JP5819026B1 - Method for manufacturing connection structure - Google Patents
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Abstract
はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。本発明に係る接続構造体の製造方法は、第1の接続対象部材の表面上に、複数のはんだ粒子と熱硬化性成分とを含む導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の接続対象部材を、第1の電極と第2の電極とが対向するように配置する工程と、前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成する工程とを備え、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる。Provided is a method for manufacturing a connection structure in which solder particles can be efficiently arranged on electrodes, and conduction reliability between the electrodes can be improved. The method for manufacturing a connection structure according to the present invention includes a step of disposing a conductive paste including a plurality of solder particles and a thermosetting component on the surface of a first connection target member, and the first of the conductive paste. On the surface opposite to the connection target member side, a step of arranging the second connection target member so that the first electrode and the second electrode face each other, and heating the conductive paste, A step of forming a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member with the conductive paste, and arranging the second connection target member and the connection In the step of forming the portion, no pressure is applied, and the weight of the second connection target member is added to the conductive paste.
Description
本発明は、はんだ粒子によって電極間を電気的に接続する接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure in which electrodes are electrically connected by solder particles.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。 For example, when electrically connecting the electrode of the flexible printed circuit board and the electrode of the glass epoxy substrate by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. To do. Next, a flexible printed circuit board is laminated, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。 As an example of the anisotropic conductive material, the following Patent Document 1 includes a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, and the solder powder and the curing agent include the resin layer. An adhesive tape present therein is disclosed. This adhesive tape is in the form of a film, not a paste.
また、特許文献1では、上記接着テープを用いた接着方法が開示されている。具体的には、第一基板、接着テープ、第二基板、接着テープ、及び第三基板を下からこの順に積層して、積層体を得る。このとき、第一基板の表面に設けられた第一電極と、第二基板の表面に設けられた第二電極とを対向させる。また、第二基板の表面に設けられた第二電極と第三基板の表面に設けられた第三電極とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。これにより、接続構造体を得る。 Patent Document 1 discloses a bonding method using the above-mentioned adhesive tape. Specifically, a first substrate, an adhesive tape, a second substrate, an adhesive tape, and a third substrate are laminated in this order from the bottom to obtain a laminate. At this time, the first electrode provided on the surface of the first substrate is opposed to the second electrode provided on the surface of the second substrate. Moreover, the 2nd electrode provided in the surface of the 2nd board | substrate and the 3rd electrode provided in the surface of the 3rd board | substrate are made to oppose. Then, the laminate is heated and bonded at a predetermined temperature. Thereby, a connection structure is obtained.
また、特許文献1では、はんだ粉を電極表面に押し流して効率よく移動させる観点からは、接着時に所定の圧力で加圧するとよいことが記載されており、加圧圧力は、はんだ領域をさらに確実に形成する観点では、例えば、0MPa以上、好ましくは1MPa以上とすることが記載されており、更に、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであっても、接着テープ上に配置された部材の自重により、接着テープに所定の圧力が加わってもよいことが記載されている。 In addition, Patent Document 1 describes that it is preferable to pressurize with a predetermined pressure at the time of bonding from the viewpoint of efficiently moving the solder powder to the surface of the electrode, and the pressurizing pressure further ensures the solder area. For example, it is described that the pressure is set to 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more. Further, even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the member disposed on the adhesive tape It is described that a predetermined pressure may be applied to the adhesive tape by its own weight.
特許文献1に記載の接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。このため、はんだ粉を電極(ライン)上に効率的に配置することは困難である。例えば、特許文献1に記載の接着テープでは、はんだ粉の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)にも配置されやすい。電極が形成されていない領域に配置されたはんだ粉は、電極間の導通に寄与しない。 The adhesive tape described in Patent Document 1 is in a film form and not in a paste form. For this reason, it is difficult to efficiently arrange the solder powder on the electrodes (lines). For example, in the adhesive tape described in Patent Document 1, a part of the solder powder is easily placed in a region (space) where no electrode is formed. Solder powder disposed in a region where no electrode is formed does not contribute to conduction between the electrodes.
また、特許文献1では、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであってもよいことは記載されているが、0MPaを超える圧力を付与した場合と0MPaとした場合との効果の差異については、何ら記載されていない。 In addition, Patent Document 1 describes that the pressure applied intentionally to the adhesive tape may be 0 MPa, but the difference in effect between the case where a pressure exceeding 0 MPa is applied and the case where the pressure is 0 MPa is described. Nothing is described.
本発明の目的は、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供することである。 The objective of this invention is providing the manufacturing method of the connection structure which can arrange | position solder particles efficiently on an electrode and can improve the conduction | electrical_connection reliability between electrodes.
本発明の広い局面によれば、複数のはんだ粒子と、熱硬化性成分とを含む導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成する工程とを備え、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, using a conductive paste containing a plurality of solder particles and a thermosetting component, on the surface of the first connection target member having at least one first electrode on the surface, A step of disposing the conductive paste; and a second connection target member having at least one second electrode on a surface opposite to the first connection target member side of the conductive paste; The step of disposing the first electrode and the second electrode so as to face each other, and heating the conductive paste to a temperature equal to or higher than a melting point of the solder particles and a temperature equal to or higher than a curing temperature of the thermosetting component. Forming a connection portion connecting the connection target member and the second connection target member with the conductive paste, and forming the step of arranging the second connection target member and the connection portion. In the process The not performed, the above conductive paste, the weight of the second connection object member is applied, the manufacturing method of the connecting structure is provided.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、又はリジッドフレキシブル基板である。 On the specific situation with the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, a said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向している位置における前記接続部の距離を3μm以上、40μm以下にする。 On the specific situation with the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, the distance of the said connection part in the position where the said 1st electrode and the said 2nd electrode are facing is 3 micrometers or more and 40 micrometers or less.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記接続部において、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向している部分の大きさを、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向していない部分の大きさの2倍以上、40倍以下にする。 In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, a size of a portion of the connection portion where the first electrode and the second electrode are opposed to each other is defined as the first electrode. 2 times or more and 40 times or less the size of the portion where the second electrode is not opposed to the second electrode.
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、25℃での粘度が、10Pa・s以上、800Pa・s以下である。 On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the viscosity in 25 degreeC is 10 Pa.s or more and 800 Pa.s or less.
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の融点以下の温度領域での粘度の最低値が、0.1Pa・s以上、10Pa・s以下である。 On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the minimum value of the viscosity in the temperature range below the melting point of the said solder particle is 0.1 Pa.s or more and 10 Pa.s or less.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記接続部が角部を有し、前記第1の接続対象部材が、前記第1の電極として、前記角部の内側に位置合わせ用の第1の電極を有し、前記第2の接続対象部材が、前記第2の電極として、前記角部の内側に位置合わせ用の第2の電極を有し、前記位置合わせ用の第1の電極及び前記位置合わせ用の第2の電極と、前記角部の先端との最短距離が75μm以上、3000μm以下である。 On the specific situation with the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, the said connection part has a corner | angular part, and the said 1st connection object member is located inside the said corner | angular part as a said 1st electrode. A first electrode for alignment, and the second connection target member has a second electrode for alignment inside the corner as the second electrode, and The shortest distance between the first electrode and the second electrode for alignment and the tip of the corner is 75 μm or more and 3000 μm or less.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第1の接続対象部材が、前記第1の電極として、長さ方向と幅方向とを有する複数の第1の主電極を有し、前記第2の接続対象部材が、前記第2の電極として、長さ方向と幅方向とを有する複数の第2の主電極を有し、前記第1の主電極の長さ方向及び幅方向での前記第1の接続対象部材の線膨張率と前記第2の主電極の長さ方向及び幅方向での前記第2の接続対象部材の線膨張率との差をC(ppm/℃)とし、前記接続部を形成する際の前記導電ペーストの加熱温度をT(℃)とし、前記第1の主電極の幅方向において複数の前記第1の主電極全体での寸法をYt(mm)とし、複数の前記第1の主電極の1つあたりの幅方向の寸法をYa(mm)としたとき、式:C×T/1000000×Yt<0.5×Yaを満たす。 In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the first connection target member includes a plurality of first main electrodes having a length direction and a width direction as the first electrode. And the second connection target member has a plurality of second main electrodes having a length direction and a width direction as the second electrode, and the length direction of the first main electrode and The difference between the linear expansion coefficient of the first connection target member in the width direction and the linear expansion coefficient of the second connection target member in the length direction and the width direction of the second main electrode is expressed as C (ppm / C), the heating temperature of the conductive paste when forming the connection portion is T (° C.), and the dimensions of the plurality of first main electrodes in the width direction of the first main electrode are Yt ( mm), and when the dimension in the width direction of each of the plurality of first main electrodes is Ya (mm), the formula: C × T Satisfy 1000000 × Yt <0.5 × Ya.
