JP5857207B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5857207B2 JP5857207B2 JP2013237626A JP2013237626A JP5857207B2 JP 5857207 B2 JP5857207 B2 JP 5857207B2 JP 2013237626 A JP2013237626 A JP 2013237626A JP 2013237626 A JP2013237626 A JP 2013237626A JP 5857207 B2 JP5857207 B2 JP 5857207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- coil
- dielectric
- substrate
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45595—Atmospheric CVD gas inlets with no enclosed reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32467—Material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図4及び図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図7及び図8を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図9を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態6について、図10を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態7について、図11〜図14を参照して説明する。
2 基材
T 誘導結合型プラズマトーチユニット
3 コイル
4 第一セラミックブロック
5 第二セラミックブロック
7 チャンバ
8 開口部
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
12 蓋
13 冷媒流路
P プラズマ
22 薄膜
Claims (6)
- 誘電体部材に囲まれた長尺で環状のチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記基材載置台がなす面に垂直な面に沿って前記チャンバが設けられ、前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に冷媒流路が設けられ、
前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれており、前記誘電体蓋が前記誘電体部材を覆う面積が、前記コイルが前記誘電体部材を覆う面積よりも大きいこと、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 誘電体部材に囲まれた長尺で環状のチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記基材載置台がなす面に垂直な面に沿って前記チャンバが設けられ、前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に冷媒流路が設けられ、
前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれており、前記誘電体蓋がL形部を備え、前記コイルと前記基材載置台の間に前記誘電体蓋の一部が位置すること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 誘電体部材に囲まれた長尺で環状のチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記基材載置台がなす面に垂直な面に沿って前記チャンバが設けられ、前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に冷媒流路が設けられ、
前記コイルの内部は冷媒流路となっており、前記コイルの内部に設けられた冷媒流路が分岐し、前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に連通していること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 基材載置台がなす面に垂直な面に沿って設けられ誘電体部材で囲まれた長尺で環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら基材を処理する際、前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれ、かつ、前記誘電体蓋が前記誘電体部材を覆う面積が、前記コイルが前記誘電体部材を覆う面積よりも大きい状態であること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 基材載置台がなす面に垂直な面に沿って設けられ誘電体部材で囲まれた長尺で環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら基材を処理する際、前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれ、かつ、前記誘電体蓋がL形部を備え、前記コイルと前記基材載置台の間に前記誘電体蓋の一部が位置する状態であること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 基材載置台がなす面に垂直な面に沿って設けられ誘電体部材で囲まれた長尺で環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら基材を処理する際、前記コイルの内部は冷媒流路となっており、前記コイルの内部に設けられた冷媒流路が分岐し、前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に連通している状態であること、
を特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013237626A JP5857207B2 (ja) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | プラズマ処理装置及び方法 |
US14/337,221 US9691593B2 (en) | 2013-11-18 | 2014-07-22 | Plasma processing device and plasma processing method |
TW103138356A TWI552190B (zh) | 2013-11-18 | 2014-11-05 | Plasma processing apparatus and method |
KR1020140157204A KR101685766B1 (ko) | 2013-11-18 | 2014-11-12 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013237626A JP5857207B2 (ja) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | プラズマ処理装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015099643A JP2015099643A (ja) | 2015-05-28 |
JP5857207B2 true JP5857207B2 (ja) | 2016-02-10 |
Family
ID=53172245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013237626A Expired - Fee Related JP5857207B2 (ja) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | プラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9691593B2 (ja) |
JP (1) | JP5857207B2 (ja) |
KR (1) | KR101685766B1 (ja) |
TW (1) | TWI552190B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6295439B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2018-03-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4109301B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2008-07-02 | 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー | マイクロ波プラズマトーチ |
JP5578865B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置のカバー固定具およびカバー固定装置 |
CN102387653B (zh) | 2010-09-02 | 2015-08-05 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体处理装置及等离子体处理方法 |
JP5500098B2 (ja) | 2011-02-22 | 2014-05-21 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 |
JP5263266B2 (ja) | 2010-11-09 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング方法及び装置 |
US8333166B2 (en) | 2011-05-04 | 2012-12-18 | Nordson Corporation | Plasma treatment systems and methods for uniformly distributing radiofrequency power between multiple electrodes |
JP5467371B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 |
JP5617818B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 |
JP5510436B2 (ja) | 2011-12-06 | 2014-06-04 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5429268B2 (ja) | 2011-12-07 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN103094038B (zh) | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
US20130105085A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with chamber wall temperature control |
US10115565B2 (en) | 2012-03-02 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP5830651B2 (ja) | 2012-03-02 | 2015-12-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
-
2013
- 2013-11-18 JP JP2013237626A patent/JP5857207B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-22 US US14/337,221 patent/US9691593B2/en active Active
- 2014-11-05 TW TW103138356A patent/TWI552190B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-11-12 KR KR1020140157204A patent/KR101685766B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9691593B2 (en) | 2017-06-27 |
TWI552190B (zh) | 2016-10-01 |
TW201521080A (zh) | 2015-06-01 |
KR20150057999A (ko) | 2015-05-28 |
US20150136735A1 (en) | 2015-05-21 |
KR101685766B1 (ko) | 2016-12-12 |
JP2015099643A (ja) | 2015-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6191887B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2013120685A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6064174B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6473889B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP5617817B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
US9673062B1 (en) | Plasma processing method | |
JP5861045B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6379355B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP6127276B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5857207B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2014060035A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP5617818B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
WO2014045565A1 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2016119313A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5578155B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2013098067A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2015088260A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2016062716A (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP6857799B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP6074668B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2016225190A (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP2014187017A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
JP2017182966A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP2013037978A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2013115026A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150713 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5857207 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |