JP5868545B2 - 再分配されたデジタルピクセル - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 27
- 238000013139 quantization Methods 0.000 claims description 19
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 9
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
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Description
1)デジタルカウンタ210を表すNビットのワードを夫々の回路から読み出し、ワードをインクリメント及び/又はデクリメントし、列読出ライン185上で信号により伝えられる情報に基づきワードをデジタルカウンタ210に書き戻す;
2)スナップショット事象の間、Nビットのワードをデジタルカウンタ210から読み出し、ワードをスナップショット値として隣接するメモリ位置へ書き込む;
3)他のデジタル信号プロセッシング事象を実行する;且つ/あるいは
4)スナップショットレジスタの値を読み出し、値をROICに関連する出力部へ転送する(すなわち、ピクセル値を読み出す)。
Claims (21)
- ピクセルセルのアレイと、
複数のアナログ−デジタル変換器と、
前記ピクセルセルのアレイから物理的に離れて配置され且つ該ピクセルセルのアレイへ結合される複数のデジタルメモリ素子に含まれる対応する複数のデジタルカウンタと
を有し、
前記ピクセルセルの夫々は、
光電流を受けるよう構成される入力部と、
前記入力部へ結合され、前記光電流から電荷を蓄積するよう構成される蓄電デバイスと、
前記蓄電デバイスへ結合され、前記電荷をアナログ量子化事象信号へ変換するよう構成される量子化回路と
を有し、
前記複数のアナログ−デジタル変換器の夫々は、入力部及び出力部を備え、前記複数のアナログ−デジタル変換器の夫々は、その入力部を介して前記ピクセルセルのうちの少なくとも1つの前記蓄電デバイスへ結合され、夫々の蓄電デバイスにおける残留電荷をデジタル2進値に変換するよう構成され、
前記デジタルカウンタの夫々は、前記ピクセルセルのうちの夫々1つと関連して該夫々1つと通信し、前記ピクセルセルのうちの前記少なくとも1つから前記アナログ量子化事象信号を受信することに応答して、前記ピクセルセルのうちの前記夫々1つから前記アナログ量子化事象信号を受信することに応答してデジタルカウンタ値をインクリメントして記憶するよう構成される、
撮像システム。 - 前記ピクセルセルのアレイを含む読出集積回路チップを更に有する
請求項1に記載の撮像システム。 - 前記複数のデジタルメモリ素子は、前記読出集積回路チップに隣接して配置される、
請求項2に記載の撮像システム。 - 前記読出集積回路チップは、前記ピクセルセルのアレイを含む第1の部分と、該第1の部分とは異なる第2の部分とを備え、該第2の部分は、前記複数のデジタルメモリ素子を含む、
請求項2に記載の撮像システム。 - 前記ピクセルセルの夫々は、衝突する光に応答して前記光電流を生成するよう構成される光検出器を更に有し、
前記デジタルカウンタ値は、前記ピクセルセルのうちの夫々1つの前記光検出器に衝突する光の強さに対応する、
請求項2に記載の撮像システム。 - 前記読出集積回路チップへハイブリッド化される光検出器のアレイを更に有し、
夫々の光検出器は、前記ピクセルセルのアレイのうちの対応するピクセルセルに関連する、
請求項2に記載の撮像システム。 - 前記複数のデジタルメモリ素子は、静的ランダムアクセスメモリ及びレジスタファイルのうちの少なくとも1つを含む、
請求項1に記載の撮像システム。 - 複数のストローブラインを更に有し、該複数のストローブラインの夫々は、前記ピクセルセルのうちの少なくとも1つの前記量子化回路へ結合され、当該ストローブラインが結合されている前記量子化回路へ周期的な時間インターバルでストローブ信号を送信するよう構成される、
請求項1に記載の撮像システム。 - 前記量子化回路は、前記ストローブ信号を受信することに応答して、前記蓄電デバイスにおける前記電荷が所定の閾値を超えるかどうかを決定するよう構成される、
請求項8に記載の撮像システム。 - 前記量子化回路は更に、前記蓄電デバイスにおける前記電荷が前記所定の閾値を超えると決定することに応答して、前記アナログ量子化事象信号を生成するよう構成される、
請求項9に記載の撮像システム。 - 前記蓄電デバイスはキャパシタであり、
前記量子化回路は、前記キャパシタへ結合される電荷除去回路を含む、
請求項1に記載の撮像システム。 - 前記複数のアナログ−デジタル変換器のうちの少なくとも1つからの前記デジタル2進値と、前記複数のデジタルカウンタのうちの少なくとも1つからの前記デジタルカウンタ値とを出力ビデオフレームの少なくとも1つのピクセルに変換するよう構成されるデジタルフォーマッタを更に有する
請求項1に記載の撮像システム。 - ピクセルセルのアレイにおける複数のピクセルの夫々について、当該ピクセルによって生成された電荷を、夫々のピクセルに付随する複数の蓄電デバイスの1つにおいて蓄えるステップと、
夫々の前記蓄電デバイスにおける蓄積された電荷が所定の閾値を超えるかどうかを周期的に決定するステップと、
夫々の前記蓄電デバイスにおける前記蓄積された電荷が前記所定の閾値を超えると決定することに応答して、夫々の前記蓄電デバイスにおいて蓄えられている前記電荷を所定の電荷減少量だけ低減し、デジタルカウンタにおいて蓄えられ且つ夫々のピクセルに関連する複数のデジタルカウンタ値のうちの1つをインクリメントするステップであって、前記デジタルカウンタ値は、前記ピクセルセルのアレイから物理的に離れて配置され且つ該ピクセルセルのアレイへ結合されて前記ピクセルのアレイと通信する複数のデジタルメモリ素子に含まれる、ステップと、
前記複数のピクセルの夫々の前記蓄電デバイスにおける残留電荷をアナログ信号へ周期的に変換するステップと、
夫々のピクセルからの前記アナログ信号を複数のアナログ−デジタル変換器の1つにより夫々のデジタル2進値へ変換するステップであって、前記複数のアナログ−デジタル変換器の夫々は、入力部及び出力部を備え、前記複数のアナログ−デジタル変換器の夫々は、その入力部を介して前記複数のピクセルのうちの対応する1つの夫々の前記蓄電デバイスへ結合される、ステップと
を有する画像検出方法。 - 夫々の前記デジタルカウンタ値及び夫々の前記デジタル2進値のうちの少なくとも1つを出力ビデオフレームにおける複数のピクセルのうちの1つに変換するステップを更に有する
