JP5823749B2 - Method for dividing optical device substrate - Google Patents

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Description

本発明は、基板と該基板の表面に光デバイス層が装着され所定の方向に形成された複数の第１の分割予定ラインと該第１の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイス基板を、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って分割する光デバイス基板の分割方法に関する。   The present invention includes a substrate, a plurality of first division planned lines formed in a predetermined direction by mounting an optical device layer on the surface of the substrate, and a plurality of lines formed in a direction intersecting the first division planned line. An optical device substrate dividing method for dividing an optical device substrate in which an optical device is formed in a plurality of regions partitioned by a second scheduled division line, along the first scheduled division line and the second scheduled division line About.

光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板の表面にバファー層を介してn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割することにより個々の光デバイスを製造している。（例えば、特許文献１参照。）   In the optical device manufacturing process, an optical device layer composed of an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer is laminated on the surface of a substantially disc-shaped epitaxy substrate such as a sapphire substrate or silicon carbide in a lattice shape via a buffer layer. An optical device wafer is configured by forming optical devices such as light-emitting diodes and laser diodes in a plurality of regions partitioned by a plurality of formed streets. Each optical device is manufactured by dividing the optical device wafer along the street. (For example, refer to Patent Document 1.)

また、光デバイスの輝度を向上させる技術として、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板の表面にバファー層を介して積層されたn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層にモリブデン(Mo)、銅(Cu)、シリコン(Si)等の移設基板を金(Au),白金(Pt),クロム(Cr),インジウム(In),パラジウム(Pd)等の接合金属層を介して接合し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射することによりエピタキシー基板を剥離して、光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフと呼ばれる製造方法が下記特許文献２に開示されている。   In addition, as a technology for improving the brightness of optical devices, light consisting of an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer stacked on the surface of an epitaxy substrate such as a sapphire substrate or silicon carbide constituting an optical device wafer via a buffer layer Molybdenum (Mo), copper (Cu), silicon (Si), etc. transfer substrate on the device layer, bonding metal such as gold (Au), platinum (Pt), chromium (Cr), indium (In), palladium (Pd) Patent Document 2 discloses a manufacturing method called lift-off, in which bonding is performed through layers, the epitaxy substrate is peeled off by irradiating the buffer layer from the back side of the epitaxy substrate, and the optical device layer is transferred to the transfer substrate. Has been.

上述したように光デバイス層を移設基板に移し替えることによって形成された光デバイス基板は、光デバイス層に形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って分割することにより個々の光デバイスを製造する。   As described above, the optical device substrate formed by transferring the optical device layer to the transfer substrate is divided along the first planned division line and the second planned division line formed in the optical device layer. Individual optical devices are manufactured.

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特表２００５−５１６４１５号公報JP 2005-516415 gazette

上述した光デバイス基板を光デバイス層に形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って分割する方法としては、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する方法が実用化されている。
上述した光デバイス基板を構成する移設基板の厚みは１２０μm程度あり、レーザー光線を照射して切断するには、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を１本の分割予定ラインに対して４〜５回実施する必要がある。
しかるに、１回目のレーザー加工溝形成工程において全ての分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成した後、２回目以降のレーザー加工溝形成工程をレーザー加工溝に沿って繰り返し実施するが、光デバイス基板はレーザー光線が照射されて溶融した後に冷却されることにより収縮する。このため、分割予定ラインの間隔が縮小してレーザー光線の照射位置がレーザー加工溝から外れることから、時々位置を補正しながらレーザー加工溝形成工程を実施しなければならず、生産性が悪いという問題がある。 As a method of dividing the above-mentioned optical device substrate along the first scheduled division line and the second scheduled division line formed in the optical device layer, the first divided planned line and the second scheduled division line are used. A method of cutting by irradiating a laser beam has been put into practical use.
The transfer substrate constituting the optical device substrate described above has a thickness of about 120 μm, and in order to cut it by irradiating with a laser beam, a laser processing groove forming step for forming a laser processing groove by irradiating a laser beam is performed on one division planned line It is necessary to carry out 4 to 5 times.
However, after forming the laser processing groove by irradiating the laser beam along all the planned dividing lines in the first laser processing groove forming process, the second and subsequent laser processing groove forming processes are repeated along the laser processing groove. In practice, the optical device substrate shrinks by being cooled after being melted by being irradiated with a laser beam. For this reason, since the interval between the lines to be divided is reduced and the laser beam irradiation position deviates from the laser processing groove, the laser processing groove forming step must be carried out while correcting the position from time to time, resulting in poor productivity. There is.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、レーザー加工溝形成工程を実施する際に位置補正を行うことなく光デバイス基板を個々の光デバイスに切断することができる光デバイス基板の分割方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described facts, and the main technical problem thereof is to cut an optical device substrate into individual optical devices without performing position correction when performing a laser processing groove forming step. An object of the present invention is to provide a method for dividing an optical device substrate.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板と該基板の表面に光デバイス層が装着され所定の方向に形成された複数の第１の分割予定ラインと該第１の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイス基板の加工方法であって、
光デバイス基板を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程と、
ダイシングテープの表面に貼着され、チャックテーブル上に載置された光デバイス基板の中央を通る第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板を少なくとも４個のブロック基板に分割するブロック形成工程と、
該ブロック形成工程にて分割された４個のブロック基板をそのままチャックテーブルに保持して各ブロック基板に形成されている第１の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、
各ブロック基板に形成されている第２の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、を含み、
該第１のレーザー加工溝形成工程と該第２のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、各ブロック基板を全ての第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する、
ことを特徴とする光デバイス基板の分割方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a plurality of first division planned lines formed in a predetermined direction by mounting an optical device layer on a surface of the substrate and the substrate and the first division planned An optical device substrate processing method in which an optical device is formed in a plurality of regions defined by a plurality of second division planned lines formed in a direction intersecting with a line,
An optical device substrate adhering step of adhering the optical device substrate to the surface of the dicing tape attached to the annular frame;
A laser beam is applied along the first division line and the second division line that are attached to the surface of the dicing tape and pass through the center of the optical device substrate placed on the chuck table, and at least the optical device substrate A block forming step of dividing the substrate into four block substrates;
The four block substrates divided in the block forming process are held on the chuck table as they are, and laser processing grooves are formed by irradiating the laser beam along the first division line formed on each block substrate. A first laser processing groove forming step,
A second laser processing groove forming step of forming a laser processing groove by irradiating a laser beam along a second division line formed on each block substrate,
By alternately performing the first laser processing groove forming step and the second laser processing groove forming step, each block substrate is moved along all the first planned dividing lines and the second planned dividing lines. Cutting and dividing into individual optical devices,
An optical device substrate dividing method is provided.

本発明による光デバイス基板の分割方法においては、光デバイス基板をブロック基板に分割した後に、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を交互に実施することにより、ブロック基板の収縮の累積を許容値内に収めることができるため、最後の第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施するまで位置補正をする必要がなく生産性を向上することができる。   In the method for dividing an optical device substrate according to the present invention, after dividing the optical device substrate into block substrates, the first laser processing groove forming step and the second along the first division planned line and the second division planned line. By alternately carrying out the laser processing groove forming process of step 1, the accumulated shrinkage of the block substrate can be kept within an allowable value, so that the last first laser processing groove forming process and the second laser processing groove forming process are performed. It is not necessary to perform position correction until the operation is performed, and productivity can be improved.

本発明による光デバイス基板の分割方法によって加工される光デバイス基板を製造するための光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。1 is a perspective view of an optical device wafer for manufacturing an optical device substrate processed by the method for dividing an optical device substrate according to the present invention, and a cross-sectional view showing an enlarged main part thereof. 図１に示す光デバイスウエーハの表面に移設基板を接合する移設基板接合工程の説明図。Explanatory drawing of the transfer board | substrate joining process which joins a transfer board | substrate to the surface of the optical device wafer shown in FIG. 図１に示す光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板を剥離する基板剥離工程の説明図。Explanatory drawing of the board | substrate peeling process which peels the epitaxy board | substrate which comprises the optical device wafer shown in FIG. 本発明による光デバイス基板の分割方法における光デバイス基板貼着工程の説明図。Explanatory drawing of the optical device board | substrate sticking process in the division | segmentation method of the optical device board | substrate by this invention. 本発明による光デバイス基板の分割方法におけるブロック形成工程と第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus for implementing the block formation process in the division | segmentation method of the optical device board | substrate by this invention, a 1st laser processing groove formation process, and a 2nd laser processing groove formation process. 本発明による光デバイス基板の分割方法におけるブロック形成工程の説明図。Explanatory drawing of the block formation process in the division | segmentation method of the optical device board | substrate by this invention. 本発明による光デバイス基板の分割方法におけるブロック形成工程の説明図。Explanatory drawing of the block formation process in the division | segmentation method of the optical device board | substrate by this invention. 本発明による光デバイス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the 1st laser processing groove | channel formation process in the division | segmentation method of the optical device board | substrate by this invention. 本発明による光デバイス基板の分割方法における第２のレーザー加工溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the 2nd laser processing groove | channel formation process in the division | segmentation method of the optical device board | substrate by this invention.

以下、本発明による光デバイス基板の分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a method for dividing an optical device substrate according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明による光デバイス基板の分割方法によって加工される光デバイス基板を製造するための光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。
図１に示す光デバイスウエーハ２は、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板２０の表面２０aにn型窒化ガリウム半導体層２１１およびp型窒化ガリウム半導体層２１２からなる光デバイス層２１がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシー基板２０の表面にエピタキシャル成長法によってn型窒化ガリウム半導体層２１１およびp型窒化ガリウム半導体層２１２からなる光デバイス層２１を積層する際に、エピタキシー基板２０の表面２０aと光デバイス層２１を形成するn型窒化ガリウム半導体層２１１との間にはAlGaN層等からなるバファー層２２が形成される。このように構成された光デバイスウエーハ２は、図示の実施形態においてはエピタキシー基板２０の直径が５０mmで厚みが例えば４３０μm、バファー層２２を含む光デバイス層２１の厚みが例えば５μmに形成されている。なお、光デバイス層２１は、図1の(a)に示すように所定の方向に形成された複数の第１の分割予定ライン２３１と該第１の分割予定ライン２３１と交差する方向に形成された複数の第２の分割予定ライン２３２によって区画された複数の領域に光デバイス２４が形成されている。なお、図示の実施形態においては、光デバイス２４のサイズが1．２mm×1．２mm、第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２の幅が５０μm、第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２の数がそれぞれ４１本に設定されている。 FIG. 1 shows a perspective view of an optical device wafer for manufacturing an optical device substrate processed by the method for dividing an optical device substrate according to the present invention and a sectional view showing an enlarged main part.
An optical device wafer 2 shown in FIG. 1 includes an optical device layer formed of an n-type gallium nitride semiconductor layer 211 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 212 on a surface 20a of an approximately sapphire substrate or an epitaxial substrate 20 such as silicon carbide. 21 is formed by an epitaxial growth method. When the optical device layer 21 composed of the n-type gallium nitride semiconductor layer 211 and the p-type gallium nitride semiconductor layer 212 is laminated on the surface of the epitaxy substrate 20 by the epitaxial growth method, the surface 20a of the epitaxy substrate 20 and the optical device layer 21 are formed. A buffer layer 22 made of an AlGaN layer or the like is formed between the n-type gallium nitride semiconductor layer 211 to be formed. In the illustrated embodiment, the optical device wafer 2 configured in this manner is formed such that the diameter of the epitaxy substrate 20 is 50 mm, the thickness is, for example, 430 μm, and the thickness of the optical device layer 21 including the buffer layer 22 is, for example, 5 μm. . The optical device layer 21 is formed in a direction intersecting with a plurality of first division planned lines 231 formed in a predetermined direction and the first planned division lines 231 as shown in FIG. In addition, the optical device 24 is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of second scheduled division lines 232. In the illustrated embodiment, the size of the optical device 24 is 1.2 mm × 1.2 mm, the widths of the first planned division line 231 and the second planned division line 232 are 50 μm, and the first planned division line 231 is used. And the number of second division lines 232 is set to 41.

上述したように光デバイスウエーハ２におけるエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離して移設基板に移し替えるためには、光デバイス層２１の表面２１aに移設基板を接合する移設基板接合工程を実施する。即ち、図２の(a)および(b)に示すように、光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２０の表面２０aに形成された光デバイス層２１の表面２１aに、厚みが例えば２２０μmの移設基板３を接合金属層４を介して接合する。なお、移設基板３としてはモリブデン(Mo)、銅(Cu)、シリコン(Si)等を用いることができ、また、接合金属層４を形成する接合金属としては金(Au),白金(Pt),クロム(Cr),インジウム(In),パラジウム(Pd)等を用いることができる。この移設基板接合工程は、エピタキシー基板２０の表面２０aに形成された光デバイス層２１の表面２１aまたは移設基板３の表面３aに上記接合金属を蒸着して厚みが３μm程度の接合金属層４を形成し、この接合金属層４と移設基板３の表面３aまたは光デバイス層２１の表面２１aとを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２１の表面２１aに移設基板３の表面３aを接合金属層４を介して接合することができる。なお、移設基板３は、直径が５０mmで厚みが２２０μmに設定されている。   As described above, in order to peel the epitaxy substrate 20 in the optical device wafer 2 from the optical device layer 21 and transfer it to the transfer substrate, a transfer substrate bonding step of bonding the transfer substrate to the surface 21a of the optical device layer 21 is performed. . That is, as shown in FIGS. 2A and 2B, the transfer substrate having a thickness of, for example, 220 μm is formed on the surface 21a of the optical device layer 21 formed on the surface 20a of the epitaxy substrate 20 constituting the optical device wafer 2. 3 is bonded via the bonding metal layer 4. In addition, molybdenum (Mo), copper (Cu), silicon (Si), etc. can be used as the transfer substrate 3, and gold (Au), platinum (Pt) is used as the bonding metal for forming the bonding metal layer 4. Chromium (Cr), indium (In), palladium (Pd), etc. can be used. In the transfer substrate bonding step, the bonding metal is deposited on the surface 21a of the optical device layer 21 formed on the surface 20a of the epitaxy substrate 20 or the surface 3a of the transfer substrate 3 to form the bonding metal layer 4 having a thickness of about 3 μm. Then, the bonding metal layer 4 and the surface 3a of the transfer substrate 3 or the surface 21a of the optical device layer 21 face each other and are bonded to each other, whereby the transfer substrate 3 is applied to the surface 21a of the optical device layer 21 constituting the optical device wafer 2. The surface 3 a can be bonded via the bonding metal layer 4. The transfer substrate 3 has a diameter of 50 mm and a thickness of 220 μm.

上述した移設基板接合工程を実施したならば、光デバイス層２１に移設基板３が接合された光デバイスウエーハ２のエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する基板剥離工程を実施する。この基板剥離工程は、例えば図３の(a)に示すように上記光デバイスウエーハ２を製造する際にエピタキシー基板２０と光デバイス層２１の間に形成されたバファー層２２に応力を付与することにより、図３の(b)に示すようにエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から分離する。このようにエピタキシー基板と光デバイス層を分離する基板剥離工程は、例えば特開２０００−１０１１３９号公報に開示されている方法によって実施することができる。以上のようにして、光デバイス層２１に移設基板３が接合された光デバイスウエーハ２のエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離することにより、移設基板３の表面に光デバイス層２１の表面が接合された光デバイス基板３０が形成される。以下、光デバイス基板３０を光デバイス層２１に形成された第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って分割する光デバイス基板の分割方法について説明する。   When the transfer substrate bonding step described above is performed, a substrate peeling step for peeling the epitaxy substrate 20 of the optical device wafer 2 in which the transfer substrate 3 is bonded to the optical device layer 21 from the optical device layer 21 is performed. In this substrate peeling step, for example, as shown in FIG. 3A, stress is applied to the buffer layer 22 formed between the epitaxy substrate 20 and the optical device layer 21 when the optical device wafer 2 is manufactured. Thus, the epitaxy substrate 20 is separated from the optical device layer 21 as shown in FIG. Thus, the board | substrate peeling process which isolate | separates an epitaxy board | substrate and an optical device layer can be implemented by the method currently disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-101139, for example. As described above, the epitaxy substrate 20 of the optical device wafer 2 in which the transfer substrate 3 is bonded to the optical device layer 21 is peeled from the optical device layer 21, so that the surface of the optical device layer 21 is formed on the surface of the transfer substrate 3. The bonded optical device substrate 30 is formed. Hereinafter, a method for dividing the optical device substrate that divides the optical device substrate 30 along the first planned division line 231 and the second planned division line 232 formed in the optical device layer 21 will be described.

