JP5827593B2 - Movable nozzle and substrate processing apparatus - Google Patents
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Description
開示の実施形態は、可動ノズルおよび基板処理装置に関する。 The disclosed embodiments relate to a movable nozzle and a substrate processing apparatus.
従来、半導体ウエハやガラス基板等の基板に処理液を供給することによって、基板の洗浄やレジスト除去等の液処理を行う基板処理装置が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus that performs liquid processing such as cleaning of a substrate and resist removal by supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.
たとえば、特許文献1には、基板を回転させながら基板に対して洗浄液を吐出することによって基板の洗浄を行う基板洗浄装置が開示されている。
For example,
特許文献1に記載の基板洗浄装置は、洗浄液を吐出するノズルが基板上方に配置されたプレートと一体に形成されており、かかるプレートを基板に対して接近または後退させることによってノズルと基板との距離を変更することができる。
In the substrate cleaning apparatus described in
しかしながら、特許文献1に記載の技術は、ノズルとともにプレートも移動するため、可動部位が大きいという問題がある。
However, the technique described in
可動部位を小さくするために、プレートを固定とし、ノズルだけを可動させることが考えられるが、かかる場合には、可動部位であるノズルと非可動部位であるプレートとの間の密閉性を確保することが重要である。これは、ノズルだけを可動させる場合、可動部位であるノズルと非可動部位であるプレートとの擦り合わせ部分に隙間が生じ易く、かかる隙間を介して処理液やパーティクル等の流入出が生じるおそれがあるためである。 In order to make the movable part small, it is conceivable that the plate is fixed and only the nozzle is movable. In such a case, sealing between the nozzle that is the movable part and the plate that is the non-movable part is ensured. This is very important. This is because when only the nozzle is moved, a gap is likely to be formed in the rubbing portion between the nozzle that is the movable part and the plate that is the non-movable part, and there is a risk that inflow and outflow of processing liquid, particles, and the like may occur through the gap. Because there is.
実施形態の一態様は、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することのできる可動ノズルおよび基板処理装置を提供することを目的とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide a movable nozzle and a substrate processing apparatus that can ensure sealing between a movable part and a non-movable part.
実施形態の一態様に係る可動ノズルは、ノズル本体部と、取付部と、カバー体とを備える。ノズル本体部は、内部に流路が形成されるとともに、かかる流路と連通する吐出口が先端部に形成される。取付部は、ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置され、他の部材へ取り付けられる。カバー体は、ノズル本体部の先端部側および取付部の上面側の間を閉塞するとともに、流路と平行な方向にノズル本体部が取付部に対して移動した場合に、ノズル本体部の移動に伴って伸縮する。 The movable nozzle which concerns on the one aspect | mode of embodiment is provided with a nozzle main-body part, an attaching part, and a cover body. The nozzle body has a flow path formed therein, and a discharge port communicating with the flow path is formed at the tip. The attachment portion surrounds the outer peripheral portion of the nozzle main body portion, and is disposed apart from the outer peripheral portion, and is attached to another member. The cover body closes between the front end side of the nozzle body and the upper surface of the mounting part, and when the nozzle body moves with respect to the mounting part in a direction parallel to the flow path , the movement of the nozzle body It expands and contracts with it.
また、実施形態の一態様に係る基板処理装置は、ノズル本体部と、移動機構と、取付部と、カバー体と、基板支持部とを備える。ノズル本体部は、内部に流路が形成されるとともに、かかる流路と連通する吐出口が先端部に形成される。移動機構はノズル本体部の流路と平行な方向にノズル本体部を移動させる。取付部は、ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置される。カバー体は、ノズル本体部の先端部側および取付部の上面側の間を閉塞するとともに、流路と平行な方向にノズル本体部が取付部に対して移動した場合に、ノズル本体部の移動に伴って伸縮する。基板支持部は、基板の板面がノズル本体部の流路に対して垂直となる向きに基板を回転可能に支持する。 Moreover, the substrate processing apparatus which concerns on the one aspect | mode of embodiment is provided with a nozzle main-body part, a moving mechanism, an attaching part, a cover body, and a board | substrate support part. The nozzle body has a flow path formed therein, and a discharge port communicating with the flow path is formed at the tip. The moving mechanism moves the nozzle body in a direction parallel to the flow path of the nozzle body. The mounting portion surrounds the outer peripheral portion of the nozzle main body portion and is disposed away from the outer peripheral portion. The cover body closes between the front end side of the nozzle body and the upper surface of the mounting part, and when the nozzle body moves with respect to the mounting part in a direction parallel to the flow path , the movement of the nozzle body It expands and contracts with it. The substrate support unit rotatably supports the substrate in a direction in which the plate surface of the substrate is perpendicular to the flow path of the nozzle body.
実施形態の一態様によれば、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することができる。 According to one aspect of the embodiment, the sealing property between the movable part and the non-movable part can be ensured.
以下、添付図面を参照して、本願の開示する可動ノズルおよび基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a movable nozzle and a substrate processing apparatus disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.
