JP5842212B2 - Inspection method and inspection system for organic EL display panel - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 138
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 77
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 69
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 34
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 claims 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Description
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を利用した有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムに関する。 The present invention relates to an inspection method and an inspection system for an organic EL display panel using an organic EL (Electro Luminescence) element.
アノード（陽極）とカソード（陰極）との間に有機発光層が介在されてなる有機発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた有機ＥＬ表示パネルがある。この有機ＥＬ表示パネルを製造する製造工程において、有機発光素子を構成する陽極と陰極との間に異物が混入することがある。 There is an organic EL display panel provided with an organic light emitting element (organic EL element) in which an organic light emitting layer is interposed between an anode (anode) and a cathode (cathode). In the manufacturing process for manufacturing the organic EL display panel, foreign matter may be mixed between the anode and the cathode constituting the organic light emitting element.
この場合、すなわち、有機発光素子に異物が混入した場合、陽極と陰極との間に流れる電流は、本来有機発光層に流れるべき電流が異物を介して流れてしまうため、発光輝度が低下してしまう。換言すると、有機発光素子に異物が混入した場合、陽極と陰極との間に流れる電流が異物を介してリークすることになる。ここで、異物の混入により発光輝度が低下した有機ＥＬ素子を「リーク性の暗点」とも称する。 In this case, that is, when a foreign substance is mixed in the organic light emitting element, the current that flows between the anode and the cathode flows through the foreign substance because the current that should originally flow through the organic light emitting layer is reduced. End up. In other words, when a foreign substance is mixed into the organic light emitting device, the current flowing between the anode and the cathode leaks through the foreign substance. Here, the organic EL element whose emission luminance is reduced due to the inclusion of foreign matter is also referred to as “leakable dark spot”.
有機ＥＬ表示パネルを製造後に出荷する前には、有機ＥＬ表示パネルを検査し、リーク性の暗点となる有機発光素子があった場合には、それを特定する。そして、特定したリーク性の暗点となる有機素子に対して種々のリペア方法を用いて絶縁化するなどの対応を行い、その対応後に出荷する。 Before shipping the organic EL display panel after manufacturing, the organic EL display panel is inspected, and if there is an organic light emitting element that becomes a leaky dark spot, it is identified. Then, measures such as insulation using various repair methods are performed on the identified organic element that becomes a leaky dark spot, and the product is shipped after the response.
リーク性の暗点となる有機発光素子を検出する方法としては、複数の有機発光素子の各々に対応する各駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を用いて、各有機ＥＬ発光素子に電流を流し、各有機ＥＬ発光素子の発光輝度を測定し、比較することで検出する方法がある（例えば、特許文献１）。 As a method of detecting an organic light emitting element that becomes a leaky dark spot, each organic EL light emitting element is applied to each organic EL light emitting element using a voltage in a linear region in the voltage-current characteristics of each driving transistor corresponding to each of the plurality of organic light emitting elements. There is a method of detecting by passing an electric current and measuring and comparing the light emission luminance of each organic EL light emitting element (for example, Patent Document 1).
特許文献１では、有機発光素子に供給する駆動電流を制御するための駆動トランジスタをその電圧−電流特性における線形領域で動作させ、有機発光素子を発光レベルとする。そして、その発光レベルの発光輝度またはカソード電流に基づき、リーク性の暗点となる有機発光素子として、有機発光素子のショートに起因した滅点欠陥を検出する。
In
しかしながら、上記従来の検査方法では、駆動トランジスタをその電圧−電流特性における線形領域で動作させた場合、ショートパスの抵抗が高い画素ほど正常輝度に近い輝度およびカソード電流になってしまい、欠陥の検出が困難であるという問題がある。すなわち従来の検査方法では欠陥（リーク性の暗点となる有機発光素子）を見逃してしまうという問題がある。 However, in the conventional inspection method described above, when the driving transistor is operated in a linear region in its voltage-current characteristics, a pixel having a higher short-path resistance has a luminance and cathode current closer to normal luminance, thereby detecting defects. There is a problem that is difficult. That is, the conventional inspection method has a problem that a defect (an organic light emitting element that becomes a leaky dark spot) is missed.
具体的には、リーク性の暗点を発生させる異物が低抵抗のものである場合、異物が有機発光層より低抵抗であるため、陽極と陰極との間において有機発光層を流れる電流より異物を介して流れる電流の方が多くなり、異物が混在した有機発光素子による発光輝度は低下する。この場合、従来の検査方法を用いて、異物が混在した有機発光素子と正常な有機発光素子との識別はできる。 Specifically, when the foreign matter that generates a leaky dark spot has a low resistance, since the foreign matter has a lower resistance than the organic light emitting layer, the foreign matter is more than the current flowing through the organic light emitting layer between the anode and the cathode. More current flows through the light emitting element, so that the luminance of light emitted by the organic light emitting element mixed with foreign matter is lowered. In this case, the conventional inspection method can be used to distinguish between an organic light emitting element mixed with foreign substances and a normal organic light emitting element.
一方、リーク性の暗点を発生させる異物が高抵抗のものである場合、リーク量は異物が低抵抗のものである場合と比較して少なくなる。そのため、異物が高抵抗のものである場合、異物が有機発光層より高抵抗であるため、本来有機発光層に流れるべき電流が異物を介して流れることも相対的に少なく、発光輝度の低下も小さい傾向にある。 On the other hand, when the foreign matter that generates a leaky dark spot is a high-resistance one, the amount of leakage is smaller than when the foreign matter is a low-resistance one. Therefore, when the foreign matter has a high resistance, since the foreign matter has a higher resistance than the organic light emitting layer, the current that should originally flow through the organic light emitting layer is relatively less likely to flow through the foreign matter, and the emission luminance is also reduced. It tends to be small.
したがって、この場合、従来の検査方法では、リーク性の暗点となる有機発光素子として検出することができず、リーク性の暗点となる有機発光素子が有機ＥＬ表示パネルに残存する可能性が高い。 Therefore, in this case, the conventional inspection method cannot detect an organic light emitting element that becomes a leaky dark spot, and the organic light emitting element that becomes a leaky dark spot may remain in the organic EL display panel. high.
さらに、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存した場合、高抵抗の異物は熱源となるため、異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えてしまい、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性がある。 Further, when the high-resistance foreign matter remains on the organic EL display panel, the high-resistance foreign matter becomes a heat source, and thus the normal organic light-emitting elements around the organic light-emitting element including the foreign matter are also affected. There is a possibility of deteriorating the lifetime of the organic light emitting device.
本発明は、上述の事情を鑑みてなされたもので、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an organic EL display capable of detecting an organic light-emitting element that becomes a leaky dark spot due to a foreign substance even when the foreign substance mixed in the organic light-emitting element is a high-resistance foreign substance. It aims at providing the inspection method and inspection system of a panel.
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む。 In order to achieve the above object, an organic EL display panel inspection method according to the present invention includes an organic light-emitting element having an organic light-emitting layer interposed between a cathode electrode and an anode electrode, and driving the organic light-emitting element. An organic EL display panel having pixels arranged in a matrix including drive transistors, an imaging device that captures a light emission image that is an image when the organic EL display panel emits light, and an image captured by the imaging device And an information processing device that obtains the light emission luminance of each pixel included in the organic EL display panel based on the emitted light image, and the method for inspecting the organic EL display panel using a system including The first step of causing all pixels of the organic EL display panel to emit light based on a first current, and the imaging device emits light based on the first current. A second step of capturing a first emission image of the organic EL display panel; and a third step of calculating an emission luminance of each pixel of the organic EL display panel based on the first emission image. The information processing apparatus calculates a first luminance ratio between the first light emission luminance of a peripheral pixel and the second light emission luminance of the predetermined pixel in a predetermined pixel, and the first luminance ratio is lower than a luminance ratio reference value A fourth step of identifying the predetermined pixel as a target pixel; a fifth step of causing at least the target pixel and the peripheral pixel to emit light based on a second current different from the first current; and A sixth step of capturing a second light-emitting image of the organic EL display panel including at least the target pixel and the peripheral pixels, which is emitted based on the second current, and the information processing device Calculating a third emission luminance of the peripheral pixels and a fourth emission luminance of the pixel of interest based on the second emission image; and sending the third emission luminance and the fourth emission to the information processing apparatus. The eighth step of calculating the second luminance ratio with respect to the luminance, and the information processing apparatus checks whether the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio exceeds a predetermined value, and the difference is predetermined And a ninth step of determining that a leak path due to foreign matter is formed in the organic light emitting element included in the target pixel if the value is exceeded.
それにより、素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させ、発光輝度又はカソード電流の条件を２条件以上で暗点明度（注目画素の輝度とその周囲輝度の比）の条件間での変化に基づくことで、ＥＬ素子のショートに起因した滅点欠陥を検出する。 Thereby, the element driving transistor is operated in the saturation region, and the light emission luminance or the cathode current condition is based on the change between the conditions of the dark spot lightness (ratio of the luminance of the target pixel and the surrounding luminance) under two or more conditions. Thus, a dark spot defect caused by a short circuit of the EL element is detected.
本発明によれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを実現できる。それにより、異物によるリークパスが形成されている有機発光素子を含む欠陥画素つまりショート起因の欠陥画素を見逃さず検査でき、品質および信頼性の高い表示装置を製造できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if the foreign material mixed in the organic light emitting element is a high-resistance foreign material, the organic EL display panel inspection method and inspection system which can detect the organic light emitting element which becomes a leaky dark spot by the foreign material are realized. it can. Accordingly, a defective pixel including an organic light emitting element in which a leak path due to a foreign substance is formed, that is, a defective pixel due to a short circuit can be inspected and a display device with high quality and reliability can be manufactured.
第１の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置と、を含むシステムを用いて前記有機ＥＬ表示パネルを検査する有機ＥＬ表示パネルの検査方法であって、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含む。 An inspection method for an organic EL display panel according to a first aspect includes an organic light emitting element having an organic light emitting layer interposed between a cathode electrode and an anode electrode, and a drive transistor for driving the organic light emitting element. An organic EL display panel having pixels arranged in a shape, an image pickup device that picks up a light emission image that is an image when the organic EL display panel emits light, and the light emission image picked up by the image pickup device An organic EL display panel inspection method for inspecting the organic EL display panel using a system including an information processing device for obtaining emission luminance of each pixel included in the organic EL display panel, wherein the organic EL display panel includes: A first step of causing all pixels having light emission based on a first current; and a step of causing the imaging device to emit light based on the first current. A second step of capturing one light-emitting image; a third step in which the information processing device calculates a light emission luminance of each pixel of the organic EL display panel based on the first light-emitting image; The first luminance ratio between the first light emission luminance of the surrounding pixels and the second light emission luminance of the predetermined pixel is calculated, and when the first luminance ratio is lower than the luminance ratio reference value, attention is paid to the predetermined pixel. A fourth step of specifying as a pixel, a fifth step of causing at least the pixel of interest and the peripheral pixel to emit light based on a second current different from the first current, and causing the imaging device to based on the second current. A sixth step of capturing a second light-emitting image of the organic EL display panel that includes at least the target pixel and the peripheral pixels, and the information processing apparatus is configured to generate a second light-emitting image based on the second light-emitting image. A seventh step of calculating a third light emission luminance of the peripheral pixel and a fourth light emission luminance of the target pixel; and a second luminance ratio between the third light emission luminance and the fourth light emission luminance in the information processing device. In the eighth step of calculating, the information processing apparatus checks whether a difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio exceeds a predetermined value, and when the difference exceeds a predetermined value And a ninth step of determining that a leak path due to foreign matter is formed in the organic light emitting element included in the target pixel.
本態様によると、まず、同一電流（第１電流）に基づいて有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素を発光させている。これは、有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素を同一電流（第１電流）に基づいて発光させた場合、前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素に異常がなければ、同一電流（第１電流）に基づいて発光された発光画像から算出する各画素の発光輝度は同一となるからである。つまり、同一電流（第１電流）に基づいて発光された発光像から算出されたある画素の発光輝度がその画素の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素は異常であると判定できるからである。 According to this aspect, first, all pixels included in the organic EL display panel are caused to emit light based on the same current (first current). This is because, when all the pixels included in the organic EL display panel are caused to emit light based on the same current (first current), the same current (first current) is obtained if there is no abnormality in each pixel included in the organic EL display panel. This is because the light emission luminance of each pixel calculated from the light emission image emitted based on (1) is the same. That is, if the light emission luminance of a pixel calculated from the light emission image emitted based on the same current (first current) is different from the light emission luminance of the peripheral pixels of the pixel, it can be determined that the pixel is abnormal. is there.
ここで、この異常の原因として２つ考えられる。１つ目は注目画素に含まれる有機発光素子中の有機発光層の劣化である。２つ目は、注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していないが、製造過程で有機発光素子に混入した異物の存在により、発光輝度が低下することである。 Here, there are two possible causes of this abnormality. The first is deterioration of the organic light emitting layer in the organic light emitting element included in the target pixel. Second, although the organic light emitting layer of the organic light emitting element included in the target pixel is not deteriorated, the emission luminance is reduced due to the presence of foreign matters mixed in the organic light emitting element during the manufacturing process.
