JP5848912B2 - 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 - Google Patents
液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5848912B2 JP5848912B2 JP2011167916A JP2011167916A JP5848912B2 JP 5848912 B2 JP5848912 B2 JP 5848912B2 JP 2011167916 A JP2011167916 A JP 2011167916A JP 2011167916 A JP2011167916 A JP 2011167916A JP 5848912 B2 JP5848912 B2 JP 5848912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- current
- current source
- transistor
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/10—Special adaptations of display systems for operation with variable images
- G09G2320/106—Determination of movement vectors or equivalent parameters within the image
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本実施の形態の電源回路におけるオペアンプの回路構成の一例について説明する。
本実施の形態では上記実施の形態の図1(C)に示した表示制御回路140、図2(A)及び図2(B)に示した表示制御回路302の具体的な構成、及び各回路でのタイミングチャートについて図6乃至図10に示し、説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した液晶表示パネル150における画素のトランジスタの構造の一例について説明する。
本実施の形態では、液晶表示パネル150における画素のトランジスタの半導体層に用いることのできる酸化物半導体層の一例を、図13(A)乃至(C)を用いて説明する。
本明細書に開示する制御回路を具備する液晶表示装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した制御回路を具備する液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 トランジスタ
105 トランジスタ
106 トランジスタ
107 トランジスタ
108 トランジスタ
109A トランジスタ
109B トランジスタ
110 トランジスタ
111 トランジスタ
112 位相補償コンデンサ
120 信号入出力回路
121 矢印
130 電流源回路制御回路
140 表示制御回路
141 矢印
142 矢印
150 液晶表示パネル
151 対向電極
152 画素回路
191 非反転入力端子
192 反転入力端子
193 出力端子
194 バイアス電圧入力端子
195 高電源電圧側端子
196 低電源電圧側端子
198 抵抗素子
199 抵抗素子
301 外部基板
302 表示制御回路
303 電源回路
304 表示基板
305 表示基板
306 外部接続配線
307 外部接続端子
308 共通接続部
310 画素部
311 画素回路
312 対向電極
321 ゲート線
322 ソース線
323 容量線
351 第1ステップ
352 第2ステップ
353 第1の分岐ステップ
354 第2の分岐ステップ
401 期間
402 期間
403 期間
404 期間
501 記憶回路
502 比較回路
503 タイミング信号出力回路
504 選択回路
505 ゲートドライバー
506 ソースドライバー
507 基準電源電圧生成回路
508 容量電圧生成回路
509 共通電圧生成回路
603 トランジスタ
604 容量素子
605 液晶素子
710 基板
711 導電層
712 絶縁層
713 酸化物半導体層
715 導電層
716 導電層
717 酸化物絶縁層
719 保護絶縁層
720 基板
721 導電層
722 絶縁層
723 酸化物半導体層
725 導電層
726 導電層
727 絶縁層
729 保護絶縁層
730 基板
731 導電層
732 絶縁層
733 酸化物半導体層
735 導電層
736 導電層
737 酸化物絶縁層
739 保護絶縁層
740 基板
741 導電層
742 絶縁層
743 酸化物半導体層
745 導電層
746 導電層
747 絶縁層
792 酸化物導電層
794 酸化物導電層
801 期間
802 期間
803 期間
804 期間
901 トランジスタ
902 トランジスタ
903 トランジスタ
904 トランジスタ
905 トランジスタ
906 トランジスタ
907 トランジスタ
908 トランジスタ
909 トランジスタ
910 トランジスタ
911 トランジスタ
912 位相補償コンデンサ
921 差動増幅回路
922 電流増幅回路
923 ソースフォロワ回路
991 非反転入力端子
992 反転入力端子
993 出力端子
994 バイアス電圧入力端子
995 高電源電圧側端子
996 低電源電圧側端子
1600 絶縁層
1602 絶縁層
1604 第1の結晶性酸化物半導体層
1606 第2の結晶性酸化物半導体層
1608 酸化物半導体層
1700 筐体
1701 筐体
1702 表示部
1703 表示部
1704 蝶番
1705 電源入力端子
1706 操作キー
1707 スピーカ
1711 筐体
1712 表示部
1721 筐体
1722 表示部
1723 スタンド
1731 筐体
1732 表示部
1733 操作ボタン
1734 外部接続ポート
1735 スピーカ
1736 マイク
1737 操作ボタン
190A 第1の電流源回路用バイアス電圧入力端子
190B 第2の電流源回路用バイアス電圧入力端子
361A 電流源回路
361B 電流源回路
362A トランジスタ
362B トランジスタ
363A スイッチ
363B スイッチ
371A 抵抗素子
371B 抵抗素子
372A 抵抗素子
372B 抵抗素子
373A トランジスタ
373B トランジスタ
374A 抵抗素子
374B 抵抗素子
375A スイッチ
375B スイッチ
501A フレームメモリ
Claims (8)
- 画像制御信号出力期間による動画表示、または画像制御信号停止期間による静止画表示、を行う液晶表示パネルを制御するための表示制御回路と、
差動増幅回路と、ソース接地増幅回路、第1の電流源回路、及び第2の電流源回路を有する電流増幅回路と、ソースフォロワ回路と、を有する一つのオペアンプからなる電源回路と、を有し、
前記ソース接地増幅回路は、前記画像制御信号出力期間で前記第1の電流源回路を流れる電流量に応じて電流の増幅を行う回路であり、前記画像制御信号停止期間では前記第2の電流源回路を流れる電流量に応じて電流の増幅を行う回路である、ことを特徴とする液晶表示装置の制御回路。 - 請求項1において、
前記第1の電流源回路及び前記第2の電流源回路は、前記第1の電流源回路及び第2の電流源回路を流れる電流量を異ならせて、前記第1の電流源回路または第2の電流源回路を動作させる電流源回路制御回路に接続されていることを特徴とする液晶表示装置の制御回路。 - 画素電極と、対向電極により液晶の配向を制御する液晶表示パネルと、
画像制御信号出力期間による動画表示、または画像制御信号停止期間による静止画表示、を行う前記液晶表示パネルを制御するための表示制御回路と、
差動増幅回路と、ソース接地増幅回路、第1の電流源回路、及び第2の電流源回路を有する電流増幅回路と、ソースフォロワ回路と、を有する一つのオペアンプからなる電源回路と、を有し、
前記電源回路は、前記対向電極の電位を制御する回路であり、
前記ソース接地増幅回路は、前記画像制御信号出力期間で前記第1の電流源回路を流れる電流量に応じて電流の増幅を行う回路であり、前記画像制御信号停止期間では前記第2の電流源回路を流れる電流量に応じて電流の増幅を行う回路である、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 画素電極と、対向電極により液晶の配向を制御する液晶表示パネルと、
前記画素電極の電位を制御するためのゲートドライバー及びソースドライバーと、
前記ゲートドライバー及び前記ソースドライバーを駆動する制御信号を出力して画像制御信号出力期間での動画表示、または前記制御信号を停止して静止画表示、を行う前記液晶表示パネルを制御するための表示制御回路と、
差動増幅回路と、ソース接地増幅回路、第1の電流源回路、及び第2の電流源回路を有する電流増幅回路と、ソースフォロワ回路と、を有する一つのオペアンプからなる電源回路と、を有し、
前記電源回路は、前記対向電極の電位を制御する回路であり、