(第1の実施形態)
<基板処理装置の構成>
第1の実施形態に係る基板処理装置の構成について図1を用いて説明する。図1は、第1の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式断面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
(First embodiment)
<Configuration of substrate processing apparatus>
The configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置1は、基板支持部10と、液体貯留部20と、カップ部30とを備える。基板支持部10は、基板Wの上方に配置され、基板Wを側方から水平に支持する。液体貯留部20は、基板支持部10によって支持される基板Wの下方に配置され、カップ部30は、液体貯留部20の周囲を取り囲むように配置される。
As shown in FIG. 1, the
まず、基板支持部10の構成について説明する。基板支持部10は、水平向きに基板Wを回転可能に支持する部材である。具体的には、基板支持部10は、天板11と、爪部12と、回転支持部13と、ベース部14と、第1昇降部15とを備える。また、基板支持部10は、上側ノズル16と、加熱部17とを備える。
First, the structure of the board |
天板11は、基板Wの上方を覆う略円板状の部材である。かかる天板11には、中央に開口部が形成されており、かかる開口部に、後述する上側ノズル16が取り付けられる。
The
爪部12は、天板11の下面外周部に対して複数(たとえば、3個)設けられ、基板Wを側方から挟持する部材である。かかる爪部12によって、基板Wは、天板11から離間し、かつ、基板Wの中心が天板11の中心とほぼ一致する位置に固定される。なお、基板Wは、パターン面を下側に向けた状態で爪部12に挟持されるものとする。
A plurality of (for example, three)
回転支持部13は、たとえばモータであり、天板11を回転可能に支持する。具体的には、回転支持部13は、出力軸が天板11の中央部に固定されるとともに、かかる出力軸を下方に向けた状態で基端部がベース部14に固定される。回転支持部13は、天板11を鉛直軸まわりに回転させことによって爪部12を回転させ、かかる爪部12の回転に伴って基板Wを鉛直軸まわりに回転させる。
The rotation support
ベース部14は、回転支持部13の上方に配置され、回転支持部13の基端部を支持する部材である。第1昇降部15は、ベース部14を鉛直方向に沿って移動させることによって基板Wの鉛直方向の位置、すなわち、高さ位置を変更する。
The
上側ノズル16は、天板11の中央に形成された開口に取り付けられ、基板Wの上方から基板Wの上面に対して流体を吐出するノズルである。具体的には、上側ノズル16は、先端部に形成される吐出口から基板Wの上面へ向けて処理液であるCDIW(常温の脱イオン水)または不活性ガスであるN2(窒素)を吐出する。
The
CDIWは、バルブ41aおよび配管40aを介して上側ノズル16へ供給され、N2は、バルブ41bおよび配管40aを介して上側ノズル16へ供給される。これらバルブ41aおよびバルブ41bの開閉を制御することによって、基板処理装置1は、上側ノズル16から吐出させる流体の切り替えや流量制御等を行う。
CDIW is supplied to the
加熱部17は、たとえば、LED(Light Emitting Diode)であり、基板W上の上面近傍に配置される。かかる加熱部17によって、基板Wおよび基板W上の液体の温度が均一に保たれる。
The
つづいて、液体貯留部20について説明する。液体貯留部20は、貯留槽底部21と、可動堰部22と、第2昇降部23と、下側ノズル24と、吐出口25と、超音波振動子26とを備える。
Next, the
貯留槽底部21は、基板支持部10によって支持される基板Wの下方に配置される。かかる貯留槽底部21は、中央に開口部を有しており、かかる開口部に後述する下側ノズル24が取り付けられる。
The
貯留槽底部21の開口部近傍には、貯留槽底部21の上面および下面を連通する吐出口25が形成される。吐出口25は、配管40dと連結し、かかる配管40dを介して供給されるHDIW(高温の脱イオン水)を貯留槽底部21の上面へ吐出する。
In the vicinity of the opening of the
貯留槽底部21の下面には、超音波振動子26が設けられる。超音波振動子26は、後述する洗浄処理においてHDIWに浸漬された基板Wに対して超音波振動を付与することによって、基板Wの表面に付着した異物を物理的に除去する。
An
可動堰部22は、貯留槽底部21を取り囲む略円筒状の部材であり、貯留槽底部21の外周部から僅かに離間した状態で配置される。かかる可動堰部22は、第2昇降部23によって鉛直方向に移動可能である。
The
基板処理装置1は、第2昇降部23を用いて可動堰部22を上昇させ、可動堰部22の上端部を貯留槽底部21の上面よりも高い位置に配置することで、貯留槽底部21と可動堰部22とによる貯留槽(貯留部に相当)を形成する。
The
ここで、可動堰部22の高さは、第2昇降部23によって「Lowポジション」、「Hiポジション」および「Midポジション」の3段階に調整可能である。ここで、「Lowポジション」は、可動堰部22の上端部が貯留槽底部21の上面と略同一の高さに配置された状態であり、「Hiポジション」は、可動堰部22の上端部が貯留槽底部21の上面よりも高い位置に配置された状態である。また、「Midポジション」は、LowポジションとHiポジションの間の位置である。
Here, the height of the
貯留槽底部21および可動堰部22によって形成される貯留槽には、吐出口25から吐出されるHDIWが貯留される。なお、吐出口25から吐出されたHDIWは、貯留槽底部21と可動堰部22との間の開口部22aから排出されるが、かかる開口部22aからの排出量を上回る量のHDIWが吐出口25から供給されることによって、貯留槽にHDIWが貯留される。
HDIW discharged from the
すなわち、液体貯留部20は、HDIWの供給と排出を同時に行いながら、貯留槽底部21および可動堰部22によって形成される貯留槽に対してHDIWを貯留する。なお、HDIWは、可動堰部22の上端部からもオーバーフローして排出されてもよい。
That is, the
下側ノズル24は、貯留槽の底面部である貯留槽底部21に取り付けられ、基板Wの下方から基板Wの下面へ向けて流体を吐出する。具体的には、下側ノズル24は、先端部に形成された吐出口から処理液であるH2SO4(硫酸)およびH2O2(過酸化水素水)を吐出する。
The
H2SO4は、バルブ41cおよび配管40bを介して下側ノズル24へ供給され、H2O2は、バルブ41dおよび配管40bを介して下側ノズル24へ供給される。基板処理装置1は、これらH2SO4およびH2O2を下側ノズル24へ同時に供給することによって、H2SO4およびH2O2の混合液であるSPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)を生成して下側ノズル24から吐出する。
H2SO4 is supplied to the
また、下側ノズル24は、吐出口からCDIWおよびN2の吐出も行う。CDIWは、バルブ41eおよび配管40bを介して下側ノズル24へ供給され、N2は、バルブ41fおよび配管40bを介して下側ノズル24へ供給される。
The
基板処理装置1は、バルブ41c〜41eの開閉を制御することによって、下側ノズル24から吐出させる流体の切り替えや流量制御等を行う。
The
つづいて、カップ部30について説明する。カップ部30は、液体貯留部20の貯留槽から排出されるHDIWを集液する第1カップ31と、上側ノズル16から吐出されるCDIWおよび下側ノズル24から吐出されるSPMを集液する第2カップ32とを備える。
Next, the