先ず、光デバイス基板３０を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程を実施する。即ち、図４の(a)および(b)に示すように光デバイス基板３０を構成する移設基板３の裏面３b側を環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープTの表面に貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された光デバイス基板３０は、光デバイス層２１が上側となる。   First, the optical device board | substrate sticking process which sticks the optical device board | substrate 30 on the surface of the dicing tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn is implemented. That is, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), a dicing tape T made of a synthetic resin sheet made of polyolefin or the like mounted on an annular frame F on the back surface 3b side of the transfer substrate 3 constituting the optical device substrate 30. Adhere to the surface. Accordingly, the optical device substrate 30 adhered to the surface of the dicing tape T has the optical device layer 21 on the upper side.

上述した光デバイス基板貼着工程を実施したならば、ダイシングテープTの表面に貼着された光デバイス基板３０の中央を通る第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板３０を少なくとも４個のブロック基板に分割するブロック形成工程を実施する。このブロック形成工程は、図示の実施形態においては図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。図５に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。   If the optical device substrate sticking step described above is performed, along the first scheduled division line 231 and the second scheduled division line 232 that pass through the center of the optical device substrate 30 adhered to the surface of the dicing tape T. A block forming step of dividing the optical device substrate 30 into at least four block substrates is performed by irradiating with a laser beam. In the illustrated embodiment, this block forming step is performed using a laser processing apparatus 5 shown in FIG. A laser processing apparatus 5 shown in FIG. 5 includes a chuck table 51 for holding a workpiece, laser beam irradiation means 52 for irradiating a workpiece held on the chuck table 51 with a pulsed laser beam, and a chuck table 51. An image pickup means 53 for picking up an image of the held workpiece is provided.

上記チャックテーブル５１は、上面である保持面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図５において矢印Ｘで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図５において矢印Ｙで示す方向に割り出し送りされるようになっている。   The chuck table 51 is configured to suck and hold a workpiece on a holding surface which is an upper surface, and is processed and fed in a direction indicated by an arrow X in FIG. The feeding means is indexed and fed in the direction indicated by the arrow Y in FIG.

上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング５２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている。   The laser beam irradiation means 52 includes a cylindrical casing 521 disposed substantially horizontally. In the casing 521, a pulse laser beam oscillation means having a pulse laser beam oscillator and a repetition frequency setting means (not shown) are arranged. A condenser 522 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 521.

また、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段によって構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   The imaging means 53 attached to the tip of the casing 521 constituting the laser beam irradiation means 52 is constituted by optical means such as a microscope and a CCD camera, and sends the captured image signal to a control means (not shown).

上述したレーザー加工装置５を用いて上記光デバイス基板３０を少なくとも４個のブロック基板に分割するブロック形成工程について、図５乃至図７を参照して説明する。
ブロック形成工程は、先ず上述した図５に示すレーザー加工装置のチャックテーブル５１上に光デバイス基板３０が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル５１上にダイシングテープTを介して光デバイス基板３０を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１に保持された光デバイス基板３０は、光デバイス層２１が上側となる。なお、図５においては、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。 A block forming process for dividing the optical device substrate 30 into at least four block substrates using the laser processing apparatus 5 described above will be described with reference to FIGS.
In the block forming step, first, the dicing tape T side on which the optical device substrate 30 is adhered is placed on the chuck table 51 of the laser processing apparatus shown in FIG. Then, the optical device substrate 30 is sucked and held on the chuck table 51 via the dicing tape T by operating a suction means (not shown) (wafer holding step). Therefore, the optical device substrate 30 held on the chuck table 51 has the optical device layer 21 on the upper side. In FIG. 5, the annular frame F to which the dicing tape T is attached is not shown, but the annular frame F is held by appropriate frame holding means provided on the chuck table 51.

上述したようにチャックテーブル５１上に光デバイス基板３０を吸引保持したならば、図示しない加工送り手段を作動して光デバイス基板３０を吸引保持したチャックテーブル５１を撮像手段５３の直下に移動する。チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって光デバイス基板３０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、光デバイス基板３０の所定方向に形成されている第１の分割予定ライン２３１と、第１の分割予定ライン２３１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイス基板３０に形成されている第１の分割予定ライン２３１と交差する方向に第２の分割予定ライン２３２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。   As described above, when the optical device substrate 30 is sucked and held on the chuck table 51, the processing feed means (not shown) is operated to move the chuck table 51 sucking and holding the optical device substrate 30 directly below the imaging means 53. When the chuck table 51 is positioned immediately below the image pickup means 53, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed on the optical device substrate 30 is executed by the image pickup means 53 and a control means (not shown). In other words, the imaging unit 53 and the control unit (not shown) are configured to irradiate a laser beam along the first division planned line 231 formed in a predetermined direction of the optical device substrate 30 and the first division planned line 231. Image processing such as pattern matching for performing alignment with the 52 condensers 522 is executed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed (alignment process). In addition, the alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the second scheduled line 232 in the direction intersecting with the first scheduled line 231 formed on the optical device substrate 30.