前記ソース接地増幅回路は、前記画像制御信号出力期間で前記第1の電流源回路を流れる電流量に応じて電流の増幅を行う回路であり、前記画像制御信号停止期間では前記第2の電流源回路を流れる電流量に応じて電流の増幅を行う回路である、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3または請求項4において、
前記第1の電流源回路及び前記第2の電流源回路は、前記第1の電流源回路及び第2の電流源回路を流れる電流量を異ならせて、前記第1の電流源回路または第2の電流源回路を動作させる電流源回路制御回路に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3乃至請求項5のいずれか一において、
前記表示制御回路は、記憶回路、比較回路、制御信号出力回路、及び選択回路を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3乃至請求項6のいずれか一において、
前記画素電極を有する画素は、トランジスタを有し、前記トランジスタの半導体膜は、酸化物半導体であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3乃至請求項7のいずれか一に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011167916A JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2011-08-01 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181539 | 2010-08-16 | ||
JP2010181539 | 2010-08-16 | ||
JP2011167916A JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2011-08-01 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012063753A JP2012063753A (ja) | 2012-03-29 |
JP5848912B2 true JP5848912B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=45564490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011167916A Expired - Fee Related JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2011-08-01 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9135880B2 (ja) |
JP (1) | JP5848912B2 (ja) |
KR (1) | KR102059691B1 (ja) |
TW (1) | TWI562110B (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5964113B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-08-03 | シャープ株式会社 | 表示駆動装置、表示駆動方法、表示装置、電子機器、表示駆動プログラムおよび記録媒体 |
KR101945445B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2019-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화상 표시장치 및 그의 구동방법 |
KR20130125717A (ko) | 2012-05-09 | 2013-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
JP5979988B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP6032794B2 (ja) * | 2012-06-08 | 2016-11-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2014199899A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2014050327A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
KR20150085035A (ko) | 2012-11-15 | 2015-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
CN103247249B (zh) * | 2013-04-27 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示控制电路、显示控制方法及显示装置 |
US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
KR102028994B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2019-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR102133978B1 (ko) | 2013-11-13 | 2020-07-14 | 삼성전자주식회사 | 압축 데이터를 이용하여 패널 셀프 리프레쉬를 수행할 수 있는 타이밍 컨트롤러, 이의 동작 방법, 및 상기 타이밍 컨트롤러를 포함하는 데이터 처리 시스템 |
KR102246078B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2021-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP2016066065A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
WO2016087999A1 (ja) | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、及び該表示装置または該表示モジュールを有する電子機器 |
WO2016093127A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | シャープ株式会社 | 表示装置、表示装置の制御方法、および制御プログラム |
JP6645738B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2020-02-14 | シナプティクス・ジャパン合同会社 | 表示ドライバ、表示システム及び表示パネルの駆動方法 |
US10545526B2 (en) | 2015-06-25 | 2020-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, driving method thereof, and semiconductor device |
US9768174B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20170049735A (ko) * | 2015-10-28 | 2017-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20170061602A (ko) | 2015-11-26 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
JP6906978B2 (ja) | 2016-02-25 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体ウェハ、および電子機器 |
TWI751987B (zh) * | 2016-06-15 | 2022-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置、顯示模組及電子裝置 |
TWI724059B (zh) | 2016-07-08 | 2021-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置、顯示模組及電子機器 |
JP6957919B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2021-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 駆動回路及び電子機器 |
CN107464517A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-12 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板的驱动方法、驱动装置、显示面板及显示装置 |
