JP5864824B2 - Semiconductor wafer holding jig, semiconductor wafer polishing apparatus, and workpiece holding jig - Google Patents

Semiconductor wafer holding jig, semiconductor wafer polishing apparatus, and workpiece holding jig Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer holding jig, a semiconductor wafer polishing apparatus, and a workpiece holding jig.

半導体デバイスを製造する際に、半導体ウエハのポリッシング工程が実行される。ポリッシング工程では、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing)によって半導体ウエハの一方の面又は両面が鏡面状に研磨される。ＣＭＰは、研磨液に含まれる化学成分の作用によって、砥粒による機械的研磨効果を増大させ、平滑な研磨面を効率良く形成する技術である。   When manufacturing a semiconductor device, a polishing process for a semiconductor wafer is performed. In the polishing process, one surface or both surfaces of the semiconductor wafer are polished in a mirror shape by CMP (chemical mechanical polishing). CMP is a technique for efficiently forming a smooth polished surface by increasing the mechanical polishing effect of abrasive grains by the action of chemical components contained in a polishing liquid.

ＣＭＰでは、治具に保持された半導体ウエハの一方の面又は両面に研磨布を押し当て、研磨布に研磨液を注ぎながら、半導体ウエハと研磨布とを相対運動させて半導体ウエハを研磨する。半導体ウエハを保持する方法としては、ワックスを用いる保持方法や、テンプレートを用いるワックスレスの保持方法（例えば、特許文献１参照）がある。テンプレートを用いる保持方法では、次のようにして半導体ウエハを保持する。   In CMP, a semiconductor wafer is polished by pressing a polishing cloth against one or both surfaces of a semiconductor wafer held by a jig and moving the semiconductor wafer and the polishing cloth relative to each other while pouring a polishing liquid onto the polishing cloth. As a method for holding a semiconductor wafer, there are a holding method using wax and a waxless holding method using a template (for example, see Patent Document 1). In the holding method using the template, the semiconductor wafer is held as follows.

まず、合成樹脂等により形成された支持プレートの一方の面にバックパッドを介してテンプレートを貼着する。バックパッドは吸水性を有する弾性体層を含んでおり、この弾性体層に水を含浸させる。テンプレートは半導体ウエハよりも若干薄く形成されており、１つ又は複数の貫通孔を有する。この貫通孔に半導体ウエハを収容し、半導体ウエハの一方の面をバックパッドに圧接してバックパッドに含まれている水を搾り出す。その際に発生する水の負圧と表面張力とにより半導体ウエハがバックパッドに吸着される。   First, a template is attached to one surface of a support plate made of synthetic resin or the like via a back pad. The back pad includes an elastic layer having water absorption, and this elastic layer is impregnated with water. The template is formed slightly thinner than the semiconductor wafer and has one or more through holes. A semiconductor wafer is accommodated in the through hole, and one surface of the semiconductor wafer is pressed against the back pad to squeeze out water contained in the back pad. The semiconductor wafer is adsorbed to the back pad by the negative pressure and surface tension of water generated at that time.

次に、テンプレートの貫通孔から突出した半導体ウエハの他方の面を定盤に固着された研磨布に押し当てる。そして、研磨布に研磨液を供給しながら定盤を回転させ、研磨液に含まれる化学的成分と砥粒との複合作用により半導体ウエハを鏡面状に研磨する。   Next, the other surface of the semiconductor wafer protruding from the through hole of the template is pressed against a polishing cloth fixed to the surface plate. Then, the surface plate is rotated while supplying the polishing liquid to the polishing cloth, and the semiconductor wafer is polished into a mirror surface by the combined action of the chemical components contained in the polishing liquid and the abrasive grains.

特開平０９−３２１００１号公報JP 09-32001 A

しかしながら、ワックスレス保持方法の場合、１種類のテンプレートでは、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対応できない場合がある。すなわち、テンプレートの貫通孔からの半導体ウエハの突出量は半導体ウエハの厚みによって変化するため、テンプレートが１種類しかない場合、テンプレートの貫通孔からの半導体ウエハの突出量がテンプレートの厚みに対して大き過ぎると、半導体ウエハを安定して保持できなくなる。一方、テンプレートの貫通孔からの半導体ウエハの突出量がテンプレートの厚みに対して小さ過ぎると、研磨布がテンプレートに接触する等の不具合が生じる。   However, in the case of the waxless holding method, one type of template may not be able to handle a plurality of types of semiconductor wafers having different thicknesses. That is, since the protrusion amount of the semiconductor wafer from the through hole of the template varies depending on the thickness of the semiconductor wafer, when there is only one type of template, the protrusion amount of the semiconductor wafer from the through hole of the template is larger than the thickness of the template. If it is too long, the semiconductor wafer cannot be stably held. On the other hand, if the amount of protrusion of the semiconductor wafer from the through hole of the template is too small with respect to the thickness of the template, problems such as contact of the polishing cloth with the template occur.

半導体ウエハの厚みに応じて厚みの異なる複数種類のテンプレートを準備すれば、上記の問題を解消することができるが、その場合、テンプレートの作製費用が嵩むため、コストが増大するという問題が生じる。   If a plurality of types of templates having different thicknesses are prepared in accordance with the thickness of the semiconductor wafer, the above problem can be solved. However, in this case, the cost for producing the template increases, resulting in an increase in cost.

本発明は上記事情に鑑みて創案されたものであり、その目的は、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対応することができ、かつコストの増大を抑制することができる半導体ウエハ保持用冶具を提供することにある。   The present invention was devised in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer holding jig capable of dealing with a plurality of types of semiconductor wafers having different thicknesses and suppressing an increase in cost. It is to provide.

本発明による第１の態様は、半導体ウエハを保持する半導体ウエハ保持用冶具であって、冶具本体と、アダプターとを備え、前記治具本体は、前記半導体ウエハを収容する有底の収容孔を有し、前記アダプターは、前記収容孔の底部に配置され、前記半導体ウエハを前記収容孔から所定量突出させる。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer holding jig for holding a semiconductor wafer, comprising a jig main body and an adapter, wherein the jig main body has a bottomed receiving hole for receiving the semiconductor wafer. And the adapter is disposed at the bottom of the accommodation hole, and projects the semiconductor wafer from the accommodation hole by a predetermined amount.