請求項13に記載の画像検出方法。 - 前記出力ビデオフレームを符号化するステップを更に有する
請求項14に記載の画像検出方法。 - 前記ピクセルセルのアレイを含む読出集積回路チップを設けるステップを更に有する
請求項13に記載の画像検出方法。 - 前記読出集積回路チップから離れたチップ上に前記複数のデジタルメモリ素子を設けるステップを更に有する
請求項16に記載の画像検出方法。 - 前記読出集積回路チップの第1の部分に前記ピクセルセルのアレイを設けるステップと、
前記第1の部分とは異なる前記読出集積回路チップの第2の部分に前記複数のデジタルメモリ素子を設けるステップと
を更に有する請求項16に記載の画像検出方法。 - 夫々の前記蓄電デバイスにおける蓄積された電荷が所定の閾値を超えるかどうかを周期的に決定するステップは、複数のクロックサイクルにわたって前記複数のピクセルの夫々について実行される、
請求項13に記載の画像検出方法。 - 夫々のピクセルは、光検出器を有し、
当該方法は、夫々のピクセルについて、前記光検出器に衝突する放射線に応答して前記電荷を生成するステップを有する、
請求項13に記載の画像検出方法。 - 基板上にピクセルセルのアレイを配置するステップと、
前記基板上に、前記ピクセルセルのアレイに隣接して、メモリ素子のアレイを配置するステップと、
前記基板上に、複数のアナログ−デジタル変換回路を配置するステップと
を有し、
夫々のピクセルセルは、光検出器と、該光検出器へ結合されるキャパシタと、該キャパシタへ結合される比較器とを含み、
夫々のメモリ素子は、カウンタと、該カウンタへ結合される蓄積デバイスとを含み、
前記複数のアナログ−デジタル変換回路の夫々は、入力部及び出力部を備え、前記複数のアナログ−デジタル変換回路の夫々は、その入力部を介して前記ピクセルセルのうちの少なくとも1つの前記キャパシタへ結合され、夫々の前記蓄積デバイスにおける残留電荷をデジタル2進値に変換するよう構成される、
読出集積回路チップの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261635751P | 2012-04-19 | 2012-04-19 | |
US61/635,751 | 2012-04-19 | ||
PCT/US2013/037319 WO2013158965A1 (en) | 2012-04-19 | 2013-04-19 | Repartitioned digital pixel |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015518696A JP2015518696A (ja) | 2015-07-02 |
JP2015518696A5 JP2015518696A5 (ja) | 2016-01-14 |
JP5868545B2 true JP5868545B2 (ja) | 2016-02-24 |
Family
ID=48325892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015507211A Active JP5868545B2 (ja) | 2012-04-19 | 2013-04-19 | 再分配されたデジタルピクセル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9154713B2 (ja) |
EP (2) | EP4192026A1 (ja) |
JP (1) | JP5868545B2 (ja) |
IL (1) | IL234706A (ja) |
WO (1) | WO2013158965A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6218799B2 (ja) | 2015-01-05 | 2017-10-25 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
US10070088B2 (en) * | 2015-01-05 | 2018-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capturing apparatus for simultaneously performing focus detection and image generation |
US9647655B2 (en) * | 2015-03-27 | 2017-05-09 | Raytheon Company | Current to frequency converter |
US9621829B1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-04-11 | Raytheon Company | Imaging system unit cell and methods for dynamic range imaging |
US9674471B1 (en) | 2016-03-24 | 2017-06-06 | Raytheon Company | Digital unit cell with bidirectional ripple counter |
US9704907B1 (en) | 2016-04-08 | 2017-07-11 | Raytheon Company | Direct read pixel alignment |
US9854192B2 (en) * | 2016-04-12 | 2017-12-26 | Raytheon Company | Digital unit cell with analog counter element |
FR3050596B1 (fr) * | 2016-04-26 | 2018-04-20 | New Imaging Technologies | Systeme imageur a deux capteurs |
JP6774224B2 (ja) | 2016-05-26 | 2020-10-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US10084976B2 (en) | 2016-11-02 | 2018-09-25 | Raytheon Company | Flux rate unit cell focal plane array |