本発明に係る接続構造体の製造方法は、複数のはんだ粒子と、熱硬化性成分とを含む導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上記導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上及び上記熱硬化性成分の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成する工程とを備え、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるので、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる。 The method for manufacturing a connection structure according to the present invention uses a conductive paste containing a plurality of solder particles and a thermosetting component, and has a surface of a first connection target member having at least one first electrode on the surface. And a second connection target member having at least one second electrode on the surface opposite to the first connection target member side of the conductive paste, and a step of disposing the conductive paste on the conductive paste. A step of arranging the first electrode and the second electrode to face each other, and heating the conductive paste to a temperature equal to or higher than a melting point of the solder particles and a temperature equal to or higher than a curing temperature of the thermosetting component. A step of forming a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member with the conductive paste, and the step of arranging the second connection target member and the connection portion. In the process of forming In addition, since the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure, the solder particles can be efficiently arranged on the electrodes, and the conduction reliability between the electrodes is improved. be able to.
以下、本発明の詳細を説明する。 Details of the present invention will be described below.
本発明に係る接続構造体の製造方法では、導電ペーストと、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材とを用いる。本発明に係る接続構造体の製造方法で用いられる導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストである。上記導電ペーストは、複数のはんだ粒子と、熱硬化性成分とを含む。上記第1の接続対象部材は、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する。上記第2の接続対象部材は、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する。 In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the conductive paste, the first connection target member, and the second connection target member are used. The conductive material used in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention is not a conductive film but a conductive paste. The conductive paste includes a plurality of solder particles and a thermosetting component. The first connection target member has at least one first electrode on the surface. The second connection target member has at least one second electrode on the surface.
本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第1の接続対象部材の表面上に、上記導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、上記第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上及び上記熱硬化性成分の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成する工程とを備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わる。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらない。 The method for manufacturing a connection structure according to the present invention includes a step of disposing the conductive paste on a surface of the first connection target member, and a surface opposite to the first connection target member side of the conductive paste. Above, the step of arranging the second connection object member so that the first electrode and the second electrode face each other, the melting point of the solder particles or more and the curing temperature of the thermosetting component or more And heating the conductive paste to form a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member with the conductive paste. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive paste. The weight of the target member is added. In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive paste has a weight force of the second connection target member. No pressurizing pressure exceeding is applied.
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が採用されているので、複数のはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。 In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, since the above-described configuration is adopted, the plurality of solder particles are easily collected between the first electrode and the second electrode, and the plurality of solder particles are collected on the electrode ( Line). Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.
このように、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくするためには、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いる必要があることを、本発明者らは見出した。さらに、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストに、上記第2の接続対象部材の重量が加われば、接続部が形成される前に電極が形成されていない領域(スペース)に配置されていたはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間により一層集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができることも、本発明者らは見出した。本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いるという構成と、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるようにするという構成とを組み合わせて採用することには、本発明の効果を得るために大きな意味がある。 Thus, in order to efficiently arrange a plurality of solder particles on the electrode and to considerably reduce the amount of solder particles arranged in the region where the electrode is not formed, a conductive paste is used instead of a conductive film. The inventors have found that they need to be used. Furthermore, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, if the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure, the connection portion is Solder particles arranged in a region (space) where no electrode is formed before being formed are more easily collected between the first electrode and the second electrode, and a plurality of solder particles are separated into electrodes (lines). The inventors have also found that they can be arranged efficiently above. In the present invention, a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure are used in combination. This has a great meaning in order to obtain the effects of the present invention.
また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部の厚みを適宜調整することも可能である。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。 In addition, when a conductive paste is used instead of a conductive film, the thickness of the connection portion can be appropriately adjusted depending on the amount of the conductive paste applied. On the other hand, in the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection portion, it is necessary to prepare a conductive film having a different thickness or to prepare a conductive film having a predetermined thickness. There is.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.
先ず、図1に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。 First, FIG. 1 schematically shows a connection structure obtained by the method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention in a partially cutaway front sectional view.
図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、複数のはんだ粒子と、熱硬化性成分とを含む導電ペーストにより形成されている。接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。
The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects a first
第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。
The first
図1に示すように、接続構造体1では、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストは、フラックスを含んでいてもよい。フラックスを用いた場合には、加熱により、一般にフラックスは次第に失活する。
As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, after a plurality of solder particles are melted, the melt of the solder particles wets and spreads on the surface of the electrode and is solidified to form a
なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図6に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。
In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all the
はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。
If the amount of solder particles used is reduced, the connection structure 1 can be easily obtained. If the amount of the solder particles used is increased, it becomes easy to obtain the
次に、図1に示す接続構造体1を得るための本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法を説明する。 Next, the manufacturing method of the connection structure which concerns on one Embodiment of this invention for obtaining the connection structure 1 shown in FIG. 1 is demonstrated.
先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、複数のはんだ粒子11Aと熱硬化性成分11Bとを含む導電ペースト11を配置する(第1の工程)。第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電ペースト11を配置する。導電ペースト11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。
First, the 1st
導電ペースト11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。
The arrangement method of the
また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電ペースト11において、導電ペースト11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電ペースト11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。
Moreover, the 2nd
次に、はんだ粒子11Aの融点以上及び熱硬化性成分11Bの硬化温度以上に導電ペースト11を加熱する(第3の工程)。すなわち、はんだ粒子11Aの融点及び熱硬化性成分11Bの硬化温度の内のより低い温度以上に、導電ペースト11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。本実施形態では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いているために、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4を、導電ペースト11により形成する。導電ペースト11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aが速やかに移動すれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。
Next, the
また、第3の工程の前半に、予備加熱工程を設けてもよい。この予備加熱工程とは、導電ペースト11に、第2の接続対象部材3の重量が加わった状態にて、はんだの溶融温度以上、実質的に熱硬化性成分11Bが熱硬化しない温度にて、5秒から60秒の加熱を行う工程のことを言う。この工程を設けることで、はんだ粒子の第1の電極と第2の電極との間に集まろうとする作用がさらに高まるとともに、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に発生する可能性のあるボイドを抑制することができる。
In addition, a preheating step may be provided in the first half of the third step. This preheating step is a temperature at which the
本実施形態では、上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧を行わない。本実施形態では、導電ペースト11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まろうとする作用が阻害される。このことは、本発明者らによって見出された。
In this embodiment, no pressure is applied in the second step and the third step. In the present embodiment, the weight of the second
このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電ペースト11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。
In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. The second step and the third step may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the obtained 1st
導通信頼性をより一層高める観点からは、接続構造体1,1Xでは、第1の電極2aと接続部4と第2の電極3aとの積層方向に第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分をみたときに、第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが配置されている接続構造体1,1Xを得ることが好ましい。
From the viewpoint of further improving the conduction reliability, in the
上記第3の工程における加熱温度は、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上であれば特に限定されない。上記加熱温度は、好ましくは130℃以上、より好ましくは160℃以上、好ましくは450℃以下、より好ましくは250℃以下、更に好ましくは200℃以下である。 The heating temperature in the third step is not particularly limited as long as it is not lower than the melting point of the solder particles and not lower than the curing temperature of the thermosetting component. The heating temperature is preferably 130 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 450 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and still more preferably 200 ° C. or lower.
上記予備加熱工程の温度は、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、更に好ましくは140℃以上、好ましくは160℃未満、より好ましくは150℃以下である。 The temperature of the preheating step is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, still more preferably 140 ° C. or higher, preferably less than 160 ° C., more preferably 150 ° C. or lower.
なお、上記第1の接続対象部材は、少なくとも1つの第1の電極を有していればよい。上記第1の接続対象部材は複数の第1の電極を有することが好ましい。上記第2の接続対象部材は、少なくとも1つの第2の電極を有していればよい。上記第2の接続対象部材は複数の第2の電極を有することが好ましい。 In addition, the said 1st connection object member should just have at least 1 1st electrode. The first connection target member preferably has a plurality of first electrodes. The said 2nd connection object member should just have at least 1 2nd electrode. The second connection target member preferably has a plurality of second electrodes.
上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。 The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and resin films, printed boards, flexible printed boards, flexible flat cables, rigid flexible boards, glass epoxies. Examples thereof include electronic components such as circuit boards such as substrates and glass substrates. The first and second connection target members are preferably electronic components.