本発明による半導体ウエハ保持用冶具は、アダプターを交換することにより、治具本体の収容孔からの半導体ウエハの突出量を変更することができるため、厚みが異なる複数種類の半導体ウエハに１種類の治具本体で対応することができる。アダプターの作製費用は治具本体の作製費用よりも安価であるため、複数種類の治具本体を作製する場合と比べてコストの増大を抑制することができる。   The semiconductor wafer holding jig according to the present invention can change the protrusion amount of the semiconductor wafer from the accommodation hole of the jig body by exchanging the adapter. It can be handled by the jig body. Since the production cost of the adapter is lower than the production cost of the jig body, an increase in cost can be suppressed as compared with the case of producing a plurality of types of jig bodies.

ある実施形態において、前記アダプターは前記収容孔に嵌合し、前記収容孔に対する前記収容孔の軸線周りの前記アダプターの回転が抑止されるように形成される。この場合、アダプターに固定された半導体ウエハの治具本体に対する回転が抑止されるため、半導体ウエハの加工性が向上する。   In one embodiment, the adapter is formed so as to fit into the accommodation hole and to prevent rotation of the adapter around the axis of the accommodation hole with respect to the accommodation hole. In this case, since the rotation of the semiconductor wafer fixed to the adapter with respect to the jig body is suppressed, the workability of the semiconductor wafer is improved.

ある実施形態において、前記治具本体は支持部材に積層され、前記治具本体を積層方向と直交する方向に前記支持部材に対して位置決めするストッパーを備えることができる。この場合、治具本体が積層方向と直交する方向に支持部材に対して位置ずれすることを抑制できる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハの歩留まり率が向上する。   In one embodiment, the jig main body may be provided with a stopper that is stacked on a support member and that positions the jig main body with respect to the support member in a direction perpendicular to the stacking direction. In this case, it is possible to prevent the jig body from being displaced with respect to the support member in the direction orthogonal to the stacking direction. Therefore, the generation of defective products is suppressed and the yield rate of the semiconductor wafer is improved.

ある実施形態において、前記収容孔の内周面は前記収容孔の軸線に対して傾斜しており、前記収容孔の底部側の径は前記収容孔の開口側の径よりも大きい。この場合、収容孔の内周面が軸線と平行である場合と比べて半導体ウエハが収容孔から離脱しにくくなる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハの歩留まり率が向上する。   In one embodiment, the inner peripheral surface of the receiving hole is inclined with respect to the axis of the receiving hole, and the diameter of the bottom side of the receiving hole is larger than the diameter of the opening side of the receiving hole. In this case, the semiconductor wafer is less likely to be detached from the accommodation hole than when the inner peripheral surface of the accommodation hole is parallel to the axis. Therefore, the generation of defective products is suppressed and the yield rate of the semiconductor wafer is improved.

ある実施形態において、前記治具本体における前記収容孔の開口側の外周角部に、全周に亘って面取り部を形成することができる。この場合、半導体ウエハ保持用冶具の外周角部が研磨布に引っ掛かりにくくなるので、研磨布の傷みを抑制することができる。したがって、研磨布のライフサイクルが長くなり、メンテナンス回数が低減する。その結果、ランニングコストが低減する。   In one embodiment, a chamfered portion can be formed over the entire circumference at the outer peripheral corner of the jig body on the opening side of the accommodation hole. In this case, since the outer peripheral corner portion of the semiconductor wafer holding jig is not easily caught by the polishing cloth, the polishing cloth can be prevented from being damaged. Therefore, the life cycle of the polishing cloth is lengthened and the number of maintenance is reduced. As a result, the running cost is reduced.

ある実施形態において、前記治具本体は、テンプレートと、前記テンプレートの一方の面に積層されるバックパッドとを備え、前記テンプレートは、厚み方向に貫通する貫通孔を有し、前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含むものとすることができる。   In one embodiment, the jig body includes a template and a back pad laminated on one surface of the template, the template has a through-hole penetrating in a thickness direction, and the back pad includes: An elastic layer having water absorption can be included.

ある実施形態において、前記テンプレートを炭素繊維により形成することができる。この場合、従来のガラスエポキシ製のテンプレートと比べて、強度、耐熱性、及び耐酸性が高くなるため、高温下での寸法変化が小さくなる。したがって、テンプレートの薄型化や貫通孔の大径化を図っても、必要な強度を確保し易く、半導体ウエハの薄型化や大径化に対応し易い。   In one embodiment, the template can be formed of carbon fibers. In this case, since the strength, heat resistance, and acid resistance are higher than those of the conventional glass epoxy template, the dimensional change under high temperature is reduced. Therefore, even if the template is thinned and the through-holes are increased in diameter, it is easy to ensure the required strength, and the semiconductor wafer is easily reduced in thickness and diameter.

また、本発明の第２の態様は、第１の態様の半導体ウエハ保持用冶具と、前記半導体ウエハの一方の面又は両面を研磨する研磨手段とを備える半導体ウエハ研磨装置である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer polishing apparatus comprising the semiconductor wafer holding jig of the first aspect and a polishing means for polishing one or both surfaces of the semiconductor wafer.

本発明による半導体ウエハ研磨装置は、アダプターを交換することにより、治具本体の収容孔からの半導体ウエハの突出量を変更することができるため、厚みが異なる複数種類の半導体ウエハに１種類の治具本体で対応することができる。アダプターの作製費用は治具本体の作製費用よりも安価であるため、複数種類の治具本体を作製する場合と比べてコストの増大を抑制することができる。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to the present invention can change the protrusion amount of the semiconductor wafer from the accommodation hole of the jig main body by exchanging the adapter. It can be handled by the tool body. Since the production cost of the adapter is lower than the production cost of the jig body, an increase in cost can be suppressed as compared with the case of producing a plurality of types of jig bodies.

