JP5810031B2 - 半導体回路パターン計測装置及び方法 - Google Patents
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Description
以上説明したように、本実施形態では、図4フローチャートの処理を実行することにより、測長輪郭線と回路パターンのCD値を取得する。
(S400:計測パラメータの設定部)
図4のフローチャートのステップS400の計測パラメータの設定処理について説明する。以下では、演算ユニット501において実行される計測パラメータの設定部プログラム520の処理の流れを説明する。
ディスプレイ506には、図15(a)、(b)、図16(a)、(b)に示される設定ウィンドウ1512が表示されている。詳細は後述するが、図15及び16は、図15及び図16(a)においてはtopピークとmiddleポイントを基準として得られた測長輪郭線から算出されたCD値の表示を示し、図15及び図16(b)においてはbottomピークとmiddleポイントを基準として得られた測長輪郭線から算出されたCD値の表示についてそれぞれ示した図である。
図4のフローチャートのステップS401の多重解像度画像の生成部について説明する。あらかじめ、SEM540からネットワー550を介して画像100のデータ530が取得され、主記憶装置510および補助記憶装置503に記憶されているものとする。以下では、演算ユニット501において実行される多重解像度画像の生成部プログラム521の処理の流れを説明する。
図4のフローチャートのステップS402のピクセルレベル推定処理について説明する。あらかじめ、多重解像度画像データ531と多重解像度微分画像データ532が、主記憶装置510に展開されているものとする。以下では、演算ユニット501において実行されるサブピクセルレベル推定部プログラム522の処理の流れを説明する。
図4フローチャートのステップS403のサブピクセルレベル推定処理について説明する。あらかじめ、多重解像度画像データ531と多重解像度微分画像データ532、topピーク輪郭線データ534、bottomピーク輪郭線データ535、計測パラメータ533が主記憶装置510に展開されているものとする。以下では、演算ユニット501において実行されるサブピクセルレベル推定部プログラム523の処理の流れを説明する。
図18のフローチャートは、ステップS403の内部処理の詳細を示した図である。以下、図18のステップS1800〜S1810について順を追って説明する。前記ステップS402において、topピーク輪郭線1723と1725およびbottomピーク輪郭線1722と1724の位置座標についてピクセル精度で得られている。ここで、topピークの位置座標値をptpixとして、bottomピークの位置座標値をpbpixとする。
以降の処理では、計測パラメータ533のデータを参照し、選択ボックス1514にチェックがある場合にはステップS1801に進み、階層番号iで処理を行う。また、選択ボックス1517にチェックがある場合にはステップS1802に進み、階層番号jで処理を行う。
図10(a)を用いて説明を行う。図10(a)は、多重解像度微分輝度プロファイル、図10(b)はtopピークのサブピクセル位置推定手法についてそれぞれ説明した図である。また、図10(a)の矩形1000を拡大した図が図10(b)である。
ステップS1803では、図11(a)に示されるようなtopピーク1002と仮のbottomピーク1106の間にある変曲点1103をサブピクセル精度で検出する。ここで、bottomピーク1106は、階層番号iの画像から得られた仮のbottomピークであり、真のbottomピーク1101とは異なることに注意する。そして、topピーク1002と同一の微分輝度プロファイルf’(x、y、σi)811から推定されたmidlleポイント1103のサブピクセル位置をpmtsubとする。
ここで、図11(a)と図12(a)を用いて説明すると、微分輝度プロファイルf’(x、y、σi)811上のmidlleポイント1103に対応する輝度プロファイルf(x、y、σi)1203上のmidlleポイントを1202とし、そのサブピクセル位置座標値は同様にptpubである。次に、ステップS1805へ進む。Middleポイントは輝度ロファイルの最大勾配位置であるため、容易かつ高精度に検出すること可能であり、計測の基準として好適である。
ここで、説明の容易さからステップS1805の前に、ステップS1802の処理を示す。ステップS1802では、真のbottomピーク1101の位置pbsubについて推定を行う。その際、微分画像I’(x、y、σj)から得られた微分輝度プロファイルf’(x、y、σj)を利用することで位置推定精度の向上を図る。ここで、図11(b)と図12(b)を用いて説明すると、微分輝度プロファイルf’(x、y、σj)812上の真のbottomピーク1101に対応する輝度プロファイルf(x、y、σj)1213上の真のbottomピークを1210とし、そのサブピクセル位置座標値は同様にpbsubである。次に、ステップS1804へ進む。
ステップS1804では、図11(b)に示されるようなbottomピーク1101とtopピーク1112の間にある変曲点1113をサブピクセル精度で検出する。ここで、topピーク1112は、階層番号jの画像から得られた仮のtopピークであり、真のtopピーク1002とは異なることに注意する。ここで、bottomピーク1101と同一の微分輝度プロファイルf’(x、y、σj)812から推定されたmidlleポイントのサブピクセル位置1113をpmbsubとする。
なお、変曲点の位置座標値pmbsub1113は、微分輝度プロファイルf’(x、y、σj)812とゼロレベル1105の交点としてサブピクセル精度で推定を行う。具体的には、微分輝度プロファイルf’(x、y、σi)812に多項式曲線を当てはめ、その曲線と輝度レベルのゼロレベル1105との交点を求めることで、middleポイント1113のサブピクセル位置pmbsubを推定することが可能である。