上述したアライメント工程を実施したならば、図６の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、複数の第１の分割予定ライン２３１における光デバイス基板３０の中央を通る第１の分割予定ライン２３１を集光器５２２の直下に位置付ける。このとき、図６の（ａ）に示すように光デバイス基板３０は、光デバイス基板３０の中央を通る第１の分割予定ライン２３１の一端(図６の（ａ）において左端)が集光器５２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図６の(a)に示すように光デバイス基板３０を構成する光デバイス層２１の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル５１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工溝形成工程）。そして、第１の分割予定ライン２３１の他端が集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。このようにして、第１の分割予定ライン２３１の他端が集光器５２２の直下位置に達した図６の（ｂ）に示す状態で、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル５１を図６の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工溝形成工程）。そして、第１の分割予定ライン２３１の一端が集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程を数回実施することにより、光デバイス基板３０は図６の（c）に示すように中央を通る第１の分割予定ライン２３１に沿って形成されるレーザー加工溝３０１によって２分割される。   When the alignment step described above is performed, the chuck table 51 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 for irradiating the pulse laser beam is positioned as shown in FIG. The first planned division line 231 passing through the center of the optical device substrate 30 in the first division planned line 231 is positioned immediately below the condenser 522. At this time, as shown in FIG. 6 (a), the optical device substrate 30 has one end of the first scheduled division line 231 passing through the center of the optical device substrate 30 (the left end in FIG. 6 (a)) as a collector. It is positioned so as to be located immediately below 522. And the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the collector 522 is matched with the upper surface vicinity of the optical device layer 21 which comprises the optical device board | substrate 30, as shown to (a) of FIG. Next, a processing feed means (not shown) is operated while irradiating a pulse laser beam from the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52, and the chuck table 51 is moved in a direction indicated by an arrow X1 in FIG. To move (laser machining groove forming process). When the other end of the first scheduled division line 231 reaches a position directly below the condenser 522, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. In this manner, in the state shown in FIG. 6B in which the other end of the first scheduled dividing line 231 has reached the position directly below the condenser 522, a pulse laser beam is emitted from the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52. While irradiating, the machining feed means (not shown) is operated to move the chuck table 51 at a predetermined machining feed speed in the direction indicated by the arrow X2 in FIG. 6B (laser machining groove forming step). When one end of the first scheduled division line 231 reaches a position directly below the condenser 522, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. By performing this laser processing groove forming step several times, the optical device substrate 30 is formed by the laser processing groove 301 formed along the first division planned line 231 passing through the center as shown in FIG. Divided into two.

なお、上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：１０ｋＨｚ
平均出力 ：７Ｗ
集光スポット径：φ１０μｍ）
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒 In addition, the processing conditions in the said laser processing groove | channel formation process are set as follows, for example.
Wavelength: 355nm
Repeat frequency: 10 kHz
Average output: 7W
Condensing spot diameter: φ10μm)
Processing feed rate: 100 mm / sec

上記加工条件においては、パルスレーザー光線を第１の分割予定ライン２３１に沿って１回照射することにより、３０μｍ程度のレーザー加工溝を形成することができる。従って、光デバイス基板３０を完全切断するには、パルスレーザー光線を１ラインに４回照射すればよい。   Under the above processing conditions, a laser processing groove of about 30 μm can be formed by irradiating the pulse laser beam once along the first scheduled division line 231. Accordingly, in order to completely cut the optical device substrate 30, the pulse laser beam may be irradiated four times to one line.

上述したように光デバイス基板３０の中央を通る第１の分割予定ライン２３１に沿って２分割したならば、チャックテーブル５１を９０度回動せしめる。そして、図７の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、複数の第２の分割予定ライン２３２における光デバイス基板３０の中央を通る第２の分割予定ライン２３２を集光器５２２の直下に位置付ける。このとき、図７の（ａ）に示すように光デバイス基板３０は、光デバイス基板３０の中央を通る第２の分割予定ライン２３２の一端(図７の（ａ）において左端)が集光器５２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図７の(a)に示すように光デバイス基板３０を構成する光デバイス層２１の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル５１を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工溝形成工程）。そして、第２の分割予定ライン２３２の他端が集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。このようにして、第２の分割予定ライン２３２の他端が集光器５２２の直下位置に達した図７の（ｂ）に示す状態で、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル５１を図７の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工溝形成工程）。そして、第２の分割予定ライン２３２の一端が集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。図示の実施形態における光デバイス基板３０においては、このレーザー加工溝形成工程を４回実施（パルスレーザー光線を１ラインに４回照射）することにより、光デバイス基板３０は図７の（c）に示すように中央を通る第２の分割予定ライン２３２に沿って形成されるレーザー加工溝３０２によって切断され、４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに分割される。   As described above, if the chuck table 51 is divided into two along the first scheduled dividing line 231 passing through the center of the optical device substrate 30, the chuck table 51 is rotated 90 degrees. Then, as shown in FIG. 7A, the chuck table 51 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 for irradiating the pulsed laser beam is located. A second scheduled dividing line 232 passing through the center of the optical device substrate 30 is positioned immediately below the light collector 522. At this time, as shown in FIG. 7A, in the optical device substrate 30, one end of the second scheduled division line 232 passing through the center of the optical device substrate 30 (the left end in FIG. 7A) is a condenser. It is positioned so as to be located immediately below 522. And the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the collector 522 is matched with the upper surface vicinity of the optical device layer 21 which comprises the optical device board | substrate 30, as shown to (a) of FIG. Next, a processing feed means (not shown) is operated while irradiating a pulse laser beam from the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 to move the chuck table 51 in a direction indicated by an arrow X1 in FIG. To move (laser machining groove forming process). When the other end of the second scheduled division line 232 reaches a position directly below the condenser 522, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. In this way, in the state shown in FIG. 7B in which the other end of the second scheduled division line 232 has reached the position directly below the condenser 522, a pulse laser beam is emitted from the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52. While irradiating, the machining feed means (not shown) is operated to move the chuck table 51 at a predetermined machining feed speed in the direction indicated by the arrow X2 in FIG. 7B (laser machining groove forming step). When one end of the second scheduled division line 232 reaches a position directly below the condenser 522, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. In the optical device substrate 30 in the illustrated embodiment, the optical device substrate 30 is shown in (c) of FIG. 7 by performing this laser processing groove forming step four times (pulse laser beam is irradiated four times on one line). In this way, the substrate is cut by the laser processing groove 302 formed along the second scheduled dividing line 232 passing through the center, and is divided into four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d.

