JP5807553B2

JP5807553B2 - Wireless communication device

Info

Publication number: JP5807553B2
Application number: JP2012005043A
Authority: JP
Inventors: 馬場　貴博; 貴博馬場; 邦明用水; 直徒池田; 直樹郷地; 俊幸中磯
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-01-13
Filing date: 2012-01-13
Publication date: 2015-11-10
Anticipated expiration: 2032-01-13
Also published as: JP2013145945A

Description

本発明は、アンテナ回路の共振周波数の温度補償を行う無線通信装置に関する。 The present invention relates to a wireless communication apparatus that performs temperature compensation of a resonance frequency of an antenna circuit.

従来から、無線通信による認証技術（ＲＦＩＤ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ））は、物流管理やクレジット決済等に広く用いられている。ＲＦＩＤシステムでは、ＲＦＩＤタグや非接触ＩＣカードとリーダ／ライタとの間で無線通信が行われる。この無線通信により、ＲＦＩＤタグ等とリーダ／ライタとは、内部に記憶したデータを交換することができる。 2. Description of the Related Art Conventionally, wireless communication authentication technology (RFID (Radio Frequency Identification)) has been widely used for logistics management, credit card payment, and the like. In the RFID system, wireless communication is performed between an RFID tag or a non-contact IC card and a reader / writer. Through this wireless communication, the RFID tag or the like and the reader / writer can exchange data stored therein.

また、近距離無線通信規格の一つとして、１３ＭＨｚ帯の周波数を用いたＮＦＣ（ＮｅａｒＦｉｅｌｄＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）がある。ＮＦＣは、携帯電話等の電子機器への搭載が期待されている。ＮＦＣの普及が進めば、電子機器同士を近接させるだけで、これら電子機器間で無線通信が行われ、データ転送やデータ交換が簡単に行えるようになる。そのため、ＮＦＣは、非接触クレジット決済等、様々な用途への展開が現在検討されている。 As one of short-range wireless communication standards, there is NFC (Near Field Communication) using a frequency of 13 MHz band. NFC is expected to be installed in electronic devices such as mobile phones. As NFC becomes more widespread, wireless communication is performed between these electronic devices simply by bringing the electronic devices close to each other, and data transfer and data exchange can be easily performed. Therefore, NFC is currently being considered for various uses such as non-contact credit settlement.

従来、これら無線通信装置の一例として、下記の特許文献１に記載されたＲＦＩＤ装置がある。この無線通信装置では、ループアンテナの一端及び他端がＲＦＩＤ回路ブロックに接続されており、該ＲＦＩＤ回路ブロック内で無線通信の処理が行われる。ループアンテナの一端と他端との間には同調用コンデンサが接続されており、ループアンテナと同調用コンデンサの特性で、同調周波数（共振周波数）が決まる。また、他端側には、整流用のダイオードが接続されている。 Conventionally, as an example of these wireless communication devices, there is an RFID device described in Patent Document 1 below. In this wireless communication apparatus, one end and the other end of the loop antenna are connected to the RFID circuit block, and wireless communication processing is performed in the RFID circuit block. A tuning capacitor is connected between one end and the other end of the loop antenna, and the tuning frequency (resonance frequency) is determined by the characteristics of the loop antenna and the tuning capacitor. A rectifying diode is connected to the other end side.

ＲＦＩＤ回路ブロックには、例えばＡＳＫ変調方式による変調波からデータを復調する復調回路、負荷スイッチング用スイッチ回路、クロック抽出回路、無線通信プロトコルの上位レイヤを実現する通信制御部、メモリなどが内蔵されている。 The RFID circuit block includes, for example, a demodulation circuit that demodulates data from a modulated wave by an ASK modulation method, a load switching switch circuit, a clock extraction circuit, a communication control unit that realizes a higher layer of a wireless communication protocol, a memory, and the like. Yes.

また、ＲＦＩＤ装置においては、同調用コンデンサと並列に、コンデンサと可変容量ダイオードの直列回路が接続されている。コンデンサと可変容量ダイオードの接続点には、制御部からコンデンサ容量を制御する電圧が供給される。 Further, in the RFID device, a series circuit of a capacitor and a variable capacitance diode is connected in parallel with the tuning capacitor. A voltage for controlling the capacitor capacity is supplied from the control unit to the connection point between the capacitor and the variable capacitance diode.

制御部は、温度特性の補償処理のために、周囲温度を検出する温度検出部及びメモリと接続される。メモリには、温度と同調周波数の補正値との対応が変換データ用テーブルとして記憶される。制御部は、温度検出部で検出された温度に応じた補正電圧値をメモリから読み出し、この補正電圧値を上記接続点に供給する電圧値に設定する。 The control unit is connected to a temperature detection unit that detects the ambient temperature and a memory for compensation processing of the temperature characteristics. The memory stores the correspondence between the temperature and the tuning frequency correction value as a conversion data table. The control unit reads a correction voltage value corresponding to the temperature detected by the temperature detection unit from the memory, and sets the correction voltage value to a voltage value supplied to the connection point.

特開２００７−１０４０９２号公報JP 2007-104092 A

上述の通り、従来の無線通信装置では、制御部が、温度検出部から検出温度を受け取り、メモリにアクセスして検出温度に応じた補正電圧値を読み出し、その後、接続点に供給していた。この一連の処理に起因して、共振周波数の温度補償を高速に行うことが難しいという問題点があった。 As described above, in the conventional wireless communication apparatus, the control unit receives the detection temperature from the temperature detection unit, accesses the memory, reads the correction voltage value corresponding to the detection temperature, and then supplies the correction voltage value to the connection point. Due to this series of processing, there is a problem that it is difficult to perform temperature compensation of the resonance frequency at high speed.

それゆえに、本発明の目的は、共振周波数の温度補償を高速に行うことが可能な無線通信装置を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a wireless communication apparatus capable of performing temperature compensation of the resonance frequency at high speed.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る無線通信装置は、インダクタンス成分と、印加された電圧値の大きさにより容量値を変更可能な可変容量素子からなる容量成分とで構成されるＬＣ共振回路を少なくとも含むアンテナ回路と、前記アンテナ回路と接続されるとともに、前記可変容量素子への制御電圧を生成するＲＦＩＣチップと、前記可変容量素子と直列又は並列に接続されたサーミスタを含み、前記ＲＦＩＣチップで生成された制御電圧を温度補償して、温度補償済みの制御電圧を前記可変容量素子に印加する温度補償回路と、を備えている。前記温度補償回路は、温度環境による前記可変容量素子の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境による前記サーミスタ自身の比抵抗の変化によって前記制御電圧を調整するものである。 In order to achieve the above object, a wireless communication device according to one embodiment of the present invention includes an inductance component and a capacitance component including a variable capacitance element whose capacitance value can be changed according to the magnitude of an applied voltage value. An antenna circuit including at least an LC resonance circuit, an RFIC chip that is connected to the antenna circuit and generates a control voltage to the variable capacitance element, and a thermistor connected in series or in parallel with the variable capacitance element. And a temperature compensation circuit that compensates the temperature of the control voltage generated by the RFIC chip and applies the temperature-compensated control voltage to the variable capacitance element. The temperature compensation circuit adjusts the control voltage according to a change in the specific resistance of the thermistor due to the temperature environment so as to cancel at least a part of the capacitance change of the variable capacitance element due to the temperature environment.