第1カップ31は、円筒状の内壁部31aと、かかる内壁部31aを取り囲んで配置される円筒状の外壁部31bと、内壁部31aの下部および外壁部31bの下部に連接する底部31cとを備える。
The
内壁部31aの上端部は、貯留槽底部21の外周部近傍の下面に固定され、外壁部31bの上端部は、可動堰部22の上端部よりも高い位置に配置される。また、底部31cには、複数の排出口31dが形成される。
The upper end portion of the
内壁部31aと外壁部31bとの間、すなわち、第1カップ31の内部には、液体貯留部20の可動堰部22が配置される。かかる可動堰部22によって、外壁部31bおよび貯留槽底部21間の開口部は、貯留槽底部21および可動堰部22間の開口部22aと、外壁部31bおよび可動堰部22間の開口部31eとに仕切られる。
The
第1カップ31は、これら開口部22a,31eから流入するHDIWを集液して排出口31dから外部へ排出する。
The
第2カップ32は、第1カップ31の外周側に設けられる。具体的には、第2カップ32は、円筒状の外壁部32aと、外壁部32aの下部および第1カップ31の外壁部31bに連接する底部32bとを備える。外壁部32aの上端部は、第1カップ31の外壁部31bの上端部よりも高い位置に配置される。また、底部32bには、複数の排出口32cが形成される。
The
かかる第2カップ32は、外壁部32aと第1カップ31の外壁部31bとの間に形成される開口部32dから流入するCDIWおよびSPMを集液して排出口32cから外部へ排出する。
The
<可動ノズルの構成および動作>
第1の実施形態に係る上側ノズル16および下側ノズル24は、吐出口を有するノズル本体部を基板Wに対して接近・後退させることができる可動ノズルであり、吐出口から基板Wまでの距離を変更することができる。
<Configuration and operation of movable nozzle>
The
具体的には、上側ノズル16は、外部から配管40cを介して供給されるAIR(空気)の圧力によってノズル本体部を移動させることにより、天板11の下面から吐出口を突出させて吐出口から基板Wの上面までの距離を変更することができる。また、下側ノズル24は、外部から供給されるAIRの圧力によってノズル本体部を移動させることによって、貯留槽底部21の上面から吐出口を突出させて吐出口から基板Wの下面までの距離を変更することができる。
Specifically, the
ここで、第1の実施形態に係る上側ノズル16および下側ノズル24は、可動部位と非可動部位と擦りあわせ部分を削減することにより、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することとしている。
Here, the
以下では、かかる上側ノズル16および下側ノズル24の構成および動作について具体的に説明する。なお、上側ノズル16と下側ノズル24とは同一の構成であるため、以下では、下側ノズル24について説明することとし、上側ノズル16については説明を省略する。
Below, the structure and operation | movement of this
<下側ノズルの構成および動作>
図2は、第1の実施形態に係る下側ノズル24の構成を示す模式断面図である。図2に示すように、下側ノズル24は、ノズル本体部51と、取付部52と、膜53と、移動機構54とを備える。
<Configuration and operation of lower nozzle>
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the
ノズル本体部51は、鉛直方向に延在する流路51aが内部に形成されるとともに、かかる流路51aと連通する吐出口51bが先端部に形成された略円筒状の部材である。
The
ノズル本体部51の基端部には、配管40bが連結されており、かかる配管40bを介して流体(H2SO4,N2,H2O2,CDIW)が流路51aへ供給される。ノズル本体部51は、流路51aへ供給された流体を吐出口51bから基板Wの下面へ向けて鉛直上向きに吐出する。なお、配管40bは、溶接部61によってノズル本体部51に固定される。
A
また、ノズル本体部51には、基端部の外周面の周方向に沿って溝部が形成されており、かかる溝部には封止部材であるOリング62が設けられる。かかるOリング62によって、ノズル本体部51は、移動機構54との密閉性を確保しつつ、後述する移動機構54によって移動可能に支持される。
Further, the nozzle
取付部52は、ノズル本体部51の先端部近傍の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置される略円環状の部材である。
The
取付部52の上端部52aには、取付部52の内周部を鉛直上方へ向けて突出させた略円環状の突出部52bが形成されるとともに、かかる突出部52bの外周面に沿って溝部52cが環状に形成される。
The
突出部52bの外周面および上端部52aの上面は、他の部材(ここでは、貯留槽底部21)への取付面となる。また、溝部52cには、封止部材であるOリングが嵌め込まれる。
The outer peripheral surface of the
膜53は、表面に凹凸のない平坦な部材で形成される略円板状のカバー体であり、ノズル本体部51および取付部52間の開口を閉塞する。具体的には、膜53は、内周部においてノズル本体部51の先端部外縁に連接し、外周部において取付部52の突出部52b先端に連接する。
The
かかる膜53は、柔軟性を有し、ノズル本体部51および取付部52間において撓んだ状態で設けられる。これにより、膜53は、後述するようにノズル本体部51が鉛直方向に移動した場合に、かかるノズル本体部51の移動に伴って伸縮することが可能となる。
Such a
このように、下側ノズル24は、可動部位であるノズル本体部51と非可動部位である取付部52とが離間して配置されるとともに、ノズル本体部51の移動に伴って伸縮可能な膜53を用いてノズル本体部51と取付部52との間の開口を閉塞することとした。
As described above, the
したがって、下側ノズル24によれば、可動部位であるノズル本体部51と非可動部位である取付部52とが擦り合うことなく、しかも、これらの間の密閉性を確保した状態で、可動部位であるノズル本体部51を鉛直方向へ移動させることができる。
Therefore, according to the
また、ノズル本体部51、取付部52および膜53は、たとえば金型を用いたプレス加工によって一体成形される。これにより、下側ノズル24は、可動部位であるノズル本体部51と非可動部位である取付部52との間の密閉性をより確実に確保することができる。
The nozzle
なお、膜53は、耐化学薬品性の高いテフロン(登録商標)製であることが好ましいが、金属製や樹脂製などであってもよい。
The
移動機構54は、筐体部54aと、固定側部材54bと、付勢部材54cと、可動側部材54dとを備える。筐体部54aは、上方に開口部を有する有底筒状の部材であり、溶接部63によって取付部52に固定される。
The moving
筐体部54aの底部には、円形の開口部が形成されており、かかる開口部にノズル本体部51の基端部が挿通される。移動機構54は、かかる筐体部54aの開口部がノズル本体部51に設けられた回転体62a,62bと当接することにより、ノズル本体部51を鉛直方向に移動可能に支持する。
A circular opening is formed at the bottom of the
固定側部材54bは、ノズル本体部51と取付部52との間に設けられる略円筒状の部材であり、外周部に形成されるフランジ部54b_1が取付部52と筐体部54aとによって挟持されることによって、これら取付部52および筐体部54aによって固定される。なお、固定側部材54bは、ノズル本体部51の外周部から離間して配置される。このため、固定側部材54bとノズル本体部51との間には擦り合せ部は存在しない。
The fixed
付勢部材54cは、たとえばコイルばねであり、固定側部材54bと筐体部54aとの間に配置される。
The urging