DE202017007535U1 (de) | 2016-12-30 | 2022-11-03 | Sony Advanced Visual Sensing Ag | Dynamische Vision-Sensor-Architektur |
US10690448B2 (en) | 2017-01-20 | 2020-06-23 | Raytheon Company | Method and apparatus for variable time pulse sampling |
CN107515050B (zh) * | 2017-08-15 | 2019-08-02 | 电子科技大学 | 一种红外焦平面读出电路 |
US10635168B2 (en) | 2017-08-22 | 2020-04-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | MEMS line scanner and silicon photomultiplier based pixel camera for low light large dynamic range eye imaging |
US10419699B1 (en) | 2018-04-05 | 2019-09-17 | Raytheon Company | Method for shift register digital in pixel unit cell |
US11350054B2 (en) * | 2018-05-21 | 2022-05-31 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Dual gain imaging digital pixel memory |
EP3861717A1 (en) * | 2018-10-04 | 2021-08-11 | Raytheon Company | Pumped large full well pixel |
EP3683837B1 (en) | 2019-01-16 | 2022-04-27 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Optical sensor and apparatus comprising an optical sensor |
KR20200098802A (ko) | 2019-02-12 | 2020-08-21 | 삼성전자주식회사 | 디지털 픽셀을 포함하는 이미지 센서 |
US11483506B2 (en) | 2019-05-29 | 2022-10-25 | Raytheon Company | Continuously integrating digital pixel imager |
US10911705B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-02-02 | Raytheon Company | Digital in-pixel read-out integrated circuit including residue-to-counter calibration |
US11557430B2 (en) | 2020-02-19 | 2023-01-17 | Eaton Intelligent Power Limited | Current transformer powered controller |
US11134208B1 (en) | 2020-11-17 | 2021-09-28 | Raytheon Company | Increasing dynamic range of digital pixels by utilizing polling during integration |
US11877079B2 (en) * | 2020-12-22 | 2024-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Time-resolving computational image sensor architecture for time-of-flight, high-dynamic-range, and high-speed imaging |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3969634A (en) | 1975-07-31 | 1976-07-13 | Hughes Aircraft Company | Bucket background subtraction circuit for charge-coupled devices |
US4761606A (en) | 1986-12-22 | 1988-08-02 | General Electric Company | Auto-ranging in electric watthour meter |
US6063168A (en) | 1997-08-11 | 2000-05-16 | Southern Company Services | Electrostatic precipitator |
US6091531A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Differential charge and dump optoelectronic receiver |
US6169444B1 (en) | 1999-07-15 | 2001-01-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | Pulse frequency operation of regulated charge pumps |
US6512411B2 (en) | 1999-08-05 | 2003-01-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Charge pump mode transition control |
US6781434B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Low charge-dump transistor switch |
US6492830B1 (en) | 2001-04-30 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and circuit for measuring charge dump of an individual transistor in an SOI device |