また、本発明の他の態様に係る無線通信装置は、インダクタンス成分と、印加された電圧値の大きさにより容量値を変更可能な可変容量素子からなる容量成分とで構成されるＬＣ共振回路を少なくとも含むアンテナ回路と、前記アンテナ回路と接続されるＲＦＩＣチップと、前記可変容量素子への制御電圧を生成する制御ＩＣチップと、前記可変容量素子と直列または並列に接続されたサーミスタを含み、前記ＲＦＩＣチップで生成された制御電圧を温度補償して、温度補償済みの制御電圧を前記可変容量素子に印加する温度補償回路と、を備えている。前記温度補償回路は、温度環境による前記可変容量素子の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境による前記サーミスタ自身の比抵抗の変化によって前記制御電圧を調整するものである。 A wireless communication apparatus according to another aspect of the present invention includes an LC resonance circuit including an inductance component and a capacitance component including a variable capacitance element that can change a capacitance value depending on the magnitude of an applied voltage value. Including at least an antenna circuit, an RFIC chip connected to the antenna circuit, a control IC chip for generating a control voltage to the variable capacitor, and a thermistor connected in series or in parallel with the variable capacitor, A temperature compensation circuit that compensates the temperature of the control voltage generated by the RFIC chip and applies the temperature-compensated control voltage to the variable capacitance element. The temperature compensation circuit adjusts the control voltage according to a change in the specific resistance of the thermistor due to the temperature environment so as to cancel at least a part of the capacitance change of the variable capacitance element due to the temperature environment.

本発明の各態様では、温度補償回路が、サーミスタの抵抗値の温度特性を利用して、周囲温度に応じて大きさが異なる制御電圧を可変容量素子に与えている。したがって、各態様では、周囲温度の検出と可変容量素子の容量値の温度補償とが実質的に同時に行われる。それゆえ、従来のような制御部の処理を不要として、共振周波数の温度補償を高速に行うことが可能となる。 In each aspect of the present invention, the temperature compensation circuit uses the temperature characteristic of the resistance value of the thermistor to apply a control voltage having a different magnitude depending on the ambient temperature to the variable capacitance element. Therefore, in each aspect, detection of the ambient temperature and temperature compensation of the capacitance value of the variable capacitance element are performed substantially simultaneously. Therefore, it is possible to perform the temperature compensation of the resonance frequency at high speed without requiring the conventional processing of the control unit.

本発明の第１の実施形態に係る無線通信装置の回路構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the circuit structure of the radio | wireless communication apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図１の可変容量素子の温度特性を例示するグラフである。2 is a graph illustrating temperature characteristics of the variable capacitance element of FIG. 1. 周囲温度に対するサーミスタの抵抗値の特性を例示するグラフである。It is a graph which illustrates the characteristic of the resistance value of the thermistor with respect to ambient temperature. 周囲温度に対する制御電圧Ｖｄの変化を例示するグラフである。It is a graph which illustrates change of control voltage Vd with respect to ambient temperature. 温度補償有りの場合と無しの場合とにおける、周囲温度に対する可変容量素子の容量値の変化を例示するグラフである。It is a graph which illustrates the change of the capacity value of a variable capacity element to ambient temperature with and without temperature compensation. 図１の温度補償回路におけるサーミスタ及び抵抗素子の配置例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an arrangement example of a thermistor and resistance elements in the temperature compensation circuit of FIG. 1. 本発明の第２の実施形態に係る無線通信装置の回路構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the circuit structure of the radio | wireless communication apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図７に示す可変容量素子の温度特性を例示するグラフである。It is a graph which illustrates the temperature characteristic of the variable capacitance element shown in FIG. 図７に示す制御電圧Ｖｅの周囲温度に対する変化を例示するグラフである。It is a graph which illustrates the change with respect to ambient temperature of the control voltage Ve shown in FIG. 図７の温度補償回路におけるサーミスタ及び抵抗素子の配置例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example of arrangement | positioning of the thermistor and a resistive element in the temperature compensation circuit of FIG. 本発明の第３の実施形態に係る無線通信装置の回路構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the circuit structure of the radio | wireless communication apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態に係る無線通信装置の回路構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the circuit structure of the radio | wireless communication apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention.

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る無線通信装置について、図１〜図６を参照して説明する。 (First embodiment)
Hereinafter, a wireless communication apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１において、無線通信装置１は、例えばＮＦＣのような無線通信規格に準拠しており、少なくとも、アンテナ回路１１と、ＲＦＩＣチップ１２と、複数の抵抗素子１３（図示は５個の抵抗素子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ）と、温度補償回路１４と、を備えている。 In FIG. 1, a wireless communication device 1 conforms to a wireless communication standard such as NFC, for example, and includes at least an antenna circuit 11, an RFIC chip 12, and a plurality of resistance elements 13 (illustrated five resistance elements 13a). , 13b, 13c, 13d, 13e) and a temperature compensation circuit 14.

アンテナ回路１１は、アンテナコイル１５と、コンデンサ１６と、可変容量素子１７とからなる並列ＬＣ共振回路である。アンテナコイル１５は、例えば、所定値のインダクタンス成分を有する積層コイル又は薄膜コイルからなる。コンデンサ１６は、固定容量値を有する同調用コンデンサであり、例えばセラミック積層コンデンサからなる。 The antenna circuit 11 is a parallel LC resonance circuit including an antenna coil 15, a capacitor 16, and a variable capacitance element 17. The antenna coil 15 is composed of, for example, a laminated coil or a thin film coil having an inductance component having a predetermined value. The capacitor 16 is a tuning capacitor having a fixed capacitance value, and is made of, for example, a ceramic multilayer capacitor.