可動側部材54dは、付勢部材54cと筐体部54aとの間に設けられる略円筒状の部材であり、付勢部材54cによって鉛直下方、すなわち、流路51aの流れ方向とは反対方向に付勢される。
The
可動側部材54dは、溶接部65によってノズル本体部51の外周部に固定される。したがって、可動側部材54dが付勢部材54cによって付勢されることにより、ノズル本体部51は、流路51aの流れ方向とは反対方向に付勢されることとなる。
The
可動側部材54dの外周面には、周方向に沿って溝部が形成され、かかる凹部には封止部材であるOリング64が設けられる。可動側部材54dは、かかるOリング64を介して筐体部54aの内周部に当接することによって、筐体部54aとの密閉性を確保しつつ、ノズル本体部51を鉛直方向へ移動可能である。
A groove is formed along the circumferential direction on the outer peripheral surface of the
筐体部54aの基端部には、筐体部54a、可動側部材54dおよびノズル本体部51によって覆われる密閉空間を外部と連通する流路54a_1が形成される。また、かかる流路54a_1には、上記の密閉空間に対してAIR(空気)を供給するための配管40cが連結される。
A flow path 54a_1 is formed at the base end portion of the
次に、下側ノズル24の取付方法および伸縮動作について図3Aおよび図3Bを用いて説明する。図3Aは、下側ノズル24の取付方法を示す模式図であり、図3Bは、下側ノズル24の伸縮動作を示す模式図である。
Next, the attachment method and expansion / contraction operation of the
図3Aに示すように、貯留槽底部21の開口部21aには、貯留槽底部21の上端部を開口部21aの中心へ向けて突出させたフランジ部21bが形成される。
As shown in FIG. 3A, a
作業者等は、封止部材であるOリング71を下側ノズル24の溝部52cに取り付けた状態で、下側ノズル24を貯留槽底部21の下方から開口部21aへ挿通させ、取付部52の上端部52aをフランジ部21bに当接させる。これにより、貯留槽底部21は、フランジ部21bの下面に取付部52の上端部52aが当接し、フランジ部21bの内周面に突出部52bの外周面が当接した状態となり、開口部21aが閉塞される。
An operator or the like inserts the
また、取付部52には両端開口のネジ穴(図示せず)が形成され、フランジ部21bには一端開口のネジ穴(図示せず)が形成される。作業者等は、これらのネジ穴に対して固定部材であるネジ72を挿通し、下側ノズル24を貯留槽底部21に対してネジ止めする。これにより、下側ノズル24は、貯留槽底部21に取り付けられた状態となる。
Further, screw holes (not shown) with openings at both ends are formed in the
このように、下側ノズル24の取付部52が、貯留槽底部21のフランジ部21bに対してOリング71を介して固定されることにより、下側ノズル24と貯留槽底部21との密閉性が確保される。
As described above, the
つづいて、下側ノズル24の伸縮動作について図3Bを用いて説明する。図3Bに示すように、基板処理装置1は、筐体部54a、可動側部材54dおよびノズル本体部51によって覆われる密閉空間に対して配管40cおよび流路54a_1を介してAIR(空気)を供給する。これにより、可動側部材54dには、空気圧による外力が加えられる。
Next, the expansion / contraction operation of the
この結果、可動側部材54dは、付勢部材54cによる付勢に抗して鉛直上方へ移動し、ノズル本体部51を鉛直上方へ移動させる。これにより、ノズル本体部51の吐出口51bは、貯留槽底部21の上面から突出した状態となる。
As a result, the
上述したように、可動部位であるノズル本体部51と非可動部位である取付部52との間は、ノズル本体部51の移動に伴って伸縮可能な膜53によって閉塞される。このため、下側ノズル24は、可動部位であるノズル本体部51と非可動部位である取付部52との間の密閉性を確保しつつ、可動部位であるノズル本体部51を移動させることができる。
As described above, the
また、下側ノズル24は、可動部位であるノズル本体部51と非可動部位である取付部52とが互いに離間して配置される。すなわち、ノズル本体部51と取付部52との間には擦り合せ部分が存在しないため、かかる擦り合せ部分から発塵が生じることがない。
In the
また、下側ノズル24の取付部52と、かかる取付部52が取り付けられる貯留槽底部21とは、共に非可動部位である。このため、下側ノズル24と貯留槽底部21との間にも擦り合わせ部分は存在しない。したがって、下側ノズル24によれば、貯留槽底部21との間の密閉性を容易に確保することができる。
Moreover, the
また、下側ノズル24は、移動機構54の駆動系である付勢部材54cおよび可動側部材54dが、ノズル本体部51、取付部52、膜53および筐体部54aによって覆われる閉空間内に配置される。このため、仮に、付勢部材54cや可動側部材54dから発塵が起きたとしても、かかる発塵による基板Wへの影響を抑えることができる。
Further, the
また、ノズル本体部51と取付部52との間を閉塞する膜53は、凹凸のない平坦な部材で形成される。このため、たとえばカバー体としてベローズなどの凹凸のある部材を用いた場合と比較し、排出すべき液体が凹凸部分に残存したり凹凸部分によって液体の流れが阻害されたりといったことが生じ難い。
Moreover, the film |
なお、第1の実施形態に係る付勢部材54cおよび可動側部材54dは、ノズル本体部51を流路51aの流れ方向と反対方向へ付勢するとともに、外力が加えられた場合には、流れ方向と反対方向への付勢に抗してノズル本体部51を移動させる可動部の一例である。
The urging
<基板処理装置の動作>
次に、基板処理装置1の具体的動作について図4および図5A〜図5Dを用いて説明する。図4は、基板処理装置1が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
<Operation of substrate processing apparatus>
Next, a specific operation of the
なお、基板Wは、パターン面を下方に向けた状態で図示しない搬送機構によって基板支持部10の下方へ搬送された後、図示しない受渡機構によって搬送機構から基板支持部10の爪部12へ受け渡され、基板支持部10によって支持されるものとする。図4には、基板Wが基板支持部10によって支持された後の処理手順を示している。
The substrate W is transported below the
図4に示すように、基板処理装置1は、まず、基板Wの下面に付着しているレジストを除去するレジスト除去処理を行う(ステップS101)。
As shown in FIG. 4, the
レジスト除去処理において、基板処理装置1は、基板Wを回転させつつ、下側ノズル24から基板Wへ向けてSPMを吐出することによって、基板Wの下面に付着したレジストを除去する。
In the resist removal process, the
ここで、レジスト除去処理の内容について図5Aを用いて説明する。図5Aは、レジスト除去処理の動作例を示す模式図である。 Here, the content of the resist removal process will be described with reference to FIG. 5A. FIG. 5A is a schematic diagram illustrating an operation example of resist removal processing.