また、本発明の第３の態様は、ワークを保持するワーク保持用冶具であって、冶具本体と、アダプターとを備え、前記治具本体は、前記ワークを収容する有底の収容孔を有し、前記アダプターは、前記収容孔の底部に配置され、前記ワークを前記収容孔から所定量突出させる。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a work holding jig for holding a work, comprising a jig main body and an adapter, wherein the jig main body has a bottomed receiving hole for receiving the work. And the said adapter is arrange | positioned at the bottom part of the said accommodation hole, and makes the said workpiece project a predetermined amount from the said accommodation hole.

本発明によるワーク保持用冶具は、アダプターを交換することにより、治具本体の収容孔からのワークの突出量を変更することができるため、厚みが異なる複数種類の半導体ウエハに１種類の治具本体で対応することができる。アダプターの作製費用は治具本体の作製費用よりも安価であるため、複数種類の治具本体を作製する場合と比べてコストの増大を抑制することができる。   The workpiece holding jig according to the present invention can change the protrusion amount of the workpiece from the accommodation hole of the jig body by exchanging the adapter, so that one kind of jig is provided for plural types of semiconductor wafers having different thicknesses. It can be handled by the main body. Since the production cost of the adapter is lower than the production cost of the jig body, an increase in cost can be suppressed as compared with the case of producing a plurality of types of jig bodies.

本発明によれば、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対応することができ、かつ生産コストの増大を抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can respond to the multiple types of semiconductor wafer from which thickness differs, and can suppress the increase in production cost.

半導体ウエハの加工方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the processing method of a semiconductor wafer. 本発明の第１実施形態に係る半導体研磨装置を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a semiconductor polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図２に示される半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the principal part of the semiconductor polishing apparatus shown by FIG. 図２に示される半導体研磨装置の要部を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the principal part of the semiconductor polishing apparatus shown by FIG. 本発明の第２実施形態に係る半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the principal part of the semiconductor polishing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係るテンプレート及び支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the template and support plate which concern on 3rd Embodiment of this invention. 図６に示されるテンプレートと支持プレートとをアセンブリした状態を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a state where the template and the support plate shown in FIG. 6 are assembled.

以下、図面を参照して本発明の第１実施形態を説明する。本実施形態の説明に先立って、図１を参照して半導体ウエハの加工方法を説明する。図１は半導体ウエハの加工方法を示すフローチャートである。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Prior to the description of this embodiment, a semiconductor wafer processing method will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a flowchart showing a semiconductor wafer processing method.

図１に示すように、まず、ステップＳ１０において、円柱状のインゴットをスライスして円盤状の半導体ウエハを得る。次に、ステップＳ２０において、半導体ウエハの周縁部の割れや欠けを防ぐために半導体ウエハの周縁部を面取りする。次に、ステップＳ３０において、半導体ウエハの両面又は一方の面をグラインダでラッピングして半導体ウエハの厚みを所定の大きさにする。次に、ステップＳ４０において、半導体ウエハをエッチングして、ラッピングにより発生した加工歪みを除去する。そして、ステップＳ５０において、半導体ウエハの一方の面又は両面をポリッシングして鏡面状にする。最後に、ステップＳ６０において、半導体ウエハを薬液で洗浄してパーティクル等の不純物を除去する。   As shown in FIG. 1, first, in step S10, a cylindrical ingot is sliced to obtain a disk-shaped semiconductor wafer. Next, in step S20, the peripheral portion of the semiconductor wafer is chamfered to prevent cracking or chipping of the peripheral portion of the semiconductor wafer. Next, in step S30, both or one surface of the semiconductor wafer is lapped with a grinder so that the thickness of the semiconductor wafer becomes a predetermined size. Next, in step S40, the semiconductor wafer is etched to remove processing distortion caused by lapping. In step S50, one surface or both surfaces of the semiconductor wafer are polished into a mirror surface. Finally, in step S60, the semiconductor wafer is washed with a chemical solution to remove impurities such as particles.

本実施形態の半導体研磨装置は、例えば図１のステップＳ５０のポリッシング工程において使用される。図２は本発明の第１実施形態に係る半導体研磨装置１０を示す断面図である。   The semiconductor polishing apparatus of this embodiment is used, for example, in the polishing process of step S50 in FIG. FIG. 2 is a sectional view showing the semiconductor polishing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention.

図２に示すように、半導体研磨装置１０は、研磨手段１５と、複数のウエハ保持具４０（１つのみ図示）とを備える。研磨手段１５は、円盤状の定盤２０と、定盤２０の上面に貼着された研磨布３０とを備える。   As shown in FIG. 2, the semiconductor polishing apparatus 10 includes a polishing unit 15 and a plurality of wafer holders 40 (only one is shown). The polishing means 15 includes a disk-shaped surface plate 20 and a polishing cloth 30 attached to the upper surface of the surface plate 20.

定盤２０は鉛直な回転軸２１の上端に固着され、水平に支持されている。回転軸２１はモータに連結されており、当該モータによって定盤２０は中心軸周りに回転する。   The surface plate 20 is fixed to the upper end of the vertical rotating shaft 21 and is supported horizontally. The rotating shaft 21 is connected to a motor, and the surface plate 20 is rotated around the central axis by the motor.

研磨布３０は定盤２０の上面に固定手段を介して貼着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。研磨布３０の材質は特に限定されないが、例えば研磨布３０として、粗研磨ではニッタ・ハース株式会社製のSUBA（登録商標）、ファイナル研磨ではシーガル株式会社製の製品を用いることができる。   The polishing pad 30 is attached to the upper surface of the surface plate 20 via a fixing means. As the fixing means, for example, an adhesive such as a heat-resistant epoxy adhesive or a double-sided tape can be used. The material of the polishing pad 30 is not particularly limited. For example, as the polishing pad 30, SUBA (registered trademark) manufactured by Nita Haas Co., Ltd. can be used for rough polishing, and a product manufactured by Seagull Co., Ltd. can be used for final polishing.