上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、本発明では、導電ペーストを用いているために、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることができ、電極間の導通信頼性を充分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップなどの他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。上記第1,第2の接続対象部材は、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板又はフレキシブルフラットケーブルであってもよく、リジッドフレキシブル基板であってもよい。 It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. The second connection target member is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the property of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used for connection of such a connection object member, there exists a tendency for a solder particle not to gather on an electrode. On the other hand, in the present invention, since the conductive paste is used, even if a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board is used, the solder particles can be efficiently collected on the electrode. And the reliability of conduction between the electrodes can be sufficiently enhanced. When using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board, the reliability of conduction between electrodes by not applying pressure compared to the case of using other connection target members such as a semiconductor chip. The improvement effect can be obtained more effectively. The first and second connection target members may be a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極、SUS電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板又はフレキシブルフラットケーブルである場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, silver electrodes, molybdenum electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the connection object member is a flexible printed circuit board or a flexible flat cable, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
上記第1の電極と上記第2の電極とが対向している位置における上記接続部の距離D1は好ましくは3μm以上、より好ましくは5μm以上、好ましくは40μm以下、より好ましくは30μm以下である。上記距離D1が上記下限以上であると、接続部と接続対象部材との接続信頼性がより一層高くなる。上記距離D1が上記上限以下であると、接続部の形成時にはんだ粒子が電極上により一層集まりやすくなり、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。また、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記距離D1は好ましくは10μm以上、より好ましくは12μm以上である。 The distance D1 of the connecting portion at the position where the first electrode and the second electrode face each other is preferably 3 μm or more, more preferably 5 μm or more, preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less. When the distance D1 is equal to or greater than the lower limit, the connection reliability between the connection portion and the connection target member is further increased. When the distance D1 is less than or equal to the above upper limit, solder particles are more likely to gather on the electrodes when the connection portion is formed, and the conduction reliability between the electrodes is further enhanced. Further, from the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes, the distance D1 is preferably 10 μm or more, more preferably 12 μm or more.
上記接続部において、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向している部分の大きさS1(例えば、図3(a)及び図4(a)の斜線部)は、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向していない部分の大きさS2(例えば、図3(a)及び図4(a)の点部)の、好ましくは2倍以上、より好ましくは10倍以上、好ましくは40倍以下、より好ましくは30倍以下である。上記大きさS1と上記大きさS2とは、接続構造体を平面視したときの大きさである。上記大きさS1は、接続構造体を平面視したときに、上記第1の電極と上記第2の電極とが重なっている領域の面積である。上記大きさS2は、接続構造体を平面視したときに、上記第1の電極と上記第2の電極とが重なっていない領域の面積である。上記大きさS2は、接続部全体の大きさから、上記大きさS1を除いた大きさである。 In the connection portion, the size S1 of the portion where the first electrode and the second electrode face each other (for example, the hatched portion in FIGS. 3A and 4A) is the first portion. Preferably, the size S2 of the portion where the second electrode is not opposed to the second electrode (for example, the point in FIGS. 3A and 4A) is preferably at least twice, more preferably 10 times. Above, preferably 40 times or less, more preferably 30 times or less. The size S1 and the size S2 are sizes when the connection structure is viewed in plan. The size S1 is an area of a region where the first electrode and the second electrode overlap when the connection structure is viewed in plan. The size S2 is an area of a region where the first electrode and the second electrode do not overlap when the connection structure is viewed in plan. The size S2 is a size obtained by removing the size S1 from the size of the entire connecting portion.
次に、接続構造体の変形例について説明する。 Next, a modified example of the connection structure will be described.
図3(a)及び(b)に、変形例である接続構造体51を示す。図3(a)は平面図であり、図3(b)はI−I線に沿う断面図である。
The
図3(a)及び(b)に示す接続構造体51のように、接続部54は、角部Cを有することが好ましい。図3(a)及び(b)では、接続部54は、主面方向において、4つの角部Cを有する。角部Cは、例えば、接続部54の2つの辺が交わる部分である。第1の接続対象部材52が、第1の電極52aとして、角部Cの内側に位置合わせ用の第1の電極52aaを有することが好ましい。第2の接続対象部材53が、第2の電極53aとして、角部Cの内側に位置合わせ用の第2の電極53aaを有することが好ましい。このような位置合わせ用の電極を設ければ、位置合わせ用の第1の電極52aaと位置合わせ用の第2の電極53aaとの間にはんだ粒子が集まり互いに接合するときに、位置合わせ用の第1の電極52aaと位置合わせ用の第2の電極53aaとの位置ずれを防止し、更に生じていた位置ずれを解消するように作用する(例えば、本発明の実施形態の図7(a)と本発明の実施形態に含まれない形態の図8(a)との差異)。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。
As in the
図3(b)にて、第1の電極52aと第2の電極53aとは、1つの以上の電極から構成されている。第1の電極52aと第2の電極53aとは、2本以上の櫛形、千鳥型、ドットや四角電極のエリアアレイのパターンを有する電極であることが好ましい。その場合、第1の電極52aと第2の電極53aとのパターンは、対向した場合にパターンが一致することが好ましい。2本以上の電極である場合、電極のピッチは、好ましくは75μm以上、より好ましくは100μm以上、好ましくは2mm以下、より好ましくは1mm以下である。電極の長さは、好ましくは200μm以上、より好ましくは1mm以上、好ましくは5mm以下、より好ましくは3mm以下である。
In FIG. 3B, the
なお、図3(a)及び(b)では、第1の接続対象部材52に、第2の接続対象部材53の一部の領域が重ねられている。第1の接続対象部材52と第2の接続対象部材53との重なり部分の中央の領域に、はんだ部54Aにより電気的に接続されている第1の電極52a(主電極)と、第2の電極53a(主電極)とが対向するように配置されている。図3(a)では、第2の接続対象部材53の先端の2つの角部に対応する接続部54の2つの角部Cの近傍に、2つの位置合わせ用の第1の電極52aaと、2つの位置合わせ用の第2の電極53aaとが対向するように配置されている。位置合わせ用の第1の電極52aaと位置合わせ用の第2の電極53aaとは、はんだ部54Aにより電気的に接続されている。はんだ部54Aの周囲には、硬化物部54Bが位置している。
3A and 3B, a part of the second
第1の電極52aaと第2の電極53aaとの寸法は、一辺が好ましくは300μm以上、より好ましくは500μm以上の四角形であり、第1の電極52aaと第2の電極53aaとの形状は、正方形、長方形、円形、楕円形であってもよい。 The dimension of the first electrode 52aa and the second electrode 53aa is a quadrangle whose one side is preferably 300 μm or more, more preferably 500 μm or more, and the shape of the first electrode 52aa and the second electrode 53aa is a square. , Rectangular, circular or elliptical.
第1の電極52aaと第2の電極53aaとは、アライメントのためのみに使用してもよく、広い電極面積が必要な電源用の電極として使用してもよい。 The first electrode 52aa and the second electrode 53aa may be used only for alignment or may be used as power supply electrodes that require a large electrode area.
位置合わせをより一層容易にする観点からは、上記位置合わせ用の第1の電極及び上記位置合わせ用の第2の電極と、上記角部の先端との最短距離が75μm以上、3000μm以下であることが好ましい。 From the viewpoint of facilitating alignment, the shortest distance between the first electrode for alignment and the second electrode for alignment and the tip of the corner is 75 μm or more and 3000 μm or less. It is preferable.
図4(a)及び(b)に、変形例である接続構造体51Xを示す。図4(a)は平面図であり、図4(b)はI−I線に沿う断面図であり、図4(c)はII−II線に沿う断面図である。
4A and 4B show a
図4(a)及び(b)では、第2の接続対象部材53Xの先端の2つの角部に対応する接続部54Xの2つの角部Cと残りの2つの角部Cとを含む4つの角部Cの近傍に、4つの位置合わせ用の第1の電極52aaと、4つの位置合わせ用の第2の電極53aaとが対向するように配置されている。このように、4つの角部Cの近傍に、4つの位置合わせ用の第1,第2の電極52aa,53aaが配置されていてもよい。位置合わせ用の第1の電極52aaと位置合わせ用の第2の電極53aaとは、はんだ部54XAにより電気的に接続されている。はんだ部54XAの周囲には、硬化物部54XBが位置している。
4 (a) and 4 (b), there are four including the two corners C of the
図5(a)及び(b)に、変形例である接続構造体51Yを示す。図5(a)は平面図であり、図5(b)はI−I線に沿う断面図である。
FIGS. 5A and 5B show a
接続構造体51Yにおいて、第1の接続対象材52Yと第2の接続対象材53Yとの加熱時の熱膨張に起因する上下電極間の位置ずれを抑制し、導通信頼性をより一層良好にする観点からは、第1の接続対象部材52Yが、第1の電極52aとして、長さ方向と幅方向とを有する複数の第1の主電極52abを有し、第2の接続対象部材53Yが、第2の電極53aとして、長さ方向と幅方向とを有する複数の第2の主電極53abを有し、第1の主電極52abの長さ方向及び幅方向での第1の接続対象部材52Yの線膨張率と第2の主電極53abの長さ方向及び幅方向での第2の接続対象部材53Yの線膨張率との差をC(ppm/℃)とし、接続部54Yを形成する際の上記導電ペーストの加熱温度をT(℃)とし、第1の主電極52abの幅方向において、複数の第1の主電極52ab全体での寸法をYt(mm)とし、複数の第1の主電極52abの1つあたりの幅方向の寸法をYa(mm)としたとき、式:C×T/1000000×Yt<0.5×Yaを満たすことが好ましい。
In the
複数の第1の主電極52abは、所定のスペースを開けて長さ方向が平行に並んで配置されている。複数の第2の主電極53abは、所定のスペースを開けて長さ方向が平行に並んで配置されている。 The plurality of first main electrodes 52ab are arranged in parallel in the length direction with a predetermined space therebetween. The plurality of second main electrodes 53ab are arranged side by side in parallel in the length direction with a predetermined space.