以上のようにして、光デバイス基板３０を少なくとも４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに分割するブロック形成工程を実施したならば、各ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに形成されている第１の分割予定ライン２３１に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、各ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに形成されている第２の分割予定ライン２３２に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。この第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程は、上記図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。   As described above, when the block forming process for dividing the optical device substrate 30 into at least four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d is performed, the optical device substrate 30 is formed on each of the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d. A first laser processing groove forming step of forming a laser processing groove by irradiating a laser beam along the first division line 231 and a second formed on each of the block substrates 30a, 30b, 30c, 30d. A second laser processing groove forming step of forming a laser processing groove by irradiating a laser beam along the division line 232 is performed. The first laser processing groove forming step and the second laser processing groove forming step are performed using the laser processing apparatus 5 shown in FIG.

第１のレーザー加工溝形成工程を実施するには、上記ブロック形成工程を実施した状態から、加工送り手段を作動して４分割されたブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dをダイシングテープTを介して吸引保持しているチャックテーブル５１を撮像手段５３の直下に移動する。チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によってブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dのレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに形成されている第２の分割予定ライン２３２と、第２の分割予定ライン２３２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに形成されている第２の分割予定ライン２３２と交差する方向に第１の分割予定ライン２３１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。   In order to perform the first laser processing groove forming step, the block substrate 30a, 30b, 30c, 30d divided into four by operating the processing feeding means from the state where the block forming step has been performed via the dicing tape T. Then, the chuck table 51 that is sucked and held is moved directly below the imaging means 53. When the chuck table 51 is positioned immediately below the image pickup means 53, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed on the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d is executed by the image pickup means 53 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 53 and the control unit (not shown) are configured to irradiate a laser beam along the second scheduled division line 232 formed on the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d and the second scheduled division line 232. Image processing such as pattern matching for aligning the irradiation means 52 with the condenser 522 is executed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed (alignment process). Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is also performed on the first division line 231 in the direction intersecting with the second division line 232 formed on the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d. The

上述したアライメント工程を実施したならば、図８の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第１の分割予定ライン２３１を集光器５２２の直下に位置付ける。このとき、図８の（ａ）で示すようにブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dは、第１の分割予定ライン２３１の一端(図８の（ａ）において左端)が集光器５２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図８の(a)に示すようにブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dを構成する光デバイス層２１の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル５１を図８の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（第１のレーザー加工溝形成工程）。そして、第１の分割予定ライン２３１の他端が図８の（ｂ）に示すように集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。なお、第１のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上記ブロック形成工程におけるレーザー加工溝形成工程と同一条件でよい。この結果、ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dには図８の（ｂ）に示すように第１の分割予定ライン２３１に沿って深さが３０μm程度のレーザー加工溝３０３が形成される。   When the alignment step described above is performed, the chuck table 51 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 for irradiating the pulse laser beam is positioned as shown in FIG. The first scheduled dividing line 231 is positioned immediately below the condenser 522. At this time, as shown in FIG. 8A, the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d are such that one end of the first scheduled dividing line 231 (the left end in FIG. 8A) is directly below the condenser 522. It is positioned to be located at. Then, the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the condenser 522 is matched with the vicinity of the upper surface of the optical device layer 21 constituting the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d as shown in FIG. Next, a processing feed means (not shown) is operated while irradiating a pulse laser beam from the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 to move the chuck table 51 in a direction indicated by an arrow X1 in FIG. (1st laser processing groove formation process). Then, when the other end of the first scheduled division line 231 reaches a position directly below the condenser 522 as shown in FIG. 8B, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. . The processing conditions for the first laser processing groove forming step may be the same conditions as the laser processing groove forming step in the block forming step. As a result, on the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d, a laser processing groove 303 having a depth of about 30 μm is formed along the first scheduled dividing line 231 as shown in FIG. 8B.

上述した第１のレーザー加工溝形成工程をブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに形成された全ての第１の分割予定ライン２３１に沿って実施する。この結果、４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dには、図８の（c）に示すように全ての第１のレーザー加工溝形成工程に沿って上面から３０μm程度のレーザー加工溝３０３が形成される。   The first laser processing groove forming step described above is performed along all the first division planned lines 231 formed on the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d. As a result, the four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d have laser processing grooves 303 of about 30 μm from the upper surface along all the first laser processing groove forming steps as shown in FIG. Is formed.