ウエハ保持具４０は、プレート保持部４１と、支持部材としての支持プレート４２と、治具本体４６と、アダプター５０とを備える。   The wafer holder 40 includes a plate holder 41, a support plate 42 as a support member, a jig body 46, and an adapter 50.

プレート保持部４１は、金属等によってカップ状に形成されている。プレート保持部４１は、開口を下に向けた状態で鉛直なシャフト４５の下端に固着され、水平に支持されている。   The plate holding part 41 is formed in a cup shape from metal or the like. The plate holding part 41 is fixed to the lower end of the vertical shaft 45 with the opening facing downward, and is supported horizontally.

図３及び図４を参照して支持プレート４２と治具本体４６とアダプター５０の詳細を説明する。図３は半導体研磨装置１０の要部を示す分解斜視図であり、図４は半導体研磨装置１０の要部を示す拡大図である。   The details of the support plate 42, the jig body 46, and the adapter 50 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is an exploded perspective view showing the main part of the semiconductor polishing apparatus 10, and FIG. 4 is an enlarged view showing the main part of the semiconductor polishing apparatus 10.

支持プレート４２は円盤状に形成されており、合成樹脂等により形成される。支持プレート４２の一方の面４２ａは固定手段を介してプレート保持部４１に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤を用いることができる。   The support plate 42 is formed in a disc shape and is formed of synthetic resin or the like. One surface 42a of the support plate 42 is fixed to the plate holding part 41 through a fixing means. As the fixing means, for example, an adhesive such as a heat-resistant epoxy adhesive can be used.

治具本体４６は半導体ウエハＷを収容する有底の収容孔４６ａを有する。治具本体４６はバックパッド４３とテンプレート４４とを含む。バックパッド４３は円盤状に形成されており、吸水性を有する弾性体層を含む。弾性体層は、例えば発泡ウレタン樹脂により形成される。バックパッド４３の一方の面４３ａは固定手段を介して支持プレート４２の他方の面４２ｂに固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。   The jig body 46 has a bottomed accommodation hole 46 a for accommodating the semiconductor wafer W. The jig body 46 includes a back pad 43 and a template 44. The back pad 43 is formed in a disc shape and includes an elastic layer having water absorption. The elastic body layer is formed of, for example, a urethane foam resin. One surface 43a of the back pad 43 is fixed to the other surface 42b of the support plate 42 through fixing means. As the fixing means, for example, an adhesive such as a heat-resistant epoxy adhesive or a double-sided tape can be used.

テンプレート４４の材質は特に限定されないが、本実施形態では、テンプレート４４はカーボングラファイトにより形成されている。テンプレート４４はバックパッド４３を介して支持プレート４２の他方の面４２ｂに積層される。テンプレート４４は固定手段を介してバックパッド４３に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。   Although the material of the template 44 is not specifically limited, In this embodiment, the template 44 is formed of carbon graphite. The template 44 is laminated on the other surface 42 b of the support plate 42 through the back pad 43. The template 44 is fixed to the back pad 43 through fixing means. As the fixing means, for example, an adhesive such as a heat-resistant epoxy adhesive or a double-sided tape can be used.

テンプレート４４は厚み方向に貫通する複数の貫通孔４４ａを有する。貫通孔４４ａの一方の開口はバックパッド４３の他方の面４３ｂによって塞がれている。貫通孔４４ａの直径は半導体ウエハＷの直径よりも若干大きく、貫通孔４４ａは半導体ウエハＷを嵌脱自在に収容する。貫通孔４４ａとバックパッド４３の他方の面４３ｂとによって収容孔４６ａが構成されている。なお、テンプレート４４の厚みは、半導体ウエハＷの厚みとアダプター５０の厚みとの和よりも若干小さい。   The template 44 has a plurality of through holes 44a penetrating in the thickness direction. One opening of the through hole 44 a is blocked by the other surface 43 b of the back pad 43. The diameter of the through-hole 44a is slightly larger than the diameter of the semiconductor wafer W, and the through-hole 44a accommodates the semiconductor wafer W in a freely detachable manner. An accommodation hole 46 a is configured by the through hole 44 a and the other surface 43 b of the back pad 43. The thickness of the template 44 is slightly smaller than the sum of the thickness of the semiconductor wafer W and the thickness of the adapter 50.

アダプター５０は、金属や合成樹脂等により円盤状に形成されている。アダプター５０は、固定手段を介して半導体ウエハＷの一方の面Ｗａに着脱可能に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。貫通孔４４ａに半導体ウエハＷとアダプター５０とが収容されると、半導体ウエハＷがテンプレート４４の一方の面４４ｂから所定量（例えば、５０μｍ〜１００μｍ）突出する。   The adapter 50 is formed in a disk shape from metal, synthetic resin, or the like. The adapter 50 is detachably fixed to one surface Wa of the semiconductor wafer W through a fixing means. As the fixing means, for example, an adhesive such as a heat-resistant epoxy adhesive or a double-sided tape can be used. When the semiconductor wafer W and the adapter 50 are accommodated in the through hole 44a, the semiconductor wafer W protrudes from the one surface 44b of the template 44 by a predetermined amount (for example, 50 μm to 100 μm).

ガラスエポキシ製のテンプレートでは、半導体ウエハを収容する貫通孔はプレス加工で形成される。その場合、貫通孔の内周面は貫通孔の軸線に対して略平行となる。一方、本実施形態のテンプレート４４は加工性に優れたカーボングラファイトで形成されているため、貫通孔４４ａの内周面４４ａａをＮＣ加工によって貫通孔４４の軸線Ｃ．Ｌに対して傾斜させることができる。その結果、半導体ウエハＷの離脱をより確実に抑制できる。   In a glass epoxy template, a through hole that accommodates a semiconductor wafer is formed by pressing. In that case, the inner peripheral surface of the through hole is substantially parallel to the axis of the through hole. On the other hand, since the template 44 of the present embodiment is formed of carbon graphite having excellent workability, the axis C.D. of the through hole 44 is formed by NC machining on the inner peripheral surface 44aa of the through hole 44a. Can be inclined with respect to L. As a result, the separation of the semiconductor wafer W can be more reliably suppressed.