第1の接続対象部材52Yは、位置合わせ用の第1の電極52aaを有する。第2の接続対象部材53Yは、位置合わせ用の第2の電極53aaを有する。第1の主電極52abには、位置合わせ用の第1の電極52aaは含まれない。第2の主電極53abには、位置合わせ用の第2の電極53aaは含まれない。
The first
第1の主電極52abと第2の主電極53abとは、はんだ部54YAにより電気的に接続されている。はんだ部54YAの周囲には、硬化物部54YBが位置している。 The first main electrode 52ab and the second main electrode 53ab are electrically connected by a solder portion 54YA. A cured product portion 54YB is located around the solder portion 54YA.
上記線膨張率は、TMA/SS6100(SII社製)を用いて、昇温速度5℃/min、25℃から上記接続部を形成する際の上記導電ペーストの加熱温度までの温度範囲の条件で測定される。上記線膨張率は、上記温度範囲での平均値として求められる。 The linear expansion coefficient is TMA / SS6100 (manufactured by SII) under conditions of a temperature range from a heating rate of 5 ° C./min, 25 ° C. to the heating temperature of the conductive paste when forming the connection part. Measured. The linear expansion coefficient is obtained as an average value in the temperature range.
はんだ粒子を電極上に効率的に配置するために、上記導電ペーストの25℃での粘度は好ましくは10Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上、更に好ましくは100Pa・s以上、好ましくは800Pa・s以下、より好ましくは600Pa・s以下、更に好ましくは500Pa・s以下である。 In order to efficiently arrange the solder particles on the electrode, the viscosity of the conductive paste at 25 ° C. is preferably 10 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, still more preferably 100 Pa · s or more, preferably 800 Pa. · S or less, more preferably 600 Pa · s or less, still more preferably 500 Pa · s or less.
上記粘度は、配合成分の種類及び配合量に適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。 The said viscosity can be suitably adjusted with the kind and compounding quantity of a compounding component. Further, the use of a filler can make the viscosity relatively high.
上記粘度は、例えば、E型粘度計(東機産業社製)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定可能である。 The viscosity can be measured, for example, using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) and the like at 25 ° C. and 5 rpm.
25℃以上、上記はんだ粒子(はんだ)の融点℃以下の温度領域での、上記導電ペーストの粘度の最低値(最低溶融粘度の値)は、好ましくは0.1Pa・s以上、より好ましくは0.2Pa・s以上、好ましくは10Pa・s以下、より好ましくは1Pa・s以下である。上記粘度の最低値が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。 The minimum value of viscosity of the conductive paste (minimum melt viscosity value) in a temperature range of 25 ° C. or higher and the melting point of the solder particles (solder) is preferably 0.1 Pa · s or higher, more preferably 0. .2 Pa · s or more, preferably 10 Pa · s or less, more preferably 1 Pa · s or less. When the minimum value of the viscosity is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.
上記粘度の最低値は、STRESSTECH(EOLOGICA社製)等を用いて、歪制御1rad、周波数1Hz、昇温速度20℃/分、測定温度範囲40〜200℃(但し、はんだ粒子の融点が200℃を超える場合には温度上限をはんだ粒子の融点とする)の条件の条件で測定可能である。測定結果から、はんだ粒子の融点℃以下の温度領域での粘度の最低値が評価される。 The minimum value of the above viscosity is STRESSTECH (manufactured by EOLOGICA), etc., strain control 1 rad, frequency 1 Hz, heating rate 20 ° C./min, measurement temperature range 40 to 200 ° C. (however, the melting point of solder particles is 200 ° C. In the case of exceeding the upper limit of the temperature, the melting point of the solder particles is taken into account). From the measurement result, the minimum value of the viscosity in the temperature region of the solder particle melting point or lower is evaluated.
上記導電ペーストは、熱硬化性成分とはんだ粒子とを含む。上記熱硬化性成分は、加熱により硬化可能な硬化性化合物(熱硬化性化合物)と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記導電ペーストはフラックスを含むことが好ましい。上記導電ペーストは、フィラーを含むことが好ましい。 The conductive paste includes a thermosetting component and solder particles. The thermosetting component preferably includes a curable compound (thermosetting compound) that can be cured by heating, and a thermosetting agent. The conductive paste preferably contains a flux. The conductive paste preferably contains a filler.
以下、本発明の他の詳細を説明する。 Hereinafter, other details of the present invention will be described.
(はんだ粒子)
上記はんだ粒子は、はんだを導電性の外表面に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだにより形成されている。(Solder particles)
The solder particles have solder on a conductive outer surface. As for the said solder particle, both a center part and an electroconductive outer surface are formed with the solder.
上記はんだは、融点が450℃以下である低融点金属であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が450℃以下である低融点金属粒子であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。 The solder is preferably a low melting point metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The solder particles are preferably low melting point metal particles having a melting point of 450 ° C. or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The solder particles include tin. In 100% by weight of the metal contained in the solder particles, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the connection reliability between the solder portion and the electrode is further enhanced.
なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。 The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.
上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。 By using the solder particles, the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of solder particles increases the bonding strength between the solder portion and the electrode. As a result, peeling between the solder portion and the electrode is further less likely to occur, and the conduction reliability and the connection reliability are effectively increased.
上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。 The low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. Especially, since it is excellent in the wettability with respect to an electrode, it is preferable that the said low melting metal is a tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, and a tin-indium alloy. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.
上記はんだ粒子は、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。 The solder particles are preferably a filler material having a liquidus line of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: welding terms. Examples of the composition of the solder particles include metal compositions containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Among them, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder particles preferably do not contain lead, and preferably contain tin and indium, or contain tin and bismuth.
上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。 In order to further increase the bonding strength between the solder part and the electrode, the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium. Further, it may contain a metal such as molybdenum and palladium. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight in 100% by weight of the solder particles. % Or less.
上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、更に好ましくは3μm以上、特に好ましくは5μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは40μm以下、より一層好ましくは30μm以下、更に好ましくは20μm以下、特に好ましくは15μm以下、最も好ましくは10μm以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、3μm以上、30μm以下であることが特に好ましい。 The average particle diameter of the solder particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 3 μm or more, particularly preferably 5 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 40 μm or less, and even more preferably 30 μm. Hereinafter, it is more preferably 20 μm or less, particularly preferably 15 μm or less, and most preferably 10 μm or less. When the average particle diameter of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be more efficiently arranged on the electrode. The average particle diameter of the solder particles is particularly preferably 3 μm or more and 30 μm or less.
上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The “average particle diameter” of the solder particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter of the solder particles is obtained, for example, by observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、特に好ましくは20重量%以上、最も好ましくは30重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは50重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。 The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive paste is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, and most preferably 30%. % By weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and still more preferably 50% by weight or less. When the content of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange the solder particles on the electrodes, and it is easy to arrange many solder particles between the electrodes, The conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, it is preferable that the content of the solder particles is large.
(加熱により硬化可能な化合物:熱硬化性成分)
上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、導電ペーストの硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。(Compound curable by heating: thermosetting component)
Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. Among these, an epoxy compound is preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive paste and further improving the connection reliability.
上記導電ペースト100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。 In 100% by weight of the conductive paste, the content of the thermosetting compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. Is 98% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting component is large.
(熱硬化剤:熱硬化性成分)
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。(Thermosetting agent: thermosetting component)
The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include an imidazole curing agent, an amine curing agent, a phenol curing agent, a polythiol curing agent, an acid anhydride, a thermal cation initiator, and a thermal radical generator. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
なかでも、導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 Among these, an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent is preferable because the conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature. Moreover, since a storage stability becomes high when the curable compound curable by heating and the thermosetting agent are mixed, a latent curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. In addition, the said thermosetting agent may be coat | covered with polymeric substances, such as a polyurethane resin or a polyester resin.
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。 The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .
上記ポリチオール硬化剤の溶解度パラメーターは、好ましくは9.5以上、好ましくは12以下である。上記溶解度パラメーターは、Fedors法にて計算される。例えば、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは9.6、ジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは11.4である。 The solubility parameter of the polythiol curing agent is preferably 9.5 or more, and preferably 12 or less. The solubility parameter is calculated by the Fedors method. For example, the solubility parameter of trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate is 9.6, and the solubility parameter of dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate is 11.4.
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
上記熱カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−p−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。 Examples of the thermal cationic curing agent include iodonium-based cationic curing agents, oxonium-based cationic curing agents, and sulfonium-based cationic curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイゾブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−tert−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。 The thermal radical generator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.
上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、更に好ましくは150℃以下、特に好ましくは140℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。 The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher, still more preferably 80 ° C or higher, preferably 250 ° C or lower, more preferably 200 ° C or lower, still more preferably 150 ° C or lower, Especially preferably, it is 140 degrees C or less. When the reaction start temperature of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、低いことが好ましく、5℃以上低いことがより好ましく、10℃以上低いことが更に好ましい。 From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably lower than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5 ° C. or more, and more preferably 10 It is more preferable that the temperature is lower by at least ° C.
上記熱硬化剤の反応開始温度は、DSCでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。 The reaction start temperature of the thermosetting agent means a temperature at which the exothermic peak of DSC starts to rise.
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、更に好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. Part or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is at least the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive paste. When the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.
(フラックス)
上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。(flux)
The conductive paste preferably contains a flux. By using flux, the solder can be more effectively placed on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for soldering or the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. Etc. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin. By using an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 The rosin is a rosin composed mainly of abietic acid. The flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
上記フラックスの融点は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは200℃以下、より好ましくは160℃以下、より一層好ましくは150℃以下、更に好ましくは140℃以下である。上記フラックスの融点が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの融点は80℃以上、190℃以下であることが好ましい。上記フラックスの融点は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。 The melting point of the flux is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, still more preferably 80 ° C. or higher, preferably 200 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower, even more preferably 150 ° C. or lower, still more preferably. 140 ° C. or lower. When the melting point of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the flux effect is more effectively exhibited and the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The melting point of the flux is preferably 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower. The melting point of the flux is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.
融点が80℃以上、190℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸(融点186℃)、グルタル酸(融点96℃)、アジピン酸(融点152℃)、ピメリン酸(融点104℃)、スベリン酸(融点142℃)等のジカルボン酸、安息香酸(融点122℃)、リンゴ酸(融点130℃)等が挙げられる。 Examples of the flux having a melting point of 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower include succinic acid (melting point 186 ° C.), glutaric acid (melting point 96 ° C.), adipic acid (melting point 152 ° C.), pimelic acid (melting point 104 ° C.), suberic acid Examples thereof include dicarboxylic acids such as (melting point 142 ° C.), benzoic acid (melting point 122 ° C.), and malic acid (melting point 130 ° C.).
また、上記フラックスの沸点は200℃以下であることが好ましい。 The boiling point of the flux is preferably 200 ° C. or lower.
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、低いことが好ましく、5℃以上低いことがより好ましく、10℃以上低いことが更に好ましい。 From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5 ° C. or more, more preferably 10 ° C. or more. Is more preferable.
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、低いことが好ましく、5℃以上低いことがより好ましく、10℃以上低いことが更に好ましい。 From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the reaction start temperature of the thermosetting agent, more preferably 5 ° C. or more, and more preferably 10 ° C. or less. More preferably.
上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。 The said flux may be disperse | distributed in the electrically conductive paste and may adhere on the surface of the solder particle.
上記導電ペースト100重量%中、上記フラックスの含有量は好ましくは0.5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。 In 100% by weight of the conductive paste, the content of the flux is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. The conductive paste may not contain a flux. When the flux content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is more effective. Can be removed.
(フィラー)
上記導電ペーストは、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、導電ペーストの硬化物の潜熱膨張を抑制できる。上記フィラーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。(Filler)
The conductive paste preferably contains a filler. By using the filler, the latent heat expansion of the cured product of the conductive paste can be suppressed. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記フィラーとしては、シリカ、タルク、窒化アルミニウム及びアルミナなどの無機フィラー等が挙げられる。上記フィラーは有機フィラーであってもよく、有機−無機複合フィラーであってもよい。上記フィラーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the filler include inorganic fillers such as silica, talc, aluminum nitride, and alumina. The filler may be an organic filler or an organic-inorganic composite filler. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記導電ペースト及び上記フィラーはそれぞれ、無機フィラーを含有することが好ましい。無機フィラーの使用により、導電ペーストの比重及びチキソ性をより一層好適な範囲に制御でき、はんだ粒子の沈降がより一層抑えられ、接続構造体の導通信頼性がより一層高くなる。 Each of the conductive paste and the filler preferably contains an inorganic filler. By using the inorganic filler, the specific gravity and thixotropy of the conductive paste can be controlled to a more suitable range, the sedimentation of the solder particles can be further suppressed, and the conduction reliability of the connection structure can be further enhanced.
上記導電ペースト及び上記フィラーはそれぞれ、シリカを含むことが好ましい。該シリカはシリカフィラーである。シリカの使用により、導電ペーストの比重及びチキソ性をより一層好適な範囲に制御でき、はんだ粒子の沈降がより一層抑えられ、接続構造体の導通信頼性がより一層高くなる。 Each of the conductive paste and the filler preferably contains silica. The silica is a silica filler. By using silica, the specific gravity and thixotropy of the conductive paste can be controlled to a more suitable range, the settling of solder particles can be further suppressed, and the conduction reliability of the connection structure can be further enhanced.
上記導電ペースト100重量%中、上記フィラーの含有量は好ましくは2重量%以上、より好ましくは5重量%以上、好ましくは60重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。 The content of the filler in 100% by weight of the conductive paste is preferably 2% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. When the content of the filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode.
(他の成分)
上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。(Other ingredients)
If necessary, the conductive paste is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, and a lubricant. In addition, various additives such as an antistatic agent and a flame retardant may be included.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
ポリマーA:
ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂との反応物(ポリマーA)の合成:
ビスフェノールF(4,4’−メチレンビスフェノールと2,4’−メチレンビスフェノールと2,2’−メチレンビスフェノールとを重量比で2:3:1で含む)72重量部、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル70重量部、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製「EPICLON EXA−830CRP」)30重量部を、3つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、150℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基との付加反応触媒であるテトラーn−ブチルスルホニウムブロミド0.1重量部を添加し、窒素フロー下にて、150℃で6時間、付加重合反応させることにより反応物(ポリマーA)を得た。Polymer A:
Synthesis of reaction product (polymer A) of bisphenol F with 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin:
72 parts by weight of bisphenol F (containing 4,4′-methylene bisphenol, 2,4′-methylene bisphenol and 2,2′-methylene bisphenol in a weight ratio of 2: 3: 1), 1,6-hexanediol 70 parts by weight of glycidyl ether and 30 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin (“EPICLON EXA-830CRP” manufactured by DIC) were placed in a three-necked flask and dissolved at 150 ° C. under a nitrogen flow. Thereafter, 0.1 part by weight of tetra-n-butylsulfonium bromide, which is an addition reaction catalyst between a hydroxyl group and an epoxy group, was added, and an addition polymerization reaction was performed at 150 ° C. for 6 hours under a nitrogen flow. A) was obtained.
NMRにより、付加重合反応が進行したことを確認して、反応物(ポリマーA)が、ビスフェノールFに由来する水酸基と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつエポキシ基を両末端に有することを確認した。 By confirming that the addition polymerization reaction has progressed by NMR, the reaction product (polymer A) is composed of a hydroxyl group derived from bisphenol F, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, and an epoxy group of bisphenol F type epoxy resin. It was confirmed that it has a structural unit bonded to the main chain and has an epoxy group at both ends.
GPCにより得られた反応物(ポリマーA)の重量平均分子量は10000、数平均分子量は3500であった。 The reaction product (polymer A) obtained by GPC had a weight average molecular weight of 10,000 and a number average molecular weight of 3,500.