WO2003001567A2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | R3 Logic, Inc. | High resolution, low power, wide dynamic range imager with embedded pixel processor and dram storage |
US20030206236A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Agfa Corporation | CMOS digital image sensor system and method |
US7362365B1 (en) * | 2002-06-26 | 2008-04-22 | Pixim, Inc. | Digital image capture having an ultra-high dynamic range |
US6707410B1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-16 | Micron Technology, Inc. | Digital pixel sensor with a dynamic comparator having reduced threshold voltage sensitivity |
JP2006523074A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-05 | カネスタ インコーポレイテッド | センサのダイナミックレンジを差分拡大する方法及びシステム |
US6977601B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-12-20 | Raytheon Company | Low power current input delta-sigma ADC using injection FET reference |
US7326903B2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-02-05 | Noble Peak Vision Corp. | Mixed analog and digital pixel for high dynamic range readout |
US7692706B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Charge summing in multiple output charge-coupled devices in an image sensor |
US7795650B2 (en) * | 2008-12-09 | 2010-09-14 | Teledyne Scientific & Imaging Llc | Method and apparatus for backside illuminated image sensors using capacitively coupled readout integrated circuits |
US8625012B2 (en) * | 2009-02-05 | 2014-01-07 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Apparatus and method for improving dynamic range and linearity of CMOS image sensor |
US8009077B1 (en) | 2009-06-08 | 2011-08-30 | Cirrus Logic, Inc. | Delta-sigma analog-to-digital converter (ADC) circuit with selectively switched reference |
JP5521721B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 撮像素子およびカメラシステム |
US8629387B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-01-14 | Raytheon Company | Multi-layer sensor chip assembly and method for imaging generating image data with a frame-sum mode and a time-delay integration mode |
US8890052B2 (en) * | 2011-05-03 | 2014-11-18 | Raytheon Company | Shift register with two-phase non-overlapping clocks |
-
2013
- 2013-04-19 US US13/866,066 patent/US9154713B2/en active Active
- 2013-04-19 EP EP23153447.0A patent/EP4192026A1/en active Pending
- 2013-04-19 WO PCT/US2013/037319 patent/WO2013158965A1/en active Application Filing
- 2013-04-19 JP JP2015507211A patent/JP5868545B2/ja active Active
- 2013-04-19 EP EP13721175.1A patent/EP2839636A1/en active Pending
-
2014
- 2014-09-17 IL IL234706A patent/IL234706A/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4192026A1 (en) | 2023-06-07 |
EP2839636A1 (en) | 2015-02-25 |
US20130278804A1 (en) | 2013-10-24 |
JP2015518696A (ja) | 2015-07-02 |
US9154713B2 (en) | 2015-10-06 |
WO2013158965A1 (en) | 2013-10-24 |
IL234706A (en) | 2016-10-31 |
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