貫通孔４４ａの内周面４４ａａを軸線Ｃ．Ｌに対して角度α傾斜させ、貫通孔４４ａにおけるバックパッド４３側の開口４４ａｂの径（収容孔４６ａの底部側の径）を、貫通孔４４ａにおけるバックパッド４３と背反する側の開口４４ａｃの径（収容孔４６ａの開口側の径）よりも大きくすることができる。このようにすると、内周面４４ａａが軸線Ｃ．Ｌと平行である場合と比べて半導体ウエハＷが貫通孔４４ａから離脱しにくくなる。角度αは特に限定されないが、例えば１０°≦α≦２０°とすることができる。   The inner circumferential surface 44aa of the through hole 44a is aligned with the axis C.D. The diameter of the opening 44ab on the back pad 43 side in the through hole 44a (the diameter on the bottom side of the accommodation hole 46a) in the through hole 44a is set to be the diameter of the opening 44ac on the side opposite to the back pad 43 in the through hole 44a. It can be made larger than (the diameter of the opening side of the accommodation hole 46a). In this way, the inner peripheral surface 44aa is aligned with the axis C.V. The semiconductor wafer W is less likely to be detached from the through hole 44a as compared with the case where it is parallel to L. The angle α is not particularly limited, but may be, for example, 10 ° ≦ α ≦ 20 °.

また、本実施形態では、テンプレート４４におけるバックパッド４３と背反する側（収容孔４６ａの開口の側）の外周角部４４ｃに、全周に亘って面取り部４４ｄが形成されている。このようにすると、外周角部４４ｃが研磨布３０に引っ掛かりにくくなるので、研磨布３０（図２参照）の傷みを抑制することができる。その結果、研磨布３０のライフサイクルが長くなり、メンテナンス回数が低減するため、ランニングコストが低減する。なお、面取り部４４ｄは平面でも曲面でもよい。   In the present embodiment, a chamfered portion 44d is formed on the outer peripheral corner portion 44c of the template 44 on the side opposite to the back pad 43 (opening side of the accommodation hole 46a) over the entire circumference. If it does in this way, since it becomes difficult to catch the outer periphery corner | angular part 44c on the polishing pad 30, the damage | wound of the polishing pad 30 (refer FIG. 2) can be suppressed. As a result, the life cycle of the polishing pad 30 is lengthened and the number of maintenance is reduced, so that the running cost is reduced. The chamfered portion 44d may be flat or curved.

次に、図２〜図４を参照して半導体研磨装置１０の使用方法を説明する。まず、ウエハ保持具４０のバックパッド４３に水を含浸させる。次に、半導体ウエハＷを固着したアダプター５０を治具本体４６の複数の収容孔４６ａの各々に収容し、アダプター５０をバックパッド４３に圧接する。その結果、バックパッド４３に含まれている水が搾り出され、その際に発生する水の負圧と表面張力とによりアダプター５０がバックパッド４３に吸着されて保持される。   Next, a method for using the semiconductor polishing apparatus 10 will be described with reference to FIGS. First, the back pad 43 of the wafer holder 40 is impregnated with water. Next, the adapter 50 to which the semiconductor wafer W is fixed is accommodated in each of the plurality of accommodation holes 46 a of the jig body 46, and the adapter 50 is pressed against the back pad 43. As a result, the water contained in the back pad 43 is squeezed out, and the adapter 50 is adsorbed and held by the back pad 43 due to the negative pressure and surface tension of the water generated at that time.

次に、収容孔４６ａから突出した半導体ウエハＷの他方の面Ｗｂを定盤２０に固着された研磨布３０に押し当てる。そして、研磨布３０に研磨液を供給しながら定盤２０を回転させることにより、半導体ウエハＷの他方の面Ｗｂを鏡面状に研磨する。研磨液としては、例えば、水とダイヤモンド砥粒とを混合したスラリーを用いることができる。   Next, the other surface Wb of the semiconductor wafer W protruding from the accommodation hole 46 a is pressed against the polishing pad 30 fixed to the surface plate 20. Then, the other surface Wb of the semiconductor wafer W is polished into a mirror shape by rotating the surface plate 20 while supplying the polishing liquid to the polishing cloth 30. As the polishing liquid, for example, a slurry in which water and diamond abrasive grains are mixed can be used.

半導体ウエハＷとは厚みの異なる半導体ウエハを研磨する場合には、アダプター５０を厚みが異なるアダプターに変更することで、半導体ウエハのテンプレート４４からの突出量を本実施形態と同じ大きさにすることができる。したがって、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対して１種類のテンプレート４４で対応することができる。また、半導体ウエハＷのテンプレート４４からの突出量を調整する場合には、アダプター５０を厚みが異なるアダプターに変更すればよい。さらに、１枚のテンプレートで厚みが異なる複数枚の半導体ウエハを保持する場合には、厚みが異なるアダプターを使用することで、全ての半導体ウエハのテンプレートからの突出量を同じ大きさにすることができる。   When polishing a semiconductor wafer having a thickness different from that of the semiconductor wafer W, the amount of protrusion of the semiconductor wafer from the template 44 is made the same as that of the present embodiment by changing the adapter 50 to an adapter having a different thickness. Can do. Therefore, one type of template 44 can cope with a plurality of types of semiconductor wafers having different thicknesses. Further, when adjusting the amount of protrusion of the semiconductor wafer W from the template 44, the adapter 50 may be changed to an adapter having a different thickness. Furthermore, when holding a plurality of semiconductor wafers having different thicknesses in one template, the amount of protrusion from the template of all the semiconductor wafers can be made the same size by using adapters having different thicknesses. it can.

なお、アダプター５０は、テンプレート４４の貫通孔４４ａの内周面４４ａａの加工のような高精度の加工が不要であるため、ＮＣ加工で作製する必要がなく、打ち抜き加工で作製できる。したがって、アダプター５０はテンプレート４４よりも安価に作製できる。その結果、半導体ウエハの厚みに応じてテンプレート４４を複数種類作製するよりも、アダプター５０を複数種類作製する方が、コストの増大を抑制できる。   Note that the adapter 50 does not require high-precision processing such as processing of the inner peripheral surface 44aa of the through-hole 44a of the template 44, and thus it is not necessary to prepare it by NC processing and can be manufactured by punching. Therefore, the adapter 50 can be manufactured at a lower cost than the template 44. As a result, it is possible to suppress an increase in cost by producing a plurality of types of adapters 50 rather than producing a plurality of types of templates 44 according to the thickness of the semiconductor wafer.