ポリマーB:両末端エポキシ基剛直骨格フェノキシ樹脂、三菱化学社製「YX6900BH45」、重量平均分子量16000 Polymer B: both end epoxy group rigid skeleton phenoxy resin, “YX6900BH45” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, weight average molecular weight 16000
熱硬化性化合物1:レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製「EX−201」 Thermosetting compound 1: Resorcinol type epoxy compound, “EX-201” manufactured by Nagase ChemteX Corporation
熱硬化性化合物2:ナフタレン型エポキシ化合物、DIC社製「HP−4032D」 Thermosetting compound 2: Naphthalene type epoxy compound, “HP-4032D” manufactured by DIC
熱硬化性化合物3:ビスフェノールF型エポキシ樹脂、DIC社製「EVA−830CRP」 Thermosetting compound 3: bisphenol F type epoxy resin, “EVA-830CRP” manufactured by DIC
熱硬化剤:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、昭和電工社製「カレンズMT PE1」 Thermosetting agent: pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), “Karenz MT PE1” manufactured by Showa Denko KK
フラックス:グルタル酸、和光純薬工業社製 Flux: Glutaric acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries
潜在性エポキシ熱硬化剤:T&K TOKA社製「フジキュア7000」 Latent epoxy thermosetting agent: “Fujicure 7000” manufactured by T & K TOKA
潜在性熱硬化剤:マイクロカプセル型、旭化成イーマテリアルズ社製「HXA−3932HP」 Latent thermosetting agent: Microcapsule type, “HXA-3932HP” manufactured by Asahi Kasei E-Materials
はんだ粒子1(Sn−58Biはんだ粒子、融点139℃、三井金属鉱業社製「DS10−25」、平均粒子径10μm) Solder particles 1 (Sn-58Bi solder particles, melting point 139 ° C., “DS10-25” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., average particle diameter 10 μm)
はんだ粒子2(Sn−58Biはんだ粒子、融点139℃、三井金属鉱業社製「10−25」、平均粒子径20μm) Solder particles 2 (Sn-58Bi solder particles, melting point 139 ° C., “10-25” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., average particle size 20 μm)
はんだ粒子3(Sn−58Biはんだ粒子、融点139℃、三井金属鉱業社製「DS20−38」、平均粒子径29μm) Solder particles 3 (Sn-58Bi solder particles, melting point 139 ° C., “DS20-38” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., average particle size 29 μm)
はんだ粒子4(Sn−58Biはんだ粒子、融点139℃、平均粒子径45μm、選別品) Solder particles 4 (Sn-58Bi solder particles, melting point 139 ° C., average particle size 45 μm, selected product)
導電性粒子1:樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子 Conductive particles 1: a copper layer having a thickness of 1 μm is formed on the surface of the resin particles, and a solder layer having a thickness of 3 μm (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles
導電性粒子1の作製方法:
平均粒子径10μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−210」)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ0.1μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ1μmの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ3μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子1を作製した。Production method of conductive particles 1:
Divinylbenzene resin particles having an average particle diameter of 10 μm (“Micropearl SP-210” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were subjected to electroless nickel plating to form a base nickel plating layer having a thickness of 0.1 μm on the surface of the resin particles. Next, the resin particles on which the base nickel plating layer was formed were subjected to electrolytic copper plating to form a 1 μm thick copper layer. Furthermore, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a solder layer having a thickness of 3 μm. Thus, a 1 μm thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 3 μm thick solder layer (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles 1 were prepared.
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」) Phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.)
(実施例1〜4)
(1)異方性導電ペーストの作製
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。(Examples 1-4)
(1) Preparation of anisotropic conductive paste The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 to obtain anisotropic conductive paste.
(2)第1の接続構造体(L/S=50μm/50μm)の作製
L/Sが50μm/50μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材、線膨張率12ppm/℃(第1の主電極の長さ方向及び幅方向での線膨張率(以下同様)))を用意した。また、L/Sが50μm/50μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材、線膨張率16ppm/℃(第2の主電極の長さ方向及び幅方向での線膨張率(以下同様))))を用意した。第1の主電極について、Yt=10mm、Ya=0.05mmである。(2) Production of first connection structure (L / S = 50 μm / 50 μm) Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) with L / S of 50 μm / 50 μm on the upper surface (First connection object member, linear expansion coefficient 12 ppm / ° C. (linear expansion coefficient in the length direction and width direction of the first main electrode (hereinafter the same))) was prepared. Also, a flexible printed circuit board having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) with L / S of 50 μm / 50 μm on the lower surface (second connection target member, linear expansion coefficient 16 ppm / ° C. (length direction of second main electrode And a linear expansion coefficient in the width direction (hereinafter the same)))). For the first main electrode, Yt = 10 mm and Ya = 0.05 mm.
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×4mmとし、接続した電極数は100対とした。得られる第1の接続構造体における接続部の4つの角部の内側にそれぞれ、位置合わせ用の電極(合計4つ)が位置するガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板とを用いた。位置合わせ用の第1,第2の電極と、4つの角部の先端との最短距離は500μmであった。 The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm × 4 mm, and the number of connected electrodes was 100 pairs. A glass epoxy board and a flexible printed board on which positioning electrodes (four in total) are respectively located inside the four corners of the connection part in the obtained first connection structure were used. The shortest distance between the first and second electrodes for alignment and the tips of the four corners was 500 μm.
上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ50μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。このとき、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を185℃で硬化させ、第1の接続構造体を得た。 The anisotropic conductive paste immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 50 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed board is added to the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, while heating the anisotropic conductive paste layer to a temperature of 185 ° C., the solder was melted and the anisotropic conductive paste layer was cured at 185 ° C. to obtain a first connection structure.
(3)第2の接続構造体(L/S=75μm/75μm)の作製
L/Sが75μm/75μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材、線膨張率12ppm/℃)を用意した。また、L/Sが75μm/75μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材、線膨張率16ppm/℃)を用意した。第1の主電極について、Yt=10mm、Ya=0.075mmである。(3) Production of second connection structure (L / S = 75 μm / 75 μm) Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) having L / S of 75 μm / 75 μm on the upper surface (First connection object member, linear expansion coefficient 12 ppm / ° C.) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member, linear expansion coefficient 16ppm / degreeC) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10micrometer) whose L / S is 75 micrometers / 75 micrometers on the lower surface was prepared. For the first main electrode, Yt = 10 mm and Ya = 0.075 mm.
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×4mmとし、接続した電極数は67対とした。L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第2の接続構造体を得た。 The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm × 4 mm, and the number of connected electrodes was 67 pairs. A second connection structure was obtained in the same manner as the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board having different L / S were used.
(4)第3の接続構造体(L/S=100μm/100μm)の作製
L/Sが100μm/100μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材、線膨張率12ppm/℃)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの銅電極パターン(銅電極厚み10μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材、線膨張率16ppm/℃)を用意した。第1の主電極について、Yt=10mm、Ya=0.1mmである。(4) Production of third connection structure (L / S = 100 μm / 100 μm) Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 μm) having L / S of 100 μm / 100 μm on the upper surface (First connection object member, linear expansion coefficient 12 ppm / ° C.) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member, linear expansion coefficient 16ppm / degreeC) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10micrometer) whose L / S is 100 micrometers / 100 micrometers on the lower surface was prepared. For the first main electrode, Yt = 10 mm and Ya = 0.1 mm.
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×4mmとし、接続した電極数は50対とした。 The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm × 4 mm, and the number of connected electrodes was 50 pairs.
L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第3の接続構造体を得た。 A third connection structure was obtained in the same manner as the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board having different L / S were used.
(実施例5)
第1の接続構造体の電極数を75対、第2の接続構造体の電極数を50対、第3の接続構造体の電極数を38対としたこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。(Example 5)
Example 1 except that the number of electrodes of the first connection structure was 75 pairs, the number of electrodes of the second connection structure was 50 pairs, and the number of electrodes of the third connection structure was 38 pairs. A connection structure was obtained.
第1の主電極のYt及びYaは以下の通りである。 Yt and Ya of the first main electrode are as follows.
第1,第2,第3の接続構造体:Yt=7.5mm
第1の接続構造体:Ya=0.05mm
第2の接続構造体:Ya=0.075mm
第3の接続構造体:Ya=0.1mmFirst, second and third connection structures: Yt = 7.5 mm
First connection structure: Ya = 0.05 mm
Second connection structure: Ya = 0.075 mm
Third connection structure: Ya = 0.1 mm
(実施例6)
位置合わせ電極を備えていないガラスエポキシ基板と位置合わせ電極を備えていないフレキシブルプリント基板とを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を作製した。(Example 6)
First, second, and third connection structures are fabricated in the same manner as in Example 1 except that a glass epoxy substrate that does not include alignment electrodes and a flexible printed circuit board that does not include alignment electrodes are used. did.
(実施例7)
電極サイズ/電極間スペースが、100μm/100μm、75μm/75μm、50μm/50μmである、5mm角の半導体チップ(厚み400μm)と、それに対向する電極を有するガラスエポキシ基板(サイズ30×30mm厚み0.4mm)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Example 7)
A glass epoxy substrate (size: 30 × 30 mm thickness: 0.1 μm) having a 5 mm square semiconductor chip (thickness: 400 μm) having an electrode size / interelectrode space of 100 μm / 100 μm, 75 μm / 75 μm, and 50 μm / 50 μm, and an electrode facing it. The first, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that 4 mm) was used.