可変容量素子１７は、ノードＮ２を介して印加された制御電圧Ｖｄの大きさにより、自身の容量値を変更する。より具体的には、図２に示すように、制御電圧Ｖｄの大きさにより容量値が減少し、かつ、周囲温度の上昇に伴って容量値が増加する特性を有する。図２では、周囲温度が−２５，２５，８０［℃］の場合における容量値の変化を示している。このような場合、周囲温度の上昇に応じて制御電圧Ｖｄを大きくすれば、可変容量素子１７の温度特性を補償でき、その結果、アンテナ回路１１の共振周波数を補償することが可能となる。 The variable capacitance element 17 changes its capacitance value according to the magnitude of the control voltage Vd applied through the node N2. More specifically, as shown in FIG. 2, the capacitance value decreases with the magnitude of the control voltage Vd, and the capacitance value increases as the ambient temperature increases. FIG. 2 shows changes in the capacitance value when the ambient temperature is −25, 25, 80 [° C.]. In such a case, if the control voltage Vd is increased as the ambient temperature increases, the temperature characteristic of the variable capacitance element 17 can be compensated, and as a result, the resonance frequency of the antenna circuit 11 can be compensated.

本実施形態では、並列ＬＣ共振回路は、アンテナコイル１５のインダクタンス成分と、コンデンサ１６及び可変容量素子１７からなる容量成分と、で構成される。しかし、アンテナコイル１５と可変容量素子１７とで所望の共振周波数の可動範囲が得られるのであれば、アンテナ回路１１にコンデンサ１６を設けなくとも構わない。この場合、並列ＬＣ共振回路は、アンテナコイル１５のインダクタンス成分と、可変容量素子１７からなる容量成分と、で構成される。 In the present embodiment, the parallel LC resonance circuit includes an inductance component of the antenna coil 15 and a capacitance component including the capacitor 16 and the variable capacitance element 17. However, the capacitor 16 may not be provided in the antenna circuit 11 as long as a movable range of a desired resonance frequency can be obtained by the antenna coil 15 and the variable capacitance element 17. In this case, the parallel LC resonance circuit is composed of an inductance component of the antenna coil 15 and a capacitance component composed of the variable capacitance element 17.

ここで、図１を再度参照する。アンテナ回路１１の各素子値は、無線通信装置１がＮＦＣに準拠する場合には、１３ＭＨｚ帯の周波数で共振するよう設計される。このアンテナ回路１１は、アンテナコイル１５が通信相手側の無線通信機器（以下、単に「通信相手」という）に備わるアンテナコイルと磁気結合することにより、通信相手と信号の送受を行う。 Reference is now made to FIG. 1 again. Each element value of the antenna circuit 11 is designed to resonate at a frequency of 13 MHz band when the wireless communication device 1 is compliant with NFC. The antenna circuit 11 transmits and receives signals to and from a communication partner by magnetically coupling the antenna coil 15 to an antenna coil provided in a wireless communication device (hereinafter simply referred to as “communication partner”) on the communication partner side.

ＲＦＩＣチップ１２は、例えば制御ＩＣチップからベースバンド信号を受信し、所定のデジタル変調方式に従って、受信ベースバンド信号を所定の高周波数帯（例えば１３ＭＨｚ帯）の送信信号に変換してアンテナ回路１１に出力する。また、ＲＦＩＣチップ１２は、同デジタル変調方式に従って、アンテナ回路１１での受信した高周波信号をベースバンド信号に変換して例えば制御ＩＣチップに送信する。 The RFIC chip 12 receives a baseband signal from, for example, a control IC chip, converts the received baseband signal into a transmission signal of a predetermined high frequency band (for example, 13 MHz band), and transmits it to the antenna circuit 11 according to a predetermined digital modulation method. Output. Further, the RFIC chip 12 converts the high-frequency signal received by the antenna circuit 11 into a baseband signal according to the digital modulation method, and transmits it to, for example, the control IC chip.

また、無線通信装置１は、ＮＦＣに準拠する場合、カードエミュレーションモードやリーダ／ライタモードで動作可能である。ＲＦＩＣチップ１２は、カードエミュレーションモードの場合、パッシブ動作する。具体的には、ＲＦＩＣチップ１２は、信号受信時、アンテナコイル１５の受信信号から電源電圧を生成すると共に、受信データを復調する。ＲＦＩＣチップ１２は、送信時、アンテナ回路１１に接続される負荷を切り替えて、アンテナ回路１１を介して通信相手（つまりリーダ／ライタ）に送信信号を出力する。リーダ／ライタモードの場合、ＲＦＩＣチップ１２は、アクティブ動作する。具体的には、ＲＦＩＣチップ１２は、信号送信時、搬送波を送信データで変調して得られる送信信号を、アンテナ回路１１を介して通信相手（ＩＣカード）に送信する。また、ＲＦＩＣチップ１２は、信号受信時、通信相手（ＩＣカード）の負荷変動をアンテナコイル１５の負荷変動として検出し、その後、通信相手の送信信号を受信する。 In addition, the wireless communication device 1 can operate in a card emulation mode or a reader / writer mode when complying with NFC. The RFIC chip 12 operates passively in the card emulation mode. Specifically, when receiving the signal, the RFIC chip 12 generates a power supply voltage from the received signal of the antenna coil 15 and demodulates the received data. The RFIC chip 12 switches a load connected to the antenna circuit 11 during transmission, and outputs a transmission signal to a communication partner (that is, a reader / writer) via the antenna circuit 11. In the reader / writer mode, the RFIC chip 12 performs an active operation. Specifically, at the time of signal transmission, the RFIC chip 12 transmits a transmission signal obtained by modulating a carrier wave with transmission data to a communication partner (IC card) via the antenna circuit 11. Further, when receiving a signal, the RFIC chip 12 detects a load variation of the communication partner (IC card) as a load variation of the antenna coil 15 and then receives a transmission signal of the communication partner.

上述の動作モードに応じて、ＲＦＩＣチップ１２からアンテナ回路１１を見たインピーダンスは変化するので、動作モードに応じてアンテナ回路１１の共振周波数が最適になるように、可変容量素子１７の容量値が制御される。この制御のために、ＲＦＩＣチップ１２は、複数個の汎用入出力（ＧＰＩＯ：（ＧｅｎｅｒａｌＰｕｒｐｏｓｅＩｎｐｕｔＯｕｔｐｕｔ）ポートＰ（例えば５個の汎用入出力ポートＰ１〜Ｐ５）を有する。 Since the impedance when the antenna circuit 11 is viewed from the RFIC chip 12 changes according to the above-described operation mode, the capacitance value of the variable capacitance element 17 is set so that the resonance frequency of the antenna circuit 11 is optimized according to the operation mode. Be controlled. For this control, the RFIC chip 12 has a plurality of general-purpose input / output (GPIO) ports P (for example, five general-purpose input / output ports P1 to P5).

上述の汎用入出力ポートＰ１〜Ｐ５に抵抗素子１３ａ〜１３ｅの一方端が結線される。また、抵抗素子１３ａ〜１３ｅの全ての他方端はノードＮ１（言い換えると、温度補償回路１４の入力端子）に結線される。ここで、抵抗素子１３ａ〜１３ｅの抵抗値をＲ１〜Ｒ５とすると、Ｒ１〜Ｒ５は、それらの中の最も小さな抵抗値を基準として、２の累乗の比率で定められる。例えば、Ｒ１：Ｒ２：Ｒ３：Ｒ４：Ｒ５＝１：２：４：８：１６となる。具体例を挙げると、Ｒ１が１０［ｋΩ］の場合、Ｒ２は２０［ｋΩ］であり、Ｒ５は１６０［ｋΩ］である。 One ends of resistance elements 13a to 13e are connected to the general-purpose input / output ports P1 to P5. Further, all the other ends of the resistance elements 13a to 13e are connected to the node N1 (in other words, the input terminal of the temperature compensation circuit 14). Here, if the resistance values of the resistance elements 13a to 13e are R1 to R5, R1 to R5 are determined at a power of 2 ratio with the smallest resistance value among them as a reference. For example, R1: R2: R3: R4: R5 = 1: 2: 4: 8: 16. As a specific example, when R1 is 10 [kΩ], R2 is 20 [kΩ] and R5 is 160 [kΩ].

ここで、ＲＦＩＣチップ１２の動作の一例を説明する。ＲＦＩＣチップ１２は、汎用入出力ポートＰ１〜Ｐ５の中のいくつかを選択し、選択したものをハイレベル（電源電圧）に設定し、残りをローレベル（グランド電圧）に設定する。例えば、汎用入出力ポートＰ１がハイレベルで、残りの汎用入出力ポートＰ２〜Ｐ５がすべてローレベルであれば、抵抗素子１３ａが抵抗分圧回路２１の上アームを構成し、抵抗素子１３ｂ〜１３ｅがその下アームを構成する。したがって、各汎用入出力ポートＰ１〜Ｐ５の電圧値に応じて、抵抗素子１３ａ〜１３ｅは抵抗分圧回路２１として作用する。この抵抗分圧回路２１は、現在の分圧比で、電源電圧値を分圧して出力する。この出力電圧が制御電圧ＶｏとしてノードＮ１に現れる。ここで、抵抗値Ｒ１〜Ｒ５は、上述の通りの比率で定められているので、分圧比は、汎用入出力ポートＰ１〜Ｐ５のハイレベルおよびローレベルの組み合わせ数、つまり２の５乗（＝３２）通りある。このように、本ＲＦＩＣチップ１２は、異なる大きさの制御電圧Ｖｏを出力可能であり、これにより、動作モードに応じて可変容量素子１７の容量値を制御可能である。 Here, an example of the operation of the RFIC chip 12 will be described. The RFIC chip 12 selects some of the general-purpose input / output ports P1 to P5, sets the selected ones to a high level (power supply voltage), and sets the remaining ones to a low level (ground voltage). For example, if the general-purpose input / output port P1 is at a high level and the remaining general-purpose input / output ports P2 to P5 are all at a low level, the resistance element 13a constitutes the upper arm of the resistance voltage dividing circuit 21, and the resistance elements 13b to 13e Constitutes the lower arm. Therefore, the resistance elements 13a to 13e function as the resistance voltage dividing circuit 21 according to the voltage values of the general-purpose input / output ports P1 to P5. The resistance voltage dividing circuit 21 divides and outputs the power supply voltage value at the current voltage dividing ratio. This output voltage appears at the node N1 as the control voltage Vo. Here, since the resistance values R1 to R5 are determined by the ratio as described above, the voltage dividing ratio is the number of combinations of the high level and the low level of the general-purpose input / output ports P1 to P5, that is, the fifth power (= 32) There are streets. As described above, the RFIC chip 12 can output the control voltage Vo having different magnitudes, and can thereby control the capacitance value of the variable capacitance element 17 in accordance with the operation mode.

なお、本実施形態では、各抵抗素子１３ａ〜１３ｅの抵抗値を、最も小さな抵抗値を基準として２の累乗の比率で定めることによって、ＲＦＩＣチップ１２は、制御電圧Ｖｏを一定間隔で連続的に変化させることが可能である。しかし、制御電圧Ｖｏは、これに限定されるものではない。 In the present embodiment, the RFIC chip 12 continuously sets the control voltage Vo at regular intervals by determining the resistance value of each of the resistance elements 13a to 13e at a power ratio of 2 with the smallest resistance value as a reference. It is possible to change. However, the control voltage Vo is not limited to this.

温度補償回路１４は、サーミスタ１８と、分圧抵抗１９，２０とを含んでいる。サーミスタ１８は、ＮＴＣ（ＮｅｇａｔｉｖｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタであり、ノードＮ１，Ｎ２の間に接続される。ここで、サーミスタ１８の抵抗値Ｔ１は、図３に示すように、周囲温度の上昇に伴って概ね線形に減少する特性を有する。分圧抵抗１９は、抵抗値Ｄ１を有しており、サーミスタ１８に並列接続される。また、分圧抵抗２０は、抵抗値Ｄ２を有する。分圧抵抗２０の一方端は、ノードＮ２と電気的に接続されており、他方端は接地される。 The temperature compensation circuit 14 includes a thermistor 18 and voltage dividing resistors 19 and 20. The thermistor 18 is an NTC (Negative Temperature Coefficient) thermistor and is connected between the nodes N1 and N2. Here, as shown in FIG. 3, the resistance value T <b> 1 of the thermistor 18 has a characteristic of decreasing linearly as the ambient temperature increases. The voltage dividing resistor 19 has a resistance value D 1 and is connected in parallel to the thermistor 18. The voltage dividing resistor 20 has a resistance value D2. One end of the voltage dividing resistor 20 is electrically connected to the node N2, and the other end is grounded.

以上の温度補償回路１４は、ノードＮ１に現れる制御電圧Ｖｏを入力とし、該入力制御電圧Ｖｏを分圧して、温度補償済みの制御電圧Ｖｄを出力する。ここで、制御電圧Ｖｄは、温度補償回路１４の分圧抵抗２０の両端に現れる電圧に等しく、次式（１）で表される。 The above temperature compensation circuit 14 receives the control voltage Vo appearing at the node N1, and divides the input control voltage Vo to output the temperature compensated control voltage Vd. Here, the control voltage Vd is equal to the voltage appearing at both ends of the voltage dividing resistor 20 of the temperature compensation circuit 14, and is expressed by the following equation (1).

Ｖｄ＝Ｖｏ・Ｄ２／｛Ｄ１・Ｔ１／（Ｄ１＋Ｔ１）＋Ｄ２｝ …（１） Vd = Vo · D2 / {D1 · T1 / (D1 + T1) + D2} (1)

ここで、図４は、周囲温度に対する、温度補償済みの制御電圧Ｖｄの変化を例示するグラフである。図４において、各制御電圧Ｖｄは、周囲温度が２５［℃］の場合のＶｄを１とした場合の比率で表されている。図３のような温度特性のＮＴＣサーミスタを用いて、図１に示すような回路構成の温度補償回路１４を採用することで、周囲温度の上昇に伴って大きくなる、温度補償済みの制御電圧Ｖｄが可変容量素子１７に印加される。 Here, FIG. 4 is a graph illustrating the change of the temperature-compensated control voltage Vd with respect to the ambient temperature. In FIG. 4, each control voltage Vd is expressed as a ratio when Vd is 1 when the ambient temperature is 25 [° C.]. By using the temperature compensation circuit 14 having the circuit configuration shown in FIG. 1 using the NTC thermistor having the temperature characteristics as shown in FIG. 3, the temperature compensated control voltage Vd increases as the ambient temperature rises. Is applied to the variable capacitance element 17.

（第１の実施形態の作用・効果）
以上説明したように、本実施形態では、可変容量素子１７は、図２に示すように、印加電圧が大きくなると容量値が減少し、かつ、周囲温度上昇に応じて容量値が増加する特性を有する。この可変容量素子１７の温度特性、ひいてはアンテナ回路１１の共振周波数の温度特性を、温度補償済みの制御電圧Ｖｄ（図４を参照）で補償する。より具体的には、温度補償回路１４は、温度環境による可変容量素子１７の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境によるサーミスタ１８自身の比抵抗の変化によって制御電圧Ｖｏを調整して、温度補償済みの制御電圧Ｖｄを生成する。したがって、図５の実線で示すように、周囲温度に関わらず可変容量素子１７の容量値を実質的にフラットにすることができる。なお、図５には、対比のために、温度補償無しの場合における可変容量素子１７の容量値が点線で示されている。 (Operation and effect of the first embodiment)
As described above, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the variable capacitance element 17 has a characteristic that the capacitance value decreases as the applied voltage increases and the capacitance value increases as the ambient temperature increases. Have. The temperature characteristics of the variable capacitance element 17 and thus the temperature characteristics of the resonance frequency of the antenna circuit 11 are compensated by the temperature-compensated control voltage Vd (see FIG. 4). More specifically, the temperature compensation circuit 14 adjusts the control voltage Vo by changing the specific resistance of the thermistor 18 due to the temperature environment so as to cancel at least part of the capacitance change of the variable capacitance element 17 due to the temperature environment. Thus, the temperature compensated control voltage Vd is generated. Therefore, as indicated by the solid line in FIG. 5, the capacitance value of the variable capacitance element 17 can be substantially flat regardless of the ambient temperature. In FIG. 5, for comparison, the capacitance value of the variable capacitance element 17 without temperature compensation is indicated by a dotted line.

温度補償回路１４は、図３に示す温度特性を有するサーミスタ１８と、分圧抵抗１９，２０とを含んでおり、入力制御電圧Ｖｏを分圧して、温度補償済みの制御電圧Ｖｄを生成する。以上のように、本実施形態では、サーミスタ１８により、周囲温度の検出と可変容量素子１７の温度補償とが実質的に同時に行われている。したがって、従来のような制御部の処理が不要となるため、共振周波数の温度補償をより高速に行うことが可能となる。 The temperature compensation circuit 14 includes a thermistor 18 having temperature characteristics shown in FIG. 3 and voltage dividing resistors 19 and 20, and divides the input control voltage Vo to generate a temperature compensated control voltage Vd. As described above, in this embodiment, the thermistor 18 detects the ambient temperature and compensates the temperature of the variable capacitor 17 substantially simultaneously. Accordingly, since the processing of the control unit as in the prior art is not necessary, the temperature compensation of the resonance frequency can be performed at a higher speed.

また、本実施形態では、サーミスタ１８として、広い周囲温度にわたって概ね線形な温度特性（図３を参照）を有するＮＴＣサーミスタが用いられる。これにより、広い温度範囲にわたって可変容量素子１７の容量値の温度補償が可能となる。 In this embodiment, the thermistor 18 is an NTC thermistor having a substantially linear temperature characteristic (see FIG. 3) over a wide ambient temperature. Thereby, temperature compensation of the capacitance value of the variable capacitance element 17 is possible over a wide temperature range.

（付記）
なお、温度補償回路１４は、図１に示す回路構成に限らず、サーミスタ１８がノードＮ１，Ｎ２間に直列に接続されていれば、温度補償に必要となる線形性や非線形性に応じて、図６（Ａ）〜（Ｄ）に示すような回路構成を採っても構わない。もし即応性を優先する場合には、温度補償回路１４としては、図６（Ａ）の回路構成を採用することが好ましい。 (Appendix)
The temperature compensation circuit 14 is not limited to the circuit configuration shown in FIG. 1, and if the thermistor 18 is connected in series between the nodes N1 and N2, depending on the linearity and nonlinearity required for temperature compensation, A circuit configuration as shown in FIGS. 6A to 6D may be adopted. If priority is given to responsiveness, it is preferable to employ the circuit configuration of FIG.

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る無線通信装置について、図７〜図１０を参照して説明する。図７の無線通信装置５は、図１の無線通信装置１と比較すると、可変容量素子１７及び温度補償回路１４に代えて可変容量素子５１及び温度補償回路５２を備える点で相違する。それ以外に、両無線通信装置１，５の間に相違点は無いので、図７において、図１の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。 (Second Embodiment)
Next, a radio communication apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The wireless communication device 5 in FIG. 7 is different from the wireless communication device 1 in FIG. 1 in that a variable capacitance element 51 and a temperature compensation circuit 52 are provided instead of the variable capacitance element 17 and the temperature compensation circuit 14. In addition, since there is no difference between the wireless communication apparatuses 1 and 5, in FIG. 7, components corresponding to the configuration of FIG.