ここで、図11(b)と図12(b)を用いて説明すると、微分輝度プロファイルf’(x、y、σj)812上のmidlleポイント1113に対応する輝度プロファイルf(x、y、σj)1213上のmidlleポイントを1211とし、そのサブピクセル位置座標値は同様にpmbsubである。次に、ステップS1806に進む。
ステップS1801およびS1803の処理により、topピークおよびmiddleポイントの位置座標値をサブピクセル精度で得ている。次に、計測パラメータ533のデータを参照し、選択ボックス1515がチェックされている場合にはステップS1807に進む。また、選択ボックス1518がチェックされている場合にはステップS1808に進む。
ステップS1802およびS1804の処理により、bottomピークおよびmiddleポイントの位置座標値をサブピクセル精度で得ている。次に、計測パラメータ533のデータを参照し、選択ボックス1515がチェックされている場合にはステップS1809に進む。また、選択ボックス1518がチェックされている場合にはステップS1810に進む。
図12(a)を用いて説明すると、middleポイント1200のサブピクセル位置pmtsubを輝度レベル0%とし、topピーク位置ptsub1201を100%となるように輝度プロファイルft(x、y、σi)1203を正規化することで正規化輝度プロファイルfn(x、y、σi)を算出する。そして、計測パラメータ533のデータから輝度レベルボックス1513の値を呼び出し、測長輝度レベルX%(−100≦X≦100%)のポイント1202のサブピクセル位置を算出し、測長輪郭線のサブピクセル位置座標値psubに格納する。
なお、正規化輝度プロファイルfn(x、y、σi)に多項式曲線を当てはめ、その曲線と輝度レベルX%面との交点として1202を求めることでサブピクセル位置psubを推定することが可能である。
図13(a)は、topピークとmiddleポイントを基準として、測長輪郭線の位置座標値を推定する手法と、図13(b)は、bottomピークとmiddleポイントを基準として、測長輪郭線の位置座標値を推定する手法について、それぞれ説明した図である。
なお、正規化微分輝度プロファイルfn’(x、y、σi)に多項式曲線を当てはめ、その曲線と輝度レベルX%面との交点として1302を求めることでサブピクセル位置psubを推定することが可能である。 (S403内のS1809:輝度ベースbottom基準の測長輪郭線抽出)
図12(b)を用いて説明すると、middleポイント1211のサブピクセル位置pmbsubを輝度レベル0%とし、bottomピーク1210のサブピクセル位置pbsubを−100%となるように輝度プロファイルf(x、y、σj)1213を正規化することで、正規化輝度プロファイルfn(x、y、σj)を算出する。そして、計測パラメータ533のデータから輝度レベルボックス1516の値を呼び出し、測長輝度レベルX%(−100≦X≦100%)のポイント1212のサブピクセル位置を算出し、測長輪郭線のサブピクセル位置座標値psubに格納する。
なお、正規化輝度プロファイルfn(x、y、σj)に多項式曲線を当てはめ、その曲線と輝度レベルX%面との交点として1212を求めることでサブピクセル位置psubを推定することが可能である。
(S403内のS1810:微分ベースbottom基準の測長輪郭線抽出)
図13(b)を用いて説明すると、middleポイント1113のサブピクセル位置pmbsubを輝度レベル0%とし、bottomピーク1111のサブピクセル位置pbsubを−100%となるように微分輝度プロファイルf’(x、y、σj)812を正規化することで、正規化微分輝度プロファイルfn’(x、y、σj)を算出する。そして、計測パラメータ533のデータから輝度レベルボックス1516の値を呼び出し、測長輝度レベルX%(−100≦X≦100%)のポイント1312のサブピクセル位置を算出し、測長輪郭線のサブピクセル位置座標値psubに格納する。
なお、正規化輝度プロファイルfn’(x、y、σj)に多項式曲線を当てはめ、その曲線と輝度レベルX%面との交点として1312を求めることでサブピクセル位置psubを推定することが可能である。
以上のステップS403処理により、測長輪郭線の位置座標psubを算出し、そのデータ536を主記憶装置510および補助記憶装置503に記憶する。
S404では、S401〜S403の処理に加えて、突発的なノイズなどにより発生した誤差が特に大きなものを補正する処理について説明する。
以下に示す処理により、複数の位置座標を相互に考慮して、前記サブピクセル精度の測長輪郭線の位置座標の全体として正しい測長輪郭線が算出することが可能となる。図9を用いて説明すると、図9(a)画像900のように画像にノイズが含まれる場合には、ピクセルごとに独立した局所的な処理を行うと、輪郭線の点群903の中にflyer(例えば、点904)を検出してしまう可能性がある。そこで、初期輪郭線全体を大域的に解析することによりflyerの除去を行う。
なお、前記処理により、外れ点と見なされた輪郭線の点群(例えば、図9(b)904)については、周囲の輪郭線に多項式曲線等を当てはめることにより、補間処理を実施しても良い。
以上のステップS404処理により、測長輪郭線の位置座標psubが更新され、そのデータ536を主記憶装置510および補助記憶装置503に記憶する。
図4フローチャートのステップS405のCD値の算出部について説明する。あらかじめ、測長郭線データ536が主記憶装置510に展開されているものとする。以下では、演算ユニット501において実行されるCD値の算出部プログラム525の処理の流れを説明する。