(実施例8〜11)
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Examples 8 to 11)
The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 below to obtain anisotropic conductive paste. First, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.
(比較例1)
異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層する際に、フレキシブルプリント基板上に2MPaの圧力を付与したこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Comparative Example 1)
In the same manner as in Example 1 except that a pressure of 2 MPa was applied on the flexible printed circuit board when the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. First, second and third connection structures were obtained.
(比較例2)
異方性導電ペースト層を硬化させる際に、フレキシブルプリント基板上に2MPaの圧力を付与したこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Comparative Example 2)
When the anisotropic conductive paste layer was cured, first, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that a pressure of 2 MPa was applied on the flexible printed board.
(比較例3)
異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層する際に、フレキシブルプリント基板上に2MPaの圧力を付与したこと、並びに異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した後に加圧状態を維持し、異方性導電ペースト層を硬化させる際に、フレキシブルプリント基板上に2MPaの圧力を付与したこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Comparative Example 3)
When laminating the flexible printed circuit board on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other, a pressure of 2 MPa was applied on the flexible printed circuit board, and on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer. When the above-mentioned flexible printed circuit board is laminated so that the electrodes face each other, the pressurized state is maintained, and when the anisotropic conductive paste layer is cured, a pressure of 2 MPa is applied on the flexible printed circuit board. In the same manner as in Example 1, first, second, and third connection structures were obtained.
(比較例4)
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)10重量部をメチルエチルケトン(MEK)に固形分が50重量%となるように溶解させて、溶解液を得た。下記の表2に示すフェノキシ樹脂を除く成分を下記の表2に示す配合量と、上記溶解液の全量とを配合して、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌した後、バーコーターを用いて乾燥後の厚みが30μmになるよう離型PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に塗工した。室温で真空乾燥することで、MEKを除去することにより、異方性導電フィルムを得た。(Comparative Example 4)
10 parts by weight of phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) so that the solid content was 50% by weight to obtain a solution. Ingredients other than the phenoxy resin shown in Table 2 below were blended with the blending amounts shown in Table 2 below and the total amount of the above solution, and after stirring for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer, a bar coater was used. It was used and coated on a release PET (polyethylene terephthalate) film so that the thickness after drying was 30 μm. An anisotropic conductive film was obtained by removing MEK by vacuum drying at room temperature.
異方性導電フィルムを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。 Except having used the anisotropic conductive film, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, 3rd connection structure.
(比較例5)
電極サイズ/電極間スペースが、100μm/100μm、75μm/75μm、50μm/50μmである、5mm角の半導体チップ(厚み400μm)と、それに対向する電極を有するガラスエポキシ基板(サイズ30×30mm厚み0.4mm)を用いたこと、並びに異方性導電ペースト層を硬化させる際に、10MPaの圧力を付与したこと以外は、実施例7と同様にして第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Comparative Example 5)
A glass epoxy substrate (size: 30 × 30 mm thickness: 0.1 μm) having a 5 mm square semiconductor chip (thickness: 400 μm) having an electrode size / interelectrode space of 100 μm / 100 μm, 75 μm / 75 μm, and 50 μm / 50 μm, and an electrode facing it. 4 mm), and when the anisotropic conductive paste layer was cured, the first, second, and third connection structures were formed in the same manner as in Example 7 except that a pressure of 10 MPa was applied. Obtained.
(比較例6)
下記の表2に示す成分を下記の表2に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。(Comparative Example 6)
The components shown in Table 2 below were blended in the blending amounts shown in Table 2 to obtain anisotropic conductive paste. First, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.
(評価)
(1)粘度
異方性導電ペーストの粘度を、E型粘度計(東機産業社製)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定した。(Evaluation)
(1) Viscosity The viscosity of the anisotropic conductive paste was measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25 ° C. and 5 rpm.
(2)最低溶融粘度
25℃からはんだ粒子の融点又は導電性粒子の表面のはんだの融点までの温度領域での、異方性導電ペーストの最低溶融粘度を測定した。(2) Minimum melt viscosity The minimum melt viscosity of the anisotropic conductive paste in the temperature range from 25 ° C. to the melting point of the solder particles or the melting point of the solder on the surface of the conductive particles was measured.
(3)接続部の距離(電極間の間隔)
得られた第1の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極が対向している位置における接続部の距離D1(電極間の間隔)を評価した。(3) Connection distance (distance between electrodes)
By observing a cross section of the obtained first connection structure, the distance D1 (interval between electrodes) of the connection portion at the position where the upper and lower electrodes face each other was evaluated.
(4)電極の状態
得られた第1の接続構造体を平面視して、第1,第2の電極が対向している部分の大きさS1と、第1,第2の電極が対向していない部分の大きさS2とを評価した。比(大きさS1/大きさS2)を求めた。(4) State of the electrode When the obtained first connection structure is viewed in plan, the size S1 of the portion where the first and second electrodes are opposed to each other and the first and second electrodes are opposed to each other. The size S2 of the unexposed portion was evaluated. The ratio (size S1 / size S2) was determined.
(5)電極同士の位置ずれの最大距離
得られた第1,第2,第3の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極の位置ずれの最大距離を評価した。(5) Maximum distance of positional deviation between electrodes The maximum distance of positional deviation of the upper and lower electrodes was evaluated by observing a cross section of the obtained first, second, and third connection structures.
(6)電極上のはんだの配置精度
得られた第1,第2,第3の接続構造体の断面(図1に示す方向の断面)において、はんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだの面積(%)を評価した。なお、5つの断面における面積の平均を算出した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。(6) Solder placement accuracy on electrodes In the cross sections (cross sections in the direction shown in FIG. 1) of the obtained first, second, and third connection structures, the solder is disposed between the electrodes in a total area of 100%. The area (%) of the solder remaining in the cured product away from the solder portion was evaluated. In addition, the average of the area in five cross sections was computed. The placement accuracy of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.
[電極上のはんだの配置精度の判定基準]
○○:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が0%
○:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が0%を超え、10%以下
△:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が10%を超え、30%以下
×:断面に現われているはんだの全面積100%中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)の面積が30%を超える[Criteria for solder placement accuracy on electrodes]
○○: 0% of the area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion disposed between the electrodes, in 100% of the total area of the solder appearing in the cross section
○: Out of 100% of the total area of solder appearing in the cross section, the area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion disposed between the electrodes exceeds 0% and is 10% or less Δ: The area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion arranged between the electrodes exceeds 100% in the total area of 100% of the solder appearing in the cross section, and is 30% or less X: Out of the total area of 100% of the solder appearing in the cross section, the area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion disposed between the electrodes exceeds 30%
(7)上下の電極間の導通信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、4端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。(7) Conduction reliability between upper and lower electrodes In the obtained first, second and third connection structures (n = 15), the connection resistance between the upper and lower electrodes was measured by the four-terminal method, respectively. . The average value of connection resistance was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The conduction reliability was determined according to the following criteria.
[導通信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が8.0Ω以下
○:接続抵抗の平均値が8.0Ωを超え、10.0Ω以下
△:接続抵抗の平均値が10.0Ωを超え、15.0Ω以下
×:接続抵抗の平均値が15.0Ωを超える[Judgment criteria for conduction reliability]
○○: Average value of connection resistance is 8.0Ω or less ○: Average value of connection resistance exceeds 8.0Ω and 10.0Ω or less △: Average value of connection resistance exceeds 10.0Ω and 15.0Ω or less × : Average connection resistance exceeds 15.0Ω
(8)隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、温度85℃、及び湿度85%の雰囲気中に100時間放置後、隣接する電極間に、5Vを印加し、抵抗値を25箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。(8) Insulation reliability between adjacent electrodes The obtained first, second and third connection structures (n = 15) were left in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity for 100 hours. 5V was applied between the adjacent electrodes, and the resistance value was measured at 25 locations. Insulation reliability was judged according to the following criteria.
[絶縁信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が107Ω以上
○:接続抵抗の平均値が106Ω以上、107Ω未満
△:接続抵抗の平均値が105Ω以上、106Ω未満
×:接続抵抗の平均値が105Ω未満[Criteria for insulation reliability]
◯: Average value of connection resistance is 10 7 Ω or more ○: Average value of connection resistance is 10 6 Ω or more, less than 10 7 Ω △: Average value of connection resistance is 10 5 Ω or more, less than 10 6 Ω ×: Connection The average resistance is less than 10 5 Ω
結果を下記の表1,2に示す。 The results are shown in Tables 1 and 2 below.