そして、この２つ目の原因は、有機発光素子において陰極電極と陽極電極との間に異物が混入すると、陰極電極と陽極電極との間で有機発光層を流れる電流とは別に、陰極電極と陽極電極との間で異物を介して電流が流れることである。それにより、有機発光素子の発光輝度が低下する。なお、陰極電極と陽極電極との間で異物を介して電流が流れる経路をリークパスと称する。 The second cause is that in the organic light emitting device, when foreign matter is mixed between the cathode electrode and the anode electrode, the cathode electrode and the anode electrode are separated from the current flowing through the organic light emitting layer between the cathode electrode and the anode electrode. That is, current flows between the anode electrode and the foreign material via foreign matter. Thereby, the light emission luminance of the organic light emitting element is lowered. A path through which a current flows between the cathode electrode and the anode electrode via a foreign substance is referred to as a leak path.
上記２つの原因のいずれの原因により、異常が生じたのかを判別するために、本発明者は、検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうかを判定する方法を想到した。なぜなら、異常の原因が１つ目の原因であれば、注目画素（暗点画素）を検出したステップ時に用いた電流（第１電流）とは異なる電流（第２電流）を流せば、発光輝度の変化量も電流の変化量に比例して変動すると考えられる。そのため、１回目の電流値による輝度比と２回目の電流値による輝度比とで輝度比は同じになるからである。一方、異常の原因が２つ目の原因であれば、第１電流と異なる電流（第２電流）を流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化すると考えられる。そのため、１回目の電流値による第１輝度比と２回目の電流値による第２輝度比とでは輝度比が異なるからである。 In order to determine which of the above two causes caused an abnormality, the present inventor has come up with a method for determining whether or not the detected pixel of interest (dark spot pixel) is caused by a leak. This is because if the cause of abnormality is the first cause, if a current (second current) different from the current (first current) used in the step of detecting the target pixel (dark spot pixel) is passed, It is considered that the amount of change of fluctuates in proportion to the amount of change of current. This is because the luminance ratio is the same between the luminance ratio according to the first current value and the luminance ratio according to the second current value. On the other hand, if the cause of the abnormality is the second cause, it is considered that if a current (second current) different from the first current is passed, the ratio of the current flowing through the leak path changes according to the change in the current. For this reason, the luminance ratio is different between the first luminance ratio based on the first current value and the second luminance ratio based on the second current value.
上記のように、まず、前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる全画素に対して同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせ、各画素の発光輝度とその周辺画素の第１発光輝度とに基づき、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）とは異なる第２発光輝度である画素を注目画素として特定する。 As described above, first, all the pixels included in the organic EL display panel are caused to emit light based on the same current (first current), and the light emission luminance of each pixel and the first light emission luminance of its surrounding pixels are set. Based on this, the pixel having the second light emission luminance different from the light emission luminance (first light emission luminance) of the peripheral pixels is specified as the target pixel.
次に、注目画素及びその周辺画素に対して同一電流（第１電流）とは異なる電流に基づく発光をさせ、前記周辺画素の第３発光輝度と注目画素の第４発光輝度とを算出する。 Next, the pixel of interest and its peripheral pixels are caused to emit light based on a current different from the same current (first current), and the third light emission luminance of the peripheral pixel and the fourth light emission luminance of the pixel of interest are calculated.
その上で、第１輝度比（第１発光輝度及び第２発光輝度の比）と第２輝度比（第３発光輝度及び第４発光輝度の比）との差が所定値を超える場合、注目画素に含まれる有機発光素子はショートして（異物によるリークパスが形成されて）おり、注目画素はリーク性起因の暗点画素と判定することができる。 In addition, when the difference between the first luminance ratio (ratio between the first emission luminance and the second emission luminance) and the second luminance ratio (ratio between the third emission luminance and the fourth emission luminance) exceeds a predetermined value, attention is paid. The organic light-emitting element included in the pixel is short-circuited (a leak path is formed due to a foreign substance), and the target pixel can be determined as a dark spot pixel due to leakage.
これによると、周辺画素より発光輝度が暗い画素があった場合に、その原因が注目画素に含まれる発光素子中の有機発光層の劣化であるのか、又は、注目画素に含まれる有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか、を識別できる。 According to this, when there is a pixel whose emission luminance is darker than that of the peripheral pixel, the cause is the deterioration of the organic light emitting layer in the light emitting element included in the target pixel or the organic light emitting element included in the target pixel. It is possible to identify whether a leak path has been formed due to foreign matter being mixed.
上記のように、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合、陰極と陽極との間で異物を流れる電流より陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流の方が多くなる。この場合、陰極と陽極との間に異物が介在する場合であっても、陰極と陽極との間に異物が介在しない発光素子と比較して発光輝度の差はあまり大きくならない傾向になる。 As described above, when the resistance of the foreign matter forming the leak path is high, the current flowing through the organic light emitting layer between the cathode and the anode is larger than the current flowing through the foreign matter between the cathode and the anode. In this case, even when a foreign substance is present between the cathode and the anode, the difference in emission luminance tends not to be so large as compared with a light emitting element in which no foreign substance is present between the cathode and the anode.
そのため、従来の方法では、リーク性の暗点となった有機発光素子を識別することができなかった。それに対して、本態様では、第１電流と第２電流との差を大きくすれば、リークパスを形成する異物の抵抗が高いためにリークパスを流れる電流より陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流の方が多い場合でも、得られる第１輝度比と第２輝度比に差が現れる。これにより、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合においても、有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか否か、を確実に識別することができる。 For this reason, the conventional method cannot identify an organic light emitting element that has become a leaky dark spot. On the other hand, in this aspect, if the difference between the first current and the second current is increased, the resistance of the foreign matter forming the leak path is high, so that the organic light emitting layer is formed between the cathode and the anode from the current flowing through the leak path. Even when more current flows, a difference appears in the obtained first luminance ratio and second luminance ratio. Thereby, even when the resistance of the foreign matter forming the leak path is high, it is possible to reliably identify whether or not the leak path is formed by mixing the foreign matter into the organic light emitting element.
これにより、有機発光素子に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子を効果的に検出できる。従って、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止し、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。その結果、高抵抗の異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えて、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性を低減できる。 Thereby, even if the foreign matter mixed in the organic light emitting element has a high resistance, the organic light emitting element that becomes a leaky dark spot can be detected effectively. Therefore, it is possible to prevent the high-resistance foreign matter from remaining on the organic EL display panel, and it is possible to prevent the high-resistance foreign matter from becoming a heat source due to the high-resistance foreign matter remaining. As a result, it is possible to reduce the possibility of deteriorating the life of the normal organic light-emitting element by affecting normal organic light-emitting elements around the organic light-emitting element including foreign substances having high resistance.
第２の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第２電流は、前記第１電流よりも大きい。 In the inspection method for an organic EL display panel according to the second aspect, the second current is larger than the first current.
第３の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第１電流は、前記有機発光素子の電圧−輝度特性の低階調に属する電圧に対応する電流であり、前記低階調は、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調である。 In the inspection method of the organic EL display panel according to the third aspect, the first current is a current corresponding to a voltage belonging to a low gradation of the voltage-luminance characteristics of the organic light emitting element, and the low gradation is The gradation is greater than 10% and not more than 25% of the maximum gradation that can be displayed by the pixel.
第４の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記第２電流は、前記有機発光素子の電圧−輝度特性の高階調に属する電圧に対応する電流であり、記高階調は、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調である。 In the inspection method for an organic EL display panel according to the fourth aspect, the second current is a current corresponding to a voltage belonging to a high gradation of the voltage-luminance characteristics of the organic light emitting element, and the high gradation is determined by each pixel. The gradation is 40% or more and 100% or less of the maximum displayable gradation.
第５の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法においては、前記第９ステップにおいて、前記情報処理装置に、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定させる。 In the inspection method of the organic EL display panel according to the fifth aspect, in the ninth step, when the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value, It is determined that the organic light emitting layer of the organic light emitting element included in the target pixel is deteriorated.
さらに、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値以下の場合、注目画素に含まれる有機発光層が劣化していると判定する。 Furthermore, when the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than a predetermined value, it is determined that the organic light emitting layer included in the target pixel is deteriorated.
これによると、周辺画素より発光輝度が暗い画素があった場合に、その原因が前記注目画素の有する有機発光素子中の有機発光層の劣化であるのか、又は、前記注目画素の有する有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されたためか、を確実に判定できる。 According to this, when there is a pixel whose emission luminance is lower than that of the peripheral pixel, the cause is deterioration of the organic light emitting layer in the organic light emitting element of the target pixel, or the organic light emitting element of the target pixel. It is possible to reliably determine whether a leak path has been formed due to foreign matter mixed in.
第６の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記所定値とは、０又は０に近似した値である。 In the inspection method for an organic EL display panel according to the sixth aspect, the predetermined value is 0 or a value close to 0.
第７の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法においては、前記第１ステップにおいて、前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、前記第５ステップにおいて、前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。 In the organic EL display panel inspection method according to the seventh aspect, in the first step, the voltage used when the pixels are caused to emit light based on the first current is a drive transistor included in each of the pixels. The voltage in the saturation region in the voltage-current characteristic is used, and the voltage used when the target pixel and the peripheral pixel are caused to emit light based on the second current in the fifth step is the target pixel and the peripheral pixel. The voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor included in each of the transistors is used.
有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子は、その周辺画素の有機発光素子と特性が異なる有機発光素子と考えることができる。駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を印加した場合、異物が混入した有機発光素子と異物が混入していない有機発光素子に同一電流に基づく発光をさせることは困難である。 When a foreign substance is mixed in the organic light emitting element to form a leak path, the organic light emitting element mixed with the foreign substance can be considered as an organic light emitting element having different characteristics from the organic light emitting elements of the peripheral pixels. When a voltage in a linear region in the voltage-current characteristics of the driving transistor is applied, it is difficult to cause the organic light emitting element mixed with foreign matter and the organic light emitting element not mixed with foreign matter to emit light based on the same current.
そこで、本態様によると、第１ステップにおいて、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いて第１電流に基づき全画素を発光させ、前記第５ステップにおいて、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いて第１電流とは異なる第２電流に基づいて注目画素及び周辺画素を発光させる。 Therefore, according to this aspect, in the first step, all pixels are caused to emit light based on the first current using the voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor, and in the fifth step, the voltage-current of the drive transistor The pixel of interest and the peripheral pixels are caused to emit light based on a second current different from the first current using the voltage in the saturation region in the characteristics.
すなわち、有機発光素子に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子は、その周辺画素の有機発光素子と特性が異なる有機発光素子と考えることができる。異なる特性の有機発光素子が混在する全画素に対して同一電流を流させるには、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用いる必要がある。 That is, when a foreign substance is mixed in the organic light emitting element to form a leak path, the organic light emitting element in which the foreign substance is mixed can be considered as an organic light emitting element having different characteristics from the organic light emitting elements of the peripheral pixels. In order to cause the same current to flow through all the pixels in which organic light emitting elements having different characteristics are mixed, it is necessary to use a voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the driving transistor.
これにより、異物が混入する暗点画素を含めた全画素を、同一電流に基づいて発光させることができる。 Thereby, all the pixels including the dark spot pixels mixed with foreign substances can be made to emit light based on the same current.
第８の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法において、前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である。 In the inspection method for an organic EL display panel according to an eighth aspect, the peripheral pixels are a plurality of pixels around the pixel of interest, and the first light emission luminance and the third light emission luminance are average light emission of the peripheral pixels. It is brightness.
第９の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを含み、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを行う。 The inspection method for an organic EL display panel according to a ninth aspect includes a determination step of determining whether or not the number of identified target pixels is less than a predetermined reference value in the fourth step, When it is determined that the number of identified target pixels is less than a predetermined reference value, the fifth step is performed.
本態様によると、第４ステップにおいて特定された注目画素の数が所定の基準値より少ない場合、第５ステップ以降の処理に進む。この場合、有機ＥＬ表示パネルに含まれる周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的少ないことになる。そのため、以降の処理において、注目画素の異常の原因を判定し、その異常の原因がリークパスであれば、その後のリペア処理などを施すことにより、有機ＥＬ表示パネルを救済することができる。 According to this aspect, when the number of target pixels specified in the fourth step is less than the predetermined reference value, the process proceeds to the fifth and subsequent steps. In this case, the number of pixels of interest (abnormal pixels such as dark spot pixels) having a second light emission luminance different from the first light emission luminance of the peripheral pixels included in the organic EL display panel is relatively small. Therefore, in the subsequent processing, the cause of the abnormality of the pixel of interest is determined, and if the cause of the abnormality is a leak path, the repair process or the like is performed to repair the organic EL display panel.
第１０の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルを不良パネルと判定する。 According to the tenth aspect of the organic EL display panel inspection method, in the determination step, when it is determined that the number of identified pixels of interest is equal to or greater than a predetermined reference value, the organic EL display panel is determined to be a defective panel. Is determined.
本態様によると、第４ステップにおいて特定された注目画素の数が所定の基準値以上の場合、有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネル（不良パネル）と判定する。この場合、有機ＥＬ表示パネルに含まれる注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的多いので、その後にリペア処理などを施しても、有機ＥＬ表示パネルを救済して出荷することができない。そのため、注目画素の異常の原因は判定しないで検査を終了する。すなわち、第５ステップ以降の処理には進まない。 According to this aspect, when the number of target pixels specified in the fourth step is equal to or greater than a predetermined reference value, the organic EL display panel is determined as an NG panel (defective panel). In this case, since the number of pixels of interest (abnormal pixels such as dark spot pixels) included in the organic EL display panel is relatively large, the organic EL display panel is relieved and shipped even if repair processing is performed thereafter. I can't. Therefore, the inspection ends without determining the cause of the abnormality of the target pixel. That is, the process does not proceed to the fifth and subsequent steps.
第１１の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記情報処理装置に、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出させる検出ステップを含み、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記情報処理装置に、前記注目画素はショートしていると判定させ、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記情報処理装置に、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定させる。 In the organic EL display panel inspection method according to an eleventh aspect, in the ninth step, when the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value, the information processing apparatus further includes: A detection step of applying a voltage in a linear region of a voltage-current characteristic of the driving transistor in the pixel of interest to the pixel of interest to detect a current value of the pixel of interest, wherein the detection step When the current value is greater than or equal to a predetermined value, the information processing apparatus determines that the target pixel is short-circuited, and the detected current value is smaller than the predetermined value in the detection step. In this case, the information processing apparatus determines that the organic light emitting element included in the target pixel has deteriorated.
本態様によると、前記第１発光輝度と前記第２発光輝度との差が前記所定範囲以内の場合、注目画素に含まれる有機発光素子は劣化している場合のほかに、リークパスを形成する異物の抵抗が低い可能性も存在する。 According to this aspect, when the difference between the first light emission luminance and the second light emission luminance is within the predetermined range, in addition to the case where the organic light emitting element included in the target pixel is deteriorated, the foreign matter that forms the leak path There is also the possibility of low resistance.
即ち、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合、陰極と陽極との間で異物を流れる電流が陰極と陽極との間で有機発光層を流れる電流と同程度以上になる。そのため、前記注目画素に対応する有機発光素子が劣化していると確実に判定できない。 That is, when the resistance of the foreign matter forming the leak path is low, the current flowing through the foreign matter between the cathode and the anode is equal to or higher than the current flowing through the organic light emitting layer between the cathode and the anode. Therefore, it cannot be reliably determined that the organic light emitting element corresponding to the target pixel has deteriorated.
この場合には、駆動トランジスタの電圧−電流特性における線形領域の電圧を用いて判定してもよい。 In this case, the determination may be made using the voltage in the linear region in the voltage-current characteristics of the driving transistor.
第１２の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、第１の態様〜第１１の態様のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法により、ショートしていると判定された有機発光素子に対して、前記有機発光素子に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、前記陰極電極と前記陽極電極との間に電流が流れない状態にするリペア工程を含む。 The organic EL display panel inspection method according to the twelfth aspect is an organic light emitting device that is determined to be short-circuited by the organic EL display panel inspection method according to any one of the first aspect to the eleventh aspect. A repair step of insulating at least one of a cathode electrode and an anode electrode included in the organic light emitting element so that no current flows between the cathode electrode and the anode electrode. .
本態様により、高抵抗の異物が混入して「リーク性の暗点」となった有機発光素子に対して、リペア処理を施すことにより、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止するだけでなく、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。従って、高抵抗の異物を含む有機発光素子の周辺の正常な有機発光素子にも影響を与えて、正常な有機発光素子の寿命を劣化させる可能性を低減できる。その結果、品質改善が施された有機ＥＬ表示パネルを提供できる。 According to this aspect, the high-resistance foreign matter remains in the organic EL display panel by performing a repair process on the organic light-emitting element that has become a “leakable dark spot” due to the mixing of the high-resistance foreign matter. In addition to preventing the high-resistance foreign matter from remaining, it is possible to prevent the high-resistance foreign matter from becoming a heat source. Therefore, it is possible to reduce the possibility of deteriorating the life of the normal organic light emitting element by affecting the normal organic light emitting element around the organic light emitting element including the high-resistance foreign matter. As a result, an organic EL display panel with improved quality can be provided.
第１３の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムは、有機ＥＬ表示パネルの検査システムであって、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置とを備え、前記情報処理装置は、前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出する第８ステップと、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を実行する。 An inspection system for an organic EL display panel according to a thirteenth aspect is an inspection system for an organic EL display panel, wherein an organic light emitting element having an organic light emitting layer interposed between a cathode electrode and an anode electrode, and the organic light emitting element An organic EL display panel having pixels arranged in a matrix including drive transistors for driving, an imaging device that captures a light emission image that is an image when the organic EL display panel emits light, and the imaging device And an information processing device that obtains the light emission luminance of each pixel included in the organic EL display panel based on the light emission image captured in step (a), wherein the information processing device includes all pixels included in the organic EL display panel. A first step of emitting light based on one current; and taking a first light-emitting image of the organic EL display panel that has emitted light based on the first current on the imaging device. A second step of calculating a light emission luminance of each pixel of the organic EL display panel based on the first light emission image, and the information processing device comprising: a first light emission luminance of peripheral pixels in a predetermined pixel; A fourth step of calculating a first luminance ratio with the second light emission luminance of the predetermined pixel and specifying the predetermined pixel as a target pixel when the first luminance ratio is lower than a luminance ratio reference value; A fifth step of causing the pixel of interest and the surrounding pixels to emit light based on a second current different from the first current; and at least the pixel of interest and the light emitted to the imaging device based on the second current A sixth step of capturing a second light emission image of the organic EL display panel including peripheral pixels; a third light emission luminance of the peripheral pixels based on the second light emission image; and a fourth light emission luminance of the pixel of interest. A difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is a predetermined value; a seventh step of calculating the second luminance ratio; an eighth step of calculating a second luminance ratio of the third emission luminance and the fourth emission luminance; And if the difference exceeds a predetermined value, execute a ninth step of determining that a leak path due to foreign matter is formed in the organic light emitting element included in the target pixel. To do.
第１４の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定する。 In the inspection system for an organic EL display panel according to a fourteenth aspect, in the ninth step, when the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value, It is determined that the organic light emitting layer of the organic light emitting element included in the pixel is deteriorated.
第１５の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記所定値とは、０又は０に近似した値である。 In the inspection system for an organic EL display panel according to the fifteenth aspect, the predetermined value is 0 or a value close to 0.
第１６の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいては、前記第１ステップにおいて、前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、前記第５ステップにおいて、前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。 In the inspection system for an organic EL display panel according to the sixteenth aspect, in the first step, a voltage used when the pixels are caused to emit light based on the first current is a drive transistor included in each of the pixels. The voltage in the saturation region in the voltage-current characteristic is used, and the voltage used when the target pixel and the peripheral pixel are caused to emit light based on the second current in the fifth step is the target pixel and the peripheral pixel. The voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor included in each of the transistors is used.
第１７の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記周辺画素は、前記注目画素の周辺の複数の画素であり、前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である。 In the inspection system for an organic EL display panel according to a seventeenth aspect, the peripheral pixels are a plurality of pixels around the pixel of interest, and the first light emission luminance and the third light emission luminance are average light emission of the peripheral pixels. It is brightness.
第１８の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第４ステップにおいて、特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないかどうかを判定する判定ステップを実行し、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを実行する。 In the organic EL display panel inspection system according to the eighteenth aspect, in the fourth step, the information processing apparatus executes a determination step of determining whether or not the number of identified target pixels is smaller than a predetermined reference value. In the determination step, when it is determined that the number of identified target pixels is less than a predetermined reference value, the fifth step is executed.
第１９の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネルと判定する。 In the inspection system for an organic EL display panel according to a nineteenth aspect, if the information processing apparatus determines in the determination step that the number of the identified target pixels is equal to or greater than a predetermined reference value, the organic information display apparatus The EL display panel is determined as an NG panel.
第２０の態様の有機ＥＬ表示パネルの検査システムにおいて、前記情報処理装置は、前記第９ステップにおいて、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出する検出ステップを実行し、前記情報処理装置は、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記注目画素はショートしていると判定し、前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する。 In the organic EL display panel inspection system according to a twentieth aspect, in the ninth step, when the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value in the ninth step, A detection step of detecting a current value of the pixel of interest by applying a voltage in a linear region of a voltage-current characteristic of the driving transistor in the pixel of interest to the pixel of interest is performed, and the information processing apparatus performs the detection In the step, when the detected current value is greater than or equal to a predetermined value, it is determined that the pixel of interest is short-circuited, and in the detecting step, the detected current value is greater than the predetermined value. If it is smaller, it is determined that the organic light emitting element included in the target pixel has deteriorated.
（実施の形態）
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
(Embodiment)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す図である。図２は、本発明の実施の形態における情報処理装置の処理を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an inspection system for an organic EL display panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing processing of the information processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
図１に示す検査システムは、表示装置１と、撮像装置３と、情報処理装置４とで構成される。
The inspection system shown in FIG. 1 includes a
表示装置１は、製造された有機ＥＬ表示パネル５と有機ＥＬ表示パネル５を制御するための制御回路２とで構成されている。ここで、有機ＥＬ表示パネル５は、陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する。なお、有機ＥＬ表示パネル５では、ＲＧＢそれぞれの発光色を示す有機発光素子を含む画素が並べたり、ＲＧＢを配列したカラーフィルタをさらに備えたりすることで、色も発光することができる。
The
表示装置１の制御回路２は、情報処理装置４の命令により（Ｓ１１）、有機ＥＬ表示パネル５を制御して（Ｓ１２）、発光させる。具体的には、制御回路２は、所望の電流値を駆動トランジスタに印加するよう、有機ＥＬ表示パネル５を制御して、有機ＥＬ表示パネル５を発光させる。
The
撮像装置３は、情報処理装置４の命令により（Ｓ１３）、有機ＥＬ表示パネル５が発光した際の全画素の画像である発光画像を撮像する。
The
情報処理装置４は、上述したように、表示装置１と、撮像装置３とを制御し、撮像装置３で撮像された発光画像に基づいて、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる各画素の発光輝度を算出する。
As described above, the
この検査システムは、詳細は後述するが、有機ＥＬ表示パネル５にリーク性の暗転となる有機発光素子換言すると異物によるリークパスが形成されている有機発光素子が存在する場合には、それを効果的に検出することができる。
Although this inspection system will be described in detail later, when the organic
次に、有機ＥＬ表示パネル５の詳細構成について説明する。
Next, the detailed configuration of the organic
図３は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの構成を説明するための図である。図４は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示パネルの有する一画素部の回路構成を示す図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the organic EL display panel according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of one pixel portion included in the organic EL display panel according to the embodiment of the present invention.
有機ＥＬ表示パネル５は、走査線駆動回路６と、データ線駆動回路７と、行列状に配列された画素部１０と、対応する画素部１０にデータ信号（信号電圧）を伝達するためのデータ線２０と、対応する画素部１０に走査信号を伝達するための走査線２１とを備える。
The organic
有機ＥＬ表示パネル５は、走査線駆動回路６及びデータ線駆動回路７に入力される制御回路２からの信号に基づき、映像を表示する。換言すると、有機ＥＬ表示パネル５は、行列状に配列された複数の画素部１０を備え、外部から有機ＥＬ表示パネル５へ入力された輝度信号に基づいて画像を表示する。
The organic
ここで、画素部１０の回路構成について図４を参照しながら詳細に説明する。
Here, the circuit configuration of the
画素部１０は、本発明の画素に相当し、図４に示すように、電流発光素子である有機発光素子Ｄ１と、駆動トランジスタＴ１と、スイッチングトランジスタＴ２と、保持コンデンサＣｓと、参照トランジスタＴ３と、分離トランジスタＴ４とを備える。また、画素部１０には、走査線２１と、信号電圧を供給するためのデータ線２０と、マージ線２３と、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極の電位を決定するための高電圧側電源線２４と、有機発光素子Ｄ１の第２電極に接続された低電圧側電源線２５と、保持コンデンサＣｓの第１電極の電圧値を規定する第１の基準電圧を供給する基準電圧電源線２６と、リセット線２７とが接続されている。
The
有機発光素子Ｄ１は、本発明の有機発光素子に相当し、駆動トランジスタＴ１の駆動電流により発光する。有機発光素子Ｄ１は、カソードが、低電圧側電源線２５に接続され、アノードが、駆動トランジスタＴ１のソースに接続されている。ここで、低電圧側電源線２５に供給されている電圧はＶｓｓであり、例えば０（ｖ）である。
The organic light emitting device D1 corresponds to the organic light emitting device of the present invention, and emits light by the drive current of the drive transistor T1. The organic light emitting device D1 has a cathode connected to the low voltage side
駆動トランジスタＴ１は、本発明の駆動トランジスタに相当し、画素部１０の有機発光素子Ｄ１を駆動させる。具体的には、駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子Ｄ１に電流を流すことで有機発光素子Ｄ１を発光させる電圧駆動の駆動素子である。駆動トランジスタＴ１は、ゲートが、分離トランジスタＴ４及びスイッチングトランジスタＴ２を介してデータ線２０に接続され、ソースが有機発光素子Ｄ１のアノードに接続され、ドレインが、高電圧側電源線２４に接続されている。ここで、高電圧側電源線２４に供給されている電圧はＶＤＤであり、例えば２０（ｖ）である。これにより、駆動トランジスタＴ１は、ゲートに供給された信号電圧（データ信号）を、その信号電圧（データ信号）に対応した信号電流に変換し、変換された信号電流を有機発光素子Ｄ１に供給する。
The drive transistor T1 corresponds to the drive transistor of the present invention, and drives the organic light emitting element D1 of the
保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１の流す電流量を決める信号電圧を保持する機能を有する。具体的には、保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１のソース（低電圧側電源線２５）と駆動トランジスタＴ１のゲートとの間に接続されている。 The holding capacitor Cs has a function of holding a signal voltage that determines the amount of current that the driving transistor T1 flows. Specifically, the holding capacitor Cs is connected between the source (low voltage side power supply line 25) of the driving transistor T1 and the gate of the driving transistor T1.
保持コンデンサＣｓは、例えば、スイッチングトランジスタＴ２がオフ状態となった後も、直前の信号電圧を維持し、継続して駆動トランジスタＴ１から有機発光素子Ｄ１へ駆動電流を供給させる機能を有する。なお、保持コンデンサＣｓは、信号電圧を、その信号電圧に静電容量を積算した電荷で保持する。 For example, the holding capacitor Cs has a function of maintaining the previous signal voltage even after the switching transistor T2 is turned off and continuously supplying a driving current from the driving transistor T1 to the organic light emitting element D1. The holding capacitor Cs holds the signal voltage with a charge obtained by integrating the signal voltage with the capacitance.
スイッチングトランジスタＴ２は、一方の端子がデータ線２０に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、データ線２０と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、スイッチングトランジスタＴ２は、映像信号に応じた信号電圧（データ信号）を保持コンデンサＣｓに書き込むための機能を有する。スイッチングトランジスタＴ２は、ゲートが、走査線２１に接続されており、ドレインまたはソースがデータ線２０に接続されている。そして、スイッチングトランジスタＴ２は、データ線２０の信号電圧（データ信号）を駆動トランジスタＴ１のゲートに供給するタイミングを制御する機能を有する。
The switching transistor T2 has one terminal connected to the
参照トランジスタＴ３は、保持コンデンサＣｓの第１電極と基準電圧電源線２６との導通及び非導通を切り換える。具体的には、参照トランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを検出するときに駆動トランジスタＴ１のゲートに基準電圧（Ｖｒ）を与える機能を有する。参照トランジスタＴ３は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のゲートに接続され、ドレインおよびソースの他方が、参照電圧（Ｖｒ）を印加するための基準電圧電源線２６に接続されている。また、参照トランジスタＴ３は、ゲートがリセット線２７に接続されている。
The reference transistor T3 switches between conduction and non-conduction between the first electrode of the holding capacitor Cs and the reference
分離トランジスタＴ４は、一方の端子が駆動トランジスタＴ１のソース電極に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、駆動トランジスタＴ１のソース電極と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、分離トランジスタＴ４は、保持コンデンサＣｓに電圧を書き込む書き込み期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１とを切り離す機能を有する。分離トランジスタＴ４は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のソースに接続され、ドレインおよびソースの他方が、保持コンデンサＣｓの第２電極に接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、ゲートがマージ線２３と接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、発光期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１のソース電極とを接続する。これにより、駆動トランジスタＴ１のゲート電極−ソース電極間に保持コンデンサＣｓに保持された信号電圧（データ信号）を印加する。その結果、駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子Ｄ１に信号電圧（データ信号）応じた電流を供給する。
The isolation transistor T4 has one terminal connected to the source electrode of the driving transistor T1, the other terminal connected to the second electrode of the holding capacitor Cs, and the source electrode of the driving transistor T1 and the second electrode of the holding capacitor Cs. Switch between conductive and non-conductive. Specifically, the separation transistor T4 has a function of separating the holding capacitor Cs and the driving transistor T1 during a writing period in which a voltage is written to the holding capacitor Cs. In the separation transistor T4, one of the drain and the source is connected to the source of the driving transistor T1, and the other of the drain and the source is connected to the second electrode of the holding capacitor Cs. The gate of the isolation transistor T4 is connected to the
なお、駆動トランジスタＴ１、スイッチングトランジスタＴ２、参照トランジスタＴ３及び分離トランジスタＴ４はそれぞれ、例えばＮチャンネル薄膜トランジスタであり、エンハンスメント型トランジスタである。もちろん、チャネル薄膜トランジスタであってもよいし、デプレッション型トランジスタであってもよい。 Each of the drive transistor T1, the switching transistor T2, the reference transistor T3, and the separation transistor T4 is, for example, an N-channel thin film transistor and is an enhancement type transistor. Of course, it may be a channel thin film transistor or a depletion type transistor.
以上のように画素部１０は構成される。
The
再び、図３に戻って説明を続ける。 Returning again to FIG. 3, the description will be continued.
走査線駆動回路６は、走査線２１に接続されており、画素部１０のスイッチングトランジスタＴ２の導通・非導通を制御する機能を有する。具体的には、走査線駆動回路６は、図３において行方向に配列された画素部１０に共通に接続された走査線２１にそれぞれ独立に走査信号ｓｃａｎを供給する。
The scanning
データ線駆動回路７は、データ線２０に接続されており、映像信号に応じた信号電圧（データ信号）を出力して、駆動トランジスタＴ１に流れる信号電流を決定する機能を有する。具体的には、データ線駆動回路７は、図３において列方向に配列された画素部１０に共通に接続されたデータ線２０にそれぞれ独立に信号電圧（データ信号）を供給する。
The data line driving
また、上記では、高電圧側電源線２４と基準電圧電源線２６とは別の電源線としているが、共通の電源線としてもよい。
In the above description, the high-voltage
次に、図１に示す検査システムが、撮像装置３で撮像された発光画像に基づいて、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる各画素の発光輝度を求める検査方法について説明する。
Next, an inspection method in which the inspection system illustrated in FIG. 1 obtains the light emission luminance of each pixel included in the organic
図５は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法を示すフローチャートである。 FIG. 5 is a flowchart showing the inspection method of the inspection system in the embodiment of the present invention.
まず、情報処理装置４は、制御回路２を介して、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる全画素（全画素部１０）を第１電流に基づいて発光させる（Ｓ２１）。
First, the
なお、この第１電流に基づいて発光をさせる際に用いる電圧は、全画素の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。 Note that the voltage used when light is emitted based on the first current is the voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor T1 included in each of all pixels.
次に、情報処理装置４は、撮像装置３に、第１電流に基づいて発光された有機ＥＬ表示パネル５の第１発光画像を撮像させる（Ｓ２２）。ここで、第１発光画像とは、有機ＥＬ表示パネル５の全画素部１０が第１電流に基づいて発光した際の画像である。
Next, the
次に、情報処理装置４は、第１発光画像に基づき有機ＥＬ表示パネル５が有する各画素部１０の発光輝度を算出する（Ｓ２３）。
Next, the
次に、情報処理装置４は、所定の画素とその周辺の画素との発光輝度比に基づき注目画素を特定する（Ｓ２４）。具体的には、情報処理装置４は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する。ここで、周辺画素は、暗点画素（注目画素）の周囲（周辺）にある複数の画素であり、第１発光輝度は、例えば周辺画素の平均発光輝度である。
Next, the
次に、情報処理装置４は、少なくとも注目画素及び周辺画素を、第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる（Ｓ２５）。ここで、情報処理装置４は、第２電流に基づいて有機ＥＬ表示パネル５の全画素を発光させるとしてもよい。以下では、全画素を発光させたとして説明する。
Next, the
次に、情報処理装置４は、撮像装置３に、第２電流に基づいて発光された有機ＥＬ表示パネル５の第２発光画像を撮像させる（Ｓ２６）。ここで、第２発光画像とは、有機ＥＬ表示パネル５の全画素部１０が第２電流に基づいて発光した際の画像である。
Next, the
なお、この第２電流に基づいて発光をさせる際に用いる電圧は、全画素の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる。 Note that the voltage used when light is emitted based on the second current is a voltage in a saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor T1 included in each of all pixels.
次に、情報処理装置４は、注目画素及びその周辺画素の発光輝度を算出する（Ｓ２７）。具体的には、情報処理装置４は、第２発光画像に基づき周辺画素が発光する輝度である第３発光輝度及び第２発光画像に基づき注目画素が発光する輝度である第４発光輝度を算出する（Ｓ２７）。ここで、第３発光輝度は、上述したように、例えば周辺画素の平均発光輝度である。
Next, the
次に、情報処理装置４は、第２電流に対応する注目画素と周辺画素の輝度比について算出する（Ｓ２８）。具体的には、情報処理装置４は、第２電流に対応する注目画素と周辺画素の輝度比すなわち第３発光輝度と第４発光輝度との第２輝度比を算出する。
Next, the
次に、情報処理装置４は、第１電流及び第２電流それぞれに対応する注目画素と周辺画素の輝度比の差が所定値を超しているかを確認する（Ｓ２９）。具体的には、情報処理装置４は、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超しているかを確認する。ここで、所定値とは、０又は０に近似する値であり、例えば、０．００５等、０．１未満の値である。
Next, the
そして、情報処理装置４は、第１輝度比と第２輝度比との差が所定値を超えている場合には、注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１は異物によりリークパスが形成されている（ショートしている）と判定する。
When the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio exceeds a predetermined value, the
以上のようにして、本発明の形態における検査システムは、有機ＥＬ表示パネル５にリーク性の暗転となる有機発光素子Ｄ１が存在する場合には、それを検出することができる。
As described above, the inspection system according to the embodiment of the present invention can detect the organic light-emitting element D <b> 1 that causes leaky dark inversion in the organic
以下、さらに、図５を用いて説明した有機ＥＬ表示パネル５の検査方法の詳細について説明する。
Hereinafter, the details of the inspection method of the organic
図６は、本発明の実施の形態における検査システムの検査方法の詳細を説明するためのフローチャートである。 FIG. 6 is a flowchart for explaining details of the inspection method of the inspection system in the embodiment of the present invention.
まず、情報処理装置４が輝度を測定する色を決定する（Ｓ３０）。具体的には、有機ＥＬ表示パネル５が発光する色を決定し、撮像装置３を決定した色を撮像できるように撮像装置３を調整する。
First, the
次に、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）を検出する（Ｓ３１）。 Next, the pixel unit 10 (dark spot pixel) including the organic light emitting element D1 that may become a leaky dark spot is detected (S31).
具体的には、まず、撮像装置３が撮像（測定）する階調を決定する（Ｓ３１１）。ここで、決定する階調は、後述する理由から、低階調であることが好ましい。ここで、低階調とは、有機発光素子の電圧−輝度特性において、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調に対応する階調である。
Specifically, first, the gradation to be imaged (measured) by the
続いて、決定した色に対応する全ての画素部１０（全サブ画素）を、決定した階調に応じた電圧を印加し、発光させる（Ｓ３１２）。 Subsequently, all the pixel units 10 (all sub-pixels) corresponding to the determined color are caused to emit light by applying a voltage corresponding to the determined gradation (S312).
ここで、Ｓ３１２は、上述したＳ２１の具体的な１つの態様である。すなわち、Ｓ２１における全画像は、決定した色に対応する全ての画素部１０に対応し、第１電流は、決定した階調に応じた電圧を対応する画素部１０に印加した際に駆動トランジスタＴ１に流れる電流に相当する。
Here, S312 is one specific aspect of S21 described above. That is, all the images in S21 correspond to all the
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、有機ＥＬ表示パネル５の発光画像（第１発光画像）を撮像（測定）する（Ｓ３１３）。ここで、Ｓ３１３は、上述したＳ２２の具体的な１つの態様である。
Subsequently, the
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、撮像した発光画像（第１発光画像）を取得し、画像処理により、各サブ画素の輝度値を算出する（Ｓ３１４）。ここで、Ｓ３１４は、上述したＳ２３の具体的な１つの態様である。
Subsequently, the
続いて、各サブ画素の輝度値とその周辺画素（周囲画素）の輝度値との輝度比（第１輝度比）を算出し、輝度比基準値と照合することで、注目画素を特定（選別）する（Ｓ３１５）。この輝度比基準値は、例えば、０．５である。そして、基準値により特定（選別）された注目画素の位置情報とその輝度比（第１輝度比）をメモリに格納する。ここで、Ｓ３１５は、上述したＳ２４の具体的な１つの態様である。 Subsequently, the luminance value (first luminance ratio) between the luminance value of each sub-pixel and the luminance value of the surrounding pixels (peripheral pixels) is calculated, and the target pixel is identified (selected) by collating with the luminance ratio reference value. (S315). This luminance ratio reference value is, for example, 0.5. Then, the position information of the target pixel specified (selected) by the reference value and the luminance ratio (first luminance ratio) are stored in the memory. Here, S315 is one specific aspect of S24 described above.
このようにして、Ｓ３１において、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）を検出する。 In this way, in S31, the pixel unit 10 (dark spot pixel) including the organic light emitting element D1 that may become a leaky dark spot is detected.
Ｓ３１では、有機ＥＬ表示パネル５が有する全サブ画素を同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせている。これは、有機ＥＬ表示パネル５が有する全サブ画素を同一電流に基づいて発光させた場合、有機ＥＬ表示パネル５が有する各サブ画素に異常がなければ、同一電流に基づいて発光された発光画像から算出する各サブ画素の発光輝度は同一となるからである。つまり、同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部は異常であると判定できるからである。
In S31, all the sub pixels included in the organic
次に、Ｓ３１において選別された注目画素の数が基準値より少ないかどうかを判定する（Ｓ３２）。そして、選別（特定）された注目画素の数が基準値より少ないと判定した場合には（Ｓ３２でＹｅｓ）、次のＳ３３に進む。 Next, it is determined whether or not the number of target pixels selected in S31 is smaller than a reference value (S32). If it is determined that the number of selected (specified) target pixels is smaller than the reference value (Yes in S32), the process proceeds to the next S33.
すなわち、Ｓ３２でＹｅｓの場合、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる周辺画素の第１発光輝度とは異なる第２発光輝度である注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的少ないことになる。そのため、以降の処理において、注目画素の異常の原因を判定し、その異常の原因がリークパスであれば、その後のリペア処理などを施すことにより、有機ＥＬ表示パネル５を救済することができる。
That is, in the case of Yes in S32, the number of target pixels (abnormal pixels such as dark spot pixels) having a second light emission luminance different from the first light emission luminance of the peripheral pixels included in the organic
一方、選別（特定）された注目画素の数が基準値以上であると判定した場合には（Ｓ３２でＮｏ）、有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネル（不良パネル）と判定し、検査を終了する。 On the other hand, if it is determined that the number of selected (identified) target pixels is greater than or equal to the reference value (No in S32), the organic EL display panel is determined to be an NG panel (defective panel) and the inspection is terminated. .
すなわち、Ｓ３２でＮｏの場合、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる注目画素（暗点画素等の異常画素）の数が、比較的多いので、その後にリペア処理などを施しても、有機ＥＬ表示パネル５を救済して出荷することができない。そのため、注目画素の異常の原因は判定しないで検査を終了する。すなわち、Ｓ３３以降の処理には進まない。
That is, in the case of No in S32, the number of pixels of interest (abnormal pixels such as dark spot pixels) included in the organic
次に、Ｓ３３において、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうか（有機発光素子に異物によるリークパスが形成されているかどうか）どうかを判定する。 Next, in S33, it is determined whether or not the target pixel (dark spot pixel) detected in S31 is caused by a leak (whether a leak path due to foreign matter is formed in the organic light emitting element).
具体的には、まず、撮像装置３が撮像（測定）する階調を決定する（Ｓ３３１）。ここで、決定する階調は、後述する理由から、高階調であることが好ましい。ここで、高階調とは、有機発光素子の電圧−輝度特性において、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調に対応する階調である。
Specifically, first, the gradation to be imaged (measured) by the
続いて、決定した色に対応する全ての画素部１０（全サブ画素）を、決定した階調（高階調）に応じた電圧を印加し、発光させる（Ｓ３３２）。 Subsequently, a voltage corresponding to the determined gradation (high gradation) is applied to all the pixel units 10 (all subpixels) corresponding to the determined color to emit light (S332).
ここで、Ｓ３３２は、上述したＳ２５の具体的な１つの態様である。すなわち、Ｓ２１における全画像は、決定した色に対応する全ての画素部１０に対応し、第２電流は、決定した階調（高階調）に応じた電圧を対応する画素部１０に印加した際に駆動トランジスタＴ１に流れる電流に相当する。
Here, S332 is one specific aspect of S25 described above. That is, all the images in S21 correspond to all the
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、有機ＥＬ表示パネル５の発光画像（第２発光画像）を撮像（測定）する（Ｓ３３３）。ここで、Ｓ３３３は、上述したＳ２６の具体的な１つの態様である。
Subsequently, the
続いて、情報処理装置４は、撮像装置３で、撮像した発光画像（第２発光画像）を取得し、画像処理により、選別（特定）された注目画素とその周辺画素の輝度値を算出する（Ｓ３３４）。ここで、Ｓ３３４は、上述したＳ２７の具体的な１つの態様である。
Subsequently, the
続いて、選別（特定）された注目画素とその周辺画素の輝度値との輝度比（第２輝度比）を算出し、Ｓ３１で算出した輝度比（第１輝度比）との差分が所定値を超えているかを確認する（Ｓ３３５）。そして、その差分が所定値を超えている注目画素の位置情報をメモリに格納する。ここで、Ｓ３３５は、上述したＳ２８及びＳ２９の具体的な１つの態様である。 Subsequently, a luminance ratio (second luminance ratio) between the selected (identified) target pixel and the luminance values of the surrounding pixels is calculated, and the difference from the luminance ratio (first luminance ratio) calculated in S31 is a predetermined value. (S335). Then, the position information of the target pixel whose difference exceeds a predetermined value is stored in the memory. Here, S335 is one specific mode of S28 and S29 described above.
このようにして、Ｓ３３では、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因かどうかを判定する。 In this manner, in S33, it is determined whether or not the target pixel (dark spot pixel) detected in S31 is caused by a leak.
次に、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素があるか否かを判定する（Ｓ３４）。 Next, it is determined whether there is a target pixel whose difference value calculated in S33 is equal to or less than a predetermined value (S34).
Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素がない場合（Ｓ３４でＮｏ）、全色（ＲＧＢ）に対応するサブ画素の発光画像の撮像が終了したかを確認する（Ｓ３６）。そして、全色の撮像が終了していない場合には（Ｓ３６でＮｏ）、全色の撮像が終了するまで、Ｓ３０〜Ｓ３５の処理を繰り返し、全色の撮像が終了した場合に（Ｓ３６でＹｅｓ）、検査を終了する。 If there is no pixel of interest whose difference value calculated in S33 is equal to or smaller than the predetermined value (No in S34), it is confirmed whether the imaging of the light emission images of the sub-pixels corresponding to all colors (RGB) is completed (S36). If imaging of all colors has not been completed (No in S36), the processes of S30 to S35 are repeated until imaging of all colors is completed, and imaging of all colors is completed (Yes in S36). ) End the inspection.
一方、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素がある場合（Ｓ３４でＹｅｓ）、情報処理装置４は、その注目画素が有する有機発光素子Ｄ１の有機発光層が劣化していると判定する。つまり、その注目画素（暗点画素）は、リーク起因ではない暗点画素であると判定される。このようにして、情報処理装置４は、周辺画素より発光輝度が暗い画素（暗点画素）があった場合に、その原因がその注目画素の有する有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのか、又は、その注目画素の有する有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されたためかを確実に判定できる。
On the other hand, when there is a target pixel whose difference value calculated in S33 is equal to or smaller than the predetermined value (Yes in S34), the
しかし、Ｓ３４のＹｅｓの場合、さらに、Ｓ３５に進み、従来技術として知られている電流測定などを用いて、本当にリーク起因ではないつまり注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのかを判定する。 However, in the case of Yes in S34, the process further proceeds to S35, where current measurement or the like known as the prior art is used to determine whether the organic light-emitting layer in the organic light-emitting element D1 included in the target pixel is not really caused by leakage, that is, the target pixel. It is determined whether it is.
具体的には、差分値が所定値以下となる注目画素に対して、さらに、電流測定（従来技術）を行い、予め定められた値以上の電流値を示すかを確認し（Ｓ３５）、Ｓ３６の判定に進む。ここで、その注目画素が予め定められた値以上の電流値を示す場合には、その注目画素の位置情報をメモリに格納する。 Specifically, current measurement (conventional technology) is further performed on the target pixel whose difference value is equal to or less than a predetermined value, and it is confirmed whether the current value is equal to or greater than a predetermined value (S35). Proceed to the determination. Here, when the pixel of interest shows a current value greater than or equal to a predetermined value, the position information of the pixel of interest is stored in the memory.
より詳細には、Ｓ３５において、情報処理装置４は、ある注目画素について第１輝度比と第２輝度比との差が所定値以下の場合、その注目画素に、注目画素が有する駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における線形領域の電圧を印加することにより、その注目画素の電流値を検出する。そして、情報処理装置４は、検出された電流値が予め定められた値（所定値）以上である場合には、その注目画素はショートしている（リーク起因の暗点画素である）と判定し、その注目画素の位置情報をメモリに格納する。反対に、検出された電流値が予め定められた値（所定値）より小さい場合は、その注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する。
More specifically, in S35, when the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio for a certain target pixel is equal to or smaller than a predetermined value, the
このようにして、Ｓ３５では、Ｓ３３において算出した差分値が所定値以下となる注目画素（暗点画素）が本当にリーク起因ではないつまり注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化であるのかを再度判定する。 In this way, in S35, the target pixel (dark spot pixel) for which the difference value calculated in S33 is equal to or smaller than the predetermined value is not really caused by leakage, that is, the deterioration of the organic light emitting layer in the organic light emitting element D1 included in the target pixel. It is determined again whether it is.
以上のようにして、図１に示す検査システムで有機ＥＬ表示パネル５の検査を行う。
As described above, the organic
以下、本発明における検査方法を想到した着眼点について説明する。 In the following, the point of focus on the inspection method according to the present invention will be described.
まず、Ｓ３１において、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）と異なる発光輝度（第２発光輝度）である画素を注目画素として特定する。なぜなら、上述したように同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部１０（暗点画素）は、異常であると判定できるからである。
First, in S31, a pixel having a light emission luminance (second light emission luminance) different from the light emission luminance (first light emission luminance) of the peripheral pixels is specified as a target pixel. This is because if the light emission luminance of a
しかし、この異常の原因としては次の２つの原因が考えられる。１つ目の原因は注目画素が有する有機発光素子Ｄ１中の有機発光層の劣化である。２つ目の原因は、注目画素が有する有機発光素子の有機発光層は劣化していないが、製造過程で有機発光素子Ｄ１に混入した異物の存在により、発光輝度が低下することである。 However, there are two possible causes for this abnormality. The first cause is deterioration of the organic light emitting layer in the organic light emitting element D1 of the target pixel. The second cause is that although the organic light emitting layer of the organic light emitting element included in the target pixel is not deteriorated, the emission luminance is lowered due to the presence of foreign matters mixed in the organic light emitting element D1 in the manufacturing process.
そして、この２つ目の原因は、有機発光素子Ｄ１において陰極電極及び陽極電極の間に異物が混入すると、陰極電極及び陽極電極の間で有機発光層を流れる電流とは別に、陰極電極及び陽極電極の間で異物を介して電流が流れることである。それにより、有機発光素子Ｄ１の発光輝度が低下する。上述したように、陰極電極及び陽極電極の間で異物を介して電流が流れる経路をリークパスと称する。 The second cause is that when foreign matter is mixed between the cathode electrode and the anode electrode in the organic light emitting device D1, the cathode electrode and the anode are separated from the current flowing through the organic light emitting layer between the cathode electrode and the anode electrode. Current flows between the electrodes via foreign matter. Thereby, the light emission luminance of the organic light emitting element D1 is lowered. As described above, a path through which a current flows between the cathode electrode and the anode electrode via a foreign substance is referred to as a leak path.
上記２つの原因のいずれの原因により、異常が生じたのかを判別するために、本発明者は、Ｓ３３において、Ｓ３１で検出した注目画素（暗点画素）がリーク起因か（異物が混入してリークパスが形成されたためか）を判定する方法を想到した。なぜなら、異常の原因が１つ目の原因である場合、Ｓ３３において、Ｓ３１とは異なる電流を注目画素に流せば、発光輝度の変化量も電流の変化量に比例して変動すると考えられる。そして、１回目（Ｓ３１）の電流値による輝度比と２回目（Ｓ３３）の電流値による輝度比とは同じになるからである。一方、異常の原因が２つ目の原因である場合には、Ｓ３１とは異なる電流を注目画素に流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化すると考えられる。そして、１回目（Ｓ３１）の電流値による第１輝度比と２回目（Ｓ３３）の電流値による第２輝度比とは異なるからである。 In order to determine which of the above two causes caused the abnormality, the present inventor in S33, the pixel of interest (dark spot pixel) detected in S31 is caused by a leak (foreign matter is mixed) We have come up with a method for determining whether a leak path has been formed. This is because, when the cause of abnormality is the first cause, if a current different from S31 is caused to flow to the pixel of interest in S33, the amount of change in light emission luminance will also vary in proportion to the amount of change in current. This is because the luminance ratio based on the current value for the first time (S31) and the luminance ratio based on the current value for the second time (S33) are the same. On the other hand, when the cause of the abnormality is the second cause, it is considered that if a current different from S31 is passed through the pixel of interest, the ratio of the current flowing through the leak path changes according to the change in current. This is because the first luminance ratio based on the current value of the first time (S31) is different from the second luminance ratio based on the current value of the second time (S33).
次に、注目画素が、リーク起因の暗点画素である場合に、異なる電流を注目画素に流せば、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを検証した結果について説明する。 Next, regarding the result of verifying that if the target pixel is a dark spot pixel due to leak, if a different current is supplied to the target pixel, the ratio of the current flowing through the leak path changes in accordance with the change in current. explain.
図７Ａ〜図１０は、リークパスを介して流れる電流の割合が電流の変化に応じて変化することを説明するための図である。 7A to 10 are diagrams for explaining that the ratio of the current flowing through the leak path changes in accordance with the change in current.