可変容量素子５１は、ノードＮ２を介して印加された温度補償済みの制御電圧Ｖｅの大きさにより、自身の容量値を変更する。より具体的には、図８に示すように、制御電圧Ｖｅの大きさにより容量値が減少し、かつ、周囲温度の降下に伴って容量値が増加する特性を有する。このような場合、周囲温度の上昇に応じて制御電圧Ｖｅを小さくすれば、可変容量素子５１の容量値の温度特性を補償でき、その結果、アンテナ回路１１の共振周波数を補償することが可能となる。 The variable capacitance element 51 changes its capacitance value according to the magnitude of the temperature compensated control voltage Ve applied through the node N2. More specifically, as shown in FIG. 8, the capacitance value decreases with the magnitude of the control voltage Ve, and the capacitance value increases as the ambient temperature decreases. In such a case, if the control voltage Ve is reduced as the ambient temperature increases, the temperature characteristic of the capacitance value of the variable capacitor 51 can be compensated, and as a result, the resonance frequency of the antenna circuit 11 can be compensated. Become.

なお、本実施形態でも、アンテナコイル１５と可変容量素子５１とで所望の共振周波数の可動範囲が得られるのであれば、アンテナ回路１１にコンデンサ１６を設けなくとも構わない。 In the present embodiment as well, the capacitor 16 may not be provided in the antenna circuit 11 as long as the movable range of a desired resonance frequency can be obtained by the antenna coil 15 and the variable capacitance element 51.

温度補償回路５２は、分圧抵抗５３，５４と、サーミスタ５５とを含む。分圧抵抗５３は、抵抗値Ｄ３を有しており、ノードＮ１，Ｎ２の間に接続される。また、分圧抵抗５４は抵抗値Ｄ４を有する。サーミスタ５５は、ＮＴＣサーミスタであり、その抵抗値Ｔ２は、サーミスタ１８の抵抗値Ｔ１と同様の温度特性を有する（図３を参照）。以上の分圧抵抗５４とサーミスタ５５とにより並列回路が構成され、この並列回路はノードＮ２とグランドの間に接続される。 Temperature compensation circuit 52 includes voltage dividing resistors 53 and 54 and a thermistor 55. The voltage dividing resistor 53 has a resistance value D3 and is connected between the nodes N1 and N2. The voltage dividing resistor 54 has a resistance value D4. The thermistor 55 is an NTC thermistor, and its resistance value T2 has the same temperature characteristic as the resistance value T1 of the thermistor 18 (see FIG. 3). The voltage dividing resistor 54 and the thermistor 55 constitute a parallel circuit, and this parallel circuit is connected between the node N2 and the ground.

ここで、ノードＮ１への印加電圧値（温度補償回路５２への入力電圧値）Ｖｏと、ノードＮ２に現れる電圧（温度補償済みの制御電圧）Ｖｅとの関係は、次式（２）で表される。 Here, the relationship between the applied voltage value to the node N1 (input voltage value to the temperature compensation circuit 52) Vo and the voltage appearing at the node N2 (temperature compensated control voltage) Ve is expressed by the following equation (2). Is done.

Ｖｅ＝Ｖｏ・Ｔ２・Ｄ４／｛Ｄ３（Ｔ２＋Ｄ４）＋Ｔ２・Ｄ４｝ …（２） Ve = Vo · T2 · D4 / {D3 (T2 + D4) + T2 · D4} (2)

ここで、図９は、周囲温度に対する、制御電圧Ｖｅの変化を例示するグラフである。各制御電圧Ｖｅは、周囲温度が２５［℃］の場合のＶｅを１とした場合の比率で表されている。図３のような温度特性のＮＴＣサーミスタを用い、図９のような回路構成の温度補償回路５２を採用することにより、周囲温度の上昇に伴って小さくなる、温度補償済みの制御電圧Ｖｅが可変容量素子５１に印加される。 Here, FIG. 9 is a graph illustrating the change of the control voltage Ve with respect to the ambient temperature. Each control voltage Ve is represented by a ratio when Ve is 1 when the ambient temperature is 25 [° C.]. By using the NTC thermistor having the temperature characteristics as shown in FIG. 3 and adopting the temperature compensation circuit 52 having the circuit configuration as shown in FIG. 9, the temperature compensated control voltage Ve that becomes smaller as the ambient temperature rises is variable. Applied to the capacitive element 51.

（第２の実施形態の作用・効果）
以上の通り、本実施形態では、温度補償回路５２は、可変容量素子５１の容量値の温度特性を制御電圧Ｖｅ（図９を参照）により補償する。ここで、温度補償回路５２は、図７に示す温度特性を有するサーミスタ５５と、分圧抵抗５３，５４とを含んでおり、可変容量素子５１の容量値の温度補償が可能な制御電圧Ｖｅを生成する。より具体的には、温度補償回路５２は、温度環境による可変容量素子５１の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境によるサーミスタ５５自身の比抵抗の変化によって制御電圧Ｖｏを調整して、温度補償済みの制御電圧Ｖｅを生成する。ここで、制御電圧Ｖｅは、分圧抵抗５４及びサーミスタ５５からなる並列回路（図７参照）の両端に現れる電圧に等しい。以上のように、本実施形態でも、周囲温度の検出と可変容量素子５１の温度補償とが実質的に同時に行われるため、共振周波数の温度補償をより高速に行うことが可能となる。 (Operation / Effect of Second Embodiment)
As described above, in the present embodiment, the temperature compensation circuit 52 compensates the temperature characteristic of the capacitance value of the variable capacitance element 51 with the control voltage Ve (see FIG. 9). Here, the temperature compensation circuit 52 includes a thermistor 55 having the temperature characteristics shown in FIG. 7 and voltage dividing resistors 53 and 54, and a control voltage Ve capable of temperature compensation of the capacitance value of the variable capacitance element 51. Generate. More specifically, the temperature compensation circuit 52 adjusts the control voltage Vo by changing the specific resistance of the thermistor 55 itself due to the temperature environment so as to cancel at least a part of the capacitance change of the variable capacitance element 51 due to the temperature environment. Thus, the temperature-compensated control voltage Ve is generated. Here, the control voltage Ve is equal to a voltage appearing at both ends of a parallel circuit (see FIG. 7) including the voltage dividing resistor 54 and the thermistor 55. As described above, also in this embodiment, the detection of the ambient temperature and the temperature compensation of the variable capacitance element 51 are performed substantially simultaneously, so that the temperature compensation of the resonance frequency can be performed at a higher speed.

ところで、市場に流通する可変容量素子の大半は図８のような温度特性を有する。本実施形態では、このような温度特性の可変容量素子５１が用いられるため、無線通信装置５の小型化が容易になる。 By the way, most of the variable capacitance elements in the market have temperature characteristics as shown in FIG. In the present embodiment, since the variable capacitance element 51 having such temperature characteristics is used, the wireless communication device 5 can be easily downsized.

