JP5840527B2 - 回路基板 - Google Patents
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Description
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、電流のアンバランスを防止可能とした回路基板を提供することを目的とする。
上記構成によれば、シャント抵抗に入力端子及び出力端子の対を複数設けたため、例えば、並列に接続された複数の回路部品にシャント抵抗を接続した場合にも、導体を直線状に配置することが可能となる。また、シャント抵抗は、複数の端子に流れる電流密度が均一でないと抵抗値が大きくなるが、シャント抵抗の各入力端子に流入する電流密度、或いは各出力端子から流出する電流の電流密度を等しくする位置に導体を接続したため、見かけ上の抵抗値の増加を防止できる。
上記構成によれば、シャント抵抗の実装面積が小さくなるので、回路基板を小型化できる。
上記構成によれば、基板層と導体層を積層することで導体を回路基板に設けることができるので、回路基板に導体を個別に取り付ける場合に比べ、回路基板を容易に形成できる。
図1は、本実施の形態に係る回路基板を使用したモータ駆動装置の電気的構成を示す図である。
このモータ駆動装置1は、電気自動車或いはハイブリッド自動車に搭載される車載装置であり、制御装置(能動部)として機能する電子制御ユニット(Electronic Control Unit:ECU)10と、実際に、車両駆動用のモータ(駆動源)30を駆動する能動部(パワーモジュールとも称する)として機能するパワードライブユニット(Power Drive Unit:PDU)20とを備え、電子制御ユニット10とパワードライブユニット20との接続は、複数本(本構成では6本)のハーネス(配線)UH,UL,VH,VL,WH,WLで行われる。
このパワードライブユニット20は、高圧側入力端子13と低圧側入力端子14との間に設けられ、外部電源12から供給された直流電源の平滑化を行う平滑コンデンサ22と、外部電源12から供給される直流電流を、交流のモータ駆動電流に変換し、モータ30に出力するインバーター回路23と、インバーター回路23のトランジスタ31H,31Lを各々駆動するゲート駆動回路24を配置したゲート駆動基板25とを備えている。
各トランジスタ31H,31Lには、パワー半導体である絶縁ゲート型トランジスタ(IGBT)、MOSFETなどのスイッチングトランジスタ(スイッチング素子)が用いられる。
各トランジスタ31H,31Lのコレクタ−エミッタ間には、転流ダイオード32H,32Lが接続され、転流ダイオード32H,32Lには、トランジスタ31H,31Lがオフの間にトランジスタ31H,31Lのエミッタ側からコレクタ側に電流が流れるように構成される。
各相には、電流検出用のシャント抵抗40が設けられている。
つまり、パワードライブユニット20には、相毎に2本のハーネスUH〜WLが接続され、これらハーネスUH〜WLを介して、相毎に対の制御信号が入力されて各相の電流が生成出力されるようになっている。
パワードライブユニット20は、平滑コンデンサ22や、パワー素子33UH〜33WL、シャント抵抗40等の電子部品を配置する略矩形状の回路基板21を備えている。この回路基板21は、図示は省略するが、制御装置や車両駆動用モータ等の機器と配線接続されるようになっている。なお、図2及び図3では、回路基板21の短辺の手前を前側、奥を後側、長辺の左方を左側、右方を右側とする。
パワー素子33UL,33VL,33WL(以下、33UL〜33WLと記載する。)の下流側(グラウンド側)には、当該パワー素子33UL〜33WLに対して略直角にシャント抵抗40が配置されている。より詳細には、一のシャント抵抗40はパワー素子33VL,33WL間に配置され、二のシャント抵抗40はパワー素子33WL,33UL間に配置され、三のシャント抵抗40はパワー素子33ULと回路基板21の後側の短辺との間に配置されている。
回路基板21は、複数(本実施の形態では、3つ)の絶縁層51の間及び外表面に、例えば銅箔等の基板層52A,52Bを積層して構成されている。各基板層52A,52Bには回路パターン53が形成され、内層の基板層52Aには導体ワイヤ(導体)56が接続されている。内層の基板層52Aに面する側の絶縁層51には、導体ワイヤ56に対応する位置に、複数の凹部54が形成されており、絶縁層51と基板層52Aとを積層することで、凹部54内に導体ワイヤ56に配置される。導体ワイヤ56の厚さによっては、凹部54が形成された部分の絶縁層51の厚さが薄くなるため、必要に応じて当該絶縁層51を厚くすればよい。このように、回路基板21の内層に導体ワイヤ56を設けているため、導体ワイヤ56の実装に部品実装面を使用することがなく、回路基板21の大型化を抑えつつ、電流容量を大きくすることができる。
外表面の基板層52Bには、上述した半田付け用のランド58が形成されている。ランド58はその他の基板層52Bの回路パターン53に導通しており、平滑コンデンサ22や、パワー素子33UH〜33WL、シャント抵抗40等の電子部品は、端子22A,33A,42,43がランド58に半田付けされることで、その他の基板層52Bの回路パターン53に電気的に接続されている。
そこで、本実施の形態では、合流地点Pから遠方の端子付近(図5の例では、合流地点Pから遠方の2つの挿通孔42B1近傍)に接続点60Aを設けて導体ワイヤ56を接続している。このように、シャント抵抗40の出力端子43から流出する電流の電流密度を等しくする位置に接続点60を設けたため、シャント抵抗40の見かけ上の抵抗値の増加を防止できる。
例えば、上記実施の形態では、回路基板21に貫通孔61を形成し、この貫通孔61を用いて回路パターン53と導体ワイヤ56とを接続する接続点60を形成していたが、回路パターン53と導体ワイヤ56とが接続されれば、必ずしも回路基板21を貫通させる必要はない。回路パターン53と導体ワイヤ56とを溶接により接続したが、回路パターン53と導体ワイヤ56との接続はこれに限定されるものではない。
20 パワードライブユニット
21 回路基板
40 シャント抵抗
42 入力端子
43 出力端子
53 回路パターン
56 導体ワイヤ(導体)
Claims (2)
- 回路パターンの電流容量を増やす導体が設けられ、電流検出用のシャント抵抗が前記回路パターンに接続された回路基板において、
前記シャント抵抗に、前記回路パターンに接続される入力端子、及び出力端子の対を複数設け、前記シャント抵抗の各入力端子に流入する電流密度、或いは各出力端子から流出する電流の電流密度を等しくする位置に前記導体を接続したことを特徴とする回路基板。 - 前記シャント抵抗は、前記回路パターンの上空に前記入力端子から前記出力端子に至る電流経路を有することを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
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