CN112425071A (zh) | 2018-07-20 | 2021-02-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 接收电路 |
Family Cites Families (123)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US5389894A (en) | 1992-09-03 | 1995-02-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Power amplifier having high output voltage swing and high output drive current |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP3234131B2 (ja) | 1995-06-23 | 2001-12-04 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3694527B2 (ja) | 1995-09-20 | 2005-09-14 | 株式会社 日立製作所 | 画像表示装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3305946B2 (ja) | 1996-03-07 | 2002-07-24 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
KR100266212B1 (ko) * | 1997-05-17 | 2000-09-15 | 구본준; 론 위라하디락사 | 잔상제거기능을가지는액정표시장치 |
US6480178B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplifier circuit and liquid-crystal display unit using the same |
JPH11160673A (ja) | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Ricoh Co Ltd | 液晶駆動用電源回路 |
DE69917822T2 (de) | 1998-02-23 | 2005-06-16 | Canon K.K. | Operationsverstärker |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3466951B2 (ja) | 1999-03-30 | 2003-11-17 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
EP1296174B1 (en) | 2000-04-28 | 2016-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2002099262A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 平面表示装置 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP2002169499A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示パネルの駆動方法及び表示パネルの駆動制御装置 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2002287681A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 部分ホールド型表示制御装置及び部分ホールド型表示制御方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4014895B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2007-11-28 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
JP3926651B2 (ja) | 2002-01-21 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 表示駆動装置およびそれを用いた表示装置 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2004138958A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005091652A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
US7253391B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus |
JP2005156621A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7872259B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
AU2005302962B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101117948B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
JP5395994B2 (ja) | 2005-11-18 | 2014-01-22 | 出光興産株式会社 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP4939096B2 (ja) | 2006-04-04 | 2012-05-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 増幅器及びこれを用いた駆動回路 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP5325446B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-10-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
-
2011
- 2011-08-01 JP JP2011167916A patent/JP5848912B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-04 US US13/197,823 patent/US9135880B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-15 TW TW100129060A patent/TWI562110B/zh active
- 2011-08-16 KR KR1020110081082A patent/KR102059691B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI562110B (en) | 2016-12-11 |
TW201225045A (en) | 2012-06-16 |
KR20120041653A (ko) | 2012-05-02 |
KR102059691B1 (ko) | 2019-12-26 |
JP2012063753A (ja) | 2012-03-29 |
US9135880B2 (en) | 2015-09-15 |
US20120038618A1 (en) | 2012-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5848912B2 (ja) | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 | |
JP7453439B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2023138583A (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI483228B (zh) | 液晶顯示裝置及其驅動方法 | |
KR20220052877A (ko) | 반도체장치 | |
TWI492208B (zh) | 驅動器電路、包含該驅動器電路之顯示裝置及包含該顯示裝置之電子裝置 | |
JP7457178B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5848912 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |