JP5787848B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態の固体撮像装置の構成の例を示す模式的平面図である。
図3に、通常解像度動作時の動作波形を示す。なお、図3では、周期的に繰り返される転送動作の途中の周期の波形を示している。
図5に、1/2解像度動作時の動作波形を示す。この図5でも、周期的に繰り返される転送動作の途中の周期の波形を示している。
図7に、第1の画素列1の感度調整動作時の動作波形を示す。この場合、解像度は通常解像度である。
図8に、第2の画素列2の感度調整動作時の動作波形を示す。この場合も、解像度は通常解像度である。
2 第2の画素列
3 SH3ゲート(第1の転送ゲート)
4 SH1ゲート(第2の転送ゲート)
5 SH2ゲート(第3の転送ゲート)
6 TG1ゲート(第4の転送ゲート)
7 出力部
8 CLRゲート(クリアゲート)
9 SWゲート(スイッチゲート)
10 第1のドレイン部
11 第2のドレイン部
CCD1 第1のCCDレジスタ
CCD2 第2のCCDレジスタ
Claims (3)
- 第1の画素列と、
第2の画素列と、
前記第1の画素列と前記第2の画素列との間に配置された第1の転送ゲートと、
前記第2の画素列の奇数番目の画素に隣接して配置された第2の転送ゲートと、
前記第2の画素列の偶数番目の画素に隣接して配置された第3の転送ゲートと、
前記第2の転送ゲートおよび前記第3の転送ゲートに隣接して配置された第1のCCDレジスタと、
前記第1のCCDレジスタの奇数番目の蓄積ゲートに隣接して配置された第4の転送ゲートと、
前記第4の転送ゲートに隣接して配置された第2のCCDレジスタと、
前記第1のCCDレジスタおよび前記第2のCCDレジスタにより水平転送された電荷を電圧信号に変換して出力する出力部と、
前記第1の画素列に蓄積された電荷を第1のドレイン部へ向けて排出するかしないかを制御するクリアゲートと、
前記第2のCCDレジスタを水平転送されてきた電荷を第2のドレイン部へ向けて排出するかしないかを制御するスイッチゲートと
を備え、
前記第1の画素列が入射光を光電変換して電荷を蓄積する時間を第1の電荷蓄積時間とし、前記第2の画素列が入射光を光電変換して電荷を蓄積する時間を第2の電荷蓄積時間として、
前記第1の電荷蓄積時間あるいは前記第2の電荷蓄積時間のいずれか一方を基準としたときに他方が前記基準よりも短い値とされ、
前記第1の画素列に蓄積された電荷が、前記第1の転送ゲートを介して前記第2の画素列へ転送され、前記第2の画素列に蓄積される電荷に加算される
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記スイッチゲートが閉じられたままとされ、
前記第1の電荷蓄積時間が、
前記第1の転送ゲートが閉じられている期間中に前記クリアゲートが開かれて前記1の画素列に蓄積された電荷が前記ドレインゲートへ排出された後の、
前記クリアゲートが閉じられてから、前記第1の転送ゲートが開かれて次に閉じられるまでの時間であり、
前記第2の電荷蓄積時間が、
前記第2の転送ゲートおよび前記第3の転送ゲートの立ち下り周期であり、
前記第1の電荷蓄積時間が前記第2の電荷蓄積時間よりも短くされる
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記スイッチゲートおよび前記クリアゲートが閉じられたままとされ、
前記第1の電荷蓄積時間が、
前記第1の転送ゲートの立ち下り周期であり、
前記第2の電荷蓄積時間が、
前記第2の転送ゲートおよび前記第3の転送ゲートの立ち下り周期であり、
前記第2の電荷蓄積時間が前記第1の電荷蓄積時間よりも短くされる
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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