図７Ａは、リークパスの発生メカニズムを示しており、有機発光素子Ｄ１の構造を示す一例であり、例えば、陽極電極（ＡＭ：Ａｎｏｄｅ Ｍｅｔａｌ）上に、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）と、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）と、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）と、陰極電極（ＣＡＴ:Ｃａｔｈｏｄｅ）と、封止層とがこの順に構成されている。また、正孔注入層（ＨＩＬ）と、発光層（ＥＭＬ）とは、隔壁（ＢＮＫ：Ｂａｎｋ）で囲まれている。 FIG. 7A shows a generation mechanism of a leak path, which is an example showing the structure of the organic light emitting device D1, and includes, for example, a hole injection layer (HIL) on an anode electrode (AM) and a hole injection layer (HIL). The light emitting layer (EML: Emission Layer), the electron transport layer (ETL: Electron Transport Layer), the cathode electrode (CAT: Cathode), and the sealing layer are formed in this order. Further, the hole injection layer (HIL) and the light emitting layer (EML) are surrounded by a partition wall (BNK: Bank).
また、図７Ａの模式図では、有機発光素子Ｄ１の陽極電極（ＡＭ）の層内又は下方に存在する異物または空洞などにより、陽極電極（ＡＭ）が凸形状に変形し、陽極電極（ＡＭ）と陰極電極（ＣＡＴ）との間に、発光パスとは別にリークパスが存在していることを示している。 Further, in the schematic diagram of FIG. 7A, the anode electrode (AM) is deformed into a convex shape by a foreign substance or a cavity existing in or below the layer of the anode electrode (AM) of the organic light emitting element D1, and the anode electrode (AM). In addition to the light emission path, a leak path exists between the cathode electrode and the cathode electrode (CAT).
このような有機発光素子Ｄ１を含む暗点画素は、図７Ｂに示す等価回路で示すことができる。ここで、図７Ｂは、暗点画素の等価回路を示す図である。 A dark spot pixel including such an organic light emitting element D1 can be represented by an equivalent circuit shown in FIG. 7B. Here, FIG. 7B is a diagram illustrating an equivalent circuit of a dark spot pixel.
図７Ｂに示す等価回路と図３に示す回路図とを比較すればわかるように、暗点画素では、有機発光素子Ｄ１と並行にリークパスとなる経路３０が形成されていることになる。
As can be seen by comparing the equivalent circuit shown in FIG. 7B with the circuit diagram shown in FIG. 3, in the dark spot pixel, a
ここで、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流をＩ＿ＥＬとし、この有機発光素子Ｄ１を駆動する駆動トランジスタＴ１に流れる電流をＩ＿ｌｏｃａｌとする。また、リークパスとなる経路３０を流れる電流をＩ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとする。また、有機発光素子Ｄ１に印加される電圧をＶＥＬとする。
Here, the current flowing through the light emission path of the organic light emitting element D1 is I_EL, and the current flowing through the driving transistor T1 that drives the organic light emitting element D1 is I_local. Further, the current flowing through the
図８Ａは、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素のＩＶ特性を示している。図８Ｂは、有機発光素子に混入した異物が低抵抗の異物である場合の暗点画素のＩＶ特性を示している。また、図８Ａ及び図８Ｂには、点Ａ及び点Ｂに対応する電圧ＶＥＬが有機発光素子Ｄ１に印加されたときの、当該有機発光素子Ｄ１を含む暗点画素の輝度とその周辺画素の輝度との比を示している。なお、この輝度比の値は、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１である周辺画素の輝度を１としたときの比に相当する。 FIG. 8A shows the IV characteristics of the dark spot pixel when the foreign matter mixed in the organic light emitting element is a high-resistance foreign matter. FIG. 8B shows the IV characteristics of the dark spot pixel when the foreign matter mixed in the organic light emitting element is a low-resistance foreign matter. 8A and 8B show the brightness of the dark spot pixel including the organic light emitting element D1 and the brightness of the surrounding pixels when the voltage VEL corresponding to the points A and B is applied to the organic light emitting element D1. The ratio is shown. Note that the value of the luminance ratio corresponds to a ratio when the luminance of the peripheral pixels that are the organic light emitting element D1 in which no foreign matter is interposed between the cathode and the anode is 1.
ここで、図８Ａを参照し、第１電流が低階調に対応する電流であることが好ましい理由について述べる。有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素を含む画素部１０に低階調に対応する電圧（例えば図８Ａの点Ａ）を印加したとする。
Here, the reason why the first current is preferably a current corresponding to a low gradation will be described with reference to FIG. 8A. Assume that a voltage corresponding to a low gradation (for example, point A in FIG. 8A) is applied to the
この場合、リークパスがある画素（暗点画素）では、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬとリークパスとなる経路３０を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとの電流量の比は、４ａ：６ａとなる。ここで、リークパスがない周辺画素の有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬを１０ａとしている。
In this case, in a pixel having a leak path (dark spot pixel), the ratio of the current amount between the current I_EL flowing in the light emission path of the organic light emitting element D1 and the current I_leak pass flowing in the
輝度は電流量に応じるため、周辺画素に対する暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）の輝度比は０．４となる。このように、第１電流が低階調に対応する電流とする場合には、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差が顕著に表れる。
Since the luminance depends on the amount of current, the luminance ratio of the dark spot pixel (the pixel on which the
一方、仮に、第１電流が高階調に対応する電流とする場合について説明する。すなわち、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合の暗点画素を含む画素部１０に高階調に対応する電圧（例えば図８Ａの点Ｂ）を印加したとする。
On the other hand, the case where the first current is a current corresponding to a high gradation will be described. That is, it is assumed that a voltage (for example, point B in FIG. 8A) corresponding to high gradation is applied to the
この場合、リークパスがある画素（暗点画素）では、有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬとリークパスとなる経路３０を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓとの電流量の比は、９ｂ：１ｂとなる。これは、リークパスとなる経路３０が高抵抗のためである。ここで、リークパスがない周辺画素の有機発光素子Ｄ１の発光パスに流れる電流Ｉ＿ＥＬを１０ｂとしている。
In this case, in the pixel having a leak path (dark spot pixel), the ratio of the current amount between the current I_EL flowing through the light emitting path of the organic light emitting element D1 and the current I_leak pass flowing through the
輝度は電流量に応じるため、周辺画素に対する暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）の輝度比は０．９となる。このように、第１電流が高階調に対応する電流とする場合には、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差は僅差でしか表れない。その結果、周辺画素と暗点画素（リークパスである経路３０が形成される画素）と輝度の差の識別が困難、あるいは識別できなくなる。
Since the luminance depends on the amount of current, the luminance ratio of the dark spot pixel (the pixel on which the
したがって、上述の理由により、第１電流を低階調に対応する電流にし、第１電流を流すことで、注目画素の識別を容易に行うことができるので、注目画素（暗点画素）を検出できる。 Therefore, for the reasons described above, the pixel of interest (dark spot pixel) can be detected because the pixel of interest can be easily identified by changing the first current to a current corresponding to a low gradation and flowing the first current. it can.
次に、図８Ｂに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合、有機発光層を流れる電流Ｉ＿ＥＬのよりも、異物を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓの方が多くなる。この場合すなわち陰極と陽極との間に異物が介在する場合には、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１と比較すると発光輝度の差は大きい。 Next, as shown in FIG. 8B, when the resistance of the foreign matter forming the leak path is low, the current I_leak pass flowing through the foreign matter is larger than the current I_EL flowing through the organic light emitting layer. In this case, that is, when a foreign substance is present between the cathode and the anode, the difference in emission luminance is larger than that of the organic light emitting device D1 in which no foreign substance is present between the cathode and the anode.
一方、図８Ａに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合、異物を流れる電流Ｉ＿ＥＬより有機発光層を流れる電流Ｉ＿ｌｅａｋ ｐａｓｓの方が多くなる。この場合、すなわち陰極と陽極との間に異物が介在する場合であっても、陰極と陽極との間に異物が介在しない有機発光素子Ｄ１と比較しても、発光輝度の差はあまり大きくならない傾向がある。 On the other hand, as shown in FIG. 8A, when the resistance of the foreign matter forming the leak path is high, the current I_leak pass flowing through the organic light emitting layer is larger than the current I_EL flowing through the foreign matter. In this case, that is, even when foreign matter is present between the cathode and the anode, the difference in light emission luminance is not so great as compared with the organic light emitting device D1 in which no foreign matter is present between the cathode and the anode. Tend.
しかし、図８Ａに示すように、例えば点Ａと点Ｂとのように大きく異なる電圧（電流）を有機発光素子Ｄ１に印加して得られる周辺画素との輝度比には差が現れる。ここで、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合の測定結果の一例を図９に示す。なお、図９では、周辺画素の輝度の平均を周辺画素の輝度としている。 However, as shown in FIG. 8A, for example, a difference appears in the luminance ratio with the peripheral pixels obtained by applying voltages (currents) that are greatly different, such as point A and point B, to the organic light emitting element D1. Here, FIG. 9 shows an example of the measurement result when the resistance of the foreign matter forming the leak path is high. In FIG. 9, the average luminance of the peripheral pixels is used as the luminance of the peripheral pixels.
図８Ａ及び図９に示すように、有機発光素子Ｄ１に印加する電圧の差を大きくすれば、リークパスを形成する異物の抵抗が高く、リークパスを流れる電流より有機発光層を流れる電流の方が多い場合、得られる周辺画素との輝度比に大きな差が現れる。一方、図８Ｂに示すように、リークパスを形成する異物の抵抗が低い場合でも、得られる周辺画素との輝度比には小さいながらも差が現れる。すなわち、上記理由により、第１電流が低階調に対応する電流であった場合、第２電流は高階調に対応する電流であることが好ましい。 As shown in FIGS. 8A and 9, if the difference in voltage applied to the organic light emitting device D1 is increased, the resistance of the foreign matter forming the leak path is high, and the current flowing through the organic light emitting layer is greater than the current flowing through the leak path. In this case, a large difference appears in the luminance ratio with the obtained peripheral pixels. On the other hand, as shown in FIG. 8B, even when the resistance of the foreign matter forming the leak path is low, a difference appears in the luminance ratio with the peripheral pixels to be obtained. That is, for the reason described above, when the first current is a current corresponding to a low gradation, the second current is preferably a current corresponding to a high gradation.
また、設定する第１電流について説明する。第１電流は、低階調であることが好適であることは上述の通りである。さらに、撮像装置３の光の検出精度を考慮すると、輝度が大きい方が撮像装置３の光の検出精度は高くなる。
The first current to be set will be described. As described above, it is preferable that the first current has a low gradation. Furthermore, when the light detection accuracy of the
それを鑑みると、第１電流は低階調でありつつ、低階調のうちで最大輝度に対応する電流に設定されることが好適である。なお、この第１電流を設定する具体的方法は、同じ製造ラインの他のパネルの検査により、得られる複数の有機発光素子の電圧−輝度特性の平均に基づいて決めるとしてもよい。 In view of this, it is preferable that the first current is set to a current corresponding to the maximum luminance among the low gradations while having a low gradation. A specific method for setting the first current may be determined based on an average of voltage-luminance characteristics of a plurality of organic light-emitting elements obtained by inspection of other panels on the same production line.
それに対して、暗点画素となった原因が有機発光素子Ｄ１の発光パスの劣化の場合には、得られる周辺画素との輝度比には差はない。なお、以上をまとめた表を図１０に示している。 On the other hand, when the cause of the dark spot pixel is the deterioration of the light emission path of the organic light emitting element D1, there is no difference in the luminance ratio with the obtained peripheral pixels. A table summarizing the above is shown in FIG.
これにより、リークパスを形成する異物の抵抗が高い場合においても、有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されたためか否かを確実に識別することができるのがわかる。 Thus, it can be seen that even when the resistance of the foreign matter forming the leak path is high, it is possible to reliably identify whether or not the leak path is formed by mixing the foreign matter into the organic light emitting element D1.
次に、Ｓ２１及びＳ２５（Ｓ３１２及びＳ３３２）において、有機発光素子Ｄ１を発光させる際に用いる電圧は、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる理由について説明する。 Next, the reason why the voltage used when causing the organic light emitting device D1 to emit light in S21 and S25 (S312 and S332) is the voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor T1 will be described.
図１１は、駆動トランジスタが飽和状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。図１２は、駆動トランジスタが線形状態である場合のＩＶ特性を模式的に示す図である。図１１及び図１２において、線Ｘは、リークパスがある場合の有機発光素子Ｄ１（暗点画素の有機ＥＬ素子）のＩＶ特性を示しており、線Ｙは、リークパスがない場合の有機発光素子Ｄ１（周辺画素の有機ＥＬ素子）のＩＶ特性を示している。また、線Ｚ１は駆動トランジスタＴ１が飽和状態である場合のＩＶ特性を示しており、線Ｚ２は駆動トランジスタＴ１が線形状態である場合のＩＶ特性を示している。 FIG. 11 is a diagram schematically showing IV characteristics when the driving transistor is in a saturated state. FIG. 12 is a diagram schematically showing IV characteristics when the driving transistor is in a linear state. 11 and 12, a line X indicates the IV characteristic of the organic light emitting element D1 (organic EL element of a dark spot pixel) when there is a leak path, and a line Y indicates the organic light emitting element D1 when there is no leak path. The IV characteristic of (the organic EL element of a peripheral pixel) is shown. A line Z1 indicates an IV characteristic when the driving transistor T1 is in a saturated state, and a line Z2 indicates an IV characteristic when the driving transistor T1 is in a linear state.