次に、第１のレーザー加工溝形成工程が実施されたブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dをダイシングテープTを介して吸引保持している、チャックテーブル５１を９０度回動せしめる。そして、４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに形成されている第２の分割予定ライン２３２に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。即ち、図９の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第２の分割予定ライン２３２を集光器５２２の直下に位置付ける。このとき、図９の（ａ）で示すようにブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dは、第２の分割予定ライン２３２の一端(図９の（ａ）において左端)が集光器５２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図９の(a)に示すようにブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dを構成する光デバイス層２１の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル５１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（第２のレーザー加工溝形成工程）。そして、第１の分割予定ライン２３１の他端が図９の（ｂ）に示すように集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。なお、第２のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上記第１のレーザー加工溝形成工程、即ち上記ブロック形成工程におけるレーザー加工溝形成工程と同一条件でよい。この結果、ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dには図９の（ｂ）に示すように第２の分割予定ライン２３２に沿って深さが３０μm程度のレーザー加工溝３０４が形成される。   Next, the chuck table 51 holding the block substrates 30a, 30b, 30c, 30d on which the first laser processing groove forming step has been sucked and held via the dicing tape T is rotated 90 degrees. Then, a second laser processing groove forming step of forming a laser processing groove by irradiating a laser beam along the second division planned line 232 formed on the four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d. carry out. That is, as shown in FIG. 9A, the chuck table 51 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 that irradiates the pulse laser beam, and a predetermined second division planned line 232 is formed. It is positioned directly below the condenser 522. At this time, as shown in FIG. 9A, the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d are such that one end of the second scheduled division line 232 (the left end in FIG. 9A) is directly under the condenser 522. It is positioned to be located at. And the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the collector 522 is matched with the vicinity of the upper surface of the optical device layer 21 constituting the block substrates 30a, 30b, 30c, 30d as shown in FIG. Next, a processing feed means (not shown) is operated while irradiating a pulse laser beam from the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 to move the chuck table 51 in a direction indicated by an arrow X1 in FIG. To move (second laser processing groove forming step). Then, when the other end of the first division planned line 231 reaches a position immediately below the condenser 522 as shown in FIG. 9B, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. . Note that the processing conditions of the second laser processing groove forming step may be the same as the laser processing groove forming step in the first laser processing groove forming step, that is, the block forming step. As a result, laser processing grooves 304 having a depth of about 30 μm are formed in the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d along the second scheduled dividing line 232 as shown in FIG. 9B.

上述した第１のレーザー加工溝形成工程と第２のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、図９の（c）に示すように４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dは全ての第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って形成されたレーザー加工溝３０３およびレーザー加工溝３０４によって切断され個々の光デバイスに分割される。図示の実施形態においては、第１のレーザー加工溝形成工程と第２のレーザー加工溝形成工程をそれぞれ４回実施することにより、４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dは全ての第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って切断され個々の光デバイス２４に分割することができる。   By alternately performing the first laser processing groove forming process and the second laser processing groove forming process described above, four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d are formed as shown in FIG. Are cut by the laser processing grooves 303 and the laser processing grooves 304 formed along all the first planned dividing lines 231 and the second planned dividing lines 232 and divided into individual optical devices. In the illustrated embodiment, each of the four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d is performed by performing the first laser processing groove forming step and the second laser processing groove forming step four times. Can be divided along the predetermined division line 231 and the second division line 232 and divided into individual optical devices 24.

ここで、従来の分割方法における実験結果について説明する。
上記第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程における加工条件と同一の条件で光デバイス基板３０の全ての第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って１回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿ってレーザー加工溝を形成した。そして、光デバイス基板３０における最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、４８０００μmから４７９９５μmに収縮した。
次に、第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って形成された全てのレーザー加工溝に沿って２回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、４８０００μmから４７９９０μmに収縮した。
更に、２回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って３回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、４８０００μmから４７９８０μmに収縮した。
そして、３回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って４回目のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、光デバイス基板３０を個々の光デバイスに分割した。
上述したように従来の分割方法においては、３回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって収縮の累積が２０μmとなり、許容値である１０μmを超えた。 Here, an experimental result in the conventional dividing method will be described.
Along all the first planned division lines 231 and the second planned division lines 232 of the optical device substrate 30 under the same processing conditions as those in the first laser processing groove forming step and the second laser processing groove forming step. The first laser processing groove forming step was performed, and laser processing grooves were formed along the first planned dividing line 231 and the second planned dividing line 232. Then, when the length from the first division planned line to the last division planned line in the optical device substrate 30 was measured, it contracted from 48000 μm to 47995 μm.
Next, the second laser processing groove forming step is performed along all the laser processing grooves formed along the first division planned line 231 and the second division planned line 232, and the first division planned line is started. When the length to the last planned dividing line was measured, it shrunk from 48000 μm to 47990 μm.
Further, the third laser processing groove forming process is performed along all the laser processing grooves formed by performing the second laser processing groove forming process, from the first scheduled dividing line to the last scheduled dividing line. When the length of was measured, it contracted from 48000 μm to 47980 μm.
Then, by performing the fourth laser processing groove forming step along all the laser processing grooves formed by performing the third laser processing groove forming step, the optical device substrate 30 is made into an individual optical device. Divided.
As described above, in the conventional dividing method, the accumulation of shrinkage was 20 μm by performing the third laser processing groove forming step, exceeding the allowable value of 10 μm.

