JP5807738B2 - 有機トランジスタの製造方法、有機トランジスタ、半導体装置の製造方法、半導体装置および電子機器 - Google Patents
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Description
一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物、一般式(3)で表される化合物、一般式(4)で表される化合物、一般式(4)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物、一般式(5)で表される化合物、一般式(6)で表される化合物、一般式(5)または(6)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物および一般式(7)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に設けられたゲート電極上に塗布することにより、上記高分子からなるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを一括して形成する工程と、
上記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する有機トランジスタの製造方法である。
一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物、一般式(3)で表される化合物、一般式(4)で表される化合物、一般式(4)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物、一般式(5)で表される化合物、一般式(6)で表される化合物、一般式(5)または(6)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物および一般式(7)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に設けられたゲート電極上に塗布することにより一括して形成された、上記高分子からなるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを有し、
上記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極が設けられている有機トランジスタである。
一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物、一般式(3)で表される化合物、一般式(4)で表される化合物、一般式(4)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物、一般式(5)で表される化合物、一般式(6)で表される化合物、一般式(5)または(6)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物および一般式(7)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に設けられたゲート電極上に塗布することにより一括して形成された、上記高分子からなるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを有し、上記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極が設けられている有機トランジスタを有する電子機器である。
一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物、一般式(3)で表される化合物、一般式(4)で表される化合物、一般式(4)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物、一般式(5)で表される化合物、一般式(6)で表される化合物、一般式(5)または(6)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物および一般式(7)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に塗布することにより、上記高分子からなる絶縁膜とこの絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを一括して形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。
一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物、一般式(3)で表される化合物、一般式(4)で表される化合物、一般式(4)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物、一般式(5)で表される化合物、一般式(6)で表される化合物、一般式(5)または(6)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物および一般式(7)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に塗布することにより一括して形成された、上記高分子からなる絶縁膜とこの絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを有する半導体装置である。
一般式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化合物、一般式(3)で表される化合物、一般式(4)で表される化合物、一般式(4)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物、一般式(5)で表される化合物、一般式(6)で表される化合物、一般式(5)または(6)で表される構造を有し、Rがアルキル基以外の置換基である化合物および一般式(7)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に塗布することにより一括して形成された、上記高分子からなる絶縁膜とこの絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを有する半導体装置を有する電子機器である。
1.第1の実施の形態(有機トランジスタおよびその製造方法)
2.第2の実施の形態(キャパシタおよびその製造方法)
[有機トランジスタ]
図1は第1の実施の形態による有機トランジスタを示す。
ート、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などの各種のプラスチック(有機ポリマー)、雲母、各種のガラス基板、石英基板、シリコン基板、ステンレス鋼などの各種の合金、各種の金属などが挙げられる。基板11の材料としてプラスチックを用いることにより、基板11をフレキシブルにすることができ、ひいてはフレキシブルな有機トランジスタを得ることができる。
図2はこの有機トランジスタの製造方法を示す。
図2Aに示すように、まず、従来公知の方法により、基板11上にゲート電極12を形成し、その上に絶縁膜13aを形成する。
以上により、目的とするトップコンタクト・ボトムゲート型有機トランジスタが製造される。
式(9)で表される化合物(C2Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMSと略称)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(10)で表される化合物(C3Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(11)で表される化合物(C4Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(12)で表される化合物(C5Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(13)で表される化合物(C6Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(14)で表される化合物(C9Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(15)で表される化合物(iC4Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(16)で表される化合物(iC5Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
式(17)で表される化合物(iC6Ph−PXXと略称)と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
下記の式(19)で表される化合物と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
下記の式(20)で表される化合物と絶縁性高分子であるポリ(α−メチルスチレン)(p−αMS)とをメシチレンに均一に溶解して原料溶液を調製した。
[キャパシタ]
図4は第2の実施の形態によるキャパシタを示す。
図5はこのキャパシタの製造方法を示す。
図5Aに示すように、まず、従来公知の方法により、基板21の全面に絶縁膜22を形成し、その上に導電膜26を形成する。
以上により、目的とするキャパシタが製造される。
例えば、上述の実施の形態および実施例において挙げた数値、構造、構成、形状、材料などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、構成、形状、材料などを用いてもよい。
Claims (8)
- 式(1)で表される化合物および式(2)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に設けられたゲート電極上に塗布することにより、上記高分子からなるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを一括して形成する工程と、
上記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する有機トランジスタの製造方法。
- 上記溶液の溶媒はキシレン、p−キシレン、トルエン、メシチレン、テトラリン、アニソール、ベンゼン、1,2−ジクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、シクロヘキサンおよびエチルシクロヘキサンのうちの少なくとも一つである、
請求項1に記載の有機トランジスタの製造方法。 - 上記ゲート電極上にゲート絶縁膜の一部を構成する有機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜上に上記溶液を塗布することにより、上記ゲート絶縁膜および上記有機半導体膜を形成する、
請求項1または請求項2に記載の有機トランジスタの製造方法。 - 上記高分子はポリ(α−メチルスチレン)およびシクロオレフィン・コポリマーのうちの少なくとも一つである、
請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の有機トランジスタの製造方法。 - 式(1)で表される化合物および式(2)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に設けられたゲート電極上に塗布することにより一括して形成された、上記高分子からなるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを有し、
上記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極が設けられている有機トランジスタ。
- 上記ゲート電極上にゲート絶縁膜の一部を構成する有機絶縁膜が形成され、この有機絶縁膜上に上記溶液を塗布することにより、上記ゲート絶縁膜および上記有機半導体膜が形成された、
請求項5に記載の有機トランジスタ。 - 上記高分子はポリ(α−メチルスチレン)およびシクロオレフィン・コポリマーのうちの少なくとも一つである、
請求項5または請求項6に記載の有機トランジスタ。 - 式(1)で表される化合物および式(2)で表される化合物のうちの少なくとも一つの化合物と高分子とを含む溶液を基体上に設けられたゲート電極上に塗布することにより一括して形成された、上記高分子からなるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上の、上記少なくとも一つの化合物からなる有機半導体膜とを有し、上記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極が設けられている有機トランジスタを有する電子機器。
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