さらに、アダプター５０を用いることで、半導体ウエハＷがテンプレート４４とバックパッド４３との間に入り込んで半導体ウエハＷやバックパッド４３が損傷することを抑制できる。   Furthermore, by using the adapter 50, it is possible to prevent the semiconductor wafer W from entering between the template 44 and the back pad 43 and damaging the semiconductor wafer W and the back pad 43.

なお、テンプレート４４はカーボングラファイトで形成されているため、従来のガラスエポキシ製のテンプレートに比べて、強度、耐熱性及び耐酸性が高い。すなわち、グラファイトは耐熱性、熱伝導性が高く、急激な熱変化に耐えることができ、高温下で強度が増すため、高温下での貫通孔４４ａの寸法変化が小さい。また、グラファイトは精密な機械加工ができるため、貫通孔４４ａを高精度に形成できる。したがって、貫通孔４４ａの内周面４４ａａと半導体ウエハＷの外周部との隙間を小さくして半導体ウエハＷの貫通孔４４ａ内での移動を抑制することができる。また、グラファイトは、ほとんどの酸やアルカリに耐えることができ、ガラス、石英、ほとんどの融解金属と反応しない。さらに、グラファイトは摺動性が高く、半導体ウエハＷとの間で摩擦が生じにくいため、貫通孔４４ａが変形しにくい。したがって、テンプレート４４の薄型化や貫通孔４４ａの大径化を図っても、必要な強度を確保し易く、半導体ウエハＷの薄型化や大径化に対応し易い。   Since the template 44 is made of carbon graphite, it has higher strength, heat resistance, and acid resistance than a conventional glass epoxy template. That is, graphite has high heat resistance and thermal conductivity, can withstand rapid thermal changes, and increases in strength at high temperatures, so that the dimensional change of the through holes 44a at high temperatures is small. In addition, since graphite can be precisely machined, the through hole 44a can be formed with high accuracy. Therefore, the gap between the inner peripheral surface 44aa of the through hole 44a and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W can be reduced to suppress the movement of the semiconductor wafer W in the through hole 44a. Graphite can also withstand most acids and alkalis and does not react with glass, quartz, or most molten metals. Furthermore, since graphite has high slidability and friction does not easily occur with the semiconductor wafer W, the through hole 44a is not easily deformed. Therefore, even if the template 44 is thinned and the through-hole 44a is increased in diameter, it is easy to ensure the required strength, and the semiconductor wafer W can be easily reduced in thickness and diameter.

次に、図５を参照して本発明の第２実施形態を説明する。図５は本発明の第２実施形態に係る半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。なお、本実施形態において、図２〜図４に示される第１実施形態に対応する部分には同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an exploded perspective view showing a main part of a semiconductor polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the same reference numerals are used for portions corresponding to the first embodiment shown in FIGS.

本実施形態では、テンプレート４４’の貫通孔４４’ａが矩形状に形成されている。また、アダプター５０’も矩形状に形成されており、貫通孔４４’ａに嵌脱自在に嵌合する。貫通孔４４’ａとバックパッド４３とによって構成される有底の収容孔にアダプター５０’が嵌合した状態で、前記収容孔の軸線周りのアダプター５０’の回転が抑止される。半導体ウエハＷは、第１実施形態と同じ固定手段によりアダプター５０’に着脱可能に固定される。   In the present embodiment, the through hole 44'a of the template 44 'is formed in a rectangular shape. The adapter 50 'is also formed in a rectangular shape, and is removably fitted into the through hole 44'a. In a state where the adapter 50 ′ is fitted in the bottomed accommodation hole constituted by the through hole 44 ′ a and the back pad 43, rotation of the adapter 50 ′ around the axis of the accommodation hole is suppressed. The semiconductor wafer W is detachably fixed to the adapter 50 'by the same fixing means as in the first embodiment.

本実施形態では、前記収容孔に対するアダプター５０’の回転が抑止されるため、アダプター５０’に固定された半導体ウエハＷについても、前記収容孔に対する回転が抑止される。半導体ウエハＷを研磨する際に、半導体ウエハＷが前記収容孔に対して回転すると、半導体ウエハＷと研磨布３０（図２参照）との間に生じる摩擦力が低下し、半導体ウエハＷの研磨レートが低下するという不具合が生じる。本実施形態では、斯かる不具合を抑制できる。   In the present embodiment, since the rotation of the adapter 50 ′ with respect to the accommodation hole is suppressed, the rotation of the semiconductor wafer W fixed to the adapter 50 ′ is also suppressed with respect to the accommodation hole. When the semiconductor wafer W is polished, if the semiconductor wafer W rotates with respect to the accommodation hole, the frictional force generated between the semiconductor wafer W and the polishing pad 30 (see FIG. 2) decreases, and the semiconductor wafer W is polished. There is a problem that the rate drops. In the present embodiment, such a problem can be suppressed.

特に、ＳｉＣ製半導体ウエハは、Ｓｉ製半導体ウエハよりも研磨レートが非常に低く（1/200〜1/1000）、研磨レートの向上が強く求められているため、本実施形態の半導体ウエハ保持用冶具をＳｉＣ製半導体ウエハのポリッシング工程に適用すると、極めて有効である。   In particular, the SiC semiconductor wafer has a much lower polishing rate (1/200 to 1/1000) than the Si semiconductor wafer, and there is a strong demand for improvement in the polishing rate. It is extremely effective when the jig is applied to a polishing process of an SiC semiconductor wafer.