以上、図19(b)の評価結果を参照すると、既存手法に対して、本実施形態による計測システムの方が良い測長再現性を得ている。図19(b)から明らかなように、従来技術では測長再現性が0.16nmであるのに対し、本実施形態では0.13−0.15nmにまで改善されている。これは、単純計算で最大18%の改善が図られたことを意味し、歩留まり率もこれに応じて大きく改善される可能性が示唆される。
最後に、以上に説明した本実施形態の大まかな流れを示すと以下のようになる。
Claims (8)
- 撮影装置から送信された半導体回路パターン画像を受信する受信部と、
前記受信部で受信した半導体回路パターン画像に対して複数のノイズ除去フィルタを適用して多重解像度画像を生成する多重解像度画像生成部と、
前記多重解像度画像の階層間の画像の差分から多重解像度微分画像を生成する多重解像度微分画像生成部と、
前記半導体回路パターンの輪郭線を抽出する輪郭線抽出部と、を備え、
前記輪郭線抽出部は、
前記多重解像度微分画像の画像信号が極大または極小となるピークの位置座標値と、前記ピーク近傍の変曲点の位置座標値と、を算出し、
前記多重解像度画像の輝度信号を、前記ピークの位置座標値における輝度信号と前記変曲点の位置座標値における輝度信号とで正規化した輝度信号レベルを算出し、
任意の輝度信号レベルの位置座標値を前記半導体回路パターンの輪郭線として抽出することを特徴とする半導体回路パターン計測装置。 - 撮影装置から送信された半導体回路パターン画像を受信する受信部と、
前記受信部で受信した半導体回路パターン画像に対して複数のノイズ除去フィルタを適用して多重解像度画像を生成する多重解像度画像生成部と、
前記多重解像度画像の階層間の画像の差分から多重解像度微分画像を生成する多重解像度微分画像生成部と、
前記半導体回路パターンの輪郭線を抽出する輪郭線抽出部と、を備え、
前記輪郭線抽出部は、
前記多重解像度微分画像の画像信号が極大または極小となるピークの位置座標値と、前記ピーク近傍の変曲点の位置座標値と、を算出し、
前記多重解像度微分画像の輝度信号を、前記ピークの位置座標値における輝度信号と前記変曲点の位置座標値における輝度信号とで正規化した輝度信号レベルを算出し、
任意の輝度信号レベルの位置座標値を前記半導体回路パターンの輪郭線として抽出することを特徴とする半導体回路パターン計測装置。 - 請求項1または2に記載の半導体回路パターン計測装置において、
前記輪郭線抽出部は、前記ピークまたは前記変曲点の位置座標値をサブピクセル精度で算出することを特徴とする半導体回路パターン計測装置。 - 請求項1または2に記載の半導体回路パターン計測装置において、
前記輪郭線抽出部は、エネルギー最適化処理またはグラフカット法により前記輪郭線を補正することを特徴とする半導体回路パターン計測装置。 - 半導体回路パターン計測装置における、半導体回路パターン計測方法であって、
撮影装置から送信された半導体回路パターン画像を受信するステップと、
前記半導体回路パターン画像に対して複数のノイズ除去フィルタを適用して多重解像度画像を生成するステップと、
前記多重解像度画像の階層間の画像の差分から多重解像度微分画像を生成するステップと、
前記多重解像度微分画像の画像信号が極大または極小となるピークの位置座標値と、前記ピーク近傍の変曲点の位置座標値と、を算出するステップと、
前記多重解像度画像の輝度信号を、前記ピークの位置座標値における輝度信号と前記変曲点の位置座標値における輝度信号とで正規化した輝度信号レベルを算出するステップと、
任意の輝度信号レベルの位置座標値を前記半導体回路パターンの輪郭線として抽出するステップと、
を有することを特徴とする半導体回路パターン計測方法。 - 半導体回路パターン計測装置における、半導体回路パターン計測方法であって、
撮影装置から送信された半導体回路パターン画像を受信するステップと、
前記半導体回路パターン画像に対して複数のノイズ除去フィルタを適用して多重解像度画像を生成するステップと、
前記多重解像度画像の階層間の画像の差分から多重解像度微分画像を生成するステップと、
前記多重解像度微分画像の画像信号が極大または極小となるピークの位置座標値と、前記ピーク近傍の変曲点の位置座標値と、を算出するステップと、
前記多重解像度微分画像の輝度信号を、前記ピークの位置座標値における輝度信号と前記変曲点の位置座標値における輝度信号とで正規化した輝度信号レベルを算出するステップと、
任意の輝度信号レベルの位置座標値を前記半導体回路パターンの輪郭線として抽出するステップと、
を有することを特徴とする半導体回路パターン計測方法。 - 請求項5または6に記載の半導体回路パターン計測方法において、さらに、
前記ピークまたは前記変曲点の位置座標値をサブピクセル精度で算出するステップを有することを特徴とする半導体回路パターン計測方法。 - 請求項5または6に記載の半導体回路パターン計測方法において、さらに、
前記輪郭線抽出部は、エネルギー最適化処理またはグラフカット法により前記輪郭線を補正するステップを有することを特徴とする半導体回路パターン計測方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012102042A JP5810031B2 (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | 半導体回路パターン計測装置及び方法 |
US13/868,352 US9336587B2 (en) | 2012-04-27 | 2013-04-23 | Semiconductor circuit pattern measuring apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012102042A JP5810031B2 (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | 半導体回路パターン計測装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013228971A JP2013228971A (ja) | 2013-11-07 |
JP5810031B2 true JP5810031B2 (ja) | 2015-11-11 |
Family
ID=49676511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012102042A Active JP5810031B2 (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | 半導体回路パターン計測装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9336587B2 (ja) |
JP (1) | JP5810031B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7134098B2 (ja) | 2016-06-07 | 2022-09-09 | ユナイテッド ステイツ エンドスコピー グループ,インコーポレイテッド | 吸引バルブ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2908716C (en) | 2013-04-09 | 2021-03-16 | Laboratoires Bodycad Inc. | Concurrent active contour segmentation |
US9495756B2 (en) * | 2013-04-09 | 2016-11-15 | Laboratoires Bodycad Inc. | Multi-scale active contour segmentation |
JP6305806B2 (ja) | 2014-03-28 | 2018-04-04 | 日本コントロールシステム株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
US10348414B2 (en) * | 2016-06-30 | 2019-07-09 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Clock-and-data recovery (CDR) circuitry for performing automatic rate negotiation |
KR20210117332A (ko) * | 2019-02-25 | 2021-09-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프린트된 패턴들의 확률적 변동을 결정하는 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995029462A1 (en) * | 1994-04-22 | 1995-11-02 | Sony Corporation | Method and device for encoding image signal and image signal decoding device |
JP3963156B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2007-08-22 | オムロン株式会社 | 画像処理装置および方法,画像処理のためのプログラムを記憶した媒体,ならびに検査装置 |
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JP3524853B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2004-05-10 | 株式会社ナノジオメトリ研究所 | パターン検査装置、パターン検査方法および記録媒体 |
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JP5081276B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2012-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、パターン計測方法、およびプログラム |
JP5533529B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2014-06-25 | コニカミノルタ株式会社 | 画像処理装置及び画像処理システム |
-
2012
- 2012-04-27 JP JP2012102042A patent/JP5810031B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-23 US US13/868,352 patent/US9336587B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7134098B2 (ja) | 2016-06-07 | 2022-09-09 | ユナイテッド ステイツ エンドスコピー グループ,インコーポレイテッド | 吸引バルブ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140003703A1 (en) | 2014-01-02 |
JP2013228971A (ja) | 2013-11-07 |
US9336587B2 (en) | 2016-05-10 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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