図5Aに示すように、基板処理装置1は、まず、第1昇降部15(図1参照)を用いてベース部14(図1参照)を下方に移動させる。これにより、基板Wは、第1カップ31の外壁部31bの上端部よりも高く、第2カップ32の外壁部32aの上端部よりも低い位置に配置される。その後、基板処理装置1は、回転支持部13を用いて基板Wを所定の回転速度(たとえば、500rpm)で回転させる。
As shown in FIG. 5A, the
つづいて、基板処理装置1は、下側ノズル24に対してAIR(空気)を供給することにより、ノズル本体部51(図2参照)を鉛直上方へ移動させる。これにより、下側ノズル24の吐出口51bが、貯留槽底部21の上面よりも高い位置に配置される。
Subsequently, the
また、基板処理装置1は、第2昇降部23を用いて液体貯留部20の可動堰部22を鉛直上方へ移動させ、可動堰部22の位置を「Midポジション」とする。これにより、貯留槽底部21と可動堰部22とによって貯留槽が形成される。
In addition, the
なお、「Midポジション」において、可動堰部22の上端部は、貯留槽底部21の上面よりも高く、貯留槽底部21の上面から突出した状態の吐出口51bよりも低い位置に配置される。
In the “Mid position”, the upper end portion of the
つづいて、基板処理装置1は、貯留槽底部21の吐出口25からHDIWを吐出する。これにより、貯留槽底部21と可動堰部22とによって形成される貯留槽にHDIWが貯留される。
Subsequently, the
ここで、上記のように、可動堰部22の上端部は、下側ノズル24の吐出口51bよりも低い位置に配置される。言い換えれば、下側ノズル24の吐出口51bは、貯留槽底部21と可動堰部22とによって形成される貯留槽に貯留されるHDIWの液面よりも高い位置に配置される。
Here, as described above, the upper end portion of the
このように、基板処理装置1は、ノズル本体部51を鉛直上方へ移動させて下側ノズル24の吐出口51bをHDIWの液面よりも高い位置に配置することで、貯留槽に貯留されたHDIWが下側ノズル24の内部へ流入することを防止することができる。
Thus, the
また、貯留槽にHDIWが貯留された状態で下側ノズル24の吐出口51bからSPMを吐出する場合に、吐出口51bを貯留槽に貯留されたHDIWの液面よりも高い位置に配置することで、HDIWがSPMとともに基板Wへ吐出されることを防止することができる。
Further, when the SPM is discharged from the
つづいて、基板処理装置1は、バルブ41cおよびバルブ41d(図1参照)を開くことによって、下側ノズル24から基板Wの下面へ向けてSPMを吐出する。基板Wの下面に付着したSPMは、基板Wの回転による遠心力を受けて中央から外周縁に向けて拡散し、基板Wの下面に付着するレジストを酸化反応によって除去する。
Subsequently, the
基板W上のSPMの温度は、基板Wの中央部から外周縁に向かうにつれて徐々に低くなるが、基板処理装置1は、加熱部17を用いて基板Wの外周部を加熱することによって、基板W上のSPMの温度を均一に保つことができる。
The temperature of the SPM on the substrate W gradually decreases from the central portion toward the outer peripheral edge of the substrate W, but the
基板Wの外周縁から基板Wの外方へ飛散したSPMは、開口部32dから第2カップ32内に入り、かかる第2カップ32によって集液されて排出口32cから外部へ排出される。
The SPM scattered from the outer periphery of the substrate W to the outside of the substrate W enters the
ところで、SPMは、基板Wへ付着した後、重力により基板Wから下方へ落下する場合もある。仮に、SPMが貯留槽底部21へ直接落下したとすると、SPMの凝集物が貯留槽底部21の上面に付着して貯留槽底部21が汚損するおそれがある。
By the way, after the SPM adheres to the substrate W, it may fall downward from the substrate W due to gravity. If the SPM falls directly to the
これに対し、基板処理装置1では、HDIWを貯留した状態でSPMの吐出を行うこととたため、基板Wから落下したSPMは、HDIWの液面に落下することとなる。すなわち、貯留槽底部21にSPMが直接落下することはないため、SPMの凝集物が貯留槽底部21に付着することを防止することができる。
On the other hand, in the
しかも、基板処理装置1は、HDIWの排出と供給を常時行っているため、基板Wから落下したSPMをHDIWとともにすぐに排出することができる。したがって、貯留槽底部21にSPMによるヒュームの付着をより確実に防止することができる。
Moreover, since the
なお、ここでは、下側ノズル24のノズル本体部51(図2参照)を鉛直上方へ移動させた後で、貯留槽にHDIWを貯留することとしたが、基板処理装置1は、貯留槽にHDIWを貯留した後で、または、貯留槽にHDIWを貯留しながらノズル本体部51を移動させてもよい。
Here, the HDIW is stored in the storage tank after the nozzle body 51 (see FIG. 2) of the
図4へ戻り、基板処理装置1の動作についての説明を続ける。ステップS101のレジスト除去処理を終えると、基板処理装置1は、バルブ41cおよびバルブ41d(図1参照)を閉じてSPMの吐出を停止する。また、基板処理装置1は、基板Wの回転を停止する。そして、基板処理装置1は、下側ノズル24へのAIRの供給を停止して下側ノズル24の吐出口51bを下方に下げる。その後、基板処理装置1は、基板Wの洗浄処理を行う(ステップS102)。
Returning to FIG. 4, the description of the operation of the
なお、ステップS102の洗浄処理へ移行する際、基板処理装置1は、吐出口25からのHDIWの吐出を継続させておく、すなわち、貯留槽にHDIWが貯留された状態を維持しておく。
In addition, when shifting to the cleaning process in step S102, the
洗浄処理において、基板処理装置1は、貯留槽に貯留されたHDIWに基板Wを浸漬させた状態で、貯留槽底部21に設けられた超音波振動子26を用いて基板Wを超音波洗浄する。
In the cleaning process, the
ここで、洗浄処理の内容について図5Bを用いて説明する。図5Bは、洗浄処理の動作例を示す模式図である。 Here, the content of the cleaning process will be described with reference to FIG. 5B. FIG. 5B is a schematic diagram illustrating an operation example of the cleaning process.