有機発光素子Ｄ１（暗点画素の有機ＥＬ素子）に異物が混入してリークパスが形成されている場合（線Ｘ）、その有機発光素子Ｄ１は、周辺画素の正常な有機発光素子Ｄ１（線Ｙ）と特性が異なる有機発光素子Ｄ１と考えることができる。そのため、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における線形領域の電圧（線Ｚ２）を全画素の有機発光素子Ｄ１に印加した場合、異物が混入した有機発光素子Ｄ１と異物が混入していない有機発光素子Ｄ１に同一電流（第１電流）に基づく発光をさせることは困難である。 When a foreign substance is mixed into the organic light emitting element D1 (dark pixel organic EL element) to form a leak path (line X), the organic light emitting element D1 is a normal organic light emitting element D1 (line Y) of the peripheral pixel. It can be considered that the organic light emitting device D1 has different characteristics from those of the organic light emitting device. Therefore, when the voltage (line Z2) in the linear region in the voltage-current characteristic of the drive transistor T1 is applied to the organic light emitting elements D1 of all the pixels, the organic light emitting element D1 in which foreign matters are mixed and the organic light emitting element in which foreign matters are not mixed It is difficult to cause D1 to emit light based on the same current (first current).
そこで、本実施の形態では、Ｓ２１（Ｓ３１２）において、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧（線Ｚ１）を用いて第１電流に基づき全画素を発光させる。そして、Ｓ２５（Ｓ３３２）において、駆動トランジスタＴ１の電圧−電流特性における飽和領域の電圧を用い第２電流に基づいて注目画素及び周辺画素を発光させる。 Therefore, in this embodiment, in S21 (S312), all pixels are caused to emit light based on the first current using the voltage (line Z1) in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor T1. In S25 (S332), the pixel of interest and the peripheral pixels are caused to emit light based on the second current using the voltage in the saturation region in the voltage-current characteristic of the drive transistor T1.
すなわち、有機発光素子Ｄ１に異物が混入してリークパスが形成されている場合、異物が混入した有機発光素子Ｄ１は、その周辺画素の正常な有機発光素子Ｄ１と特性が異なる有機発光素子Ｄ１と考えることができる。しかし、図１１に示すように、駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧（線Ｚ２）を異なる特性の有機発光素子Ｄ１が混在する全画素に印加することで、全画素に同一電流を流させることができる。 That is, when a foreign substance is mixed into the organic light emitting element D1 to form a leak path, the organic light emitting element D1 mixed with the foreign substance is considered to be an organic light emitting element D1 having different characteristics from the normal organic light emitting element D1 of the peripheral pixels. be able to. However, as shown in FIG. 11, by applying the voltage (line Z2) in the saturation region in the voltage-current characteristics of the driving transistor to all the pixels in which the organic light emitting elements D1 having different characteristics are mixed, the same current is applied to all the pixels. Can be made to flow.
これにより、異物が混入する有機発光素子Ｄ１を有する暗点画素を含めた全画素を、同一電流に基づいて発光させることができる。 Thereby, all the pixels including the dark spot pixel which has the organic light emitting element D1 in which a foreign material mixes can be light-emitted based on the same electric current.
以上のように、上述した本実施の形態の検査方法によれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子を効果的に検出できる。 As described above, according to the inspection method of the present embodiment described above, even if the foreign matter mixed in the organic light emitting element has a high resistance, the organic light emitting element that becomes a leaky dark spot is effectively removed. It can be detected.
それにより、リーク性の暗点画素すなわちショートしている（異物が混入してリークパスが形成された）と判定された暗点画素の有機発光素子をリペアすることができる。 Thereby, it is possible to repair an organic light emitting element of a dark spot pixel that is determined to be a leaky dark spot pixel, that is, a short circuit (a foreign substance is mixed and a leak path is formed).
図１３は、ショートしていると判定された暗点画素の有機発光素子のリペア工程を説明するためのフローチャートである。図１３には、上記で説明した検査方法後の、リペア方法の一例が示されている。 FIG. 13 is a flowchart for explaining a repair process of an organic light emitting element of a dark spot pixel determined to be short-circuited. FIG. 13 shows an example of the repair method after the inspection method described above.
具体的には、Ｓ３３でリーク起因と判定された暗点画素の異物の位置を検出する（Ｓ４１）。例えば、顕微鏡などを用いて、リーク起因と判定された暗点画素の位置情報をメモリから読み出して、その暗点画素の異物の位置を検出する。 Specifically, the position of the foreign substance of the dark spot pixel determined to be the cause of the leak in S33 is detected (S41). For example, using a microscope or the like, the position information of the dark spot pixel determined to be the cause of the leak is read from the memory, and the position of the foreign substance of the dark spot pixel is detected.
次に、検出した異物を、既存の方法を用いてリペアする（Ｓ４２）。 Next, the detected foreign matter is repaired using an existing method (S42).
具体的には、検出した異物を含む有機発光素子Ｄ１に対して、例えばレーザー照射を行うなどで、有機発光素子Ｄ１に含まれる陰極電極及び陽極電極の少なくともいずれか一方を絶縁化させて、陰極電極と陽極電極との間に電流が流れない状態にする。 Specifically, for example, laser irradiation is performed on the organic light-emitting element D1 containing the detected foreign matter, so that at least one of the cathode electrode and the anode electrode included in the organic light-emitting element D1 is insulated, and the cathode The current is not allowed to flow between the electrode and the anode electrode.
以上のようにして、高抵抗の異物が混入して、リーク性の暗点となった有機発光素子Ｄ１に対して、リペア処理を施すことができる。 As described above, the repair process can be performed on the organic light emitting device D1 in which a high-resistance foreign matter is mixed and becomes a leaky dark spot.
それにより、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネル５の画素部１０に残存することを防止し、残存した高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。
Thereby, it is possible to prevent the high-resistance foreign matter from remaining in the
したがって、高抵抗の異物を含む有機発光素子Ｄ１の周辺の正常な有機発光素子Ｄ１にも影響を与え、正常な有機発光素子Ｄ１の寿命を劣化させる可能性も低減できる。その結果、より品質改善が施された有機ＥＬ表示パネル５を提供できるという効果を奏する。
Therefore, the normal organic light emitting element D1 around the organic light emitting element D1 including the high-resistance foreign matter is also affected, and the possibility that the life of the normal organic light emitting element D1 is deteriorated can be reduced. As a result, the organic
以上、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムによれば、有機発光素子に混入した異物が高抵抗の異物である場合でも、異物によりリーク性の暗点となる有機発光素子を検出できる有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムを実現できる。それにより、異物によるリークパスが形成されている有機発光素子を含む欠陥画素つまりショート起因の欠陥画素を見逃さず検査でき、品質および信頼性の高い表示装置を製造できる。 As described above, according to the inspection method and the inspection system for the organic EL display panel according to the present invention, the organic light emitting element that becomes a leaky dark spot due to the foreign matter even when the foreign matter mixed in the organic light emitting element is a high resistance foreign matter. An organic EL display panel inspection method and inspection system that can be detected can be realized. Accordingly, a defective pixel including an organic light emitting element in which a leak path due to a foreign substance is formed, that is, a defective pixel due to a short circuit can be inspected and a display device with high quality and reliability can be manufactured.
具体的には、まず、有機ＥＬ表示パネル５に含まれる全サブ画素に対して同一電流（第１電流）に基づいて発光をさせ、各サブ画素の発光輝度とその周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）とに基づき、周辺画素の発光輝度（第１発光輝度）と異なる発光輝度（第２発光輝度）である画素を注目画素として特定する。なぜなら、上述したように同一電流に基づいて発光された発光画像から算出されたある画素部１０の発光輝度がその画素部１０の周辺画素の発光輝度と異なれば、その画素部１０は、リーク性の暗点となる可能性のある有機発光素子Ｄ１を含む画素部１０（暗点画素）であると判定できるからである。
Specifically, first, all the sub-pixels included in the organic
次に、注目画素及びその周辺画素に対して第１電流とは異なる電流（第２電流）に基づく発光をさせ、周辺画素の発光輝度（第３発光輝度）と注目画素の発光輝度（第４発光輝度）を算出する。その上で、第１輝度比（第１発光輝度及び第２発光輝度の比）と第２輝度比（第３発光輝度及び第４発光輝度の比）との差が所定範囲（所定値）を超える場合、注目画素に含まれる有機発光素子Ｄ１はショートしており、注目画素はリーク性起因の暗点画素と判定することができる。 Next, the target pixel and its peripheral pixels are caused to emit light based on a current (second current) different from the first current, and the peripheral pixel emission luminance (third emission luminance) and the target pixel emission luminance (fourth). Emission luminance) is calculated. In addition, the difference between the first luminance ratio (the ratio between the first emission luminance and the second emission luminance) and the second luminance ratio (the ratio between the third emission luminance and the fourth emission luminance) falls within a predetermined range (predetermined value). When exceeding, the organic light emitting element D1 included in the target pixel is short-circuited, and the target pixel can be determined as a dark spot pixel due to leakage.
これにより、有機発光素子Ｄ１に混入した異物が高抵抗のものであっても、リーク性の暗点となった有機発光素子Ｄ１を効果的に検出できる。従って、高抵抗の異物が有機ＥＬ表示パネルに残存することを防止し、高抵抗の異物が残存することにより高抵抗の異物が熱源となるのを防ぐことができる。その結果、高抵抗の異物を含む有機発光素子Ｄ１の周辺の正常な有機発光素子Ｄ１にも影響を与えて、正常な有機発光素子Ｄ１の寿命を劣化させる可能性を低減できる。 Thereby, even if the foreign substance mixed in the organic light emitting element D1 is a high resistance thing, the organic light emitting element D1 used as the leaky dark spot can be detected effectively. Therefore, it is possible to prevent the high-resistance foreign matter from remaining on the organic EL display panel, and it is possible to prevent the high-resistance foreign matter from becoming a heat source due to the high-resistance foreign matter remaining. As a result, the normal organic light emitting element D1 around the organic light emitting element D1 including the high-resistance foreign matter is also affected, and the possibility of deteriorating the life of the normal organic light emitting element D1 can be reduced.
さらに、図１４に示す有機ＥＬ表示装置に、本発明の有機ＥＬ表示パネル５を用いた場合には、暗点画素の少なく、長寿命な高画質な有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
Furthermore, when the organic
以上、本発明の有機ＥＬ表示パネルの検査方法及び検査システムについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。 As mentioned above, although the inspection method and inspection system of the organic EL display panel of the present invention have been described based on the embodiment, the present invention is not limited to this embodiment. Unless it deviates from the meaning of this invention, the form which carried out the various deformation | transformation which those skilled in the art can think to this embodiment, and the structure constructed | assembled combining the component in different embodiment is also contained in the scope of the present invention. .
本発明は、特にテレビ等の有機ＥＬ表示装置に内蔵される有機ＥＬ表示パネル検査方法及び検査システムに有用であり、暗点画素の少なく、長寿命な高画質な有機ＥＬ表示装置の製造方法等として用いるのに最適である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is particularly useful for an organic EL display panel inspection method and inspection system built in an organic EL display device such as a television, and a method for manufacturing a high-quality organic EL display device with a long life and fewer dark spots. Ideal for use as.
１ 表示装置
２ 制御回路
３ 撮像装置
４ 情報処理装置
５ 表示パネル
６ 走査線駆動回路
７ データ線駆動回路
１０ 画素部
２０ データ線
２１ 走査線
２３ マージ線
２４ 高電圧側電源線
２５ 低電圧側電源線
２６ 基準電圧電源線
２７ リセット線
３０ 経路
Ｃｓ 保持コンデンサ
Ｄ１ 有機発光素子
Ｔ１ 駆動トランジスタ
Ｔ２ スイッチングトランジスタ
Ｔ３ 参照トランジスタ
Ｔ４ 分離トランジスタ
DESCRIPTION OF
Claims (18)
前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、
前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、
前記情報処理装置は、前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、
前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、
少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、
前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、
前記情報処理装置は、前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、
前記情報処理装置に、前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出させる第８ステップと、
前記情報処理装置は、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を含み、
前記所定値は、０または０．１未満の正の値である、
有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 An organic EL display panel having pixels arranged in a matrix, each including an organic light emitting element having an organic light emitting layer interposed between a cathode electrode and an anode electrode, and a drive transistor for driving the organic light emitting element; An imaging device that captures a light emission image that is an image when the organic EL display panel emits light, and a light emission luminance of each pixel included in the organic EL display panel is obtained based on the light emission image captured by the imaging device. An organic EL display panel inspection method for inspecting the organic EL display panel using a system including an information processing device,
A first step of causing all pixels of the organic EL display panel to emit light based on a first current;
A second step of causing the imaging device to capture a first light-emitting image of the organic EL display panel that emits light based on the first current;
The information processing apparatus calculates a light emission luminance of each pixel of the organic EL display panel based on the first light emission image;
The information processing apparatus calculates a first luminance ratio between the first light emission luminance of a peripheral pixel and the second light emission luminance of the predetermined pixel in a predetermined pixel, and the first luminance ratio is lower than a luminance ratio reference value And a fourth step of identifying the predetermined pixel as the target pixel;
A fifth step of causing at least the target pixel and the peripheral pixels to emit light based on a second current different from the first current;
A sixth step of causing the imaging device to capture a second light-emitting image of the organic EL display panel that includes at least the pixel of interest and the peripheral pixels emitted based on the second current;
The information processing apparatus calculates a third light emission luminance of the peripheral pixels and a fourth light emission luminance of the target pixel based on the second light emission image;
An eighth step of causing the information processing apparatus to calculate a second luminance ratio between the third emission luminance and the fourth emission luminance;
The information processing apparatus checks whether a difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio exceeds a predetermined value. If the difference exceeds a predetermined value, the information processing device is included in the target pixel. a ninth step of determining a leakage path due to the foreign matter is formed on the organic light emitting device, only including,
The predetermined value is a positive value of 0 or less than 0.1.