次に、図６、図７を参照して本発明の第３実施形態を説明する。図６は本発明の第３実施形態に係るテンプレート及び支持プレートを示す斜視図であり、図７は図６に示されるテンプレートと支持プレートとをアセンブリした状態を示す斜視図である。なお、本実施形態において、図２〜図４に示される第１実施形態に対応する部分には同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。   Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a perspective view showing a template and a support plate according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a perspective view showing a state where the template and the support plate shown in FIG. 6 are assembled. In the present embodiment, the same reference numerals are used for portions corresponding to the first embodiment shown in FIGS.

図６に示すように、本実施形態では、テンプレート４４’’が複数のストッパー４４ｅを備える。ストッパー４４ｅは、例えば円柱状に形成され、テンプレート４４’’の一方の面４４ｆから垂直に突出する。ストッパー４４ｅはテンプレート４４’’と一体的に形成されてもよいし、テンプレート４４’’とは別の部材で形成されてもよい。   As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the template 44 ″ includes a plurality of stoppers 44 e. The stopper 44e is formed in a cylindrical shape, for example, and protrudes vertically from one surface 44f of the template 44 ''. The stopper 44e may be formed integrally with the template 44 "or may be formed of a member different from the template 44".

支持プレート４２には、複数の嵌合孔４２ｃが形成されており、複数の嵌合孔４２ｃの各々にはストッパー４４ｅが嵌合する。テンプレート４４’’は支持プレート４２に対して次のようにしてアセンブリする。すなわち、テンプレート４４’と支持プレート４２との間にバックパッド４３を配置し、複数のストッパー４４ｅの各々を支持プレート４２の対応する嵌合孔４２ｃに嵌合させる。その結果、図７に示すように、テンプレート４４’’がバックパッド４３を介して支持プレート４２上に積層された状態で支持プレート４２に対して固定される。   A plurality of fitting holes 42c are formed in the support plate 42, and a stopper 44e is fitted into each of the plurality of fitting holes 42c. The template 44 ″ is assembled to the support plate 42 as follows. That is, the back pad 43 is disposed between the template 44 ′ and the support plate 42, and each of the plurality of stoppers 44 e is fitted into the corresponding fitting hole 42 c of the support plate 42. As a result, as shown in FIG. 7, the template 44 ″ is fixed to the support plate 42 in a state of being stacked on the support plate 42 via the back pad 43.

テンプレート４４’’は、複数のストッパー４４ｅによって、積層方向と直交する方向に支持プレート４２に対して位置決めされる。半導体ウエハの研磨レートを向上させるために研磨温度を上げると、テンプレートを支持プレートに対して固定する接着剤の接着力が弱まる。本実施形態のテンプレート４４’’は、ストッパー４４ｅを備えることによって、テンプレート４４’’が積層方向と直交する方向に支持プレート４２に対して位置ずれすることを機械的に抑制できる。したがって、本実施形態によれば、研磨温度を高くして半導体ウエハＷの加工効率を向上させることができる。特に、ＳｉＣ製の半導体ウエハはＳｉ製の半導体ウエハに比べて研磨レートが非常に小さいため、研磨速度の高速化や研磨温度の高温化が図られている。したがって、本実施形態のテンプレート４４’をＳｉＣ製の半導体ウエハの研磨に用いると、極めて有効である。   The template 44 ″ is positioned with respect to the support plate 42 in a direction orthogonal to the stacking direction by a plurality of stoppers 44 e. When the polishing temperature is raised in order to improve the polishing rate of the semiconductor wafer, the adhesive force of the adhesive that fixes the template to the support plate is weakened. By providing the stopper 44e, the template 44 "of this embodiment can mechanically suppress the positional displacement of the template 44" with respect to the support plate 42 in the direction orthogonal to the stacking direction. Therefore, according to the present embodiment, the polishing temperature can be increased and the processing efficiency of the semiconductor wafer W can be improved. In particular, since the semiconductor wafer made of SiC has a very low polishing rate compared to the semiconductor wafer made of Si, the polishing speed is increased and the polishing temperature is increased. Therefore, it is extremely effective to use the template 44 'of this embodiment for polishing a semiconductor wafer made of SiC.

以上、本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は図１〜図７に示される実施形態に限定されるものではなく、本実施形態に種々の改変を施すことができる。   While specific embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the embodiments shown in FIGS. 1 to 7 and various modifications can be made to the present embodiments.

例えば、本実施形態では、ＳｉＣ製の半導体ウエハを保持する治具に本発明を適用した場合について説明したが、ＳｉＣ以外の材料により形成された半導体ウエハを保持する治具にも本発明を適用し得る。   For example, in this embodiment, the case where the present invention is applied to a jig for holding a semiconductor wafer made of SiC has been described. However, the present invention is also applied to a jig for holding a semiconductor wafer formed of a material other than SiC. Can do.

また、本実施形態では、テンプレートがカーボングラファイトで形成された場合について説明したが、テンプレートはグラファイト化していない炭素繊維で形成されてもよい。また、テンプレートはカーボングラファイト以外の材料（例えばガラスエポキシ）で形成されてもよい。   Moreover, although this embodiment demonstrated the case where a template was formed with carbon graphite, a template may be formed with the carbon fiber which is not graphitized. The template may be formed of a material other than carbon graphite (for example, glass epoxy).

また、本実施形態では、テンプレートとバックパッドとによって治具本体を構成する場合について説明したが、治具本体は単一の部材によって構成してもよい。   In the present embodiment, the case where the jig body is configured by the template and the back pad has been described. However, the jig body may be configured by a single member.

また、第２実施形態では、治具本体の収容孔とアダプターとが矩形状に形成された場合について説明したが、治具本体の収容孔の軸線周りのアダプターの回転を抑止できる形状であれば、治具本体の収容孔とアダプターとは、他の形状（例えば、三角形あるいは五角形以上の多角形）であってもよい。   Moreover, although 2nd Embodiment demonstrated the case where the accommodation hole and adapter of a jig | tool main body were formed in the rectangular shape, if it is a shape which can suppress rotation of the adapter around the axis line of the accommodation hole of a jig | tool main body. The housing hole and the adapter of the jig body may have other shapes (for example, a triangle or a pentagon or more polygon).

また、本実施形態では、収容孔を治具本体に４個または５個形成した場合について説明したが、３個以下又は６個以上の収容孔をワーク保持用治具に形成してもよい。   In the present embodiment, the case where four or five accommodation holes are formed in the jig main body has been described. However, three or less or six or more accommodation holes may be formed in the workpiece holding jig.

また、本実施形態では、半導体ウエハを保持する冶具に本発明を適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のワーク（例えば、コンピュータ外部記憶装置の担体であるアルミディスク、液体表示装置に使用される超薄板状ガラスウエハ）を保持する治具にも本発明を適用し得る。   In the present embodiment, the case where the present invention is applied to a jig for holding a semiconductor wafer has been described. However, a workpiece other than a semiconductor wafer (for example, an aluminum disk that is a carrier of a computer external storage device, a liquid display device). The present invention can also be applied to a jig for holding an ultra-thin plate glass wafer).

その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で本実施形態に種々の改変を施すことができる。   In addition, various modifications can be made to the present embodiment without departing from the gist of the present invention.

１０ 半導体研磨装置
１５ 研磨手段
２０ 定盤
３０ 研磨布
４０ ウエハ保持具
４１ プレート保持部
４２ 支持プレート（支持部材）
４３ バックパッド
４４、４４’、４４’’ テンプレート
４４ａ、４４’ａ 貫通孔
４４ａａ 内周面
４４ｃ 外周角部
４４ｄ 面取り部
４４ｅ ストッパー
４６ 治具本体
４６ａ 収容孔
Ｗ 半導体ウエハ（ワーク）DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor polishing apparatus 15 Polishing means 20 Surface plate 30 Polishing cloth 40 Wafer holder 41 Plate holding part 42 Support plate (support member)
43 Back pad 44, 44 ', 44''Template 44a, 44'a Through hole 44aa Inner peripheral surface 44c Outer peripheral corner 44d Chamfer 44e Stopper 46 Jig body 46a Housing hole W Semiconductor wafer (workpiece)

Claims (9)

半導体ウエハを保持する半導体ウエハ保持用冶具であって、
冶具本体と、
アダプターと
を備え、
前記治具本体は、前記半導体ウエハを収容する有底の収容穴を有し、
前記アダプターは、前記収容穴の底部に配置され、前記半導体ウエハの前記アダプターと反対側の面全体を前記収容穴から均等に所定量突出させる、半導体ウエハ保持用冶具。 A semiconductor wafer holding jig for holding a semiconductor wafer,
A jig body,
With an adapter,
The jig body has a bottomed housing hole for housing the semiconductor wafer,
The adapter is placed on the bottom of the accommodation hole, said the entire adapter and the opposite surface of the semiconductor wafer is uniformly predetermined amount projecting from the receiving hole, the semiconductor wafer holding jig. 前記アダプターは前記収容穴に嵌合し、前記収容穴に対する前記収容穴の軸線周りの前記アダプターの回転が抑止される、請求項１に記載の半導体ウエハ保持用冶具。 2. The semiconductor wafer holding jig according to claim 1, wherein the adapter is fitted into the accommodation hole , and rotation of the adapter around an axis of the accommodation hole with respect to the accommodation hole is suppressed. 前記治具本体は、積層構造を有し、
前記治具本体は、支持部材に積層され、前記治具本体を積層方向と直交する方向に前記支持部材に対して位置決めするストッパーを備える、請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエハ保持用冶具。 The jig body has a laminated structure,
The said jig | tool main body is laminated | stacked on a support member, The semiconductor wafer holding | maintenance of Claim 1 or Claim 2 provided with the stopper which positions the said jig | tool main body with respect to the said support member in the direction orthogonal to the lamination direction. Jig. 前記収容穴の内周面は前記収容穴の軸線に対して傾斜して形成され、前記収容穴の底部側の径は前記収容穴の開口側の径よりも大きく形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具。 An inner peripheral surface of the accommodation hole is formed to be inclined relative to the axis of the receiving hole, the diameter of the bottom side of the receiving hole is formed much larger than the diameter of the opening side of the receiving hole, claim 1 semiconductor wafer holding jig according to any one of claims 3 to. 前記治具本体は、前記収容穴の開口側の外周縁に、全周に亘って面取り部が形成される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具。 The jig main body, the outer peripheral edge of the opening side of the receiving hole, total chamfer over the circumference Ru is formed, the semiconductor wafer holding jig according to any one of claims 1 to 4. 前記治具本体は、
テンプレートと、
前記テンプレートの一方の面に積層されるバックパッドと
を備え、
前記テンプレートは、厚み方向に貫通する貫通孔を有し、
前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具。 The jig body is
Templates and
A back pad laminated on one surface of the template,
The template has a through-hole penetrating in the thickness direction,
The back pad includes an elastic layer having a water absorption, the semiconductor wafer holding jig according to any one of claims 1 to 5. 前記テンプレートは炭素繊維により形成される、請求項６に記載の半導体ウエハ保持用冶具。 The template Ru is formed by a carbon fiber, a semiconductor wafer holding jig of claim 6. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具と、
前記半導体ウエハの一方の面を研磨する研磨手段と
を備える、半導体ウエハ研磨装置。 A semiconductor wafer holding jig according to any one of claims 1 to 7,
A semiconductor wafer polishing apparatus comprising: polishing means for polishing one surface of the semiconductor wafer. ワークを保持するワーク保持用冶具であって、
冶具本体と、
アダプターと
を備え、
前記治具本体は、前記ワークを収容する有底の収容穴を有し、
前記アダプターは、前記収容穴の底部に配置され、前記ワークの前記アダプターと反対側の面全体を前記収容穴から均等に所定量突出させる、ワーク保持用冶具。 A workpiece holding jig for holding a workpiece,
A jig body,
With an adapter,
The jig body has a bottomed storage hole for storing the workpiece,
The adapter is a jig for holding a workpiece, which is arranged at the bottom of the accommodation hole , and projects the entire surface of the workpiece on the side opposite to the adapter equally from the accommodation hole by a predetermined amount.
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