実施例1〜11と比較例1〜5との結果の差異から、加圧を行わないことで導通信頼性の向上効果が得られることがわかる。 From the difference between the results of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 5, it can be seen that the effect of improving the conduction reliability can be obtained by not applying pressure.
実施例1〜5,8〜11と実施例6との結果から、位置合わせ用の電極があると、電極同士の位置ずれが抑えられることがわかる。 From the results of Examples 1 to 5, 8 to 11 and Example 6, it can be seen that if there is an electrode for alignment, the positional deviation between the electrodes can be suppressed.
実施例1と比較例1との結果の差異と、実施例7と比較例5の結果との差異から、第2の接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合に、第2の接続対象部材が半導体チップである場合と比べて、加圧を行わないことで導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られることがわかる。 From the difference between the results of Example 1 and Comparative Example 1 and the difference between the results of Example 7 and Comparative Example 5, when the second connection target member is a flexible printed circuit board, the second connection target member is It can be seen that the effect of improving the conduction reliability can be obtained more effectively by not applying pressure as compared with the case of a semiconductor chip.
フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様であった。 The same was true when a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible substrate were used instead of the flexible printed substrate.
なお、実施例1〜11で得られた接続構造体では、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、接続部中のはんだ部が配置されていた。 In addition, in the connection structure obtained in Examples 1 to 11, the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode was seen. Sometimes, the solder portion in the connection portion is arranged in 50% or more of the area of 100% of the portion where the first electrode and the second electrode face each other.
また、図7(a),(b)及び(c)に、本発明の実施形態に含まれる接続構造体の一例を示した。図7(a)及び(b)は断面画像であり、図7(c)は平面画像である。図7(a),(b),(c)では、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)が存在していないことがわかる。 FIGS. 7A, 7B and 7C show an example of a connection structure included in the embodiment of the present invention. 7A and 7B are cross-sectional images, and FIG. 7C is a planar image. 7A, 7 </ b> B, and 7 </ b> C, it can be seen that there is no solder (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portion disposed between the electrodes.
さらに、図8(a),(b)及び(c)に、本発明の実施形態に含まれない接続構造体の一例を示した。この接続構造体は、第2の接続対象部材を配置する工程において、加圧を行うことで得られた接続構造体である。図8(a)及び(b)は断面画像であり、図8(c)は平面画像である。図8(a),(b),(c)では、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ(はんだ粒子)が、はんだ部の側方に複数存在していることがわかる。なお、接続部を形成する工程において、加圧を行っても、図8(a),(b)及び(c)に示す接続構造体と同様の接続構造体が得られることを確認した。 Further, FIGS. 8A, 8B, and 8C show an example of a connection structure that is not included in the embodiment of the present invention. This connection structure is a connection structure obtained by applying pressure in the step of arranging the second connection target member. 8A and 8B are cross-sectional images, and FIG. 8C is a planar image. 8A, 8B, and 8C, a plurality of solders (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portions disposed between the electrodes exist on the side of the solder portions. You can see that In addition, it confirmed that the connection structure similar to the connection structure shown to FIG. 8 (a), (b) and (c) was obtained even if it pressurized in the process of forming a connection part.
1,1X…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電ペースト
11A…はんだ粒子
11B…熱硬化性成分
51,51X,51Y…接続構造体
52,52X,52Y…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
52aa…位置合わせ用の第1の電極
52ab…第1の主電極
53,53X,53Y…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
53aa…位置合わせ用の第2の電極
53ab…第2の主電極
54,54X,54Y…接続部
54A,54XA,54YA…はんだ部
54B,54XB,54YB…硬化物部
C…角部DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、
前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成する工程とを備え、
前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる、接続構造体の製造方法。Using a conductive paste containing a plurality of solder particles and a thermosetting component, placing the conductive paste on the surface of the first connection target member having at least one first electrode on the surface;
On the surface opposite to the first connection target member side of the conductive paste, a second connection target member having at least one second electrode on the surface, the first electrode and the second electrode And a step of arranging so as to face each other,
By connecting the first connection target member and the second connection target member by heating the conductive paste above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component, And a step of forming with the conductive paste,
In the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the weight of the second connection target member is added to the conductive paste, and the connection structure is manufactured. Method.
前記第1の接続対象部材が、前記第1の電極として、前記角部の内側に位置合わせ用の第1の電極を有し、
前記第2の接続対象部材が、前記第2の電極として、前記角部の内側に位置合わせ用の第2の電極を有し、
前記位置合わせ用の第1の電極及び前記位置合わせ用の第2の電極と、前記角部の先端との最短距離が75μm以上、3000μm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。The connecting portion has a corner,
The first connection object member has a first electrode for alignment inside the corner as the first electrode,
The second connection target member has a second electrode for alignment inside the corner as the second electrode,
The shortest distance between the first electrode for alignment and the second electrode for alignment and the tip of the corner is 75 μm or more and 3000 μm or less, according to claim 1. The manufacturing method of the connection structure of description.
前記第2の接続対象部材が、前記第2の電極として、長さ方向と幅方向とを有する複数の第2の主電極を有し、
前記第1の主電極の長さ方向及び幅方向での前記第1の接続対象部材の線膨張率と前記第2の主電極の長さ方向及び幅方向での前記第2の接続対象部材の線膨張率との差をC:ppm/℃とし、前記接続部を形成する際の前記導電ペーストの加熱温度をT:℃とし、前記第1の主電極の幅方向において複数の前記第1の主電極全体での寸法をYt:mmとし、複数の前記第1の主電極の1つあたりの幅方向の寸法をYa:mmとしたとき、式:C×T/1000000×Yt<0.5×Yaを満たす、請求項1〜7のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。The first connection target member has a plurality of first main electrodes having a length direction and a width direction as the first electrode,
The second connection target member has a plurality of second main electrodes having a length direction and a width direction as the second electrode,
The linear expansion coefficient of the first connection target member in the length direction and the width direction of the first main electrode and the second connection target member in the length direction and the width direction of the second main electrode. The difference from the linear expansion coefficient is C: ppm / ° C., the heating temperature of the conductive paste when forming the connection portion is T: ° C., and the plurality of the first main electrodes are arranged in the width direction of the first main electrode. When the overall dimension of the main electrode is Yt: mm and the dimension in the width direction of each of the plurality of first main electrodes is Ya: mm, the formula: C × T / 1000000 × Yt <0.5 The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-7 which satisfy | fills xYa.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015512417A JP5819026B1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-17 | Method for manufacturing connection structure |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033213 | 2014-02-24 | ||
JP2014033213 | 2014-02-24 | ||
JP2014047147 | 2014-03-11 | ||
JP2014047147 | 2014-03-11 | ||
JP2015512417A JP5819026B1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-17 | Method for manufacturing connection structure |
PCT/JP2015/054299 WO2015125779A1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-17 | Connection structure manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015189610A Division JP2015233162A (en) | 2014-02-24 | 2015-09-28 | Manufacturing method of connection structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5819026B1 true JP5819026B1 (en) | 2015-11-18 |
JPWO2015125779A1 JPWO2015125779A1 (en) | 2017-03-30 |
Family
ID=53878281
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015512417A Active JP5819026B1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-17 | Method for manufacturing connection structure |
JP2015189610A Pending JP2015233162A (en) | 2014-02-24 | 2015-09-28 | Manufacturing method of connection structure |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015189610A Pending JP2015233162A (en) | 2014-02-24 | 2015-09-28 | Manufacturing method of connection structure |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5819026B1 (en) |
KR (1) | KR102360487B1 (en) |
CN (1) | CN105493207B (en) |
TW (1) | TWI647709B (en) |
WO (1) | WO2015125779A1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2015
- 2015-02-17 CN CN201580001667.6A patent/CN105493207B/en active Active
- 2015-02-17 WO PCT/JP2015/054299 patent/WO2015125779A1/en active Application Filing
- 2015-02-17 KR KR1020167004486A patent/KR102360487B1/en active IP Right Grant
- 2015-02-17 JP JP2015512417A patent/JP5819026B1/en active Active
- 2015-02-24 TW TW104105916A patent/TWI647709B/en active
- 2015-09-28 JP JP2015189610A patent/JP2015233162A/en active Pending
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WO2011115105A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particle, method for manufacturing conductive particle, anisotropic conductive material, and connection structure |
JP2012216770A (en) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Anisotropic conductive paste, and connection method of electronic component using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105493207B (en) | 2018-05-25 |
KR20160125343A (en) | 2016-10-31 |
TW201535418A (en) | 2015-09-16 |
JPWO2015125779A1 (en) | 2017-03-30 |
KR102360487B1 (en) | 2022-02-10 |
WO2015125779A1 (en) | 2015-08-27 |
JP2015233162A (en) | 2015-12-24 |
CN105493207A (en) | 2016-04-13 |
TWI647709B (en) | 2019-01-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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