Inspection method for organic EL display panel.
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 The second current is greater than the first current;
The inspection method of the organic EL display panel according to claim 1.
前記有機発光素子の電圧−輝度特性の低階調に属する電圧に対応する電流であり、
前記低階調は、各画素で表示可能な最大階調の１０％より大きく２５％以下の階調である、
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 The first current is
A current corresponding to a voltage belonging to a low gradation of the voltage-luminance characteristics of the organic light-emitting element,
The low gradation is a gradation that is greater than 10% and less than or equal to 25% of the maximum gradation that can be displayed in each pixel.
The inspection method of the organic EL display panel according to claim 1.
前記有機発光素子の電圧−輝度特性の高階調に属する電圧に対応する電流であり、
前記高階調は、各画素で表示可能な最大階調の４０％以上１００％以下の階調である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 The second current is
A current corresponding to a voltage belonging to a high gradation of the voltage-luminance characteristics of the organic light-emitting element,
The high gradation is a gradation of 40% to 100% of the maximum gradation that can be displayed in each pixel.
The inspection method of the organic EL display panel according to claim 1.
前記情報処理装置に、前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定させる、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 In the ninth step,
Causing the information processing apparatus to determine that the organic light emitting layer of the organic light emitting element included in the target pixel is deteriorated when a difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value;
The inspection method of the organic electroluminescence display panel of any one of Claims 1-4.
前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、
前記第５ステップにおいて、
前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 In the first step,
The voltage used when causing all the pixels to emit light based on the first current is a voltage in a saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistors included in each of the pixels,
In the fifth step,
The voltage used when the pixel of interest and the peripheral pixels emit light based on the second current is the voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor included in each of the pixel of interest and the peripheral pixels. ,
Inspection method of the organic EL display panel according to any one of claims 1-5.
前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 The peripheral pixels are a plurality of pixels around the pixel of interest;
The first light emission luminance and the third light emission luminance are average light emission luminances of the peripheral pixels.
Inspection method of the organic EL display panel according to any one of claims 1-6.
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを行う、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 In the fourth step, the method includes a determination step of determining whether the number of identified target pixels is less than a predetermined reference value,
In the determination step, when it is determined that the number of identified pixels of interest is less than a predetermined reference value, the fifth step is performed.
Inspection method of the organic EL display panel according to any one of claims 1-7.
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 In the determination step, when it is determined that the number of identified pixels of interest is greater than or equal to a predetermined reference value, the organic EL display panel is determined as a defective panel.
The organic EL display panel inspection method according to claim 8 .
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記情報処理装置に、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出させる検出ステップを含み、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記情報処理装置に、前記注目画素はショートしていると判定させ、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記情報処理装置に、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定させる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査方法。 In the ninth step,
When the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value, the information processing device further includes a voltage in a linear region of a voltage-current characteristic of the driving transistor in the target pixel. A detection step of applying to the target pixel and detecting a current value of the target pixel;
In the detection step, when the detected current value is equal to or greater than a predetermined value, the information processing apparatus determines that the target pixel is short-circuited,
In the detection step, when the detected current value is smaller than the predetermined value, the information processing apparatus is caused to determine that the organic light emitting element included in the target pixel has deteriorated.
The inspection method of the organic EL display panel according to claim 1.
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 The organic EL display panel inspection method according to any one of claims 1 to 10 , wherein the organic light-emitting element determined to be short-circuited includes a cathode electrode and an anode electrode included in the organic light-emitting element. Including a repair step in which at least one of them is insulated so that no current flows between the cathode electrode and the anode electrode,
Manufacturing method of organic EL display panel.
陰極電極及び陽極電極の間に有機発光層を介在させた有機発光素子と、当該有機発光素子を駆動させるための駆動トランジスタとをそれぞれ含み行列状に配列された画素を有する有機ＥＬ表示パネルと、
前記有機ＥＬ表示パネルが発光した際の画像である発光画像を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置にて撮像された発光画像に基づいて前記有機ＥＬ表示パネルに含まれる各画素の発光輝度を求める情報処理装置とを備え、
前記情報処理装置は、
前記有機ＥＬ表示パネルが有する全画素を、第１電流に基づいて発光させる第１ステップと、
前記撮像装置に、前記第１電流に基づいて発光された前記有機ＥＬ表示パネルの第１発光画像を撮像させる第２ステップと、
前記第１発光画像に基づき前記有機ＥＬ表示パネルの各画素の発光輝度を算出する第３ステップと、
前記情報処理装置は、所定の画素における周辺画素の第１発光輝度と当該所定の画素の第２発光輝度との第１輝度比を算出し、当該第１輝度比が輝度比基準値より低い場合に、当該所定画素を注目画素として特定する第４ステップと、
少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を、前記第１電流とは異なる第２電流に基づいて発光させる第５ステップと、
前記撮像装置に、前記第２電流に基づいて発光された、少なくとも前記注目画素及び前記周辺画素を含む前記有機ＥＬ表示パネルの第２発光画像を撮像させる第６ステップと、
前記第２発光画像に基づく前記周辺画素の第３発光輝度及び前記注目画素の第４発光輝度を算出する第７ステップと、
前記第３発光輝度と前記第４発光輝度との第２輝度比を算出する第８ステップと、
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が所定値を超えているかを確認させ、前記差が所定値を超えている場合には、前記注目画素に含まれる有機発光素子には異物によるリークパスが形成されていると判定する第９ステップと、を実行し、
前記所定値は、０または０．１未満の正の値である、
有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 An inspection system for an organic EL display panel,
An organic EL display panel having pixels arranged in a matrix, each including an organic light emitting element having an organic light emitting layer interposed between a cathode electrode and an anode electrode, and a driving transistor for driving the organic light emitting element;
An imaging device that captures a light emission image that is an image when the organic EL display panel emits light;
An information processing device for obtaining a light emission luminance of each pixel included in the organic EL display panel based on a light emission image captured by the image pickup device;
The information processing apparatus includes:
A first step of causing all pixels of the organic EL display panel to emit light based on a first current;
A second step of causing the imaging device to capture a first light-emitting image of the organic EL display panel that emits light based on the first current;
A third step of calculating emission luminance of each pixel of the organic EL display panel based on the first emission image;
The information processing apparatus calculates a first luminance ratio between the first light emission luminance of a peripheral pixel and the second light emission luminance of the predetermined pixel in a predetermined pixel, and the first luminance ratio is lower than a luminance ratio reference value And a fourth step of identifying the predetermined pixel as the target pixel;
A fifth step of causing at least the target pixel and the peripheral pixels to emit light based on a second current different from the first current;
A sixth step of causing the imaging device to capture a second light-emitting image of the organic EL display panel that includes at least the pixel of interest and the peripheral pixels emitted based on the second current;
A seventh step of calculating a third light emission luminance of the peripheral pixels and a fourth light emission luminance of the target pixel based on the second light emission image;
An eighth step of calculating a second luminance ratio between the third emission luminance and the fourth emission luminance;
When the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio exceeds a predetermined value, if the difference exceeds a predetermined value, the organic light emitting element included in the target pixel has a foreign object a ninth step of determining a leak path is formed by, the execution,
The predetermined value is a positive value of 0 or less than 0.1.
Inspection system for organic EL display panels.
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子の有機発光層は劣化していると判定する、
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 In the ninth step, the information processing apparatus includes:
When the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is equal to or less than the predetermined value, it is determined that the organic light emitting layer of the organic light emitting element included in the target pixel is deteriorated.
The inspection system for an organic EL display panel according to claim 12 .
前記第１電流に基づいて前記全画素を発光させる際に用いる電圧は、前記全画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられ、
前記第５ステップにおいて、
前記第２電流に基づいて前記注目画素及び前記周辺画素を発光させる際に用いる電圧は、前記注目画素及び前記周辺画素の各々に含まれる駆動トランジスタの電圧−電流特性における飽和領域の電圧が用いられる、
請求項１２または１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 In the first step,
The voltage used when causing all the pixels to emit light based on the first current is a voltage in a saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistors included in each of the pixels,
In the fifth step,
The voltage used when the pixel of interest and the peripheral pixels emit light based on the second current is the voltage in the saturation region in the voltage-current characteristics of the drive transistor included in each of the pixel of interest and the peripheral pixels. ,
The inspection system for an organic EL display panel according to claim 12 or 13 .
前記第１発光輝度及び前記第３発光輝度は、前記周辺画素の平均発光輝度である、
請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 The peripheral pixels are a plurality of pixels around the pixel of interest;
The first light emission luminance and the third light emission luminance are average light emission luminances of the peripheral pixels.
The inspection system for an organic EL display panel according to any one of claims 12 to 14 .
当該判定ステップにおいて、前記特定された注目画素の数が所定の基準値より少ないと判定した場合に、前記第５ステップを実行する、
請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 In the fourth step, the information processing apparatus executes a determination step of determining whether or not the number of identified target pixels is less than a predetermined reference value,
In the determination step, when it is determined that the number of identified pixels of interest is less than a predetermined reference value, the fifth step is executed.
The inspection system for an organic EL display panel according to any one of claims 12 to 15 .
前記特定された注目画素の数が所定の基準値以上であると判定した場合には、前記有機ＥＬ表示パネルをＮＧのパネルと判定する、
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 In the determination step, the information processing apparatus includes:
If it is determined that the number of identified pixels of interest is greater than or equal to a predetermined reference value, the organic EL display panel is determined as an NG panel;
The organic EL display panel inspection system according to claim 16 .
前記第１輝度比と前記第２輝度比との差が前記所定値以下の場合、さらに、前記注目画素における前記駆動トランジスタの電圧−電流特性の線形領域の電圧を、前記注目画素に印加させて、前記注目画素の電流値を検出する検出ステップを実行し、
前記情報処理装置は、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が予め定められた値以上の場合、前記注目画素はショートしていると判定し、
前記検出ステップにおいて、前記検出された電流値が前記予め定められた値より小さい場合、前記注目画素に含まれる有機発光素子は劣化していると判定する、
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの検査システム。 In the ninth step, the information processing apparatus includes:
When the difference between the first luminance ratio and the second luminance ratio is less than or equal to the predetermined value, a voltage in a linear region of a voltage-current characteristic of the driving transistor in the target pixel is further applied to the target pixel. , Performing a detection step of detecting a current value of the target pixel;
The information processing apparatus includes:
In the detection step, when the detected current value is a predetermined value or more, it is determined that the target pixel is short-circuited,
In the detection step, when the detected current value is smaller than the predetermined value, it is determined that the organic light emitting element included in the target pixel has deteriorated.
The inspection system for an organic EL display panel according to claim 12 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011198731A JP5842212B2 (en) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | Inspection method and inspection system for organic EL display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011198731A JP5842212B2 (en) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | Inspection method and inspection system for organic EL display panel |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013062086A JP2013062086A (en) | 2013-04-04 |
| JP2013062086A5 JP2013062086A5 (en) | 2014-10-23 |
| JP5842212B2 true JP5842212B2 (en) | 2016-01-13 |
Family
ID=48186591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011198731A Active JP5842212B2 (en) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | Inspection method and inspection system for organic EL display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5842212B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6331349B2 (en) | 2013-11-19 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | Functional layer forming ink and method for producing organic electroluminescence element |
| CN110535997B (en) * | 2019-08-12 | 2021-03-19 | 上海创功通讯技术有限公司 | Method, device and equipment for calibrating terminal screen light leakage and storage medium |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4836718B2 (en) * | 2006-09-04 | 2011-12-14 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | Defect inspection method and defect inspection apparatus for electroluminescence display device, and method for manufacturing electroluminescence display device using them |
| JP2009276671A (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Canon Inc | Light-emitting device |
| JP2011090889A (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Panasonic Corp | Manufacturing method of organic el display device, its inspection device, and inspection method |
| JP2011134489A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Hitachi High-Technologies Corp | Facilities and method for inspecting lighting of organic el display substrate, device and method for inspecting/correcting defect in organic el display substrate, and system and method for manufacturing organic el display |
| WO2011138914A1 (en) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Apparatus for inspecting light emitting device and method for inspecting light emitting device |
-
2011
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013062086A (en) | 2013-04-04 |
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