図5Bに示すように、基板処理装置1は、第2昇降部23を用いて液体貯留部20の可動堰部22を鉛直上方へ移動させ、可動堰部22の位置を「Hiポジション」へ変更する。これにより、図5Aに示す貯留槽よりも深い貯留槽が形成され、貯留槽には、レジスト除去処理時よりも多量のHDIWが貯留される。
As shown in FIG. 5B, the
ここで、貯留槽には、レジスト除去処理の時点でHDIWがある程度(Midポジション分)貯留されている。このため、基板処理装置1は、貯留槽にHDIWが貯留されていない場合やHDIW以外の液体が貯留されている場合と比較して、可動堰部22が「Hiポジション」へ移動してからHDIWの貯留が完了するまでの時間を短縮することができる。
Here, HDIW is stored in the storage tank to some extent (for the Mid position) at the time of the resist removal process. For this reason, the
このように、基板処理装置1は、レジスト除去処理において貯留槽へ貯留する液体として、洗浄処理において貯留槽へ貯留する液体と同一の液体(ここでは、HDIW)を用いることとしたため、レジスト除去処理から洗浄処理への移行を迅速に行うことができる。
As described above, the
つづいて、基板処理装置1は、第1昇降部15(図1参照)を用いてベース部14(図1参照)をさらに下方に移動させる。これにより、基板Wは、貯留槽底部21の上面よりも高く、可動堰部22の上端部よりも低い位置に配置されて、HDIWに浸漬された状態となる。
Subsequently, the
そして、基板処理装置1は、超音波振動子26を用いてHDIWに浸漬された基板Wの超音波洗浄を行う。これにより、基板Wの板面に付着した異物が物理的に除去される。
Then, the
なお、ここでは、基板Wを停止させた状態で超音波洗浄を行う場合の例について示したが、基板処理装置1は、HDIWに浸漬させた基板Wを回転させながら、超音波洗浄を行ってもよい。
Here, an example in which ultrasonic cleaning is performed in a state where the substrate W is stopped is shown, but the
超音波洗浄処理を終えると、基板処理装置1は、貯留槽に貯留されたHDIWの排液を行う。ここで、HDIWの排液処理について図5Cを用いて説明する。図5Cは、排液処理の動作例を示す模式図である。
When the ultrasonic cleaning process is completed, the
図5Cに示すように、基板処理装置1は、吐出口25からのHDIWの供給を停止する。また、基板処理装置1は、第2昇降部23を用いて液体貯留部20の可動堰部22を鉛直下方へ移動させることによって、可動堰部22の高さを「Lowポジション」とする。これにより、貯留されていたHDIWは、開口部22aおよび開口部31eから第1カップ31へ流入し、第1カップ31の排出口31dから外部へ排出される。
As shown in FIG. 5C, the
なお、貯留槽底部21の上面および可動堰部22の上端部には、外周部側が低くなる傾斜が設けられている。これにより、HDIWをスムーズに排出することができる。
In addition, the upper surface of the
図4に戻り、基板処理装置1の動作についての説明を続ける。ステップS102の洗浄処理を終えると、基板処理装置1は、基板Wのリンス処理を行う(ステップS103)。かかるリンス処理において、基板処理装置1は、HDIWを用いて洗浄した後の基板WをHDIWよりも低温の液体であるCDIWですすぐ処理を行う。
Returning to FIG. 4, the description of the operation of the
ここで、リンス処理の内容について図5Dを用いて説明する。図5Dは、リンス処理の動作例を示す模式図である。 Here, the contents of the rinsing process will be described with reference to FIG. 5D. FIG. 5D is a schematic diagram illustrating an operation example of the rinsing process.
図5Dに示すように、基板処理装置1は、第1昇降部15(図1参照)を用いてベース部14(図1参照)を上方に移動させて、基板Wを図5Aに示す位置と同位置に配置する。その後、基板処理装置1は、回転支持部13を用いて基板Wを所定の回転速度(たとえば、1000rpm)で回転させる。
As shown in FIG. 5D, the
つづいて、基板処理装置1は、下側ノズル24に対してAIR(空気)を供給することによって、ノズル本体部51(図2参照)を基板Wの裏面へ向けて鉛直上方へ移動させる。これにより、下側ノズル24の吐出口51bが、貯留槽底部21の上面よりも高い位置に配置される。
Subsequently, the
同様に、基板処理装置1は、上側ノズル16に対してAIR(空気)を供給することによって、上側ノズル16のノズル本体部を基板Wの表面へ向けて鉛直下方へ移動させる。これにより、上側ノズル16の吐出口が、天板11の下面よりも低い位置に配置される。
Similarly, the
つづいて、基板処理装置1は、バルブ41e(図1参照)を開くことによって、下側ノズル24から基板Wの下面へ向けてCDIWを吐出するとともに、バルブ41a(図1参照)を開くことによって、上側ノズル16から基板Wの上面へ向けてCDIWを吐出する。
Subsequently, the
基板Wの板面へ付着したCDIWは、基板Wの回転による遠心力を受けて中央から外周縁に向けて拡散し、基板Wの板面を洗浄する。なお、基板Wの外周縁から基板Wの外方へ飛散したCDIWは、開口部32dから第2カップ32内に入り、かかる第2カップ32によって集液されて排出口32cから外部へ排出される。
The CDIW adhering to the plate surface of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W, diffuses from the center toward the outer peripheral edge, and cleans the plate surface of the substrate W. The CDIW scattered from the outer peripheral edge of the substrate W to the outside of the substrate W enters the
このように、第1の実施形態に係る基板処理装置1は、上側ノズル16および下側ノズル24を基板Wへ近付けた状態で、CDIWを基板Wへ向けて吐出する。これにより、CDIWによる基板Wの洗浄力を高めることができる。また、基板Wへ近付けた状態でCDIWを吐出することによってCDIWの跳ね返りが抑えられるため、基板処理装置1内を清潔に保つことができる。また、少ない流量で洗浄することができるため、使用するCDIWの量を節約することができる。
As described above, the
基板処理装置1は、CDIWの吐出を開始してから所定時間が経過すると、バルブ41aおよびバルブ41eを閉じて、リンス処理を終える。
The
なお、ここでは、図5Cに示す排液処理が完了した後、基板Wを鉛直上方へ移動させることとしたが、基板処理装置1は、基板Wの鉛直上方への移動を排液処理時に行ってもよい。これにより、基板処理に要する時間を短縮することができる。
Here, after the drainage process shown in FIG. 5C is completed, the substrate W is moved vertically upward. However, the
図4へ戻り、基板処理装置1の動作についての説明を続ける。ステップS103のリンス処理を終えると、基板処理装置1は、基板Wの乾燥処理を行う(ステップS104)。かかる乾燥処理において、基板処理装置1は、リンス処理時よりも速い回転速度(たとえば、1500rpm)で基板Wを回転させながら、上側ノズル16および下側ノズル24の双方から基板Wの板面に対して不活性ガスであるN2を吐出することによって、基板Wを乾燥させる。
Returning to FIG. 4, the description of the operation of the
具体的には、基板処理装置1は、リンス処理を終えた後、バルブ41f(図1参照)を開くことによって下側ノズル24から基板Wの下面へ向けてN2を吐出するとともに、バルブ41b(図1参照)を開くことによって上側ノズル16から基板Wの上面へ向けてN2を吐出する。これにより、基板Wの板面に残存するCDIWがN2によって除去され、基板Wが乾燥する。
Specifically, after the rinsing process, the
かかる乾燥処理を終えると、基板処理装置1は、基板Wの回転を停止した後、図示しない搬送機構を用いて処理済の基板Wを搬出して、基板処理を終える。
When the drying process is finished, the
上述してきたように、第1の実施形態に係る下側ノズル24は、ノズル本体部51と、取付部52と、膜53とを備える。ノズル本体部51は、内部に流路51aが形成されるとともに、かかる流路51aと連通する吐出口51bが先端部に形成される。取付部52は、ノズル本体部51の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置され、他の部材(貯留槽底部21)へ取り付けられる。膜53は、ノズル本体部51および取付部52間の開口を閉塞するとともに、流路51aと平行な方向にノズル本体部51が移動した場合に、ノズル本体部51の移動に伴って伸縮する。
As described above, the