次に、本発明における上述した分割方法における実験結果について説明する。
上述したようにブロック形成工程を実施し、光デバイス基板３０を４個のブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに分割した。
４個に分割されたブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dの全ての第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って上記第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施した。そして、各ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、２４０００μmから２３９９７μmに収縮した。
次に、第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って形成された全てのレーザー加工溝に沿って２回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、各ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、２４０００μmから２３９９５μmに収縮した。
更に、２回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って３回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、各ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、２４０００μmから２３９９３μmに収縮した。
そして、３回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って４回目のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、各ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dを個々の光デバイスに分割した。
上述したように本発明における上述した分割方法においては、３回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって収縮の累積が７μmとなり、許容値である１０μm以下であった。 Next, experimental results in the above-described division method according to the present invention will be described.
As described above, the block forming process was performed, and the optical device substrate 30 was divided into four block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d.
The first laser processing groove forming step and the second laser along all the first division planned lines 231 and the second division planned lines 232 of the block substrates 30a, 30b, 30c, 30d divided into four pieces. A process groove forming step was performed. Then, when the length from the first planned division line to the last planned division line in each of the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d was measured, the length contracted from 24000 μm to 23997 μm.
Next, a second laser processing groove forming step is performed along all the laser processing grooves formed along the first division planned line 231 and the second division planned line 232, and each of the block substrates 30a and 30b. , 30c, 30d, the length from the first planned dividing line to the last planned dividing line was measured, and it was shrunk from 24000 μm to 23995 μm.
Further, the third laser processing groove forming process is performed along all the laser processing grooves formed by performing the second laser processing groove forming process, and the first in each block substrate 30a, 30b, 30c, 30d. When the length from the planned dividing line to the last planned dividing line was measured, the length contracted from 24000 μm to 23993 μm.
Then, by performing the fourth laser processing groove forming step along all the laser processing grooves formed by performing the third laser processing groove forming step, each block substrate 30a, 30b, 30c, 30d is performed. Was divided into individual optical devices.
As described above, in the division method described above in the present invention, the accumulation of shrinkage was 7 μm by performing the third laser processing groove forming step, and the allowable value was 10 μm or less.

以上のように、本発明における上述した分割方法においては、光デバイス基板３０をブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dに分割した後に、第１の分割予定ライン２３１および第２の分割予定ライン２３２に沿って第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を交互に実施することにより、ブロック基板３０a,３０b,３０c,３０dの収縮の累積を許容値内に収めることができるため、最後の第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施するまで位置補正をする必要がなく生産性を向上することができる。   As described above, in the above dividing method according to the present invention, after the optical device substrate 30 is divided into the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d, the first scheduled division line 231 and the second scheduled division line 232 are divided. Since the first laser processing groove forming step and the second laser processing groove forming step are alternately performed along this, the accumulated shrinkage of the block substrates 30a, 30b, 30c, and 30d can be kept within an allowable value. Further, it is not necessary to perform position correction until the last first laser processing groove forming step and second laser processing groove forming step are carried out, so that productivity can be improved.

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においては、光デバイス層を装着する移設基板として金属基板を用いた例を示したが、移設基板としてはSi,Ge,GaAsにおいても効果が確認されている。   Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. In the above-described embodiment, an example in which a metal substrate is used as a transfer substrate on which the optical device layer is mounted has been shown, but the effect has been confirmed even with Si, Ge, and GaAs as the transfer substrate.

２：光デバイスウエーハ
２０：エピタキシー基板
２１：光デバイス層
２２：バファー層
３：移設基板
４：接合金属層
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置のチャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５２２：集光器
５３：撮像手段
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ 2: Optical device wafer 20: Epitaxy substrate 21: Optical device layer 22: Buffer layer 3: Transfer substrate 4: Bonding metal layer 5: Laser processing device 51: Chuck table of laser processing device 52: Laser beam irradiation means 522: Light collector 53: Imaging means
F: Ring frame
T: Dicing tape

Claims (1)

基板と該基板の表面に光デバイス層が装着され所定の方向に形成された複数の第１の分割予定ラインと該第１の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイス基板の分割方法であって、
光デバイス基板を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程と、
ダイシングテープの表面に貼着され、チャックテーブル上に載置された光デバイス基板の中央を通る第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板を少なくとも４個のブロック基板に分割するブロック形成工程と、
該ブロック形成工程にて分割された４個のブロック基板をそのままチャックテーブルに保持して各ブロック基板に形成されている第１の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、
各ブロック基板に形成されている第２の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、を含み、
該第１のレーザー加工溝形成工程と該第２のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、各ブロック基板を全ての第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する、
ことを特徴とする光デバイス基板の分割方法。 A plurality of first division planned lines formed in a predetermined direction by mounting an optical device layer on the substrate and the surface of the substrate, and a plurality of second divisions formed in a direction intersecting the first planned division lines A method for dividing an optical device substrate in which optical devices are formed in a plurality of regions partitioned by a predetermined line,
An optical device substrate adhering step of adhering the optical device substrate to the surface of the dicing tape attached to the annular frame;
A laser beam is applied along the first division line and the second division line that are attached to the surface of the dicing tape and pass through the center of the optical device substrate placed on the chuck table, and at least the optical device substrate A block forming step of dividing the substrate into four block substrates;
The four block substrates divided in the block forming process are held on the chuck table as they are, and laser processing grooves are formed by irradiating the laser beam along the first division line formed on each block substrate. A first laser processing groove forming step,
A second laser processing groove forming step of forming a laser processing groove by irradiating a laser beam along a second division line formed on each block substrate,
By alternately performing the first laser processing groove forming step and the second laser processing groove forming step, each block substrate is moved along all the first planned dividing lines and the second planned dividing lines. Cutting and dividing into individual optical devices,
A method of dividing an optical device substrate.
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