の寸法よりも大きく、
前記ヒータ部により前記振動板部が加熱されることにより、浮上搬送中の基板全面が前記振動板部によって加熱されることを特徴とする、浮上搬送加熱装置。 A vibrating plate part for ultrasonically levitating the substrate;
A heater section for heating the diaphragm section;
An ultrasonic generator for applying ultrasonic vibration to the diaphragm,
A transport unit that supports the edge of the substrate and transports the substrate in a direction perpendicular to the floating direction of the substrate;
A levitation conveyance heating device comprising:
The heater part is disposed at a predetermined interval from the diaphragm part on the back side of the surface of the diaphragm part on which the substrate is levitated.
The size of the diaphragm portion in the direction orthogonal to the substrate transport direction is larger than the size of the substrate in the same direction,
The levitation conveyance heating apparatus, wherein the vibration plate portion is heated by the heater portion, whereby the entire surface of the substrate during levitation conveyance is heated by the vibration plate portion. 前記超音波発生部は、超音波振動子およびホーンを有し、前記振動板部の基板を浮上させる領域の裏面側にあたる領域の外部において前記振動板部と接触し、前記振動板部に超音波振動を与え、前記ホーンは、片端が前記振動板部と接触して前記ヒータ部を突き抜けるように設けられ、前記超音波振動子は、前記ホーンの前記振動板部と接触する側と反対側の端部に取りつけられることによって前記ヒータ部から離間されていることを特徴とする、請求項１に記載の浮上搬送加熱装置。 The ultrasonic generator comprises an ultrasonic transducer and a horn, the contact with the diaphragm portion outside the realm falls back side of the realm to float the substrate of the diaphragm portion, the diaphragm portion Ultrasonic vibration is applied , and the horn is provided so that one end of the horn is in contact with the vibration plate portion and penetrates the heater portion, and the ultrasonic vibrator is opposite to the side of the horn in contact with the vibration plate portion. It characterized that you have been separated from the heater unit by being attached to the end on the side, floating transport and heating apparatus according to claim 1. 前記振動板部は、複数の振動板を一方向に連続して配列して形成され、前記振動板同士の継ぎ目は基板の搬送方向と略直交し、前記搬送部は前記振動板部上の基板を等速で搬送することを特徴とする、請求項１または２に記載の浮上搬送加熱装置。   The diaphragm is formed by continuously arranging a plurality of diaphragms in one direction, a joint between the diaphragms is substantially orthogonal to a substrate transport direction, and the transport unit is a substrate on the diaphragm unit. The levitation conveyance heating apparatus according to claim 1, wherein the levitation conveyance heating apparatus is conveyed at a constant speed.
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