したがって、第1の実施形態に係る下側ノズル24によれば、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することができる。
Therefore, according to the
なお、上述した第1の実施形態では、移動機構54が、空気圧を利用してノズル本体部51を移動させる空気作動式の移動機構である場合について説明したが、移動機構は、空気作動式である必要はない。たとえば、移動機構は、電磁石の磁力を利用してノズル本体部を移動させる電磁式の移動機構であってもよい。
In the above-described first embodiment, the case where the moving
また、第1の実施形態では、可動部(付勢部材54cおよび可動側部材54d)が、ノズル本体部51を流路51aの流れ方向とは反対方向へ付勢する場合の例を示したが、可動部による付勢方向は、流路51aの流れ方向と同一方向であってもよい。すなわち、可動部は、ノズル本体部を流路51aの流れ方向へ付勢するとともに、外力が加えられた場合には、流路51aの流れ方向への付勢に抗してノズル本体部を移動させるものであってもよい。
In the first embodiment, an example in which the movable portion (the urging
また、上述した第1の実施形態では、ノズル本体部51、取付部52および膜53が一体成形される場合の例を示したが、これらは、必ずしも一体成形されることを要しない。すなわち、それぞれ別体に形成したノズル本体部51、取付部52および膜53を溶接等により接合しても構わない。
In the first embodiment described above, an example in which the nozzle
また、上述した第1の実施形態では、下側ノズル24が貯留槽底部21に取り付けられ、上側ノズル16が天板11に取り付けられる場合の例を示したが、可動ノズルの取付部を固定するノズル固定部は、貯留槽底部21や天板11に限定されない。
In the first embodiment described above, an example in which the
また、上述した第1の実施形態では、レジスト除去処理において基板Wに対してSPMを吐出する場合に、貯留槽にHDIWを貯留する場合の例について説明した。しかし、レジスト除去処理において貯留槽に貯留される液体は、HDIWに限定されない。たとえば、レジスト除去処理において貯留槽に貯留される液体は、レジスト除去処理後の洗浄処理において貯留槽に貯留される液体がCDIWである場合には、CDIWであってもよい。 Further, in the first embodiment described above, an example in which HDIW is stored in the storage tank when SPM is discharged to the substrate W in the resist removal processing has been described. However, the liquid stored in the storage tank in the resist removal process is not limited to HDIW. For example, the liquid stored in the storage tank in the resist removal process may be CDIW when the liquid stored in the storage tank in the cleaning process after the resist removal process is CDIW.
(第2の実施形態)
ところで、本願の開示するノズルは、第1の実施形態において示した構成に限定されない。以下では、ノズルの他の構成について図6および図7を用いて説明する。図6および図7は、下側ノズルの他の構成を示す模式断面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(Second Embodiment)
By the way, the nozzle which this application discloses is not limited to the structure shown in 1st Embodiment. Below, the other structure of a nozzle is demonstrated using FIG. 6 and FIG. 6 and 7 are schematic cross-sectional views showing other configurations of the lower nozzle. In the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.
図6に示すように、基板処理装置1aは、下側ノズル24aを備える。かかる下側ノズル24aは、ノズル本体部51_1と、取付部52_1と、膜53_1とを備え、第1の実施形態と同様に、取付部52_1において貯留槽底部21に固定される。
As shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus 1a includes a
また、基板処理装置1aは、ノズル本体部51_1を鉛直方向、すなわち、ノズル本体部51_1の流路と平行な方向へ移動させる移動機構54_1を備える。かかる移動機構54_1は、たとえばノズル本体部51_1の基端部に連結され、モータ等による駆動力あるいは空気圧等によってノズル本体部51_1を移動させる。 The substrate processing apparatus 1a includes a moving mechanism 54_1 that moves the nozzle body 51_1 in the vertical direction, that is, in a direction parallel to the flow path of the nozzle body 51_1. The moving mechanism 54_1 is connected to, for example, a base end portion of the nozzle main body 51_1, and moves the nozzle main body 51_1 by a driving force by a motor or the like or air pressure.
このように、本願の開示する可動ノズルは、少なくともノズル本体部、取付部およびカバー体を備えていればよく、必ずしも移動機構を備えることを要しない。 As described above, the movable nozzle disclosed in the present application only needs to include at least the nozzle main body portion, the attachment portion, and the cover body, and does not necessarily include the moving mechanism.
また、図7に示すように、膜53_2が貯留槽底部21_1に対して直接設けられてもよい。具体的には、基板処理装置1bは、貯留槽底部21_1と、先端側ノズル本体部51_2aと、膜53_2とを備える。
Moreover, as shown in FIG. 7, the film | membrane 53_2 may be provided directly with respect to the storage tank bottom part 21_1. Specifically, the
先端側ノズル本体部51_2aは、貯留槽底部21_1の開口部21c内に配置される略円筒状の部材である。かかる先端側ノズル本体部51_2aは、内部に流路55aが形成され、かかる流路55aと連通する吐出口55bが先端部に形成される。
The front end side nozzle body 51_2a is a substantially cylindrical member disposed in the opening 21c of the storage tank bottom 21_1. The tip nozzle body 51_2a has a
また、先端側ノズル本体部51_2aの基端部には、径方向に突出するフランジ部55dと、流路55aを含んで下方へ突出する突出部55cとが形成される。
In addition, a
膜53_2は、中央に円形の開口部を有する円板状の膜であり、内周部が先端側ノズル本体部51_2aの先端部外縁に連接し、外周部が貯留槽底部21_1の開口部21c上端に連接する。かかる膜53_2により、貯留槽底部21_1と先端側ノズル本体部51_2aとの間の開口が閉塞される。 The membrane 53_2 is a disc-shaped membrane having a circular opening at the center, the inner peripheral portion is connected to the outer edge of the distal end portion of the distal end side nozzle body 51_2a, and the outer peripheral portion is the upper end of the opening portion 21c of the storage tank bottom portion 21_1. Articulated. The film 53_2 closes the opening between the storage tank bottom 21_1 and the tip nozzle body 51_2a.