また、本実施形態では、サーミスタ５５としてＮＴＣサーミスタが用いられるため、第１の実施形態と同様に、広い温度範囲にわたってインダクタンス成分と、印加された電圧値の大きさにより容量値を変更可能な可変容量素子５１からなる容量成分とで構成されるＬＣ共振回路を少なくとも含むアンテナ回路１１と、前記アンテナ回路１１と接続されるとともに、前記可変容量素子５１への制御電圧を生成するＲＦＩＣチップ１２と、前記可変容量素子５１と直列又は並列に接続されたサーミスタ５５を含み、前記ＲＦＩＣチップ１２で生成された制御電圧を温度補償して、温度補償済みの制御電圧を前記可変容量素子５１に印加する温度補償回路５２と、を備え、前記温度補償回路５２は、温度環境による前記可変容量素子の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境による前記サーミスタ５５自身の比抵抗の変化によって前記制御電圧を調整するものである。 Further, in the present embodiment, since an NTC thermistor is used as the thermistor 55, as in the first embodiment, the capacitance value can be changed depending on the inductance component and the magnitude of the applied voltage value over a wide temperature range. An antenna circuit 11 including at least an LC resonance circuit composed of a capacitive component including a capacitive element 51; an RFIC chip 12 that is connected to the antenna circuit 11 and generates a control voltage to the variable capacitive element 51; A temperature which includes a thermistor 55 connected in series or in parallel with the variable capacitance element 51, temperature compensates the control voltage generated by the RFIC chip 12, and applies the temperature compensated control voltage to the variable capacitance element 51 A compensation circuit 52, and the temperature compensation circuit 52 is configured to prevent a change in capacitance of the variable capacitor due to a temperature environment. Even so as to cancel a part without, and adjusts the control voltage by the thermistor 55 itself in resistivity change with temperature environment.

（付記）
なお、温度補償回路５２は、図７に示す回路構成に限らず、サーミスタ５５がノードＮ２とグランドの間に接続されていれば、温度補償に必要となる線形性や非線形性に応じて、図１０（Ａ）〜（Ｄ）に示すような回路構成を採っても構わない。ここで、即応性を優先する場合には、温度補償回路５２としては、図１０（Ａ）の回路構成を採用することが好ましい。 (Appendix)
Note that the temperature compensation circuit 52 is not limited to the circuit configuration shown in FIG. 7, and if the thermistor 55 is connected between the node N2 and the ground, the temperature compensation circuit 52 is not limited depending on the linearity and nonlinearity required for temperature compensation. 10 (A) to 10 (D) may be employed. Here, when priority is given to responsiveness, it is preferable to employ the circuit configuration of FIG.

（第３の実施形態）
次に、図１１を参照して、本発明の第３の実施形態に係る無線通信装置を説明する。 (Third embodiment)
Next, a wireless communication apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

上記無線通信装置１（第１の実施形態を参照）は、ＲＦＩＣチップ１２により制御電圧Ｖｏを生成していた。それに対し、図１１に示す無線通信装置７は、無線通信装置１と比較すると、ＲＦＩＣチップ１２に代えてＲＦＩＣチップ７１を備える点と、制御ＩＣチップ７２をさらに備える点と、で相違する。それゆえ、図１１において、図１の構成に相当するものには同一参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。 In the wireless communication device 1 (see the first embodiment), the control voltage Vo is generated by the RFIC chip 12. On the other hand, the wireless communication device 7 shown in FIG. 11 differs from the wireless communication device 1 in that it includes an RFIC chip 71 instead of the RFIC chip 12 and further includes a control IC chip 72. Therefore, in FIG. 11, the same reference numerals are assigned to the components corresponding to the configuration of FIG.

ＲＦＩＣチップ７１は、制御ＩＣチップ７２からベースバンド信号を受信し、所定のデジタル変調方式に従って、受信ベースバンド信号を所定の高周波数帯（例えば１３ＭＨｚ帯）の送信信号に変換してアンテナ回路１１に出力する。また、ＲＦＩＣチップ７１は、同デジタル変調方式に従って、アンテナ回路１１で受信した高周波信号をベースバンド信号に変換して制御ＩＣチップ７２に送信する。 The RFIC chip 71 receives a baseband signal from the control IC chip 72, converts the received baseband signal into a transmission signal of a predetermined high frequency band (for example, 13 MHz band) in accordance with a predetermined digital modulation method, and transmits it to the antenna circuit 11. Output. Further, the RFIC chip 71 converts the high frequency signal received by the antenna circuit 11 into a baseband signal and transmits it to the control IC chip 72 according to the digital modulation method.

制御ＩＣチップ７２は、送信すべきベースバンド信号を生成して、ＲＦＩＣチップ７１に出力するとともに、ＲＦＩＣチップ７１から入力されるベースバンド信号を処理する。制御ＩＣチップ７２はさらに、第１の実施形態で説明したものと同様の手法で、制御電圧Ｖｏを生成する。この制御電圧Ｖｏが温度補償回路１４に出力される。 The control IC chip 72 generates a baseband signal to be transmitted, outputs the baseband signal to the RFIC chip 71, and processes the baseband signal input from the RFIC chip 71. The control IC chip 72 further generates the control voltage Vo by the same method as that described in the first embodiment. This control voltage Vo is output to the temperature compensation circuit 14.

以上の構成により、無線通信装置７は、第１の実施形態と同様の作用・効果を奏する。 With the above configuration, the wireless communication device 7 has the same operations and effects as those of the first embodiment.

（第４の実施形態）
次に、図１２を参照して、本発明の第４の実施形態に係る無線通信装置を説明する。 (Fourth embodiment)
Next, with reference to FIG. 12, the radio | wireless communication apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention is demonstrated.

上記無線通信装置５（第２の実施形態を参照）は、ＲＦＩＣチップ１２により制御電圧Ｖｏを生成していた。それに対し、図１２に示す無線通信装置９は、無線通信装置５と比較すると、ＲＦＩＣチップ１２に代えてＲＦＩＣチップ７１を備える点と、制御ＩＣチップ７２をさらに備える点と、で相違する。それゆえ、図１２において、図７の構成に相当するものには同一参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。 In the wireless communication device 5 (see the second embodiment), the RFIC chip 12 generates the control voltage Vo. On the other hand, the wireless communication device 9 shown in FIG. 12 differs from the wireless communication device 5 in that it includes an RFIC chip 71 instead of the RFIC chip 12 and a control IC chip 72. Therefore, in FIG. 12, the same reference numerals are assigned to the components corresponding to those in FIG. 7, and the descriptions thereof are omitted.

また、ＲＦＩＣチップ７１及び制御ＩＣチップ７２は、第３の実施形態で説明した通りであるため、それぞれの説明を省略する。ただし、制御電圧Ｖｏの出力先が温度補償回路５２となる点は、第３の実施形態のそれとは相違する。 Further, since the RFIC chip 71 and the control IC chip 72 are as described in the third embodiment, their descriptions are omitted. However, the point that the output destination of the control voltage Vo is the temperature compensation circuit 52 is different from that of the third embodiment.

以上の構成により、無線通信装置９は、第２の実施形態と同様の作用・効果を奏する。 With the above configuration, the wireless communication device 9 has the same operations and effects as those of the second embodiment.

本実施形態に係る無線通信装置は、アンテナ回路の共振周波数を高速に温度補償可能で、リーダ／ライタ装置、ＲＦＩＤタグ、非接触ＩＣカード又は携帯電話等に適用可能である。 The wireless communication device according to the present embodiment can compensate temperature of the resonance frequency of the antenna circuit at high speed, and can be applied to a reader / writer device, an RFID tag, a non-contact IC card, a mobile phone, or the like.

１，５，７，９無線通信装置
１１アンテナ回路
１５アンテナコイル
１７，５１可変容量素子
１２，７１ＲＦＩＣチップ
１３抵抗素子
１４，５２温度補償回路
１８，５５サーミスタ
１９，２０，５３，５４分圧抵抗
２１抵抗分圧回路
７２制御ＩＣチップ 1, 5, 7, 9 Wireless communication device 11 Antenna circuit 15 Antenna coil 17, 51 Variable capacitance element 12, 71 RFIC chip 13 Resistance element 14, 52 Temperature compensation circuit 18, 55 Thermistor 19, 20, 53, 54 Voltage dividing resistor 21. Resistance voltage dividing circuit 72. Control IC chip

Claims

インダクタンス成分と、印加された電圧値の大きさにより容量値を変更可能な可変容量素子からなる容量成分とで構成されるＬＣ共振回路を少なくとも含むアンテナ回路と、
前記アンテナ回路と接続されるとともに、前記可変容量素子への制御電圧を生成するＲＦＩＣチップと、
前記可変容量素子と直列又は並列に接続されたサーミスタを含み、前記ＲＦＩＣチップで生成された制御電圧を温度補償して、温度補償済みの制御電圧を前記可変容量素子に印加する温度補償回路と、を備え、
前記温度補償回路は、温度環境による前記可変容量素子の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境による前記サーミスタ自身の比抵抗の変化によって前記制御電圧を調整するものである、無線通信装置。 An antenna circuit including at least an LC resonance circuit including an inductance component and a capacitance component including a variable capacitance element capable of changing a capacitance value according to the magnitude of an applied voltage value;
An RFIC chip connected to the antenna circuit and generating a control voltage to the variable capacitance element;
A temperature compensation circuit including a thermistor connected in series or in parallel with the variable capacitance element, temperature-compensating a control voltage generated by the RFIC chip, and applying a temperature-compensated control voltage to the variable capacitance element; With
The temperature compensation circuit adjusts the control voltage according to a change in specific resistance of the thermistor due to a temperature environment so as to cancel at least a part of a capacitance change of the variable capacitance element due to the temperature environment. apparatus.

インダクタンス成分と、印加された電圧値の大きさにより容量値を変更可能な可変容量素子からなる容量成分とで構成されるＬＣ共振回路を少なくとも含むアンテナ回路と、
前記アンテナ回路と接続されるＲＦＩＣチップと、
前記可変容量素子への制御電圧を生成する制御ＩＣチップと、
前記可変容量素子と直列または並列に接続されたサーミスタを含み、前記ＲＦＩＣチップで生成された制御電圧を温度補償して、温度補償済みの制御電圧を前記可変容量素子に印加する温度補償回路と、を備え、
前記温度補償回路は、温度環境による前記可変容量素子の容量変化の少なくとも一部を相殺するように、温度環境による前記サーミスタ自身の比抵抗の変化によって前記制御電圧を調整するものである、無線通信装置。 An antenna circuit including at least an LC resonance circuit including an inductance component and a capacitance component including a variable capacitance element capable of changing a capacitance value according to the magnitude of an applied voltage value;
An RFIC chip connected to the antenna circuit;
A control IC chip for generating a control voltage to the variable capacitance element;
A temperature compensation circuit including a thermistor connected in series or in parallel with the variable capacitance element, temperature-compensating a control voltage generated by the RFIC chip, and applying a temperature-compensated control voltage to the variable capacitance element; With
The temperature compensation circuit adjusts the control voltage according to a change in specific resistance of the thermistor due to a temperature environment so as to cancel at least a part of a capacitance change of the variable capacitance element due to the temperature environment. apparatus.

前記サーミスタは、負の温度係数を有するＮＴＣサーミスタであり、
前記温度補償回路はさらに、少なくとも１つの分圧抵抗素子を含んでおり、前記ＲＦＩＣチップからの制御電圧を該ＮＴＣサーミスタ及び該分圧抵抗素子で分圧して、温度補償済みの制御電圧を生成する、請求項１又は２に記載の無線通信装置。 The thermistor is an NTC thermistor having a negative temperature coefficient;
The temperature compensation circuit further includes at least one voltage dividing resistor element, and the control voltage from the RFIC chip is divided by the NTC thermistor and the voltage dividing resistor element to generate a temperature compensated control voltage. The wireless communication apparatus according to claim 1 or 2.

前記可変容量素子と前記サーミスタとは直列に接続されており、
前記可変容量素子は、周囲温度の上昇に伴って容量値が増加する特性を有し、
前記温度補償回路は、周囲温度の上昇に伴って大きくなる、温度補償済みの制御電圧を生成する、請求項１〜３のいずれかに記載の無線通信装置。 The variable capacitance element and the thermistor are connected in series,
The variable capacitance element has a characteristic that the capacitance value increases as the ambient temperature increases,
The wireless communication apparatus according to claim 1, wherein the temperature compensation circuit generates a temperature-compensated control voltage that increases with an increase in ambient temperature.

前記可変容量素子と前記サーミスタとは並列に接続されており、
前記可変容量素子は、周囲温度の上昇に伴って容量値が低下する特性を有し、
前記温度補償回路は、周囲温度の上昇に伴って小さくなる、温度補償済みの制御電圧を生成する、請求項１〜３のいずれかに記載の無線通信装置。 The variable capacitance element and the thermistor are connected in parallel,
The variable capacitance element has a characteristic that the capacitance value decreases as the ambient temperature increases,
The wireless communication apparatus according to claim 1, wherein the temperature compensation circuit generates a temperature-compensated control voltage that decreases as the ambient temperature increases.