一方、下側ノズル24bは、基端側ノズル本体部51_2bを備える。基端側ノズル本体部51_2bは、内部に流路56aが形成され、かかる流路56aに連通し、先端側ノズル本体部51_2aの突出部55cが挿入される凹部56bが形成される略円筒状の部材である。
On the other hand, the
さらに、基端側ノズル本体部51_2bの上端部には、凹部56bの外周に形成される段部56cと、径方向に突出するフランジ部56dとが形成される。また、基端側ノズル本体部51_2bの基端部には、配管40bが連結される。
Furthermore, a stepped
かかる基端側ノズル本体部51_2bは、凹部56bに対して先端側ノズル本体部51_2aの突出部55cが挿入され、先端側ノズル本体部51_2aと段部56cとによって形成される溝部にOリング73が取り付けられる。かかる状態で、基端側ノズル本体部51_2bのフランジ部56dおよび先端側ノズル本体部51_2aのフランジ部55dにそれぞれ形成されたネジ穴(図示せず)に対して固定部材であるネジ74を挿通することによって、基端側ノズル本体部51_2bは、先端側ノズル本体部51_2aにネジ止めされた状態となる。
In the proximal end nozzle body 51_2b, the
このように、基板処理装置1bが、膜53_2を備える構成であってもよい。
Thus, the structure provided with the film | membrane 53_2 may be sufficient as the
なお、上述してきた各実施形態では、カバー体として平坦な膜を用いることとしたが、膜は、必ずしも平坦でなくてもよく、多少の凹凸を有するものであってもよい。また、カバー体として膜以外の部材、たとえばベローズ等を用いてもよい。 In each of the embodiments described above, a flat film is used as the cover body. However, the film may not necessarily be flat and may have some unevenness. Moreover, you may use members other than a film | membrane, for example, a bellows etc., as a cover body.
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.
1 基板処理装置
10 基板支持部
11 天板
12 爪部
13 回転支持部
14 ベース部
15 第1昇降部
16 上側ノズル
17 加熱部
20 液体貯留部
21 貯留槽底部
22 可動堰部
23 第2昇降部
24 下側ノズル
51 ノズル本体部
52 取付部
53 膜
54 移動機構
54a 筐体部
54b 固定側部材
54c 付勢部材
54d 可動側部材
25 吐出口
26 超音波振動子
30 カップ部
31 第1カップ
32 第2カップ
40a〜40d 配管
41a〜41f バルブ
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、該外周部から離間して配置され、他の部材へ取り付けられる取付部と、
前記ノズル本体部の前記先端部側および前記取付部の上面側の間を閉塞するとともに、前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部が前記取付部に対して移動した場合に、前記ノズル本体部の移動に伴って伸縮するカバー体と
を備えることを特徴とする可動ノズル。 A nozzle body part in which a flow path is formed inside and a discharge port communicating with the flow path is formed at a tip part;
An outer peripheral portion of the nozzle body, and an attachment portion that is disposed apart from the outer peripheral portion and is attached to another member;
The nozzle body closes between the tip side of the nozzle body and the upper surface of the mounting part , and the nozzle body moves when the nozzle body moves relative to the mounting part in a direction parallel to the flow path. A movable nozzle comprising: a cover body that expands and contracts as the part moves.
を特徴とする請求項1に記載の可動ノズル。 The movable nozzle according to claim 1, wherein the cover body is a flexible film.
を特徴とする請求項1または2に記載の可動ノズル。 The movable nozzle according to claim 1 or 2, wherein the nozzle body portion, the attachment portion, and the cover body are integrally formed.
をさらに備えることを特徴とする請求項1、2または3に記載の可動ノズル。 The movable nozzle according to claim 1, further comprising a moving mechanism that moves the nozzle main body in a direction parallel to the flow path.
前記取付部に固定されるとともに前記ノズル本体部の外周部を移動可能に支持する筐体部と、
前記ノズル本体部を前記流路の流れ方向または前記流れ方向と反対方向へ付勢するとともに、外力が加えられた場合には、前記流れ方向または前記反対方向への付勢に抗して前記ノズル本体部を移動させる可動部と
を備え、
前記可動部は、
前記ノズル本体部、前記取付部、前記カバー体および前記筐体部によって囲まれる空間内に配置されること
を特徴とする請求項4に記載の可動ノズル。 The moving mechanism is
A housing part that is fixed to the attachment part and supports an outer peripheral part of the nozzle body part movably,
The nozzle body is urged in the flow direction of the flow path or in the direction opposite to the flow direction, and when an external force is applied, the nozzle body resists urge in the flow direction or in the opposite direction. A movable part that moves the main body, and
The movable part is
The movable nozzle according to claim 4, wherein the movable nozzle is disposed in a space surrounded by the nozzle body portion, the attachment portion, the cover body, and the housing portion.
前記可動ノズルの取付部を固定するノズル固定部と、
基板の板面が前記流路に対して垂直となる向きに前記基板を回転可能に支持する基板支持部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 The movable nozzle according to any one of claims 1 to 5,
A nozzle fixing portion for fixing the mounting portion of the movable nozzle;
A substrate processing apparatus comprising: a substrate support portion that rotatably supports the substrate in a direction in which a plate surface of the substrate is perpendicular to the flow path.
をさらに備え、
前記ノズル固定部の上面は、前記貯留部の底面であること
を特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 A storage section for storing liquid;
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein an upper surface of the nozzle fixing portion is a bottom surface of the storage portion.
前記貯留部に液体が貯留された状態で前記吐出口から液体を吐出する場合に、前記吐出口が前記貯留部に貯留された液体の液面よりも高い位置に位置すること
を特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 The nozzle body is
When the liquid is discharged from the discharge port in a state where the liquid is stored in the storage unit, the discharge port is located at a position higher than the liquid level of the liquid stored in the storage unit. Item 8. The substrate processing apparatus according to Item 7.
前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部を移動させる移動機構と、
前記ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、該外周部から離間して配置される取付部と、
前記ノズル本体部の前記先端部側および前記取付部の上面側の間を閉塞するとともに、前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部が前記取付部に対して移動した場合に、前記ノズル本体部の移動に伴って伸縮するカバー体と、
基板の板面が前記流路に対して垂直となる向きに前記基板を回転可能に支持する基板支持部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A nozzle body part in which a flow path is formed inside and a discharge port communicating with the flow path is formed at a tip part;
A moving mechanism for moving the nozzle body in a direction parallel to the flow path;
A mounting portion that surrounds the outer peripheral portion of the nozzle main body portion and is spaced apart from the outer peripheral portion;
The nozzle body closes between the tip side of the nozzle body and the upper surface of the mounting part , and the nozzle body moves when the nozzle body moves relative to the mounting part in a direction parallel to the flow path. A cover body that expands and contracts as the part moves,
A substrate processing apparatus comprising: a substrate support portion that rotatably supports the substrate in a direction in which a plate surface of the substrate is perpendicular to the flow path.
をさらに備え、
前記取付部の上面は、前記貯留部の底面であること
を特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 A storage section for storing liquid;
The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein an upper surface of the attachment portion is a bottom surface of the storage portion.
前記貯留部に液体が貯留された状態で前記吐出口から液体を吐出する場合に、前記吐出口が前記貯留部に貯留された液体の液面よりも高い位置に位置すること
を特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 The nozzle body is
When the liquid is discharged from the discharge port in a state where the liquid is stored in the storage unit, the discharge port is located at a position higher than the liquid level of the liquid stored in the storage unit. Item 11. The substrate processing apparatus according to Item 10.
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